JPH11335114A - シリコン精製用加熱炉炉体 - Google Patents
シリコン精製用加熱炉炉体Info
- Publication number
- JPH11335114A JPH11335114A JP10140679A JP14067998A JPH11335114A JP H11335114 A JPH11335114 A JP H11335114A JP 10140679 A JP10140679 A JP 10140679A JP 14067998 A JP14067998 A JP 14067998A JP H11335114 A JPH11335114 A JP H11335114A
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- Japan
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- furnace
- inner shell
- outer shell
- shell
- decompression chamber
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- Withdrawn
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
Abstract
(57)【要約】
【課題】例えば電子ビームを用いて太陽電池用シリコン
を真空溶解精製する加熱炉炉体は、断熱が不十分で、炉
外への熱放散が大きく加熱源の熱効率が低い。 【解決手段】炉体壁を内殻2と外殻3とからなる2重構
造とし、内殻2と外殻3との間の空間を減圧密室4と
し、内殻と外殻が対向する面に輻射反射層5、6を形成
し、加熱炉炉体1の断熱構造を改善した。
を真空溶解精製する加熱炉炉体は、断熱が不十分で、炉
外への熱放散が大きく加熱源の熱効率が低い。 【解決手段】炉体壁を内殻2と外殻3とからなる2重構
造とし、内殻2と外殻3との間の空間を減圧密室4と
し、内殻と外殻が対向する面に輻射反射層5、6を形成
し、加熱炉炉体1の断熱構造を改善した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池用シリコ
ンを真空溶解精製するシリコン精製用加熱炉炉体に関
し、さらに詳しくは、炉壁の断熱構造を改善したシリコ
ン精製用加熱炉炉体に係るものである。
ンを真空溶解精製するシリコン精製用加熱炉炉体に関
し、さらに詳しくは、炉壁の断熱構造を改善したシリコ
ン精製用加熱炉炉体に係るものである。
【0002】
【従来の技術】従来、図3に示すように、例えば電子ビ
ームを用いて太陽電池用シリコンを真空溶解精製するシ
リコン精製用加熱炉炉体1は、炉体を覆う水冷鉄皮11
の内側に、例えばカーボン質等からなる不純物含有量の
少ない断熱材層12を設けて断熱し、熱損失を少なくす
るようにしていた。このような構造では断熱が不十分
で、炉外への熱放散が大きく加熱源の熱効率が低いとい
う問題があった。
ームを用いて太陽電池用シリコンを真空溶解精製するシ
リコン精製用加熱炉炉体1は、炉体を覆う水冷鉄皮11
の内側に、例えばカーボン質等からなる不純物含有量の
少ない断熱材層12を設けて断熱し、熱損失を少なくす
るようにしていた。このような構造では断熱が不十分
で、炉外への熱放散が大きく加熱源の熱効率が低いとい
う問題があった。
【0003】断熱性を高めた高温用途に使用される真空
断熱容器の構造が特開平6−56178号公報に開示さ
れている。この技術は真空断熱空間にスペーサを配する
もので、このために生ずる熱応力を軽減する技術である
が、開放容器であってシリコン精製用加熱炉に用いるこ
とはできない。
断熱容器の構造が特開平6−56178号公報に開示さ
れている。この技術は真空断熱空間にスペーサを配する
もので、このために生ずる熱応力を軽減する技術である
が、開放容器であってシリコン精製用加熱炉に用いるこ
とはできない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
シリコン精製用加熱炉炉体は、断熱性が不十分で熱損失
が大きく熱効率が低いという問題があった。本発明は、
密閉容器であるシリコン精製用加熱炉炉体の断熱構造の
改善を図ることによって、熱損失を低下させたシリコン
精製用加熱炉炉体を開発し、これを提供することを目的
とするものである。
シリコン精製用加熱炉炉体は、断熱性が不十分で熱損失
が大きく熱効率が低いという問題があった。本発明は、
密閉容器であるシリコン精製用加熱炉炉体の断熱構造の
改善を図ることによって、熱損失を低下させたシリコン
精製用加熱炉炉体を開発し、これを提供することを目的
とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するためになされたもので、炉体壁を内殻と外殻と
からなる2重構造とし、内殻と外殻との間の空間を減圧
密室とすると共に内殻と外殻が対向する面に輻射反射層
を形成したことを特徴とするシリコン精製用加熱炉炉体
を提供する。ここで輻射反射層とは、熱輻射を反射する
反射率の高い鏡面等を表面に備えた層を指称する。内殻
と外殻との間の空間を減圧密室とするのは、高温による
内圧の増加による炉体の強度上の問題を回避し、かつ対
流伝熱を防止するためであり、このような要求を満足す
るような圧力に減圧する。例えば、0.1torr程度
とするのがよい。真空溶解炉等の真空炉では、上記減圧
密室を炉内と連通させておき、操業時に同時に真空炉内
と同じ内圧の真空密室となるようにすればよい。
解決するためになされたもので、炉体壁を内殻と外殻と
からなる2重構造とし、内殻と外殻との間の空間を減圧
密室とすると共に内殻と外殻が対向する面に輻射反射層
を形成したことを特徴とするシリコン精製用加熱炉炉体
を提供する。ここで輻射反射層とは、熱輻射を反射する
反射率の高い鏡面等を表面に備えた層を指称する。内殻
と外殻との間の空間を減圧密室とするのは、高温による
内圧の増加による炉体の強度上の問題を回避し、かつ対
