JPH10233638A - マイクロ波増幅器 - Google Patents
マイクロ波増幅器Info
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- JPH10233638A JPH10233638A JP9037484A JP3748497A JPH10233638A JP H10233638 A JPH10233638 A JP H10233638A JP 9037484 A JP9037484 A JP 9037484A JP 3748497 A JP3748497 A JP 3748497A JP H10233638 A JPH10233638 A JP H10233638A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microwave Amplifiers (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 増幅するマイクロ波信号に多数のキャリア周
波数が含まれる場合でも歪み特性の良いマイクロ波増幅
器を提供する。 【解決手段】 ＦＥＴ１０のドレインＤに、マイクロ波
信号のキャリア周波数の波長λｇの１／４すなわちλｇ
／４より短い長さを有するマイクロストリップ線路１を
接続し、その他端と接地電位（ＧＮＤ）との間に複数の
キャリア周波数に起因して発生するビート信号周波数を
短絡するコンデンサ５を接続する。
波数が含まれる場合でも歪み特性の良いマイクロ波増幅
器を提供する。 【解決手段】 ＦＥＴ１０のドレインＤに、マイクロ波
信号のキャリア周波数の波長λｇの１／４すなわちλｇ
／４より短い長さを有するマイクロストリップ線路１を
接続し、その他端と接地電位（ＧＮＤ）との間に複数の
キャリア周波数に起因して発生するビート信号周波数を
短絡するコンデンサ５を接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波増幅器
に関し、特に異なる複数のキャリア周波数を含むマイク
ロ波信号を増幅するマイクロ波増幅器に関するものであ
る。
に関し、特に異なる複数のキャリア周波数を含むマイク
ロ波信号を増幅するマイクロ波増幅器に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、衛星通信方式などでは、比較的
低周波の入力信号で変調されたマイクロ波（超高周波）
を用いて通信が行われており、その送信部ではこれらマ
イクロ波信号を高利得で増幅するため、ＦＥＴなどの能
動素子を用いたマイクロ波増幅器が用いられる。従来、
このようなマイクロ波増幅器では、能動素子に対して適
切な直流バイアス電圧を供給する手段として、マイクロ
波信号のキャリア周波数に対して高インピーダンスとな
るλｇ／４線路（λｇは、マイクロストリップ線上の波
長を示す）を介して直流バイアス電圧を供給するものと
なっている。
低周波の入力信号で変調されたマイクロ波（超高周波）
を用いて通信が行われており、その送信部ではこれらマ
イクロ波信号を高利得で増幅するため、ＦＥＴなどの能
動素子を用いたマイクロ波増幅器が用いられる。従来、
このようなマイクロ波増幅器では、能動素子に対して適
切な直流バイアス電圧を供給する手段として、マイクロ
波信号のキャリア周波数に対して高インピーダンスとな
るλｇ／４線路（λｇは、マイクロストリップ線上の波
長を示す）を介して直流バイアス電圧を供給するものと
なっている。
【０００３】図９は従来のマイクロ波増幅器の一部を示
す説明図であり、（ａ）は回路図、（ｂ）は実装図を示
している。ＦＥＴ１０のドレインＤに対してλｇ／４線
路１１が接続されており、その他端が直流バイアス電圧
ＶDSに接続され、さらにまた低周波の入力信号を短絡す
るコンデンサ１５を介して接地に接続されている。これ
らλｇ／４線路１１およびコンデンサ１５からなる直流
バイアス電圧供給回路により、キャリア周波数に対して
高インピーダンスを維持し、かつ入力信号周波数に対し
て短絡した状態にて、ＦＥＴ１０のドレインＤに直流バ
イアス電圧ＶDSを供給するものとなっている。このよう
な回路構成を取っているものとしては、例えば特公平２
−６１１７５号公報などがある。
す説明図であり、（ａ）は回路図、（ｂ）は実装図を示
している。ＦＥＴ１０のドレインＤに対してλｇ／４線
路１１が接続されており、その他端が直流バイアス電圧
ＶDSに接続され、さらにまた低周波の入力信号を短絡す
るコンデンサ１５を介して接地に接続されている。これ
らλｇ／４線路１１およびコンデンサ１５からなる直流
バイアス電圧供給回路により、キャリア周波数に対して
高インピーダンスを維持し、かつ入力信号周波数に対し
て短絡した状態にて、ＦＥＴ１０のドレインＤに直流バ
イアス電圧ＶDSを供給するものとなっている。このよう
な回路構成を取っているものとしては、例えば特公平２
−６１１７５号公報などがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のマイクロ波増幅器では、直流バイアス電圧Ｖ
DSを供給するλｇ／４線路の純抵抗成分Ｒが極めて低い
ことから、純抵抗成分Ｒによる電圧降下を低減できるも
のの、そのリアクタンス成分ｊＸについては考慮されて
おらず、マイクロ波信号のキャリア周波数に多数のキャ
リア周波数が存在する場合に生じる低周波のビート信号
により、そのビート周波数帯における直流バイアス電圧
供給回路のリアクタンス成分ｊＸにて直流バイアス電圧
ＶDSの電圧が低下するという問題点があった。
うな従来のマイクロ波増幅器では、直流バイアス電圧Ｖ
DSを供給するλｇ／４線路の純抵抗成分Ｒが極めて低い
ことから、純抵抗成分Ｒによる電圧降下を低減できるも
のの、そのリアクタンス成分ｊＸについては考慮されて
おらず、マイクロ波信号のキャリア周波数に多数のキャ
リア周波数が存在する場合に生じる低周波のビート信号
により、そのビート周波数帯における直流バイアス電圧
供給回路のリアクタンス成分ｊＸにて直流バイアス電圧
ＶDSの電圧が低下するという問題点があった。
【０００５】例えば、異なるキャリア周波数ｆ1 ，ｆ2
（ｆ1 ＜ｆ2 ）を有する２つのキャリア信号を混合した
場合、これら２つの周波数差ｆ2 −ｆ1 を周波数とする
ビート信号が発生する。したがって、ＦＥＴ１０のドレ
インＤに供給される直流バイアス電流もビート信号に応
じて変化する。一方、この直流バイアス電流が流れるバ
イアスλｇ／４線路は、Ｒ＋ｊＸのインピーダンスを有
しており、信号の周波数成分の電流をＩD （ｔ）とする
と、ＦＥＴのドレイン電圧ＶDS（ｔ）は次式で表され
る。 ＶDS（ｔ）＝ＶDS−ＩD（ｔ）＊（Ｒ＋ｊＸ）
（ｆ1 ＜ｆ2 ）を有する２つのキャリア信号を混合した
場合、これら２つの周波数差ｆ2 −ｆ1 を周波数とする
ビート信号が発生する。したがって、ＦＥＴ１０のドレ
インＤに供給される直流バイアス電流もビート信号に応
じて変化する。一方、この直流バイアス電流が流れるバ
イアスλｇ／４線路は、Ｒ＋ｊＸのインピーダンスを有
しており、信号の周波数成分の電流をＩD （ｔ）とする
と、ＦＥＴのドレイン電圧ＶDS（ｔ）は次式で表され
る。 ＶDS（ｔ）＝ＶDS−ＩD（ｔ）＊（Ｒ＋ｊＸ）
【０００６】前述したビート信号が生じる場合には、周
波数成分の電流ＩD （ｔ）、純抵抗成分Ｒおよびリアク
タンス成分ｊＸによって、ＦＥＴのドレイン電圧Ｖ
DS（ｔ）が変動する。これにより、直流バイアス電圧を
阻害されてドレインＤの直流バイアス電圧が変動し、増
幅出力に歪みが生じることが判明した。すなわち、ビー
ト信号が出力の歪みを生じさせる原因であることを本発
明者は見い出した。そこで、本発明はこのビート信号を
従来よりも低減して、より歪み特性のよいマイクロ波増
幅器を提供することを目的とする。
波数成分の電流ＩD （ｔ）、純抵抗成分Ｒおよびリアク
タンス成分ｊＸによって、ＦＥＴのドレイン電圧Ｖ
DS（ｔ）が変動する。これにより、直流バイアス電圧を
阻害されてドレインＤの直流バイアス電圧が変動し、増
幅出力に歪みが生じることが判明した。すなわち、ビー
ト信号が出力の歪みを生じさせる原因であることを本発
明者は見い出した。そこで、本発明はこのビート信号を
従来よりも低減して、より歪み特性のよいマイクロ波増
幅器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の請求項１によるマイクロ波増幅器
は、λｇ／４より短い長さの第１のマイクロストリップ
線路と、該第１のマイクロストリップ線路と接地間に接
続された容量素子とからなる回路を備えるものである。
したがって、マイクロ波信号に含まれる複数のキャリア
周波数の差に起因して生じるビート信号が、λｇ／４よ
り短い長さの第１のマイクロストリップ線路および容量
素子を介して接地電位に短絡される。さらに、本発明の
請求項２は、請求項１記載のマイクロ波増幅器におい
て、第１のマイクロストリップ線路の長さが３λｇ／１
６以下としたものである。したがって、λｇ／４より短
い長さの第１のマイクロストリップ線路として長さが３
λｇ／１６以下のマイクロストリップ線路が用いられ
る。
るために、本発明の請求項１によるマイクロ波増幅器
は、λｇ／４より短い長さの第１のマイクロストリップ
線路と、該第１のマイクロストリップ線路と接地間に接
続された容量素子とからなる回路を備えるものである。
したがって、マイクロ波信号に含まれる複数のキャリア
周波数の差に起因して生じるビート信号が、λｇ／４よ
り短い長さの第１のマイクロストリップ線路および容量
素子を介して接地電位に短絡される。さらに、本発明の
請求項２は、請求項１記載のマイクロ波増幅器におい
て、第１のマイクロストリップ線路の長さが３λｇ／１
６以下としたものである。したがって、λｇ／４より短
い長さの第１のマイクロストリップ線路として長さが３
λｇ／１６以下のマイクロストリップ線路が用いられ
る。
【０００８】また、本発明の請求項３は、請求項１記載
のマイクロ波増幅器において、前記回路が、マイクロ波
信号を増幅する能動素子の出力に設けたものである。し
たがって、マイクロ波信号を増幅する能動素子の出力に
設けられた前記回路により、マイクロ波信号に含まれる
複数のキャリア周波数の差に起因して生じるビート信号
が、λｇ／４より短い長さの第１のマイクロストリップ
線路および容量素子を介して接地電位に短絡される。さ
らに、本発明の請求項４は、請求項３記載のマイクロ波
増幅器において、前記回路が、能動素子の出力端子に接
続される線路の前記能動素子の出力端子近傍に設けたも
のである。したがって、能動素子の出力端子に接続され
る線路の前記能動素子の出力端子近傍に設けられた前記
回路により、マイクロ波信号に含まれる複数のキャリア
周波数の差に起因して生じるビート信号が、λｇ／４よ
り短い長さの第１のマイクロストリップ線路および容量
素子を介して接地電位に短絡される。
のマイクロ波増幅器において、前記回路が、マイクロ波
信号を増幅する能動素子の出力に設けたものである。し
たがって、マイクロ波信号を増幅する能動素子の出力に
