JPH10190193A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂基板に形成する導体めっきパターン間が
めっきブリッジで短絡することを防止すると共に、導体
めっきパターンの剥がれを防止する。 【解決手段】 樹脂基板２１は、導体めっきパターン２
２を形成するパターン下地部２３を凸状に形成した一次
成形体２４と、この一次成形体２４をパターン下地部２
３の表面を露出させるようにインサート成形した二次成
形体２５とから成る。一次成形体２４はめっきが付着し
やすい易めっき性樹脂で成形し、二次成形体２５はめっ
きが付着し難い難めっき性樹脂を用い、パターン下地部
２３が露出する部分が凹部２６となるように成形する。
二次成形に用いる成形型には、パターン下地部２３に対
応する部分に逃げ凹部を形成することで、二次成形前に
行ったパターン下地部２３の表面のエッチング処理の効
果を保つ。二次成形後にパターン下地部２３の表面に無
電解めっき法で導体めっきパターン２２を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂基板の表面に
導体めっきパターンを形成してなる回路基板及びその製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、樹脂基板の表面に無電解めっき法
で導体めっきパターンを形成したＭＣＢ（Molded Circu
it Board）、ＭＷＢ（Molded Wiring Board ）、ＭＩＤ
（Molded Interconnection Device ）と称される射出成
形樹脂回路基板が、基板形状の多様化、製造工数の削
減、コスト削減等の観点から注目されている。この射出
成形樹脂回路基板は、特開平６−３３４３０９号公報に
示すように、めっきが付着しやすい「易めっき性樹脂」
とめっきが付着し難い「難めっき性樹脂」とを用いて次
のように成形する。図４に示すように、一次成形工程
で、易めっき性樹脂によりパターン下地部１１を凸状に
形成した一次成形体１２を成形し、二次成形工程で、こ
の一次成形体１２を難めっき性樹脂によりインサート成
形して二次成形体１３を形成し、この二次成形体１３の
表面に一次成形体１２のパターン下地部１１の表面を露
出させる。その後、めっき工程で、二次成形体１３から
露出したパターン下地部１１の表面に無電解めっき法で
導体めっきパターン１４を形成する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年の回路基板の小型
化・高密度配線の要求により、隣接する２本の導体めっ
きパターン１４間の間隔が狭くなる傾向がある。このた
め、隣接する２本の導体めっきパターン１４間に難めっ
き性樹脂の二次成形体１３が存在するにも拘らず、その
二次成形体１３の幅が狭くなることで、めっきの付着を
防ぐ効果が少なくなり、図４（ｄ）に示すように、間隔
の狭い２本の導体めっきパターン１４から広がっためっ
き１５がブリッジ状につながって、２本の導体めっきパ
ターン１４間が短絡してしまうことがあり、これが不良
品の発生原因となる。

【０００４】また、導体めっきパターン１４をパターン
下地部１１の表面から剥がれ難くするために、めっき前
にパターン下地部１１の表面をエッチング処理等により
粗面化する必要がある。このため、上記公報の製造方法
では、二次成形後にその成形体をエッチング液に浸して
パターン下地部１１の表面をエッチング処理するように
しているが、このエッチング処理の際に二次成形体１３
の表面がエッチング液で浸食されないように、二次成形
体１３は、エッチング液に対する耐蝕性を有する高価な
樹脂を用いなければならず、コスト高になると共に、樹
脂の選択の幅が狭まる欠点がある。

【０００５】この欠点を解消するために、一次成形後に
一次成形体１２をエッチング処理してパターン下地部１
１の表面を粗面化した後、二次成形を行うことで、二次
成形体１３をエッチング液に浸さずに済むようにした製
造方法が考えられている。

【０００６】しかし、この製造方法では、図５に示すよ
うに、二次成形工程で、成形型１６がその型締力により
パターン下地部１１の表面に強く押し付けられるため、
パターン下地部１１の表面にエッチング処理で形成され
た微小な凹凸が成形型１６の加圧力によって押し潰され
て平滑化されてしまう。このため、エッチング処理の効
果が減少して、その後に形成する導体めっきパターン１
４の密着力が低下して、導体めっきパターン１４がパタ
ーン下地部１１から剥がれやすくなり、導体めっきパタ
ーン１４の信頼性が低下してしまう。この傾向は、導体
めっきパターン１４がファインパターン化（微細パター
ン化）されるほど顕著に現れる。

