JPH10218675A - セラミック基板の製造方法 - Google Patents
セラミック基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH10218675A JPH10218675A JP9023405A JP2340597A JPH10218675A JP H10218675 A JPH10218675 A JP H10218675A JP 9023405 A JP9023405 A JP 9023405A JP 2340597 A JP2340597 A JP 2340597A JP H10218675 A JPH10218675 A JP H10218675A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- substrate
- hardness
- low
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加圧焼成後の拘束用セラミック層の除去性と
焼成基板の平坦性とを共に良好にする。 【解決手段】 焼成前の低温焼成セラミック基板１１の
両面に宛がう拘束用セラミックグリーンシート１２のセ
ラミック材料（以下「拘束用セラミック」という）の硬
度を低温焼成セラミック基板１１の硬度と同等若しくは
それ以下の硬度に設定して加圧焼成する。次工程のブラ
スト処理に用いる投射材の硬度を、拘束用セラミックの
硬度と同等若しくはそれ以上の硬度で且つ低温焼成セラ
ミック基板１１の硬度と同等若しくはそれ以下の硬度に
設定して、焼成基板の表面の拘束用セラミックをブラス
ト処理で除去する。これにより、加圧焼成後に拘束用セ
ラミックを能率良く除去できると共に、投射材によって
基板表面が削り取られてしまうことを防止できて、基板
表面の平坦性を良好にできる。
焼成基板の平坦性とを共に良好にする。 【解決手段】 焼成前の低温焼成セラミック基板１１の
両面に宛がう拘束用セラミックグリーンシート１２のセ
ラミック材料（以下「拘束用セラミック」という）の硬
度を低温焼成セラミック基板１１の硬度と同等若しくは
それ以下の硬度に設定して加圧焼成する。次工程のブラ
スト処理に用いる投射材の硬度を、拘束用セラミックの
硬度と同等若しくはそれ以上の硬度で且つ低温焼成セラ
ミック基板１１の硬度と同等若しくはそれ以下の硬度に
設定して、焼成基板の表面の拘束用セラミックをブラス
ト処理で除去する。これにより、加圧焼成後に拘束用セ
ラミックを能率良く除去できると共に、投射材によって
基板表面が削り取られてしまうことを防止できて、基板
表面の平坦性を良好にできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、焼成前のセラミッ
ク基板の両面に拘束用セラミック層を宛がって加圧焼成
するセラミック基板の製造方法に関するものである。
ク基板の両面に拘束用セラミック層を宛がって加圧焼成
するセラミック基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、低温焼成セラミック基板を焼成す
る際に、基板の面方向の焼成収縮を小さくして基板寸法
精度を向上させるために、焼成前の低温焼成セラミック
基板の両面に拘束用アルミナグリーンシートを宛がい、
その上から加圧しながら低温焼成セラミック基板を焼成
した後、その焼成基板の両面に付着した未焼結の拘束用
アルミナグリーンシートの残留物（拘束用アルミナグリ
ーンシートは焼成の過程で溶剤や樹脂バインダが飛散し
てアルミナ粉体として残る）を除去して低温焼成セラミ
ック基板を製造する加圧焼成法が提案されている。
る際に、基板の面方向の焼成収縮を小さくして基板寸法
精度を向上させるために、焼成前の低温焼成セラミック
基板の両面に拘束用アルミナグリーンシートを宛がい、
その上から加圧しながら低温焼成セラミック基板を焼成
した後、その焼成基板の両面に付着した未焼結の拘束用
アルミナグリーンシートの残留物（拘束用アルミナグリ
ーンシートは焼成の過程で溶剤や樹脂バインダが飛散し
てアルミナ粉体として残る）を除去して低温焼成セラミ
ック基板を製造する加圧焼成法が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記加圧焼成法では、
加圧焼成終了後に、焼成基板の両面に付着した未焼結の
拘束用アルミナグリーンシートの残留物（アルミナ粉
体）を除去する方法として湿式又は乾式のブラスト処理
が用いられる。このブラスト処理は、微小の投射材を高
圧水流又は高圧空気流等によって基板表面の拘束用アル
ミナに噴射して、該拘束用アルミナを除去する。この
際、投射材の硬度が低い（柔らかい）と、除去能力が低
下して、基板表面の拘束用アルミナを完全に除去するこ
とが困難となるため、投射材は、拘束用アルミナに近い
硬度のものが使用される。低温焼成セラミック（ガラス
セラミック）は、アルミナと比較して柔らかいため、拘
束用アルミナの除去に用いる投射材の硬度が低温焼成セ
ラミック基板より硬くなってしまう。このため、投射材
の投射圧により低温焼成セラミック基板の表面が削り取
られてしまい、基板表面の平坦性が低下して、基板品質
が低下する欠点がある。
加圧焼成終了後に、焼成基板の両面に付着した未焼結の
拘束用アルミナグリーンシートの残留物（アルミナ粉
体）を除去する方法として湿式又は乾式のブラスト処理
が用いられる。このブラスト処理は、微小の投射材を高
圧水流又は高圧空気流等によって基板表面の拘束用アル
ミナに噴射して、該拘束用アルミナを除去する。この
