JPH10213708A - 光吸収フィルタ - Google Patents
光吸収フィルタInfo
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- JPH10213708A JPH10213708A JP9015490A JP1549097A JPH10213708A JP H10213708 A JPH10213708 A JP H10213708A JP 9015490 A JP9015490 A JP 9015490A JP 1549097 A JP1549097 A JP 1549097A JP H10213708 A JPH10213708 A JP H10213708A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 例えば波長λ＝７８０ｎｍの光に対して所望
の透過率と低い反射率を実現することができる光吸収フ
ィルタを提供する。 【解決手段】 Ａｌ層３に隣接して積層される第３Ｓｉ
Ｏ2 層４の厚さｔ＝２０ｎｍ（≒λ／４０）の光吸収フ
ィルタの反射率Ｒは、λ≒８００ｎｍに対して最低値
（略１．８％）となり、所望のλ＝７８０ｎｍに対して
も略２．４％の反射率Ｒとなる。第３ＳｉＯ2 層４の厚
さｔを薄くすると、反射率Ｒが低下すると共に最低値と
なるλが低下し、ｔ＝４ｎｍ（≒λ／２００）の光吸収
フィルタの場合には、所望のλ＝７８０ｎｍに対して反
射率Ｒが最低値となり、さらにその値Ｒも略０％とな
る。
の透過率と低い反射率を実現することができる光吸収フ
ィルタを提供する。 【解決手段】 Ａｌ層３に隣接して積層される第３Ｓｉ
Ｏ2 層４の厚さｔ＝２０ｎｍ（≒λ／４０）の光吸収フ
ィルタの反射率Ｒは、λ≒８００ｎｍに対して最低値
（略１．８％）となり、所望のλ＝７８０ｎｍに対して
も略２．４％の反射率Ｒとなる。第３ＳｉＯ2 層４の厚
さｔを薄くすると、反射率Ｒが低下すると共に最低値と
なるλが低下し、ｔ＝４ｎｍ（≒λ／２００）の光吸収
フィルタの場合には、所望のλ＝７８０ｎｍに対して反
射率Ｒが最低値となり、さらにその値Ｒも略０％とな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光伝送路を介して
伝送された光信号の一部を吸収して透過光強度を制限す
る光吸収フィルタに係り、特に、反射率を低減するため
の光吸収フィルタの多層膜構造に関する。
伝送された光信号の一部を吸収して透過光強度を制限す
る光吸収フィルタに係り、特に、反射率を低減するため
の光吸収フィルタの多層膜構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光吸収フィルタを構成する多層
膜構造を最適化することにより、光信号の一部を吸収し
て透過光強度を制限し、所望の透過率を有する光吸収フ
ィルタを実現することができる。図４（ａ）は従来の光
吸収フィルタの多層膜構造を示し、図４（ｂ）は図４
（ａ）の各層の膜厚と屈折率を示している。この光吸収
フィルタは一般的な光伝送路を介して伝送されるλ＝７
８０ｎｍに対して３０〜４０％を透過する目的で、基板
１ａ，１ｂの間に比較的高い光屈折率（ｎ≒２．５）の
ＴｉＯ2 層と比較的低い光屈折率（ｎ≒１．４５）のＳ
ｉＯ2 層とがλ／５〜λ／１０の厚さで交互に何層も積
層されると共に、ＳｉＯ2 層の間にさらに低い光屈折率
（ｎ≒０．９５）の金属膜２が数〜数十ｎｍの厚さで積
層されている。
膜構造を最適化することにより、光信号の一部を吸収し
て透過光強度を制限し、所望の透過率を有する光吸収フ
ィルタを実現することができる。図４（ａ）は従来の光
吸収フィルタの多層膜構造を示し、図４（ｂ）は図４
（ａ）の各層の膜厚と屈折率を示している。この光吸収
フィルタは一般的な光伝送路を介して伝送されるλ＝７
８０ｎｍに対して３０〜４０％を透過する目的で、基板
１ａ，１ｂの間に比較的高い光屈折率（ｎ≒２．５）の
ＴｉＯ2 層と比較的低い光屈折率（ｎ≒１．４５）のＳ
ｉＯ2 層とがλ／５〜λ／１０の厚さで交互に何層も積
層されると共に、ＳｉＯ2 層の間にさらに低い光屈折率
（ｎ≒０．９５）の金属膜２が数〜数十ｎｍの厚さで積
層されている。
【０００３】図５は図４に示す光吸収フィルタの波長λ
に対する反射率Ｒを示し、図６は同じく透過率Ｔを示し
ている。図５に示すように、反射率Ｒは波長λ＝７３０
ｎｍの近傍で最低値（略１５％）を実現することができ
るものの、所望の波長λ＝７８０ｎｍでは大きくなる。
また、図６に示すように、透過率Ｔは波長λ＝７２０ｎ
ｍの近傍で最高値（略３５％）を実現することができる
ものの、所望の波長λ＝７８０ｎｍではやや小さくな
る。
に対する反射率Ｒを示し、図６は同じく透過率Ｔを示し
