JPH10241571A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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- JPH10241571A JPH10241571A JP9038932A JP3893297A JPH10241571A JP H10241571 A JPH10241571 A JP H10241571A JP 9038932 A JP9038932 A JP 9038932A JP 3893297 A JP3893297 A JP 3893297A JP H10241571 A JPH10241571 A JP H10241571A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/32—Circuit design at the digital level
- G06F30/33—Design verification, e.g. functional simulation or model checking
Abstract
(57)【要約】
【課題】透明電極の導電性が高温プロセスにより低下す
ることを防止する。 【解決手段】放電空間を介して対向する一対の基板の内
の少なくとも一方の基板上に、透明電極とそれを覆う誘
電体層とを備えるプラズマディスプレイパネルにおい
て、透明電極１１の主成分が誘電体層１４に含まれてな
ることを特徴とする。具体的には、透明電極が酸化イン
ジウムを主成分とするＩＴＯの場合、誘電体層に酸化イ
ンジウムが含まれる。誘電体層１４内に透明電極の主成
分が含まれることにより、その後の高温プロセスによっ
ても透明電極の導電性は失われない。
ることを防止する。 【解決手段】放電空間を介して対向する一対の基板の内
の少なくとも一方の基板上に、透明電極とそれを覆う誘
電体層とを備えるプラズマディスプレイパネルにおい
て、透明電極１１の主成分が誘電体層１４に含まれてな
ることを特徴とする。具体的には、透明電極が酸化イン
ジウムを主成分とするＩＴＯの場合、誘電体層に酸化イ
ンジウムが含まれる。誘電体層１４内に透明電極の主成
分が含まれることにより、その後の高温プロセスによっ
ても透明電極の導電性は失われない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル及びその製造方法に関し、特に、透明電極を
被覆する誘電体層に関する。
レイパネル及びその製造方法に関し、特に、透明電極を
被覆する誘電体層に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（以下単に
ＰＤＰと称する。）は、大画面のフルカラー表示装置と
して注目されている。特に、３電極面放電型のＡＣ型Ｐ
ＤＰは、表示側の基板上に面放電を発生する複数の表示
電極対を形成し、背面側の基板上にその表示電極対と直
交するアドレス電極とそれを被覆する蛍光体層を形成す
る。そして、ＰＤＰの駆動は、表示電極対に大電圧を印
加してリセットし、表示電極対の一方の電極とアドレス
電極との間で放電し、その放電で発生した壁電荷を利用
して表示電極対の間に維持電圧を印加し維持放電を発生
させることを基本とする。
ＰＤＰと称する。）は、大画面のフルカラー表示装置と
して注目されている。特に、３電極面放電型のＡＣ型Ｐ
ＤＰは、表示側の基板上に面放電を発生する複数の表示
電極対を形成し、背面側の基板上にその表示電極対と直
交するアドレス電極とそれを被覆する蛍光体層を形成す
る。そして、ＰＤＰの駆動は、表示電極対に大電圧を印
加してリセットし、表示電極対の一方の電極とアドレス
電極との間で放電し、その放電で発生した壁電荷を利用
して表示電極対の間に維持電圧を印加し維持放電を発生
させることを基本とする。
【０００３】そして、その維持放電で発生したプラズマ
により蛍光体層が、例えばＲＧＢ（赤、緑、青）の蛍光
色を発することで、フルカラー表示が行われる。したが
って、表示側の基板上に形成される表示電極対は透明電
極材料が利用される。
により蛍光体層が、例えばＲＧＢ（赤、緑、青）の蛍光
色を発することで、フルカラー表示が行われる。したが
って、表示側の基板上に形成される表示電極対は透明電
極材料が利用される。
【０００４】この透明電極材料は、例えば典型的にはＩ
ＴＯ（酸化インジウムＩｎ2 Ｏ3 と酸化スズＳｎＯ2 の
混合物）で構成される半導体であり、その導電率は金属
などに比較すると低い。その為、その導電性を高める為
に透明電極の上に細い金属導電層が付加される。
ＴＯ（酸化インジウムＩｎ2 Ｏ3 と酸化スズＳｎＯ2 の
混合物）で構成される半導体であり、その導電率は金属
などに比較すると低い。その為、その導電性を高める為
に透明電極の上に細い金属導電層が付加される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、透明電
極を被覆する誘電体層は、通常、基板上に誘電体ペース
ト層を形成して高温で焼成することで形成される。この
高温焼成工程であるいはその後の動作時の高温により、
透明電極の抵抗が上昇する問題がある。透明電極の抵抗
の上昇は、特に透明電極対間での維持放電電圧を上昇さ
せ、ＰＤＰの駆動が困難になる場合がある。
極を被覆する誘電体層は、通常、基板上に誘電体ペース
ト層を形成して高温で焼成することで形成される。この
高温焼成工程であるいはその後の動作時の高温により、