際、投射材の硬度が低い（柔らかい）と、除去能力が低
下して、基板表面の拘束用アルミナを完全に除去するこ
とが困難となるため、投射材は、拘束用アルミナに近い
硬度のものが使用される。低温焼成セラミック（ガラス
セラミック）は、アルミナと比較して柔らかいため、拘
束用アルミナの除去に用いる投射材の硬度が低温焼成セ
ラミック基板より硬くなってしまう。このため、投射材
の投射圧により低温焼成セラミック基板の表面が削り取
られてしまい、基板表面の平坦性が低下して、基板品質
が低下する欠点がある。
【０００４】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、加圧焼成後の拘束用
セラミック層の除去性と焼成基板表面の平坦性とを共に
良好にすることができて、品質の良いセラミック基板を
加圧焼成法で能率良く製造することができるセラミック
基板の製造方法を提供することにある。
たものであり、従ってその目的は、加圧焼成後の拘束用
セラミック層の除去性と焼成基板表面の平坦性とを共に
良好にすることができて、品質の良いセラミック基板を
加圧焼成法で能率良く製造することができるセラミック
基板の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のセラミック基板の製造方法は、加圧焼成す
るセラミック基板の両面に宛がう拘束用セラミック層の
硬度を、前記セラミック基板の硬度と同等若しくはそれ
以下の硬度に設定して、加圧焼成し、次工程のブラスト
処理に用いる投射材の硬度を、前記拘束用セラミック層
の硬度と同等若しくはそれ以上の硬度で且つ前記セラミ
ック基板の硬度と同等若しくはそれ以下の硬度に設定し
て、焼成基板の表面の拘束用セラミック層をブラスト処
理で除去する。この方法では、ブラスト処理で用いる投
射材の硬度が拘束用セラミック層の硬度と同等若しくは
それ以上の硬度であるため、加圧焼成後に拘束用セラミ
ック層を能率良く除去できる。しかも、投射材の硬度
は、セラミック基板の硬度と同等若しくはそれ以下の硬
度であるため、ブラスト処理時に投射材によってセラミ
ック基板の表面が削り取られてしまうことを防止でき
る。
に、本発明のセラミック基板の製造方法は、加圧焼成す
るセラミック基板の両面に宛がう拘束用セラミック層の
硬度を、前記セラミック基板の硬度と同等若しくはそれ
以下の硬度に設定して、加圧焼成し、次工程のブラスト
処理に用いる投射材の硬度を、前記拘束用セラミック層
の硬度と同等若しくはそれ以上の硬度で且つ前記セラミ
ック基板の硬度と同等若しくはそれ以下の硬度に設定し
て、焼成基板の表面の拘束用セラミック層をブラスト処
理で除去する。この方法では、ブラスト処理で用いる投
射材の硬度が拘束用セラミック層の硬度と同等若しくは
それ以上の硬度であるため、加圧焼成後に拘束用セラミ
ック層を能率良く除去できる。しかも、投射材の硬度
は、セラミック基板の硬度と同等若しくはそれ以下の硬
度であるため、ブラスト処理時に投射材によってセラミ
ック基板の表面が削り取られてしまうことを防止でき
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１に示すように、加圧焼成時に
は、低温焼成セラミック基板１１の両面に拘束用セラミ
ックグリーンシート１２（拘束用セラミック層）を宛が
って、その上から加圧しながら８００〜１０００℃で焼
成する。
は、低温焼成セラミック基板１１の両面に拘束用セラミ
ックグリーンシート１２（拘束用セラミック層）を宛が
って、その上から加圧しながら８００〜１０００℃で焼
成する。
【０００７】低温焼成セラミック基板１１は、単層基板
でも良いが、グリーンシート積層法により複数枚のグリ
ーンシートを積層した多層基板でも良い。低温焼成セラ
ミック基板１１の材料としては、例えば、ＣａＯ−Ｓｉ
Ｏ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3系ガラス５０〜６５重量％
（好ましくは６０重量％）とアルミナ５０〜３５重量％
（好ましくは４０重量％）との混合物を用いる。この
他、ＭｇＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス
とアルミナ粉末との混合物、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3系ガラ
スとアルミナとの混合物、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
系ガラスとアルミナとの混合物、コージェライト系結晶
化ガラス等の８００〜１０００℃で焼成できる低温焼成
セラミック材料を用いても良い。
でも良いが、グリーンシート積層法により複数枚のグリ
ーンシートを積層した多層基板でも良い。低温焼成セラ
ミック基板１１の材料としては、例えば、ＣａＯ−Ｓｉ
Ｏ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3系ガラス５０〜６５重量％
（好ましくは６０重量％）とアルミナ５０〜３５重量％
（好ましくは４０重量％）との混合物を用いる。この
他、ＭｇＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス
とアルミナ粉末との混合物、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3系ガラ
スとアルミナとの混合物、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
