JPS62193099A - 真空チヤンバ - Google Patents
真空チヤンバInfo
- Publication number
- JPS62193099A JPS62193099A JP61033956A JP3395686A JPS62193099A JP S62193099 A JPS62193099 A JP S62193099A JP 61033956 A JP61033956 A JP 61033956A JP 3395686 A JP3395686 A JP 3395686A JP S62193099 A JPS62193099 A JP S62193099A
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- ultra
- high vacuum
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- vacuum
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- Pending
Links
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Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
真空チャンバの壁面を、１気圧の圧力（荷重）に耐える
ことのできる剛構造の板と、その上に貼られた真空チャ
ンバの真空壁を構成し焼き出しがなされる第２の金属板
とを設け、第２の金属板の熱容量を小にした構成の真空
装置である。
ことのできる剛構造の板と、その上に貼られた真空チャ
ンバの真空壁を構成し焼き出しがなされる第２の金属板
とを設け、第２の金属板の熱容量を小にした構成の真空
装置である。
本発明は真空チャンバに関し、さらに詳しく言えば、焼
き出しと冷却とを迅速になすことが可能な真空チャンバ
の構造に関するものである。
き出しと冷却とを迅速になすことが可能な真空チャンバ
の構造に関するものである。
電子ビーム、シンクロトロン、Ｘ線などを用いる装置、
蒸着、スパッタ装置、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）
装置などにおいては超高真空のチャンバを必要とする。
蒸着、スパッタ装置、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）
装置などにおいては超高真空のチャンバを必要とする。
かかる超高真空チャンバの一例としては１０トンの荷重
に耐えうる２０ｍｍ〜３０ｍｍの厚さの１ｍの長さの鋼
鉄製の壁で構成される箱型のものがある。分子線エピタ
キシャル装置においては１０−” Ｔｏｒｒ程度の真空
度が求められ、他方スパッタ装置では１０” Ｔｏｒｒ
程度の真空度が要求される。
に耐えうる２０ｍｍ〜３０ｍｍの厚さの１ｍの長さの鋼
鉄製の壁で構成される箱型のものがある。分子線エピタ
キシャル装置においては１０−” Ｔｏｒｒ程度の真空
度が求められ、他方スパッタ装置では１０” Ｔｏｒｒ
程度の真空度が要求される。
前記した如き超高真空チャンバを操作するときは、チャ
ンバを真空にする前にチャンバの壁に付着した不純ガス
や水分を除去するために焼き出しがなされる。かかる焼
き出しはまた、蒸着、スパッタにおいて成長する膜内に
不純物ガスが入ることを防止する目的ででもなされる。
ンバを真空にする前にチャンバの壁に付着した不純ガス
や水分を除去するために焼き出しがなされる。かかる焼
き出しはまた、蒸着、スパッタにおいて成長する膜内に
不純物ガスが入ることを防止する目的ででもなされる。
チャンバの焼き出しには従来ヒーター巻き焼き出し、す
なわちチャンバ′の回りにヒーター巻線を配置してチャ
ンバを加熱する手段がとられていた。
なわちチャンバ′の回りにヒーター巻線を配置してチャ
ンバを加熱する手段がとられていた。
超高真空チャンバは前記した如＜ ２０ｍｍ〜３０ｍｍ
の厚さ、長さ１ｍの鋼鉄製の壁からなる熱容量の大なる
もので、チャンバの焼き出しに数時間を要し、それの冷
却にもまた長時間を必要とする。
の厚さ、長さ１ｍの鋼鉄製の壁からなる熱容量の大なる
もので、チャンバの焼き出しに数時間を要し、それの冷
却にもまた長時間を必要とする。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、焼き
出しが迅速になされ、また短時間に冷却されうる超高真
空チャンバを提供することを目的とする。
出しが迅速になされ、また短時間に冷却されうる超高真
空チャンバを提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
第１図は本発明の一実施例の断面図で、同図において、
１１はチャンバの外壁、１２は超高真空となるチャンバ
を限定する内壁、１３は内壁焼き出しのためのヒーター
、１４は超高真空排気管、１５は外壁１１と内壁１２の
間のヒーターが配置された空間を低真空に保つための低
真空排気管である。
１１はチャンバの外壁、１２は超高真空となるチャンバ
を限定する内壁、１３は内壁焼き出しのためのヒーター
、１４は超高真空排気管、１５は外壁１１と内壁１２の