設けられた前記回路により、マイクロ波信号に含まれる
複数のキャリア周波数の差に起因して生じるビート信号
が、λｇ／４より短い長さの第１のマイクロストリップ
線路および容量素子を介して接地電位に短絡される。さ
らに、本発明の請求項４は、請求項３記載のマイクロ波
増幅器において、前記回路が、能動素子の出力端子に接
続される線路の前記能動素子の出力端子近傍に設けたも
のである。したがって、能動素子の出力端子に接続され
る線路の前記能動素子の出力端子近傍に設けられた前記
回路により、マイクロ波信号に含まれる複数のキャリア
周波数の差に起因して生じるビート信号が、λｇ／４よ
り短い長さの第１のマイクロストリップ線路および容量
素子を介して接地電位に短絡される。
【０００９】さらに、本発明の請求項５は、請求項４記
載のマイクロ波増幅器において、能動素子の出力端子に
接続される線路に所定の直流バイアス電圧を供給する直
流バイアス電圧供給手段を備えるものである。したがっ
て、能動素子の出力端子に接続される線路に直流バイア
ス電圧供給手段から所定の直流バイアス電圧が供給され
る。さらにまた、本発明の請求項６は、請求項５記載の
マイクロ波増幅器において、第１のマイクロストリップ
線路とは異なるλｇ／４より短い長さの第２のマイクロ
ストリップ線路と、第２のマイクロストリップ線路と接
地間に接続された容量素子と、第２のマイクロストリッ
プ線路と容量素子との間に接続された直流バイアス源と
から構成したものである。したがって、直流バイアス源
から、第２のマイクロストリップ線路を介して、能動素
子の出力端子に所定の直流バイアス電圧が供給される。
また、本発明の請求項７は、請求項６記載のマイクロ波
増幅器において、第２のマイクロストリップ線路の長さ
が３λｇ／１６以下としたものである。したがって、３
λｇ／１６以下の長さの第２のマイクロストリップ線路
を介して能動素子の出力端子に所定の直流バイアス電圧
が供給される。
載のマイクロ波増幅器において、能動素子の出力端子に
接続される線路に所定の直流バイアス電圧を供給する直
流バイアス電圧供給手段を備えるものである。したがっ
て、能動素子の出力端子に接続される線路に直流バイア
ス電圧供給手段から所定の直流バイアス電圧が供給され
る。さらにまた、本発明の請求項６は、請求項５記載の
マイクロ波増幅器において、第１のマイクロストリップ
線路とは異なるλｇ／４より短い長さの第２のマイクロ
ストリップ線路と、第２のマイクロストリップ線路と接
地間に接続された容量素子と、第２のマイクロストリッ
プ線路と容量素子との間に接続された直流バイアス源と
から構成したものである。したがって、直流バイアス源
から、第２のマイクロストリップ線路を介して、能動素
子の出力端子に所定の直流バイアス電圧が供給される。
また、本発明の請求項７は、請求項６記載のマイクロ波
増幅器において、第２のマイクロストリップ線路の長さ
が３λｇ／１６以下としたものである。したがって、３
λｇ／１６以下の長さの第２のマイクロストリップ線路
を介して能動素子の出力端子に所定の直流バイアス電圧
が供給される。
【００１０】また、本発明の請求項８は、請求項１記載
のマイクロ波増幅器において、第１のマイクロストリッ
プ線路と容量素子との接続点に、所定の直流バイアス電
圧を供給する直流バイアス電圧供給手段を備えるもので
ある。したがって、直流バイアス電圧供給手段から第１
のマイクロストリップ線路を介して所定の直流バイアス
電圧が供給される。また、本発明の請求項９は、請求項
８記載のマイクロ波増幅器において、直流バイアス電圧
供給手段が、直流バイアス源からなるものである。した
がって、直流バイアス源から第１のマイクロストリップ
線路を介して所定の直流バイアス電圧が供給される。
のマイクロ波増幅器において、第１のマイクロストリッ
プ線路と容量素子との接続点に、所定の直流バイアス電
圧を供給する直流バイアス電圧供給手段を備えるもので
ある。したがって、直流バイアス電圧供給手段から第１
のマイクロストリップ線路を介して所定の直流バイアス
電圧が供給される。また、本発明の請求項９は、請求項
８記載のマイクロ波増幅器において、直流バイアス電圧
供給手段が、直流バイアス源からなるものである。した
がって、直流バイアス源から第１のマイクロストリップ
線路を介して所定の直流バイアス電圧が供給される。
【００１１】また、本発明の請求項１０は、請求項３記
載のマイクロ波増幅器において、能動素子が複数あり、
これら複数の能動素子に入力されるマイクロ波信号を複
数に分配する分配器と、複数の能動素子の出力に設けら
れる前記回路と、複数の能動素子の出力信号を合成して
出力する合成器とを備えるものである。したがって、分
配器によりマイクロ波信号が複数の能動素子に分配さ
れ、各能動素子の出力信号が合成器により合成されて出
力されるとともに、各能動素子の出力に設けられた前記
回路により、マイクロ波信号に含まれる複数のキャリア
周波数の差に起因して生じるビート信号が接地電位に短
絡される。また、本発明の請求項１１は、請求項１０記
載のマイクロ波増幅器において、前記回路が、複数の能
動素子の入力にも設けたものである。したがって、各能
動素子の入力に設けられた前記回路により、マイクロ波
信号に含まれる複数のキャリア周波数の差に起因して生
じるビート信号が接地電位に短絡される。
載のマイクロ波増幅器において、能動素子が複数あり、
これら複数の能動素子に入力されるマイクロ波信号を複
数に分配する分配器と、複数の能動素子の出力に設けら
れる前記回路と、複数の能動素子の出力信号を合成して
出力する合成器とを備えるものである。したがって、分
配器によりマイクロ波信号が複数の能動素子に分配さ
れ、各能動素子の出力信号が合成器により合成されて出
力されるとともに、各能動素子の出力に設けられた前記
回路により、マイクロ波信号に含まれる複数のキャリア
周波数の差に起因して生じるビート信号が接地電位に短
絡される。また、本発明の請求項１１は、請求項１０記
載のマイクロ波増幅器において、前記回路が、複数の能
動素子の入力にも設けたものである。したがって、各能
動素子の入力に設けられた前記回路により、マイクロ波
信号に含まれる複数のキャリア周波数の差に起因して生
じるビート信号が接地電位に短絡される。
【００１２】また、本発明の請求項１２は、請求項１０
記載のマイクロ波増幅器において、分配器の前段と合成
器の後段とに所定の直流バイアス電圧を供給する直流バ
イアス電圧供給手段を備えるものである。したがって、
分配器の前段と合成器の後段とに直流バイアス電圧供給
手段から所定の直流バイアス電圧がそれぞれ供給され
る。また、本発明の請求項１３は、請求項５，請求項８
または請求項１２記載のマイクロ波増幅器において、直
流バイアス電圧供給手段が、λｇ／４長のマイクロスト
リップ線路と、マイクロストリップ線路と接地間に接続
された容量素子と、マイクロストリップ線路と容量素子
との間に接続された直流バイアス源とからなるものであ
る。したがって、直流バイアス源からλｇ／４長のマイ
クロストリップ線路を介して所定の直流バイアス電圧が
供給される。また、本発明の請求項１４は、請求項１０
記載のマイクロ波増幅器において、分配器と複数の能動
素子との間に接続された入力整合回路と、これら複数の
能動素子と合成器との間に接続された出力合成回路とを
備えるものである。
記載のマイクロ波増幅器において、分配器の前段と合成
器の後段とに所定の直流バイアス電圧を供給する直流バ
イアス電圧供給手段を備えるものである。したがって、
分配器の前段と合成器の後段とに直流バイアス電圧供給
手段から所定の直流バイアス電圧がそれぞれ供給され
る。また、本発明の請求項１３は、請求項５，請求項８
または請求項１２記載のマイクロ波増幅器において、直
流バイアス電圧供給手段が、λｇ／４長のマイクロスト
リップ線路と、マイクロストリップ線路と接地間に接続
された容量素子と、マイクロストリップ線路と容量素子
との間に接続された直流バイアス源とからなるものであ
る。したがって、直流バイアス源からλｇ／４長のマイ
クロストリップ線路を介して所定の直流バイアス電圧が
供給される。また、本発明の請求項１４は、請求項１０
記載のマイクロ波増幅器において、分配器と複数の能動
素子との間に接続された入力整合回路と、これら複数の
能動素子と合成器との間に接続された出力合成回路とを
備えるものである。
【００１３】また、本発明の請求項１５は、請求項１０
記載のマイクロ波増幅器において、分配器、入力整合回
路、複数の能動素子、第１のマイクロストリップ線路、
容量素子、出力整合回路および合成器を１つのパッケー
ジ内に収容したものである。また、本発明の請求項１６
は、請求項１０記載のマイクロ波増幅器において、容量
素子をパッケージの外部に外付けするための接続手段を
備えるものである。したがって、接続手段を介して容量
素子がパッケージの外部に外付けされる。また、本発明
の請求項１７は、請求請求項１，請求項２，請求項６，
請求項７，請求項１３または請求項１５記載のマイクロ
波増幅器において、第１のマイクロストリップ線路、第
２のマイクロストリップ線路およびλｇ／４長のマイク
ロストリップ線路の少なくとも１つをインダクタンスの
等価なコイルで置換したものである。
記載のマイクロ波増幅器において、分配器、入力整合回
路、複数の能動素子、第１のマイクロストリップ線路、
容量素子、出力整合回路および合成器を１つのパッケー
ジ内に収容したものである。また、本発明の請求項１６
は、請求項１０記載のマイクロ波増幅器において、容量
素子をパッケージの外部に外付けするための接続手段を
備えるものである。したがって、接続手段を介して容量
素子がパッケージの外部に外付けされる。また、本発明
の請求項１７は、請求請求項１，請求項２，請求項６，
請求項７，請求項１３または請求項１５記載のマイクロ
波増幅器において、第１のマイクロストリップ線路、第
２のマイクロストリップ線路およびλｇ／４長のマイク
ロストリップ線路の少なくとも１つをインダクタンスの
等価なコイルで置換したものである。
【００１４】
【作用】ビート信号を短絡するコンデンサ５（図１参
照）とマイクロストリップ線路１との接続点はビート信
号に対して短絡となっている。しかしＦＥＴ１０のドレ
インＤから見た場合、ビート信号を平滑する回路（以
下、ビート平滑回路という）のビート信号に対するリア
クタンスは、マイクロストリップ線路のビート信号の電
気長に依存する値となる。マイクロストリップ線路１の
インピーダンスをＺ、ビート信号の位相定数をβ、マイ
クロストリップ線路１の長さをＬとすると、ＦＥＴ１０
のドレインＤから見たビート平滑回路のビート信号に対
するリアクタンスｊＸは以下の式で与えられる。 ｊＸ ＝ Ｚ＊tan(β＊Ｌ)
照）とマイクロストリップ線路１との接続点はビート信
号に対して短絡となっている。しかしＦＥＴ１０のドレ
インＤから見た場合、ビート信号を平滑する回路（以
下、ビート平滑回路という）のビート信号に対するリア
クタンスは、マイクロストリップ線路のビート信号の電
気長に依存する値となる。マイクロストリップ線路１の
インピーダンスをＺ、ビート信号の位相定数をβ、マイ