【０００７】本発明はこれらの事情を考慮してなされた
ものであり、第１の目的は、樹脂基板に形成する導体め
っきパターン間がめっきブリッジで短絡することを防止
できて、歩留まりを向上できる回路基板及びその製造方
法を提供することであり、更に、第２の目的は、めっき
ブリッジの発生防止に加え、導体めっきパターンの剥が
れを防止できて、信頼性を向上できる回路基板の製造方
法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、本発明の請求項１の回路基板は、難めっき性
樹脂の二次成形体を、易めっき性樹脂の一次成形体のパ
ターン下地部表面が露出する部分が凹部となるように成
形したものである。この構成では、二次成形体の凹部内
にパターン下地部が位置するため、このパターン下地部
の表面に導体めっきパターンを形成する場合に、二次成
形体の凹部内にめっきを滞留させることができて、隣接
する導体めっきパターン間にめっきブリッジが発生する
ことを防止でき、導体めっきパターン間の短絡を防止で
きて、歩留まりを向上できる。

【０００９】この場合、請求項２のように、二次成形体
の凹部の幅をパターン下地部の幅よりも広く形成しても
良い。このようにすれば、二次成形体を成形する工程
で、位置決め誤差により成形型と一次成形体との位置関
係が若干ずれたとしても、二次成形体の凹部内に一次成
形体のパターン下地部の表面全体を確実に露出させるこ
とができ、成形時の位置決め誤差の影響を受けずにパタ
ーン下地部の表面全体に良好な導体めっきパターンを形
成することができる。

【００１０】請求項１の回路基板を製造する場合には、
請求項３のように、一次成形体のパターン下地部の表面
をエッチング処理等によりめっきが付着しやすいように
粗面化した後、この一次成形体を難めっき性樹脂により
インサート成形する際に、パターン下地部に対応する部
分に逃げ凹部が形成された凸型部を有する成形型を用い
て二次成形体を成形し、次の工程で、パターン下地部の
表面に導体めっきパターンを形成すると良い。

【００１１】この製造方法では、一次成形体のパターン
下地部の表面を粗面化処理した後に二次成形を行うが、
二次成形体に凹部を成形する凸型部には、パターン下地
部に対応する部分に逃げ凹部が形成されているため、パ
ターン下地部の表面のうちの逃げ凹部に対応する部分が
成形型で加圧されずに済み、二次成形工程前に行ったパ
ターン下地部の表面の粗面化処理の効果をめっき工程ま
で維持することができる。これにより、二次成形後にパ
ターン下地部の表面に形成する導体めっきパターンの密
着力を低下させずに済み、導体めっきパターンがパター
ン下地部から剥がれることを防止できて、導体めっきパ
ターンの信頼性を向上できる。

【００１２】ところで、凸型部の逃げ凹部の幅をパター
ン下地部の幅と同一に形成すると、二次成形時の位置決
め誤差により凸型部とパターン下地部の端縁との間に微
小な隙間が出来てしまい、その隙間から二次成形樹脂
（難めっき性樹脂）が逃げ凹部内に漏れて、パターン下
地部の端縁に二次成形樹脂のバリが出来てしまうおそれ
がある。このバリは、パターン下地部の表面へのめっき
の付き具合を低下させる原因となる。

【００１３】この対策として、請求項４のように、凸型
部の逃げ凹部の幅をパターン下地部の幅よりも狭く形成
し、二次成形工程で、該凸型部の端面をパターン下地部
の表面端部に当接させた状態で二次成形体を成形するよ
うにすると良い。このようにすれば、二次成形時に凸型
部とパターン下地部の端縁との間に隙間が出来ることを
防止できて、パターン下地部の端縁に二次成形樹脂のバ
リが出来ることを防止でき、パターン下地部の表面のめ
っき性を損なうことがない。