ている。図５に示すように、反射率Ｒは波長λ＝７３０
ｎｍの近傍で最低値（略１５％）を実現することができ
るものの、所望の波長λ＝７８０ｎｍでは大きくなる。
また、図６に示すように、透過率Ｔは波長λ＝７２０ｎ
ｍの近傍で最高値（略３５％）を実現することができる
ものの、所望の波長λ＝７８０ｎｍではやや小さくな
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
光吸収フィルタにおいて、反射率が大きくなると戻り光
が信号光に悪影響を及ぼすことが知られているが、前述
した従来の光吸収フィルタでは、反射率Ｒの最低値は略
１５％であり、例えば３％以下のような低反射率を実現
することができなかった。
光吸収フィルタにおいて、反射率が大きくなると戻り光
が信号光に悪影響を及ぼすことが知られているが、前述
した従来の光吸収フィルタでは、反射率Ｒの最低値は略
１５％であり、例えば３％以下のような低反射率を実現
することができなかった。
【０００５】したがって、本発明の目的は、例えば波長
λ＝７８０ｎｍの光に対して所望の透過率と低い反射率
を実現することができる光吸収フィルタを提供すること
にある。
λ＝７８０ｎｍの光に対して所望の透過率と低い反射率
を実現することができる光吸収フィルタを提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、金属膜とそ
れに隣接して積層される誘電体薄膜の膜厚と反射率の関
係に着目し、金属膜に隣接する誘電体薄膜の厚さを変化
させて透過率と反射率を測定したところ、透過率は余り
変化せず、誘電体薄膜が薄くなるにつれて反射率が低下
することが判明した。このような測定結果に基づいて、
本発明は、金属膜に隣接して積層される誘電体薄膜とし
て、厚さがλ／４０以下で屈折率が金属膜より低い誘電
体薄膜を用いることとする。
れに隣接して積層される誘電体薄膜の膜厚と反射率の関
係に着目し、金属膜に隣接する誘電体薄膜の厚さを変化
させて透過率と反射率を測定したところ、透過率は余り
変化せず、誘電体薄膜が薄くなるにつれて反射率が低下
することが判明した。このような測定結果に基づいて、
本発明は、金属膜に隣接して積層される誘電体薄膜とし
て、厚さがλ／４０以下で屈折率が金属膜より低い誘電
体薄膜を用いることとする。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の光吸収フィルタでは、波
長λの光信号の一部を吸収して透過光強度を制限する光
吸収フィルタにおいて、金属膜と、この金属膜に隣接し
て積層される誘電体薄膜とを備え、この誘電体薄膜の屈
折率が前記金属膜よりも低く厚さがλ／４０以下である
ことを特徴としている。
長λの光信号の一部を吸収して透過光強度を制限する光
吸収フィルタにおいて、金属膜と、この金属膜に隣接し
て積層される誘電体薄膜とを備え、この誘電体薄膜の屈
折率が前記金属膜よりも低く厚さがλ／４０以下である
ことを特徴としている。
【０００８】このように構成された光吸収フィルタによ
れば、例えば波長λ＝７８０ｎｍの光に対して所望の透
過率を実現しつつ、従来困難とされていた例えば３％以
下のような低い反射率を実現することができる。
れば、例えば波長λ＝７８０ｎｍの光に対して所望の透
過率を実現しつつ、従来困難とされていた例えば３％以
下のような低い反射率を実現することができる。
【０００９】前記金属膜として例えばＡｌを用いること
ができ、また、前記誘電体薄膜として例えばＳｉＯ2 を
用いることができる。
ができ、また、前記誘電体薄膜として例えばＳｉＯ2 を
用いることができる。
【００１０】
【実施例】実施例について図面を参照して説明すると、
図１は本発明の一実施例に係る光吸収フィルタの説明
図、図２は図１の光吸収フィルタの透過率特性を示す説
明図、図３は図１の光吸収フィルタの反射率特性を示す
説明図である。
図１は本発明の一実施例に係る光吸収フィルタの説明
図、図２は図１の光吸収フィルタの透過率特性を示す説
明図、図３は図１の光吸収フィルタの反射率特性を示す
説明図である。
【００１１】図１（ａ）は光吸収フィルタの多層膜構造
を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）の各層の膜厚と屈折率
を示している。基板１は屈折率ｎ≒１．５のガラスで形
成され、基板２は屈折率ｎ≒１．０のガラスで形成され
ている。そして、基板１上に比較的高い光屈折率（ｎ≒
２．５）のＴｉＯ2 層と、比較的低い光屈折率（ｎ≒
１．４５）のＳｉＯ2 層と、さらに低い光屈折率（ｎ≒
