JPH1022563A

JPH1022563A - 半導体発光装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH1022563A
Application number: JP17201696A
Authority: JP
Inventors: Isao Kidoguchi; 勲木戸口; Seiji Onaka; 清司大仲; Akira Takamori; 晃高森; Hideo Kurokawa; 英雄黒川; Tetsuya Shiratori; 哲也白鳥; Masahiro Deguchi; 正洋出口
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-07-02
Filing date: 1996-07-02
Publication date: 1998-01-23

Abstract

(57)【要約】【課題】放熱性の高い半導体発光装置を提供する。【解決手段】ダイヤモンド膜3004は半導体発光素子30
05内の活性層3006の発熱を面内方向に広げて放熱の効率
を高める作用を行うもので、１０１０個／ｃｍ２以上の
核密度で形成されたものである。１０１０個／ｃｍ２以
上の核密度のダイヤモンド膜を実現するために、以下の
核発生処理を施した。膜を成長させる基板としてはＳｉ
ウエハーを使用した。（１）Ｓｉウエハー表面の自然酸
化膜を、稀フッ酸により除去、（２）Ｓｉウエハー表面
に、ダイヤモンドの微粒子（粒径０．１μｍ以下）を分
散させた水溶液（５００ｃｃに１０カラット（約２ｇ）
混入）をスピンコート。（３）自然乾燥。以上の処理に
より、Ｓｉウエハー表面にダイヤモンドの微粒子が１０
１０個／ｃｍ２オーダーの密度で塗布される。厚みが１
０μｍ以下であっても熱伝導率の低下が少ない緻密で平
滑なダイヤモンド膜が形成可能となり、放熱特性に優れ
た半導体発光装置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光装置およ
びその製造方法に関し、特に放熱を必要とする半導体発
光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】放熱を必要とする半導体発光素子として
は半導体レーザがある。この半導体レーザの放熱につい
ては、特開平３−６２９８７号公報に示されている。こ
の半導体レーザについて、図７を用いて説明する。

【０００３】図７は、レーザの構造断面図であり、ｎ−
ＧａＡｓ基板１上に、順次成長したｎ−ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層４およびｐ−ＧａＩｎＰ層５と、このｐ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４に形成したリッジストライ
プ８と、このリッジストライプ８の両側を埋めこむよう
にｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４上に形成したｎ−Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層７が形成されている。

【０００４】リッジストライプ８上および電流ブロック
層７の上面に、比較的薄く積層した膜厚０．５〜１．０
ミクロンのｐ−ＧａＡｓキャップ層９と、このキャップ
層９上に形成したｐ型電極１１、およびボンディングの
ためのバンプ層１２と、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ
型電極１０が形成されている。

【０００５】このように、キャップ層９を薄くして、電
極１１上にバンプ１２を形成することで、活性層とバン
プ１２との距離を短くし、しかも、熱伝導のよいバンプ
を用いることで、活性層から放出される熱をヒートシン
クに逃がすように工夫している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この構
成でも放熱が十分ではない。特に、ＡｌＧａＩｎＰ系の
結晶を用いたレーザでは、結晶の電気抵抗、熱抵抗が高
く、放熱性がよくない。また、レーザをリッジストライ
プ構造のように電流を狭窄することで、さらに電気抵抗
が高くなり、レーザが熱をもってしまい、その結果、し
きい値電流が高くなったり、ひいては、レーザ発振しな
くなってしまう。

【０００７】そこで本発明は、放熱性が高く、熱によっ
ても特性の劣化が小さい、半導体発光装置およびその製
造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体発光素子の表面に、ダイヤモンド
を主成分とする層を備えた半導体発光装置とする。これ
により、発光装置から発生する熱をこの熱伝導性の高い
ダイヤモンドがヒートシンクに効率よく放熱するため、
発光装置の特性の劣化を防止することができる。

【０００９】特に本発明の半導体発光装置は、少なくと
も発光素子のステムやサブマウントと接合する面に、１
０１０個／ｃｍ２オーダー以上の核発生密度で形成され
たダイヤモンド膜を備えるものである。さらに本発明は
１０１０個／ｃｍ２以上の核発生密度でダイヤモンド膜
を形成する方法として、基板表面にダイヤモンドの核と
なる微粒子を１０１０個／ｃｍ２以上の密度で塗布する
という核発生処理を施したダイヤモンド膜を形成する方
法により、発光装置を製造する。

