JPH10212268A - アリールアミンの調製プロセス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）
−４−ビフェニルアミンの調製プロセスを提供する。 【解決手段】 この調製プロセスは、Ｎ−（３，４−ジ
メチルフェニル）−４−ビフェニルアミンとヨードキシ
レンとを配位結合された銅触媒の存在下で反応させるこ
とを含み、配位子は、単座第三級アミンと二座第三級ア
ミンからなる群から選択され、反応は、約１２０℃ない
し約１５０℃の温度で行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は一般に光導電性作像
体のために選択することができるアリールアミンの調製
プロセスに関し、より特定的には、本発明は、アリール
アミンＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４
−ビフェニルアミンの調製に関する。実施の形態におい
て、本発明は、アリールアミン等の正孔輸送分子の調製
のための改良されたプロセスであって、銅配位子触媒が
選択され、実施の形態においては低温で行われるプロセ
スに関する。本発明のプロセスのために選択される触媒
は、配位結合された銅塩、より特定的には第一銅塩を含
み、配位子は、１，１０−フェナントロリン、ピリジン
等の単座第三級アミンおよび二座第三級アミンであるこ
とを特徴とする。本発明のプロセスで得られる、Ｎ，Ｎ
−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニル
アミン等の生成物は、光発生層、電荷輸送層、および支
持基板を備えた層状の光導電性作像体に組み込むことが
でき、例えば米国特許第４，２６５，９９０号を参照さ
れたい。上記特許の開示はここにその全体が引用により
援用される。上述の層状の光導電性作像体は、光発生層
が電荷輸送層と基板との間に配置されるときには負に帯
電でき、電荷輸送層が光発生層と支持基板との間に配置
されるときには正に帯電できる。層状の光導電性作像体
は、特に、負または正に帯電された画像が適切な電荷の
トナー組成物で可視像にされるゼログラフィ作像および
プリントプロセスなどの電子写真作像プロセス等を含む
既知の作像およびプリントプロセスならびにデジタル処
理に用いることができる。一般に、作像体は約５００な
いし約８５０ナノメートルの波長帯において敏感である
ため、光源としてダイオードレーザーを選択することが
できる。

【０００２】

【従来の技術】電荷輸送分子の調製プロセスは、いくつ
か知られており、例えば、米国特許第４，２９９，９８
３号、第４，４８５，２６０号、第４，２４０，９８７
号、第４，７６４，６２５号、第４，２９９，９８３号
を参照されたい。上記各特許の開示はここにその全体を
引用により援用する。上記のおよび他の同様の従来技術
は、例えば、１６０℃等の高温でのＮ−（３−メチルフ
ェニル）アニリンおよび４，４’−ジヨードビフェニル
のウルマン縮合を例示しており（第４，７６４，６２５
号特許を参照されたい）、配位結合されていない酸化銅
（Ｉ）触媒が選択される。これらのプロセスでは、通
常、発生される粗製の電荷輸送分子が、本発明のプロセ
スの実施形態で得られる電荷輸送分子よりも、品質が劣
り、純度も低い。粗製の状態での純度が高くなると精製
プロトコルの選択の幅もかなり広がる。さらに、高温で
の反応はやっかいな不純物を生みやすく、大がかりな精
製を必要とする。このことは、層状の光導電性ゼログラ
フィ作像体における電荷輸送分子として用いる場合など
の電子グレード純度の高い生成物が必要とされるまたは
要求される場合には特に重要となる。米国特許第４，２
６５，９９０号を参照されたい。この特許の開示はここ
にその全体を引用により援用する。さらに、より低温で
行うことによって、エネルギの要求が小さくなることな
どから、これらのプロセスのコスト面によい影響を与え
る。