クロストリップ線路１の長さをＬとすると、ＦＥＴ１０
のドレインＤから見たビート平滑回路のビート信号に対
するリアクタンスｊＸは以下の式で与えられる。 ｊＸ ＝ Ｚ＊tan(β＊Ｌ)
【００１５】ここで、βはビート信号に固有の値であ
り、マイクロストリップ線路１のインピーダンスＺを小
さくするか、その長さＬを小さくするほどリアクタンス
ｊＸは小さくなる。しかし、マイクロストリップ線路１
のインピーダンスＺを小さくするには、マイクロストリ
ップ線路１の幅を広げる必要があり実装上限界がある。
したがって、リアクタンスｊＸを小さくするには、マイ
クロストリップ線路１の長さＬを短くすることが効果あ
る。
り、マイクロストリップ線路１のインピーダンスＺを小
さくするか、その長さＬを小さくするほどリアクタンス
ｊＸは小さくなる。しかし、マイクロストリップ線路１
のインピーダンスＺを小さくするには、マイクロストリ
ップ線路１の幅を広げる必要があり実装上限界がある。
したがって、リアクタンスｊＸを小さくするには、マイ
クロストリップ線路１の長さＬを短くすることが効果あ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態である
マイクロ波増幅器を示す説明図であり、（ａ）は回路
図、（ｂ）は構成図である。同図において、前述の説明
（図９参照）と同じまたは同等部分には同一符号を付し
てある。従来のマイクロ増幅器（図９参照）と比較し
て、ＦＥＴ１０のドレインＤ（出力端子）に接続された
線路であってドレインＤの近傍に、マイクロ波信号のキ
ャリア周波数の波長λｇの１／４すなわちλｇ／４より
短い長さを有するマイクロストリップ線路１が接続さ
れ、その他端と接地電位（ＧＮＤ）との間に複数のキャ
リア周波数に起因して発生するビート信号周波数を短絡
するコンデンサ５（容量素子）とが接続されている。
して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態である
マイクロ波増幅器を示す説明図であり、（ａ）は回路
図、（ｂ）は構成図である。同図において、前述の説明
（図９参照）と同じまたは同等部分には同一符号を付し
てある。従来のマイクロ増幅器（図９参照）と比較し
て、ＦＥＴ１０のドレインＤ（出力端子）に接続された
線路であってドレインＤの近傍に、マイクロ波信号のキ
ャリア周波数の波長λｇの１／４すなわちλｇ／４より
短い長さを有するマイクロストリップ線路１が接続さ
れ、その他端と接地電位（ＧＮＤ）との間に複数のキャ
リア周波数に起因して発生するビート信号周波数を短絡
するコンデンサ５（容量素子）とが接続されている。
【００１７】これらマイクロストリップ線路１とコンデ
ンサ５とから、ビート平滑回路が構成される。また、Ｆ
ＥＴ１０のドレインに接続された線路には、λｇ／４線
路１１とコンデンサ１５と直流バイアス電圧ＶDSからな
る直流バイアス電圧供給回路も接続されているので、図
９に示した従来技術と同様に、キャリア周波数に対して
高インピーダンスとなる。このため、直流バイアス電圧
ＶDS側へのマイクロ波信号の漏れを防ぐことができる。
ンサ５とから、ビート平滑回路が構成される。また、Ｆ
ＥＴ１０のドレインに接続された線路には、λｇ／４線
路１１とコンデンサ１５と直流バイアス電圧ＶDSからな
る直流バイアス電圧供給回路も接続されているので、図
９に示した従来技術と同様に、キャリア周波数に対して
高インピーダンスとなる。このため、直流バイアス電圧
ＶDS側へのマイクロ波信号の漏れを防ぐことができる。
【００１８】また、λｇ／４より短い長さのマイクロス
トリップ線路１をドレインＤの近傍に設けることによ
り、ＦＥＴ１０のドレインＤからマイクロストリップ線
路１までの線路距離が長い場合と比較して、その線路の
インダクタンス成分を小さくすることができ、ビート平
滑回路により効率よくビート信号を低減できる。したが
って、マイクロストリップ線路１は、余剰なインダクタ
ンス成分が付加されないように、ＦＥＴ１０のドレイン
Ｄの端子の根本に接続するのが最も望ましい。なお、λ
ｇ／４線路１１は、ＦＥＴ１０のドレインＤに接続され
た線路のどこに設けてもよい。
トリップ線路１をドレインＤの近傍に設けることによ
り、ＦＥＴ１０のドレインＤからマイクロストリップ線
路１までの線路距離が長い場合と比較して、その線路の
インダクタンス成分を小さくすることができ、ビート平
滑回路により効率よくビート信号を低減できる。したが
って、マイクロストリップ線路１は、余剰なインダクタ
ンス成分が付加されないように、ＦＥＴ１０のドレイン
Ｄの端子の根本に接続するのが最も望ましい。なお、λ
ｇ／４線路１１は、ＦＥＴ１０のドレインＤに接続され
た線路のどこに設けてもよい。
【００１９】図２はビート平滑回路のストリップ線路の
長さＬによるＮＰＲ特性の変化を示す説明図であり、４
１はＬ＝λｇ／４の場合（従来と同等）、４２はＬ＝３
λｇ／１６の場合、４３はＬ＝λｇ／８の場合、４４は
Ｌ＝λｇ／２０の場合を示している。なお、ＮＰＲ特性
とは、電力増幅器の線形特性を示す性能指標の１つであ
る。
長さＬによるＮＰＲ特性の変化を示す説明図であり、４
１はＬ＝λｇ／４の場合（従来と同等）、４２はＬ＝３
λｇ／１６の場合、４３はＬ＝λｇ／８の場合、４４は
Ｌ＝λｇ／２０の場合を示している。なお、ＮＰＲ特性
とは、電力増幅器の線形特性を示す性能指標の１つであ
る。
【００２０】増幅器に複数波の信号を加えると、その歪
み特性のため出力信号には入力した信号成分の他に多く
の不用な信号成分が発生し、これにより発生した歪み信
号成分は増幅器の出力信号品質を劣化させる。特に、移
動体通信などでは、移動体の通信局数が多く、１つの増
幅器で非常に多くの信号を増幅する。このような場合に
線形特性の評価を行うには、信号発生器を多数用意しな
くてはならないので、実際には評価できない。この代わ
りに、入力信号に雑音を使用して増幅器の線形特性を評
価する方法が考えられている。
み特性のため出力信号には入力した信号成分の他に多く
の不用な信号成分が発生し、これにより発生した歪み信
号成分は増幅器の出力信号品質を劣化させる。特に、移
動体通信などでは、移動体の通信局数が多く、１つの増
幅器で非常に多くの信号を増幅する。このような場合に
線形特性の評価を行うには、信号発生器を多数用意しな
くてはならないので、実際には評価できない。この代わ
りに、入力信号に雑音を使用して増幅器の線形特性を評
価する方法が考えられている。
【００２１】この方法は、雑音信号の中に非常に狭い雑
音信号のないスリット（帯域）を設けて、この雑音信号
を増幅器に入力し、出力側でこのスリットに生じた電力
密度と雑音信号密度との電力比を測定する。したがっ
て、スリットに生じた電力密度が大きいほど増幅器の線
形特性が悪いことを表するものとなる。この電力比をＮ
ＰＲ（Noise Power Ratio ）といい、ＮＰＲの絶対値が
大きいほど複数波信号の増幅において歪みの発生が小さ
く、線形特性がよいと判断される。
音信号のないスリット（帯域）を設けて、この雑音信号
を増幅器に入力し、出力側でこのスリットに生じた電力
密度と雑音信号密度との電力比を測定する。したがっ
て、スリットに生じた電力密度が大きいほど増幅器の線
形特性が悪いことを表するものとなる。この電力比をＮ
ＰＲ（Noise Power Ratio ）といい、ＮＰＲの絶対値が
大きいほど複数波信号の増幅において歪みの発生が小さ
く、線形特性がよいと判断される。
【００２２】したがって、λｇ／４より短い長さを有す
るマイクロストリップ線路１を用いることにより、λｇ
／４線路と比較してｊＸの小さくすることができるとと
もに、ビート信号周波数を短絡するコンデンサ５を介し
て接地することにより、複数のキャリア周波数に起因し
て発生するビート信号を確実に低減できる。これは、図
２に示されているように、マイクロストリップ線路１の
線路長Ｌ＝３λｇ／１６以下とすることにより、Ｌ＝λ
ｇ／４と比較して、そのＮＰＲ特性が出力バックオフ量
の広い範囲にわたって大幅に改善されていることがわか
る。
るマイクロストリップ線路１を用いることにより、λｇ
／４線路と比較してｊＸの小さくすることができるとと
もに、ビート信号周波数を短絡するコンデンサ５を介し
て接地することにより、複数のキャリア周波数に起因し
て発生するビート信号を確実に低減できる。これは、図
２に示されているように、マイクロストリップ線路１の
線路長Ｌ＝３λｇ／１６以下とすることにより、Ｌ＝λ
ｇ／４と比較して、そのＮＰＲ特性が出力バックオフ量
の広い範囲にわたって大幅に改善されていることがわか
る。
【００２３】次に、図３を参照して、本発明の第２の実
施の形態について説明する。図３は、本発明の第２の実
施の形態によるマイクロ増幅器を示す説明図であり、
（ａ）は回路図、（ｂ）は構成図である。同図におい
て、前述の説明（図１参照）と同じまたは同等部分には
同一符号を付してある。本発明の第１の実施の形態（図
１参照）と比較して、ここではＦＥＴ１０のドレインＤ
に直流バイアス電圧ＶDSをビート平滑回路のマイクロス
トリップ線路１を介して供給するようにした点が異な
る。
施の形態について説明する。図３は、本発明の第２の実
施の形態によるマイクロ増幅器を示す説明図であり、
（ａ）は回路図、（ｂ）は構成図である。同図におい
て、前述の説明（図１参照）と同じまたは同等部分には
同一符号を付してある。本発明の第１の実施の形態（図
１参照）と比較して、ここではＦＥＴ１０のドレインＤ
に直流バイアス電圧ＶDSをビート平滑回路のマイクロス
トリップ線路１を介して供給するようにした点が異な
る。
【００２４】すなわち、図３では、マイクロストリップ
線路１とコンデンサ５との接続点に直流バイアス電圧Ｖ
DSが接続されており、ここからλｇ／４より短い長さの
マイクロストリップ線路１を介して、ＦＥＴ１０のドレ
インＤに直流バイアス電圧ＶDSが供給される。また、ビ
ート信号は、前述の第１の実施の形態（図１参照）と同
様に、マイクロストリップ線路１およびコンデンサ５を
介して、接地電位に短絡される。
線路１とコンデンサ５との接続点に直流バイアス電圧Ｖ
DSが接続されており、ここからλｇ／４より短い長さの
マイクロストリップ線路１を介して、ＦＥＴ１０のドレ
インＤに直流バイアス電圧ＶDSが供給される。また、ビ
ート信号は、前述の第１の実施の形態（図１参照）と同
様に、マイクロストリップ線路１およびコンデンサ５を
介して、接地電位に短絡される。
【００２５】このように、直流バイアス電圧ＶDSをビー
ト平滑回路のマイクロストリップ線路１を介して供給す
るようにしたので、第１の実施の形態と同様にビート信
号を低減できる。また、直流バイアス電圧ＶDSをＦＥＴ
１０のドレインＤへ供給するための回路、すなわち図１
におけるλｇ／４線路１１およびコンデンサ１５が不要
となり、回路構成部品を低減できるとともに、回路面積
を小さくでき、増幅器を小型化することができる。
ト平滑回路のマイクロストリップ線路１を介して供給す
るようにしたので、第１の実施の形態と同様にビート信
号を低減できる。また、直流バイアス電圧ＶDSをＦＥＴ
