JP2021009973A - リードフレームおよびリードフレームの製造方法 - Google Patents

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勇哉 小笠原
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Abstract

【課題】リードフレームと封止樹脂との密着性を部分的に向上させることができる技術を提供する。【解決手段】厚板部と、薄板部とを有する異形条のリードフレームであって、厚板部は、半導体素子が搭載される第1凸部と、第1凸部よりも厚みが小さい第2凸部と、を有し、第1凸部および第2凸部は、厚板部の長手方向に沿って交互に設けられており、薄板部の上面および側面と、第1凸部の側面と、第2凸部の上面および側面と、が粗化面になっているリードフレーム。【選択図】図1

Description

本発明は、リードフレームおよびリードフレームの製造方法に関する。
樹脂封止型の半導体装置において、封止樹脂との高い密着性を有するリードフレームが望まれている。例えば、特許文献1には、粗化処理を行うことによって、封止樹脂との密着性を確保したリードフレームが提案されている。
特開2012−028822号公報
本発明の目的は、リードフレームと封止樹脂との密着性を部分的に向上させることができる技術を提供することである。
本発明の一態様によれば、
厚板部と、薄板部とを有する異形条のリードフレームであって、
前記厚板部は、半導体素子が搭載される第1凸部と、前記第1凸部よりも厚みが小さい第2凸部と、を有し、
前記第1凸部および前記第2凸部は、前記厚板部の長手方向に沿って交互に設けられており、
前記薄板部の上面および側面と、前記第1凸部の側面と、前記第2凸部の上面および側面と、が粗化面になっているリードフレームが提供される。
本発明の他の態様によれば、
厚板部と、薄板部とを有する異形条のリードフレームの製造方法であって、
前記厚板部に対してプレスを行うプレス工程と、
前記厚板部に対してマスキングテープを貼り付けるマスク工程と、
前記厚板部および前記薄板部に対して粗化処理を行う粗化処理工程と、を有し、
前記プレス工程では、半導体素子が搭載される第1凸部と、前記第1凸部よりも厚みが小さい第2凸部とを、前記厚板部の長手方向に沿って交互に形成し、
前記マスク工程では、前記マスキングテープが、前記第1凸部の上面に接触し、かつ、前記第2凸部の上面に接触しないように、前記マスキングテープの張力を調整し、
前記粗化処理工程では、前記薄板部の上面および側面と、前記第1凸部の側面と、前記第2凸部の上面および側面と、を粗化するリードフレームの製造方法が提供される。
本発明によれば、リードフレームと封止樹脂との密着性を部分的に向上させることが
できる。
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係るリードフレーム10の斜視図である。図1(b)は、本発明の第1実施形態に係るリードフレーム10における粗化面15の一例を示す斜視図である。 図2は、本発明の第1実施形態に係るリードフレーム10の平面図である。 図3は、本発明の第1実施形態に係る第2凸部14の短手方向の縦断面図である。 図4は、本発明の第1実施形態に係る厚板部11の長手方向の縦断面図である。 図5は、本発明の第1実施形態に係るリードフレーム10の製造方法の一例を示すフローチャートである。 図6は、本発明の第1実施形態に係るマスキングテープ17を貼り付けたリードフレーム10の一例を示す概略断面図である。
[本発明の実施形態の説明]
<発明者の得た知見>
まず、発明者等が得た知見について説明する。
樹脂封止型の半導体デバイスに用いられるリードフレームとしては、封止樹脂との高い密着性を有することが望まれている。高い密着性を確保する方法としては、例えば、リードフレームの表面を粗化処理する方法が知られている。しかしながら、リードフレームを構成する金属板の全面を粗化処理した場合、半導体素子が搭載される素子搭載部において、半田濡れ性が低下してしまうという問題があった。
また、車載用等のパワーモジュール半導体に用いられるリードフレームでは、半導体素子で発生する熱が大きいため、高い放熱性を有することが要求されている。さらに、半導体素子で発生する熱によって剥離等が生じる可能性があるため、より高い密着性を有することが要求されている。
本願発明者等は、上述のような事象に対して鋭意研究を行った。その結果、厚板部と、薄板部とを有する異形条の金属板を用い、プレス工程と、マスク工程と、粗化処理工程とを行うことによって、高い放熱性を確保しつつ、封止樹脂との密着性を向上できることを見出した。また、部分粗化を行うことによって、素子搭載部の半田濡れ性の低下を抑制できることを見出した。
本発明は、発明者等が見出した上記知見に基づくものである。
[本発明の実施形態の詳細]
次に、本発明の一実施形態を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