【００１０】ダイヤモンド膜を剥離させる方法としての
第一の手段は、基板表面に粒子の大きさが０．０２μｍ
より小さなダイヤモンドの微粒子を１０１１個／ｃｍ２
以上の密度で塗布するという核発生処理を施して形成し
たダイヤモンド膜を、半導体発光素子のステムやサブマ
ウントと接合する面に転写する方法である。１０１１個
／ｃｍ２以上という高い密度で核が発生するために、従
来に比べて短時間に膜が形成される。このため膜と基板
との界面には極わずかの炭化物しか形成されず、ダイヤ
モンド膜と基板との付着力は弱くなり容易に引き剥がす
ことが可能となる。

【００１１】また、第二の手段としては、表面に膜厚
０．１μｍ以上のＳｉＯ２膜を形成した基板に０．１μ
ｍより小さなダイヤモンドの微粒子を１０¹⁰個／ｃｍ２
以上の密度で塗布するという核発生処理を施して形成し
たダイヤモンド膜を、半導体発光素子のステムやサブマ
ウントと接合する面に転写する方法である。１０¹⁰個／
ｃｍ２以上という高い密度で核が発生し従来に比べて短
時間に膜が形成されるため、基板表面のＳｉＯ２膜の一
部はエッチングされることなく残る。すなわち基板表面
のＳｉＯ２膜の上にダイヤモンド膜が形成されることに
なる。半導体発光素子を接合した後フッ酸処理を施す
と、ＳｉＯ２膜が溶解してダイヤモンド膜が転写され
る。

【００１２】また、第三の手段は、ダイヤモンド成膜時
の雰囲気、温度条件で損傷を受けず、共有結合の炭化物
を作らないＭｏ、Ｇｅ、Ｔａ等の金属機材を基板として
ダイヤモンド膜を形成する方法である。Ｍｏ、Ｇｅ、Ｔ
ａ等の金属基板にダイヤモンドを形成した後冷却する
と、ダイヤモンドと金属基板との熱膨張係数が大きいた
めにせん断力が発生し、界面に共有結合等の強い結合を
備えた炭化物がない場合にはこのせん断力により膜が剥
離する。この現象を利用して、半導体発光素子を接合し
た後に冷却すれば容易にダイヤモンド膜を転写すること
ができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて詳細に説明する。

【００１４】（実施の形態１）本発明の構造では、半導
体発光素子のステムやサブマウントと接合する面に、ダ
イヤモンド膜を設けることで放熱効果を高める。このた
めには、非常に緻密で平滑で薄くても大きな熱伝導率を
備えた良質なダイヤモンド膜が必要である。

【００１５】まず、上記の特性を備えたダイヤモンド膜
とそれを実現する合成方法について説明する前に、従来
のダイヤモンドの合成方法について触れておく。従来の
ダイヤモンドの合成方法では、核の発生密度はせいぜい
１０⁹個／ｃｍ²のオーダーであり、図３示すような成長
メカニズムから基板面の粒子界面付近には気孔3003（大
きさ１〜２μｍ、写真１参照）が存在する。従来の方法
では約２０％近くの気孔が存在すると考えられる。膜厚
が１００μｍ以上と厚い場合は問題ないが、膜厚が２０
μｍ以下になると熱伝導率が悪くなり、１０μｍ以下で
は半分以下になる（図４参照）。また膜質も熱伝導率に
大きく影響する。図４に示すように、メタン濃度（ＣＨ
４／Ｈ２）を高めるとグラファイトの混入量が多くな
り、熱伝導率は小さくなる。従ってメタン濃度は小さく
することが必要となるが、メタン濃度が小さいとエッチ
ングが大きくなり、傷付け処理をした表面もエッチング
されるために核が発生しにくくなり核密度が小さくなる
と同時に核発生の再現性も悪くなる。すなわち膜質の向
上と核発生密度、再現性とが両立しないことから、薄く
ても緻密で平滑で大きな熱伝導を備えたダイヤモンド膜
を合成することは困難であった。

