JPH10189858A - 半導体デバイス用リードフレーム - Google Patents
半導体デバイス用リードフレームInfo
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- JPH10189858A JPH10189858A JP10012834A JP1283498A JPH10189858A JP H10189858 A JPH10189858 A JP H10189858A JP 10012834 A JP10012834 A JP 10012834A JP 1283498 A JP1283498 A JP 1283498A JP H10189858 A JPH10189858 A JP H10189858A
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- lead frame
- semiconductor device
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Reduction Rolling/Reduction Stand/Operation Of Reduction Machine (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Metal Rolling (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体デバイスのリードフレームの粗面を改良
して気密性を向上させる。 【解決手段】半導体デバイス用リードフレームの金属板
１ｂの表面に、周面に深さ100μｍ以下の線状の凹溝６
の多数本を100μｍ以下の間隔を存して互に交叉させて
形成した圧延成形ロール４、５により該凹溝と適合した
互いに交叉する線状の突起７を形成して粗面とした 【効果】互いに交叉した細かい線状の突起がモールド材
と接触して表面の気密性が向上し、水分等の浸入を防い
で半導体デバイスの絶縁性が良好になり、金属板の成形
仕上げと同時に粗面化出来るのでその作業性も良い
して気密性を向上させる。 【解決手段】半導体デバイス用リードフレームの金属板
１ｂの表面に、周面に深さ100μｍ以下の線状の凹溝６
の多数本を100μｍ以下の間隔を存して互に交叉させて
形成した圧延成形ロール４、５により該凹溝と適合した
互いに交叉する線状の突起７を形成して粗面とした 【効果】互いに交叉した細かい線状の突起がモールド材
と接触して表面の気密性が向上し、水分等の浸入を防い
で半導体デバイスの絶縁性が良好になり、金属板の成形
仕上げと同時に粗面化出来るのでその作業性も良い
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
リードフレームに関する。
リードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばトランジスタのリードフレ
ームは、図１に見られるようにトランジスタのチップａ
が載せられる部分ｂの側方に粗面の部分ｃ、ｃを形成
し、図２に見られるように樹脂ｄでモールドしてパッケ
ージング化されたのちに該樹脂ｄとリードフレームｅと
の接合面から侵入する水分を粗面の部分ｃ、ｃで阻止
し、チップａの絶縁性を保つようにしている。該粗面の
部分ｃ、ｃは、プレスによるエンボスで加工され、散在
したドットにより粗面化される。
ームは、図１に見られるようにトランジスタのチップａ
が載せられる部分ｂの側方に粗面の部分ｃ、ｃを形成
し、図２に見られるように樹脂ｄでモールドしてパッケ
ージング化されたのちに該樹脂ｄとリードフレームｅと
の接合面から侵入する水分を粗面の部分ｃ、ｃで阻止
し、チップａの絶縁性を保つようにしている。該粗面の
部分ｃ、ｃは、プレスによるエンボスで加工され、散在
したドットにより粗面化される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記リードフレームの
粗面の部分ｃ、ｃは、細かい粗面で樹脂との接着強度が
大きいものであることが水分の侵入を防ぐために好まし
いが、ダイスに形成出来る突起は２mm間隔程度が限度で
あり、プレスによって細かい粗面を形成することは難し
い。
粗面の部分ｃ、ｃは、細かい粗面で樹脂との接着強度が
大きいものであることが水分の侵入を防ぐために好まし
いが、ダイスに形成出来る突起は２mm間隔程度が限度で
あり、プレスによって細かい粗面を形成することは難し
い。
【０００４】本発明は、半導体デバイスのリードフレー
ムの粗面を改良して気密性を向上させることを目的とす
るものである。
ムの粗面を改良して気密性を向上させることを目的とす
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体デバ
イス用リードフレームの金属板の表面に、周面に深さ10
0μｍ以下の線状の凹溝の多数本を100μｍ以下の間隔を
存して互に交叉させて形成した圧延成形ロールにより該
凹溝と適合した互いに交叉する線状の突起を形成して粗