透明電極の抵抗が上昇する問題がある。透明電極の抵抗
の上昇は、特に透明電極対間での維持放電電圧を上昇さ
せ、ＰＤＰの駆動が困難になる場合がある。
【０００６】かかる透明電極対の抵抗値の上昇の理由
は、必ずしも確かではないが、透明電極とそれと接して
被覆する誘電体層とが高温状態で互いに反応して、透明
電極の導電性に寄与している主成分が、誘電体層内に含
まれてしまうことが原因と推察される。
は、必ずしも確かではないが、透明電極とそれと接して
被覆する誘電体層とが高温状態で互いに反応して、透明
電極の導電性に寄与している主成分が、誘電体層内に含
まれてしまうことが原因と推察される。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記問題点に鑑
み、透明電極の抵抗が上昇するのを防止することができ
るプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供
することにある。
み、透明電極の抵抗が上昇するのを防止することができ
るプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供
することにある。
【０００８】更に、本発明の別の目的は、透明電極の抵
抗を低くすることにより、維持放電電圧を低く抑えたプ
ラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供する
ことにある。
抗を低くすることにより、維持放電電圧を低く抑えたプ
ラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する為
に、本発明は、放電空間を介して対向する一対の基板の
内の少なくとも一方の基板上に、透明電極とそれを覆う
誘電体層とを備えるプラズマディスプレイパネルにおい
て、前記透明電極の主成分が前記誘電体層に含まれてな
ることを特徴とする。
に、本発明は、放電空間を介して対向する一対の基板の
内の少なくとも一方の基板上に、透明電極とそれを覆う
誘電体層とを備えるプラズマディスプレイパネルにおい
て、前記透明電極の主成分が前記誘電体層に含まれてな
ることを特徴とする。
【００１０】更に、別の発明では、前記透明電極が酸化
インジウムを主成分とし、前記誘電体層に酸化インジウ
ムが含まれてなることを特徴とする。誘電体層内に透明
電極の主成分を含ませることにより、高温プロセスを経
ても透明電極内に誘電体物質が拡散して導電率を低下さ
せることが防止されるものと思われる。
インジウムを主成分とし、前記誘電体層に酸化インジウ
ムが含まれてなることを特徴とする。誘電体層内に透明
電極の主成分を含ませることにより、高温プロセスを経
ても透明電極内に誘電体物質が拡散して導電率を低下さ
せることが防止されるものと思われる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例に
ついて図面に従って説明する。しかしながら、かかる実
施の形態例が本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
ついて図面に従って説明する。しかしながら、かかる実
施の形態例が本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
【００１２】図１は、本発明の実施の形態の３電極面放
電型のＡＣ型ＰＤＰの分解斜視図である。また、図２
は、そのＰＤＰの断面図である。両方の図を参照してそ
の構造について説明する。この例では、表示側のガラス
基板１０の方向（図２に示した方向）に表示光が出てい
く。２０は、背面側のガラス基板である。表示側のガラ
ス基板１０上には、透明電極１１とその上（図面中は
下）に形成された導電性の高いバス電極１２からなるＸ
電極１３ＸとＹ電極１３Ｙが形成され、それらの電極対
は、誘電体層１４とＭｇＯからなる保護層１５で覆われ
ている。バス電極１２は、透明電極１１の導電性を補う
ために、Ｘ電極とＹ電極の反対側端部に沿って設けられ
る。
電型のＡＣ型ＰＤＰの分解斜視図である。また、図２
は、そのＰＤＰの断面図である。両方の図を参照してそ
の構造について説明する。この例では、表示側のガラス
基板１０の方向（図２に示した方向）に表示光が出てい
く。２０は、背面側のガラス基板である。表示側のガラ
ス基板１０上には、透明電極１１とその上（図面中は
下）に形成された導電性の高いバス電極１２からなるＸ
電極１３ＸとＹ電極１３Ｙが形成され、それらの電極対
は、誘電体層１４とＭｇＯからなる保護層１５で覆われ
ている。バス電極１２は、透明電極１１の導電性を補う
ために、Ｘ電極とＹ電極の反対側端部に沿って設けられ
る。
【００１３】このバス電極１２は、例えばクロム・銅・
クロムの三層構造のメタル電極である。また、透明電極
１１は、通常は、ＩＴＯ（Indium tin oxide, 酸化イ
ンジウムＩｎ2 Ｏ3 と酸化スズＳｎＯ2 の混合物）で構
成され、十分な導電性を確保する為に、上記バス電極１
２が付加される。また、誘電体層１４は、通常、酸化鉛
を主成分とする低融点ガラス材料で形成され、より具体
的には、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系あるい
はＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＢａＯ系のガ
ラスである。
クロムの三層構造のメタル電極である。また、透明電極