【００１６】このため従来のダイヤモンド膜で本発明の
構造を実現しようとすると厚みが１００μｍ以上のダイ
ヤモンド膜が必要となる。厚みが１００μｍ以上のダイ
ヤモンド膜をつくるには多大な時間とコストがかかり、
厚くなることで表面粗さも悪くなるため表面の研磨も必
要となる。ダイヤモンド膜の研磨は非常に困難で手間が
かかることから、現実的ではない。またダイヤモンド膜
が厚くなると特性面でも課題が発生する。すなわちダイ
ヤモンド膜と半導体素子との熱膨張差により半導体素子
（素子内の活性層）の歪みが大きくなり、レーザー特性
が変化したり劣化するという課題が生じる。この歪みの
影響を緩和するためには、ダイヤモンド膜の厚みは少な
くとも２０μｍ以下、願わくば１０μｍ以下が望まし
い。厚みが２０μｍ以下のダイヤモンド膜で本発明の効
果を実現するためには、界面部の気孔率が１０％以下で
あることが必要となるため、従来の核発生処理では困難
である。

【００１７】以下、本発明によりダイヤモンド膜を合成
し、半導体発光素子のサブマウントやステムに接する面
に転写した半導体発光装置を実現させる。

【００１８】（実施例１）以下、半導体発光素子の放熱
効果が高く、緻密で平滑で薄くても熱伝導率が高いダイ
ヤモンドを備えた半導体発光装置について説明する。半
導体発光素子自体は、従来の技術で説明した図７と同じ
ものを用いている。

【００１９】図１は半導体発光装置の概略を示し、図１
においてダイヤモンド膜3004は半導体発光素子3005内の
活性層3006の発熱を面内方向に広げて放熱の効率を高め
る作用を行うもので、１０¹⁰個／ｃｍ²以上の核密度で
形成されたものである。

【００２０】１０¹⁰個／ｃｍ²以上の核密度のダイヤモ
ンド膜を実現するために、次のような核発生処理を施し
た。なおダイヤモンド膜を成長させる基板としてはＳｉ
ウエハーを使用した。

【００２１】（１）Ｓｉウエハー表面の自然酸化膜を、
稀フッ酸により除去（２）Ｓｉウエハー表面に、ダイヤモンドの微粒子（粒
径０．１μｍ以下）を分散させた水溶液（５００ｃｃに
１０カラット（約２ｇ）混入）をスピンコート（３）自然乾燥以上の処理により、Ｓｉウエハー表面にダイヤモンドの
微粒子が１０１０個／ｃｍ２オーダーの密度で塗布され
る。

【００２２】次に、図２に示すマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置により図８に示す成膜条件で、ダイヤモンド膜を
形成した。マイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、マイクロ
波電源3007、導波管3008、石英管3013、から構成され、
石英管3013は導波管内を直交するように設置される。石
英管内は真空ポンプにつながっており、途中の配管に設
置されるバルブにより必要な真空度に調整される。電力
は石英管内に最もパワーが集中されるようにプランジャ
ー型調整器3012や調整器3010で調整され、石英管内にプ
ラズマが発生する。

【００２３】原料ガスはＣＨ４とＣＯとの混合ガスを使
用した。ＣＯガスを使用したのは、酸素原子によるエッ
チング効果を高めて膜質を向上させるためである。通常
はＣＯガスを使用するとエッチングが激しすぎて核が形
成されにくくなるが、本実施例では分散塗布されたダイ
ヤモンド微粒子が核となるためエッチングされることな
く膜が成長する。形成された膜の基板側と表面側のＳＥ
Ｍ写真像を図６（写真）に示す。従来法で形成した膜
（図５：写真）と比較すると明らかなように、基板界面
部の気孔は全く確認できず緻密な膜であることがわか
る。作成された膜（厚み６μｍ）の熱伝導率は約１１０
０Ｗ／ｍＫであった。