面とすることにより、上記の目的を達成するようにし
た。
イス用リードフレームの金属板の表面に、周面に深さ10
0μｍ以下の線状の凹溝の多数本を100μｍ以下の間隔を
存して互に交叉させて形成した圧延成形ロールにより該
凹溝と適合した互いに交叉する線状の突起を形成して粗
面とすることにより、上記の目的を達成するようにし
た。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図３乃至図
９に基づき説明すると、図３に於て符号１は銅、アルミ
ニウム、鉄、鉛、これらの合金等からなり短形断面を有
する圧延成形可能な半導体デバイス用のリードフレーム
の長尺平板状の金属板を示し、該金属板１は、例えば平
板状ダイとその板面に対応する範囲を転動して該板面へ
金属板を押圧する形成の異形断面板製造装置（特公昭52
-36512）により、図４のような肉薄部２と肉厚部３とを
もった異形断面板に形成される。該異形に形成された金
属板１ａは、 更に図５に示すような、１対の等速回転
する高炭素クロム鋼又は高速度鋼或は超硬合金からなる
圧延成形ロール４、５間を通過して寸法形状が整えら
れ、図６に示すような整形された金属板１ｂに形成され
る。該金属板１ｂをトランジスタのリードフレームとし
て使用する場合、プレス機により図１に示したような形
状に打ち抜かれ、打ち抜いたリードフレーム上にチップ
を載せて配線したのちモールドを施してトランジスタ素
子に組立てられる。
９に基づき説明すると、図３に於て符号１は銅、アルミ
ニウム、鉄、鉛、これらの合金等からなり短形断面を有
する圧延成形可能な半導体デバイス用のリードフレーム
の長尺平板状の金属板を示し、該金属板１は、例えば平
板状ダイとその板面に対応する範囲を転動して該板面へ
金属板を押圧する形成の異形断面板製造装置（特公昭52
-36512）により、図４のような肉薄部２と肉厚部３とを
もった異形断面板に形成される。該異形に形成された金
属板１ａは、 更に図５に示すような、１対の等速回転
する高炭素クロム鋼又は高速度鋼或は超硬合金からなる
圧延成形ロール４、５間を通過して寸法形状が整えら
れ、図６に示すような整形された金属板１ｂに形成され
る。該金属板１ｂをトランジスタのリードフレームとし
て使用する場合、プレス機により図１に示したような形
状に打ち抜かれ、打ち抜いたリードフレーム上にチップ
を載せて配線したのちモールドを施してトランジスタ素
子に組立てられる。
【０００７】該圧延成形ロール４、５の周面は鏡面に加
工され、その必要な個所には、例えばレーザービームに
よる加工で互いに交叉した微細な線状の凹溝６が形成さ
れ、金属板１ａが両ロール４、５間を 10 〜 40 ％の圧
下率を与えられて通過する際、該凹溝６内へ該金属板１
ａの材料が侵入し、成形が完了した金属板１ｂの表面
に、該凹溝６に対応した寸法形状の互いに交叉した微細
な線状の突起７が形成される。実施例では、該圧延成形
ロール４、５の周速を20m/min としたが、100m/min以上
とすることも出来る。
工され、その必要な個所には、例えばレーザービームに
よる加工で互いに交叉した微細な線状の凹溝６が形成さ
れ、金属板１ａが両ロール４、５間を 10 〜 40 ％の圧
下率を与えられて通過する際、該凹溝６内へ該金属板１
ａの材料が侵入し、成形が完了した金属板１ｂの表面
に、該凹溝６に対応した寸法形状の互いに交叉した微細
な線状の突起７が形成される。実施例では、該圧延成形
ロール４、５の周速を20m/min としたが、100m/min以上
とすることも出来る。
【０００８】該凹溝６を交叉した線状のパターンで構成
した場合の拡大図は図７に示す如くであり、この例では
ロール４、５の周面に、図８に示したように、深さ40μ
ｍで幅８が80μｍの線状の凹溝６を１cm当り100 本形成
した。このロール４、５で成形された金属板１ｂの表面
の所定の個所には、図９に見られるように交叉した線状
の突起７が明瞭に形成され、該突起７の断面は図１０に
示すようにロール４、５の凹溝６と対応するものであっ
た。
した場合の拡大図は図７に示す如くであり、この例では
ロール４、５の周面に、図８に示したように、深さ40μ
ｍで幅８が80μｍの線状の凹溝６を１cm当り100 本形成
した。このロール４、５で成形された金属板１ｂの表面
の所定の個所には、図９に見られるように交叉した線状
の突起７が明瞭に形成され、該突起７の断面は図１０に
示すようにロール４、５の凹溝６と対応するものであっ
た。
【０００９】図９のような微細でしかも寸法の揃ったメ
ッシュ状の突起７から成る粗面を形成した金属板１ｂ
を、例えばトランジスタのリードフレームに使用すれ
ば、モールド樹脂と強く接合し、連続する突起７が水分
の侵入を防いで絶縁性が向上する。
ッシュ状の突起７から成る粗面を形成した金属板１ｂ
を、例えばトランジスタのリードフレームに使用すれ
ば、モールド樹脂と強く接合し、連続する突起７が水分
の侵入を防いで絶縁性が向上する。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、周面