１１は、通常は、ＩＴＯ（Indium tin oxide, 酸化イ
ンジウムＩｎ2 Ｏ3 と酸化スズＳｎＯ2 の混合物）で構
成され、十分な導電性を確保する為に、上記バス電極１
２が付加される。また、誘電体層１４は、通常、酸化鉛
を主成分とする低融点ガラス材料で形成され、より具体
的には、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系あるい
はＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＢａＯ系のガ
ラスである。
【００１４】背面ガラス基板２０上には、例えばシリコ
ン酸化膜からなる下地のパッシベーション膜２１上に、
ストライプ状のアドレス電極Ａ１，Ａ２，Ａ３が設けら
れ、誘電体層２２で覆われている。また、アドレス電極
Ａが、それに隣接するように形成されたストライプ状の
隔壁（リブ）２３の間に形成される。この隔壁２３は、
アドレス放電時の隣接セルへの影響を断つ機能と光のク
ロストークを防ぐ機能の二つの機能を有する。隣接する
リブ２３毎に赤、青、緑の蛍光体２４Ｒ，２４Ｇ，２４
Ｂがアドレス電極上及びリブ壁面を被覆するように塗り
分けられている。
ン酸化膜からなる下地のパッシベーション膜２１上に、
ストライプ状のアドレス電極Ａ１，Ａ２，Ａ３が設けら
れ、誘電体層２２で覆われている。また、アドレス電極
Ａが、それに隣接するように形成されたストライプ状の
隔壁（リブ）２３の間に形成される。この隔壁２３は、
アドレス放電時の隣接セルへの影響を断つ機能と光のク
ロストークを防ぐ機能の二つの機能を有する。隣接する
リブ２３毎に赤、青、緑の蛍光体２４Ｒ，２４Ｇ，２４
Ｂがアドレス電極上及びリブ壁面を被覆するように塗り
分けられている。
【００１５】また、図２に示される通り、表示側基板１
０と背面側基板２０とは約１００μｍ程度のギャップを
保って組み合わされ、その間の空間２５にはＮｅ＋Ｘｅ
の放電用の混合ガスが封入される。
０と背面側基板２０とは約１００μｍ程度のギャップを
保って組み合わされ、その間の空間２５にはＮｅ＋Ｘｅ
の放電用の混合ガスが封入される。
【００１６】図３は、上記の３電極面放電型のＰＤＰの
Ｘ，Ｙ電極とアドレス電極との関係を示すパネルの平面
図である。Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ１０は横方向に並行して配列
されかつ基板端部において共通接続され、Ｙ電極Ｙ１〜
Ｙ１０はＸ電極の間にそれぞれ設けられかつ個別に基板
端部に導出されている。これらのＸ，Ｙ電極はそれぞれ
対になって表示ラインを形成し、表示のための維持放電
電圧が交互に印加される。尚、ＸＤ１，ＸＤ２及びＹＤ
１，ＹＤ２はそれぞれ有効表示領域の外側に設けられる
ダミー電極であり、パネルの周辺部分の非線形性の特性
を緩和する為に設けられている。背面側基板２０上に設
けられるアドレス電極Ａ１〜Ａ１４は、Ｘ，Ｙ電極と直
交して設けられる。
Ｘ，Ｙ電極とアドレス電極との関係を示すパネルの平面
図である。Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ１０は横方向に並行して配列
されかつ基板端部において共通接続され、Ｙ電極Ｙ１〜
Ｙ１０はＸ電極の間にそれぞれ設けられかつ個別に基板
端部に導出されている。これらのＸ，Ｙ電極はそれぞれ
対になって表示ラインを形成し、表示のための維持放電
電圧が交互に印加される。尚、ＸＤ１，ＸＤ２及びＹＤ
１，ＹＤ２はそれぞれ有効表示領域の外側に設けられる
ダミー電極であり、パネルの周辺部分の非線形性の特性
を緩和する為に設けられている。背面側基板２０上に設
けられるアドレス電極Ａ１〜Ａ１４は、Ｘ，Ｙ電極と直
交して設けられる。
【００１７】Ｘ，Ｙ電極はペアになって維持放電電圧が
交互に印加されるが、Ｙ電極は情報を書き込む時のスキ
ャン電極としても利用される。アドレス電極は、情報を
書き込む時に利用され、情報に従ってアドレス電極とス
キャン対象のＹ電極との間でアドレスのためのプラズマ
放電が発生される。従って、アドレス電極には１セル分
の放電電流しか流す必要がない。また、その放電電圧
は、Ｙ電極との組み合わせで決まるので、比較的低電圧
での駆動が可能である。このような低電流、低電圧駆動
が、大表示画面を可能にしている。
交互に印加されるが、Ｙ電極は情報を書き込む時のスキ
ャン電極としても利用される。アドレス電極は、情報を
書き込む時に利用され、情報に従ってアドレス電極とス
キャン対象のＹ電極との間でアドレスのためのプラズマ
放電が発生される。従って、アドレス電極には１セル分
の放電電流しか流す必要がない。また、その放電電圧
は、Ｙ電極との組み合わせで決まるので、比較的低電圧
での駆動が可能である。このような低電流、低電圧駆動
が、大表示画面を可能にしている。
【００１８】図４は、具体的なＰＤＰの駆動方法を説明
する為の電極印加電圧波形図である。それぞれの電極に
印加される電圧は、例えば、Ｖｗ＝１３０Ｖ，Ｖｓ＝１
８０Ｖ，Ｖａ＝５０Ｖ，−Ｖｓｃ＝−５０Ｖ，−Ｖｙ＝
−１５０Ｖであり、Ｖａｗ，Ｖａｘはそれぞれの他の電
極に印加される電圧の中間電位に設定される。
する為の電極印加電圧波形図である。それぞれの電極に
印加される電圧は、例えば、Ｖｗ＝１３０Ｖ，Ｖｓ＝１
８０Ｖ，Ｖａ＝５０Ｖ，−Ｖｓｃ＝−５０Ｖ，−Ｖｙ＝
−１５０Ｖであり、Ｖａｗ，Ｖａｘはそれぞれの他の電
極に印加される電圧の中間電位に設定される。