系ガラスとアルミナとの混合物、コージェライト系結晶
化ガラス等の８００〜１０００℃で焼成できる低温焼成
セラミック材料を用いても良い。
【０００８】低温焼成セラミック基板１１が多層基板の
場合には、各層のグリーンシートを積層する前に、各層
のグリーンシートのビアホールに、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、
Ａｕ、Ａｇ／Ｐｔ、Ｃｕ等の低融点金属の導体ペースト
を充填し、内層に積層されるグリーンシートには、同じ
低融点金属の導体ペーストを使用して内層導体パターン
をスクリーン印刷する。更に、表層のグリーンシートに
は、表層導体パターンをＡｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ
／Ｐｔ、Ｃｕ等の低融点金属の導体ペーストを用いてス
クリーン印刷する。この印刷工程後に、各層のグリーン
シートを積層して加熱圧着して一体化する。尚、表層導
体パターンの印刷は、加圧焼成後に行っても良い。
場合には、各層のグリーンシートを積層する前に、各層
のグリーンシートのビアホールに、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、
Ａｕ、Ａｇ／Ｐｔ、Ｃｕ等の低融点金属の導体ペースト
を充填し、内層に積層されるグリーンシートには、同じ
低融点金属の導体ペーストを使用して内層導体パターン
をスクリーン印刷する。更に、表層のグリーンシートに
は、表層導体パターンをＡｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ
／Ｐｔ、Ｃｕ等の低融点金属の導体ペーストを用いてス
クリーン印刷する。この印刷工程後に、各層のグリーン
シートを積層して加熱圧着して一体化する。尚、表層導
体パターンの印刷は、加圧焼成後に行っても良い。
【０００９】一方、拘束用セラミックグリーンシート１
２は、低温焼成セラミック基板１１の硬度と同等若しく
はそれ以下の硬度のセラミック、例えばＭｇＯ、ＺｒＯ
2 を用いてテープ成形されている。ちなみに、低温焼成
セラミック基板１１のモース硬度が８程度であるのに対
し、ＭｇＯのモース硬度は６、ＺｒＯ2 のモース硬度は
８である（モース硬度は大きい値ほど硬い）。ＭｇＯや
ＺｒＯ2 は、低温焼成セラミック基板１１の焼結温度
（８００〜１０００℃）では焼結しない。しかも、Ｍｇ
ＯやＺｒＯ2 は、低温焼成セラミック基板１１表面のア
ルカリ成分に対して耐蝕性があり、加圧焼成時に低温焼
成セラミック基板１１の表面に融着せず、加圧焼成後の
ブラスト処理時に低温焼成セラミック基板１１から除去
しやすいという特徴がある。尚、拘束用セラミックグリ
ーンシート１２の成形に用いるＭｇＯ、ＺｒＯ2 は、ア
ルカリ成分に対する耐蝕性を高めるために、不純物の含
有量が少ない方が良く、例えば９９．９０％以上の高純
度のＭｇＯ、ＺｒＯ2 を用いることが好ましい。
２は、低温焼成セラミック基板１１の硬度と同等若しく
はそれ以下の硬度のセラミック、例えばＭｇＯ、ＺｒＯ
2 を用いてテープ成形されている。ちなみに、低温焼成
セラミック基板１１のモース硬度が８程度であるのに対
し、ＭｇＯのモース硬度は６、ＺｒＯ2 のモース硬度は
８である（モース硬度は大きい値ほど硬い）。ＭｇＯや
ＺｒＯ2 は、低温焼成セラミック基板１１の焼結温度
（８００〜１０００℃）では焼結しない。しかも、Ｍｇ
ＯやＺｒＯ2 は、低温焼成セラミック基板１１表面のア
ルカリ成分に対して耐蝕性があり、加圧焼成時に低温焼
成セラミック基板１１の表面に融着せず、加圧焼成後の
ブラスト処理時に低温焼成セラミック基板１１から除去
しやすいという特徴がある。尚、拘束用セラミックグリ
ーンシート１２の成形に用いるＭｇＯ、ＺｒＯ2 は、ア
ルカリ成分に対する耐蝕性を高めるために、不純物の含
有量が少ない方が良く、例えば９９．９０％以上の高純
度のＭｇＯ、ＺｒＯ2 を用いることが好ましい。
【００１０】また、拘束用セラミックグリーンシート１
２の成形に用いるＭｇＯ、ＺｒＯ2等のセラミック粉末
の粒径が大きいと、拘束用セラミックグリーンシート１
２の表面に出来る凹凸が大きくなり、加圧焼成時に拘束
用セラミックグリーンシート１２の圧着によって低温焼
成セラミック基板１１の表面に転写される凹凸が大きく
なるため、セラミック粉末の平均粒径が０．１〜１０μ
ｍのものを用いることが好ましく、より好ましくは、平
均粒径が０．２〜５μｍ程度のセラミック粉末を用いる
と良い。
２の成形に用いるＭｇＯ、ＺｒＯ2等のセラミック粉末
の粒径が大きいと、拘束用セラミックグリーンシート１
２の表面に出来る凹凸が大きくなり、加圧焼成時に拘束
用セラミックグリーンシート１２の圧着によって低温焼
成セラミック基板１１の表面に転写される凹凸が大きく
なるため、セラミック粉末の平均粒径が０．１〜１０μ
ｍのものを用いることが好ましく、より好ましくは、平
均粒径が０．２〜５μｍ程度のセラミック粉末を用いる
と良い。
【００１１】このセラミック粉末にバインダ樹脂（例え
ばＰＶＢ、アクリル系やニトロセルロース系の樹脂）、
溶剤（例えばトルエン、キシレン、ブタノール）及び可
塑剤（例えばアミン系有機物、ＤＯＡ）を配合して、十
分に攪拌混合してスラリーを作製し、このスラリーを用
いてドクターブレード法等で拘束用セラミックグリーン
シート１２をテープ成形する。
ばＰＶＢ、アクリル系やニトロセルロース系の樹脂）、
溶剤（例えばトルエン、キシレン、ブタノール）及び可
塑剤（例えばアミン系有機物、ＤＯＡ）を配合して、十
