JPH10228099A - 紫外線用ペリクルおよびペリクル用ケース - Google Patents
紫外線用ペリクルおよびペリクル用ケースInfo
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- JPH10228099A JPH10228099A JP2907397A JP2907397A JPH10228099A JP H10228099 A JPH10228099 A JP H10228099A JP 2907397 A JP2907397 A JP 2907397A JP 2907397 A JP2907397 A JP 2907397A JP H10228099 A JPH10228099 A JP H10228099A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】耐光性（耐久性）に優れた２００ｎｍ以下の紫
外線用ペリクルおよびペリクル用ケース。 【解決手段】ペリクル膜と、該ペリクル膜を接着剤(a)
層を介して張設保持する保持枠と、保持枠を被保護体に
固定させる接着剤(b) 層とからなり、前記接着剤(a) 層
および接着剤(b) 層は、該層から発生してペリクル膜に
吸着あるいは吸収される化合物であって、かつ波長１４
０〜２００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを発生する
化合物の発生量が２００ppm 以下である波長１４０〜２
００ｎｍの紫外線用ペリクルおよび該ペリクル用ケー
ス。波長１４０〜２００ｎｍの紫外線照射によりラジカ
ルを発生する化合物は、具体的に、芳香族化合物、ケト
ンまたは窒素化合物である。
外線用ペリクルおよびペリクル用ケース。 【解決手段】ペリクル膜と、該ペリクル膜を接着剤(a)
層を介して張設保持する保持枠と、保持枠を被保護体に
固定させる接着剤(b) 層とからなり、前記接着剤(a) 層
および接着剤(b) 層は、該層から発生してペリクル膜に
吸着あるいは吸収される化合物であって、かつ波長１４
０〜２００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを発生する
化合物の発生量が２００ppm 以下である波長１４０〜２
００ｎｍの紫外線用ペリクルおよび該ペリクル用ケー
ス。波長１４０〜２００ｎｍの紫外線照射によりラジカ
ルを発生する化合物は、具体的に、芳香族化合物、ケト
ンまたは窒素化合物である。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、とくに波長１４０〜２０
０ｎｍの短波長紫外線を露光光源とするときに好適なペ
リクルおよびペリクルケースに関する。
０ｎｍの短波長紫外線を露光光源とするときに好適なペ
リクルおよびペリクルケースに関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】半導体プロセスでは、従来フォト
リソグラフィ工程により、高度集積回路（ＬＳＩ）を作
成する際には、フォトマスク（あるいはレチクルも含
む）などに塵埃等の異物が付着し、ウエハ上に転写する
のを防止するため、マスク基板の片面または両面にペリ
クル（光線透過性防塵体）が設けられている。
リソグラフィ工程により、高度集積回路（ＬＳＩ）を作
成する際には、フォトマスク（あるいはレチクルも含
む）などに塵埃等の異物が付着し、ウエハ上に転写する
のを防止するため、マスク基板の片面または両面にペリ
クル（光線透過性防塵体）が設けられている。
【０００３】このペリクルは、通常ペリクル膜（光線透
過性防塵膜）が、アルミニウムなどの保持枠によりマス
ク基板表面から適当に離間されて保持されるように構成
されている。このためマスク基板表面の配線パターンを
ウエハ上に転写する際に、マスク基板表面とペリクル膜
表面とでは結像焦点距離が異なり、ペリクル膜上に異物
が付着していても、ウエハー上に異物は転写されない。
過性防塵膜）が、アルミニウムなどの保持枠によりマス
ク基板表面から適当に離間されて保持されるように構成
されている。このためマスク基板表面の配線パターンを
ウエハ上に転写する際に、マスク基板表面とペリクル膜
表面とでは結像焦点距離が異なり、ペリクル膜上に異物
が付着していても、ウエハー上に異物は転写されない。
【０００４】したがってペリクルでマスクを覆えば、外
部からの異物の侵入を防ぐことができ、フォトリソグラ
フィ工程の生産効率を向上させることができるととも
に、半導体素子製造時の歩留りを向上させることができ
る。
部からの異物の侵入を防ぐことができ、フォトリソグラ
フィ工程の生産効率を向上させることができるととも
に、半導体素子製造時の歩留りを向上させることができ
る。
【０００５】上記のようなペリクル膜は、膜強度、耐久
性および光透過性とくに露光波長における透過性が要求
されるが、従来、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎ
ｍ）などの光に対するペリクル膜材としては、主にニト
ロセルロース、プロピレンセルロースなどのセルロース
系材料が用いられている。
性および光透過性とくに露光波長における透過性が要求
されるが、従来、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎ
ｍ）などの光に対するペリクル膜材としては、主にニト
ロセルロース、プロピレンセルロースなどのセルロース
系材料が用いられている。
【０００６】ところで近年、半導体プロセスでは、パタ
