JPH10221396A - コンデンサの充電電流測定方法 - Google Patents
コンデンサの充電電流測定方法Info
- Publication number
- JPH10221396A JPH10221396A JP9348617A JP34861797A JPH10221396A JP H10221396 A JPH10221396 A JP H10221396A JP 9348617 A JP9348617 A JP 9348617A JP 34861797 A JP34861797 A JP 34861797A JP H10221396 A JPH10221396 A JP H10221396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- charging
- current
- log
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】コンデンサの絶縁抵抗を短時間でかつ正確に測
定すること。 【解決手段】コンデンサに直流電圧を印加し、電圧印加
直後におけるコンデンサの誘電分極成分の充電領域初期
の２つの時点ｔ1 ，ｔ2 の電流値ｉ1 ，ｉ2 を測定す
る。これら２つの測定電流値ｉ1 ，ｉ2 から、直線近似
式log ｉ＝ａ・logｔ＋ｂの勾配ａと切片ｂとを求め、
この直線近似式から十分に充電された時ｔ3における電
流値ｉ3 を求める。
定すること。 【解決手段】コンデンサに直流電圧を印加し、電圧印加
直後におけるコンデンサの誘電分極成分の充電領域初期
の２つの時点ｔ1 ，ｔ2 の電流値ｉ1 ，ｉ2 を測定す
る。これら２つの測定電流値ｉ1 ，ｉ2 から、直線近似
式log ｉ＝ａ・logｔ＋ｂの勾配ａと切片ｂとを求め、
この直線近似式から十分に充電された時ｔ3における電
流値ｉ3 を求める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンデンサの充電電
流測定方法、特にコンデンサの絶縁抵抗の測定に適した
測定方法に関するものである。
流測定方法、特にコンデンサの絶縁抵抗の測定に適した
測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、コンデンサの良否を判定するた
め、測定用の直流電圧をコンデンサに印加し、十分に充
電された後のコンデンサの漏れ電流（充電電流）を測定
することにより、コンデンサの絶縁抵抗を測定する方法
が知られている。当然ながら、良品は漏れ電流が少な
い。
め、測定用の直流電圧をコンデンサに印加し、十分に充
電された後のコンデンサの漏れ電流（充電電流）を測定
することにより、コンデンサの絶縁抵抗を測定する方法
が知られている。当然ながら、良品は漏れ電流が少な
い。
【０００３】従来、この種の充電電流測定方法として
は、ＪＩＳ−Ｃ５１０２で規定された測定方式が知られ
ている。この方式は、コンデンサに十分に充電された状
態の電流値を測定する必要があるため、約６０秒の測定
時間が必要であった。しかし、電子機器のコストダウ
ン、信頼性向上の要求に伴い、コンデンサなどの電子部
品もその生産能力向上と品質向上とが求められており、
コンデンサ１個当たりこのような長い測定時間を要する
従来の測定方法では、到底このような要求に応えること
ができない。
は、ＪＩＳ−Ｃ５１０２で規定された測定方式が知られ
ている。この方式は、コンデンサに十分に充電された状
態の電流値を測定する必要があるため、約６０秒の測定
時間が必要であった。しかし、電子機器のコストダウ
ン、信頼性向上の要求に伴い、コンデンサなどの電子部
品もその生産能力向上と品質向上とが求められており、
コンデンサ１個当たりこのような長い測定時間を要する
従来の測定方法では、到底このような要求に応えること
ができない。
【０００４】そこで、コンデンサに電圧印加を開始した
直後の短い時間内において、複数のタイミングにおいて
充電電流値を測定し、その複数の電流測定値によって所
望時間後の電流値を予測する方法が提案されている（特
公平５−７８７９０号公報）。この方法では、一定の時
間間隔の３つの時点において、コンデンサを流れる電流
値Ｉ0 ，Ｉ1 ，Ｉ2 を測定し、これらの３つの電流測定
値から所定時間後の電流値Ｉx を次式で算出している。 Ｉx ＝（Ｉ1 2 −Ｉ0 ・Ｉ2 ）／（２Ｉ1 −Ｉ2 −
Ｉ0 ）
直後の短い時間内において、複数のタイミングにおいて
充電電流値を測定し、その複数の電流測定値によって所
望時間後の電流値を予測する方法が提案されている（特
公平５−７８７９０号公報）。この方法では、一定の時
間間隔の３つの時点において、コンデンサを流れる電流
値Ｉ0 ，Ｉ1 ，Ｉ2 を測定し、これらの３つの電流測定
値から所定時間後の電流値Ｉx を次式で算出している。 Ｉx ＝（Ｉ1 2 −Ｉ0 ・Ｉ2 ）／（２Ｉ1 −Ｉ2 −
Ｉ0 ）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この方法を用いれば、
十分な充電状態に達する時間より前の状態で結果を算出