１０のドレインＤへ供給するための回路、すなわち図１
におけるλｇ／４線路１１およびコンデンサ１５が不要
となり、回路構成部品を低減できるとともに、回路面積
を小さくでき、増幅器を小型化することができる。
【００２６】次に、図４を参照して、本発明の第３の実
施の形態について説明する。図４は、本発明の第３の実
施の形態によるマイクロ増幅器を示す説明図であり、
（ａ）は回路図、（ｂ）は構成図である。同図におい
て、前述の説明（図１参照）と同じまたは同等部分には
同一符号を付してある。本発明の第１の実施の形態（図
１参照）と比較して、ここではＦＥＴ１０のドレインＤ
に直流バイアス電圧ＶDSをλｇ／４線路１１とビート平
滑回路のマイクロストリップ線路１とを介して供給する
ようにした点が異なる。
施の形態について説明する。図４は、本発明の第３の実
施の形態によるマイクロ増幅器を示す説明図であり、
（ａ）は回路図、（ｂ）は構成図である。同図におい
て、前述の説明（図１参照）と同じまたは同等部分には
同一符号を付してある。本発明の第１の実施の形態（図
１参照）と比較して、ここではＦＥＴ１０のドレインＤ
に直流バイアス電圧ＶDSをλｇ／４線路１１とビート平
滑回路のマイクロストリップ線路１とを介して供給する
ようにした点が異なる。
【００２７】すなわち、図４では、マイクロストリップ
線路１とコンデンサ５との接続点にλｇ／４線路１１を
介して直流バイアス電圧ＶDSが接続されており、ここか
らλｇ／４線路１１およびλｇ／４より短い長さのマイ
クロストリップ線路１を介して、ＦＥＴ１０のドレイン
Ｄに直流バイアス電圧ＶDSが供給される。なお、λｇ／
４線路１１の他端と接地電位（ＧＮＤ）との間にキャリ
ア周波数を短絡するコンデンサ１５が接続されており、
このコンデンサ１５とλｇ／４線路１１とから直流バイ
アス電圧供給回路が構成されている。
線路１とコンデンサ５との接続点にλｇ／４線路１１を
介して直流バイアス電圧ＶDSが接続されており、ここか
らλｇ／４線路１１およびλｇ／４より短い長さのマイ
クロストリップ線路１を介して、ＦＥＴ１０のドレイン
Ｄに直流バイアス電圧ＶDSが供給される。なお、λｇ／
４線路１１の他端と接地電位（ＧＮＤ）との間にキャリ
ア周波数を短絡するコンデンサ１５が接続されており、
このコンデンサ１５とλｇ／４線路１１とから直流バイ
アス電圧供給回路が構成されている。
【００２８】また、ビート信号は、前述の第１の実施の
形態（図１参照）と同様に、マイクロストリップ線路１
およびコンデンサ５を介して、接地電位に短絡される。
このように、第２の実施の形態と同様に、λｇ／４より
短い長さのマイクロストリップ線路１と、ビート信号周
波数を短絡するコンデンサ５からなるビート平滑回路を
有するので、ビート信号を低減できる。
形態（図１参照）と同様に、マイクロストリップ線路１
およびコンデンサ５を介して、接地電位に短絡される。
このように、第２の実施の形態と同様に、λｇ／４より
短い長さのマイクロストリップ線路１と、ビート信号周
波数を短絡するコンデンサ５からなるビート平滑回路を
有するので、ビート信号を低減できる。
【００２９】また、マイクロストリップ線路１とコンデ
ンサ５との接続点に、λｇ／４線路１１とコンデンサ１
５と直流バイアス電圧ＶDSからなる直流バイアス電圧供
給回路を接続したので、図９に示した従来技術と同様
に、キャリア周波数に対して高インピーダンスとなる。
このため、直流バイアス電圧ＶDS側へのマイクロ波信号
の漏れを防ぐことができるという効果が得られる。さら
に、ドレインと接続された線路の片側に近接して配置す
ることができるので、第１の実施の形態よりも占有面積
を小さくできる（図１（ｂ），図４（ｂ）参照）。
ンサ５との接続点に、λｇ／４線路１１とコンデンサ１
５と直流バイアス電圧ＶDSからなる直流バイアス電圧供
給回路を接続したので、図９に示した従来技術と同様
に、キャリア周波数に対して高インピーダンスとなる。
このため、直流バイアス電圧ＶDS側へのマイクロ波信号
の漏れを防ぐことができるという効果が得られる。さら
に、ドレインと接続された線路の片側に近接して配置す
ることができるので、第１の実施の形態よりも占有面積
を小さくできる（図１（ｂ），図４（ｂ）参照）。
【００３０】次に、図５を参照して、本発明の第４の実
施の形態について説明する。図５は本発明の第４の実施
の形態によるマイクロ増幅器を示す説明図であり、
（ａ）は回路図、（ｂ）は構成図である。同図におい
て、前述の説明（図１参照）と同じまたは同等部分には
同一符号を付してある。本発明の第１の実施の形態（図
１参照）と比較して、ここではλｇ／４線路１１の代わ
りに、λｇ／４より短い長さのマイクロストリップ線路
２を介して、ＦＥＴ１０のドレインＤに直流バイアス電
圧ＶDSを供給するようにした点が異なる。
施の形態について説明する。図５は本発明の第４の実施
の形態によるマイクロ増幅器を示す説明図であり、
（ａ）は回路図、（ｂ）は構成図である。同図におい
て、前述の説明（図１参照）と同じまたは同等部分には
同一符号を付してある。本発明の第１の実施の形態（図
１参照）と比較して、ここではλｇ／４線路１１の代わ
りに、λｇ／４より短い長さのマイクロストリップ線路
２を介して、ＦＥＴ１０のドレインＤに直流バイアス電
圧ＶDSを供給するようにした点が異なる。
【００３１】すなわち、図５では、ＦＥＴ１０のドレイ
ンＤに、マイクロ波信号のキャリア周波数の波長λｇの
１／４すなわちλｇ／４より短い長さを有するマイクロ
ストリップ線路２が接続され、その他端と接地電位（Ｇ
ＮＤ）との間に入力信号を短絡するコンデンサ５とが接
続され、さらにこの他端に直流バイアス電圧ＶDSが接続
されている。これにより、λｇ／４より短い長さのマイ
クロストリップ線路２を介して、ＦＥＴ１０のドレイン
Ｄに直流バイアス電圧ＶDSが供給される。
ンＤに、マイクロ波信号のキャリア周波数の波長λｇの
１／４すなわちλｇ／４より短い長さを有するマイクロ
ストリップ線路２が接続され、その他端と接地電位（Ｇ
ＮＤ）との間に入力信号を短絡するコンデンサ５とが接
続され、さらにこの他端に直流バイアス電圧ＶDSが接続
されている。これにより、λｇ／４より短い長さのマイ
クロストリップ線路２を介して、ＦＥＴ１０のドレイン
Ｄに直流バイアス電圧ＶDSが供給される。
【００３２】なお、λｇ／４線路２の他端と接地電位
（ＧＮＤ）との間にキャリア周波数を短絡するコンデン
サ６が接続されており、このコンデンサ６とλｇ／４線
路２とから直流バイアス電圧供給回路が構成されてい
る。また、ビート信号は、前述の第１の実施の形態（図
１参照）と同様に、マイクロストリップ線路１およびコ
ンデンサ５を介して、接地電位に短絡される。このよう
に、直流バイアス電圧ＶDSをλｇ／４より短い長さを有
するマイクロストリップ線路２を介して供給するように
したので、直流バイアス電圧ＶDS供給側においても、ビ
ート信号を減衰させることができる。
（ＧＮＤ）との間にキャリア周波数を短絡するコンデン
サ６が接続されており、このコンデンサ６とλｇ／４線
路２とから直流バイアス電圧供給回路が構成されてい
る。また、ビート信号は、前述の第１の実施の形態（図
１参照）と同様に、マイクロストリップ線路１およびコ
ンデンサ５を介して、接地電位に短絡される。このよう
に、直流バイアス電圧ＶDSをλｇ／４より短い長さを有
するマイクロストリップ線路２を介して供給するように
したので、直流バイアス電圧ＶDS供給側においても、ビ
ート信号を減衰させることができる。
【００３３】すなわち、λｇ／４より短い長さのマイク
ロストリップ線路１とコンデンサ５からなるビート平滑
回路と、λｇ／４より短い長さのマイクロストリップ線
路２，コンデンサ６からなるビート平滑回路とが、ＦＥ
Ｔ１０のドレインに接続されている線路と接地電位との
間に並列に設けられている。これにより、ビート信号を
平滑にする効果が、第１〜第３の実施の形態と比較して
向上する。
ロストリップ線路１とコンデンサ５からなるビート平滑
回路と、λｇ／４より短い長さのマイクロストリップ線
路２，コンデンサ６からなるビート平滑回路とが、ＦＥ
Ｔ１０のドレインに接続されている線路と接地電位との
間に並列に設けられている。これにより、ビート信号を
平滑にする効果が、第１〜第３の実施の形態と比較して
向上する。
【００３４】次に、図６を参照して、本発明の第５の実
施の形態について説明する。図６は本発明の第５の実施
の形態によるマイクロ増幅器を示す説明図であり、
（ａ）はＦＥＴのゲートＧおよびドレインＤの両方に所
定のビート平滑回路を設けた場合、（ｂ）はＦＥＴのド
レインＤのみに所定のビート平滑回路を設けた場合を示
している。
施の形態について説明する。図６は本発明の第５の実施
の形態によるマイクロ増幅器を示す説明図であり、
（ａ）はＦＥＴのゲートＧおよびドレインＤの両方に所
定のビート平滑回路を設けた場合、（ｂ）はＦＥＴのド
レインＤのみに所定のビート平滑回路を設けた場合を示
している。
【００３５】このような複数個のＦＥＴを並列動作させ
る構成のマイクロ増幅器では、図１０に示すように、λ
ｇ／４線路１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａ，１３Ｂ、およびコ
ンデンサＣ１６Ａ，１６Ｂ，１７Ａ，１７Ｂを設けて、
個々のＦＥＴのゲートＧおよびドレインＤに、所定の直
流バイアス電圧ＶGS，ＶDSを供給する構成が考えられ
る。
る構成のマイクロ増幅器では、図１０に示すように、λ
ｇ／４線路１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａ，１３Ｂ、およびコ
ンデンサＣ１６Ａ，１６Ｂ，１７Ａ，１７Ｂを設けて、
個々のＦＥＴのゲートＧおよびドレインＤに、所定の直
流バイアス電圧ＶGS，ＶDSを供給する構成が考えられ
る。
【００３６】図１０において、２２，２４，３２，３４
は入力整合回路、２６，２８，３６，３８は出力整合回
路、２３，２７，３３，３７は直流阻止コンデンサであ
る。しかし、図１０の例では、直流バイアス電圧供給用
として多数のλｇ／４線路を必要とすること、および外
部との接続回路が多くなることから、マイクロ増幅器の
サイズが大きくなり、小型化できないという問題点があ
った。
は入力整合回路、２６，２８，３６，３８は出力整合回
路、２３，２７，３３，３７は直流阻止コンデンサであ
る。しかし、図１０の例では、直流バイアス電圧供給用
として多数のλｇ／４線路を必要とすること、および外
部との接続回路が多くなることから、マイクロ増幅器の
サイズが大きくなり、小型化できないという問題点があ
った。
【００３７】本発明の第５の実施の形態（図６参照）で
は、並列動作させる各ＦＥＴ２５，３５に対してマイク
ロ波信号を分配する分配線路（分配点）と、各ＦＥＴ２
５，３５からの増幅出力を合成する合成線路（合成点）
とから、ＦＥＴ２５，３５のゲートＧ（入力端子）およ
びドレインＤ（出力端子）に、それぞれ直流バイアス電
圧ＶGS，ＶDSを供給するとともに、ＦＥＴ２５，３５の
ゲートＧおよびドレインＤ近傍にビート信号を減衰させ
るビート平滑回路を設けたものである。