間のヒーターが配置された空間を低真空に保つための低
真空排気管である。
本発明においては、超高真空チャンバの内壁１２を焼き
出して脱ガスをさせるために、厚く十分な機械的強度を
もった外壁１１の内部に真の内面を形成する第２の薄い
板の内壁１２を例えば溶接で貼り付けそれを加熱し易く
する（小容量化する）ものである。
出して脱ガスをさせるために、厚く十分な機械的強度を
もった外壁１１の内部に真の内面を形成する第２の薄い
板の内壁１２を例えば溶接で貼り付けそれを加熱し易く
する（小容量化する）ものである。
内壁１２（薄い金属板）は熱容量が小であるため、ヒー
ター等による焼き出しが容易に、かつ、迅速になされ、
焼き出しの時間が短縮され、また冷却に長時間を要しな
いので、超高真空装置の作業性が向上する。
ター等による焼き出しが容易に、かつ、迅速になされ、
焼き出しの時間が短縮され、また冷却に長時間を要しな
いので、超高真空装置の作業性が向上する。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図に示される本発明の一実施例においては、外壁１
１は従来例と同様に１辺の長さが１ｍ、厚さが２０ｍｍ
〜３０ｍｍの鋼鉄製のものであって、それは１気圧の圧
力に耐えてたわみ等が発生することのない剛体である。
１は従来例と同様に１辺の長さが１ｍ、厚さが２０ｍｍ
〜３０ｍｍの鋼鉄製のものであって、それは１気圧の圧
力に耐えてたわみ等が発生することのない剛体である。
外壁１１の内面には例えば１００μｍの厚さのＳＵＳで
作った内壁１２が第２図に示される如く溶接その他の適
当な手段で貼り付けてあり、外壁１１と内壁１２との間
にはヒーター１３を配置しうる空間が限定される。
作った内壁１２が第２図に示される如く溶接その他の適
当な手段で貼り付けてあり、外壁１１と内壁１２との間
にはヒーター１３を配置しうる空間が限定される。
第１図のチャンバは、イオンポンプ、クライオポンプま
たはターボ分子ポンプに連結された超高真空排気管１４
から排気する構成のものであるが、排気に先立って超高
真空空間を限定する内壁１２を焼き出し、内壁１２に付
着している不純物ガス特に水分を除去する。そのために
はヒーター１３を設け、ヒーター１３の加熱によって内
壁１２を加熱する。ヒ−ター１３に代えてランプを用い
てもよい。次いで、ヒーター１３をＯＦＦにし内壁１２
を冷却する。
たはターボ分子ポンプに連結された超高真空排気管１４
から排気する構成のものであるが、排気に先立って超高
真空空間を限定する内壁１２を焼き出し、内壁１２に付
着している不純物ガス特に水分を除去する。そのために
はヒーター１３を設け、ヒーター１３の加熱によって内
壁１２を加熱する。ヒ−ター１３に代えてランプを用い
てもよい。次いで、ヒーター１３をＯＦＦにし内壁１２
を冷却する。
チャンバ内部は超高真空排気管１４によって排気し所定
の超高真空度に保つのであるが、外壁１１と内壁１２で
囲まれた空間との真空度の差異で内壁１２が損傷するよ
うであれば、低真空排気管１５をから矢印方向に排気し
て前記空間を例えばＩ Ｔｏｒｒの低真空に保つ。チャ
ンバ内が例えば１０−” Ｔｏｒｒの超高真空であると
き、その真空度とｌ Ｔｏｒｒの真空度の間にはかなり
の差があるが、超高真空空間と低真空空間との間の荷重
は大でないので、すなわち内壁１２にはさほど大きな圧
力はかからないので、内壁１２はミクロン単位の薄い金
属板で構成可能である。
の超高真空度に保つのであるが、外壁１１と内壁１２で
囲まれた空間との真空度の差異で内壁１２が損傷するよ
うであれば、低真空排気管１５をから矢印方向に排気し
て前記空間を例えばＩ Ｔｏｒｒの低真空に保つ。チャ
ンバ内が例えば１０−” Ｔｏｒｒの超高真空であると
き、その真空度とｌ Ｔｏｒｒの真空度の間にはかなり
の差があるが、超高真空空間と低真空空間との間の荷重
は大でないので、すなわち内壁１２にはさほど大きな圧
力はかからないので、内壁１２はミクロン単位の薄い金
属板で構成可能である。
第３図は第１図の装置の斜視図で、同図で１６は超高真
空ポンプ例えばイオンポンプであり、排気管１５は互い
に連絡し合うように配置して図示しないロータリポンプ
に連結する。使用においては図示しないリークバルブを
排気管１５に設け、１台のポンプで低真空排気とリーク
とをなすように設定することができる。
空ポンプ例えばイオンポンプであり、排気管１５は互い
に連絡し合うように配置して図示しないロータリポンプ
に連結する。使用においては図示しないリークバルブを
排気管１５に設け、１台のポンプで低真空排気とリーク
とをなすように設定することができる。
本発明の要点は、機械的な精度を出すために１気圧に耐
え、たわみ等が生じない固い外壁１１と、真に超高真空
となる壁面となる内壁１２とを分＆１ｔシ、超高真空の
壁面となる内壁１２そのものの熱容量を小にすることで
あるので、内壁１２が超高真空のときに圧力差に耐えう
るちのであるときは低真空排気は省略しうる。内壁１２
は溶接だけでなくその他の方法で設置することも可能で
あり、ヒーター１３もその他の加熱手段を用いることが
できる。
え、たわみ等が生じない固い外壁１１と、真に超高真空
となる壁面となる内壁１２とを分＆１ｔシ、超高真空の
壁面となる内壁１２そのものの熱容量を小にすることで