することができるので、短時間に絶縁抵抗を測定できる
という利点がある。しかしながら、上記の算出式は、コ
ンデンサの等価回路が図１のような回路であるという前
提のもとに導き出されたものであるため、セラミックコ
ンデンサのようなコンデンサの場合には、正確な絶縁抵
抗を求めることができない。
十分な充電状態に達する時間より前の状態で結果を算出
することができるので、短時間に絶縁抵抗を測定できる
という利点がある。しかしながら、上記の算出式は、コ
ンデンサの等価回路が図１のような回路であるという前
提のもとに導き出されたものであるため、セラミックコ
ンデンサのようなコンデンサの場合には、正確な絶縁抵
抗を求めることができない。
【０００６】すなわち、図１ではコンデンサの等価回路
が、容量Ｃ0 と内部抵抗ｒと絶縁抵抗Ｒ0 とで構成され
ているが、実際のコンデンサの等価回路は図２のよう
に、容量Ｃ0 、内部抵抗ｒ、絶縁抵抗Ｒ0 のほかに、誘
電分極成分Ｄが含まれる。誘電分極成分Ｄは、容量
Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn とを
含んでいる。充電初期（例えば充電開始〜１ｍ秒）には
容量Ｃ0 、内部抵抗ｒおよび絶縁抵抗Ｒ0 の影響が強く
現れるが、それ以後の充電特性は誘電分極成分Ｄによっ
て支配されると考えられる。したがって、上記のように
誘電分極成分Ｄを無視した予測方法では、充電終期（例
えば約１分後）の充電電流を正確に予測することは到底
できない。
が、容量Ｃ0 と内部抵抗ｒと絶縁抵抗Ｒ0 とで構成され
ているが、実際のコンデンサの等価回路は図２のよう
に、容量Ｃ0 、内部抵抗ｒ、絶縁抵抗Ｒ0 のほかに、誘
電分極成分Ｄが含まれる。誘電分極成分Ｄは、容量
Ｃ1 ，Ｃ2 ・・・Ｃn と抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ・・・Ｒn とを
含んでいる。充電初期（例えば充電開始〜１ｍ秒）には
容量Ｃ0 、内部抵抗ｒおよび絶縁抵抗Ｒ0 の影響が強く
現れるが、それ以後の充電特性は誘電分極成分Ｄによっ
て支配されると考えられる。したがって、上記のように
誘電分極成分Ｄを無視した予測方法では、充電終期（例
えば約１分後）の充電電流を正確に予測することは到底
できない。
【０００７】そこで、本発明の目的は、コンデンサに十
分に充電された時点における電流値を短時間でかつ正確
に測定できるコンデンサの充電電流測定方法を提供する
ことにある。
分に充電された時点における電流値を短時間でかつ正確
に測定できるコンデンサの充電電流測定方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、コンデンサに直流電圧を
印加する工程と、電圧印加直後におけるコンデンサの誘
電分極成分の充電領域初期の２つの時点ｔ1 ，ｔ2 の電
流値ｉ1 ，ｉ2 を測定する工程と、上記測定された２つ
の電流値ｉ1 ，ｉ2 から、直線近似式log ｉ＝ａ・log
ｔ＋ｂの勾配ａと切片ｂとを求める工程と、上記直線近
似式から充電時ｔ3 における電流値ｉ3 を求める工程
と、を含むものである。
め、請求項１に記載の発明は、コンデンサに直流電圧を
印加する工程と、電圧印加直後におけるコンデンサの誘
電分極成分の充電領域初期の２つの時点ｔ1 ，ｔ2 の電
流値ｉ1 ，ｉ2 を測定する工程と、上記測定された２つ
の電流値ｉ1 ，ｉ2 から、直線近似式log ｉ＝ａ・log
ｔ＋ｂの勾配ａと切片ｂとを求める工程と、上記直線近
似式から充電時ｔ3 における電流値ｉ3 を求める工程
と、を含むものである。
【０００９】セラミックコンデンサについて、充電時に
おける電流値の変化を正確に測定し、その電流値と時間
とを対数電流−対数時間の座標にプロットすると、図３
（実線で示す）のような特性があることを発見した。つ
まり、充電初期の微小期間はほぼ一定の大きな電流が
流れるが、それに続く遷移期間で急激に電流値が低下
し、その後、ある傾きを持った直線的な充電特性で電
流が低下した。この直線的な充電特性は、充電開始か
ら１分〜２分後まで持続していた。
おける電流値の変化を正確に測定し、その電流値と時間
とを対数電流−対数時間の座標にプロットすると、図３
（実線で示す）のような特性があることを発見した。つ
まり、充電初期の微小期間はほぼ一定の大きな電流が
流れるが、それに続く遷移期間で急激に電流値が低下
し、その後、ある傾きを持った直線的な充電特性で電
流が低下した。この直線的な充電特性は、充電開始か
ら１分〜２分後まで持続していた。
【００１０】上記特性について検討してみると、初期の
充電特性は容量Ｃ0 の充電領域であるのに対し、直線
的な充電特性は誘電分極成分Ｄの充電領域であること
が判明した。したがって、コンデンサに電圧印加を開始
した直後の短い期間内、特に誘電分極成分Ｄの充電領域
における複数のタイミングｔ1 ，ｔ2 において電流値
ｉ1 ，ｉ2 を測定し、その複数の測定電流値ｉ1 ，ｉ2
から直線近似式log ｉ＝ａ・log ｔ＋ｂの勾配ａと切片
ｂとを求めれば、最終的な電流値ｉ3 （例えば１分後の
電流値）を正確に予測することが可能となる。