は、並列動作させる各ＦＥＴ２５，３５に対してマイク
ロ波信号を分配する分配線路（分配点）と、各ＦＥＴ２
５，３５からの増幅出力を合成する合成線路（合成点）
とから、ＦＥＴ２５，３５のゲートＧ（入力端子）およ
びドレインＤ（出力端子）に、それぞれ直流バイアス電
圧ＶGS，ＶDSを供給するとともに、ＦＥＴ２５，３５の
ゲートＧおよびドレインＤ近傍にビート信号を減衰させ
るビート平滑回路を設けたものである。
【００３８】すなわち、コンデンサＣ２１と２２，３２
とが接続される分配線路にλｇ／４線路１２を接続し、
その他端と接地電位（ＧＮＤ）との間にマイクロ波信号
のキャリア周波数を短絡するコンデンサ１６を接続し、
さらにこの他端に直流バイアス電圧ＶGSを接続したもの
である。また、２８，３８とコンデンサＣ２９とが接続
される合成線路にλｇ／４線路１３を接続し、その他端
と接地電位（ＧＮＤ）との間にマイクロ波のキャリア周
波数を短絡するコンデンサ１７を接続し、さらにこの他
端に直流バイアス電圧ＶDSを接続したものである。
とが接続される分配線路にλｇ／４線路１２を接続し、
その他端と接地電位（ＧＮＤ）との間にマイクロ波信号
のキャリア周波数を短絡するコンデンサ１６を接続し、
さらにこの他端に直流バイアス電圧ＶGSを接続したもの
である。また、２８，３８とコンデンサＣ２９とが接続
される合成線路にλｇ／４線路１３を接続し、その他端
と接地電位（ＧＮＤ）との間にマイクロ波のキャリア周
波数を短絡するコンデンサ１７を接続し、さらにこの他
端に直流バイアス電圧ＶDSを接続したものである。
【００３９】さらに、図６（ａ）では、各ＦＥＴ２４，
３４のゲートＧおよびドレインＤの両方に対してλｇ／
４より短い長さを有するマイクロストリップ線路２Ａ，
２Ｂ，３Ａ，３Ｂを接続し、さらにそれぞれの他端と接
地電位（ＧＮＤ）との間にビート信号周波数を短絡する
コンデンサ７Ａ，７Ｂ，８Ａ，８Ｂを接続したものであ
り、図６（ｂ）ではドレインＤ側にのみ、マイクロスト
リップ線路３Ａ，３Ｂとコンデンサ８Ａ，８Ｂとを設け
たものである。
３４のゲートＧおよびドレインＤの両方に対してλｇ／
４より短い長さを有するマイクロストリップ線路２Ａ，
２Ｂ，３Ａ，３Ｂを接続し、さらにそれぞれの他端と接
地電位（ＧＮＤ）との間にビート信号周波数を短絡する
コンデンサ７Ａ，７Ｂ，８Ａ，８Ｂを接続したものであ
り、図６（ｂ）ではドレインＤ側にのみ、マイクロスト
リップ線路３Ａ，３Ｂとコンデンサ８Ａ，８Ｂとを設け
たものである。
【００４０】なお、この場合、マイクロストリップ線路
２Ａ，２Ｂ，３Ａ，３Ｂとコンデンサ７Ａ，７Ｂ，８
Ａ，８Ｂとの直列接続回路により、ビート平滑回路が構
成されている。これにより、各ＦＥＴ２４，３４のゲー
トＧおよびドレインＤに対して直流バイアス電圧ＶGS，
ＶDSを供給する回路を共用することができるとともに、
従来のように、直流バイアス電圧を遮断するためのコン
デンサ２３，３３，２７，３７を設ける必要がなくな
り、回路構成部品を低減できるとともに、回路面積を小
さくでき、増幅器を小型化することができる。
２Ａ，２Ｂ，３Ａ，３Ｂとコンデンサ７Ａ，７Ｂ，８
Ａ，８Ｂとの直列接続回路により、ビート平滑回路が構
成されている。これにより、各ＦＥＴ２４，３４のゲー
トＧおよびドレインＤに対して直流バイアス電圧ＶGS，
ＶDSを供給する回路を共用することができるとともに、
従来のように、直流バイアス電圧を遮断するためのコン
デンサ２３，３３，２７，３７を設ける必要がなくな
り、回路構成部品を低減できるとともに、回路面積を小
さくでき、増幅器を小型化することができる。
【００４１】次に、図７を参照して、本発明の第６の実
施の形態について説明する。図７は、本発明の第６の実
施の形態によるマイクロ増幅器を示す説明図であり、パ
ッケージ内部で並列動作する複数ＦＥＴを整合する内部
整合型のマイクロ波増幅器（トランジスタ）である。こ
のような、パッケージ内部で並列動作する複数ＦＥＴを
整合する内部整合型のマイクロ波増幅器では、パッケー
ジ内部に分配回路７１、入力整合回路７２，８２、ＦＥ
Ｔ回路７３，８３、出力整合回路７４，８４および合成
回路７５を設けられている。
施の形態について説明する。図７は、本発明の第６の実
施の形態によるマイクロ増幅器を示す説明図であり、パ
ッケージ内部で並列動作する複数ＦＥＴを整合する内部
整合型のマイクロ波増幅器（トランジスタ）である。こ
のような、パッケージ内部で並列動作する複数ＦＥＴを
整合する内部整合型のマイクロ波増幅器では、パッケー
ジ内部に分配回路７１、入力整合回路７２，８２、ＦＥ
Ｔ回路７３，８３、出力整合回路７４，８４および合成
回路７５を設けられている。
【００４２】ゲート端子７０から入力されたマイクロ波
信号は、分配回路７１にて各入力整合回路７２，８２に
分配され、ここでインダクタンスやキャパシタンスなど
によりインピーダンス整合された後、ＦＥＴ回路７３，
８３に設けられた並列動作する各ＦＥＴに入力され、増
幅出力される。その後、出力整合回路７４，８４にてイ
ンダクタンスやキャパシタンスなどによりインピーダン
ス整合された後、合成回路７５ですべての増幅出力が合
成されて、ドレイン端子７６から出力されるものとな
る。
信号は、分配回路７１にて各入力整合回路７２，８２に
分配され、ここでインダクタンスやキャパシタンスなど
によりインピーダンス整合された後、ＦＥＴ回路７３，
８３に設けられた並列動作する各ＦＥＴに入力され、増
幅出力される。その後、出力整合回路７４，８４にてイ
ンダクタンスやキャパシタンスなどによりインピーダン
ス整合された後、合成回路７５ですべての増幅出力が合
成されて、ドレイン端子７６から出力されるものとな
る。
【００４３】しかし、このようなマイクロ波増幅器に、
多数のキャリア周波数が含まれるマイクロ波信号を入力
した場合、これらキャリア周波数により低周波のビート
信号が発生し、入力整合回路７２，８２が有するインダ
クタンス、キャパシタンス、分配回路７１および合成回
路７５の伝送ラインによる位相角などのリアクタンス成
分ｊＸにて、ＦＥＴ回路７３，８３の増幅出力に歪みを
生じるという問題点があった。
多数のキャリア周波数が含まれるマイクロ波信号を入力
した場合、これらキャリア周波数により低周波のビート
信号が発生し、入力整合回路７２，８２が有するインダ
クタンス、キャパシタンス、分配回路７１および合成回
路７５の伝送ラインによる位相角などのリアクタンス成
分ｊＸにて、ＦＥＴ回路７３，８３の増幅出力に歪みを
生じるという問題点があった。
【００４４】本発明の第６の実施の形態（図７参照）で
は、ＦＥＴ回路７３，８３のドレインＤの近傍に、ドレ
インＤからのボンディングパターン７７，８７を設け、
ボンディングパターン７７，８７とＦＥＴ回路７３，８
３のドレインＤとを接続するようにしたものである。さ
らに、ボンディングパターン７７，８７の一端に、λｇ
／４より短い長さのマイクロストリップ線路５１，５２
を接続し、その他端と接地電位（ＧＮＤ）との間にビー
ト信号を短絡するコンデンサ５５，５６を接続したもの
である。
は、ＦＥＴ回路７３，８３のドレインＤの近傍に、ドレ
インＤからのボンディングパターン７７，８７を設け、
ボンディングパターン７７，８７とＦＥＴ回路７３，８
３のドレインＤとを接続するようにしたものである。さ
らに、ボンディングパターン７７，８７の一端に、λｇ
／４より短い長さのマイクロストリップ線路５１，５２
を接続し、その他端と接地電位（ＧＮＤ）との間にビー
ト信号を短絡するコンデンサ５５，５６を接続したもの
である。
【００４５】これにより、ＦＥＴ側から見た負荷側イン
ピーダンスは、出力整合回路７４，８４が有するインダ
クタ、キャパシタおよび合成回路７５の伝送ラインなど
によりリアクタンス成分ｊＸが大きくなる。しかし、ド
レインＤの近傍にビート平滑回路を並列に設けることに
より、リアクタンス成分ｊＸを小さくできる。
ピーダンスは、出力整合回路７４，８４が有するインダ
クタ、キャパシタおよび合成回路７５の伝送ラインなど
によりリアクタンス成分ｊＸが大きくなる。しかし、ド
レインＤの近傍にビート平滑回路を並列に設けることに
より、リアクタンス成分ｊＸを小さくできる。
【００４６】したがって、多数のキャリア周波数に起因
する低周波のビート信号は減衰し、増幅出力の歪みを低
減することができる。これにより、パッケージ内部で並
列動作する複数ＦＥＴを整合する内部整合型のマイクロ
波増幅器に、多数のキャリア周波数が含まれるマイクロ
波が入力された場合でも、多数のキャリア周波数に起因
する低周波のビート信号を減衰することができ、増幅出
力の歪みを低減することができる。
する低周波のビート信号は減衰し、増幅出力の歪みを低
減することができる。これにより、パッケージ内部で並
列動作する複数ＦＥＴを整合する内部整合型のマイクロ
波増幅器に、多数のキャリア周波数が含まれるマイクロ
波が入力された場合でも、多数のキャリア周波数に起因
する低周波のビート信号を減衰することができ、増幅出
力の歪みを低減することができる。
【００４７】なお、前述の本発明の第８の実施の形態で
は、パッケージ内部にλｇ／４より短いマイクロストリ
ップ線路とビート信号短絡用のコンデンサとからなるビ
ート平滑回路を設けた場合について説明した。しかし、
これに限定されるものではなく、例えば、図８に示すよ
うに、ビート平滑回路接続用の端子をパッケージに設け
て、パッケージ外部に、ビート信号短絡用のコンデンサ
を接続するようにしてもよい。
は、パッケージ内部にλｇ／４より短いマイクロストリ
ップ線路とビート信号短絡用のコンデンサとからなるビ
ート平滑回路を設けた場合について説明した。しかし、
これに限定されるものではなく、例えば、図８に示すよ
うに、ビート平滑回路接続用の端子をパッケージに設け
て、パッケージ外部に、ビート信号短絡用のコンデンサ
を接続するようにしてもよい。
【００４８】また、非常に低いビート周波まで平滑する
場合には、ビート信号を短絡するコンデンサ５５，５６
として大きなキャパシタが必要となる。このため、ビー
ト信号を短絡するコンデンサの形状が大きくなり、前述
した図７に示すように、同一パッケージ内に収納できな
いことがある。図８では、ＦＥＴ回路７３，８３の各出
力をそれぞれボンディングパターン７９，８９で接続す
るとともに、このボンディングパターン７９，８９に接
続されたλｇ／４より短い長さのマイクロストリップ線
路５３，５４（接続手段）と接地電位（ＧＮＤ）との間
に設けられビート信号を短絡するコンデンサ５７，５８
を端子７８，８８（接続手段）を介して、パッケージの
外部に設けるようにしたものである。
場合には、ビート信号を短絡するコンデンサ５５，５６
として大きなキャパシタが必要となる。このため、ビー
ト信号を短絡するコンデンサの形状が大きくなり、前述
した図７に示すように、同一パッケージ内に収納できな
いことがある。図８では、ＦＥＴ回路７３，８３の各出
力をそれぞれボンディングパターン７９，８９で接続す
るとともに、このボンディングパターン７９，８９に接
続されたλｇ／４より短い長さのマイクロストリップ線
