JPH1022386A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の技術では、半導体装置内のコンタクト
及び配線を単に金属等の導電性物質によって形成されて
いるため、高温、高圧電流下において、金属イオンの移
動に起因し、配線抵抗が増大したり、断線したりする現
象（エレクトロマイグレーション）が起こるなどの問題
があった。 【解決手段】 この発明による半導体装置では、コンタ
クトと配線との間に高融点金属膜を介在させ、さらに、
配線の側断面に付着して高融点金属膜からなるサイドウ
ォールを形成し、特に、コンタクトの底面に選択的に高
融点金属膜を十分な膜厚だけ形成することができ、エレ
クトロマイグレーションを抑制し、電気的信頼性の高い
半導体装置とすることが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関する。さらに詳しくは、半導体装置内に
形成される、電気的信頼性の高い配線とその配線に接続
して形成される接続性が良く、信頼性の高いコンタクト
の構造及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１３は特開平５−１０２３１４号公報
に示された半導体装置の断面図を示しており、図におい
て、１０１は半導体基板上に層間絶縁膜等が積層された
下地基板、１０２は下地基板１０１の一主面上に形成さ
れた第一の配線、１０３は第一の配線１０２に接し、か
つ上方に伸びる柱状に形成された導電物質からなるコン
タクト、１０４は第一の配線１０２、コンタクト１０３
が形成された半導体基板１０１の全面に所定の厚さに積
層された絶縁物質からなる層間絶縁膜、１０５は層間絶
縁膜１０４の上面に配置され、コンタクト１０３と接続
した状態である第二の配線をそれぞれ示している。な
お、この図１３においては、配線長方向に沿った断面を
示している。

【０００３】次に、図１３の半導体装置の製造方法を、
次の図１４ないし図１５に示す。まず、図１４に示すよ
うに、下地基板１０１の一主面に導電物質からなる第一
の配線（下層配線）１０２を所定のサイズにパターニン
グ形成する。

【０００４】その後、図１５に示すように、第一の配線
１０２の上部に柱状の導電物質からなるコンタクト１０
３を形成する。このコンタクト１０３は、下地基板１０
１の全面に導電物質をコンタクト１０３の高さ方向の寸
法以上の厚さとなるように積層後、必要となる部分だけ
を残し、他の部分（１０３ａ）をエッチング除去するこ
とによって形成される。

【０００５】次に、図１６に示すように、層間絶縁膜１
０４をＣＶＤ技術等を用いて所定の厚さに積層する。次
に、図１７に示すように、ＣＭＰ技術を用いてコンタク
ト１０３の上面が露出し、層間絶縁膜１０４の上面が平
坦化されるように研磨を行う。その後、層間絶縁膜１０
４の平坦化された上面に、露出したコンタクト１０３に
接するように第二の配線１０５（上層配線）を形成する
ことで図１３に示す構造の半導体装置が形成できる。

【０００６】従来、一般的に用いられているコンタクト
の形成方法で、下層配線を形成後、半導体基板の全面に
層間絶縁膜を積層し、この層間絶縁膜内の所定の位置に
コンタクトホールを形成後、コンタクトホール内部に導
電物質を埋設してコンタクトを形成する場合において
は、形成したコンタクトは、内部に空洞が生じることな
どにより、電気的特性に支障を来す場合があったが、上
記のように、柱状のコンタクトを形成後、層間絶縁膜を
積層するため、コンタクトが完全に埋め込まれた状態と
して形成でき、信頼性の高い多層配線構造が可能となっ
ていた。また、層間絶縁膜の上面の平坦化もＣＭＰ技術
によって可能であることが示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図１３に示された従来
の技術による半導体装置においては、第一、第二の配線
及びコンタクトが単に金属等の導電性物質によって形成
されているため、高温、高圧電流下において、金属イオ
ンの移動がおこり、局所的なボイドが発生するため、配
線の抵抗が増大したり、断線したりする現象（エレクト
ロマイグレーション）が起こるという問題があり、この
配線の電気的信頼性（エレクトロマイグレーション寿
命）の向上が必要となっている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明による半導体装
置は、下地基板の一主面上に形成された第一の配線層、
上記第一の配線層上に形成され、層間絶縁膜で周囲を取
り囲まれたコンタクト、上記コンタクトに接して形成さ
れた第二の配線層を備え、上記コンタクトと上記第一の
配線層との対向する面に介在して形成された高融点金属
膜を有するものである。