【０００３】欧州特許公報ＥＰ０ ６１７ ００５ Ａ
２は、アリールアミン、特に式（Ｉ）のトリアクリルア
ミンを開示している。このアリールアミンは、３，４−
キシリデンをアセチル化し、その後アセチル化された生
成物をハロゲン化されたアリール化合物と縮合させて、
Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）−Ｎ−アリールアミ
ンを形成し、次に式Ａｒ₂Ｘのハロゲン化されたアリー
ル化合物とジアリールアミン化合物を縮合させることに
よって調製することができ（例えば、上記特許公報の４
ページを参照されたい）、金属銅粉末、硫酸銅、酸化銅
（Ｉ）、ヨウ化銅、硝酸銅の銅触媒が選択される（４ペ
ージ４６行目以降を参照されたい）。この公報ではま
た、縮合温度は例えば約２００℃と高く、反応にはたと
えば約３０時間というかなりの時間がかかり得ることが
示唆されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記特許公報に示され
ているプロセスでは、所望の生成物を得るために、明ら
かに、高温で長時間にわたる反応が必要とされている。
対照的に、本発明ではその実施の形態において、ビス
（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン
をかなり緩やかな条件のもとで調製するプロセスが提供
され、このプロセスにおいては配位子触媒が選択される
が、この触媒は上記ＥＰＯ特許公報では例示されていな
いと思われる。さらに、本発明においては、その実施の
形態において、選択された銅配位子触媒によってアミン
生成物の合成の反応時間が短縮され、所望の生成物の純
度が、たとえば純度９５％と高く、この生成物を電子グ
レード約９９．７％以上にさらに精製することが容易に
可能である。

【０００５】本願と関連がある可能性のある他の従来技
術には、特開平５−８５１５３号公報、特開平５−１３
６９２７号公報、特開平５−１９１８２１号公報などが
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の目的の例は、実
施の形態において、以下のものを含む。

【０００７】本発明の一目的は、電荷輸送アリールアミ
ンの調製プロセスであって、ここで例示する多くの利点
を有し、かつ結果として得られる電荷輸送、特に正孔輸
送成分が層状の光導電性作像体に用いるために選択でき
るプロセスを提供することである。

【０００８】本発明の別の目的は、電荷輸送成分、特
に、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−
ビフェニルアミンの調製のための低温のプロセスを提供
することである。

【０００９】本発明のさらに別の目的は、ウルマン縮合
反応によって電荷輸送成分を調製し、銅の有機配位子が
触媒アジュバントまたは触媒促進剤として選択されるプ
ロセスにある。

【００１０】本発明のさらに別の目的は、アリールアミ
ン、特に、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）
−４−ビフェニルアミンを高い純度で、かつ優れた収率
をもたらすように調製するための経済的にコストを削減
できるプロセスを提供することである。

【００１１】本発明のさらに別の目的は、約１００℃な
いし約１５０℃、好ましくは約１２０℃ないし約１３０
℃の低温を選択することができ、銅の有機配位子が触媒
促進剤として選択され、得られる粗製の生成物が優れた
純度を示し、この生成物を、濾過、蒸留、カラムクロマ
トグラフィ、真空蒸留等の既知の方法でさらに精製でき
るプロセスに関する。

【００１２】本発明のさらに別の具体的な目的は、アリ
ールアミン正孔輸送層、特に、ここで例示されるプロセ
スによって得られるＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフ
ェニル）−４−ビフェニルアミンを含む正孔輸送層と光
発生層とを備えた光応答性作像体を提供することにあ
る。

【００１３】さらに、本発明のさらに別の目的は、以下
のような正孔輸送分子の調製プロセスを提供することで
あって、すなわち、反応温度が、市販の正孔輸送アリー
ルアミンの調製で現在用いられている約１６０ないし２
２０℃を下回る温度であり、より特定的には、本発明の
反応は実施の形態においては、たとえば１６０℃よりも
４０℃低い温度で、さらに特定的には１２５℃で達成で
き、１，１０−フェナントロリンキレート化剤や、塩化
銅（Ｉ）等の生成物などの触媒が選択されるプロセスを
提供することである。上述のように、温度がより低く、
反応条件がより緩やかになることによって、プロセスが
より簡単なものとなり、純粋な、すなわち、例えば電子
グレードの高い、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェ
ニル）−４−ビフェニルアミンのアリールアミンの調製
プロトコルがより効率の良いものとなると考えられる。

