JP4112649B2 - 紫外線用ペリクルおよびペリクル用ケース - Google Patents
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Description
【発明の技術分野】
本発明は、とくに波長140〜200nmの短波長紫外線を露光光源とするときに好適なペリクルおよびペリクルケースに関する。
【0002】
【発明の技術的背景】
半導体プロセスでは、従来フォトリソグラフィ工程により、高度集積回路(LSI)を作成する際には、フォトマスク(あるいはレチクルも含む)などに塵埃等の異物が付着し、ウエハ上に転写するのを防止するため、マスク基板の片面または両面にペリクル(光線透過性防塵体)が設けられている。
【0003】
このペリクルは、通常ペリクル膜(光線透過性防塵膜)が、アルミニウムなどの保持枠によりマスク基板表面から適当に離間されて保持されるように構成されている。このためマスク基板表面の配線パターンをウエハ上に転写する際に、マスク基板表面とペリクル膜表面とでは結像焦点距離が異なり、ペリクル膜上に異物が付着していても、ウエハー上に異物は転写されない。
【0004】
したがってペリクルでマスクを覆えば、外部からの異物の侵入を防ぐことができ、フォトリソグラフィ工程の生産効率を向上させることができるとともに、半導体素子製造時の歩留りを向上させることができる。
【0005】
上記のようなペリクル膜は、膜強度、耐久性および光透過性とくに露光波長における透過性が要求されるが、従来、g線(436nm)、i線(365nm)などの光に対するペリクル膜材としては、主にニトロセルロース、プロピレンセルロースなどのセルロース系材料が用いられている。
【0006】
ところで近年、半導体プロセスでは、パターン微細化による集積度向上のために、露光光源は短波長化する傾向にあり、具体的に現在、KrFエキシマレーザ(λ=248nm)を露光光源とする書込みが実現化されつつあり、さらに波長200nm以下の短波長紫外線が研究されており、とくにArFエキシマレーザ(λ=193nm)が有力視されている。
【0007】
このようなレーザ光は短波長になるほどその光子エネルギーが増大するが、たとえばArFエキシマレーザのエネルギーは6.4eV(147kcal/mol)であって、有機ポリマー中のC−C結合の解離エネルギー(83.6kcal/mol)およびC−H結合の解離エネルギー(98.8kcal/mol)よりも大きい。
【0008】
しかしながら従来ペリクル膜材として用いられているセルロース系材料などは、300nm以下の短波長領域の光透過性は充分ではなく、また紫外線領域とくにArFエキシマレーザ照射により容易に光分解(光劣化)してしまい、ペリクルは実用に耐えない。
【0009】
このためとくに200nm以下の紫外線を吸収しにくく、光吸収により分解してしまうことがないペリクルが求められており、たとえば短波長紫外線領域での光透過性に優れたフッ素樹脂をペリクル膜材として用いることが提案されている。
【0010】
しかしながら本発明者らが耐光性に優れたペリクルについて研究したところ、ペリクル膜がフッ素樹脂などの光透過性に優れた膜材で形成されていたとしても、ペリクルは充分な耐光性(耐久性)を示さないことがあり、このようなペリクル膜の耐光性の低下は、ペリクル製造時あるいはペリクル使用時などに、ペリクル膜と他の部材との接触により、波長140〜200nmの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物がペリクル膜に付着するためであることを見出した。そしてこのような化合物を含まない部材からペリクルを構成することにより、ペリクルの耐光性を保持しうることを見出して本発明を完成するに至った。
【0011】
【発明の目的】
本発明は、耐光性(耐久性)に優れた200nm以下の紫外線用ペリクルおよびペリクル用ケースを提供することを目的としている。
【0012】
【発明の概要】
本発明に係るペリクルは、波長140〜200nmの紫外線用であって、
ペリクル膜と、該ペリクル膜を接着剤(a) 層を介して張設保持する保持枠と、保持枠を被保護体に固定させる接着剤(b) 層とからなり、
前記接着剤(a) 層および接着剤(b) 層から発生して、ペリクル膜に吸着あるいは吸収されうる化合物であって、かつ波長140〜200nmの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物の発生量が、ベーパー濃度20ppm以下であることを特徴としている。
【0013】
上記波長140〜200nmの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物は、具体的に、芳香族化合物、ケトンまたは窒素化合物である。