【００１４】更に、請求項５のように、凸型部の幅をパ
ターン下地部の幅よりも広く形成し、二次成形工程で、
前記凸型部の端面の一部をパターン下地部の表面端部か
ら突出させた状態で二次成形体を成形するようにしても
良い。このようにすれば、前述した請求項２のように、
二次成形体の凹部の幅をパターン下地部の幅よりも広く
形成することができ、二次成形時に、位置決め誤差によ
り凸型部とパターン下地部との位置関係が若干ずれたと
しても、二次成形体の凹部内に一次成形体のパターン下
地部の表面全体を確実に露出させることができ、二次成
形時の位置決め誤差の影響を受けない良好な導体めっき
パターンを形成することができる。特に、導体めっきパ
ターンをファインパターン化するほど、位置決め誤差に
よる位置ずれの影響を受けやすくなるため、請求項４，
５のようにする効果は大きい。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態（１）を
図１及び図２に基づいて説明する。まず、図１（ｃ）に
基づいて回路基板全体の構造を説明する。樹脂基板２１
は、導体めっきパターン２２を形成するパターン下地部
２３を凸状に形成した一次成形体２４と、この一次成形
体２４をパターン下地部２３の表面を露出させるように
インサート成形した二次成形体２５とから成る。二次成
形体２５は、パターン下地部２３が露出する部分が凹部
２６となるように成形されている。この凹部２６内に位
置するパターン下地部２３の表面には、無電解めっき法
で導体めっきパターン２２が形成されている。

【００１６】この場合、一次成形体２４は、めっきが付
着しやすく且つエッチング液で浸食されやすい易めっき
性樹脂（例えばポリエステル系樹脂等）で成形されてい
る。二次成形体２５は、めっきが付着し難い難めっき性
樹脂、例えばポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポ
リエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド
（ＰＥＩ）等、無電解めっき液に対する耐薬品性のある
樹脂で成形されている。但し、後述するようにエッチン
グ処理後に二次成形する場合には、二次成形体２５の特
性として、エッチング液に対する耐蝕性は要求されな
い。

【００１７】次に、この回路基板の製造方法を説明す
る。まず、一次成形工程で、易めっき性樹脂を用いて凸
状のパターン下地部２３を有する一次成形体２４［図１
（ａ）参照］を射出成形する。この後、エッチング処理
工程（粗面化工程）に移り、一次成形体２４をエッチン
グ液に浸してパターン下地部２３の表面をエッチング処
理して粗面化する。

【００１８】この後、一次成形体２４を水洗・乾燥した
後、二次成形工程に移り、図２に示す成形型２７を用い
て、一次成形体１２を難めっき性樹脂によりインサート
成形して二次成形体１３を形成し、樹脂基板２１を製造
する。ここで用いる成形型２７は、二次成形体２５に凹
部２６を成形するための凸型部２８が形成され、この凸
型部２８の下端面には、パターン下地部２３の表面に対
向する逃げ凹部２９が形成されている。この凸型部２８
の幅（凹部２６の幅）はパターン下地部２３の幅と同一
であり、従って、逃げ凹部２９の幅はパターン下地部２
３の幅よりも狭くなっている。

【００１９】二次成形工程では、成形型２７の凸型部２
８の下端面をパターン下地部２３の表面端部に当接させ
た状態で二次成形体２５を成形する。これにより、図１
（ｂ）に示すように、パターン下地部２３の表面を除い
て一次成形体２４が二次成形体２５内に埋設されると共
に、二次成形体２５の表面がパターン下地部２３の表面
よりも高く成形され、パターン下地部２３が露出する部
分が凹部２６となるように成形される。

