JPH0628201B2 - 抵抗被膜形成用組成物 - Google Patents

抵抗被膜形成用組成物

Info

Publication number
JPH0628201B2
JPH0628201B2 JP63036232A JP3623288A JPH0628201B2 JP H0628201 B2 JPH0628201 B2 JP H0628201B2 JP 63036232 A JP63036232 A JP 63036232A JP 3623288 A JP3623288 A JP 3623288A JP H0628201 B2 JPH0628201 B2 JP H0628201B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
powder
composition
glass
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63036232A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01211901A (ja
Inventor
勉 久保田
重治 石亀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP63036232A priority Critical patent/JPH0628201B2/ja
Priority to US07/250,116 priority patent/US5001087A/en
Publication of JPH01211901A publication Critical patent/JPH01211901A/ja
Publication of JPH0628201B2 publication Critical patent/JPH0628201B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/04Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/08Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
    • H01B3/085Particles bound with glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/08Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
    • H01B3/087Chemical composition of glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/10Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances metallic oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、IC回路装置用の低熱膨張係数を持つ非酸化
物セラミック基板、特に窒化アルミニウム基板上に抵抗
被膜を形成するのに好適な抵抗被膜形成用組成物に関す
る。
〔従来の技術〕
近年、IC回路装置用の絶縁基板として、アルミナ基板
に代えて窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素を
用いることが提案されている。これらの中、窒化アルミ
ニウム基板に、従来のアルミニウム基板に用いられてい
る。導電性粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとから
なる組成物を塗布して焼成し、抵抗被膜を形成すると、
窒化アルミニウムとガラスとが反応してガスを発生し品
質の安定した抵抗被膜が形成出来ない。この問題を解決
するために、特開昭62−21630号公報にガラスフリット
として、SiO2、Al2O3、B2O3、CaO、ZnO2、TiO2を主成分
とする結晶性ガラスフリットを用いることが提案されて
いる。
一方抵抗被膜の抵抗値を変えるには、抵抗被膜形成用組
成物中の、導電性粉末の混合割合を変えることによつて
行なわれるが、上記のガラスフリットを用いた場合に
は、抵抗値を大きくするには、導電性粉末の量を少なく
し、代わりにガラスフリットの量を多くすることによつ
て行なうので、抵抗値の大きいものほどガラス量が多く
なり、それだけガラスが熔融し結晶化するまでに発泡し
やすくなり、品質の安定した抵抗被膜を形成しにくいと