<本発明の第1実施形態>
(1)リードフレームの構成
まず、本実施形態のリードフレーム10の構成について説明する。
図1(a)は、本実施形態のリードフレーム10の斜視図である。図1(a)に示すように、本実施形態のリードフレーム10は、厚板部11と、薄板部12とを有する異形条のリードフレームである。
厚板部11は、第1凸部13と、第2凸部14とを有している。第1凸部13および第2凸部14は、厚板部11の長手方向に沿って交互に設けられている。
なお、本明細書において、「長手方向」とは、厚板部11が伸びている方向を意味するものとする。また、リードフレーム10を平面視した際、長手方向に直交する方向を「短手方向」というものとする。
第1凸部13は、半導体素子が搭載される素子搭載部として構成されている。第1凸部13は、例えば、厚板部11の長手方向に沿って複数設けられている。第1凸部13の厚みtは、例えば、0.5mm以上5mm以下であることが好ましい。第1凸部13の厚みtが0.5mm未満では、リードフレーム10の放熱性が不充分となる可能性がある。これに対し、第1凸部13の厚みtを0.5mm以上とすることで、リードフレーム10の放熱性を充分高くすることができる。一方、第1凸部13の厚みtが5mmを超えると、半導体モジュールのサイズ肥大化を招く可能性がある。これに対し、第1凸部13の厚みtを5mm以下とすることで、半導体モジュールのサイズ肥大化を抑制することができる。
第2凸部14は、例えば、第1凸部13の間に設けられている。第2凸部14の厚みtは、第1凸部13の厚みtより小さくなっている。第2凸部14の厚みtは、例えば、0.3mm以上4.5mm以下であることが好ましい。第2凸部14の厚みtが0.3mm未満では、リードフレーム10の放熱性が不充分となる可能性がある。これに対し、第2凸部14の厚みtを0.3mm以上とすることで、リードフレーム10の放熱性を充分高くすることができる。一方、第2凸部14の厚みtが4.5mmを超えると、後述する第2凸部14によるアンカー効果が得難くなる。これに対し、第2凸部14の厚みtを4.5mm以下とすることで、後述する第2凸部14によるアンカー効果を得ることができる。
薄板部12は、例えば、厚板部11の短手方向の両側に設けられている。薄板部12の厚みtは、第1凸部13の厚みtおよび第2凸部14の厚みtより小さくなっている。薄板部12の厚みtは、例えば、0.1mm以上4mm以下であることが好ましい。薄板部12の厚みtが0.1mm未満では、リードフレーム10の強度が不充分となる可能性がある。これに対し、薄板部12の厚みtを0.1mm以上とすることで、リードフレーム10の強度を充分高くすることができる。一方、薄板部12の厚みtが4mmを超えると、リードフレーム10の成形性が低下する可能性がある。これに対し、薄板部12の厚みtを4mm以下とすることで、リードフレーム10の成形性の低下を抑制することができる。
図1(b)は、本実施形態のリードフレーム10における粗化面15の一例を示す斜視図である。図1(b)のハッチング部で示すように、本実施形態のリードフレーム10は、薄板部12の上面および側面と、第1凸部13の側面と、第2凸部14の上面および側面と、が粗化面15になっている。これらの面が粗化面15になっていることで、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を部分的に向上させることができる。
なお、本明細書において、「上面」とは、第1凸部13等の凸部が形成されている方向の面を意味するものとする。また、上面と反対側の面を「裏面」というものとする。
粗化面15の算術平均粗さRa(JIS B0601−2001参照)は、例えば、0.15μm以上とすることが好ましい。粗化面15の算術平均粗さRaが0.15μm未満では、リードフレーム10と封止樹脂との充分な密着性が得られ難い。これに対し、粗化面15の算術平均粗さRaを0.15μm以上とすることで、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
なお、JIS B0601−2001に規定される表面粗さの指標としては、算術平均粗さRaの他に、例えば、最大高さRz等がある。最大高さRzは、例えば、良品と不良品とを判別する指標として適している。一方、算術平均粗さRaは、例えば、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を示す指標として適している。したがって、本明細書においては、算術平均粗さRaの値で、粗化面15の粗化の度合いを表すものとする。
リードフレーム10を平面視した際、第1凸部13の周囲4方向は、すべて粗化面15になっている。第1凸部13の周囲4方向がすべて粗化面15になっていることで、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
また、第1凸部13の上面は、半導体素子が搭載されるため、粗化されていないことが好ましい。第1凸部13の上面が粗化されていないことで、第1凸部13の半田濡れ性の低下を抑制することができる。