あるので、内壁１２が超高真空のときに圧力差に耐えう
るちのであるときは低真空排気は省略しうる。内壁１２
は溶接だけでなくその他の方法で設置することも可能で
あり、ヒーター１３もその他の加熱手段を用いることが
できる。
以上述べてきたように本発明によれば、超高真空チャン
バの焼き出しが迅速になされ、また内壁は短時間内に冷
却するので、効果な電イビーム装置、ＭＢＥ装置などの
作業性向上に有効である。
バの焼き出しが迅速になされ、また内壁は短時間内に冷
却するので、効果な電イビーム装置、ＭＢＥ装置などの
作業性向上に有効である。
第１図は本発明の一実施例の断面図、
第２図は第１図の装置の一部の断面図、第３図は本発明
実施例の斜視図である。 第１図ないし第３図において、 １１は外壁、 １２は内壁、 １３はヒーター、 １４は超高真空排気管、 １５は低真空排気管、 １６は超高真空ポンプである。
実施例の斜視図である。 第１図ないし第３図において、 １１は外壁、 １２は内壁、 １３はヒーター、 １４は超高真空排気管、 １５は低真空排気管、 １６は超高真空ポンプである。
Claims (2)
- （１）超高真空チャンバにおいて、 外壁（１１）は１気圧に耐えうる剛体で構成し、超高真
空空間に面し不純物ガス除去のための焼き出しのなされ
る内壁（１２）は金属薄板にて構成し、 外壁（１１）と内壁（１２）との間に焼き出しのための
加熱手段（１３）を配置しうる空間を限定する如く内壁
（１２）を外壁（１１）に一体化したことを特徴とする
真空チャンバ。 - （２）外壁（１１）と内壁（１２）により限定される空
間を真空にする手段（１５）を設けたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の真空チャンバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033956A JPS62193099A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 真空チヤンバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033956A JPS62193099A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 真空チヤンバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193099A true JPS62193099A (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=12400941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61033956A Pending JPS62193099A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 真空チヤンバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193099A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03101224A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-26 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の低温エッチング装置 |
| JP2020120012A (ja) * | 2019-01-24 | 2020-08-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6012700A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-23 | 株式会社東芝 | 真空容器装置 |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61033956A patent/JPS62193099A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6012700A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-23 | 株式会社東芝 | 真空容器装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03101224A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-26 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の低温エッチング装置 |
| JP2020120012A (ja) * | 2019-01-24 | 2020-08-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置 |
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