【００１４】本発明は、その実施の形態において、アリ
ールアミンの調製プロセスに関し、より具体的には、ビ
ス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミ
ンの調製プロセスに関し、上記アミンを層状の光導電性
作像体における電荷輸送分子として選択することができ
る。米国特許第４，７６４，６２５号を参照されたい。
この特許の開示はその全体をここに引用により援用す
る。本発明の実施の形態におけるプロセスは、Ｎ−
（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン
等の適切なアミンとヨードキシレン、特に４−ヨード−
ｏ−キシレンとを配位結合された銅触媒の存在下で反応
させることを含み、配位子は、単座第三級アミンと二座
第三級アミンとからなる群から選択される。Ｎ−（３，
４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンである
アミンは、これまで化学文献には記載されていないと思
われるが、３，４−ジメチルアニリンを出発物とし、か
つ４−ブロモビフェニルをアリール化剤として用いるこ
とで、典型的なゴールドバーグアリール化法によって容
易に調製することができる。

【００１５】本発明の実施の形態は、例えば、アリール
アミンの調製プロセスを含み、より特定的には、Ｎ，Ｎ
−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニル
アミンの調製プロセスを含み、このプロセスは、Ｎ−
（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン
とヨードキシレンとの反応を含み、この反応は配位結合
された銅触媒の存在下で行われ、配位子は、単座第三級
アミンと二座第三級アミンとからなる群から選択され
る。好ましくは、このＮ−（３，４−ジメチルフェニ
ル）−４−ビフェニルアミン反応物は、４−ブロモビフ
ェニルとＮ−（３，４−ジメチルフェニル）アセトアミ
ドとの典型的なゴールドバーグアリール化法によって調
製される。所望のトリアリールアミン生成物を得ること
を可能にする反応は、例えば摂氏約１２０℃ないし約１
５０℃、好ましくは約１２０℃ないし約１４０℃、より
好ましくは約１２５℃の低温で行うことができ、触媒
は、１，１０−フェナントロレート（phenanthrolato）
銅（Ｉ）（一価）クロライド、ジピリジノ銅（Ｉ）クロ
ライド、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）ブロマ
イド、ジピリジノ銅（Ｉ）ブロマイド、１，１０−フェ
ナントロレート銅（Ｉ）クロライド、１，１０−フェナ
ントロレート銅（Ｉ）ブロマイド、またはジピリジノ銅
（Ｉ）ブロマイドである。選択される触媒は重要であ
り、実施の形態においては、有機配位子を含む銅を含
み、配位子は、ここで示されるような単座第三級アミン
と二座第三級アミンからなる群から選択され、より具体
的には、式（１，１０−フェナントロレート）Ｃｕ
（Ｘ）およびビス（ピリジナート）Ｃｕ（Ｘ）等の銅触
媒または化合物であって、ここでＸはクロライド等のハ
ロゲン化物である。

【００１６】実施の形態において、本発明は、Ｎ，Ｎ−
ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルア
ミンの調製プロセスに関し、このプロセスは、配位結合
された銅触媒の存在下でのＮ−（３，４−ジメチルフェ
ニル）−４−ビフェニルアミンとヨードキシレンとの反
応を含み、配位子は、単座第三級アミンと二座第三級ア
ミンとからなる群から選択され、この反応は約１２０℃
ないし約１５０℃の温度で行われる。ここで、ヨードキ
シレンは、４−ヨード−オルト−キシレンであり、加熱
後冷却を行って、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェ
ニル）−４−ビフェニルアミン生成物が単離される。反
応温度は好ましくは約１２０℃ないし約１４０℃であ
り、至適には温度は約１２５℃である。約０．０１ない
し約０．１モル当量の配位結合された銅触媒が選択さ
れ、選択されるＮ−（３，４−ジメチルフェニル）−４
−ビフェニルアミンは、約０．９５ないし約１．２０モ
ル当量であり、選択されるヨードキシレンの量は約１モ
ルである。ここで、反応は、３００ないし４００ミリリ
ットルのトリデカン、トルエン、キシレン等の不活性炭
化水素溶媒の存在下で行われる。このように、本発明
は、配位結合された銅触媒の存在下でのＮ−（３，４−
ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンとヨードキ
シレンとの反応を含むＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチル
フェニル）−４−ビフェニルアミンの調製プロセスであ
って、配位子が、単座第三級アミンと二座第三級アミン
とからなる群から選択されるプロセスを提供する。