流伝熱を防止するためであり、このような要求を満足す
るような圧力に減圧する。例えば、0.1torr程度
とするのがよい。真空溶解炉等の真空炉では、上記減圧
密室を炉内と連通させておき、操業時に同時に真空炉内
と同じ内圧の真空密室となるようにすればよい。
【0006】前記内殻及び外殻の形状は、どのような形
状でもよいが、円筒形とするか又は円筒形と半球形とを
連設した合成形とすれば、強度的に好ましいものとする
ことができる。また、前記輻射反射層は鏡面めっき層、
溶射層、箔等を用いることができ、特に内殻の外面は高
温耐熱材料からなる層とすることが好ましい。このよう
な材料としては、ステンレス鋼、チタン、タングステ
ン、プラチナ、ジルコニア等の箔、薄層又は薄板等を用
いることができる。
状でもよいが、円筒形とするか又は円筒形と半球形とを
連設した合成形とすれば、強度的に好ましいものとする
ことができる。また、前記輻射反射層は鏡面めっき層、
溶射層、箔等を用いることができ、特に内殻の外面は高
温耐熱材料からなる層とすることが好ましい。このよう
な材料としては、ステンレス鋼、チタン、タングステ
ン、プラチナ、ジルコニア等の箔、薄層又は薄板等を用
いることができる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明のシ
リコン精製用加熱炉炉体の実施の形態を説明する。図1
は本発明の実施例のシリコン精製用加熱炉炉体1を示す
図である。シリコン精製用加熱炉炉体1の壁は、内殻2
と外殻3とからなる2重構造であり、内殻2と外殻3と
の間の空間を常温における圧力0.1torrの減圧密
室4とした。また、内殻2の外面5及び外殻3の内面6
にステンレス薄板を被覆し、輻射を反射するようにし
た。なお、シリコン精製用加熱炉炉体1は汚染の少ない
真空反応室であるから、炉内雰囲気7と減圧密室4とを
連通させておくことも可能である。
リコン精製用加熱炉炉体の実施の形態を説明する。図1
は本発明の実施例のシリコン精製用加熱炉炉体1を示す
図である。シリコン精製用加熱炉炉体1の壁は、内殻2
と外殻3とからなる2重構造であり、内殻2と外殻3と
の間の空間を常温における圧力0.1torrの減圧密
室4とした。また、内殻2の外面5及び外殻3の内面6
にステンレス薄板を被覆し、輻射を反射するようにし
た。なお、シリコン精製用加熱炉炉体1は汚染の少ない
真空反応室であるから、炉内雰囲気7と減圧密室4とを
連通させておくことも可能である。
【0008】図2はシリコン精製用加熱炉炉体1を円筒
形と半球形とを連接した形状とし蓋体8を備えた例を示
した。符号1〜7は図1と同様である。この例では、図
1の例に比し構造的に強度が大きくなるので、壁厚を減
少させることができるというメリットがある。
形と半球形とを連接した形状とし蓋体8を備えた例を示
した。符号1〜7は図1と同様である。この例では、図
1の例に比し構造的に強度が大きくなるので、壁厚を減
少させることができるというメリットがある。
【0009】
【発明の効果】本発明のシリコン精製用加熱炉炉体は以
上のように構成されているので、断熱能力の向上により
炉外への熱放散が減少し、熱効率が向上した。本発明
を、電子ビームを用いた太陽電池用シリコンの溶解精製
に適用した結果、電力原単位が従来に比し約10%低減
した。
上のように構成されているので、断熱能力の向上により
炉外への熱放散が減少し、熱効率が向上した。本発明
を、電子ビームを用いた太陽電池用シリコンの溶解精製
に適用した結果、電力原単位が従来に比し約10%低減
した。
【図1】実施例のシリコン精製用加熱炉炉体を示す横断
面図である。
面図である。
【図2】別の実施例のシリコン精製用加熱炉炉体を示す
(a)横断面図、(b)縦断面図である。
(a)横断面図、(b)縦断面図である。
【図3】従来例のシリコン精製用加熱炉炉体を示す横断
面図である。
面図である。
1 シリコン精製用加熱炉炉体 2 内殻 3 外殻 4 減圧密室 5、6 輻射反射層 7 炉内雰囲気 8 蓋体 11 水冷鉄皮 12 断熱材層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 馬場 裕幸 千葉県千葉市中央区川崎町1番地 川崎製 鉄株式会社技術研究所内 (72)発明者 中村 尚道 千葉県千葉市中央区川崎町1番地 川崎製 鉄株式会社技術研究所内 (72)発明者 湯下 憲吉 千葉県千葉市中央区川崎町1番地 川崎製 鉄株式会社技術研究所内 (72)発明者 加藤 嘉英 千葉県千葉市中央区川崎町1番地 川崎製 鉄株式会社技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項1】 炉体壁を内殻と外殻とからなる2重構造
とし、内殻と外殻との間の空間を減圧密室とすると共に
内殻と外殻が対向する面に輻射反射層を形成したことを
特徴とするシリコン精製用加熱炉炉体。 - 【請求項2】 前記炉体は真空炉とし、前記減圧密室は
真空炉と連通していることを特徴とする請求項1記載の
シリコン精製用加熱炉炉体。 - 【請求項3】 前記内殻及び外殻は円筒形又は円筒形と
半球形とを連設した合成形であることを特徴とする請求
項1又は2記載のシリコン精製用加熱炉炉体。 - 【請求項4】 前記輻射反射層は高温耐熱材料からなる
ことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のシリコ