いう問題がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
この発明は、抵抗値の大小に拘わらず、ガラス含有量を
比較的少量のほぼ一定にでき、品質の安定した抵抗被膜
を形成出来る抵抗被膜形成用組成物を提供することを課
題とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の課題を解決するための手段は、 1.白金族元素の酸化物粉末と、インジウム酸化物粉末
と、焼成中に750〜860℃で結晶相を生ずるガラス
粉末と、セラミック粉末と、有機ビヒクルとを含有する
抵抗被膜形成用組成物、 2.インジウム酸化物粉末が、錫酸化物、チタン酸化
物、亜鉛酸化物のうちの少なくとも1種をドープしたも
のである前項1記載の抵抗被膜形成用組成物、 3.白金族元素の酸化物粉末と、アンチモン酸化物、ひ
素酸化物のうちの少なくとも1種をドープした錫酸化物
粉末と、焼成中に750〜860℃で結晶相を生ずるガ
ラス粉末と、セラミック粉末と、有機ビヒクルとを含有
する抵抗被膜形成用組成物、 4.白金族元素の酸化物粉末と、インジウム酸化物粉末
をドープしたカドミウム酸化物粉末と、焼成中に750
〜860℃で結晶相を生ずるガラス粉末と、セラミック
粉末と、有機ビヒクルとを含有する抵抗被膜形成用組成
物、である。
本発明の白金族元素の酸化物としては、RuO2、Rh2O3、O
sO2、IrO2、PtO2を導電性粉末として用いる。これら
は、1種を使用しても良いし混合して用いてもよい。
インジウム酸化物としては、In2O3を、カドミウム酸化
物としては、CdOを用いる。CdO2は180〜200℃でCdOとO2
とに爆発的に分解するので好ましくない。錫酸化物とし
ては、SnO、SnO2を用いる。チタン酸化物としては、Ti
O、Ti2O5、Ti2O3、TiO2、TinO2n-1(n=4〜9)を用
いることができる。アンチモン酸化物としては、Sb
2O3、Sb2O4が使用できる。Sb2O5は450℃でOを分離し、
約900℃でO2を失なうので好ましくない。
ガラス粉末としては、750〜860℃での焼成中に結晶相を
生ずるものがよく、このようなガラスとして、ZnO−B2O
3−SiO2系のガラスがあり、この中にAl2O3、BaO、PbO、
MgO、CaO、SnO2、Na2O、K2O、Li2O等を約10重量%含有
してもよい。ガラス粉末の粒径は、結晶成長に影響する
ので平均粒径2〜5μmぐらいのものを用いるのがよ
い。
セラミック粉末としては、窒化アルミニウムと熱膨張係
数の近い、ジルコン(ZrSiO4)、β−ユークリプタイト
(Li2O・Al2O3・2SiO2)、コージエライト(2MgO・2Al2
O3・5SiO2)、β−スポジユメン(Li2O・Al2O3・4Si
O2)あるいはチタン酸鉛(PbTiO3)等の強誘導体ペロブ
スカイト化合物を使用する。
〔作用〕
導電成分として用いる上記の白金族元素の酸化物は、 のように抵抗率が小さい。
これに対して、In2O3は絶縁体に近い半導体であり、CdO
はn型半導体で、SnO、SnO2は抵抗体である。
本発明は、これらの抵抗体と白金族元素の酸化物とを組
み合せることによつて、両者の合計量をほぼ一定にして
抵抗値を変えることができる。従つてガラス粉末及びセ
ラミック粉末の配合割合もほぼ一定に出来、抵抗被膜の
基板への付着力や膨張収縮率等がほぼ一定の品質の揃つ
た抵抗被膜を得ることができる。
インジウム酸化物、錫酸化物については、必ずしも活剤
は必要ない。一般に活剤を加えると、安定して抵抗値を
変えることができ、温度係数を正負に調整できる。
これらは一般にインジウム酸化物、カドミウム酸化物を
構成する金属イオンとイオン半径が近く、そのイオンよ
り+1だけ電荷の大きい元素がよい。例えば、Cd2+に対
してはIn3+が、In3+に対してはSn4+、Ti4+、Zn4+が、Sn
4+に対してはSb5+、As5+がよく、このような関係にある
酸化物をドープすることによつて、抵抗値及び温度係数
を調整しうる。カドミウム酸化物の場合は、活剤として
In2O3をドープすることが必要である。
白金族元素の酸化物粉末と、インジウム酸化物、カドミ
ウム酸化物、錫酸化物との合計が抵抗被膜形成用組成物
中の固形分中に占める割合は、多くても70重量%迄であ
る。これより多いと、セラミック粉末の混合量を少なく
しても、ガラス粉末の混合量が少なくなり、抵抗被膜の
強度が不十分となるからである。この導電性粉末のうち
の白金族元素の酸化物粉末も、多すぎると抵抗被膜の強
度が低下するので、このうちの50重量%迄とする。