ーン微細化による集積度向上のために、露光光源は短波
長化する傾向にあり、具体的に現在、ＫrＦエキシマレ
ーザ（λ＝２４８ｎｍ）を露光光源とする書込みが実現
化されつつあり、さらに波長２００ｎｍ以下の短波長紫
外線が研究されており、とくにＡrＦエキシマレーザ
（λ＝１９３ｎｍ）が有力視されている。
ーン微細化による集積度向上のために、露光光源は短波
長化する傾向にあり、具体的に現在、ＫrＦエキシマレ
ーザ（λ＝２４８ｎｍ）を露光光源とする書込みが実現
化されつつあり、さらに波長２００ｎｍ以下の短波長紫
外線が研究されており、とくにＡrＦエキシマレーザ
（λ＝１９３ｎｍ）が有力視されている。
【０００７】このようなレーザ光は短波長になるほどそ
の光子エネルギーが増大するが、たとえばＡrＦエキシ
マレーザのエネルギーは６.４ｅＶ（１４７kcal／mol）
であって、有機ポリマー中のＣ−Ｃ結合の解離エネルギ
ー（８３.６kcal／mol）およびＣ−Ｈ結合の解離エネル
ギー（９８.８kcal／mol）よりも大きい。
の光子エネルギーが増大するが、たとえばＡrＦエキシ
マレーザのエネルギーは６.４ｅＶ（１４７kcal／mol）
であって、有機ポリマー中のＣ−Ｃ結合の解離エネルギ
ー（８３.６kcal／mol）およびＣ−Ｈ結合の解離エネル
ギー（９８.８kcal／mol）よりも大きい。
【０００８】しかしながら従来ペリクル膜材として用い
られているセルロース系材料などは、３００ｎｍ以下の
短波長領域の光透過性は充分ではなく、また紫外線領域
とくにＡrＦエキシマレーザ照射により容易に光分解
（光劣化）してしまい、ペリクルは実用に耐えない。
られているセルロース系材料などは、３００ｎｍ以下の
短波長領域の光透過性は充分ではなく、また紫外線領域
とくにＡrＦエキシマレーザ照射により容易に光分解
（光劣化）してしまい、ペリクルは実用に耐えない。
【０００９】このためとくに２００ｎｍ以下の紫外線を
吸収しにくく、光吸収により分解してしまうことがない
ペリクルが求められており、たとえば短波長紫外線領域
での光透過性に優れたフッ素樹脂をペリクル膜材として
用いることが提案されている。
吸収しにくく、光吸収により分解してしまうことがない
ペリクルが求められており、たとえば短波長紫外線領域
での光透過性に優れたフッ素樹脂をペリクル膜材として
用いることが提案されている。
【００１０】しかしながら本発明者らが耐光性に優れた
ペリクルについて研究したところ、ペリクル膜がフッ素
樹脂などの光透過性に優れた膜材で形成されていたとし
ても、ペリクルは充分な耐光性（耐久性）を示さないこ
とがあり、このようなペリクル膜の耐光性の低下は、ペ
リクル製造時あるいはペリクル使用時などに、ペリクル
膜と他の部材との接触により、波長１４０〜２００ｎｍ
の紫外線照射によりラジカルを発生する化合物がペリク
ル膜に付着するためであることを見出した。そしてこの
ような化合物を含まない部材からペリクルを構成するこ
とにより、ペリクルの耐光性を保持しうることを見出し
て本発明を完成するに至った。
ペリクルについて研究したところ、ペリクル膜がフッ素
樹脂などの光透過性に優れた膜材で形成されていたとし
ても、ペリクルは充分な耐光性（耐久性）を示さないこ
とがあり、このようなペリクル膜の耐光性の低下は、ペ
リクル製造時あるいはペリクル使用時などに、ペリクル
膜と他の部材との接触により、波長１４０〜２００ｎｍ
の紫外線照射によりラジカルを発生する化合物がペリク
ル膜に付着するためであることを見出した。そしてこの
ような化合物を含まない部材からペリクルを構成するこ
とにより、ペリクルの耐光性を保持しうることを見出し
て本発明を完成するに至った。
【００１１】
【発明の目的】本発明は、耐光性（耐久性）に優れた２
００ｎｍ以下の紫外線用ペリクルおよびペリクル用ケー
スを提供することを目的としている。
００ｎｍ以下の紫外線用ペリクルおよびペリクル用ケー
スを提供することを目的としている。
【００１２】
【発明の概要】本発明に係るペリクルは、波長１４０〜
２００ｎｍの紫外線用であって、ペリクル膜と、該ペリ
クル膜を接着剤(a) 層を介して張設保持する保持枠と、
保持枠を被保護体に固定させる接着剤(b) 層とからな
り、前記接着剤(a) 層および接着剤(b) 層は、該接着剤
層から発生して、ペリクル膜に吸着あるいは吸収されう
る化合物であって、かつ波長１４０〜２００ｎｍの紫外
線照射によりラジカルを発生する化合物の発生量が２０
０ppm 以下であることを特徴としている。
２００ｎｍの紫外線用であって、ペリクル膜と、該ペリ
クル膜を接着剤(a) 層を介して張設保持する保持枠と、
保持枠を被保護体に固定させる接着剤(b) 層とからな
り、前記接着剤(a) 層および接着剤(b) 層は、該接着剤
層から発生して、ペリクル膜に吸着あるいは吸収されう
る化合物であって、かつ波長１４０〜２００ｎｍの紫外
線照射によりラジカルを発生する化合物の発生量が２０
０ppm 以下であることを特徴としている。
【００１３】上記波長１４０〜２００ｎｍの紫外線照射
によりラジカルを発生する化合物は、具体的に、芳香族
化合物、ケトンまたは窒素化合物である。本発明に係る
ペリクルケースは、上記のようなペリクルを収納するケ
ースであって、該ケースから発生してペリクル膜に吸着
あるいは吸収されうる化合物であって、かつ波長１４０
〜２００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを発生する化
合物の発生量が２００ppm 以下であることを特徴として
いる。
によりラジカルを発生する化合物は、具体的に、芳香族
化合物、ケトンまたは窒素化合物である。本発明に係る