【０００９】さらに、この発明による半導体装置は、下
地基板の一主面上に形成された第一の配線層、上記第一
の配線層上に形成され、層間絶縁膜で周囲を取り囲まれ
たコンタクト、上記コンタクトに接して形成された第二
の配線層を備え、上記コンタクトと上記第一の配線層と
の対向する面に介在して形成された高融点金属膜を有
し、さらに第一の配線層の側断面に付着して形成された
別の高融点金属膜を有するものである。

【００１０】また、この発明による半導体装置は、下地
基板の一主面上に形成された第一の配線層、上記第一の
配線層上に形成され、層間絶縁膜内に埋設されたコンタ
クト、上記コンタクトに接して形成された第二の配線層
を備え、上記コンタクトと上記第一の配線層との対抗す
る面に介在して形成された高融点金属膜を有し、さらに
第一の配線層が、少なくとも２層の導電膜からなり、上
記導電膜の内、少なくとも一層は高融点金属からなるも
のである。

【００１１】さらに、この発明による半導体装置の製造
方法は、下地基板の一主面上に第一の配線層を形成する
第一の工程、少なくとも上記第一の配線層の露出した表
面上に所定の厚さの高融点金属膜を積層する第二の工
程、上記高融点金属膜上に金属膜を積層する第三の工
程、上記金属膜のうち、上記第一の配線層上のコンタク
トとなる上記金属膜を柱状に残して他を除去し、コンタ
クトを形成する第四の工程、上記高融点金属膜に対し、
異方性エッチングを行い、上記コンタクトの底面に接す
る部分の上記高融点金属膜を残す第五の工程、上記下地
基板の一主面上に層間絶縁膜を積層し、上記コンタクト
の周囲を取り囲み、上記コンタクトが上記層間絶縁膜内
に埋設された状態とする第六の工程、上記層間絶縁膜を
ＣＭＰ技術によってエッチングし平坦化させるととも
に、上記コンタクトの一部を露出させる第七の工程、上
記層間絶縁膜の上面に、上記コンタクトに接する状態に
第二の配線層を形成する第八の工程を含むものである。

【００１２】さらに、この発明による半導体装置の製造
方法は、第五の工程において、コンタクトの底面に接す
る部分の高融点金属膜を残すとともに上記第一の配線層
の側断面に付着した状態の高融点金属膜からなるサイド
ウォールを形成する工程を含むものである。

【００１３】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、第一の工程において形成する第一の配線層は、少
なくとも第一の導電膜上に高融点金属からなる第二の導
電膜を積層し、上記第一、第二の導電膜を任意の寸法に
パターニングする方法で得るものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１に、この発明による半導体装置の断
面図を示す。図１において、１は半導体基板上に層間絶
縁膜等が積層された下地基板、２は下地基板１の一主面
上に形成された２層構造からなる第一の配線層（下層配
線）であり、アルミニウム系合金、若しくはタングステ
ン等からなり、膜厚５０００Å程度である第一の主配線
２ａと、その上面に積層された、タングステン、チタン
ナイトライド等からなり、膜厚１００Å程度である高融
点金属膜２ｂから構成されている。また、この第一の配
線層の配線幅は５０００Å程度の寸法である。なお、こ
の図１は、第一の配線層２の配線幅方向に沿って切断し
た場合の断面図を示している。

【００１５】第一の配線層２の側断面にはタングステ
ン、チタンナイトライド等の高融点金属からなるサイド
ウォール３が形成され、さらに、第一の配線層２の上部
には、上層配線である第二の配線層７と第一の配線層２
を電気的に接続する金属からなるコンタクト５が形成さ
れ、コンタクト５の底面と第一の配線層２の上面との間
に高融点金属膜４が介在した状態となっている。