充電特性は容量Ｃ0 の充電領域であるのに対し、直線
的な充電特性は誘電分極成分Ｄの充電領域であること
が判明した。したがって、コンデンサに電圧印加を開始
した直後の短い期間内、特に誘電分極成分Ｄの充電領域
における複数のタイミングｔ1 ，ｔ2 において電流値
ｉ1 ，ｉ2 を測定し、その複数の測定電流値ｉ1 ，ｉ2
から直線近似式log ｉ＝ａ・log ｔ＋ｂの勾配ａと切片
ｂとを求めれば、最終的な電流値ｉ3 （例えば１分後の
電流値）を正確に予測することが可能となる。
【００１１】なお、初期期間はコンデンサの容量値な
どによって変化するが、通常は初期期間と遷移期間
との和は１０ｍ秒以下である。したがって、電流値
ｉ1 ，ｉ2 としては、充電開始から１０ｍ秒前後または
それ経過後の電流値を測定すれば、正確な直線近似式を
求めることができる。本発明方法を用いれば、コンデン
サ１個当たり数十ｍ秒程度で絶縁抵抗を求めることがで
きるので、絶縁抵抗測定の作業能率を格段に向上させる
ことができる。
どによって変化するが、通常は初期期間と遷移期間
との和は１０ｍ秒以下である。したがって、電流値
ｉ1 ，ｉ2 としては、充電開始から１０ｍ秒前後または
それ経過後の電流値を測定すれば、正確な直線近似式を
求めることができる。本発明方法を用いれば、コンデン
サ１個当たり数十ｍ秒程度で絶縁抵抗を求めることがで
きるので、絶縁抵抗測定の作業能率を格段に向上させる
ことができる。
【００１２】なお、充電特性はコンデンサによって変化
し、必ずしも直線になるとは限らない場合がある。その
場合には、請求項２に記載のように、対数近似式を用い
て十分充電が終了した後の電流値を予測することができ
る。
し、必ずしも直線になるとは限らない場合がある。その
場合には、請求項２に記載のように、対数近似式を用い
て十分充電が終了した後の電流値を予測することができ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】図４は本発明方法を実施するため
の電流測定装置の一例を示す。この測定装置は、本願出
願人が特願平７−２９３４４２号で提案したものであ
る。この測定装置は、直流測定電源１０、スイッチ１
１、被測定物であるコンデンサ１２、制限抵抗１３、対
数増幅器１４、計測用アンプ１５、Ａ／Ｄ変換器１６，
１８、演算処理回路（ＣＰＵ）１７を備えている。充電
初期は計測用アンプ１５で電流値を計測し、所定の閾値
で対数増幅器１４に切り換え、それ以後は対数増幅器１
４で電流値を計測する。この測定装置は、コンデンサ１
２の充電電流が幅広いレンジで変化しても正確に測定す
ることができるので、従来の測定装置では計測困難であ
った充電初期から充電終期までの電流値を連続的に計測
できる。
の電流測定装置の一例を示す。この測定装置は、本願出
願人が特願平７−２９３４４２号で提案したものであ
る。この測定装置は、直流測定電源１０、スイッチ１
１、被測定物であるコンデンサ１２、制限抵抗１３、対
数増幅器１４、計測用アンプ１５、Ａ／Ｄ変換器１６，
１８、演算処理回路（ＣＰＵ）１７を備えている。充電
初期は計測用アンプ１５で電流値を計測し、所定の閾値
で対数増幅器１４に切り換え、それ以後は対数増幅器１
４で電流値を計測する。この測定装置は、コンデンサ１
２の充電電流が幅広いレンジで変化しても正確に測定す
ることができるので、従来の測定装置では計測困難であ
った充電初期から充電終期までの電流値を連続的に計測
できる。
【００１４】次に、本発明にかかる充電電流測定方法を
図５にしたがって説明する。まず、コンデンサに直流電
圧を印加する（ステップＳ１）。次に、誘電分極成分Ｄ
の充電領域の初期における２つの時点ｔ1 ，ｔ2 の電
流値ｉ1 ，ｉ2 を測定する（ステップＳ２）。続いて、
測定電流値ｉ1 ，ｉ2 からコンデンサの誘電分極成分Ｄ
の充電領域の直線近似式（log ｉ＝ａ・log ｔ＋ｂ）の
勾配ａと切片ｂを求める（ステップＳ３）。勾配ａと切
片ｂは次式により計算される。 ａ＝（log ｉ2 −log ｉ1 ）／（log ｔ2 −log ｔ1 ） ｂ＝（log ｉ1 ・log ｔ2 −log ｉ2 ・log ｔ1 ）／
（log ｔ2 −log ｔ1 ） 次に、勾配ａと切片ｂとを求めた直線近似式log ｉ＝ａ
・log ｔ＋ｂに、最終充電時ｔ3 （例えば６０秒）を代
入すれば、充電時の電流値ｉ3 を計算で求めることがで
きる（ステップＳ４）。この電流値ｉ3 からコンデンサ
の絶縁抵抗を知ることができる。
図５にしたがって説明する。まず、コンデンサに直流電
圧を印加する（ステップＳ１）。次に、誘電分極成分Ｄ
の充電領域の初期における２つの時点ｔ1 ，ｔ2 の電
流値ｉ1 ，ｉ2 を測定する（ステップＳ２）。続いて、
測定電流値ｉ1 ，ｉ2 からコンデンサの誘電分極成分Ｄ
の充電領域の直線近似式（log ｉ＝ａ・log ｔ＋ｂ）の
勾配ａと切片ｂを求める（ステップＳ３）。勾配ａと切
片ｂは次式により計算される。 ａ＝（log ｉ2 −log ｉ1 ）／（log ｔ2 −log ｔ1 ） ｂ＝（log ｉ1 ・log ｔ2 −log ｉ2 ・log ｔ1 ）／