ペリクルケースは、上記のようなペリクルを収納するケ
ースであって、該ケースから発生してペリクル膜に吸着
あるいは吸収されうる化合物であって、かつ波長１４０
〜２００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを発生する化
合物の発生量が２００ppm 以下であることを特徴として
いる。
【００１４】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係るペリクルおよ
びペリクルケースについて具体的に説明する。
びペリクルケースについて具体的に説明する。
【００１５】本発明に係るペリクルは、波長１４０〜２
００ｎｍの紫外線用である。このようなペリクルを図１
を参照しながら説明する。ペリクル１は、ペリクル膜２
と、該ペリクル膜２を接着剤(a) 層３を介して張設保持
する保持枠４と、保持枠４をフォトマスクあるいはレチ
クルなどの被保護体６に固定させる接着剤(b) 層５とか
らなる。
００ｎｍの紫外線用である。このようなペリクルを図１
を参照しながら説明する。ペリクル１は、ペリクル膜２
と、該ペリクル膜２を接着剤(a) 層３を介して張設保持
する保持枠４と、保持枠４をフォトマスクあるいはレチ
クルなどの被保護体６に固定させる接着剤(b) 層５とか
らなる。
【００１６】上記ペリクル膜２は、波長１４０〜２００
ｎｍの紫外線に対する光透過性に優れた膜材で形成され
ており、具体的に該膜材の露光光源の波長領域内の平均
光透過率Ｔ〔％〕が９０％以上であることが望ましい。
なおこの平均透過率Ｔは、上記波長領域内で起る光線透
過率の干渉波の山部と谷部とを同数とり平均した値であ
る。
ｎｍの紫外線に対する光透過性に優れた膜材で形成され
ており、具体的に該膜材の露光光源の波長領域内の平均
光透過率Ｔ〔％〕が９０％以上であることが望ましい。
なおこの平均透過率Ｔは、上記波長領域内で起る光線透
過率の干渉波の山部と谷部とを同数とり平均した値であ
る。
【００１７】また上記ペリクル膜２は繰り返し使用しう
るような膜強度を有しているとが望ましく、たとえば膜
材の引張強度が１００kg／cm2 程度以上、曲げ強さが２
００kg／cm2 程度以上であることが望ましい。
るような膜強度を有しているとが望ましく、たとえば膜
材の引張強度が１００kg／cm2 程度以上、曲げ強さが２
００kg／cm2 程度以上であることが望ましい。
【００１８】本発明では、膜材として上記のように光透
過性に優れ、かつ原子間結合エネルギーの高い分子構造
を有し、光分解しにくい有機ポリマーであれば特に限定
することなく用いることができるが、該有機ポリマーは
非晶質であることが望ましい。
過性に優れ、かつ原子間結合エネルギーの高い分子構造
を有し、光分解しにくい有機ポリマーであれば特に限定
することなく用いることができるが、該有機ポリマーは
非晶質であることが望ましい。
【００１９】また有機ポリマーは、２００ｎｍ以上の短
波長紫外領域から可視光領域までの光透過性にも優れて
いることが望ましい。このような有機ポリマーとして
は、Ｃ−Ｃ結合、Ｃ−Ｏ結合、Ｓi−Ｏ結合、などを主
鎖とし、メチルなどのアルキル基、フッ素、フッ素含有
アルキル基、シクロアルキル基、フッ素含有シクロアル
キル基などを分鎖基とする有機ポリマーが挙げられる。
これら有機ポリマーは、たとえば線状構造であってもよ
く、また分岐構造あるいは環を有する構造であってもよ
く、さらに架橋構造であってもよい。
波長紫外領域から可視光領域までの光透過性にも優れて
いることが望ましい。このような有機ポリマーとして
は、Ｃ−Ｃ結合、Ｃ−Ｏ結合、Ｓi−Ｏ結合、などを主
鎖とし、メチルなどのアルキル基、フッ素、フッ素含有
アルキル基、シクロアルキル基、フッ素含有シクロアル
キル基などを分鎖基とする有機ポリマーが挙げられる。
これら有機ポリマーは、たとえば線状構造であってもよ
く、また分岐構造あるいは環を有する構造であってもよ
く、さらに架橋構造であってもよい。
【００２０】より具体的には、ポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフ
ルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）などのフッ素樹
脂、ジメチルポリシロキサンなどのシリコーンポリマ
ー、フロロシリコーンポリマーなどを用いることができ
る。さらに下記に示すようなＣＹＴＯＰ（商品名）ある
いはテフロンＡＦ（商品名）として市販されているフッ
素樹脂を用いることができる。
レン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフ
ルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）などのフッ素樹
脂、ジメチルポリシロキサンなどのシリコーンポリマ
ー、フロロシリコーンポリマーなどを用いることができ
る。さらに下記に示すようなＣＹＴＯＰ（商品名）ある
いはテフロンＡＦ（商品名）として市販されているフッ
素樹脂を用いることができる。
【００２１】
【化１】
【００２２】なおこのような有機ポリマーのλ＝１４０
〜２００ｎｍの波長領域における光透過性は、分子軌道
法から算出することができる。具体的には、該ポリマー
について分子軌道法により電子エネルギー準位の計算を
行ない、ＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）とＬＵＭＯ（最
低空分子軌道）との間のエネルギーギャップを求めるこ
とにより、電子励起による光吸収スペクトル（シミュレ