【0014】
【発明の具体的説明】
以下、本発明に係るペリクルおよびペリクルケースについて具体的に説明する。
【0015】
本発明に係るペリクルは、波長140〜200nmの紫外線用である。
このようなペリクルを図1を参照しながら説明する。
ペリクル1は、ペリクル膜2と、該ペリクル膜2を接着剤(a) 層3を介して張設保持する保持枠4と、保持枠4をフォトマスクあるいはレチクルなどの被保護体6に固定させる接着剤(b) 層5とからなる。
【0016】
上記ペリクル膜2は、波長140〜200nmの紫外線に対する光透過性に優れた膜材で形成されており、具体的に該膜材の露光光源の波長領域内の平均光透過率T〔%〕が90%以上であることが望ましい。なおこの平均透過率Tは、上記波長領域内で起る光線透過率の干渉波の山部と谷部とを同数とり平均した値である。
【0017】
また上記ペリクル膜2は繰り返し使用しうるような膜強度を有しているとが望ましく、たとえば膜材の引張強度が100kg/cm2 程度以上、曲げ強さが200kg/cm2 程度以上であることが望ましい。
【0018】
本発明では、膜材として上記のように光透過性に優れ、かつ原子間結合エネルギーの高い分子構造を有し、光分解しにくい有機ポリマーであれば特に限定することなく用いることができるが、該有機ポリマーは非晶質であることが望ましい。
【0019】
また有機ポリマーは、200nm以上の短波長紫外領域から可視光領域までの光透過性にも優れていることが望ましい。
このような有機ポリマーとしては、C−C結合、C−O結合、Si−O結合、などを主鎖とし、メチルなどのアルキル基、フッ素、フッ素含有アルキル基、シクロアルキル基、フッ素含有シクロアルキル基などを分鎖基とする有機ポリマーが挙げられる。これら有機ポリマーは、たとえば線状構造であってもよく、また分岐構造あるいは環を有する構造であってもよく、さらに架橋構造であってもよい。
【0020】
より具体的には、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)などのフッ素樹脂、ジメチルポリシロキサンなどのシリコーンポリマー、フロロシリコーンポリマーなどを用いることができる。さらに下記に示すようなCYTOP(商品名)あるいはテフロンAF(商品名)として市販されているフッ素樹脂を用いることができる。
【0021】
【化1】
【0022】
なおこのような有機ポリマーのλ=140〜200nmの波長領域における光透過性は、分子軌道法から算出することができる。具体的には、該ポリマーについて分子軌道法により電子エネルギー準位の計算を行ない、HOMO(最高被占分子軌道)とLUMO(最低空分子軌道)との間のエネルギーギャップを求めることにより、電子励起による光吸収スペクトル(シミュレーション)を推定することができる。
【0023】
上記のようなペリクル膜2の膜厚は、必要な膜強度を有し、かつ露光時の収差が小さくなる範囲であればよく、具体的に、0.1μm〜10μmであることが好ましい。このような範囲から、露光波長に対する透過率が高くなるように膜厚を下記式のように算出して選択することができる。
【0024】
【数1】
【0025】
d:ペリクル膜厚(単独膜の場合)
n:ポリマーの屈折率
λ:露光波長(たとえばArFエキシマレーザのときは193nm)
上記のようなペリクル膜2は、後述するような波長140〜200nmの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物とくに溶剤を製造時に用いない方法であれば、従来公知のペリクル膜製造方法を広く利用して製造することができ、たとえば清浄で平滑な基板上に有機ポリマー溶液または懸濁液を供給し、スピンナーを回転させ、回転製膜法により製膜する方法、またガラスなどの清浄で平滑な面を有する基板を有機ポリマー溶液または懸濁液中に浸漬した後、この基板を引上げて薄膜を形成する浸漬法、あるいは有機ポリマーの切削、溶融成形などにより製膜することができる。
【0026】
上記で得られた薄膜を、熱風、赤外線照射などの手段により乾燥し、懸濁液の場合は焼成し、次いで薄膜を基板から引離すことによりペリクル膜(単独膜)が得られる。
【0027】
さらに有機ポリマー溶液を、この溶液より比重および表面張力が大きい液体の液面上に展開してそのまま薄膜(ペリクル膜2)を形成することもできる。
このようにして得られるペリクル膜2は、波長140〜200nmの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物を含有していないことが望ましい。
【0028】
上記ペリクル膜2上には、反射防止膜(図示せず)を必ずしも設ける必要はないが、設けてもよい。