分に攪拌混合してスラリーを作製し、このスラリーを用
いてドクターブレード法等で拘束用セラミックグリーン
シート１２をテープ成形する。
【００１２】この場合、セラミック粉末に対するバイン
ダ樹脂、溶剤、可塑剤の配合比は、セラミック粉末に対
する重量比で、バインダ樹脂が２５重量％以下、溶剤が
５０重量％以下、可塑剤が０．５重量％以上であること
が好ましい。
ダ樹脂、溶剤、可塑剤の配合比は、セラミック粉末に対
する重量比で、バインダ樹脂が２５重量％以下、溶剤が
５０重量％以下、可塑剤が０．５重量％以上であること
が好ましい。
【００１３】つまり、バインダ樹脂の配合量が多すぎる
と、焼成時の加圧力により拘束用セラミックグリーンシ
ート１２の焼成延びが大きくなりすぎるため、セラミッ
ク粉末に対するバインダ樹脂の配合比を２５重量％以下
とすることで、焼成延びを適正範囲内に抑える。
と、焼成時の加圧力により拘束用セラミックグリーンシ
ート１２の焼成延びが大きくなりすぎるため、セラミッ
ク粉末に対するバインダ樹脂の配合比を２５重量％以下
とすることで、焼成延びを適正範囲内に抑える。
【００１４】また、溶剤の配合量が多すぎると、拘束用
セラミックグリーンシート１２のテープ成形後の乾燥時
の収縮量が大きくなりすぎるため、セラミック粉末に対
する溶剤の配合比を５０重量％以下とすることで、乾燥
時の収縮量を適正範囲内に抑える。
セラミックグリーンシート１２のテープ成形後の乾燥時
の収縮量が大きくなりすぎるため、セラミック粉末に対
する溶剤の配合比を５０重量％以下とすることで、乾燥
時の収縮量を適正範囲内に抑える。
【００１５】また、可塑剤の配合量が少なすぎると、溶
剤と分離して十分な可塑性が得られなくなるため、セラ
ミック粉末に対する可塑剤の配合比を０．５重量％以上
とすることで、溶剤と十分に混合させて、必要な可塑性
を確保する。
剤と分離して十分な可塑性が得られなくなるため、セラ
ミック粉末に対する可塑剤の配合比を０．５重量％以上
とすることで、溶剤と十分に混合させて、必要な可塑性
を確保する。
【００１６】以上のような組成の拘束用セラミックグリ
ーンシート１２を用いて低温焼成セラミック基板１１を
加圧焼成する場合には、図１に示すように、低温焼成セ
ラミック基板１１の両面に拘束層用セラミックグリーン
シート１２を宛がって、その上から２〜２０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 の圧力で加圧しながら、低温焼成セラミック基板１
１の焼結温度である８００〜１０００℃（好ましくは９
００℃）で焼成する。この際、低温焼成セラミック基板
１１両面に積層された拘束用セラミックグリーンシート
１２（ＭｇＯ、ＺｒＯ2 等）は、１５００℃以上に加熱
しないと焼結しないので、８００〜１０００℃で焼成す
れば、拘束用セラミックグリーンシート１２は未焼結の
まま残される。但し、焼成の過程で、拘束用セラミック
グリーンシート１２中の溶剤や樹脂バインダが飛散して
セラミック粉体として残る。
ーンシート１２を用いて低温焼成セラミック基板１１を
加圧焼成する場合には、図１に示すように、低温焼成セ
ラミック基板１１の両面に拘束層用セラミックグリーン
シート１２を宛がって、その上から２〜２０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 の圧力で加圧しながら、低温焼成セラミック基板１
１の焼結温度である８００〜１０００℃（好ましくは９
００℃）で焼成する。この際、低温焼成セラミック基板
１１両面に積層された拘束用セラミックグリーンシート
１２（ＭｇＯ、ＺｒＯ2 等）は、１５００℃以上に加熱
しないと焼結しないので、８００〜１０００℃で焼成す
れば、拘束用セラミックグリーンシート１２は未焼結の
まま残される。但し、焼成の過程で、拘束用セラミック
グリーンシート１２中の溶剤や樹脂バインダが飛散して
セラミック粉体として残る。
【００１７】加圧焼成後、低温焼成セラミック基板１１
の両面に付着した拘束用セラミックグリーンシート１２
の残留物（セラミック粉体）を湿式ブラスト（ウォータ
ジェット）又は乾式ブラストにより除去する。この湿式
又は乾式のブラスト処理に用いる投射材は、拘束用セラ
ミックグリーンシート１２のセラミック材料の硬度と同
等若しくはそれ以上の硬度で且つ低温焼成セラミック基
板１１の硬度と同等若しくはそれ以下の硬度のセラミッ
ク粉体を用いる。例えば、拘束用セラミックグリーンシ
ート１２がＭｇＯ（モース硬度：６）の場合には、投射
材はＭｇＯの粉体を用い、また、拘束用セラミックグリ
ーンシート１２がＺｒＯ2 （モース硬度：８）の場合に
は、投射材はＭｇＯ又はＺｒＯ2 の粉体を用いる。
の両面に付着した拘束用セラミックグリーンシート１２
の残留物（セラミック粉体）を湿式ブラスト（ウォータ
ジェット）又は乾式ブラストにより除去する。この湿式
又は乾式のブラスト処理に用いる投射材は、拘束用セラ
ミックグリーンシート１２のセラミック材料の硬度と同
等若しくはそれ以上の硬度で且つ低温焼成セラミック基
板１１の硬度と同等若しくはそれ以下の硬度のセラミッ
ク粉体を用いる。例えば、拘束用セラミックグリーンシ
ート１２がＭｇＯ（モース硬度：６）の場合には、投射
材はＭｇＯの粉体を用い、また、拘束用セラミックグリ
ーンシート１２がＺｒＯ2 （モース硬度：８）の場合に
は、投射材はＭｇＯ又はＺｒＯ2 の粉体を用いる。
【００１８】湿式ブラストでは、投射材を高圧水流によ
って除去対象部位に噴射し、乾式ブラストでは、投射材
を高圧空気流によって除去対象部位に噴射し、低温焼成