ーション）を推定することができる。
〜２００ｎｍの波長領域における光透過性は、分子軌道
法から算出することができる。具体的には、該ポリマー
について分子軌道法により電子エネルギー準位の計算を
行ない、ＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）とＬＵＭＯ（最
低空分子軌道）との間のエネルギーギャップを求めるこ
とにより、電子励起による光吸収スペクトル（シミュレ
ーション）を推定することができる。
【００２３】上記のようなペリクル膜２の膜厚は、必要
な膜強度を有し、かつ露光時の収差が小さくなる範囲で
あればよく、具体的に、０.１μｍ〜１０μｍであるこ
とが好ましい。このような範囲から、露光波長に対する
透過率が高くなるように膜厚を下記式のように算出して
選択することができる。
な膜強度を有し、かつ露光時の収差が小さくなる範囲で
あればよく、具体的に、０.１μｍ〜１０μｍであるこ
とが好ましい。このような範囲から、露光波長に対する
透過率が高くなるように膜厚を下記式のように算出して
選択することができる。
【００２４】
【数１】
【００２５】ｄ：ペリクル膜厚（単独膜の場合） ｎ：ポリマーの屈折率 λ：露光波長（たとえばＡrＦエキシマレーザのときは
１９３ｎｍ） 上記のようなペリクル膜２は、後述するような波長１４
０〜２００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを発生する
化合物とくに溶剤を製造時に用いない方法であれば、従
来公知のペリクル膜製造方法を広く利用して製造するこ
とができ、たとえば清浄で平滑な基板上に有機ポリマー
溶液または懸濁液を供給し、スピンナーを回転させ、回
転製膜法により製膜する方法、またガラスなどの清浄で
平滑な面を有する基板を有機ポリマー溶液または懸濁液
中に浸漬した後、この基板を引上げて薄膜を形成する浸
漬法、あるいは有機ポリマーの切削、溶融成形などによ
り製膜することができる。
１９３ｎｍ） 上記のようなペリクル膜２は、後述するような波長１４
０〜２００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを発生する
化合物とくに溶剤を製造時に用いない方法であれば、従
来公知のペリクル膜製造方法を広く利用して製造するこ
とができ、たとえば清浄で平滑な基板上に有機ポリマー
溶液または懸濁液を供給し、スピンナーを回転させ、回
転製膜法により製膜する方法、またガラスなどの清浄で
平滑な面を有する基板を有機ポリマー溶液または懸濁液
中に浸漬した後、この基板を引上げて薄膜を形成する浸
漬法、あるいは有機ポリマーの切削、溶融成形などによ
り製膜することができる。
【００２６】上記で得られた薄膜を、熱風、赤外線照射
などの手段により乾燥し、懸濁液の場合は焼成し、次い
で薄膜を基板から引離すことによりペリクル膜（単独
膜）が得られる。
などの手段により乾燥し、懸濁液の場合は焼成し、次い
で薄膜を基板から引離すことによりペリクル膜（単独
膜）が得られる。
【００２７】さらに有機ポリマー溶液を、この溶液より
比重および表面張力が大きい液体の液面上に展開してそ
のまま薄膜（ペリクル膜２）を形成することもできる。
このようにして得られるペリクル膜２は、波長１４０〜
２００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを発生する化合
物を含有していないことが望ましい。
比重および表面張力が大きい液体の液面上に展開してそ
のまま薄膜（ペリクル膜２）を形成することもできる。
このようにして得られるペリクル膜２は、波長１４０〜
２００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを発生する化合
物を含有していないことが望ましい。
【００２８】上記ペリクル膜２上には、反射防止膜（図
示せず）を必ずしも設ける必要はないが、設けてもよ
い。本発明では、上記のように製造されるペリクル膜２
は、接着剤(a) 層３を介して、アルミニウムからなる保
持枠４で張設保持されている。
示せず）を必ずしも設ける必要はないが、設けてもよ
い。本発明では、上記のように製造されるペリクル膜２
は、接着剤(a) 層３を介して、アルミニウムからなる保
持枠４で張設保持されている。
【００２９】保持枠４は、その底部に接着剤(b) 層５を
有しており、ペリクル１は、使用時に接着剤(b) 層５を
介して被保護体６に取付け固定される。このような接着
剤(a) としては、通常アクリル系、シリコーン系、エポ
キシ系などが用いられ、接着剤(b) としては、通常エチ
レン酢酸ビニルコポリマー、ブチルメタクリル酸樹脂、
ポリスチレン、ポリイソブチレンなどが用いられる。
有しており、ペリクル１は、使用時に接着剤(b) 層５を
介して被保護体６に取付け固定される。このような接着
剤(a) としては、通常アクリル系、シリコーン系、エポ
キシ系などが用いられ、接着剤(b) としては、通常エチ
レン酢酸ビニルコポリマー、ブチルメタクリル酸樹脂、
ポリスチレン、ポリイソブチレンなどが用いられる。
【００３０】またペリクル１を被保護体６に取付けるま
での未使用時には、該接着剤(b) 層５の表面には、通常
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなるライナ
ー（図示せず）が貼付されている。
での未使用時には、該接着剤(b) 層５の表面には、通常
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなるライナ
ー（図示せず）が貼付されている。
【００３１】上記保持枠４の内壁側には、粘着剤(c) 層
７が設けられていてもよく、粘着剤(c) としては、通常
アクリル系、ＳＥＢＳ系、粘着性フッ素グリースなどが
用いられる。
７が設けられていてもよく、粘着剤(c) としては、通常
アクリル系、ＳＥＢＳ系、粘着性フッ素グリースなどが
用いられる。
【００３２】本発明では、上記のように構成されるペリ
クル１において、接着剤(a) 層および接着剤(b) 層は、
該層から発生してペリクル膜に吸着あるいは吸収されう
る化合物であって、かつ波長１４０〜２００ｎｍの紫外
線照射によりラジカルを発生する化合物の発生量が、２
００ppm 以下、好ましくは１００ppm 以下である。
クル１において、接着剤(a) 層および接着剤(b) 層は、
該層から発生してペリクル膜に吸着あるいは吸収されう
る化合物であって、かつ波長１４０〜２００ｎｍの紫外
線照射によりラジカルを発生する化合物の発生量が、２
００ppm 以下、好ましくは１００ppm 以下である。
【００３３】一般的に市販の接着剤中には溶剤などとし
て種々化合物が含まれており、具体的に通常下記のよう
な化合物が含まれている。ベンゼン、トルエン、m-キシ
レン、p-キシレン、メシチレン、クメン、イソプロピル
クメン、プソイドクメン、ベンゾトリフルオライド、m-
キシレンヘキサフルオライド、安息香酸ブチル、
て種々化合物が含まれており、具体的に通常下記のよう
な化合物が含まれている。ベンゼン、トルエン、m-キシ
レン、p-キシレン、メシチレン、クメン、イソプロピル
クメン、プソイドクメン、ベンゾトリフルオライド、m-
キシレンヘキサフルオライド、安息香酸ブチル、
【００３４】
【化２】
【００３５】などの芳香族化合物、アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ンなどのケトン、アンモニア、アクリロニトリル、N-メ
チルピロリドン、トリメリルアミン、ヘキサメチルジシ
ラザンなどの窒素化合物、n-ブチルアセテート、メチル
メタクリレート、エチルラクテート、エチルエトキシプ
ロピオネート、エチルセロソルブアセテート、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエス
テル類、シクロヘキセン、Ｃ5Ｈ10、メチルシクロヘキ
セン、テトラクロルエチレン、ジアセチレン、ジメチル
メチレンノルボルナンなどの不飽和化合物、イソプロピ
ルアルコール、t-ブチルアルコール、2-エチルヘキシル
アルコール、Ｃ11Ｈ23ＯＨ、Ｃ12Ｈ25ＯＨ、Ｃ13Ｈ27Ｏ
Ｈ、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール類な
ど。
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ンなどのケトン、アンモニア、アクリロニトリル、N-メ
チルピロリドン、トリメリルアミン、ヘキサメチルジシ
ラザンなどの窒素化合物、n-ブチルアセテート、メチル
メタクリレート、エチルラクテート、エチルエトキシプ
ロピオネート、エチルセロソルブアセテート、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエス
テル類、シクロヘキセン、Ｃ5Ｈ10、メチルシクロヘキ
セン、テトラクロルエチレン、ジアセチレン、ジメチル
メチレンノルボルナンなどの不飽和化合物、イソプロピ
ルアルコール、t-ブチルアルコール、2-エチルヘキシル
アルコール、Ｃ11Ｈ23ＯＨ、Ｃ12Ｈ25ＯＨ、Ｃ13Ｈ27Ｏ
Ｈ、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール類な
ど。
【００３６】本発明では、一般的に接着剤中に含まれる
上記のような化合物のうちでも、ペリクル膜に吸着ある
いは吸収されうる化合物であって、かつ波長１４０〜２
００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物
として、とくにケトン、芳香族化合物および窒素化合物
の発生量が２００ppmである接着剤を、接着剤(a) およ
び接着剤(b) として使用している。
上記のような化合物のうちでも、ペリクル膜に吸着ある
いは吸収されうる化合物であって、かつ波長１４０〜２
００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物
として、とくにケトン、芳香族化合物および窒素化合物
の発生量が２００ppmである接着剤を、接着剤(a) およ
び接着剤(b) として使用している。
【００３７】このような接着剤を得る方法としては、た
とえば接着剤製造時に原料から上記化合物を蒸留、抽出
により除去する方法、接着剤主成分が分解しない温度で
減圧加熱する方法などが挙げられる。
とえば接着剤製造時に原料から上記化合物を蒸留、抽出
により除去する方法、接着剤主成分が分解しない温度で
減圧加熱する方法などが挙げられる。
【００３８】本発明では、接着剤(a) および接着剤(b)
から、芳香族化合物、ケトンおよび窒素化合物とともに
エステル類などの化合物も除去することがペリクル膜の
白化などによる外観面から望ましい。また本発明では、
接着剤(a) および接着剤(b)以外の部材からも、ケト
ン、芳香族化合物および窒素化合物などを発生しないこ
とが望ましい。
から、芳香族化合物、ケトンおよび窒素化合物とともに
エステル類などの化合物も除去することがペリクル膜の
白化などによる外観面から望ましい。また本発明では、