本発明では、上記のように製造されるペリクル膜2は、接着剤(a) 層3を介して、アルミニウムからなる保持枠4で張設保持されている。
【0029】
保持枠4は、その底部に接着剤(b) 層5を有しており、ペリクル1は、使用時に接着剤(b) 層5を介して被保護体6に取付け固定される。
このような接着剤(a) としては、通常アクリル系、シリコーン系、エポキシ系などが用いられ、接着剤(b) としては、通常エチレン酢酸ビニルコポリマー、ブチルメタクリル酸樹脂、ポリスチレン、ポリイソブチレンなどが用いられる。
【0030】
またペリクル1を被保護体6に取付けるまでの未使用時には、該接着剤(b) 層5の表面には、通常ポリエチレンテレフタレート(PET)からなるライナー(図示せず)が貼付されている。
【0031】
上記保持枠4の内壁側には、粘着剤(c) 層7が設けられていてもよく、粘着剤(c) としては、通常アクリル系、SEBS系、粘着性フッ素グリースなどが用いられる。
【0032】
本発明では、上記のように構成されるペリクル1において、接着剤(a) 層および接着剤(b) 層から発生してペリクル膜に吸着あるいは吸収されうる化合物であって、かつ波長140〜200nmの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物の発生量が、ベーパー濃度20ppm以下である。
【0033】
一般的に市販の接着剤中には溶剤などとして種々化合物が含まれており、具体的に通常下記のような化合物が含まれている。
ベンゼン、トルエン、m-キシレン、p-キシレン、メシチレン、クメン、イソプロピルクメン、プソイドクメン、ベンゾトリフルオライド、m-キシレンヘキサフルオライド、安息香酸ブチル、
【0034】
【化2】
【0035】
などの芳香族化合物、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン、
アンモニア、アクリロニトリル、N-メチルピロリドン、トリメリルアミン、ヘキサメチルジシラザンなどの窒素化合物、
n-ブチルアセテート、メチルメタクリレート、エチルラクテート、エチルエトキシプロピオネート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、
シクロヘキセン、C5H10、メチルシクロヘキセン、テトラクロルエチレン、ジアセチレン、ジメチルメチレンノルボルナンなどの不飽和化合物、
イソプロピルアルコール、t-ブチルアルコール、2-エチルヘキシルアルコール、C11H23OH、C12H25OH、C13H27OH、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール類など。
【0036】
本発明では、一般的に接着剤中に含まれる上記のような化合物のうちでも、ペリクル膜に吸着あるいは吸収されうる化合物であって、かつ波長140〜200nmの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物として、とくにケトン、芳香族化合物および窒素化合物の発生量が、ベーパー濃度20ppm以下である接着剤を、接着剤(a) および接着剤(b) として使用している。
【0037】
このような接着剤を得る方法としては、たとえば接着剤製造時に原料から上記化合物を蒸留、抽出により除去する方法、接着剤主成分が分解しない温度で減圧加熱する方法などが挙げられる。
【0038】
本発明では、接着剤(a) および接着剤(b) から、芳香族化合物、ケトンおよび窒素化合物とともにエステル類などの化合物も除去することがペリクル膜の白化などによる外観面から望ましい。また本発明では、接着剤(a) および接着剤(b) 以外の部材からも、ケトン、芳香族化合物および窒素化合物などを発生しないことが望ましい。
【0039】
たとえば上記内壁粘着剤7中には、一般的にトルエン、酢酸ブチル、クメン、パーヒドロナフタレン、ブチルベンゼン、4-メチル-2,6-ジ(t-ブチル)フェノールなどの化合物が含まれており、また接着剤(b) 層のライナー中には、トルエン、2-エチル-1-ヘキシルアルコール、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ(2-エチル-1-ヘキシル)などの化合物が含まれており、これらが発生しないように処理することが望ましい。
【0040】
内壁粘着剤およびライナーから上記化合物を発生しないようにするには、接着剤(a)および接着剤(b)と同様に処理すればよい。さらに本発明では、上記のようなペリクルを収納するケースについても、ペリクル膜に吸着あるいは吸収されうる化合物であって、かつ波長140〜200nmの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物の発生量が濃度200ppm以下、さらに好ましくは濃度100ppm以下であることが望ましい。