２．８）のＡｌ層３とが 第１ＴｉＯ2 層 ：ｔ≒７５ｎｍ 第１ＳｉＯ2 層 ：ｔ≒２５ｎｍ 第２ＴｉＯ2 層 ：ｔ≒数ｎｍ 第２ＳｉＯ2 層 ：ｔ≒７０ｎｍ 第３ＴｉＯ2 層 ：ｔ≒５０ｎｍ Ａｌ層３ ：ｔ≒２０ｎｍ 第３ＳｉＯ2 層４：ｔ≒λ／４０ｎｍ以下 第４ＴｉＯ2 層 ：ｔ≒７５ｎｍ 第４ＳｉＯ2 層 ：ｔ≒１００ｎｍ 第５ＴｉＯ2 層 ：ｔ≒５０ｎｍ の順でスパッタリング法等により積層され、第５ＴｉＯ
2 層の上にガラス基板２が積層されている。
を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）の各層の膜厚と屈折率
を示している。基板１は屈折率ｎ≒１．５のガラスで形
成され、基板２は屈折率ｎ≒１．０のガラスで形成され
ている。そして、基板１上に比較的高い光屈折率（ｎ≒
２．５）のＴｉＯ2 層と、比較的低い光屈折率（ｎ≒
１．４５）のＳｉＯ2 層と、さらに低い光屈折率（ｎ≒
２．８）のＡｌ層３とが 第１ＴｉＯ2 層 ：ｔ≒７５ｎｍ 第１ＳｉＯ2 層 ：ｔ≒２５ｎｍ 第２ＴｉＯ2 層 ：ｔ≒数ｎｍ 第２ＳｉＯ2 層 ：ｔ≒７０ｎｍ 第３ＴｉＯ2 層 ：ｔ≒５０ｎｍ Ａｌ層３ ：ｔ≒２０ｎｍ 第３ＳｉＯ2 層４：ｔ≒λ／４０ｎｍ以下 第４ＴｉＯ2 層 ：ｔ≒７５ｎｍ 第４ＳｉＯ2 層 ：ｔ≒１００ｎｍ 第５ＴｉＯ2 層 ：ｔ≒５０ｎｍ の順でスパッタリング法等により積層され、第５ＴｉＯ
2 層の上にガラス基板２が積層されている。
【００１２】このように構成された光吸収フィルタにお
いて、波長λを変化させて透過率Ｔを調べたところ、図
２に示すように、波長λが７６０ｎｍ≦λ≦８２０ｎｍ
の範囲で長くなると、透過率Ｔは３７％〜３４％の範囲
で徐々に低下するものの、波長λ＝７８０ｎｍの光に対
して３５％の透過率Ｔを実現することができた。
いて、波長λを変化させて透過率Ｔを調べたところ、図
２に示すように、波長λが７６０ｎｍ≦λ≦８２０ｎｍ
の範囲で長くなると、透過率Ｔは３７％〜３４％の範囲
で徐々に低下するものの、波長λ＝７８０ｎｍの光に対
して３５％の透過率Ｔを実現することができた。
【００１３】また、図３は第３ＳｉＯ2 層４の厚さｔと
して ｔ＝λ／４０≒２０ｎｍ ＝λ／５０≒１５ｎｍ ＝λ／８０≒１０ｎｍ ＝λ／１００≒７ｎｍ ＝λ／２００≒４ｎｍ の５種類の光吸収フィルタを作成し、各光吸収フィルタ
の波長λに対する反射率Ｒを測定したグラフを示してい
る。
して ｔ＝λ／４０≒２０ｎｍ ＝λ／５０≒１５ｎｍ ＝λ／８０≒１０ｎｍ ＝λ／１００≒７ｎｍ ＝λ／２００≒４ｎｍ の５種類の光吸収フィルタを作成し、各光吸収フィルタ
の波長λに対する反射率Ｒを測定したグラフを示してい
る。
【００１４】図３に示すように、ｔ＝２０ｎｍ（≒λ／
４０）のフィルタの反射率Ｒは、λ≒８００ｎｍに対し
て最低値（略１．８％）となり、所望のλ＝７８０ｎｍ
に対しても略２．４％の反射率Ｒを実現することができ
た。また、第３ＳｉＯ2 層４の厚さｔを薄くすると、反
射率Ｒが低下すると共に最低値となるλが低下し、ｔ＝
４ｎｍ（≒λ／２００）の光吸収フィルタの場合には、
所望のλ＝７８０ｎｍに対して反射率Ｒが最低値とな
り、さらにその値Ｒも略０％を実現することができた。
４０）のフィルタの反射率Ｒは、λ≒８００ｎｍに対し
て最低値（略１．８％）となり、所望のλ＝７８０ｎｍ
に対しても略２．４％の反射率Ｒを実現することができ
た。また、第３ＳｉＯ2 層４の厚さｔを薄くすると、反
射率Ｒが低下すると共に最低値となるλが低下し、ｔ＝
４ｎｍ（≒λ／２００）の光吸収フィルタの場合には、
所望のλ＝７８０ｎｍに対して反射率Ｒが最低値とな
り、さらにその値Ｒも略０％を実現することができた。
【００１５】その理由としては、屈折率ｎが高い（ｎ≒
２．８）Ａｌ層３に隣接して、屈折率ｎが低い（ｎ≒
１．４５）ＳｉＯ2 層４をＡｌ層３より薄く積層したか
らと推測される。また、所望のλが異なる場合、屈折率
ｎが高い例えばＡｌ層３のような金属膜に隣接して、厚
さｔがλ／４０以下であって金属膜より薄く、屈折率ｎ
が低い例えばＳｉＯ2 層４のような誘電体薄膜を積層す
ることにより、所望の透過率と低い反射率を実現するこ
とができる。
２．８）Ａｌ層３に隣接して、屈折率ｎが低い（ｎ≒
１．４５）ＳｉＯ2 層４をＡｌ層３より薄く積層したか
らと推測される。また、所望のλが異なる場合、屈折率
ｎが高い例えばＡｌ層３のような金属膜に隣接して、厚
さｔがλ／４０以下であって金属膜より薄く、屈折率ｎ
が低い例えばＳｉＯ2 層４のような誘電体薄膜を積層す
ることにより、所望の透過率と低い反射率を実現するこ
とができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、金
属膜に隣接して厚さがλ／４０以下であって金属膜より
薄く、屈折率が金属膜より低い誘電体薄膜を積層したの