接着剤(a) および接着剤(b)以外の部材からも、ケト
ン、芳香族化合物および窒素化合物などを発生しないこ
とが望ましい。
【００３９】たとえば上記内壁粘着剤７中には、一般的
にトルエン、酢酸ブチル、クメン、パーヒドロナフタレ
ン、ブチルベンゼン、4-メチル-2,6-ジ（t-ブチル）フ
ェノールなどの化合物が含まれており、また接着剤(b)
層のライナー中には、トルエン、2-エチル-1-ヘキシル
アルコール、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ（2-エチル
-1-ヘキシル）などの化合物が含まれており、これらが
発生しないように処理することが望ましい。
にトルエン、酢酸ブチル、クメン、パーヒドロナフタレ
ン、ブチルベンゼン、4-メチル-2,6-ジ（t-ブチル）フ
ェノールなどの化合物が含まれており、また接着剤(b)
層のライナー中には、トルエン、2-エチル-1-ヘキシル
アルコール、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ（2-エチル
-1-ヘキシル）などの化合物が含まれており、これらが
発生しないように処理することが望ましい。
【００４０】内壁粘着剤およびライナーから上記化合物
を発生しないようにするには、接着剤(a)および接着剤
(b)と同様に処理すればよい。さらに本発明では、上記
のようなペリクルを収納するケースについても、ペリク
ル膜に吸着あるいは吸収されうる化合物であって、かつ
波長１４０〜２００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを
発生する化合物の発生量が２００ppm以下、さらに好ま
しくは１００ppm以下であることが望ましい。
を発生しないようにするには、接着剤(a)および接着剤
(b)と同様に処理すればよい。さらに本発明では、上記
のようなペリクルを収納するケースについても、ペリク
ル膜に吸着あるいは吸収されうる化合物であって、かつ
波長１４０〜２００ｎｍの紫外線照射によりラジカルを
発生する化合物の発生量が２００ppm以下、さらに好ま
しくは１００ppm以下であることが望ましい。
【００４１】このようなペリクルケースを形成する材質
としては、たとえばアルミニウム、アルミニウム合金、
ＳＵＳなどの金属あるいはガラス類などが好ましく用い
られる。
としては、たとえばアルミニウム、アルミニウム合金、
ＳＵＳなどの金属あるいはガラス類などが好ましく用い
られる。
【００４２】また本発明では、上記のような化合物の発
生量が２００ppm以下であれば、従来ペリクルケース材
質として用いられているポリプロピレン、バイヨン、制
電性ＡＢＳ、ＡＢＳなどの有機ポリマーを用いることも
できる。
生量が２００ppm以下であれば、従来ペリクルケース材
質として用いられているポリプロピレン、バイヨン、制
電性ＡＢＳ、ＡＢＳなどの有機ポリマーを用いることも
できる。
【００４３】このような有機ポリマーは、通常1-ブチル
アルコール、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、
2-エチル-1-ヘキシルアルコール、イソプロピルクメ
ン、安息香酸ブチルなどの化合物を含んでいる。このよ
うな有機ポリマーは、たとえばメルト状態で減圧する
か、あるいはバブリングするなどの処理をして、上記化
合物を除去すれば、本発明のペリクルケース材質として
用いることができる。
アルコール、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、
2-エチル-1-ヘキシルアルコール、イソプロピルクメ
ン、安息香酸ブチルなどの化合物を含んでいる。このよ
うな有機ポリマーは、たとえばメルト状態で減圧する
か、あるいはバブリングするなどの処理をして、上記化
合物を除去すれば、本発明のペリクルケース材質として
用いることができる。
【００４４】
【発明の効果】本発明に係るペリクルは、１４０〜２０
０ｎｍの紫外線を露光光源とするときに優れた耐光性を
発現する。
０ｎｍの紫外線を露光光源とするときに優れた耐光性を
発現する。
【００４５】このようなペリクルは、波長１４０〜２０
０ｎｍ領域の紫外光を発振する光源たとえばＡrＦエキ
シマレーザ（λ＝１９３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（λ＝１５
７ｎｍ）など、とくにＡrＦエキシマレーザを露光光源
とするときに好適に用いることができる。
０ｎｍ領域の紫外光を発振する光源たとえばＡrＦエキ
シマレーザ（λ＝１９３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（λ＝１５
７ｎｍ）など、とくにＡrＦエキシマレーザを露光光源
とするときに好適に用いることができる。
【００４６】また本発明に係るペリクルケースは、ペリ
クルの耐光性を低下させる化合物を実質的に含んでおら
ず、上記ペリクルを収納するのに好適である。
クルの耐光性を低下させる化合物を実質的に含んでおら
ず、上記ペリクルを収納するのに好適である。
【００４７】
【実施例１】下記に示すＣＹＴＯＰTMをペリクル膜材と
するペリクルについて、下記条件で化合物の耐光性に対
する影響（膜厚の減少率）を試験した。結果を表１に示
す。
するペリクルについて、下記条件で化合物の耐光性に対
する影響（膜厚の減少率）を試験した。結果を表１に示
す。
【００４８】
【化３】
【００４９】化合物のベーパー濃度；１００００ppm レーザ（ＡrＦエキシマレーザ）照射条件：１ｍＪ／cm2