ガラス粉末の組成は、ZnO60〜70重量%、B2O319〜25重
量%、SiO210〜16重量%で合計100重量%の組成のもの
を用いると、750〜860℃の比較的低い温度でウイレマイ
ト(Zn2SiO4)の結晶相を生ずるガラスが得られる。ガ
ラス粉末とセラミック粉末との合計量が固形粉中に占め
る割合は、少なくとも30重量%以上となる。又、90重量
%を超えると被膜内に導電ネツトワークが形成されなく
なるので、多くても90重量%迄である。
セラミック粉末は、結晶化ガラス中のガラス質を相対的
に低下させるための増量剤として添加するもので、焼成
中化学的に安定でガラス化しにくく、基板である窒化ア
ルミニウムと熱膨張係数の近い上記のものから選ばれ
る。この粉末も多すぎると被膜の強度が低下するので、
ガラス粉末とセラミック粉末との合計中57重量%までと
するのが良い。
TCR調整剤としてアルミナ基板用の抵抗被膜形成用組
成物に従来から用いられている金属酸化物を添加しても
よい。この添加剤としては、酸化銅、酸化マンガン、酸
化チタン、酸化バナジウム、酸化マンガン、酸化ジルコ
ニウム、酸化アンチモン等の外、強誘電体ペロブスカイ
ト酸化物等がある。
〔実施例〕
実施例1 平均粒径0.02〜0.03μmのRuO2、SnO2を約10重量%ドー
プした平均粒径0.1μmのIn2O3、65重量%ZnO−20重量
%B2O3−10重量%SiO2−5重量%PbOからなる組成の軟
化点635℃で平均粒径2μmのガラス粉末、平均粒径1
μmのセラミック粉末としてのZrSiO4、有機ビヒクルと
してエチルセルロースのターピネオール溶液を用い、第
1表に示す組成に混合して抵抗被膜形成用組成物を作つ
た。窒化アルミニウム基板の上に、Ag−Pd導電組成物に
より電極を形成し、この電極の間に上記の抵抗被膜形成
用組成物をスクリーン印刷法で塗布して150℃で乾燥し
た後、ピーク温度850℃、ピーク時間9分、全焼成時間6
0分の空気雰囲気ベルト式焼成炉で焼成した。焼成され
た抵抗被膜の厚さは15〜17μmであつた。その特性を組
成と共に第1表に示す。
上記のように、ガラス粉末及びセラミック粉末の配合割
合を変えずに、RuO2と錫をドープしたInとの配合割合を
変えるだけで、抵抗値を変化させることが出来る。
実施例2 実施例1の、SnO2を約10重量%ドープした平均粒径0.1
μmのIn2O3の代りに、Sb2O3を約10重量%ドープした平
均粒径0.1μmのSnOを用いた以外は、実施例1と同様に
して膜厚15〜17μmの抵抗被膜を形成した。
その結果を第2表に示す。
このようにRuO2と、Sb2O3をドープしたSnOとの比を変え
るだけで、抵抗値の異なる抵抗被膜を形成できる。
〔発明の効果〕 本発明によれば、品質のほぼ一定な抵抗被膜を形成でき
る。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】白金族元素の酸化物粉末と、インジウム酸
    化物粉末と、焼成中に750〜860℃で結晶相を生ず
    るガラス粉末と、セラミック粉末と、有機ビヒクルとを
    含有する抵抗被膜形成用組成物。
  2. 【請求項2】インジウム酸化物粉末が、錫酸化物、チタ
    ン酸化物、亜鉛酸化物のうちの少なくとも1種をドープ
    したものである請求項1.記載の抵抗被膜形成用組成
    物。
  3. 【請求項3】白金族元素の酸化物粉末と、アンチモン酸
    化物、ひ素酸化物のうちの少なくとも1種をドープした
    錫酸化物粉末と、焼成中に750〜860℃で結晶相を
    生ずるガラス粉末と、セラミック粉末と、有機ビヒクル
    とを含有する抵抗被膜形成用組成物。
  4. 【請求項4】白金族元素の酸化物粉末と、インジウム酸
    化物をドープしたカドミウム酸化物粉末と、焼成中に7
    50〜860℃で結晶相を生ずるガラス粉末と、セラミ
    ック粉末と、有機ビヒクルとを含有する抵抗被膜形成用
    組成物。
JP63036232A 1988-02-18 1988-02-18 抵抗被膜形成用組成物 Expired - Lifetime JPH0628201B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63036232A JPH0628201B2 (ja) 1988-02-18 1988-02-18 抵抗被膜形成用組成物
US07/250,116 US5001087A (en) 1988-02-18 1988-09-28 Insulating powder and compositions for resistant coating