【００２４】この方法で形成した厚み６μｍのダイヤモ
ンド膜をレーザーチップに接合して熱抵抗を測定したと
ころ、３５％の改善が確認された。

【００２５】なお本実施例では基板への塗布粒子として
粒子径０．１μｍ以下のダイヤモンド微粒子を使用した
が、本発明はダイヤモンド微粒子に限られるものではな
く、β−ＳｉＣ、フラーレン等、ダイヤモンドの核とな
りうるものであれば同様の効果が期待できる。また塗布
する粒子の粒子径は小さい方が望ましい。粒径が０．１
μｍより大きくなると、水溶液中での粒子沈殿等から１
０¹⁰個／ｃｍ２オーダー以上の密度で塗布することが困
難となる。粒子径が小さいほど水溶液中での粒子の分散
性もよくなり高密度で均一に塗布することが可能とな
る。粒子径が０．０２μｍ以下のダイヤモンド微粒子を
使用したところ、核発生密度は１０¹¹個／ｃｍ²オーダー
にまで高まり、さらに緻密な膜を形成することができ
た。

【００２６】微粒子の分散塗布方法としては、スピンコ
ートに限るものではなく、均一に塗布できるのであれば
いずれの手段を使用してもかまわない。ダイヤモンド膜
の合成方法についても本実施例ではマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法を用いたが、本発明はこの方法に制限されるも
のではなく、熱フィラメント法やＤＣジェットＣＶＤ法
等の既存の方法でも同様の効果を実現できる。

【００２７】（実施の形態２）半導体発光素子のステム
やサブマウントと接合する面にダイヤモンド膜を設け
る。このためには、ダイヤモンド膜を半導体素子に転写
できるように、ダイヤモンド膜を基板から容易に剥がせ
ることが重要である。この実施形態では、ダイヤモンド
膜を基板から容易に剥がす方法について説明する。

【００２８】本実施形態では、半導体発光素子のステ
ム、サブマウントと接合する面にダイヤモンド膜を設け
るために、以下の手順を踏んだ。

【００２９】（１）基板上に核発生処理を施し、ダイヤ
モンド膜を形成（２）半導体発光素子を形成したウエハとダイヤモンド
膜を形成した基板とを接合する（３）基板を除去する本発明は、基板を除去する際にドライエッチング等の手
段を施さなくても、ダイヤモンド膜のみが半導体発光素
子を形成したウエハーに転写できるものである。

【００３０】以下に前記手順に基づいた具体的な実施例
について説明する。（実施例１）実施例１は、Ｓｉ基板表面に粒子の大きさ
が０．０２μｍより小さなダイヤモンドの微粒子を１０
¹¹個／ｃｍ²以上の密度で塗布するという核発生処理を
施して形成したダイヤモンド膜を、半導体発光素子のス
テムやサブマウントと接合する面に転写する方法であ
る。以下にこの実施例の手順を記載する。

【００３１】（１）Ｓｉ基板表面の自然酸化膜を希フッ
酸処理で除去（２）Ｓｉ基板表面に、ダイヤモンドの微粒子（粒径
０．０２μｍ以下）を分散させた水溶液（５００ｃｃに
８カラット（約１．６ｇ）混入）をスピンコ−ト（３）自然乾燥（４）Ｓｉ基板表面に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法に
より厚み５μｍのダイヤモンド膜を形成（形成条件は課
題１に対する実施形態で示したものと同様）（５）ダイヤモンド膜表面にTi/Pt/Auのメタライズ膜を
形成（６）ダイヤモンド膜と半導体発光素子ウエハーとをAu
-Zn半田で接合（７）半導体発光素子ウエハーを固定し、Ｓｉ基板との
間に引っ張り力を印加することで、Ｓｉ基板とダイヤモ
ンド膜が剥離してダイヤモンド膜が半導体素子ウエハー
に転写される（８）半導体発光素子ウエハーを個々の素子に割断処理先述のように、粒径０．０２μｍ以下のダイヤモンド微
粒子を分散塗布すると１０¹¹個／ｃｍ２以上の密度で核
を発生させることが可能となり、極めて短時間に核がつ
ながって膜になる。このためダイヤモンド膜とＳｉ基板
との間の界面にはβーSiCがほとんど形成されず、ダイ
ヤモンド膜とＳｉ基板との付着力はダイヤモンド膜と半
導体発光素子間のAu-Zn半田接合より弱くなる。このた
めダイヤモンド膜とＳｉ基板との間が剥離するのであ
る。