セラミック基板１１の両面に付着した拘束用セラミック
グリーンシート１２の残留物（セラミック粉体）を除去
する。例えば、湿式ブラスト（ウォータジェット）の場
合には、投射材の粒径を例えば１０μｍとし、投射圧を
例えば４．５ｋｇｆ／ｃｍ2 とし、製品の搬送速度を例
えば０．２ｍ／分として、投射材を噴射する。この条件
は、一例であり、適宜変更しても良いことは言うまでも
ない。
って除去対象部位に噴射し、乾式ブラストでは、投射材
を高圧空気流によって除去対象部位に噴射し、低温焼成
セラミック基板１１の両面に付着した拘束用セラミック
グリーンシート１２の残留物（セラミック粉体）を除去
する。例えば、湿式ブラスト（ウォータジェット）の場
合には、投射材の粒径を例えば１０μｍとし、投射圧を
例えば４．５ｋｇｆ／ｃｍ2 とし、製品の搬送速度を例
えば０．２ｍ／分として、投射材を噴射する。この条件
は、一例であり、適宜変更しても良いことは言うまでも
ない。
【００１９】ブラスト処理後、低温焼成セラミック基板
１１の表面をバフ研磨して仕上げる。このバフ研磨は、
研磨輪（バフ）を用い、その表面に研磨剤（例えばＳｉ
Ｃ）を付けて、研磨輪を例えば２０００ｒｐｍ程度で回
転させ、この研磨輪を低温焼成セラミック基板１１の表
面に押し付けて仕上げ研磨する（仕上げ面粗さ：＃１５
００相当）。
１１の表面をバフ研磨して仕上げる。このバフ研磨は、
研磨輪（バフ）を用い、その表面に研磨剤（例えばＳｉ
Ｃ）を付けて、研磨輪を例えば２０００ｒｐｍ程度で回
転させ、この研磨輪を低温焼成セラミック基板１１の表
面に押し付けて仕上げ研磨する（仕上げ面粗さ：＃１５
００相当）。
【００２０】バフ研磨終了後、めっき前処理としてアル
カリ脱脂と塩酸洗浄を行った後、低温焼成セラミック基
板１１の表面の導体にＮｉ／Ａｕめっきを施す。これに
て、低温焼成セラミック基板１１の製造工程が完了す
る。
カリ脱脂と塩酸洗浄を行った後、低温焼成セラミック基
板１１の表面の導体にＮｉ／Ａｕめっきを施す。これに
て、低温焼成セラミック基板１１の製造工程が完了す
る。
【００２１】
【実施例】本発明者は、加圧焼成した低温焼成セラミッ
ク基板をブラスト処理する際に、拘束用セラミック層の
硬度と投射材の硬度が拘束用セラミック層の除去性と基
板表面の平坦性に与える影響を考察するブラスト試験を
行ったので、その試験結果を次の表１に示す。
ク基板をブラスト処理する際に、拘束用セラミック層の
硬度と投射材の硬度が拘束用セラミック層の除去性と基
板表面の平坦性に与える影響を考察するブラスト試験を
行ったので、その試験結果を次の表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】この試験で加圧焼成した低温焼成セラミッ
ク基板のモース硬度は８である。拘束用セラミックの材
料は、サンプルＮｏ．１〜３ではアルミナ（モース硬
度：９）、サンプルＮｏ．４〜６ではＺｒＯ2 （モース
硬度：８）、サンプルＮｏ．７〜９ではＭｇＯ（モース
硬度：６）を用いた。
ク基板のモース硬度は８である。拘束用セラミックの材
料は、サンプルＮｏ．１〜３ではアルミナ（モース硬
度：９）、サンプルＮｏ．４〜６ではＺｒＯ2 （モース
硬度：８）、サンプルＮｏ．７〜９ではＭｇＯ（モース
硬度：６）を用いた。
【００２４】また、投射材の材料は、サンプルＮｏ．
１，４，７ではＣａＣＯ3 （モース硬度：３）、サンプ
ルＮｏ．２，５，８ではＭｇＯ（モース硬度：６）、サ
ンプルＮｏ．６，９ではＺｒＯ2 （モース硬度：８）、
サンプルＮｏ．３ではアルミナ（モース硬度：９）を用
いた。ブラスト法は、湿式ブラスト（ウォータジェッ
ト）を用いた。
１，４，７ではＣａＣＯ3 （モース硬度：３）、サンプ
ルＮｏ．２，５，８ではＭｇＯ（モース硬度：６）、サ
ンプルＮｏ．６，９ではＺｒＯ2 （モース硬度：８）、
サンプルＮｏ．３ではアルミナ（モース硬度：９）を用
いた。ブラスト法は、湿式ブラスト（ウォータジェッ
ト）を用いた。
【００２５】この試験結果から、投射材のモース硬度が
拘束用セラミックのモース硬度よりも低い場合（サンプ
ルＮｏ．１，２，４，５，７）は、除去能力が悪く、基
板表面の拘束用セラミックを完全に除去することができ
ず、基板表面に拘束用セラミックが残ってしまった。
尚、拘束用セラミックがＺｒＯ2 （モース硬度：８）の
場合、低温焼成セラミック基板との型離れが良いため、
サンプルＮｏ．５のように、投射材の硬度が拘束用セラ
ミックの硬度より少し低くても、除去性は比較的良好で
あるが、今回の試験条件では、基板表面に一部の拘束用
セラミックが残ってしまった。
拘束用セラミックのモース硬度よりも低い場合（サンプ
ルＮｏ．１，２，４，５，７）は、除去能力が悪く、基
板表面の拘束用セラミックを完全に除去することができ
ず、基板表面に拘束用セラミックが残ってしまった。
尚、拘束用セラミックがＺｒＯ2 （モース硬度：８）の
場合、低温焼成セラミック基板との型離れが良いため、
サンプルＮｏ．５のように、投射材の硬度が拘束用セラ
ミックの硬度より少し低くても、除去性は比較的良好で
あるが、今回の試験条件では、基板表面に一部の拘束用
セラミックが残ってしまった。
【００２６】これに対し、投射材のモース硬度が拘束用
セラミックのモース硬度と同等若しくはそれ以上の場合
（サンプルＮｏ．３，６，８，９）は、除去性が良好で
あり、基板表面の拘束用セラミックを完全に除去するこ
とができた。この試験結果から、除去性を良好にするに
は、投射材の硬度が拘束用セラミックの硬度と同等若し
くはそれ以上であれば良いことが分かる。