・p ×１００Ｈｚ レーザ照射量：５００Ｊ／cm2 この結果より、芳香族化合物、ケトン類、窒素化合物が
存在すると、ペリクル膜の耐光性が著しく劣化する。す
なわちこのような化合物を除去することにより、耐光性
を向上させることができることがわかる。
・p ×１００Ｈｚ レーザ照射量：５００Ｊ／cm2 この結果より、芳香族化合物、ケトン類、窒素化合物が
存在すると、ペリクル膜の耐光性が著しく劣化する。す
なわちこのような化合物を除去することにより、耐光性
を向上させることができることがわかる。
【００５０】
【実施例２】実施例１において、ペリクル膜材をテフロ
ンＡＦTMに代えた以外は、実施例１と同様に試験した。
結果を表１に示す。
ンＡＦTMに代えた以外は、実施例１と同様に試験した。
結果を表１に示す。
【００５１】
【化４】
【００５２】実施例１と同様、芳香族化合物、ケトン
類、窒素化合物などによりペリクル膜の耐光性が著しく
劣化することがわかる。
類、窒素化合物などによりペリクル膜の耐光性が著しく
劣化することがわかる。
【００５３】
【表１】
【００５４】
【実施例３】実施例１において、最も影響の大きかった
p-キシレンについて、下記条件で化合物濃度の耐光性に
対する影響を試験した。結果を図２に示す。
p-キシレンについて、下記条件で化合物濃度の耐光性に
対する影響を試験した。結果を図２に示す。
【００５５】ペリクル膜材：ＣＹＴＯＰTM 化合物 ；p-キシレン（ベーパー濃度２０，２０
０，２０００ppm ） レーザ（ＡrＦエキシマレーザ）照射条件：１ｍＪ／cm2
・p ×１００Ｈｚ 濃度２００ppm では、耐光性が著しく劣化していること
がわかる。
０，２０００ppm ） レーザ（ＡrＦエキシマレーザ）照射条件：１ｍＪ／cm2
・p ×１００Ｈｚ 濃度２００ppm では、耐光性が著しく劣化していること
がわかる。
【図１】 本発明に係るペリクルの態様を示す。
【図２】 実施例３の耐光性試験の結果を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】ペリクル膜と、該ペリクル膜を接着剤(a)
層を介して張設保持する保持枠と、保持枠を被保護体に
固定させる接着剤(b) 層とからなり、 前記接着剤(a)層および接着剤(b)層は、該接着剤層から
発生してペリクル膜に吸着あるいは吸収されうる化合物
であって、かつ波長１４０〜２００ｎｍの紫外線照射に
よりラジカルを発生する化合物の発生量が２００ppm 以
下であることを特徴とする波長１４０〜２００ｎｍの紫
外線用ペリクル。 - 【請求項２】前記波長１４０〜２００ｎｍの紫外線照射
によりラジカルを発生する化合物が、芳香族化合物、ケ
トンまたは窒素化合物であることを特徴とする請求項１
に記載のペリクル。 - 【請求項３】請求項１に記載のペリクルを収納するケー
スであって、 該ケースから発生してペリクル膜に吸着あるいは吸収さ
れうる化合物であって、かつ波長１４０〜２００ｎｍの
紫外線照射によりラジカルを発生する化合物の発生量が
２００ppm 以下であることを特徴とする波長１４０〜２
００ｎｍの紫外線用ペリクル用ケース。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02907397A JP4112649B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 紫外線用ペリクルおよびペリクル用ケース |
| PCT/JP1998/000514 WO1998035270A1 (fr) | 1997-02-10 | 1998-02-06 | Procede permettant de coller une pellicule de protection sur un article, articles ainsi obtenus, pellicule destinee a des rayons ultraviolets et emballage destine a ces pellicules |
| KR1019980708037A KR20000064877A (ko) | 1997-02-10 | 1998-02-06 | 피보호체에 펠리클을 점착하는 방법, 그 방법으로 얻은 펠리클점착 피보호체, 자외선용 펠리클 및 펠리클용 케이스 |
| CA002251550A CA2251550A1 (en) | 1997-02-10 | 1998-02-06 | Method for sticking a pellicle on an article to be protected, pellicle-protected articles obtained by the method, pellicle for ultraviolet rays, and case for pellicles |
| EP98901549A EP0893736A4 (en) | 1997-02-10 | 1998-02-06 | METHOD FOR APPLYING A MEMBRANE COVER ON AN OBJECT TO BE PROTECTED; OBJECTS OBTAINED ACCORDING TO THIS PROCESS; MEMBRANE FOR UV RAYS AND PACKAGING INTENDED FOR THESE MEMBRANES |