【００２０】この場合、二次成形体２５の凹部２６を成
形する凸型部２８の逃げ凹部２９の幅をパターン下地部
２３の幅よりも狭く形成したので、二次成形時の位置決
め誤差により成形型２７と一次成形体１２との位置関係
が若干ずれたとしても、成形型２７の凸型部２８の下端
面をパターン下地部２３の表面端部に確実に当接させた
状態で二次成形することができる。これにより、凸型部
２８とパターン下地部２３の端縁との間に隙間が出来る
ことを防止できて、パターン下地部２３の端縁に二次成
形樹脂（難めっき性樹脂）のバリが出来ることを防止で
きる。しかも、凸型部２８の下端面には逃げ凹部２９が
形成されているため、パターン下地部２３の表面のうち
の逃げ凹部２９に対応する部分が成形型２７で加圧され
ずに済み、二次成形前に行ったパターン下地部２３の表
面のエッチング処理の効果を次のめっき工程まで維持す
ることができる。

【００２１】二次成形終了後、めっき工程に移り、パタ
ーン下地部２３の表面に無電解めっき用触媒（例えばパ
ラジウム、ルテニウム等）を塗布した後、これを無電解
めっき液に浸して、パターン下地部２３の表面に金属を
析出させて導体めっきパターン２２を形成する。尚、一
次成形体１２の表面に無電解めっき用触媒を塗布する工
程は、二次成形の前に行っても良い。

【００２２】この場合、導体めっきパターン２２を形成
するパターン下地部２３は、二次成形体２５の凹部２６
内に位置するため、無電解めっき時に二次成形体２５の
凹部２６内にめっきを滞留させることができる。これに
より、隣接する導体めっきパターン２２間の間隔が狭い
場合でも、導体めっきパターン２２間にめっきブリッジ
が発生することを防止できて、導体めっきパターン２２
間の短絡を防止でき、歩留まりを向上できる。

【００２３】しかも、前述したように、凸型部２８に逃
げ凹部２９を形成することで、二次成形前に行ったパタ
ーン下地部２３の表面のエッチング処理の効果をめっき
工程まで維持することができるため、パターン下地部２
３の表面に無電解めっき法で形成する導体めっきパター
ン２２の密着力を低下させずに済み、導体めっきパター
ン２２がパターン下地部２３から剥がれることを防止で
きて、導体めっきパターン２２の信頼性を向上すること
ができる。

【００２４】更に、前述したように、凸型部２８の逃げ
凹部２９の幅をパターン下地部２３の幅よりも狭く形成
することで、二次成形時にパターン下地部２３の端縁に
二次成形樹脂（難めっき性樹脂）のバリが出来ることを
防止できるため、バリによるパターン下地部２３のめっ
き性低下を回避することができ、前述した２つの効果と
相俟って、導体めっきパターン２２がファインパターン
化されても、良質な導体めっきパターン２２を形成する
ことができる。

【００２５】ところで、上記実施形態（１）では、凸型
部２８の幅（凹部２６の幅）がパターン下地部２３の幅
と同一に形成されているので、二次成形時の位置決め誤
差により成形型２７と一次成形体１２との位置関係がず
れると、そのずれ量分だけパターン下地部２３の端縁部
が二次成形体２５内に埋め込まれてしまい、その分、導
体めっきパターン２２の線幅が細くなってしまう。特
に、ファインパターン化された導体めっきパターン２２
では、線幅が設計値よりも細くなると、電気的特性に悪
影響を及ぼすおそれがある。

【００２６】この対策として、図３に示す本発明の実施
形態（２）では、凸型部２８の幅をパターン下地部２３
の幅よりも広く形成した成形型２７を用い、凸型部２８
の端面の一部をパターン下地部２３の表面端部から突出
させた状態で二次成形体２５を成形することで、二次成
形体２５の凹部２６の幅をパターン下地部２３の幅より
も広く成形する。これにより、二次成形時の位置決め誤
差により成形型２７と一次成形体１２との位置関係がず
れたとしても、パターン下地部２３の端縁部が二次成形
体２５内に埋め込まれてしまうことを防ぐことができ、
二次成形体２５の凹部２６内に一次成形体２４のパター
ン下地部２３の表面全体を確実に露出させることがで
き、二次成形時の位置決め誤差の影響を受けずにパター
ン下地部２５の表面全体に良好な導体めっきパターン２
２を形成することができる。