【００１９】３電極面放電型のＰＤＰの駆動では、１つ
のサブフィールドがリセット期間、アドレス期間、及び
維持放電期間（表示期間）から構成される。
のサブフィールドがリセット期間、アドレス期間、及び
維持放電期間（表示期間）から構成される。
【００２０】リセット期間では、時刻ａ−ｂにて共通接
続されたＸ電極に全面書き込みパルスが印加され、パネ
ル全面でＸＹ電極間で放電が発生する（図中Ｗ）。この
放電で空間２５に発生した電荷のうち、正電荷が電圧の
低いＹ電極側に引き寄せられ、負電荷が電圧の高いＸ電
極側に引き寄せられる。その結果、書き込みパルスがな
くなる時刻ｂにて、今度は上記の引き寄せられて誘電体
層１４上に蓄積された電荷による高電界により、Ｘ電極
とＹ電極間に再度放電が発生する（図中Ｃ）。その結
果、全てのＸ，Ｙ電極上の電荷が中和されてしまい、パ
ネル全体のリセットが終了する。期間ｂ−ｃはその電荷
の中和に要する時間である。
続されたＸ電極に全面書き込みパルスが印加され、パネ
ル全面でＸＹ電極間で放電が発生する（図中Ｗ）。この
放電で空間２５に発生した電荷のうち、正電荷が電圧の
低いＹ電極側に引き寄せられ、負電荷が電圧の高いＸ電
極側に引き寄せられる。その結果、書き込みパルスがな
くなる時刻ｂにて、今度は上記の引き寄せられて誘電体
層１４上に蓄積された電荷による高電界により、Ｘ電極
とＹ電極間に再度放電が発生する（図中Ｃ）。その結
果、全てのＸ，Ｙ電極上の電荷が中和されてしまい、パ
ネル全体のリセットが終了する。期間ｂ−ｃはその電荷
の中和に要する時間である。
【００２１】次に、アドレス期間では、Ｙ電極にー５０
Ｖ（−Ｖｓｃ）、Ｘ電極に５０Ｖ（Ｖａ）を印加し、Ｙ
電極に対して更にスキャンパルスー１５０Ｖ（−Ｖｙ）
を順に印加しながら、アドレス電極に表示情報に従った
アドレスパルス５０Ｖ（Ｖａ）を印加する。この結果、
アドレス電極とスキャン電極との間に２００Ｖの大電圧
が印加され、プラズマ放電が発生する。しかし、リセッ
ト時の全面書き込みパルス程は大きな電圧及びパルス幅
ではないので、パルスの印加が終了しても蓄積電荷によ
る反対の放電は生じない。そして、放電によって発生し
た空間電荷は、５０Ｖ印加のＸ電極側及びアドレス電荷
側に負電荷が、ー５０Ｖ印加のＹ電極側に正電荷がそれ
ぞれの誘電体層１４，２２上に蓄積される。
Ｖ（−Ｖｓｃ）、Ｘ電極に５０Ｖ（Ｖａ）を印加し、Ｙ
電極に対して更にスキャンパルスー１５０Ｖ（−Ｖｙ）
を順に印加しながら、アドレス電極に表示情報に従った
アドレスパルス５０Ｖ（Ｖａ）を印加する。この結果、
アドレス電極とスキャン電極との間に２００Ｖの大電圧
が印加され、プラズマ放電が発生する。しかし、リセッ
ト時の全面書き込みパルス程は大きな電圧及びパルス幅
ではないので、パルスの印加が終了しても蓄積電荷によ
る反対の放電は生じない。そして、放電によって発生し
た空間電荷は、５０Ｖ印加のＸ電極側及びアドレス電荷
側に負電荷が、ー５０Ｖ印加のＹ電極側に正電荷がそれ
ぞれの誘電体層１４，２２上に蓄積される。
【００２２】最後に、維持放電期間では、アドレス期間
で記憶された壁電荷を利用して、表示の輝度に応じた表
示の放電が行われる。即ち、壁電荷があるセルでは放電
するが壁電荷のないセルでは放電しない程度の維持パル
スＶｓが、Ｘ，Ｙ電極間に印加される。その結果、アド
レス期間において壁電荷が蓄積されたセルでは、Ｘ，Ｙ
電極間で交互に放電が繰り返される。この放電パルスの
数に応じて、表示の輝度が表現される。従って、このサ
ブフィールドを複数回にわたり重み付けした維持放電期
間で繰り返すことで多階調表示を可能にする。そして、
ＲＧＢのセルで組み合わせることでフルカラー表示を実
現できる。
で記憶された壁電荷を利用して、表示の輝度に応じた表
示の放電が行われる。即ち、壁電荷があるセルでは放電
するが壁電荷のないセルでは放電しない程度の維持パル
スＶｓが、Ｘ，Ｙ電極間に印加される。その結果、アド
レス期間において壁電荷が蓄積されたセルでは、Ｘ，Ｙ
電極間で交互に放電が繰り返される。この放電パルスの
数に応じて、表示の輝度が表現される。従って、このサ
ブフィールドを複数回にわたり重み付けした維持放電期
間で繰り返すことで多階調表示を可能にする。そして、
ＲＧＢのセルで組み合わせることでフルカラー表示を実
現できる。
【００２３】この維持放電期間では、図２に矢印で示さ
れた通り、１対の透明電極１１間に印加された維持電圧
Ｖｓと、誘電体層１４の表面（実際には保護層１５の表
面）上に蓄積された電荷による電圧とにより、維持放電
のためのプラズマ放電が発生する。そして、その発生し
たプラズマから発生する紫外線が蛍光層２２に照射され
てそれぞれの色の光を発生し、その光が図２に矢印で示
された通り表示側の基板１０上に出ていく。
れた通り、１対の透明電極１１間に印加された維持電圧
Ｖｓと、誘電体層１４の表面（実際には保護層１５の表
面）上に蓄積された電荷による電圧とにより、維持放電
のためのプラズマ放電が発生する。そして、その発生し
たプラズマから発生する紫外線が蛍光層２２に照射され
てそれぞれの色の光を発生し、その光が図２に矢印で示
された通り表示側の基板１０上に出ていく。
【００２４】上記した通り、透明電極１１は、それ自体
導電性が余り高くない半導体層であるので、その両端側
に金属のバス電極１２が設けられる。したがって、透明
電極１１と誘電体層１４との間の何らかの反応により、
透明電極１１の導電性が多少下がってもＸ電極１３Ｘと
Ｙ電極１３Ｙの長手方向の抵抗は低く抑えられる。