（log ｔ2 −log ｔ1 ） 次に、勾配ａと切片ｂとを求めた直線近似式log ｉ＝ａ
・log ｔ＋ｂに、最終充電時ｔ3 （例えば６０秒）を代
入すれば、充電時の電流値ｉ3 を計算で求めることがで
きる（ステップＳ４）。この電流値ｉ3 からコンデンサ
の絶縁抵抗を知ることができる。
【００１５】図６は、上記のようにして求めた直線近似
式（破線で示す）および実測値（実線で示す）である。
被測定物であるコンデンサとしては、積層セラミックコ
ンデンサを用い、充電電流は５０ｍＡとした。直線近似
式を求めるための具体的データは以下の通りである。 ｔ1 ＝４ｍ秒， ｉ1 ＝８μＡ ｔ2 ＝２０ｍ秒，ｉ2 ＝１．２μＡ ａ＝−０．９８，ｂ＝４．０×１０-8 ｔ3 ＝６０秒 計算値ｉ3 ＝１．０１ｎＡ，実測値ｉ3 ＝０．９６ｎＡ このように、計算値ｉ3 と実測値ｉ3 との誤差は５．２
％であっった。これにより、本発明方法が精度の高い測
定方法であることが実証された。
式（破線で示す）および実測値（実線で示す）である。
被測定物であるコンデンサとしては、積層セラミックコ
ンデンサを用い、充電電流は５０ｍＡとした。直線近似
式を求めるための具体的データは以下の通りである。 ｔ1 ＝４ｍ秒， ｉ1 ＝８μＡ ｔ2 ＝２０ｍ秒，ｉ2 ＝１．２μＡ ａ＝−０．９８，ｂ＝４．０×１０-8 ｔ3 ＝６０秒 計算値ｉ3 ＝１．０１ｎＡ，実測値ｉ3 ＝０．９６ｎＡ このように、計算値ｉ3 と実測値ｉ3 との誤差は５．２
％であっった。これにより、本発明方法が精度の高い測
定方法であることが実証された。
【００１６】第１実施例では、対数座標における直線近
似式（log ｉ＝ａ・log ｔ＋ｂ）を用いて時刻ｔ3 の電
流値ｉ3 を予測したが、コンデンサの種類によっては誘
電分極成分Ｄの充電領域が必ずしも直線にならない場
合がある。その場合には、対数近似式（log （log ｉ）
＝ａ・log ｔ＋ｂ）を用いて電流値ｉ3 を求めてもよ
い。この場合には、勾配ａと切片ｂは次のようにして求
められる。
似式（log ｉ＝ａ・log ｔ＋ｂ）を用いて時刻ｔ3 の電
流値ｉ3 を予測したが、コンデンサの種類によっては誘
電分極成分Ｄの充電領域が必ずしも直線にならない場
合がある。その場合には、対数近似式（log （log ｉ）
＝ａ・log ｔ＋ｂ）を用いて電流値ｉ3 を求めてもよ
い。この場合には、勾配ａと切片ｂは次のようにして求
められる。
【００１７】
【数１】
【数２】
【００１８】第１，第２実施例では、コンデンサに流れ
る充電電流を制限抵抗１３（図４参照）によってＪＩＳ
で決められた５０ｍＡに制限したものであるが、制限抵
抗１３の抵抗値を小さくして充電電流を大きくすると、
図７に示すように充電の応答が速くなることを発見し
た。図７の実線は充電電流を５０ｍＡとした場合、二点
鎖線は充電電流を１００ｍＡとした場合である。
る充電電流を制限抵抗１３（図４参照）によってＪＩＳ
で決められた５０ｍＡに制限したものであるが、制限抵
抗１３の抵抗値を小さくして充電電流を大きくすると、
図７に示すように充電の応答が速くなることを発見し
た。図７の実線は充電電流を５０ｍＡとした場合、二点
鎖線は充電電流を１００ｍＡとした場合である。
【００１９】すなわち、容量Ｃ0 による充電領域の電
流値が高くなるとともに、その時間が短縮された。これ
に対し、誘電分極成分Ｄの充電領域の充電曲線は全く
変化しておらず、充電領域の開始点がより速くなっ
た。つまり、線型的な誘電分極成分Ｄの充電領域が延
長されたものである。
流値が高くなるとともに、その時間が短縮された。これ
に対し、誘電分極成分Ｄの充電領域の充電曲線は全く
変化しておらず、充電領域の開始点がより速くなっ
た。つまり、線型的な誘電分極成分Ｄの充電領域が延
長されたものである。
【００２０】そのため、第１実施例では電流値ｉ1 ，ｉ
2 を測定する時間ｔ1 ，ｔ2 を充電開始から１０ｍ秒前
後のタイミングとしたが、これより前の時間帯の電流値
を測定しても、近似式を求めることが可能となった。つ
まり、より高速にかつより正確に絶縁抵抗を測定するこ
とが可能となった。
2 を測定する時間ｔ1 ，ｔ2 を充電開始から１０ｍ秒前
後のタイミングとしたが、これより前の時間帯の電流値
を測定しても、近似式を求めることが可能となった。つ
まり、より高速にかつより正確に絶縁抵抗を測定するこ
とが可能となった。
【００２１】第１，第２実施例では、コンデンサに対し
電圧を連続的に印加し、その充電特性から近似式を求め
たものであるが、本発明者は必ずしも連続的に印加しな
くても、図３と同様な特性が得られることを発見した。
図８は、所定間隔おきに断続的に直流電圧を印加した場
合の充電特性を示す。
電圧を連続的に印加し、その充電特性から近似式を求め
たものであるが、本発明者は必ずしも連続的に印加しな
くても、図３と同様な特性が得られることを発見した。
図８は、所定間隔おきに断続的に直流電圧を印加した場
合の充電特性を示す。
【００２２】図８より明らかなように、充電開始からｔ
4 までの期間では図３と同様に容量Ｃ0 による充電領域
が現れ、誘電分極成分Ｄの充電領域が現れた直後に