セラミックのモース硬度と同等若しくはそれ以上の場合
（サンプルＮｏ．３，６，８，９）は、除去性が良好で
あり、基板表面の拘束用セラミックを完全に除去するこ
とができた。この試験結果から、除去性を良好にするに
は、投射材の硬度が拘束用セラミックの硬度と同等若し
くはそれ以上であれば良いことが分かる。
【００２７】また、ブラスト処理後の低温焼成セラミッ
ク基板の平坦性については、拘束用セラミックの除去不
良が生じたサンプルＮｏ．１，２，４，７は、基板表面
が平坦にならないことは明らかであり、拘束用セラミッ
クの除去残りのために測定不可であった。尚、拘束用セ
ラミックがＺｒＯ2 の場合には、低温焼成セラミック基
板との型離れが良いため、サンプルＮｏ．５（投射材が
ＭｇＯ）のように、基板表面に一部の拘束用セラミック
が残っている場合でも、拘束用セラミックの残量が少な
ければ、バフ研磨により拘束用セラミックを完全に除去
することができ、基板表面の平坦性を確保できる。
ク基板の平坦性については、拘束用セラミックの除去不
良が生じたサンプルＮｏ．１，２，４，７は、基板表面
が平坦にならないことは明らかであり、拘束用セラミッ
クの除去残りのために測定不可であった。尚、拘束用セ
ラミックがＺｒＯ2 の場合には、低温焼成セラミック基
板との型離れが良いため、サンプルＮｏ．５（投射材が
ＭｇＯ）のように、基板表面に一部の拘束用セラミック
が残っている場合でも、拘束用セラミックの残量が少な
ければ、バフ研磨により拘束用セラミックを完全に除去
することができ、基板表面の平坦性を確保できる。
【００２８】一方、ブラスト処理による除去性が良好な
場合でも、基板表面の平坦性が必ずしも良好になるとは
限らない。すなわち、サンプルＮｏ．３では、投射材と
して用いたアルミナ（モース硬度：９）が低温焼成セラ
ミック基板（モース硬度：８）よりも硬い材料であるた
め、投射材の投射圧により基板表面が削り取られてしま
い、基板表面の平坦性が不良となった。
場合でも、基板表面の平坦性が必ずしも良好になるとは
限らない。すなわち、サンプルＮｏ．３では、投射材と
して用いたアルミナ（モース硬度：９）が低温焼成セラ
ミック基板（モース硬度：８）よりも硬い材料であるた
め、投射材の投射圧により基板表面が削り取られてしま
い、基板表面の平坦性が不良となった。
【００２９】これに対し、投射材の硬度が低温焼成セラ
ミック基板の硬度と同等若しくはそれ以下の硬度である
サンプルＮｏ．６，８，９では、ブラスト処理による基
板表面の削り取りが発生せず、基板表面の平坦性が良好
であった。この試験結果から、基板表面の平坦性を良好
にするには、投射材のモース硬度が低温焼成セラミック
基板の硬度と同等若しくはそれ以下の硬度であれば良い
ことが分かる。
ミック基板の硬度と同等若しくはそれ以下の硬度である
サンプルＮｏ．６，８，９では、ブラスト処理による基
板表面の削り取りが発生せず、基板表面の平坦性が良好
であった。この試験結果から、基板表面の平坦性を良好
にするには、投射材のモース硬度が低温焼成セラミック
基板の硬度と同等若しくはそれ以下の硬度であれば良い
ことが分かる。
【００３０】以上の試験結果を総合的に考察すると、拘
束用セラミック層の除去性と基板表面の平坦性との双方
を良好にするためには次の条件を満たす必要がある。拘
束用セラミック層の硬度≦投射材の硬度≦低温焼成セラ
ミック基板の硬度この条件を満たせば、拘束用セラミッ
ク層の除去性と基板表面の平坦性とを共に満足すること
ができる。
束用セラミック層の除去性と基板表面の平坦性との双方
を良好にするためには次の条件を満たす必要がある。拘
束用セラミック層の硬度≦投射材の硬度≦低温焼成セラ
ミック基板の硬度この条件を満たせば、拘束用セラミッ
ク層の除去性と基板表面の平坦性とを共に満足すること
ができる。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のセラミック基板の製造方法では、拘束用セラミック層
の硬度≦投射材の硬度≦セラミック基板の硬度に設定し
て、加圧焼成した後、ブラスト処理により基板表面の拘
束用セラミック層を除去するようにしたので、加圧焼成
後に拘束用セラミック層を能率良く除去できると共に、
投射材によってセラミック基板の表面が削り取られてし
まうことを防止できて、基板表面の平坦性を良好にで
き、品質の良いセラミック基板を加圧焼成法で能率良く
製造することができる。
のセラミック基板の製造方法では、拘束用セラミック層
の硬度≦投射材の硬度≦セラミック基板の硬度に設定し
て、加圧焼成した後、ブラスト処理により基板表面の拘
束用セラミック層を除去するようにしたので、加圧焼成
後に拘束用セラミック層を能率良く除去できると共に、
投射材によってセラミック基板の表面が削り取られてし
まうことを防止できて、基板表面の平坦性を良好にで
き、品質の良いセラミック基板を加圧焼成法で能率良く
製造することができる。
【図１】本発明の一実施形態における加圧焼成時の拘束
用セラミックグリーンシートと低温焼成セラミック基板
との積層状態を示す縦断面図
用セラミックグリーンシートと低温焼成セラミック基板
との積層状態を示す縦断面図
１１…低温焼成セラミック基板（セラミック基板）、１
２…拘束用セラミックグリーンシート（拘束用セラミッ
ク層）。
２…拘束用セラミックグリーンシート（拘束用セラミッ
ク層）。
Claims (1)
- 【請求項１】 焼成前のセラミック基板の両面に該セラ
ミック基板の焼結温度では焼結しない拘束用セラミック
層を宛がって加圧しながら焼成し、焼成後に該拘束用セ
ラミック層をブラスト処理で除去してセラミック基板を