ン精製用加熱炉炉体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10140679A JPH11335114A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | シリコン精製用加熱炉炉体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10140679A JPH11335114A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | シリコン精製用加熱炉炉体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11335114A true JPH11335114A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15274243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10140679A Withdrawn JPH11335114A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | シリコン精製用加熱炉炉体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11335114A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008175479A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Ulvac Japan Ltd | シリコン溶解用容器及びこれを用いた溶解装置 |
US7682585B2 (en) | 2006-04-25 | 2010-03-23 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Silicon refining process |
CN102211772A (zh) * | 2011-04-18 | 2011-10-12 | 天津大学 | 内壁安装凹形镜面的多晶硅还原炉及多晶硅还原炉用凹形镜面 |
KR101404802B1 (ko) * | 2012-08-24 | 2014-06-12 | 한국생산기술연구원 | 비철금속 용탕용 용해로 장치 |
CN108072236A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-05-25 | 深圳力士智造科技有限公司 | 一种真空烘箱及其保温方法 |
CN110530156A (zh) * | 2019-09-19 | 2019-12-03 | 苏州拓升智能装备有限公司 | 一种热反射装置及管式真空加热设备 |
US20210033335A1 (en) * | 2015-08-03 | 2021-02-04 | Lg Electronics Inc. | Vacuum adiabatic body and refrigerator |
US11796246B2 (en) | 2015-08-03 | 2023-10-24 | Lg Electronics Inc. | Vacuum adiabatic body, fabrication method for the vacuum adiabatic body, porous substance package, and refrigerator |
US11920857B2 (en) | 2015-08-03 | 2024-03-05 | Lg Electronics Inc. | Vacuum adiabatic body and refrigerator |
US11920723B2 (en) | 2015-08-03 | 2024-03-05 | Lg Electronics Inc. | Vacuum adiabatic body and refrigerator |
US11927386B2 (en) | 2015-08-03 | 2024-03-12 | Lg Electronics Inc. | Vacuum adiabatic body and refrigerator |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP10140679A patent/JPH11335114A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7682585B2 (en) | 2006-04-25 | 2010-03-23 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Silicon refining process |
JP2008175479A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Ulvac Japan Ltd | シリコン溶解用容器及びこれを用いた溶解装置 |
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KR101404802B1 (ko) * | 2012-08-24 | 2014-06-12 | 한국생산기술연구원 | 비철금속 용탕용 용해로 장치 |
US20210033335A1 (en) * | 2015-08-03 | 2021-02-04 | Lg Electronics Inc. | Vacuum adiabatic body and refrigerator |
US11796246B2 (en) | 2015-08-03 | 2023-10-24 | Lg Electronics Inc. | Vacuum adiabatic body, fabrication method for the vacuum adiabatic body, porous substance package, and refrigerator |
US11920857B2 (en) | 2015-08-03 | 2024-03-05 | Lg Electronics Inc. | Vacuum adiabatic body and refrigerator |
US11920858B2 (en) * | 2015-08-03 | 2024-03-05 | Lg Electronics Inc. | Vacuum adiabatic body and refrigerator |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050802 |