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63036232A JPH0628201B2 (ja) 1988-02-18 1988-02-18 抵抗被膜形成用組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01211901A JPH01211901A (ja) 1989-08-25
JPH0628201B2 true JPH0628201B2 (ja) 1994-04-13

Family

ID=12464028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63036232A Expired - Lifetime JPH0628201B2 (ja) 1988-02-18 1988-02-18 抵抗被膜形成用組成物

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5001087A (ja)
JP (1) JPH0628201B2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5153150A (en) * 1990-09-07 1992-10-06 Ferro Corporation Partially crystallizing enamel containing Zn2 SiO4 to be used for automobile side and rear lights
US5208191A (en) * 1990-09-07 1993-05-04 Ferro Corporation Crystallizing enamel composition and method of making and using the same
US5286270A (en) * 1990-09-07 1994-02-15 Ferro Corporation Method of forming glass having a Znz SiO4 enamel layer thereon
US5350718A (en) * 1991-03-25 1994-09-27 Degussa Aktiengesellschaft Glass frits, a process for their production and their use in enamel barrier layers for stopping the migration of silver
US5618764A (en) * 1994-09-14 1997-04-08 Asahi Glass Company Ltd. Colored ceramic composition and method for producing curved glass plate using the same
US5725808A (en) * 1996-05-23 1998-03-10 David Sarnoff Research Center, Inc. Multilayer co-fired ceramic compositions and ceramic-on-metal circuit board
JP3313298B2 (ja) * 1997-02-24 2002-08-12 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
WO2001058828A1 (fr) * 2000-02-07 2001-08-16 Ibiden Co., Ltd. Substrat ceramique pour dispositif de production ou d'examen de semi-conducteurs
US7011874B2 (en) * 2000-02-08 2006-03-14 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for semiconductor production and inspection devices

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5117028B1 (ja) * 1970-06-15 1976-05-29
JPS588564B2 (ja) * 1974-06-20 1983-02-16 松下電器産業株式会社 グレ−ズテイコウタイノ セイゾウホウホウ
JPS5837963B2 (ja) * 1977-07-09 1983-08-19 住友金属鉱山株式会社 抵抗体用ペ−ストの製造方法
JPS54147782A (en) * 1978-05-12 1979-11-19 Asahi Glass Co Ltd Semiconductor coating glass
US4405722A (en) * 1979-01-23 1983-09-20 Asahi Glass Company Ltd. Sealing glass compositions
JPS59164649A (ja) * 1983-03-11 1984-09-17 Nippon Electric Glass Co Ltd 封着用ガラス組成物
JPS60221358A (ja) * 1984-04-13 1985-11-06 日本碍子株式会社 電気絶縁体用セラミック組成物
JPS6278145A (ja) * 1985-09-28 1987-04-10 日本碍子株式会社 電気絶縁体用セラミツク組成物
US4743302A (en) * 1986-06-06 1988-05-10 Vlsi Packaging Materials, Inc. Low melting glass composition
JPS62216301A (ja) * 1986-03-18 1987-09-22 昭栄化学工業株式会社 抵抗組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01211901A (ja) 1989-08-25
US5001087A (en) 1991-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0718855B1 (en) Cadmium-free and lead-free thick film paste composition
CA1197117A (en) Thick film conductor compositions
US4416932A (en) Thick film conductor compositions
IE48930B1 (en) A thick film resistor comprising a temperature coefficient of resistance modifier
JPH0628201B2 (ja) 抵抗被膜形成用組成物
JPH023554B2 (ja)
US3778389A (en) Electro-conductive material containing pbo and ruo2
JPS6359999B2 (ja)
JP4863580B2 (ja) ガラス組成物および絶縁皮膜、並びにシリコンデバイス
JPH05234703A (ja) 厚膜抵抗体を製造するための抵抗組成物
JPH06247742A (ja) 電子部品
JP3017530B2 (ja) 厚膜回路用絶縁ペースト
US4146677A (en) Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same
KR20040018980A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 재료
JPH0439201B2 (ja)
JP2854577B2 (ja) 微粉砕粒子及びこれを含む厚膜電子材料組成物
JPH0452561B2 (ja)
JPH0563418B2 (ja)
EP0044077B1 (en) Screen-printable dielectric composition
JP3042180B2 (ja) 厚膜抵抗体及びその製造方法
RU2106709C1 (ru) Проводящая композиция
JPH0558201B2 (ja)
JP2510136B2 (ja) 絶縁層用ガラス組成物
JPH03131545A (ja) 抵抗体ペースト及びセラミックス基板
JPH02288106A (ja) 抵抗体ペースト及びセラミックス基板