導電性が余り高くない半導体層であるので、その両端側
に金属のバス電極１２が設けられる。したがって、透明
電極１１と誘電体層１４との間の何らかの反応により、
透明電極１１の導電性が多少下がってもＸ電極１３Ｘと
Ｙ電極１３Ｙの長手方向の抵抗は低く抑えられる。
【００２５】しかしながら、透明電極１１の導電性が下
がると、その幅方向の抵抗も上がり、維持放電の為に必
要な維持放電電圧Ｖｓを高くすることが必要になる。即
ち、透明電極１１の抵抗が上がり、実質的な維持放電が
バス電極１２間で発生するからである。バス電極１２間
の距離は、透明電極１１間の距離よりも長くなり、その
間での放電にはより高い放電電圧が必要とされる。
がると、その幅方向の抵抗も上がり、維持放電の為に必
要な維持放電電圧Ｖｓを高くすることが必要になる。即
ち、透明電極１１の抵抗が上がり、実質的な維持放電が
バス電極１２間で発生するからである。バス電極１２間
の距離は、透明電極１１間の距離よりも長くなり、その
間での放電にはより高い放電電圧が必要とされる。
【００２６】そこで、本発明の実施の形態例では、透明
電極１１の導電性が下がらないようにするために、その
透明電極１１に接して被覆する誘電体層１４に透明電極
の主成分を含ませる。例えば、透明電極１１がＩＴＯ
（酸化インジウム９５ｗｔ％、酸化すず５ｗｔ％）の場
合は、誘電体層１４に酸化インジウムＩｎ2 Ｏ3 の粒子
を混入する。或いは、誘電体層１４のガラスの組成内
に、酸化インジウムをドープさせる。その結果、その後
の高温の焼成工程を経ても、誘電体層１４と透明電極１
１との間の化学反応あるいは物質の相互拡散は防止され
る。
電極１１の導電性が下がらないようにするために、その
透明電極１１に接して被覆する誘電体層１４に透明電極
の主成分を含ませる。例えば、透明電極１１がＩＴＯ
（酸化インジウム９５ｗｔ％、酸化すず５ｗｔ％）の場
合は、誘電体層１４に酸化インジウムＩｎ2 Ｏ3 の粒子
を混入する。或いは、誘電体層１４のガラスの組成内
に、酸化インジウムをドープさせる。その結果、その後
の高温の焼成工程を経ても、誘電体層１４と透明電極１
１との間の化学反応あるいは物質の相互拡散は防止され
る。
【００２７】例えば、誘電体層１４が酸化鉛を主成分と
する低融点ガラスとすると、その酸化鉛（ＰｂＯ）が透
明電極１１内の結晶粒界の間に混入して透明電極の抵抗
が上がることは防止される。即ち、導電性の酸化インジ
ウム（Ｎ型の半導体）が、誘電体層１４のガラス材料内
に含まれているので、透明電極の主成分の酸化インジウ
ムが誘電体層１４側に、そして誘電体層１４内の酸化鉛
が透明電極１１内にそれぞれ入り込む化学的反応が抑制
されるものと思われる。即ち、化学平衡状態により相互
の拡散が抑制されるものと考えられる。
する低融点ガラスとすると、その酸化鉛（ＰｂＯ）が透
明電極１１内の結晶粒界の間に混入して透明電極の抵抗
が上がることは防止される。即ち、導電性の酸化インジ
ウム（Ｎ型の半導体）が、誘電体層１４のガラス材料内
に含まれているので、透明電極の主成分の酸化インジウ
ムが誘電体層１４側に、そして誘電体層１４内の酸化鉛
が透明電極１１内にそれぞれ入り込む化学的反応が抑制
されるものと思われる。即ち、化学平衡状態により相互
の拡散が抑制されるものと考えられる。
【００２８】図５は、酸化インジウムを誘電体層１４に
含有させた時の、ＩＴＯからなる透明電極１１の抵抗値
の上昇率と温度との関係を示すグラフ図である。このグ
ラフは、図２に示した様に、ＩＴＯからなる透明電極１
１が形成された基板上に、透明電極１１を被覆する様に
誘電体層１４を形成して、焼成温度を変化させて、焼成
後の透明電極１１の抵抗値の変化率を測定した結果であ
る。サンプルとして、透明電極に、酸化インジウムＩｎ
2 Ｏ3 を９５ｗｔ％と酸化スズＳｎＯ2 を５ｗｔ％を含
むＩＴＯを、誘電体層に、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラス組成を使用した。そして、
そのガラス材料に３．０ｗｔ％の酸化インジウム粒子あ
るいは粉末を混合させた例（図中ａ）、ガラス組成内
に、２．０ｗｔ％の酸化インジウムを含ませた例（図中
ｂ）、同１．０ｗｔ％の酸化インジウムを含ませた例
（図中ｃ）、同０．５ｗｔ％の酸化インジウムを含ませ
た例（図中ｄ）、及び酸化インジウムを含有しない例
（図中ｅ）の４つのサンプルについて測定した。
含有させた時の、ＩＴＯからなる透明電極１１の抵抗値
の上昇率と温度との関係を示すグラフ図である。このグ
ラフは、図２に示した様に、ＩＴＯからなる透明電極１
１が形成された基板上に、透明電極１１を被覆する様に
誘電体層１４を形成して、焼成温度を変化させて、焼成
後の透明電極１１の抵抗値の変化率を測定した結果であ
る。サンプルとして、透明電極に、酸化インジウムＩｎ
2 Ｏ3 を９５ｗｔ％と酸化スズＳｎＯ2 を５ｗｔ％を含
むＩＴＯを、誘電体層に、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラス組成を使用した。そして、
そのガラス材料に３．０ｗｔ％の酸化インジウム粒子あ
るいは粉末を混合させた例（図中ａ）、ガラス組成内
に、２．０ｗｔ％の酸化インジウムを含ませた例（図中
ｂ）、同１．０ｗｔ％の酸化インジウムを含ませた例
（図中ｃ）、同０．５ｗｔ％の酸化インジウムを含ませ
た例（図中ｄ）、及び酸化インジウムを含有しない例
（図中ｅ）の４つのサンプルについて測定した。