【0041】
このようなペリクルケースを形成する材質としては、たとえばアルミニウム、アルミニウム合金、SUSなどの金属あるいはガラス類などが好ましく用いられる。
【0042】
また本発明では、上記のような化合物の発生量が濃度200ppm以下であれば、従来ペリクルケース材質として用いられているポリプロピレン、バイヨン、制電性ABS、ABSなどの有機ポリマーを用いることもできる。
【0043】
このような有機ポリマーは、通常1-ブチルアルコール、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、2-エチル-1-ヘキシルアルコール、イソプロピルクメン、安息香酸ブチルなどの化合物を含んでいる。
このような有機ポリマーは、たとえばメルト状態で減圧するか、あるいはバブリングするなどの処理をして、上記化合物を除去すれば、本発明のペリクルケース材質として用いることができる。
【0044】
【発明の効果】
本発明に係るペリクルは、140〜200nmの紫外線を露光光源とするときに優れた耐光性を発現する。
【0045】
このようなペリクルは、波長140〜200nm領域の紫外光を発振する光源たとえばArFエキシマレーザ(λ=193nm)、F2レーザ(λ=157nm)など、とくにArFエキシマレーザを露光光源とするときに好適に用いることができる。
【0046】
また本発明に係るペリクルケースは、ペリクルの耐光性を低下させる化合物を実質的に含んでおらず、上記ペリクルを収納するのに好適である。
【0047】
[参考例1]
下記に示すCYTOPTMをペリクル膜材とするペリクルについて、下記条件で化合物の耐光性に対する影響(膜厚の減少率)を試験した。結果を表1に示す。
【0048】
【化3】
【0049】
化合物のベーパー濃度;10000ppm
レーザ(ArFエキシマレーザ)照射条件:1mJ/cm2・p ×100Hz
レーザ照射量:500J/cm2
この結果より、芳香族化合物、ケトン類、窒素化合物が存在すると、ペリクル膜の耐光性が著しく劣化する。すなわちこのような化合物を除去することにより、耐光性を向上させることができることがわかる。
【0050】
[参考例2]
参考例1において、ペリクル膜材をテフロン(登録商標)AFTMに代えた以外は、参考例1と同様に試験した。結果を表1に示す。
【0051】
【化4】
【0052】
参考例1と同様、芳香族化合物、ケトン類、窒素化合物などによりペリクル膜の耐光性が著しく劣化することがわかる。
【0053】
【表1】
【0054】
[実施例1、比較例1及び比較例2]
参考例1において、最も影響の大きかったp-キシレンについて、下記条件で化合物濃度の耐光性に対する影響を試験した。結果を図2に示す。
【0055】
ペリクル膜材:CYTOPTM
化合物 ;p-キシレン(ベーパー濃度20,200,2000ppm )
レーザ(ArFエキシマレーザ)照射条件:1mJ/cm2・p ×100Hz
濃度200ppm では、耐光性が著しく劣化していることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るペリクルの態様を示す。
【図2】 実施例1、比較例1及び比較例2の耐光性試験の結果を示す。
Claims (2)
- ペリクル膜と、該ペリクル膜を接着剤(a) 層を介して張設保持する保持枠と、保持枠を被保護体に固定させる接着剤(b) 層とからなり、
前記接着剤(a)層および接着剤(b)層から発生してペリクル膜に吸着あるいは吸収されうる化合物であって、かつ波長140〜200nmの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物の発生量が、ベーパー濃度20ppm以下であることを特徴とする波長140〜200nmの紫外線用ペリクル。 - 前記波長140〜200nmの紫外線照射によりラジカルを発生する化合物が、芳香族化合物、ケトンまたは窒素化合物であることを特徴とする請求項1に記載のペリクル。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP2990870A1 (en) * | 2014-08-27 | 2016-03-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle frame and pellicle |
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