路５３，５４（接続手段）と接地電位（ＧＮＤ）との間
に設けられビート信号を短絡するコンデンサ５７，５８
を端子７８，８８（接続手段）を介して、パッケージの
外部に設けるようにしたものである。
【００４９】これにより、非常に低いビート周波数を平
滑できる大きな形状のコンデンサを、パッケージサイズ
を無駄に大きくすることなく実装可能となる。さらに、
このコンデンサをパッケージの外部に実装することによ
り、ビート信号成分が用途によって変更する場合でも、
外付けのコンデンサ５７，５８の容量を変更するだけで
対応でき、同一の電力増幅器で多種の伝送キャリアに対
応させることができる。
滑できる大きな形状のコンデンサを、パッケージサイズ
を無駄に大きくすることなく実装可能となる。さらに、
このコンデンサをパッケージの外部に実装することによ
り、ビート信号成分が用途によって変更する場合でも、
外付けのコンデンサ５７，５８の容量を変更するだけで
対応でき、同一の電力増幅器で多種の伝送キャリアに対
応させることができる。
【００５０】なお、図７，８では、パッケージ内部で並
列動作する複数のＦＥＴを整合する内部整合型のマイク
ロ波増幅器を例に説明したが、並列動作のみならず、単
一動作の場合でも本発明を適用することができ、前述と
同様の作用効果が得られる。さらに、パッケージに収容
する場合のみではなく、ディスクリート部品を用いて並
列動作する複数ＦＥＴを有するマイクロ波集積回路に適
用することができ、前述と同様の作用効果が得られる。
列動作する複数のＦＥＴを整合する内部整合型のマイク
ロ波増幅器を例に説明したが、並列動作のみならず、単
一動作の場合でも本発明を適用することができ、前述と
同様の作用効果が得られる。さらに、パッケージに収容
する場合のみではなく、ディスクリート部品を用いて並
列動作する複数ＦＥＴを有するマイクロ波集積回路に適
用することができ、前述と同様の作用効果が得られる。
【００５１】なお、以上の説明において、マイクロ波信
号のキャリア周波数に対して高インピーダンスとなるイ
ンダクタとしてλｇ／４長のマイクロストリップ線路を
用い、またビート信号を低減するインダクタとしてλｇ
／４より短い長さのマイクロストリップ線路を用いた場
合を例に説明したが、これらインダクタはマイクロスト
リップ線路に限定されるものではなく、それぞれのマイ
クロストリップ線路と等価なインダクタンスを有するコ
イルで、これらマイクロストリップ線路を置換してもよ
く、前述と同様の作用効果を奏することができる。
号のキャリア周波数に対して高インピーダンスとなるイ
ンダクタとしてλｇ／４長のマイクロストリップ線路を
用い、またビート信号を低減するインダクタとしてλｇ
／４より短い長さのマイクロストリップ線路を用いた場
合を例に説明したが、これらインダクタはマイクロスト
リップ線路に限定されるものではなく、それぞれのマイ
クロストリップ線路と等価なインダクタンスを有するコ
イルで、これらマイクロストリップ線路を置換してもよ
く、前述と同様の作用効果を奏することができる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、λｇ／
４より短い長さ、さらには３λｇ／１６以下の長さのマ
イクロストリップ線路を設けるとともに、このマイクロ
ストリップ線路と接地間に容量素子を設けて、マイクロ
波信号に含まれる複数のキャリア周波数の差に起因して
生じるビート信号を、ビート平滑回路のλｇ／４より短
い長さ、望ましくは３λｇ／１６以下の長さのマイクロ
ストリップ線路および容量素子を介して接地電位に短絡
するようにしたものである。したがって、従来のよう
に、単にλｇ／４線路を介して低周波の入力信号をコン
デンサにて接地電位に短絡する場合と比較して、マイク
ロ波信号に含まれる複数のキャリア周波数の差に起因し
て生じるビート信号を確実に減衰させることができ、増
幅するマイクロ波信号に多数のキャリア周波数が含まれ
る場合でも良好な歪み特性が得られる。
４より短い長さ、さらには３λｇ／１６以下の長さのマ
イクロストリップ線路を設けるとともに、このマイクロ
ストリップ線路と接地間に容量素子を設けて、マイクロ
波信号に含まれる複数のキャリア周波数の差に起因して
生じるビート信号を、ビート平滑回路のλｇ／４より短
い長さ、望ましくは３λｇ／１６以下の長さのマイクロ
ストリップ線路および容量素子を介して接地電位に短絡
するようにしたものである。したがって、従来のよう
に、単にλｇ／４線路を介して低周波の入力信号をコン
デンサにて接地電位に短絡する場合と比較して、マイク
ロ波信号に含まれる複数のキャリア周波数の差に起因し
て生じるビート信号を確実に減衰させることができ、増
幅するマイクロ波信号に多数のキャリア周波数が含まれ
る場合でも良好な歪み特性が得られる。
【００５３】また、このビート平滑回路を能動素子の出
力端子に設け、あるいはこの出力端子に接続される線路
であってかつその能動素子の出力端子近傍の線路に設け
たので、能動素子の出力端からλｇ／４より短い長さの
マイクロストリップ線路までの線路距離が長い場合と比
較して、その線路距離によるインダクタンス成分を小さ
くすることができ、より効率よくビート信号を低減でき
る。また、マイクロストリップ線路と接地間に接続され
た容量素子を設け、このマイクロストリップ線路と容量
素子との接続点から、直流バイアス電圧供給手段、例え
ば直流バイアス源により、所定の直流バイアス電圧を供
給するようにしたので、直流バイアス電圧を能動素子の
出力端子へ供給するための回路が不要となり、回路構成
部品を低減できるとともに、回路面積を小さくでき、増
幅器を小型化することができる。
力端子に設け、あるいはこの出力端子に接続される線路
であってかつその能動素子の出力端子近傍の線路に設け
たので、能動素子の出力端からλｇ／４より短い長さの
マイクロストリップ線路までの線路距離が長い場合と比
較して、その線路距離によるインダクタンス成分を小さ
くすることができ、より効率よくビート信号を低減でき
る。また、マイクロストリップ線路と接地間に接続され
た容量素子を設け、このマイクロストリップ線路と容量
素子との接続点から、直流バイアス電圧供給手段、例え
ば直流バイアス源により、所定の直流バイアス電圧を供
給するようにしたので、直流バイアス電圧を能動素子の
出力端子へ供給するための回路が不要となり、回路構成
部品を低減できるとともに、回路面積を小さくでき、増
幅器を小型化することができる。
【００５４】さらに、直流バイアス電圧供給手段を、λ
ｇ／４長のマイクロストリップ線路と、このマイクロス
トリップ線路と接地間に接続された容量素子と、これら
マイクロストリップ線路と容量素子との間に接続された
直流バイアス源とから構成したので、能動素子の出力端
子に対する直流バイアス電圧側のインピーダンスをさら
に高くすることができ、ビート信号を低減しつつマイク
ロ波信号の減衰をさらに抑制することができる。また、
ビート平滑回路が接続されている端子に対して所定の直
流バイアス電圧を供給する直流バイアス電圧供給回路を
設け、この直流バイアス電圧供給回路を、出力端子に接
続された線路に対して、λｇ／４より短い長さのマイク
ロストリップ線路とマイクロ波信号のキャリア周波数を
接地電位に短絡する容量素子との直列接続と、この接続
点に所定の直流バイアス電圧を供給する直流バイアス電
圧源とから構成したので、直流バイアス電圧供給回路に
おいてもビート信号を減衰させることができ、ビート平
滑回路を並列接続した場合と同様に、ビート信号をさら
に減衰させることができる。
ｇ／４長のマイクロストリップ線路と、このマイクロス
トリップ線路と接地間に接続された容量素子と、これら
マイクロストリップ線路と容量素子との間に接続された
直流バイアス源とから構成したので、能動素子の出力端
子に対する直流バイアス電圧側のインピーダンスをさら
に高くすることができ、ビート信号を低減しつつマイク
ロ波信号の減衰をさらに抑制することができる。また、
ビート平滑回路が接続されている端子に対して所定の直
流バイアス電圧を供給する直流バイアス電圧供給回路を
設け、この直流バイアス電圧供給回路を、出力端子に接
続された線路に対して、λｇ／４より短い長さのマイク
ロストリップ線路とマイクロ波信号のキャリア周波数を
接地電位に短絡する容量素子との直列接続と、この接続
点に所定の直流バイアス電圧を供給する直流バイアス電
圧源とから構成したので、直流バイアス電圧供給回路に
おいてもビート信号を減衰させることができ、ビート平
滑回路を並列接続した場合と同様に、ビート信号をさら
に減衰させることができる。
【００５５】また、異なる複数のキャリア周波数を含む
マイクロ波信号を分配器により複数に分配し、分配され
たマイクロ波信号を各能動素子により増幅し、各能動素
子の出力信号を合成器により合成して出力するマイクロ
波増幅器において、各能動素子の入力端子に対して分配
線路から所定の直流バイアス電圧を共通に供給するとと
もに、各能動素子の出力端子に対して合成線路から所定
の直流バイアス電圧を共通に供給し、さらに、マイクロ
波信号に含まれる複数のキャリア周波数の差に起因して
生じるビート信号を、能動素子の出力端子側さらには入
力端子側に設けられたλｇ／４より短い長さのマイクロ
ストリップ線路および容量素子を介して接地電位に短絡
するようにしたのである。
マイクロ波信号を分配器により複数に分配し、分配され
たマイクロ波信号を各能動素子により増幅し、各能動素
子の出力信号を合成器により合成して出力するマイクロ
波増幅器において、各能動素子の入力端子に対して分配
線路から所定の直流バイアス電圧を共通に供給するとと
もに、各能動素子の出力端子に対して合成線路から所定
の直流バイアス電圧を共通に供給し、さらに、マイクロ
波信号に含まれる複数のキャリア周波数の差に起因して
生じるビート信号を、能動素子の出力端子側さらには入
力端子側に設けられたλｇ／４より短い長さのマイクロ
ストリップ線路および容量素子を介して接地電位に短絡
するようにしたのである。
【００５６】したがって、各能動素子の入力端子および
出力端子に直流バイアス電圧を供給する回路を共用でき
るとともに、能動素子の出力端子側さらには入力端子側
のリアクタンス成分が小さくなり、マイクロ波信号に含
まれる複数のキャリア周波数の差に起因して生じるビー
ト信号を確実に減衰させることができ、増幅するマイク
ロ波信号に多数のキャリア周波数が含まれる場合でも良
好な歪み特性が得られる。また、従来のように、直流バ
イアス電圧を遮断するためのコンデンサを設ける必要が
なくなり、回路構成部品を低減できるとともに、回路面
積を小さくでき、増幅器を小型化することができる。
出力端子に直流バイアス電圧を供給する回路を共用でき
るとともに、能動素子の出力端子側さらには入力端子側
のリアクタンス成分が小さくなり、マイクロ波信号に含
まれる複数のキャリア周波数の差に起因して生じるビー
ト信号を確実に減衰させることができ、増幅するマイク
ロ波信号に多数のキャリア周波数が含まれる場合でも良
好な歪み特性が得られる。また、従来のように、直流バ
イアス電圧を遮断するためのコンデンサを設ける必要が