で、所望の透過率と低い反射率を実現することができ
る。
属膜に隣接して厚さがλ／４０以下であって金属膜より
薄く、屈折率が金属膜より低い誘電体薄膜を積層したの
で、所望の透過率と低い反射率を実現することができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係る光吸収フィルタの積層
構造とその各層の膜厚及び屈折率を示す説明図である。
構造とその各層の膜厚及び屈折率を示す説明図である。
【図２】図１の光吸収フィルタの透過率特性を示す説明
図である。
図である。
【図３】図１の光吸収フィルタの反射率特性を示す説明
図である。
図である。
【図４】従来の光吸収フィルタの積層構造とその各層の
膜厚及び屈折率を示す説明図である。
膜厚及び屈折率を示す説明図である。
【図５】図４の光吸収フィルタの反射率特性を示す説明
図である。
図である。
【図６】図１の光吸収フィルタの透過率特性を示す説明
図である。
図である。
１，２ 基板 ３ Ａｌ層（金属膜） ４ 第３ＳｉＯ2 層（誘電体薄膜）
Claims (1)
- 【請求項１】 波長λの光信号の一部を吸収して透過光
強度を制限する光吸収フィルタであって、金属膜と、こ
の金属膜に隣接して積層される誘電体薄膜とを備え、こ
の誘電体薄膜の屈折率が前記金属膜よりも低く厚さがλ
／４０以下であることを特徴とする光吸収フィルタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9015490A JPH10213708A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 光吸収フィルタ |
| DE19803192A DE19803192B4 (de) | 1997-01-29 | 1998-01-28 | Optisches Filter |
| US09/014,835 US5982547A (en) | 1997-01-29 | 1998-01-28 | Optical filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9015490A JPH10213708A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 光吸収フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10213708A true JPH10213708A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11890249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9015490A Withdrawn JPH10213708A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 光吸収フィルタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5982547A (ja) |
| JP (1) | JPH10213708A (ja) |
| DE (1) | DE19803192B4 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6419802B1 (en) * | 2001-03-16 | 2002-07-16 | David Alan Baldwin | System and method for controlling deposition thickness by synchronously varying a sputtering rate of a target with respect to a position of a rotating substrate |
| US6961496B2 (en) * | 2002-03-26 | 2005-11-01 | Avanex Corporation | Optical package with cascaded filtering |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3679291A (en) * | 1970-04-21 | 1972-07-25 | Optical Coating Laboratory Inc | Filter with neutral transmitting multilayer coating having asymmetric reflectance |