【００３２】このようにして作られた半導体発光素子の
熱抵抗を測定すると、従来に比べて約５０％の特性改善
が確認できた。

【００３３】なお本実施例では基板にＳｉを、ダイヤモ
ンド膜の形成手段にマイクロ波プラズマＣＶＤ法を使用
したが、本発明の効果はこれらに限定されるものではな
い。

【００３４】（実施例２）実施例２は、表面に膜厚０．
１μｍ以上のＳｉＯ２膜を形成した基板に０．１μｍよ
り小さなダイヤモンドの微粒子を１０¹⁰個／ｃｍ²以上
の密度で塗布するという核発生処理を施して形成したダ
イヤモンド膜を、半導体発光素子のステムやサブマウン
トと接合する面に転写する方法である。以下にこの実施
例の手順を記載する。

【００３５】（１）Ｓｉ基板表面に厚み０．３μｍの熱
酸化膜（ＳｉＯ２膜）を形成（２）Ｓｉ基板表面に、ダイヤモンドの微粒子（粒径
０．１μｍ以下）を分散させた水溶液（５００ｃｃに１
０カラット（約２ｇ）混入）をスピンコート（３）自然乾燥（４）Ｓｉ基板表面に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法に
より厚み７μｍのダイヤモンド膜を形成（形成条件は実
施形態１で記載したものと同様）（５）ダイヤモンド膜表面にTi/Pt/Auのメタライズ膜を
形成（６）ダイヤモンド膜と半導体発光素子ウエハーとをAu
-Zn半田で接合（７）接合した状態でフッ酸溶液処理を施し、Ｓｉ基板
を除去（８）半導体発光素子ウエハーを個々の素子に割断処理ダイヤモンド膜が形成される条件下では、ＳｉＯ２膜は
エッチングされる。しかし１０¹⁰個／ｃｍ²オーダー以上
という高い密度で核が発生すると、従来に比べて短時間
に膜が形成されるため、基板表面のＳｉＯ２膜の一部は
エッチングされることなく残る。すなわち基板表面のＳ
ｉＯ２膜の上にダイヤモンド膜が形成されることにな
る。半導体発光素子を接合した後フッ酸処理を施すと、
ダイヤモンド膜と基板との間のＳｉＯ２膜が溶解してダ
イヤモンド膜が転写される。

【００３６】このようにして作られた半導体発光素子の
熱抵抗を測定すると、従来に比べて約３５％の特性改善
が確認できた。

【００３７】なお本実施例では基板にＳｉを、ＳｉＯ２
膜にＳｉの熱酸化膜を、ダイヤモンド膜の形成手段にマ
イクロ波プラズマＣＶＤ法を使用したが、本発明の効果
はこれらに限定されるものではない。また本実施例で
は、ＳｉＯ２膜は０．１μｍの厚みが必要であった。
０．１μｍより薄くなると、本発明の核発生処理であっ
てもエッチングされるためである。

【００３８】（実施例３）実施例３は、ダイヤモンド成
膜時の雰囲気、温度条件で損傷を受けず、共有結合の炭
化物を作らないＭｏ、Ｇｅ、Ｔａ等の金属機材を基板と
してダイヤモンド膜を形成する方法である。以下にこの
実施例の手順を記載する。

【００３９】（１）Ｍｏ基板表面に、ダイヤモンドの微
粒子（粒径０．１μｍ以下）を分散させた水溶液（５０
０ｃｃに１０カラット（約２ｇ）混入）をスピンコート（２）自然乾燥（３）Ｍｏ基板表面に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法に
より厚み６μｍのダイヤモンド膜を形成（形成条件は課
題１に対する実施形態のところで記載したものと同様）（４）ダイヤモンド膜表面にTi/Pt/Auのメタライズ膜を
形成（５）ダイヤモンド膜と半導体発光素子ウエハーとをAu
-Zn半田で接合（６）半導体発光素子ウエハーを固定し、−１０℃の温
度条件下でＭｏ基板との間に引っ張り力を印加すること
で、Ｍｏ基板とダイヤモンド膜が剥離してダイヤモンド
膜が半導体素子ウエハーに転写される（７）半導体発光素子ウエハーを個々の素子に割断処理Ｍｏ、Ｇｅ、Ｔａ等の金属基板にダイヤモンドを形成し
た後冷却すると、ダイヤモンドと金属基板との熱膨張係
数差が大きいために（約１桁異なる）せん断力が発生
し、界面に共有結合等の強い結合を備えた炭化物がない
場合にはこのせん断力により膜が剥離する。