なくなり、回路構成部品を低減できるとともに、回路面
積を小さくでき、増幅器を小型化することができる。
【００５７】また、直流バイアス電圧供給手段を、λｇ
／４長のマイクロストリップ線路と、このマイクロスト
リップ線路と接地間に接続された容量素子と、これらマ
イクロストリップ線路と容量素子との間に接続された直
流バイアス源とから構成したので、能動素子の出力端子
に対する直流バイアス電圧側のインピーダンスをさらに
高くすることができ、ビート信号を低減しつつマイクロ
波信号の減衰をさらに抑制することができる。また、分
配器、入力整合回路、能動素子、マイクロストリップ線
路、出力整合回路および合成器とを１つのパッケージ内
に収納するとともに、容量素子をパッケージの外部に外
付けするための接続手段を設けたので、非常に低いビー
ト周波数を平滑できる大きな形状のコンデンサを、パッ
ケージサイズを無駄に大きくすることなく実装可能とな
るとともに、ビート信号成分が用途によって変更する場
合でも、外付けの容量を変更するだけで対応でき、同一
の電力増幅器で多種の伝送キャリアに対応させることが
できる。
／４長のマイクロストリップ線路と、このマイクロスト
リップ線路と接地間に接続された容量素子と、これらマ
イクロストリップ線路と容量素子との間に接続された直
流バイアス源とから構成したので、能動素子の出力端子
に対する直流バイアス電圧側のインピーダンスをさらに
高くすることができ、ビート信号を低減しつつマイクロ
波信号の減衰をさらに抑制することができる。また、分
配器、入力整合回路、能動素子、マイクロストリップ線
路、出力整合回路および合成器とを１つのパッケージ内
に収納するとともに、容量素子をパッケージの外部に外
付けするための接続手段を設けたので、非常に低いビー
ト周波数を平滑できる大きな形状のコンデンサを、パッ
ケージサイズを無駄に大きくすることなく実装可能とな
るとともに、ビート信号成分が用途によって変更する場
合でも、外付けの容量を変更するだけで対応でき、同一
の電力増幅器で多種の伝送キャリアに対応させることが
できる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態によるマイクロ波
増幅器を示す説明図である。
増幅器を示す説明図である。
【図２】 ビート平滑回路のストリップ線路の長さＬに
よるＮＰＲ特性の変化を示す説明図である。
よるＮＰＲ特性の変化を示す説明図である。
【図３】 本発明の第２の実施の形態によるマイクロ波
増幅器を示す説明図である。
増幅器を示す説明図である。
【図４】 本発明の第３の実施の形態によるマイクロ波
増幅器を示す説明図である。
増幅器を示す説明図である。
【図５】 本発明の第４の実施の形態によるマイクロ波
増幅器を示す説明図である。
増幅器を示す説明図である。
【図６】 本発明の第５の実施の形態によるマイクロ波
増幅器を示す説明図である。
増幅器を示す説明図である。
【図７】 本発明の第５の実施の形態によるマイクロ波
増幅器を示す説明図である。
増幅器を示す説明図である。
【図８】 本発明の第５の実施の形態によるマイクロ波
増幅器を示す説明図である。
増幅器を示す説明図である。
【図９】 従来のマイクロ波増幅器を示す説明図であ
る。
る。
【図１０】 従来の他のマイクロ波増幅器を示す説明図
である。
である。
【図１１】 従来の他のマイクロ波増幅器を示す説明図
である。
である。
１，２，２Ａ，２Ｂ，３Ａ，３Ｂ，５１〜５４…マイク
ロストリップ線路（ビート平滑回路）、５，６，７Ａ，
７Ｂ，８Ａ，８Ｂ，５５〜５８…コンデンサ（ビート平
滑回路）、１０，２５，３５…ＦＥＴ、１１〜１３…λ
ｇ／４線路、１５〜１７…コンデンサ、７１…分配回
路、７２，８２…入力整合回路、７３，８３…ＦＥＴ回
路、７４，８４…出力整合回路、７５…合成回路，７
７，８７…ボンディングパターン、７８，８８…端子
（接続手段）。
ロストリップ線路（ビート平滑回路）、５，６，７Ａ，
７Ｂ，８Ａ，８Ｂ，５５〜５８…コンデンサ（ビート平
滑回路）、１０，２５，３５…ＦＥＴ、１１〜１３…λ
ｇ／４線路、１５〜１７…コンデンサ、７１…分配回
路、７２，８２…入力整合回路、７３，８３…ＦＥＴ回
路、７４，８４…出力整合回路、７５…合成回路，７
７，８７…ボンディングパターン、７８，８８…端子
（接続手段）。
Claims (17)
- 【請求項１】 異なる複数のキャリア周波数を含むマイ
クロ波信号を能動素子を用いて増幅するマイクロ波増幅
器において、 λｇ／４より短い長さの第１のマイクロストリップ線路
と、 該第１のマイクロストリップ線路と接地間に接続された
容量素子とからなる回路を備えることを特徴とするマイ
クロ波増幅器。 - 【請求項２】 前記第１のマイクロストリップ線路の長
さが３λｇ／１６以下であることを特徴とする請求項１
記載のマイクロ波増幅器。 - 【請求項３】 前記回路が、前記マイクロ波信号を増幅
する能動素子の出力に設けられることを特徴とする請求
項１記載のマイクロ波増幅器。 - 【請求項４】 前記回路が、前記能動素子の出力端子に
接続される線路の前記能動素子の出力端子近傍に設けら
れることを特徴とする請求項３記載のマイクロ波増幅
器。 - 【請求項５】 前記能動素子の出力端子に接続される線
路に所定の直流バイアス電圧を供給する直流バイアス電
圧供給手段を備えることを特徴とする請求項４記載のマ
イクロ波増幅器。 - 【請求項６】 前記直流バイアス電圧供給手段が、 前記第１のマイクロストリップ線路とは異なるλｇ／４
より短い長さの第２のマイクロストリップ線路と、 該第２のマイクロストリップ線路と接地間に接続された
容量素子と、 該第２のマイクロストリップ線路と該容量素子との間に
接続された直流バイアス源とからなることを特徴とする
請求項５記載のマイクロ波増幅器。 - 【請求項７】 前記第２のマイクロストリップ線路の長
さが３λｇ／１６以下であることを特徴とする請求項６
記載のマイクロ波増幅器。 - 【請求項８】 前記第１のマイクロストリップ線路と前
記容量素子との接続点に、所定の直流バイアス電圧を供
給する直流バイアス電圧供給手段を備えることを特徴と
する請求項１記載のマイクロ波増幅器。 - 【請求項９】 前記直流バイアス電圧供給手段が、直流
バイアス源であることを特徴とする請求項８記載のマイ
クロ波増幅器。 - 【請求項１０】 前記能動素子が複数あり、前記複数の
能動素子に入力される前記マイクロ波信号を複数に分配
する分配器と、 前記複数の能動素子の出力に設けられる前記回路と、前
記複数の能動素子の出力信号を合成して出力する合成器
とを備えることを特徴とする請求項３記載のマイクロ波
増幅器。 - 【請求項１１】 前記回路が、前記複数の能動素子の入
力にも設けられることを特徴とする請求項１０記載のマ
イクロ波増幅器。 - 【請求項１２】 前記分配器の前段と前記合成器の後段
とに所定の直流バイアス電圧を供給する直流バイアス電
圧供給手段を備えることを特徴とする請求項１０記載の
マイクロ波増幅器。 - 【請求項１３】 前記直流バイアス電圧供給手段が、λ
ｇ／４長のマイクロストリップ線路と、 該マイクロストリップ線路と接地間に接続された容量素
子と、 該マイクロストリップ線路と該容量素子との間に接続さ
れた直流バイアス源とからなることを特徴とする請求項
５，請求項８または請求項１２記載のマイクロ波増幅
器。 - 【請求項１４】 前記分配器と前記複数の能動素子との
間に接続された入力整合回路と、 前記複数の能動素子と前記合成器との間に接続された出
力合成回路とを備えることを特徴とする請求項１０記載
のマイクロ波増幅器。 - 【請求項１５】 前記分配器、前記入力整合回路、前記
複数の能動素子、前記第１のマイクロストリップ線路、
前記容量素子、前記出力整合回路および前記合成器を１
つのパッケージ内に収容したことを特徴とする請求項１
４記載のマイクロ波増幅器。 - 【請求項１６】 前記容量素子をパッケージの外部に外
付けするための接続手段を備えることを特徴とする請求
項１０記載のマイクロ波増幅器。 - 【請求項１７】 前記第１のマイクロストリップ線路、
前記第２のマイクロストリップ線路およびλｇ／４長の
マイクロストリップ線路の少なくとも１つをインダクタ
ンスの等価なコイルで置換したことを特徴とする請求項
１，請求項２，請求項６，請求項７，請求項１３または
請求項１５記載のマイクロ波増幅器。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6346859B1 (en) | 1997-10-29 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Microwave amplifier with reduced beat noise |
| US6392491B1 (en) | 1999-02-25 | 2002-05-21 | Fujitsu Limited | High-frequency amplifier and amplification element |
| JP2006319737A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
| WO2009118824A1 (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | 三菱電機株式会社 | 低歪み増幅器および低歪み増幅器を用いたドハティ増幅器 |
| JP2012235223A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2017513428A (ja) * | 2014-03-21 | 2017-05-25 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 電力増幅回路およびトランスミッタ |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11251849A (ja) * | 1998-03-04 | 1999-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器 |
| DE19930195C2 (de) * | 1999-06-30 | 2001-08-30 | Siemens Ag | Schaltung zum Verstärken eines Hochfrequenzsignals aus zumindest zwei Hochfrequenzbereichen, 2-Band-Empfänger mit der Schaltung, 2-Band-Mobilfunkvorrichtung mit dem Empfänger und Verwendung einer Serienschaltung aus einem kapazitiven Element und einer Hochfrequenzleitung in einer Verstärkerschaltung |