【００１７】本発明のプロセスのために選択される触媒
はここで例示されるようなものであり、実施の形態にお
いては、クロライド（塩化物）、ブロマイド（臭化
物）、ヨウ化物、およびフッ化物等のハロゲン化物の塩
を含む配位結合された銅塩、特に銅（Ｉ）を含み、配位
子は、１，１０−フェナントロリンまたはピリジン等の
単座第三級アミン、または二座第三級アミンである。選
択される触媒の量は様々であってもよく、一般的には、
触媒はその有効量が用いられ、たとえば、反応物の約１
ないし約２０モルパーセント、好ましくは制限反応物の
約５ないし約１２モルパーセントが用いられる。銅触媒
に求められる構造式の例は同時係属中の出願に例示され
るようなものであり、以下を含む。

【００１８】

【化１】 実施の形態においては、触媒は１，１０−フェナントロ
レート銅（Ｉ）クロライド、ジピリジノ銅（Ｉ）クロラ
イド、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）ブロマイ
ド、ジピリジノ銅（Ｉ）ブロマイド等を含む。

【００１９】触媒はここで例示し、かつここで言及した
同時係属中の出願に例示されるように調製することがで
き、より具体的には、１，１０−フェナントロリン等の
適切な配位子と塩化銅（Ｉ）等の銅塩の反応によって調
製することができ、この反応は、たとえば約７０℃から
約１２５℃への加熱で達成される。反応混合物は冷却さ
れ、生成された触媒は、濾過などによって単離されても
よいと考えられる。好ましくは、触媒は、ここで例示さ
れるようにインシトゥ（in situ）で調製される。上記
の式において、ＣｌはＸであってもよく、ここで、Ｘ
は、クロライド、ブロマイド、ヨウ化物、またはフッ化
物等のハロゲン化物である。

【００２０】本発明の具体的な実施の形態は、Ｎ−
（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン
中間体の以下のような合成を含む。機械攪拌子、不活性
ガスパージング装置、ディーン・スターク（Dean-Star
k) トラップ、および還流冷却器を取り付けた適切な反
応フラスコに、以下の順で物質を入れた。すなわち、約
１モルの４−ブロモビフェニルと、約１ないし２モル、
好ましくは約１ないし１．２モルのＮ−３，４−ジメチ
ルフェニルアセトアミドと、約１ないし２モル、好まし
くは約１．２ないし１．４モルの炭酸カリウムと、約
０．０１ないし約０．２モル、好ましくは約０．０３な
いし０．１モルの硫酸銅（ＩＩ）五水和物と、約２０ミ
リリットルの高沸点不活性炭化水素溶媒、好ましくはト
リデカンとを入れた。反応混合物を急速に約３０分にわ
たって約２００ないし約２５０℃、好ましくは約２３０
℃の温度まで加熱し、クロマトグラフィ分析によって反
応が完了したことを確認するまでこの温度でプロセスを
進めた。反応中に、共沸蒸留によって水を反応容器から
除去した。約１０ないし２０時間後、典型的には１４時
間後、反応物を摂氏８０℃を下回る温度、より特定的に
は約７５℃まで冷却させ、約２．５ないし３．５モル、
好ましくは約３モルの水酸化カリウム、８００ミリリッ
トルの変性エタノール、および１００ミリリットルの脱
イオン水を容器に入れた。次に、反応混合物を再加熱し
て還流させ、クロマトグラフィ分析によって中間体の加
水分解が完了したことが明らかになるまで約８５℃でプ
ロセスを進めた。通常、これには３時間を要した。次
に、反応物を室温、約２５℃まで冷却し、攪拌しなが
ら、２リットルの脱イオン水に注ぎ入れた。中間生成物
は濾過等のいくつかの方法で単離することができ、水で
洗浄した。その後、イソオクタンからの再結晶化によっ
て乾燥アミンをさらに精製し、最終反応で用いるのに十
分純度の高い、１０９ないし１１０℃で融解するオフホ
ワイトの固体を得た。高性能液体クロマトグラフィで確
認した純度は９８ないし９９．５パーセントであり、か
つ全体の中間生成物の収率は約７６パーセントであっ
た。