【００２９】尚、ガラス材料に酸化インジウムの粒子を
混合するためには、例えば、ガラス粉末に適切な溶剤と
バインダーと共に、例えば１００オングストローム程度
の酸化インジウムの粒子を混入させてペースト化し、基
板上にスクリーン印刷して焼成する。酸化インジウムの
粒子をできるだけ小さくして表示光を遮蔽することがな
い様にする必要がある。
混合するためには、例えば、ガラス粉末に適切な溶剤と
バインダーと共に、例えば１００オングストローム程度
の酸化インジウムの粒子を混入させてペースト化し、基
板上にスクリーン印刷して焼成する。酸化インジウムの
粒子をできるだけ小さくして表示光を遮蔽することがな
い様にする必要がある。
【００３０】また、ガラス組成内に酸化インジウムを含
ませる為には、例えば、酸化鉛を主成分とするガラス粉
末に酸化インジウムの粉末を混合し、１３００℃程度の
高温下で溶融する。これにより、酸化インジウムはガラ
ス組成に組み込まれる。その後、溶融した状態から冷却
し、粉末化し、溶剤とバインダによりペースト化してか
ら、印刷、焼成を行う。焼成温度は、通常５８０℃乃至
６００℃程度であり、この工程では溶融はしない。
ませる為には、例えば、酸化鉛を主成分とするガラス粉
末に酸化インジウムの粉末を混合し、１３００℃程度の
高温下で溶融する。これにより、酸化インジウムはガラ
ス組成に組み込まれる。その後、溶融した状態から冷却
し、粉末化し、溶剤とバインダによりペースト化してか
ら、印刷、焼成を行う。焼成温度は、通常５８０℃乃至
６００℃程度であり、この工程では溶融はしない。
【００３１】この測定結果から明らかな通り、誘電体層
に酸化インジウムを含ませないサンプルｅでは、焼成温
度が５８０℃以上になると急激に透明電極の抵抗が上昇
する。そして、６００℃を超えると、その抵抗の上昇は
無限大に近くなり、ほぼ導電性は失われる。従って、酸
化インジウムを含有させない場合は、焼成温度をその分
低くする必要があり、十分な焼成をすることができない
か、あるいは長時間の焼成工程を要する。
に酸化インジウムを含ませないサンプルｅでは、焼成温
度が５８０℃以上になると急激に透明電極の抵抗が上昇
する。そして、６００℃を超えると、その抵抗の上昇は
無限大に近くなり、ほぼ導電性は失われる。従って、酸
化インジウムを含有させない場合は、焼成温度をその分
低くする必要があり、十分な焼成をすることができない
か、あるいは長時間の焼成工程を要する。
【００３２】それに対して、誘電体層に酸化インジウム
を含ませるサンプルａ，ｂ，ｃ，ｄでは、焼成温度が５
９０℃を越えても透明電極の抵抗の上昇は抑えられる。
特に、２ｗｔ％の酸化インジウムを組成に含ませたサン
プルｂの場合は、焼成温度が５９０℃を越えても透明電
極の抵抗の上昇はほとんどない。３ｗｔ％の酸化インジ
ウムの粒子（粉末）を混合したサンプルａと１ｗｔ％の
酸化インジウムを組成に含ませたサンプルｃの場合は、
ほとんど同一特性を示し６００℃を越えても透明電極の
抵抗の上昇はほとんどない。なお、サンプルａに比べて
サンプルｂの方が良い結果を示すのは、酸化インジウム
がほぼ均一にガラス内に分散されているためである。
を含ませるサンプルａ，ｂ，ｃ，ｄでは、焼成温度が５
９０℃を越えても透明電極の抵抗の上昇は抑えられる。
特に、２ｗｔ％の酸化インジウムを組成に含ませたサン
プルｂの場合は、焼成温度が５９０℃を越えても透明電
極の抵抗の上昇はほとんどない。３ｗｔ％の酸化インジ
ウムの粒子（粉末）を混合したサンプルａと１ｗｔ％の
酸化インジウムを組成に含ませたサンプルｃの場合は、
ほとんど同一特性を示し６００℃を越えても透明電極の
抵抗の上昇はほとんどない。なお、サンプルａに比べて
サンプルｂの方が良い結果を示すのは、酸化インジウム
がほぼ均一にガラス内に分散されているためである。
【００３３】図６は、誘電体層に酸化インジウムの粒子
を混入した時の誘電体層の表面抵抗率の変化を示すグラ
フ図である。この例では、上記した酸化鉛を主成分とす
る低融点ガラスのペーストに酸化インジウムの粒子を混
入した例である。酸化インジウムはＮ型の半導体物質で
あり、酸化導電材料である。従って、その混入の量を増
加することにより、誘電体層の表面抵抗は低下する。こ
のグラフから明らかな通り、酸化インジウムの含有量を
１０ｗｔ％程度まで増やすと、その表面抵抗値は含有し
ない場合よりも２桁以上抵抗値が低下し、３ｗｔ％含有
する場合よりも約１桁程度抵抗値が低下する。
を混入した時の誘電体層の表面抵抗率の変化を示すグラ
フ図である。この例では、上記した酸化鉛を主成分とす
る低融点ガラスのペーストに酸化インジウムの粒子を混
入した例である。酸化インジウムはＮ型の半導体物質で
あり、酸化導電材料である。従って、その混入の量を増
加することにより、誘電体層の表面抵抗は低下する。こ
のグラフから明らかな通り、酸化インジウムの含有量を
１０ｗｔ％程度まで増やすと、その表面抵抗値は含有し
ない場合よりも２桁以上抵抗値が低下し、３ｗｔ％含有
する場合よりも約１桁程度抵抗値が低下する。
【００３４】誘電体層１４は、透明電極間を絶縁すると
共に、アドレス放電時に発生した電荷を蓄積する必要が
あるので、抵抗値が過度に低下することは避けなければ
ならない。そこで、酸化インジウムの粒子の混入量とし
ては、上限は１０ｗｔ％程度である。また、下限は、あ
る程度の透明電極の抵抗値の上昇が抑えられる０．１ｗ
ｔ％程度である。
共に、アドレス放電時に発生した電荷を蓄積する必要が
あるので、抵抗値が過度に低下することは避けなければ