【００１６】また、コンタクト５の上面から下地基板１
の一主面の高さにかけて層間絶縁膜６が形成され、コン
タクト５、第一の配線層２はこの層間絶縁膜６内に埋設
された状態となっている。さらに、層間絶縁膜６の平坦
化された表面上には、高融点金属膜７ｂ、第二の主配線
７ａが順次積層されてなる第二の配線層７が層間絶縁膜
６の表面から露出したコンタクト５の上面に接して形成
された状態となっている。

【００１７】次に、図１に示す半導体装置の製造方法に
ついて説明する。まず、図２に示すように、半導体基板
上に下地絶縁膜等が形成された、下地基板１上に第一の
主配線２ａとなるアルミニウム系合金若しくはタングス
テンを膜厚５０００Å程度となるように積層し、さらに
上層にチタンナイトライド若しくはタングステン等の高
融点金属膜２ｂを膜厚１００Å程度の厚さとなるように
積層する。その後、高融点金属膜２ｂ上に第一の配線層
２の寸法のレジストパターンを形成し、このレジストパ
ターンをエッチングマスクとして異方性エッチングを行
い、高融点金属膜２ｂ、第一の主配線２ａを順次パター
ニングし、第一の配線層２を得る。その後、レジストパ
ターンは除去する。

【００１８】次に、図３に示すように、下地基板１、及
び形成した素子の表面全面にタングステン、チタンナイ
トライド等の高融点金属膜８をＣＶＤ技術、若しくはス
パッタリング技術を用いて数１００Å程度の厚さに積層
し、さらに、タングステン、アルミニウム等からなる金
属膜９を１００００Å程度の厚さに積層する。

【００１９】次に、図４に示すように、第一の配線層２
の上部の金属膜９上に、上層、下層配線間を接続するコ
ンタクト５の形状（水平方向の寸法は３０００又は５０
００Å程度）のレジストパターン１０を写真製版によっ
て形成し、これをエッチングマスクとして金属膜９に対
して異方性エッチングを行い、コンタクト５を形成す
る。さらに、高融点金属膜８に対しても異方性エッチン
グを行い、第一の配線層２の側断面に付着した状態のサ
イドウォール３及びコンタクト５の底面と第一の配線層
２の上面とに介在する高融点金属膜４を形成する。

【００２０】その後、図５に示すように、レジストパタ
ーン１０をウェットエッチング等により除去し、さら
に、下地基板１の表面上にＣＶＤ技術を用いる等してＴ
ＥＯＳ系のシリコン酸化膜等の層間絶縁膜６を膜厚２０
０００Å程度の厚さに積層し、コンタクト５が完全に層
間絶縁膜６内に埋設された状態とする。次に、図６に示
すように、ＣＭＰ技術を用いて、層間絶縁膜６の表面の
凸状部分を研磨によって除去し、平坦化を行い、コンタ
クト５の上面が層間絶縁膜６の表面上に露出した状態と
する。

【００２１】その後、層間絶縁膜６及びコンタクト５の
上面に高融点金属膜７ｂを１００Å程度の厚さに積層
し、さらに、第二の主配線７ａとなるアルミニウム系合
金若しくはタングステン等を５０００Å程度の厚さに積
層する。その後、任意の形状のレジストパターンを形成
し、これをエッチングマスクとして異方性エッチングを
行い、第一の主配線７ａ、高融点金属膜７ｂを所定の寸
法にパターニングして第二の配線層７を形成し、レジス
トパターンを除去することで図１に示す構造の半導体装
置を得ることができる。

【００２２】このように形成された半導体装置において
は、コンタクト５と第一、第二の主配線２ａ、７ａ間
に、還元性のある高融点金属膜２ｂ、４、７ｂを形成し
ており、さらに、第一の配線層の側断面に付着して高融
点金属からなるサイドウォール３を形成しているため、
配線間の電気的接続性が向上し、さらに、高融点金属の
エレクトロマイグレーション耐性が第一の主配線２ａを
構成する物質のエレクトロマイグレーション耐性以上で
あるため、最終的に得る第一の配線層２のエレクトロマ
イグレーション寿命を総合的に向上させることが可能と
なり、信頼性の高い半導体装置を得ることが可能とな
る。

【００２３】また、この半導体装置の製造方法におい
て、高融点金属膜８に対して１回の異方性エッチングを
行うことで、同時に高融点金属膜４とサイドウォール３
を形成でき、少ない工程数で第一の配線２の表面に、効
果的に高融点金属膜を残すことができるという効果があ
る。