【００２１】次に、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフ
ェニル）−４−ビフェニルアミンは以下のように調製す
ることができる。機械攪拌子、不活性ガスパージング装
置、ディーン・スタークトラップ、および還流冷却器を
取り付けた適切な反応フラスコに、以下の順で物質を入
れる。すなわち、約０．１モルの４−ヨード−ｏ−キシ
レンと、約０．１ないし０．２モル、好ましくは０．１
１モルのＮ−（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフ
ェニルアミンと、約０．０１ないし０．１モル、好まし
くは０．０４モルの塩化銅（Ｉ）と、塩化銅（Ｉ）と等
モル量（０．０４）の配位子１，１０−フェナントロリ
ンと、約０．６ないし１．０モル、好ましくは約０．８
モルの薄片（フレーク）状の水酸化カリウムと、約３５
ミリリットルのトルエンとを入れる。反応混合物を急速
に加熱して還流させ、クロマトグラフィ分析によって反
応が完了したことが明らかになるまで１３０℃で保持す
る。反応水は共沸蒸留によって回収することができる。
典型的には、反応を完了するのに３ないし４時間を要す
る。室温まで冷却した後、反応混合物を２００ミリリッ
トルのトルエンと１５０ミリリットルの脱イオン水とに
分配させる。結果として得られる層が分離され、有機相
を水の共沸蒸留によって乾燥させる。次にトルエン溶液
を、約２４グラムの「Alcoa CG-20」アルミナおよび酸
洗浄クレー「Filtrol-24」（登録商標）で処理して、お
おむね脱色する。溶媒の濾過および蒸発によって約８０
パーセントの収率で所望の生成物を得た。

【００２２】本発明のプロセスで生成される電荷輸送ア
ミンを含有した層状の光応答性作像体は、様々な形態で
提供することが可能である。実施の形態において、層状
の光応答性すなわち光導電性作像体は、支持基板と、本
発明のプロセスで得られるアリールアミン正孔輸送成分
を含む電荷輸送層と、その間に配置される光発生層とを
含み、光発生層の例としては、フタロシアニン、ヒドロ
キシガリウムフタロシアニン（特にタイプＶ）、チタニ
ルフタロシアニン、ペリレン（特にＢＺＰ）、セレン
（特に三方晶系セレン）、セレン合金や、他の有効な既
知の光発生顔料を含むものなどが挙げられる。さらに、
支持基板と、電荷輸送層、特にアリールアミン正孔輸送
層と、上層のオーバーコート層としての光発生層とを含
む、正に帯電される層状の光応答性作像体が開示され
る。さらに、支持基板と、薄い接着層と、ポリマー樹脂
結合剤に分散される光発生層と、ポリマー樹脂結合剤に
分散される上層のアリールアミン正孔輸送分子とを含
む、負に帯電される光応答性作像体が開示され、上記ア
リールアミン分子は本発明のプロセスで得ることができ
る。

【００２３】光応答性作像体は、様々な既知の方法およ
びプロセスパラメータを用いて調製でき、層を塗布する
順序は所望される部材に依存する。正帯電に適した作像
体は、光発生層と正孔輸送層の堆積順を逆にすることに
よって調製できる。作像体の光発生層および電荷輸送層
は、スプレーコータ、ディップコータ、押出しコータ
ー、ローラーコーター、ワイヤーバーコーター、スロッ
トコーター、ドクターブレードコーター、グラビアコー
ター等を用いて選択的な基板の上に溶液または分散体と
して塗布することができ、約４０℃ないし約２００℃で
約１０分から数時間、より特定的には約５時間にわたっ
て定常状態で、または空気流中で乾燥させる。塗布は、
乾燥後の塗布した最終の厚さが０．０１ないし約３０ミ
クロンになるように行われる。任意の層の製造条件は、
最終装置において最適な性能およびコストを得るように
調整してもよい。作像体は、たとえば、光発生顔料がチ
タニルフタロシアニン顔料の場合、約６００ナノメート
ルないし約９００ナノメートルの波長の光を吸収するた
め、このようなゼログラフィ作像プロセスにおいて有用
である。これらの既知のプロセスにおいては、まず静電
潜像が作像体上に形成され、その後現像して、像を適切
な基板、例えば紙に転写し、定着させる。さらに、作像
体は、典型的には６６０ないし約８３０ナノメートルの
波長で機能するヒ化ガリウム発光ダイオード（ＬＥＤ）
アレイを用いた電子プリントプロセスに使用するために
も選択することができる。