電圧印加を停止する。次に、時刻ｔ5 で再び電圧を印加
すると、最初は大きな電流が流れるものの、直ぐに直線
的な充電特性’に安定する。この充電特性’は、充
電開始からｔ4 までの期間における充電領域の延長線
上にある。以後、同様に断続印加を繰り返すと、直線的
な充電特性に従って充電電流が低下する。なお、図８で
は等間隔で電圧印加を行ったように見えるが、図８の横
軸は対数時間であるため、実際には１回目より２回目の
電圧印加の方が長い。これは説明を簡単にするためであ
り、電圧印加の時間間隔を一定としても良いし、１回目
の方が長くても良いことは勿論である。
4 までの期間では図３と同様に容量Ｃ0 による充電領域
が現れ、誘電分極成分Ｄの充電領域が現れた直後に
電圧印加を停止する。次に、時刻ｔ5 で再び電圧を印加
すると、最初は大きな電流が流れるものの、直ぐに直線
的な充電特性’に安定する。この充電特性’は、充
電開始からｔ4 までの期間における充電領域の延長線
上にある。以後、同様に断続印加を繰り返すと、直線的
な充電特性に従って充電電流が低下する。なお、図８で
は等間隔で電圧印加を行ったように見えるが、図８の横
軸は対数時間であるため、実際には１回目より２回目の
電圧印加の方が長い。これは説明を簡単にするためであ
り、電圧印加の時間間隔を一定としても良いし、１回目
の方が長くても良いことは勿論である。
【００２３】上記のような断続印加方式を用いた場合、
１回目の電圧印加における誘電分極成分の充電領域内
のある時刻ｔ6 で電流値ｉ6 を測定した後、２回目の電
圧印加における誘電分極成分の充電領域’内のある時
刻ｔ7 で電流値ｉ7 を測定すれば、第１実施例と同様に
簡単に直線近似式を求めることができる。なお、直線近
似式では近似できない場合には、対数近似式を用いても
よい。この方法を用いれば、連続的に電圧を印加する必
要がないので、絶縁抵抗測定装置の設備能力を向上させ
ることが可能である。
１回目の電圧印加における誘電分極成分の充電領域内
のある時刻ｔ6 で電流値ｉ6 を測定した後、２回目の電
圧印加における誘電分極成分の充電領域’内のある時
刻ｔ7 で電流値ｉ7 を測定すれば、第１実施例と同様に
簡単に直線近似式を求めることができる。なお、直線近
似式では近似できない場合には、対数近似式を用いても
よい。この方法を用いれば、連続的に電圧を印加する必
要がないので、絶縁抵抗測定装置の設備能力を向上させ
ることが可能である。
【００２４】図９は本発明方法を用いた特性測定・選別
・テーピング装置の一具体例を示す。図において、２０
はターンテーブルであり、ターンテーブル２０は矢印方
向に一定ピッチ間隔で間欠的に回転する。ターンテーブ
ル２０の周囲には、被測定物であるチップ型コンデンサ
を１個ずつ保持できる複数の保持部２１が等ピッチ間隔
で設けられている。ターンテーブル２０の周囲には、コ
ンデンサをターンテーブル２０へ供給する供給部２２、
容量測定部２３、本発明が実施される充電ＩＲ測定部２
４、不良品排出部２５、良品取出部２６等が設けられて
おり、供給部２２にはコンデンサを１個ずつターンテー
ブル２０へ送り込むパーツフィーダなどの供給装置２７
が配置されている。
・テーピング装置の一具体例を示す。図において、２０
はターンテーブルであり、ターンテーブル２０は矢印方
向に一定ピッチ間隔で間欠的に回転する。ターンテーブ
ル２０の周囲には、被測定物であるチップ型コンデンサ
を１個ずつ保持できる複数の保持部２１が等ピッチ間隔
で設けられている。ターンテーブル２０の周囲には、コ
ンデンサをターンテーブル２０へ供給する供給部２２、
容量測定部２３、本発明が実施される充電ＩＲ測定部２
４、不良品排出部２５、良品取出部２６等が設けられて
おり、供給部２２にはコンデンサを１個ずつターンテー
ブル２０へ送り込むパーツフィーダなどの供給装置２７
が配置されている。
【００２５】また、良品取出部２６に対応してテーピン
グ装置２８が配置されている。テーピング装置２８はコ
ンデンサ収納用の基材テープ２９を矢印方向に１ピッチ
ずつ間欠的に駆動しており、基材テープ２９の収納部２
９ａには良品取出部２６から良品コンデンサが１個ずつ
収納される。収納部２９ａへコンデンサを収納した後、
テーピング装置２８は周知のように基材テープ２９にカ
バーテープ（図示せず）を接着する。
グ装置２８が配置されている。テーピング装置２８はコ
ンデンサ収納用の基材テープ２９を矢印方向に１ピッチ
ずつ間欠的に駆動しており、基材テープ２９の収納部２
９ａには良品取出部２６から良品コンデンサが１個ずつ
収納される。収納部２９ａへコンデンサを収納した後、
テーピング装置２８は周知のように基材テープ２９にカ
バーテープ（図示せず）を接着する。
【００２６】従来の場合には、コンデンサをターンテー
ブル上で長時間充電しなければならないため、テーピン
グ装置と同期させることができず、ターンテーブルで特
性測定を終了した良品のコンデンサを取出容器などに所
定個数溜めておき、取出容器からコンデンサを改めてパ
ーツフィーダなどを用いて１個ずつ取り出し、テーピン
グ装置に供給していた。そのため、特性測定から梱包に
至る作業スピードが非常に遅く、設備の大型化、コスト