| JPS5546706A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-02 | Canon Inc | Phase difference reflecting mirror |
| JPS568107A (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-27 | Olympus Optical Co Ltd | Light absorbing film applied with antireflection |
| JPS6042442B2 (ja) * | 1979-10-15 | 1985-09-21 | セイコーエプソン株式会社 | 反射防止膜 |
| JPS57195207A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-30 | Olympus Optical Co Ltd | Light absorbing film |
| JPH0247722A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子計算機システム |
| US5216551A (en) * | 1990-02-16 | 1993-06-01 | Asahi Kogaku Kogyo K.K. | Surface reflector |
| US5183700A (en) * | 1990-08-10 | 1993-02-02 | Viratec Thin Films, Inc. | Solar control properties in low emissivity coatings |
| US5140457A (en) * | 1990-11-13 | 1992-08-18 | Bausch & Lomb Incorporated | Reflector for display lighting |
| JPH06177018A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Hitachi Ltd | 光学素子および光学素子の照明方法並びに投影露光装置 |
| WO1994019709A1 (en) * | 1993-02-19 | 1994-09-01 | Photran Corporation | A light attenuating anti-reflection coating including electrically conductive layers |
| US5521759A (en) * | 1993-06-07 | 1996-05-28 | National Research Council Of Canada | Optical filters for suppressing unwanted reflections |
| MX9605356A (es) * | 1994-05-03 | 1997-12-31 | Cardinal Ig Co | Articulo transparente que tiene pelicula de nitruro de silicio protectora. |
| DE19541937C1 (de) * | 1995-11-10 | 1996-11-28 | Ver Glaswerke Gmbh | Wärmedämmendes Schichtsystem mit niedriger Emissivität, hoher Transmission und neutraler Ansicht in Reflexion und Transmission |
-
1997
- 1997-01-29 JP JP9015490A patent/JPH10213708A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-01-28 DE DE19803192A patent/DE19803192B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-01-28 US US09/014,835 patent/US5982547A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19803192A1 (de) | 1998-08-06 |
| DE19803192B4 (de) | 2005-07-07 |
| US5982547A (en) | 1999-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040907 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20041022 |