【００２７】この実施形態（２）も、製造工程は、前記
実施形態（１）と全く同じであり、また、凸型部２８の
逃げ凹部２９の幅は、前記実施形態（１）と同じくパタ
ーン下地部２３の幅よりも狭く形成されている。これに
より、二次成形時にパターン下地部２３の端縁に二次成
形樹脂（難めっき性樹脂）のバリが出来ることを防止で
きる。

【００２８】尚、前記実施形態（１）の製造方法では、
めっき工程で、パターン下地部２３の表面に無電解めっ
き用触媒を塗布してから無電解めっきを行うようにした
が、予め、易めっき性樹脂（一次成形樹脂）に無電解め
っき用触媒を配合して一次成形体２４を成形するように
しても良く、この場合には、無電解めっき前にパターン
下地部２３の表面に無電解めっき用触媒を塗布する作業
を省くことができる。

【００２９】また、本発明は、二次成形体２５の凹部２
６を成形する凸型部２８に逃げ凹部２９が形成されてい
ない成形型を用いて二次成形体２５を成形しても良く、
この場合でも、エッチング処理工程（粗面化工程）を二
次成形工程の後に行えば、十分な密着力のある導体めっ
きパターンを形成することができ、導体めっきパターン
の剥がれを防止することができる。

【００３０】その他、本発明は、導体めっきパターン２
２を無電解めっき法に代えて電解めっき法で形成するよ
うにしても良く、また、パターン下地部２３の表面を粗
面化する処理をエッチング処理以外の方法で行っても良
い等、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態（１）の回路基板の製造工程
を説明する断面図

【図２】二次成形時の成形型と成形体との関係を説明す
る断面図

【図３】本発明の実施形態（２）の回路基板の製造工程
を説明する断面図

【図４】従来の回路基板の製造工程を説明する断面図

【図５】従来の二次成形時の成形型と成形体との関係を
説明する断面図

【符号の説明】

２１…樹脂基板、２２…導体めっきパターン、２３…パ
ターン下地部、２４…一次成形体、２５…二次成形体、
２６…凹部、２７…成形型、２８…凸型部、２９…逃げ
凹部。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂基板の表面に導体めっきパターンを
   形成してなる回路基板において、 前記樹脂基板は、前記導体めっきパターンを形成するパ
   ターン下地部を凸状に成形した易めっき性樹脂の一次成
   形体と、この一次成形体を前記パターン下地部の表面を
   露出させるようにインサート成形した難めっき性樹脂の
   二次成形体とから成り、 前記二次成形体は、前記パターン下地部が露出する部分
   が凹部となるように成形されていることを特徴とする回
   路基板。
2. 【請求項２】 前記二次成形体の凹部の幅を前記パター
   ン下地部の幅よりも広く形成したことを特徴とする請求
   項１に記載の回路基板。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の回路基板を製造する方
   法であって、 易めっき性樹脂により前記一次成形体を成形する一次成
   形工程と、 前記一次成形体のパターン下地部の表面をめっきが付着
   し易いように粗面化する粗面化工程と、 前記一次成形体を難めっき性樹脂によりインサート成形
   する際に、前記パターン下地部に対応する部分に逃げ凹
   部が形成された凸型部を有する成形型を用いて前記二次
   成形体を成形する二次成形工程と、 前記パターン下地部の表面に導体めっきパターンを形成
   するめっき工程とを順に実行して回路基板を製造するこ
   とを特徴とする回路基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記凸型部の逃げ凹部の幅を前記パター
   ン下地部の幅よりも狭く形成し、前記二次成形工程で、
   前記凸型部の端面を前記パターン下地部の表面端部に当
   接させた状態で前記二次成形体を成形することを特徴と
   する請求項３に記載の回路基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記凸型部の幅を前記パターン下地部の
   幅よりも広く形成し、前記二次成形工程で、前記凸型部
   の端面の一部を前記パターン下地部の表面端部から突出
   させた状態で前記二次成形体を成形することを特徴とす
   る請求項４に記載の回路基板の製造方法。