ならない。そこで、酸化インジウムの粒子の混入量とし
ては、上限は１０ｗｔ％程度である。また、下限は、あ
る程度の透明電極の抵抗値の上昇が抑えられる０．１ｗ
ｔ％程度である。
【００３５】上記の検討結果から、透明電極１１に接し
て被覆する誘電体層１４内に、透明電極の主成分を含ま
せることが、焼成などの高温プロセスに対して透明電極
１１の導電性を低下させない為に有効であることが理解
される。
て被覆する誘電体層１４内に、透明電極の主成分を含ま
せることが、焼成などの高温プロセスに対して透明電極
１１の導電性を低下させない為に有効であることが理解
される。
【００３６】そこで、本発明のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法として、透明電極が形成された基板上
に、透明電極を被覆するガラスペーストを印刷する際
に、ガラスペースト内に透明電極の主成分を含ませるこ
とが有効である。誘電体物質となるガラスペースト内に
透明電極の主成分を含ませる方法としては、上記した粒
子を混入する方法と、主成分を溶融させてガラス組成に
組み込む方法とが考えられる。かかる製造方法によれ
ば、そのガラスペーストの焼成のための高温プロセス
や、その後の２枚のガラス基板の封止工程における高温
プロセスを経ても、透明電極の導電性は低下しない。
ネルの製造方法として、透明電極が形成された基板上
に、透明電極を被覆するガラスペーストを印刷する際
に、ガラスペースト内に透明電極の主成分を含ませるこ
とが有効である。誘電体物質となるガラスペースト内に
透明電極の主成分を含ませる方法としては、上記した粒
子を混入する方法と、主成分を溶融させてガラス組成に
組み込む方法とが考えられる。かかる製造方法によれ
ば、そのガラスペーストの焼成のための高温プロセス
や、その後の２枚のガラス基板の封止工程における高温
プロセスを経ても、透明電極の導電性は低下しない。
【００３７】上記の実施の形態例では、誘電体材料とし
て、酸化鉛を主成分とする低融点ガラスを例に説明し
た。それ以外の物質としては、酸化ビスマスを主成分と
する低融点ガラス（ＺｎＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 ）、リン酸系の
低融点ガラス（ＰＯ4 ）などの場合も、透明電極の主成
分を含ませることで同様の効果が期待できる。
て、酸化鉛を主成分とする低融点ガラスを例に説明し
た。それ以外の物質としては、酸化ビスマスを主成分と
する低融点ガラス（ＺｎＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 ）、リン酸系の
低融点ガラス（ＰＯ4 ）などの場合も、透明電極の主成
分を含ませることで同様の効果が期待できる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、プ
ラズマディスプレイパネルの透明電極の主成分をその透
明電極を被覆する誘電体層内に含ませることにより、透
明電極の導電性が低下することを防止することができ
る。従って、透明電極間に印加される維持放電電圧を高
くする必要がない。あるいは、透明電極の厚みあるいは
幅を大きく設計する必要がない。
ラズマディスプレイパネルの透明電極の主成分をその透
明電極を被覆する誘電体層内に含ませることにより、透
明電極の導電性が低下することを防止することができ
る。従って、透明電極間に印加される維持放電電圧を高
くする必要がない。あるいは、透明電極の厚みあるいは
幅を大きく設計する必要がない。
【図１】本発明の実施の形態のＰＤＰの分解斜視図であ
る。
る。
【図２】ＰＤＰの断面図である。
【図３】３電極面放電型のＰＤＰのＸ，Ｙ電極とアドレ
ス電極との関係を示すパネルの平面図である。
ス電極との関係を示すパネルの平面図である。
【図４】具体的なＰＤＰの駆動方法を説明する為の電極
印加電圧波形図である。
印加電圧波形図である。
【図５】酸化インジウムを誘電体層に含有させた時の、
ＩＴＯからなる透明電極の抵抗値の上昇率と温度との関
係を示すグラフ図である。
ＩＴＯからなる透明電極の抵抗値の上昇率と温度との関
係を示すグラフ図である。
【図６】誘電体層に酸化インジウムの粒子を混入した時
の誘電体層の表面抵抗率の変化を示すグラフ図である。
の誘電体層の表面抵抗率の変化を示すグラフ図である。
１０ 第一の基板 １１ 透明電極 １４ 誘電体層 ２０ 第二の基板 Ａ アドレス電極 ２５ 放電空間
Claims (9)
- 【請求項１】放電空間を介して対向する一対の基板の内
の少なくとも一方の基板上に、透明電極とそれを覆う誘
電体層とを備えるプラズマディスプレイパネルにおい
て、 前記透明電極の主成分が前記誘電体層に含まれてなるこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】請求項１において、 前記透明電極が酸化インジウムを主成分とし、 前記誘電体層に酸化インジウムが含まれてなることを特
徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】請求項２において、 前記誘電体層に対する酸化インジウムの重量比が０. １
乃至１０ｗｔ％であることを特徴とするプラズマディス
プレイパネル。 - 【請求項４】請求項２において、 前記誘電体層に対する酸化インジウムの重量比が０．５
乃至３．０ｗｔ％であることを特徴とするプラズマディ
スプレイパネル。 - 【請求項５】請求項１、２、３または４において前記誘