の増大を招いていた。
ブル上で長時間充電しなければならないため、テーピン
グ装置と同期させることができず、ターンテーブルで特
性測定を終了した良品のコンデンサを取出容器などに所
定個数溜めておき、取出容器からコンデンサを改めてパ
ーツフィーダなどを用いて１個ずつ取り出し、テーピン
グ装置に供給していた。そのため、特性測定から梱包に
至る作業スピードが非常に遅く、設備の大型化、コスト
の増大を招いていた。
【００２７】これに対し、本発明方法を用いた場合に
は、コンデンサの充電時の電流、つまり絶縁抵抗を瞬時
に求めることができるので、ターンテーブル２０の１回
もしくは数回の停止期間中に絶縁抵抗測定を終了でき、
充電ＩＲ測定部２４を１区画もしくは数少ない区画で構
成することができる。そのため、ターンテーブル２０と
テーピング装置２８とを同期させることができ、特性測
定が終了したコンデンサをターンテーブル２２から直接
テーピング装置２８へ送り込むことができる。その結
果、従来に比べて作業スピードが格段に向上するだけで
なく、設備の小型化およびコスト削減を実現できる。
は、コンデンサの充電時の電流、つまり絶縁抵抗を瞬時
に求めることができるので、ターンテーブル２０の１回
もしくは数回の停止期間中に絶縁抵抗測定を終了でき、
充電ＩＲ測定部２４を１区画もしくは数少ない区画で構
成することができる。そのため、ターンテーブル２０と
テーピング装置２８とを同期させることができ、特性測
定が終了したコンデンサをターンテーブル２２から直接
テーピング装置２８へ送り込むことができる。その結
果、従来に比べて作業スピードが格段に向上するだけで
なく、設備の小型化およびコスト削減を実現できる。
【００２８】図１０は特性測定・選別・テーピング装置
の他の具体例を示す。この装置は、１台のターンテーブ
ル２０を中心として、その両側にパーツフィーダなどの
供給装置２７を配置するとともに、２台のテーピング装
置２８を配置したものである。２本のテープ２９は互い
に逆方向に送られる。この装置の場合、図９の装置に比
べて作業スピードの一層の向上と、効率化とが図れる。
の他の具体例を示す。この装置は、１台のターンテーブ
ル２０を中心として、その両側にパーツフィーダなどの
供給装置２７を配置するとともに、２台のテーピング装
置２８を配置したものである。２本のテープ２９は互い
に逆方向に送られる。この装置の場合、図９の装置に比
べて作業スピードの一層の向上と、効率化とが図れる。
【００２９】図１１は特性測定・選別・バルクケース詰
め装置の一具体例を示す。この装置では、パーツフィー
ダ２７、ターンテーブル２０を経て取り出された良品コ
ンデンサは、ターンテーブル２０からバルクケース詰め
装置３０によってバルクケース３１へ詰められる。バル
クケース３１には所定個数のコンデンサを収納できるよ
うになっており、一定個数のコンデンサが収納された
後、バルクケース３１は矢印方向に駆動される。この場
合も、図９と同様な効果がある。
め装置の一具体例を示す。この装置では、パーツフィー
ダ２７、ターンテーブル２０を経て取り出された良品コ
ンデンサは、ターンテーブル２０からバルクケース詰め
装置３０によってバルクケース３１へ詰められる。バル
クケース３１には所定個数のコンデンサを収納できるよ
うになっており、一定個数のコンデンサが収納された
後、バルクケース３１は矢印方向に駆動される。この場
合も、図９と同様な効果がある。
【００３０】なお、本発明はセラミックコンデンサに限
らず、電解コンデンサやフィルムコンデンサなど、誘電
分極成分を有するコンデンサであれば、如何なるコンデ
ンサであっても適用可能である。
らず、電解コンデンサやフィルムコンデンサなど、誘電
分極成分を有するコンデンサであれば、如何なるコンデ
ンサであっても適用可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、コンデンサに電圧印加を開始した後、誘電分極
成分の充電領域における複数のタイミングにおいて電流
値を測定し、その複数の測定電流値から直線近似式また
は対数近似式を求め、この近似式によって充電終了時点
の電流値を予測するようにしたので、絶縁抵抗を短時間
でかつ正確に測定することができる。
よれば、コンデンサに電圧印加を開始した後、誘電分極
成分の充電領域における複数のタイミングにおいて電流
値を測定し、その複数の測定電流値から直線近似式また
は対数近似式を求め、この近似式によって充電終了時点
の電流値を予測するようにしたので、絶縁抵抗を短時間
でかつ正確に測定することができる。
【図１】コンデンサの等価回路の一例の回路図である。
【図２】コンデンサの等価回路の他の例の回路図であ
る。
る。
【図３】コンデンサの充電電流の変化を示す図である。
【図４】充電電流測定装置の一例の回路図である。
【図５】本発明にかかる充電電流測定方法の工程図であ
る。
る。
【図６】本発明方法を用いた直線近似式と実測値との比
較図である。
較図である。
【図７】充電電流を大きくした時のコンデンサの充電特
性図である。
性図である。
【図８】断続印加時におけるコンデンサの充電特性図で
ある。
ある。