【００２４】作像体のために選択される基板層は、不透
明であっても良いし、または実質的に透明であっても良
く、必要とされる機械的特性を有していればいかなる適
切な材料を含んでも良い。従って、基板は、市販のポリ
マーである「ＭＹＬＡＲ」（登録商標）、チタン含有
「ＭＹＬＡＲ」等の無機または有機ポリマー材料を含む
絶縁材料層、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の半導体
表面層またはその上に塗布されたアルミニウムを有する
有機または無機材料層、または、アルミニウム、クロ
ム、ニッケル、真鍮等の導電材料層を含んでも良い。基
板は、可撓性のあるものであっても、シームレス（継ぎ
目のないもの）であっても、また剛性のものであっても
良く、その形状は、例えば、板状、円筒状のドラム、ス
クロール（巻物状）、可撓性エンドレスベルト等、様々
であってよい。一実施形態においては、基板はシームレ
スの可撓性ベルトの形態である。基板が可撓性の有機ポ
リマー材料、市販の「MAKROLON」（登録商標）等のポリ
カーボネート材料等のカーリング防止層などである場合
には特に、基板の裏面をコーティングすることが望まし
い場合もあるであろう。

【００２５】基板層の厚さは、経済面での問題などの多
くの要因に依存し、そのため、この層は、例えば３００
０ミクロン以上とかなりの厚さであってもよいし、また
は、システムに悪影響を与えることのない最小の厚さで
あってもよい。一実施形態においては、この層の厚さは
約７５ミクロンないし約３００ミクロンである。

【００２６】一般に、光発生層の厚さは、他の層の厚さ
や、この層に含まれる光発生材料の量等のいくつかの要
因に依存する。従って、この層は、光発生組成層が約５
体積パーセントないし約１００体積パーセントの量で存
在する場合には、約０．０５ミクロンないし約１０ミク
ロンの厚さであろう。一実施形態において、この層の厚
さは光発生組成物がこの層において３０ないし７５体積
パーセントの量で存在する場合には約０．２５ミクロン
ないし約１ミクロンである。一実施形態においてこの層
の最大の厚さは、主に、感光度、電気的特性、機械的な
考慮点などの要因に依存する。電荷発生層は、適切な溶
媒と光発生顔料および結合剤樹脂の分散コーティングに
よって得ることができるが、結合剤は含まれなくてもよ
い。分散体は、ペイントシェーカー、ボールミル、サン
ドミル、アトライター等の装置内で光発生顔料を混合お
よび／または粉砕することによって調製できる。この装
置において、ガラスビーズ、スチールボール、またはセ
ラミックビーズ等の一般的な研削媒体を用いてもよい。
有効量、例えば約１ないし約２０重量パーセント、また
は約５ないし約１０重量パーセントで選択され得る結合
剤樹脂は、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルカ
ルバゾール）、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ
塩化ビニル、ポリアクリル酸エステル、メタクリル酸エ
ステル、塩化ビニルと酢酸ビニルのコポリマー、フェノ
キシ樹脂、ポリウレタン、ポリビニルアルコール、ポリ
アクリロニトリル、ポリスチレン等のいくつかの既知の
ポリマーを含む。これらの結合剤または樹脂を溶解する
溶媒はその特定の樹脂に依存する。実施の形態において
は、装置の他のコート層に影響を及ぼさない溶媒を選択
することが望ましい。有用な溶媒の例としては、ケト
ン、アルコール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭
化水素、エーテル、アミン、アミド、エステル等が挙げ
られる。溶媒の具体例としては、シクロヘキサノン、ア
セトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノー
ル、ブタノール、アミルアルコール、トルエン、キシレ
ン、クロロベンゼン、四塩化炭素、クロロホルム、塩化
メチレン、トリクロロエチレン、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、酢酸ブチル、酢酸エチル、
メトキシエチルアセタート等が挙げられる。