電体層が、酸化鉛を主成分とする低融点ガラス、酸化ビ
スマスを主成分とする低融点ガラスまたはリン酸系の低
融点ガラスのうちいずれかを含むことを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】複数の透明電極とそれを被覆する誘電体層
が設けられた第一の基板と、該第一の基板と放電空間を
介して対向する第二の基板とを有するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法において、 前記透明電極が形成された第一の基板上に、該透明電極
を被覆し前記透明電極の主成分を含む誘電体ペースト層
を形成する工程と、 前記誘電体ペースト層が形成された第一の基板を焼成雰
囲気中で、該誘電体ペースト層を焼成して誘電体層を形
成する工程とを有することを特徴とするプラズマディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項７】請求項６において、 前記誘電体ペースト層は、前記透明電極の主成分と該誘
電体材料とを高温溶融して形成されることを特徴とする
プラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項８】請求項６において、 前記誘電体ペースト層は、前記透明電極の主成分の粒子
が混入されていることを特徴とするプラズマディスプレ
イパネルの製造方法。 - 【請求項９】基板表面に透明電極とそれを覆う誘電体層
とを設けたＡＣ型プラズマディスプレイパネルの基板構
体であって、 前記誘電体層は、その層への前記透明電極成分の拡散を
防止するに充分な量の該透明電極の主成分をあらかじめ
含んで形成されてなることを特徴とするプラズマディス
プレイパネル用基板構体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03893297A JP3313298B2 (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| US08/892,264 US6344713B1 (en) | 1997-02-24 | 1997-07-14 | Plasma display panel with dielectric layer suppressing reduced electrode conductivity |
| KR1019970070570A KR100326102B1 (ko) | 1997-02-24 | 1997-12-19 | 플라즈마디스플레이패널및그제조방법 |
| US09/490,067 US6296539B1 (en) | 1997-02-24 | 2000-01-24 | Method of making plasma display panel with dielectric layer suppressing reduced electrode conductivity |
| KR1020010026300A KR100326099B1 (ko) | 1997-02-24 | 2001-05-15 | 유전체층 형성용 저융점 유리 페이스트 및 저융점 유리 |
| US09/968,857 US6873104B2 (en) | 1997-02-24 | 2001-10-03 | Glass paste composition for forming dielectric layer on electrodes of plasma display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03893297A JP3313298B2 (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001134960A Division JP3710396B2 (ja) | 2001-05-02 | 2001-05-02 | 誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241571A true JPH10241571A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3313298B2 JP3313298B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=12539012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03893297A Expired - Fee Related JP3313298B2 (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6344713B1 (ja) |
| JP (1) | JP3313298B2 (ja) |
| KR (2) | KR100326102B1 (ja) |
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| JP2014003298A (ja) * | 2006-10-12 | 2014-01-09 | Cambrios Technologies Corp | ナノワイヤベースの透明導電体およびその適用 |
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