に深さ100μｍ以下の線状の凹溝の多数本を100μｍ以下
の間隔を存して互に交叉させて形成した圧延成形ロール
で半導体デバイス用リードフレームの金属板の表面に該
凹溝と適合する互いに交叉した線状の突起を形成して粗
面化するので、互いに交叉した細かい線状の突起がモー
ルド材と接触して表面の気密性が向上し、水分等の浸入
を防いで半導体デバイスの絶縁性が良好になり、金属板
の成形仕上げと同時に粗面化出来るのでその作業性も良
い等の効果がある。
に深さ100μｍ以下の線状の凹溝の多数本を100μｍ以下
の間隔を存して互に交叉させて形成した圧延成形ロール
で半導体デバイス用リードフレームの金属板の表面に該
凹溝と適合する互いに交叉した線状の突起を形成して粗
面化するので、互いに交叉した細かい線状の突起がモー
ルド材と接触して表面の気密性が向上し、水分等の浸入
を防いで半導体デバイスの絶縁性が良好になり、金属板
の成形仕上げと同時に粗面化出来るのでその作業性も良
い等の効果がある。
【図１】従来のトランジスタ用リードフレームの斜視図
【図２】トランジスタの概略断面図
【図３】本発明の実施に使用した金属板の斜視図
【図４】図３の金属板を加工した状態の斜視図
【図５】圧延成形状態の断面図
【図６】粗面化された金属板の斜視図
【図７】圧延成形ロールの表面の拡大図
【図８】図７の一部の拡大断面図
【図９】図６の金属板の粗面化された部分の拡大図
【図１０】図９の一部の拡大断面図
１ｂ 金属板、４・５ 圧延成形ロール、６ 凹溝、７
突起
突起
Claims (1)
- 【請求項１】半導体デバイス用リードフレームの金属板
の表面に、周面に深さ100μｍ以下の線状の凹溝の多数
本を100μｍ以下の間隔を存して互に交叉させて形成し
た圧延成形ロールにより該凹溝と適合した互いに交叉す
る線状の突起を形成して粗面としたことを特徴とする半
導体デバイス用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10012834A JPH10189858A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 半導体デバイス用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10012834A JPH10189858A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 半導体デバイス用リードフレーム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1137370A Division JP2787159B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 電気部品用金属板の粗面加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189858A true JPH10189858A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=11816413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10012834A Pending JPH10189858A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 半導体デバイス用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189858A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005238306A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nippon Kinzoku Co Ltd | 柱状突起を有する金属棒部材及びその製造方法 |
| JP2009032906A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP10012834A patent/JPH10189858A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005238306A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nippon Kinzoku Co Ltd | 柱状突起を有する金属棒部材及びその製造方法 |
| JP4611650B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2011-01-12 | 日本金属株式会社 | グレーチング横材の製造方法 |
| JP2009032906A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
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