製造する方法において、 前記拘束用セラミック層の硬度を、前記セラミック基板
の硬度と同等若しくはそれ以下の硬度に設定して加圧焼
成すると共に、前記ブラスト処理に用いる投射材の硬度
を、前記拘束用セラミック層の硬度と同等若しくはそれ
以上の硬度で且つ前記セラミック基板の硬度と同等若し
くはそれ以下の硬度に設定してブラスト処理することを
特徴とするセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9023405A JPH10218675A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | セラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9023405A JPH10218675A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | セラミック基板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005108846A Division JP2005247689A (ja) | 2005-04-05 | 2005-04-05 | セラミック基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10218675A true JPH10218675A (ja) | 1998-08-18 |
Family
ID=12109600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9023405A Pending JPH10218675A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10218675A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0993242A1 (en) * | 1998-04-24 | 2000-04-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing ceramic multilayer substrate |
| JP2002368423A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミック基板 |
| JP2003055055A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-02-26 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低温焼成セラミック基板の製造方法 |
| JP2006135012A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Metals Ltd | 多層セラミック基板の製造方法および多層セラミック基板 |
| US7105070B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-09-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method for producing ceramic substrate, and ceramic substrate |
| US10485099B2 (en) | 2016-04-28 | 2019-11-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic substrate |
-
1997
- 1997-02-06 JP JP9023405A patent/JPH10218675A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0993242A1 (en) * | 1998-04-24 | 2000-04-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing ceramic multilayer substrate |
| US6740183B1 (en) * | 1998-04-24 | 2004-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing ceramic multi-layered substrate |
| EP0993242A4 (en) * | 1998-04-24 | 2005-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | PROCESS FOR MANUFACTURING A CERAMIC SUBSTRATE HAVING MULTIPLE LAYERS |
| JP2002368423A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミック基板 |
| JP4686907B2 (ja) * | 2001-06-05 | 2011-05-25 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板の製造方法 |
| JP2003055055A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-02-26 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低温焼成セラミック基板の製造方法 |