【図９】本発明方法を用いた特性測定・選別・テーピン
グ装置の一例の平面図である。
グ装置の一例の平面図である。
【図１０】本発明方法を用いた特性測定・選別・テーピ
ング装置の他の例の平面図である。
ング装置の他の例の平面図である。
【図１１】本発明方法を用いた特性測定・選別・バルク
ケース詰め装置の一例の平面図である。
ケース詰め装置の一例の平面図である。
１０ 直流測定電源 １２ コンデンサ １３ 抵抗 １４ 対数増幅器 １５ 計測用アンプ １６，１８ Ａ／Ｄ変換器 １７ ＣＰＵ ２０ ターンテーブル ２４ 充電ＩＲ測定部 ２７ パーツフィーダ ２８ テーピング装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田端 利成 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (3)
- 【請求項１】コンデンサに直流電圧を印加する工程と、 電圧印加直後におけるコンデンサの誘電分極成分の充電
領域初期の２つの時点ｔ1 ，ｔ2 の電流値ｉ1 ，ｉ2 を
測定する工程と、 上記測定された２つの電流値ｉ1 ，ｉ2 から、直線近似
式log ｉ＝ａ・log ｔ＋ｂの勾配ａと切片ｂとを求める
工程と、 上記直線近似式から充電時ｔ3 における電流値ｉ3 を求
める工程と、を含むコンデンサの充電電流測定方法。 - 【請求項２】コンデンサに直流電圧を印加する工程と、 電圧印加直後におけるコンデンサの誘電分極成分の充電
領域初期の２つの時点ｔ1 ，ｔ2 の電流値ｉ1 ，ｉ2 を
測定する工程と、 上記測定された２つの電流値ｉ1 ，ｉ2 から、対数近似
式log （log ｉ）＝ａ・log ｔ＋ｂの勾配ａと切片ｂと
を求める工程と、 上記対数近似式から充電時ｔ3 における電流値ｉ3 を求
める工程と、を含むコンデンサの充電電流測定方法。 - 【請求項３】コンデンサへの充電電流を５０ｍＡより大
きな電流としたことを特徴とする請求項１または２に記
載のコンデンサの充電電流測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34861797A JP3293540B2 (ja) | 1996-12-05 | 1997-12-02 | コンデンサの良否判定方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-342707 | 1996-12-05 | ||
| JP34270796 | 1996-12-05 | ||
| JP34861797A JP3293540B2 (ja) | 1996-12-05 | 1997-12-02 | コンデンサの良否判定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10221396A true JPH10221396A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3293540B2 JP3293540B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=26577345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34861797A Expired - Fee Related JP3293540B2 (ja) | 1996-12-05 | 1997-12-02 | コンデンサの良否判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3293540B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6469516B2 (en) | 1998-12-04 | 2002-10-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for inspecting capacitors |
| WO2003010546A1 (fr) * | 2001-07-25 | 2003-02-06 | Tokyo Weld Co., Ltd. | Procede et instrument de mesure de la resistance d'isolement d'un condensateur |
| US10768237B2 (en) | 2017-11-28 | 2020-09-08 | Fanuc Corporation | Motor driving device and measuring method |
| WO2021065219A1 (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 株式会社日立産機システム | 電源コンデンサ静電容量測定装置及び電源コンデンサ静電容量測定方法 |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP34861797A patent/JP3293540B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6469516B2 (en) | 1998-12-04 | 2002-10-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for inspecting capacitors |