| JP2002043875A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Nec Corp | 可変利得増幅器及びそれを備えた電子機器 |
| US6621347B2 (en) * | 2000-12-21 | 2003-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | RF power amplifier |
| JP2005516444A (ja) * | 2002-01-24 | 2005-06-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 補償されたｒｆ増幅器デバイス |
| GB0220800D0 (en) | 2002-09-06 | 2002-10-16 | Nokia Corp | Power amplifier system |
| GB2395076A (en) * | 2002-11-01 | 2004-05-12 | Roke Manor Research | Linear high power RF amplifiers |
| US6734728B1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-05-11 | Infineon Technologies North America Corp. | RF power transistor with internal bias feed |
| US6828862B2 (en) * | 2003-03-11 | 2004-12-07 | Wiseband Communications Ltd. | RF power amplifier with low intermodulation distortion and reduced memory effect |
| CN100428639C (zh) * | 2003-11-21 | 2008-10-22 | 清华大学 | 低温极低噪声系数放大电路 |
| US20090251218A1 (en) * | 2008-04-03 | 2009-10-08 | Paulo Oliveira | Variable Gain Amplifier |
| CN101699767B (zh) * | 2009-10-21 | 2011-09-14 | 上海华为技术有限公司 | 一种射频功率放大器馈电电路 |
| US20110309872A1 (en) | 2010-06-17 | 2011-12-22 | Cynthia Blair | Voltage Spike Protection for Power DMOS Devices |
| JP5269864B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2013-08-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| CN105790719A (zh) * | 2014-12-25 | 2016-07-20 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种提升射频功率放大器dpd性能的方法及装置 |
| CN104967436A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-10-07 | 上海斐讯数据通信技术有限公司 | 改善移动终端性能的电路 |
| CN108768305A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-11-06 | 杭州电子科技大学 | 一种宽带Doherty功率放大器及设计方法 |
| FR3120758B1 (fr) | 2021-03-15 | 2024-05-03 | Wupatec | Circuit de polarisation en bande de base et rf, et circuit amplificateur de puissance rf le comprenant |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4591803A (en) * | 1984-05-29 | 1986-05-27 | At&T Bell Laboratories | Linear FET power amplifier |
| JPH0693584B2 (ja) * | 1984-06-01 | 1994-11-16 | 株式会社日立製作所 | バイアス回路 |
| JPS6135006A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-02-19 | Fujitsu Ltd | 超高周波増幅器 |
| JPH0767057B2 (ja) * | 1987-04-10 | 1995-07-19 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波電力合成ｆｅｔ増幅器 |
| JPH01284006A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Hitachi Ltd | トランジスタ装置 |
| US4994761A (en) * | 1989-11-06 | 1991-02-19 | Motorola Inc. | VHF power amplifier |
| US5272450A (en) * | 1991-06-20 | 1993-12-21 | Microwave Modules & Devices, Inc. | DC feed network for wideband RF power amplifier |
| JP2529038B2 (ja) * | 1991-07-19 | 1996-08-28 | 株式会社日立製作所 | 高周波高効率電力増幅器 |
| US5276406A (en) * | 1992-02-13 | 1994-01-04 | Trontech, Inc. | Low noise wide dynamic range amplifiers |
| FR2696887B1 (fr) * | 1992-10-09 | 1994-11-18 | Thomson Lgt | Amplificateur de puissance large bande haute fréquence. |
| EP0600548B1 (en) * | 1992-12-03 | 1998-11-04 | Philips Electronics Uk Limited | Compact cascadable microwave amplifier circuits |
| US5329249A (en) * | 1993-10-13 | 1994-07-12 | Pacific Monolithics, Inc. | High efficiency RF power amplifier |
| US5592122A (en) * | 1994-05-19 | 1997-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio-frequency power amplifier with input impedance matching circuit based on harmonic wave |
| KR0129844B1 (ko) * | 1994-12-21 | 1998-10-01 | 양승택 | 아날로그 및 디지털 휴대용 전화기 겸용 전력증폭기 |
| US5812221A (en) * | 1997-02-14 | 1998-09-22 | Northrop Grumman Corporation | Digital television transmitter using silicon carbide transistor amplifiers |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP9037484A patent/JP3060981B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-19 GB GB9803545A patent/GB2322495B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-20 KR KR10-1998-0005380A patent/KR100364080B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-02-23 US US09/027,677 patent/US5999058A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6346859B1 (en) | 1997-10-29 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Microwave amplifier with reduced beat noise |
| US6392491B1 (en) | 1999-02-25 | 2002-05-21 | Fujitsu Limited | High-frequency amplifier and amplification element |
| JP2006319737A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
| WO2009118824A1 (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | 三菱電機株式会社 | 低歪み増幅器および低歪み増幅器を用いたドハティ増幅器 |
| US8149060B2 (en) | 2008-03-25 | 2012-04-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Low distortion amplifier and Doherty amplifier using low distortion amplifier |
| JP5063779B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2012-10-31 | 三菱電機株式会社 | 低歪み増幅器および低歪み増幅器を用いたドハティ増幅器 |
| JP2012235223A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2017513428A (ja) * | 2014-03-21 | 2017-05-25 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 電力増幅回路およびトランスミッタ |
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