【００２７】光発生顔料分散体のコーティングは、約４
０℃ないし約１５０℃で約５分ないし約９０分乾燥させ
た後で電荷発生層の最終の乾燥した厚さが約０．０１な
いし約３０ミクロン、好ましくは約０．１ないし約１５
ミクロンとなるように、スプレーコーティング、ディッ
プコーティング、ワイヤーバーコーティング法で行うこ
とができる。

【００２８】光発生顔料に使用するために選択できるポ
リマー結合剤樹脂材料の例はここで例示されるようなも
のであるとともに、米国特許第３，１２１，００６号に
開示されるようなポリマーを含み、この特許の開示の全
体をここに引用により援用する。

【００２９】通常、接着層は支持基板と接するため、ポ
リエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラール）、
ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、およびポリ
アクリロニトリルを含む様々な既知の物質を選択するこ
とができる。この層は、約０．０５ミクロンないし約１
ミクロンの厚さである。必要に応じて、この層は、酸化
亜鉛、二酸化チタン、窒化シリコン、カーボンブラック
等の導電性および非導電性粒子を含んでもよく、それに
よって、例えば、望ましい電気的および光学的特性を与
えるようにしてもよい。

【００３０】電荷輸送層のために選択される絶縁性が高
く、かつ透明の樹脂材料または非活性の結合剤は、米国
特許第３，１２１，００６号に記載されるような結合剤
を含み、その開示全体をここに引用により援用する。有
機樹脂材料の具体例としては、ポリカーボネート、アク
リル酸ポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマ
ー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリ
ウレタン、およびエポキシや、そのブロック、ランダ
ム、または交互共重合体（コポリマー）等を含む。電気
的に非活性の結合剤で好ましいのは、約２０，０００な
いし約１００，０００の分子量を有するポリカーボネー
ト樹脂を含み、約５０，０００ないし約１００，０００
の分子量を有するものが特に好ましい。一般に、樹脂結
合剤は、活性の電荷輸送材料を約１０ないし約７５重量
パーセント含み、好ましくは、この材料を約３５パーセ
ントないし約５０パーセント含む。

【００３１】さらに、ここで例示される光応答性装置を
用いた作像およびプリント方法が開示される。これらの
方法は、一般に、作像体上に静電潜像を形成し、その
後、その像をトナー組成物で現像することを含む。米国
特許第４，５６０，６３５号、第４，２９８，６９７
号、および第４，３３８，３９０号を参照されたい。な
お、この開示はその全体がここに引用によって援用され
る。次に、その像を適切な基板に転写し、永久的に定着
させる。装置がプリントモードで使用されるような環境
においては、作像方法は、露光ステップがレーザー装置
またはイメージバー（image bar）で行うことができる
ことを除いては、同じステップを含む。

【００３２】

【発明の実施の形態】実施の形態１． Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルア
ミン中間体の合成 機械攪拌子、ディーン・スタークトラップ、および還流
冷却器を取り付けた１リットルの丸底フラスコに、１６
６．４８グラム（１．０２モル）のＮ−（３，４−ジメ
チルフェニル）アセトアミドと、２３３．１グラム
（１．０２モル）の４−ブロモビフェニルと、７．５グ
ラム（０．０３モル）の硫酸銅（ＩＩ）五水和物と、１
６５．８６グラム（１．２モル）の炭酸カリウムと、２
０ミリリットルのトリデカン溶媒とを入れた。結果とし
て得られる反応混合物を急速に約３０分にわたって摂氏
２３０℃まで加熱し、この温度で１４時間にわたって合
成を進めた。反応物を約８０℃まで冷却させ、８００ミ
リリットルの変性アルコールと１６５．５グラム（２．
９５モル）の薄片状の水酸化カリウムを添加した。反応
混合物を再加熱して３時間還流させ、アミド加水分解を
完了させた。次に、反応混合物を室温、約２５℃まで冷
却し、急速に２リットルの脱イオン水に加えて、沈殿を
生成させた。中間生成物を濾過し、脱イオン水でざっと
洗浄した。結果として得られる湿ったケークを１リット
ルの高温のイソオクタンに入れ、共沸蒸留によって水を
除去した。４５グラムの「Alcoa CG-20」アルミナを添
加して還流で３時間攪拌することによって中間生成物を
脱色した。次に、中間生成物を室温まで冷却させて再結
晶化させ、真空濾過によって分離した。この結果、以下
の実施の形態２の反応に用いるのに適した重量２０２．
２グラム（７４パーセント）のオフホワイトの粉末を得
た。高性能液体クロマトグラフィによって確認したこの
中間生成物の純度は約９７ないし約９９．５パーセント
であった。

【００３３】実施の形態２． Ｎ，Ｎ−ビス（３，４ジメチルフェニル）−４−ビフェ
ニルアミンの合成 機械攪拌子、ディーン・スタークトラップ、および還流
冷却器を取り付けた５００ミリリットルの丸底フラスコ
に、３０グラム（０．１１モル）の上述のように調製さ
れた中間体であるＮ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）−４−ビフェニルアミンと、２５．１グラム（０．
１１モル）の４−ヨード−ｏ−キシレンと、０．４３グ
ラム（０．００４モル）の塩化銅（Ｉ）と、０．７８グ
ラム（０．００４モル）の１，１０−フェナントロリン
と、４８．４８グラム（０．８６モル）の薄片状の水酸
化カリウムと、３５ミリリットルのトルエンとを入れ
た。反応物を急速に３０分にわたって還流温度１２０℃
まで加熱し、この温度に４時間保った後、クロマトグラ
フィ分析で反応が完了したことを確認した。反応物を室
温まで冷却し、２００ミリリットルのトルエンと１５０
ミリリットルの脱イオン水に分配させた。結果として得
られる有機層を分離し、ディーン・スタークトラップを
つけた状態で溶媒の共沸蒸留によって水を除去した。生
成物をスラリーによって脱色し、トルエン溶液を３６グ
ラムの酸洗浄クレー「Filtrol-24」（登録商標）、およ
び２４グラムの「Alcoa CG-20」アルミナで処理した。
還流で３時間攪拌した後、スラリーを保温漏斗にかけ、
溶媒を回転蒸発によって除去し、固体を得た。７５ミリ
リットルのイソプロパノール−酢酸エチル１：１混合物
からの再結晶化によって、収率３０．８グラム（７５．
５パーセント）で白色固体生成物であるＮ，Ｎ−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン
を得た。この生成物は１１３．８℃で融解し、そのＨＰ
ＬＣ純度は９７．５パーセントであった。この生成物
は、従来の手段によりさらに精製するのに適しており、
約９９．５パーセントのＨＰＬＣ純度を示す電子グレー
ド純度の高い生成物となった。

【００３４】上述の反応は、何度繰り返しても、実質的
に同じまたは類似した結果を示した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベング エス オング カナダ オンタリオ州 ミシソーガ ハー ビー クレセント 2947

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
   ル）−４−ビフェニルアミンの調製プロセスであって、
   Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルア
   ミンとヨードキシレンとを配位結合された銅触媒の存在
   下で反応させるステップを含み、配位子が、単座第三級
   アミンと二座第三級アミンとからなる群から選択され、
   反応が、約１２０℃ないし約１５０℃の温度で行われる
   ことを特徴とする調製プロセス。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の調製プロセスであっ
   て、触媒が、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）
   （一価）クロライドと、ジピリジノ銅（Ｉ）クロライド
   と、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）ブロマイド
   と、ジピリジノ銅（Ｉ）ブロマイドと、１，１０−フェ
   ナントロレート銅（Ｉ）クロライドとからなる群から選
   択されることを特徴とする調製プロセス。
3. 【請求項３】 Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
   ル）−４−ビフェニルアミンの調製プロセスであって、
   Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルア
   ミンとヨードキシレンを配位結合された銅触媒の存在下
   で反応させるステップを含み、配位子が単座第三級アミ
   ンと二座第三級アミンとからなる群から選択されること
   を特徴とする調製プロセス。