| TW087101668A TW357284B (en) | 1997-02-10 | 1998-02-09 | Method for bonding a pellicle onto a body to be protected, the protected body with the pellicle thus obtained, pellicle for ultraviolet ray and a case for use in a pellicle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02907397A JP4112649B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 紫外線用ペリクルおよびペリクル用ケース |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10228099A true JPH10228099A (ja) | 1998-08-25 |
| JP4112649B2 JP4112649B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=12266186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02907397A Expired - Fee Related JP4112649B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-13 | 紫外線用ペリクルおよびペリクル用ケース |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4112649B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6443302B2 (en) | 1999-06-09 | 2002-09-03 | Nec Corporation | Pellicle and storage case therefor having chemical traps |
| US7016012B2 (en) | 2002-12-05 | 2006-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| WO2012157759A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル、ペリクル用粘着剤、ペリクル付フォトマスク及び半導体素子の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7990640B2 (en) | 2006-12-20 | 2011-08-02 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands, B.V. | Apparatus and method for determining motor spin direction of a hard disk drive |
| JP6313161B2 (ja) | 2014-08-27 | 2018-04-18 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム及びペリクル |
-
1997
- 1997-02-13 JP JP02907397A patent/JP4112649B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6443302B2 (en) | 1999-06-09 | 2002-09-03 | Nec Corporation | Pellicle and storage case therefor having chemical traps |
| US7016012B2 (en) | 2002-12-05 | 2006-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| WO2012157759A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル、ペリクル用粘着剤、ペリクル付フォトマスク及び半導体素子の製造方法 |
| JPWO2012157759A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2014-07-31 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル、ペリクル付フォトマスク及び半導体素子の製造方法 |
| JP5638693B2 (ja) * | 2011-05-18 | 2014-12-10 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル、ペリクル付フォトマスク及び半導体素子の製造方法 |
| US9310673B2 (en) | 2011-05-18 | 2016-04-12 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Pellicle, pressure-sensitive adhesive for pellicle, photomask with pellicle, and method for manufacturing semiconductor device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4112649B2 (ja) | 2008-07-02 |
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