| JP4543598B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2010-09-15 | 株式会社村田製作所 | 低温焼成セラミック基板の製造方法 |
| US7105070B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-09-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method for producing ceramic substrate, and ceramic substrate |
| JP2006135012A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Metals Ltd | 多層セラミック基板の製造方法および多層セラミック基板 |
| US10485099B2 (en) | 2016-04-28 | 2019-11-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic substrate |
| US10638603B2 (en) | 2016-04-28 | 2020-04-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI269312B (en) | Conductive paste for terminal electrode of multilayer ceramic electronic part | |
| JP5972630B2 (ja) | 静電チャックの製法 | |
| JPH10218675A (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| US20120138215A1 (en) | Nano glass powder for sintering additive and method for fabricating the same | |
| JP2005079529A (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP2005247689A (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| JP2784527B2 (ja) | ガラスセラミックス基板の製造方法 | |
| JPH10167842A (ja) | 拘束層用セラミックグリーンシート及びこれを用いたセラミック基板の製造方法 | |
| JP3430561B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板に残留した離型剤の除去方法 | |
| JP2001302359A (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| WO1999056510A1 (fr) | Procede servant a fabriquer un substrat en ceramique possedant des couches multiples | |
| JP2001342073A (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP4521990B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP3872284B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP2972200B1 (ja) | 金属表面処理方法およびその処理を施した金属材 | |
| JPH10135071A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH1125754A (ja) | 銅メタライズ組成物及びガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP3872289B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP3854199B2 (ja) | ガラスセラミック基板およびその製造方法 | |
| JPH10316475A (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| JP2007186382A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
| JPH11314984A (ja) | 焼成用道具材 | |
| JP2003168863A (ja) | ガラスセラミック基板およびその製造方法 | |
| JPH0873233A (ja) | ガラスセラミックスグリーンシートの製造方法 | |
| JP2003277169A (ja) | セラミックス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031202 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040105 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040604 |