【００２４】また、第一の配線層２の表面を、還元性を
有する高融点金属膜２ｂ、４、サイドウォール３で覆う
ことにより、第一の主配線２ａを形成後、この表面に形
成される自然酸化膜を還元することが可能であり、特に
高融点金属膜２ｂ、４の形成によりコンタクト５と第一
の主配線２ａとの接続状態を向上させることが可能であ
る。これと同様に、第二の配線層７とコンタクト５との
電気的接続面に高融点金属膜７ａを介在させることで、
コンタクト５の露出面に生じると考えられる自然酸化膜
も還元することが可能になり、コンタクト５と第二の配
線層２との接続状態も良好となる。

【００２５】また、この実施の形態においては、第一、
第二の配線層２、７を第一、第二の主配線２ａ、７ａと
高融点金属膜２ｂ、７ｂとをそれぞれ組み合わせた多層
配線としているため、さらにエレクトロマイグレーショ
ン寿命を向上させることが可能であり、信頼性の高い半
導体装置を得ることが可能になる。

【００２６】また、高融点金属膜４は、第一の配線層２
が形成された下地基板１上にＣＶＤ技術を用いて積層す
るため、必要となる膜厚が十分に積層でき、また、コン
タクト５のパターニングのための異方性エッチングの
際、不要となる部分、例えば下地基板１の表面上に直接
積層された高融点金属膜を連続的に除去できるという効
果があり、少ない工程数で、より信頼性の高い半導体装
置を得ることができる。

【００２７】なお、上記の実施の形態の半導体装置の各
素子の寸法は、多数考えられる実施の形態の中の一例を
示したに過ぎず、また、各素子を構成する物質について
も、実施の形態中に記載の物質と同様の性質を有する物
質で代用することが可能であることは言うまでもない。

【００２８】実施の形態２．次に、この発明の別の実施
の形態について説明する。図７は、この発明の別の実施
の形態による半導体装置の断面構造を示すものであり、
図において既に説明のために用いた符号と同一符号は同
一、若しくは相当部分を示すものである。

【００２９】この実施の形態２による半導体装置と、先
に説明した実施の形態１の半導体装置との構造上の違い
は、第一の配線層２が第一の主配線２ａのみによって形
成された単層構造であるという点である。

【００３０】次に、図７に示す半導体装置の製造方法に
ついて説明する。まず、図８に示すように、半導体基板
上に下地絶縁膜を積層する等して形成された下地基板１
上に、アルミニウム系合金若しくはタングステンを５０
００Å程度の膜厚となるように積層し、この上面に配線
幅が５０００Å程度である第一の配線層２の形状のレジ
ストパターンを写真製版によって形成し、このレジスト
パターンをエッチングマスクとして、下地基板１の表面
が露出するまで異方性エッチングを行い、単層構造の第
一の配線層２をパターニング形成する。その後、レジス
トパターンは除去する。

【００３１】次に、図９に示すように、下地基板１、第
一の配線層２の露出した表面上にタングステン、チタン
ナイトライド等の還元性のある高融点金属膜８を１００
Å程度の厚さとなるように積層し、さらに、アルミニウ
ム、タングステン等の金属膜９を１００００Å程度の厚
さとなるように積層する。

【００３２】その後、図１０に示すように、金属膜９上
に、後工程で形成するコンタクト５の寸法のレジストパ
ターン１０を第一の配線層２の上部に写真製版によって
形成する。その後、このレジストパターン１０をエッチ
ングマスクとして金属膜９及び高融点金属膜８に対して
異方性エッチングを行い、順次所定の寸法にパターニン
グする。このときの図１０におけるコンタクト５及び高
融点金属膜４の水平方向の断面の寸法は３０００若しく
は５０００Å程度の寸法である。

【００３３】次に、図１１に示すように、異方性エッチ
ングに用いたレジストパターン１０をウェットエッチン
グ等の手段によって除去し、層間絶縁膜６をＣＶＤ技術
等によって２００００Å程度の厚さとなるように積層す
る。