| WO2003010546A1 (fr) * | 2001-07-25 | 2003-02-06 | Tokyo Weld Co., Ltd. | Procede et instrument de mesure de la resistance d'isolement d'un condensateur |
| US6642721B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-11-04 | Tokyo Weld Co., Ltd. | Method of measuring insulation resistance of capacitor and insulation resistance measuring apparatus of the same |
| US10768237B2 (en) | 2017-11-28 | 2020-09-08 | Fanuc Corporation | Motor driving device and measuring method |
| WO2021065219A1 (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 株式会社日立産機システム | 電源コンデンサ静電容量測定装置及び電源コンデンサ静電容量測定方法 |
| JP2021056147A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 株式会社日立産機システム | 電源コンデンサ静電容量測定装置及び電源コンデンサ静電容量測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3293540B2 (ja) | 2002-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104714153B (zh) | 绕组测试装置 | |
| US6043665A (en) | Capacitor charging current measurement method | |
| JP2006258686A (ja) | 信頼性測定装置および測定方法 | |
| US9645189B2 (en) | Partial discharge charge amount measuring method and device | |
| JPH10340832A (ja) | コンデンサの特性測定・梱包装置 | |
| JP3293540B2 (ja) | コンデンサの良否判定方法 | |
| JP7449581B2 (ja) | コンデンサの測定装置及びコンデンサの測定方法 | |
| WO2004027438A1 (en) | Method and apparatus for determining iddq | |
| JP2002323526A (ja) | 絶縁抵抗劣化検出方法及びその装置 | |
| JP3175674B2 (ja) | コンデンサの良否判定方法 | |
| JP2012083142A (ja) | 二次電池の内部抵抗演算装置 | |
| JP3307305B2 (ja) | コンデンサの良否判定方法 | |
| CN113608090A (zh) | 脉冲参数调整及双脉冲测试方法、装置、电子设备、介质 | |
| JP2017146194A (ja) | 二次電池の診断装置 | |
| US20140195175A1 (en) | Measuring dielectric breakdown in a dynamic mode | |
| JP2517873B2 (ja) | 熱電型交直流変換器の出力電圧測定装置 | |
| JPS59231459A (ja) | テスト装置 | |
| JPH1078464A (ja) | 電子機器の故障予測方法及び装置 | |
| JPH10239368A (ja) | コンデンサの測定端子接触検出方法および絶縁抵抗測定方法 | |
| JP2581404B2 (ja) | Ｉｃハンドリング装置 | |
| JPH1138067A (ja) | 回路基板の検査装置および検査方法 | |
| JPH08292230A (ja) | Ｉｃの電気特性測定装置およびその方法 | |
| US5057780A (en) | Method and apparatus for measuring trigger and latchback voltage of a semiconductor device | |
| JP2000147050A (ja) | 部分放電測定方法 | |
| JPH0110615Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |