JPH10204669A - 酸化インジウム粉末の製造方法 - Google Patents

酸化インジウム粉末の製造方法

Info

Publication number
JPH10204669A
JPH10204669A JP9005283A JP528397A JPH10204669A JP H10204669 A JPH10204669 A JP H10204669A JP 9005283 A JP9005283 A JP 9005283A JP 528397 A JP528397 A JP 528397A JP H10204669 A JPH10204669 A JP H10204669A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrolyte
indium
oxide powder
particle diameter
indium oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9005283A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Mochida
裕美 持田
Michihiro Tanaka
道広 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP9005283A priority Critical patent/JPH10204669A/ja
Publication of JPH10204669A publication Critical patent/JPH10204669A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度焼結体(ITOターゲット材)を得るこ
とができる酸化インジウム粉末の製造方法の提供 【解決手段】金属インジウムを陽極に用いて電解し水酸
化インジウムを生成させる際に、電解液中に水酸化イン
ジウム沈澱を懸濁させた状態に撹拌して電解を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の利用分野】本発明は、水酸化インジウムを焙焼
して酸化インジウムを得る際に、粒径の均一性が極めて
高い酸化インジウムを得ることができる製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】最近、透明導電膜としてITO膜が広く
利用されており、このITO膜の製造原料としてITO
ターゲット材が用いられている。主にITO膜はITO
ターゲットに高電圧を与え、ターゲット材料粒子を高エ
ネルギーで基板表面に衝突させて製造される。ターゲッ
ト材には酸化インジウムと酸化スズとを混合焼結した酸
化物焼結体が用いられている。
【0003】上記ITOターゲット材の製造原料として
用いられる酸化インジウム粉末は、硝酸インジウム溶液
を中和して生じた水酸化インジウムの沈澱を乾燥し、焙
焼したものが従来から用いられていたが、この中和沈澱
法によって得た従来の酸化インジウム粉末は粒径や比重
が不均一であるため高密度なターゲット材が得られない
と云う問題がある。
【0004】上記沈澱法に代え、電解法によって水酸化
インジウムを製造し、これを焙焼して酸化インジウム粉
末を得る方法も知られており(特願平6-171937号)、こ
の方法によれば平均粒径および見掛比重のバラツキが少
ない酸化インジウム粉末を製造できると述べられてい
る。しかし、上記電解法によって得られる酸化インジウ
ム粉末は、平均粒径や比表面積(BET値)およびピーク粒
径からみると粒径の均一性は未だ不十分であり、高密度
ターゲット材を得るためには更に均一性の高いものが望
まれる。
【0005】
【発明の解決課題】本発明は従来の製造方法における上
記問題を解決したものであり、粒子の均一性が格段に優
れた酸化インジウム粉末の製造方法を提供するものであ
る。本発明者等は、高密度ターゲット材が得られる酸化
インジウム粉末として、一次粒子のBET比表面積10m2/
g以下、二次粒子の平均粒径3μm以下であって、この平
均粒径とピーク粒径の比が3倍以下である酸化インジウ
ム粉末を先に提案した(特願平8-159581号)。本発明は
このような粒子径が均一な酸化インジウムを得るのに適
する製造方法である。
【0006】
【課題解決の手段】即ち本発明は、(1)金属インジウム
を陽極として電解することにより水酸化インジウム沈澱
を生成させ、該沈澱をカ焼して酸化インジウム粉末を得
る方法において、電解液中に水酸化インジウム沈澱を懸
濁させた状態に撹拌して電解を行うことを特徴とする酸
化インジウム粉末の製造方法に関するものである。
【0007】本発明の上記製造方法は、(2)電解液中に
水酸化インジウム沈澱を懸濁させた状態に撹拌して電解
を行うことにより、カ焼後、BET比表面積10m2/g以
下、ピーク粒径と平均粒径の比が3以下の酸化インジウ
ム粉末を得る方法、(3)電解液の液温が40〜80℃で
ある方法、(4)電解液として硝酸アンモニウムまたは塩
化アンモニウムを用いる方法を含む。
【0008】本発明の製造方法は、金属インジウムを陽
極として電解することにより水酸化インジウム沈澱を生
成させ、該沈澱をカ焼して酸化インジウム粉末を得る方
法において、電解液中に水酸化インジウム沈澱を懸濁さ
せた状態に撹拌して電解を行うことを特徴とする酸化イ
ンジウム粉末の製造方法である。
【0009】図1に本発明の製造方法における電解工程
の概略を示す。図示するように、電解槽10に電解液1
1が装入されており、該電解液中に陽極として金属イン
ジウム板12が挿入されている。陰極には金属インジウ
ム板13あるいは炭素棒(板)を用いれば良い。電解槽自
体を陰極としても良い。電解液としては硝酸アンモニウ
ムあるいは塩化アンモニウムの溶液を用いることができ
る。電解槽10の槽底には電解液11を撹拌するための
撹拌羽14が設けられている。更に電解槽10には電解
液を抜き出すための管路15が接続されており、該管路
15に濾過部16が設けられている。該濾過部16にお
いて水酸化インジウム沈澱が固液分離して回収され、濾
液は管路15を通じてヒータ17を経由し、再び電解槽
10に循環される。
【0010】電解は電解液を撹拌した状態で行う。この
撹拌により槽内の電解液のpHが均一化される。撹拌を
行わない場合には電解槽の液面付近におけるpHは8.5
程度であるが槽底付近のpHは3.2程度であり、大幅に
異なる。電解液を撹拌することにより液面付近と槽底付
近の電解液が混合され、pHが均一化される。撹拌は電
解によって生じた水酸化インジウムの沈殿が電解液中に
懸濁した状態になる程度である。これより撹拌の程度が
弱いと電解液のpHを均一化する効果が不十分になる。
通常の電解では電解液を静流の状態にして行うのが普通
であり、槽底のスライムが巻き上がるような撹拌は行わ
ないが、本発明の電解工程では沈殿が懸濁する程度まで
積極的に電解液を撹拌して電解を行う。
【0011】電解液の液温は40〜80℃が適当であ
り、50〜70℃が好ましい。電解液中の試薬濃度は実
用的には1〜3mol/lが適当である。電圧は電流密度に
よるが、概ね2〜4Vが適当である。電流密度は200
〜900A/m2が適当であり、生産性の点から700A/m2
程度が好ましい。極間は25m/mから50m/mの間が実用
的であり、それより広いと電圧が高くなり不経済であ
る。また、カソードの材質はカーボンでも良いが、通常
はインジウム板を用いれば良い。
【0012】電解により、陽極の金属インジウムがイオ
ン化して電解液中に溶出し、液中の水酸化イオンと結合
して水酸化インジウム沈殿が生じる。電解後、電解液と
共に水酸化インジウムの懸濁を槽外に抜き出して濾過
し、水酸化インジウム沈殿を回収し、これを脱水乾燥
後、カ焼して酸化インジウム粉末を得る。カ焼は通常、
空気中で700〜1100℃で行う。BET値は焼成(仮
焼)温度で任意にコントロール出来るのでターゲットの
使用条件に応じて焼成温度を定める。概ね最適温度は8
00〜950℃程度である。炉液は再使用することがで
きる。
【0013】以上の製造方法により、BET比表面積10m
2/g以下、ピーク粒径に対する平均粒径の比が3以下の
酸化インジウム粉末を得ることができる。従来のように
電解液を撹拌せずに電解して得た酸化インジウム粉末
は、BET比表面積が10m2/gを大きく上回り、またピー
ク粒径に対する平均粒径の比が3倍を大幅に超え、粒径
が不均一になり易い。ここでピーク粒径とは粒度分布
上、最も分布量の多い粒径を云う。ピーク粒径は例えば
1μごとの分布量を測定して定めることができる。平均
粒径は粒子全体の単純な平均値であり、粒度分布を必ず
しも示していない。従って平均粒径が同一でも粒度の均
一性は同じではない。一方、ピーク粒径は最も分布量の
多い粒径であり、ピーク粒径が平均粒径に近似するほど
粒径の均一性が高い。ここでピーク粒径(Dp)と平均粒径
(Da)の比(Dp/DaまたはDa/Dp)が3倍を上回ると粒度の均
一性が低く、密度の高い焼結体を得ることができない。
また、BET比表面積が10m2/gを上回るものは粒度が微
細過ぎて嵩密度が大きくなり、やはり高密度焼結体には
適さない。
【0014】
【実施例および比較例】本発明の実施例を比較例と共に
以下に示す。実施例1〜6 金属インジウム板を陽極とし、同様に金属インジウム板
(又は炭素でも良い)を陰極とし、塩化アンモニウムを
電解液として用い、表1に示す電解条件で電解を行い、
水酸化インジウム沈殿を得た。この沈殿を回収し脱水乾
燥後、800℃で3時間加熱して酸化インジウム粉末を
得た。この酸化インジウム粉末のBET比表面積、平均粒
径、ピーク粒径および嵩密度を表1に示した。上記酸化
インジウム粉末を用いてターゲット成形体を製造し、こ
れを1650℃に焼結してITOターゲット材を得た。こ
の成形体およびターゲット材の密度を表1に纏めて示し
た。
【0015】比較例1〜4 表1に示す電解条件下で、電解液の撹拌を行わない他は
実施例と同様にして電解を行い、カ焼して酸化インジウ
ム粉末を得た。更に、この酸化インジウム粉末を用い、
実施例と同様にしてターゲット成形体およびターゲット
材を得た。酸化インジウム粉末のBET比表面積、平均粒
径、ピーク粒径および嵩密度、成形体およびターゲット
材の密度をそれぞれ表1に対比して示した。
【0016】表1に示すように、本実施例のうち、液温
50〜70℃の電解で得た酸化インジウム粉末は何れも
BET比表面積が10m2/g以下および嵩密度が0.7以下であ
り、ピーク粒径と平均粒径の比が3以下である。また、
本実施例の試料(No.1-6)は何れも粉末粒子中の結晶子の
粒径が900Å以上であり、比較例よりも粉末粒子中の
結晶が大きい。この結果、成形体の密度が高く、実施例
No.2〜6のターゲット焼結体の密度は98.4〜100であり、
比較例よりもターゲット材の密度が大幅に高い。
【0017】
【表1】
【0018】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、BET比表面
積が10m2/g以下であって、嵩密度が格段に低く、しか
も粒径の均一性に優れた酸化インジウム粉末を得ること
ができる。この酸化インジウム粉末を用いれば極めて高
密度のITOターゲット材を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の製造方法における電解工程を示す概
念図
【符号の説明】
10−電解槽、11−電解液、12−陽極、13−陰
極、14−撹拌羽根、15−管路、16−濾過部、17
−ヒータ。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属インジウムを陽極として電解するこ
    とにより水酸化インジウム沈澱を生成させ、該沈澱をカ
    焼して酸化インジウム粉末を得る方法において、電解液
    中に水酸化インジウム沈澱を懸濁させた状態に撹拌して
    電解を行うことを特徴とする酸化インジウム粉末の製造
    方法。
  2. 【請求項2】 電解液中に水酸化インジウム沈澱を懸濁
    させた状態に撹拌して電解を行うことにより、カ焼後、
    BET比表面積10m2/g以下、ピーク粒径と平均粒径の比
    が3以下の酸化インジウム粉末を得る請求項1に記載の
    製造方法。
  3. 【請求項3】 電解液の液温が40〜80℃である請求
    項1または2に記載の製造方法。
  4. 【請求項4】 電解液として硝酸アンモニウムまたは塩
    化アンモニウムを用いる請求項1、2または3に記載の
    製造方法。
JP9005283A 1997-01-16 1997-01-16 酸化インジウム粉末の製造方法 Withdrawn JPH10204669A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9005283A JPH10204669A (ja) 1997-01-16 1997-01-16 酸化インジウム粉末の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9005283A JPH10204669A (ja) 1997-01-16 1997-01-16 酸化インジウム粉末の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10204669A true JPH10204669A (ja) 1998-08-04

Family

ID=11606923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9005283A Withdrawn JPH10204669A (ja) 1997-01-16 1997-01-16 酸化インジウム粉末の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10204669A (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006037208A (ja) * 2004-07-30 2006-02-09 Mitsubishi Materials Corp 酸化インジウム粉末とその製造方法
EP2096188A1 (en) 2006-12-13 2009-09-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target and oxide semiconductor film
WO2013015032A1 (ja) * 2011-07-26 2013-01-31 Jx日鉱日石金属株式会社 水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物の製造方法
JP2013023761A (ja) * 2011-07-26 2013-02-04 Jx Nippon Mining & Metals Corp 水酸化インジウムの製造方法
JP2013036105A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp 水酸化インジウム及び水酸化インジウムを含む化合物の製造方法
JP2013036074A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp 水酸化インジウム及び水酸化インジウムを含む化合物の製造方法
WO2013179553A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 株式会社アルバック 金属水酸化物の製造方法及びitoスパッタリングターゲットの製造方法
JP2014062313A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 金属化合物粉末の製造方法、焼成粉末及びスパッタリングターゲット
JP2014208871A (ja) * 2013-03-25 2014-11-06 住友金属鉱山株式会社 陽極及びその製造方法
JP2015067901A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 株式会社アルバック 金属水酸化物の製造方法及びスパッタリングターゲットの製造方法
JP2015086442A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 住友金属鉱山株式会社 水酸化インジウム粉の製造方法
KR101538967B1 (ko) * 2014-01-09 2015-07-22 한양대학교 에리카산학협력단 금속산화물 분말의 제조방법
CN105264119A (zh) * 2013-05-27 2016-01-20 住友金属矿山株式会社 氢氧化铟粉末的制造方法和氧化铟粉末的制造方法、以及溅射靶材
CN105683416A (zh) * 2014-01-29 2016-06-15 住友金属矿山株式会社 氢氧化铟粉的制造方法及阴极
CN105683089A (zh) * 2014-03-11 2016-06-15 住友金属矿山株式会社 氢氧化铟粉和氧化铟粉
CN107935026A (zh) * 2017-11-24 2018-04-20 郑州大学 一种利用电解制备纳米氧化铟的方法和装置
CN110644013A (zh) * 2019-10-30 2020-01-03 广东先导稀材股份有限公司 一种氧化铟及其前驱体的制备方法

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006037208A (ja) * 2004-07-30 2006-02-09 Mitsubishi Materials Corp 酸化インジウム粉末とその製造方法
JP4496875B2 (ja) * 2004-07-30 2010-07-07 三菱マテリアル株式会社 酸化インジウム粉末とその製造方法
EP2096188A1 (en) 2006-12-13 2009-09-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target and oxide semiconductor film
US8784700B2 (en) 2006-12-13 2014-07-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target and oxide semiconductor film
JP2013023761A (ja) * 2011-07-26 2013-02-04 Jx Nippon Mining & Metals Corp 水酸化インジウムの製造方法
CN103857830A (zh) * 2011-07-26 2014-06-11 吉坤日矿日石金属株式会社 氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的制造方法
KR101410187B1 (ko) * 2011-07-26 2014-06-19 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 수산화인듐 또는 수산화인듐을 함유하는 화합물의 제조 방법
WO2013015032A1 (ja) * 2011-07-26 2013-01-31 Jx日鉱日石金属株式会社 水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物の製造方法
CN105926022B (zh) * 2011-07-26 2018-03-23 吉坤日矿日石金属株式会社 氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的电解制造装置以及制造方法
CN105926022A (zh) * 2011-07-26 2016-09-07 吉坤日矿日石金属株式会社 氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的电解制造装置以及制造方法
JP2013036074A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp 水酸化インジウム及び水酸化インジウムを含む化合物の製造方法
JP2013036105A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp 水酸化インジウム及び水酸化インジウムを含む化合物の製造方法
WO2013179553A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 株式会社アルバック 金属水酸化物の製造方法及びitoスパッタリングターゲットの製造方法
TWI507361B (zh) * 2012-05-31 2015-11-11 Ulvac Inc Production method of metal hydroxide and method for manufacturing ITO sputtering target
CN104334771A (zh) * 2012-05-31 2015-02-04 株式会社爱发科 金属氢氧化物的制造方法及ito溅射靶的制造方法
JPWO2013179553A1 (ja) * 2012-05-31 2016-01-18 株式会社アルバック 金属水酸化物の製造方法及びitoスパッタリングターゲットの製造方法
JP2014062313A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 金属化合物粉末の製造方法、焼成粉末及びスパッタリングターゲット
JP2014208871A (ja) * 2013-03-25 2014-11-06 住友金属鉱山株式会社 陽極及びその製造方法
TWI601854B (zh) * 2013-05-27 2017-10-11 住友金屬鑛山股份有限公司 A process for producing indium-hydroxide powder, a process for producing indium oxide powder, and a sputtering target
CN105264119A (zh) * 2013-05-27 2016-01-20 住友金属矿山株式会社 氢氧化铟粉末的制造方法和氧化铟粉末的制造方法、以及溅射靶材
KR20160012134A (ko) * 2013-05-27 2016-02-02 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 수산화인듐 가루의 제조 방법 및 산화인듐 가루의 제조 방법, 및 스퍼터링 타겟
CN105264119B (zh) * 2013-05-27 2017-07-04 住友金属矿山株式会社 氢氧化铟粉末的制造方法和氧化铟粉末的制造方法、以及溅射靶材
WO2015022846A1 (ja) * 2013-08-13 2015-02-19 住友金属鉱山株式会社 陽極及びその製造方法
JP2015067901A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 株式会社アルバック 金属水酸化物の製造方法及びスパッタリングターゲットの製造方法
JP2015086442A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 住友金属鉱山株式会社 水酸化インジウム粉の製造方法
KR101538967B1 (ko) * 2014-01-09 2015-07-22 한양대학교 에리카산학협력단 금속산화물 분말의 제조방법
CN105683416A (zh) * 2014-01-29 2016-06-15 住友金属矿山株式会社 氢氧化铟粉的制造方法及阴极
CN105683089A (zh) * 2014-03-11 2016-06-15 住友金属矿山株式会社 氢氧化铟粉和氧化铟粉
CN107935026A (zh) * 2017-11-24 2018-04-20 郑州大学 一种利用电解制备纳米氧化铟的方法和装置
CN107935026B (zh) * 2017-11-24 2021-01-15 郑州大学 一种利用电解制备纳米氧化铟的方法和装置
CN110644013A (zh) * 2019-10-30 2020-01-03 广东先导稀材股份有限公司 一种氧化铟及其前驱体的制备方法
CN110644013B (zh) * 2019-10-30 2022-05-03 广东先导稀材股份有限公司 一种氧化铟及其前驱体的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10204669A (ja) 酸化インジウム粉末の製造方法
CN107935026B (zh) 一种利用电解制备纳米氧化铟的方法和装置
JP5949663B2 (ja) 水酸化インジウム粉の製造方法、酸化インジウム粉の製造方法、並びにスパッタリングターゲット
TWI601854B (zh) A process for producing indium-hydroxide powder, a process for producing indium oxide powder, and a sputtering target
WO2015192443A1 (zh) 一种回收废硬质合金的方法
CN111763951B (zh) 一种纳米氢氧化铟的制备方法
JP4747286B2 (ja) 微細な酸化スズ粉末とその製造方法および用途
CN112323084A (zh) 一种纳米氧化铟的制备方法
US6080485A (en) Yttrium oxide-aluminum oxide composite particles and method for the preparation thereof
CA1178922A (en) Method of producing electrolytic manganese dioxide
CN110551994A (zh) δ-MnO2纳米片阵列的合成方法
Lopes et al. Electrochemical deposition of zero-valent iron from alkaline ceramic suspensions of Fe2− xAlxO3 for iron valorisation
JP6036644B2 (ja) 水酸化インジウム粉の製造方法
JP6314904B2 (ja) 水酸化インジウム粉の製造方法及び酸化インジウム粉の製造方法、並びにスパッタリングターゲットの製造方法
JPH10273318A (ja) 酸化ガリウム粉末の製造方法
JP3173440B2 (ja) 酸化錫粉末の製造方法
JP6108048B2 (ja) 水酸化スズ粉の製造方法、及び水酸化スズ粉
CN105683089B (zh) 氢氧化铟粉和氧化铟粉
JPH11322335A (ja) 酸化ガリウムおよびその製造方法
US5472583A (en) Manufacture of conical pore ceramics by electrophoretic deposition
JP2015017291A (ja) 水酸化インジウム粉の製造方法及び酸化インジウム粉の製造方法、並びにスパッタリングターゲット
US3869359A (en) Method of making intimately admixed metal oxides
CN111979563A (zh) 氧化铟镓锌靶材的电化学回收再利用方法
CN105220182A (zh) 一种制备多孔钛粉的方法
JPH1095615A (ja) 高密度焼結体用酸化インジウム粉末

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20040406