【００３４】その後、図１２に示すように、ＣＭＰ技術
を用いて層間絶縁膜６の上面から研磨を行い、層間絶縁
膜６の表面の凹凸をなくし、平坦化させるとともにコン
タクト５の表面が層間絶縁膜６の表面に露出する状態と
する。その後、層間絶縁膜６上に実施の形態１と同様
に、高融点金属層７ｂ、第二の主配線７ａを順次積層
し、コンタクト５の上面に接するように所定の形状にパ
ターニングすることで、第二の配線層７を形成し、図７
に示すような構造の半導体装置を得ることが可能とな
る。

【００３５】このように形成された半導体装置において
は、実施の形態１と同様に、第一の配線層２とコンタク
トとの間に高融点金属膜４を、さらに、コンタクト５と
第二の配線層７との間に高融点金属膜７ｂを介在させた
ため、エレクトロマイグレーション特性を向上させ、半
導体装置の信頼性を向上させることが可能である。

【００３６】また、実施の形態１と同様に、高融点金属
膜４は、第一の配線層２のみが形成された下地基板１上
にＣＶＤ技術を用いて積層するため、必要となる膜厚が
十分に積層でき、また、コンタクト５のパターニングの
ための異方性エッチングの際、不要となる部分、例えば
下地基板１の表面上に直接積層された高融点金属膜等を
同時に除去できるという効果があり、少ない工程数で、
より信頼性の高い半導体装置を得ることができる。

【００３７】

【発明の効果】この発明による半導体装置においては、
下層配線となる第一の配線層とこの第一の配線層に電気
的に接続されるコンタクトとの間に高融点金属膜を介在
させることで、単に配線をコンタクトを構成する金属膜
のみで構成した場合よりもエレクトロマイグレーション
寿命を向上させることができ、半導体装置の信頼性を向
上させることが可能になる。また、第一の配線層の表面
に形成される自然酸化膜に対し、還元性のある高融点金
属膜を付着形成させることで還元でき、電気的接続性を
向上させることが可能となる。

【００３８】また、この発明による半導体装置において
は、上記の効果に加え、下層配線となる第一の配線層の
側断面に付着して高融点金属膜を形成することで、単に
配線を単層で構成した場合よりもエレクトロマイグレー
ション寿命をさらに向上させることができ、半導体装置
の信頼性を向上させることが可能になる。また、第一の
配線層の表面に形成される自然酸化膜に対し、還元性の
ある高融点金属膜を付着形成させることで還元でき、電
気的接続性を向上させることが可能となる。さらにエレ
クトロマイグレーション寿命を向上でき、半導体装置の
信頼性を向上させることが可能になるという効果があ
る。

【００３９】さらに、この発明による半導体装置におい
ては、下層配線となる第一の配線層とこの第一の配線層
に電気的に接続されるコンタクトとの間に高融点金属膜
を介在させること、さらに下層配線となる第一の配線層
の側断面に付着して高融点金属膜を形成することに加
え、第一の配線層を少なくとも２層層構造とし、その内
の１層を高融点金属膜で構成することでエレクトロマイ
グレーション寿命を向上させることができ、半導体装置
の信頼性を向上させることが可能になる。また、第一の
配線層の表面に形成される自然酸化膜に対し、還元性の
ある高融点金属膜を付着形成させることで還元でき、電
気的接続性を向上させることが可能となる。

【００４０】また、この発明による半導体装置の製造方
法においては、下層配線となる第一の配線層を形成後、
その上部に柱状のコンタクトを形成し、次に層間絶縁膜
を積層する方法をとっており、さらに、コンタクトと第
一の配線層との間に必要とされる膜厚を満足させる高融
点金属膜を介在させておくことで、コンタクトのパター
ニングの後、つづいて高融点金属膜を異方性エッチング
によりパターングすることができ、工程数を増大させる
ことなく、効果的に高融点金属膜を加工し、第一の配線
層とコンタクトとの間に介在させて、また第一の配線層
の側断面に付着させて高融点金属膜を残すことができる
という効果がある。

【００４１】さらに、第一の配線の側断面に付着した状
態の高融点金属からなるサイドウォールを形成すること
によって、第一の配線のエレクトロマイグレーション寿
命を向上させることが可能となる。