【００４０】このようにして作られた半導体発光素子の
熱抵抗を測定すると、従来に比べて約３５％の特性改善
が確認できた。

【００４１】なお本実施の形態では、基板材料にＭｏ、
ダイヤモンド膜の形成手段にマイクロ波プラズマＣＶＤ
法を使用したが、本発明の効果はこれらに限定されるも
のではない。また必要な冷却温度は基板材料、ダイヤモ
ンド膜の厚み、によって変わるため、実験により適値を
求める必要がある。

【００４２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、厚みが１
０μｍ以下であっても熱伝導率の低下が少ない緻密で平
滑なダイヤモンド膜が形成可能となり、このダイヤモン
ド膜によって初めて放熱特性に優れた半導体発光装置が
得られる。

【００４３】さらに本発明によれば、ダイヤモンド膜の
半導体発光素子への転写が極めて容易に可能となるため
に、放熱特性に優れた半導体発光装置を低コストで安定
に作成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の構成斜視図

【図２】ダイヤモンド膜を製造するための装置の構成断
面図

【図３】ダイヤモンド膜の形成を説明する工程断面図

【図４】メタン濃度と熱伝導率との関係を示す特性図

【図５】ダイヤモンドの表面と裏面を示す平面図

【図６】ダイヤモンドの表面と裏面を示す平面図

【図７】従来の半導体発光素子の構成断面図

【図８】実験条件を示す図

【符号の説明】

３０００傷３００１核３００２核成長３００３気孔３００４ダイヤモンド膜３００５半導体発光素子３００６活性層発熱部３００７マイクロ波電源３００８導波管３００９モニター３０１０調整器３０１１基板３０１２プランジャ−型調整器３０１３石英管

フロントページの続き (72)発明者黒川英雄大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者白鳥哲也大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者出口正洋大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体発光素子の表面に、ダイヤモンドを
主成分とする層を備えた半導体発光装置。
【請求項２】転写部材に形成されたダイヤモンドを主成
分とする放熱材料を、半導体発光素子の表面に転写する
工程を有する半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】少なくともステムやサブマウントと接合す
る面に、１０¹⁰個／ｃｍ²以上の核発生密度で形成され
たダイヤモンド膜を備えた半導体発光装置。
【請求項４】ダイヤモンド膜が気孔率１０％以下である
請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】ダイヤモンド膜が膜厚２０μｍ以下である
請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項６】少なくともステムやサブマウントと接合す
る面に、１０¹⁰個／ｃｍ²以上の核発生密度で形成され
たダイヤモンド膜を備えた半導体発光装置の製造方法で
あって、前記ダイヤモンド膜がダイヤモンドの核となる
微粒子を１０¹⁰個／ｃｍ２以上の密度で塗布処理した表
面に形成する半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】ダイヤモンドの核となる微粒子が、粒子径
が０．０２μｍ以下のダイヤモンド微粒子である請求項
６に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】少なくとも、基板への核発生処理、核発生
成長・膜成長手段を備えたダイヤモンド膜形成手段と、
前記ダイヤモンド膜を半導体発光素子の少なくともステ
ムやサブマウントと接合する面に転写する手段とを備え
た半導体発光装置の製造方法。
【請求項９】核発生処理が、基板表面に粒子の大きさが
０．０２μｍより小さなダイヤモンドの微粒子を１０¹¹
個／ｃｍ２以上の密度で塗布する請求項８に記載の半導
体発光装置の製造方法。
【請求項１０】核発生処理が、表面に膜厚０．１μｍ以
上のＳｉＯ２膜を形成した基板に０．１μｍより小さな
ダイヤモンドの微粒子を１０¹⁰個／ｃｍ２以上の密度で
塗布する請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１１】基板が金属である請求項８に記載の半導
体発光装置の製造方法。