【００４２】また、この発明による半導体装置の製造方
法においては、アルミニウム系合金若しくはタングステ
ンからなり、第一の主配線となる第一の導電膜上に高融
点金属膜からなる第二の導電膜を積層した構造の第一の
配線層を用いることにより、よりエレクトロマイグレー
ション寿命を向上させることができ、より信頼性の高い
半導体装置を得ることが可能になるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１の半導体装置の断面
図である。

【図２】 この発明の実施の形態１の製造方法を示す図
である。

【図３】 この発明の実施の形態１の製造方法を示す図
である。

【図４】 この発明の実施の形態１の製造方法を示す図
である。

【図５】 この発明の実施の形態１の製造方法を示す図
である。

【図６】 この発明の実施の形態１の製造方法を示す図
である。

【図７】 この発明の実施の形態２の半導体装置の断面
図である。

【図８】 この発明の実施の形態２の製造方法を示す図
である。

【図９】 この発明の実施の形態２の製造方法を示す図
である。

【図１０】 この発明の実施の形態２の製造方法を示す
図である。

【図１１】 この発明の実施の形態２の製造方法を示す
図である。

【図１２】 この発明の実施の形態２の製造方法を示す
図である。

【図１３】 従来の技術を示す図である。

【図１４】 従来の技術を示す図である。

【図１５】 従来の技術を示す図である。

【図１６】 従来の技術を示す図である。

【図１７】 従来の技術を示す図である。

【符号の説明】

１．下地基板 ２．第一の配線層 ２ａ．第一の主配線 ２ｂ、４、７ｂ、８．高融点金属膜 ３．サイドウォール ５．コンタクト ６．層間絶縁膜 ７．第二の配線層 ７ａ．第二の主配線 ９．金属膜 １０．レジストパターン

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下地基板の一主面上に形成された第一の
   配線層、上記第一の配線層上に形成され、層間絶縁膜で
   周囲を取り囲まれたコンタクト、上記コンタクトに接し
   て形成された第二の配線層を備え、上記コンタクトと上
   記第一の配線層との対向する面に介在して形成された高
   融点金属膜を有することを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 第一の配線層の側断面に付着して形成さ
   れた別の高融点金属膜を有することを特徴とする請求項
   １記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 第一の配線層は、少なくとも２層の導電
   膜からなり、上記導電膜のうち、少なくとも一層は高融
   点金属からなることを特徴とする請求項１ないし２のい
   ずれか一項記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 下地基板の一主面上に第一の配線層を形
   成する第一の工程、少なくとも上記第一の配線層の露出
   した表面上に所定の厚さの高融点金属膜を積層する第二
   の工程、上記高融点金属膜上に金属膜を積層する第三の
   工程、上記金属膜のうち、上記第一の配線層上のコンタ
   クトとなる上記金属膜を柱状に残して他を除去し、コン
   タクトを形成する第四の工程、上記高融点金属膜に対
   し、異方性エッチングを行い、上記コンタクトの底面に
   接する部分の上記高融点金属膜を残す第五の工程、上記
   下地基板の一主面上に層間絶縁膜を積層し、上記コンタ
   クトの周囲を取り囲み、上記コンタクトが上記層間絶縁
   膜内に埋設された状態とする第六の工程、上記層間絶縁
   膜をＣＭＰ（chemical mechanical polishing）技術に
   よってエッチングし平坦化させるとともに、上記コンタ
   クトの一部を露出させる第七の工程、上記層間絶縁膜の
   上面に、上記コンタクトに接する状態に第二の配線層を
   形成する第八の工程を含むことを特徴とする半導体装置
   の製造方法。
5. 【請求項５】 第五の工程において、コンタクトの底面
   に接する部分の高融点金属膜を残すとともに上記第一の
   配線層の側断面に付着した状態の高融点金属膜からなる
   サイドウォールを形成する請求項４記載の半導体装置の
   製造方法。
6. 【請求項６】 第一の工程において形成する第一の配線
   層は、少なくとも第一の導電膜上に高融点金属からなる
   第二の導電膜を積層し、上記第一、第二の導電膜を任意
   の寸法にパターニングすることで得られることを特徴と
   する請求項４記載の半導体装置の製造方法。