図2は、本実施形態のリードフレーム10の平面図である。図2に示すように、第2凸部14は、突出部16を有している。突出部16は、例えば、厚板部11の短手方向へ円弧状に突出している。第2凸部14が突出部16を有することで、突出部16がない場合と比べて、第2凸部14の粗化面積を大きくすることができる。これにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
図3は、第2凸部14の短手方向の縦断面図である。図3に示すように、第2凸部14の短手方向の縦断面形状は、逆テーパー形状になっている。そのため、突出部16と封止樹脂との引っ掛かりが強くなり、アンカー効果を得ることができる。また、上述したように、第2凸部14の側面は粗化面15になっているため、第2凸部14によるアンカー効果を強化することができる。さらに、第2凸部14の側面が粗化面15になっていない場合と比べて、より多くの方向からの応力に対して封止樹脂との剥離を抑制することができる。これらにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
なお、本明細書において、「逆テーパー形状」とは、先端ほど幅広になる形状のことをいい、側面の傾斜角が一定ではないものを含むものとする。また、左右対称の形状ではないものを含むものとする。
図4は、厚板部11の長手方向の縦断面図である。図4に示すように、第1凸部13の側面の少なくとも一部は、傾斜面になっている。具体的には、例えば、第1凸部13の長手方向の側面のうち、第2凸部14側の側面の一部が、第1凸部13の上面側に傾いた傾斜面になっている。第1凸部13の側面の少なくとも一部が傾斜面になっていることで、傾斜面がない場合と比べて、第1凸部13の側面の粗化面積を大きくすることができる。これにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
なお、本明細書において、「傾斜面」とは、その傾斜角が一定ではないものを含むものとする。
第2凸部14の側面の算術平均粗さRaは、第1凸部13の側面の算術平均粗さRaよりも大きくなっている。アンカー効果のある第2凸部14の側面の算術平均粗さRaを大きくすることで、第2凸部14によるアンカー効果を強化することができる。これにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
また、薄板部12の上面の算術平均粗さRaは、第2凸部14の上面の算術平均粗さRaよりも大きくなっている。ここで、半導体素子が搭載される第1凸部13を有する厚板部11は、高い放熱性を確保するために一定以上の厚みが必要とされる。これに対し、薄板部12は、高い放熱性は要求されない代わりに、封止樹脂との高い密着性を有することが要求される。したがって、薄板部12の上面の算術平均粗さRaを大きくすることで、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
また、第1凸部13の上面の周縁部の算術平均粗さRaは、第1凸部13の上面の中央部の算術平均粗さRaよりも大きくなっている。第1凸部13の上面の周縁部の算術平均粗さRaを大きくすることで、粗化面積を大きくすることができる。これにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。また、第1凸部13の上面の中央部の算術平均粗さRaを小さくすることで、半導体素子を搭載する際の半田濡れ性の低下を抑制することができる。
なお、本明細書において、第1凸部13の上面の周縁部とは、例えば、第1凸部13の上面のエッジから中心方向に1mm以内の領域を意味する。また、第1凸部13の上面の中央部とは、例えば、第1凸部13の上面の中心からエッジ方向に1mm以内の領域を意味する。
(2)リードフレームの製造方法
次に、本実施形態のリードフレーム10の製造方法について説明する。
図5は、本実施形態のリードフレーム10の製造方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態のリードフレーム10の製造方法は、例えば、プレス工程S1と、マスク工程S2と、粗化処理工程S3と、洗浄工程S4と、打ち抜き工程S5と、点検・梱包工程S6とを有する。
(プレス工程S1)
まず、プレス工程S1で用いるリードフレーム材について説明する。リードフレーム材には、これに搭載される半導体素子の特性に応じた所定の熱伝導率および所定の電気伝導度を有する金属板が用いられる。リードフレーム材として好適に用いられる金属材料としては、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金等が例示される。また、リードフレーム10に所定の強度や耐熱性等の特性を持たせるために、上述の金属材料に、所定量の鉄、亜鉛、リン、すず、ニッケル等の添加元素を添加してもよい。
本実施形態におけるリードフレーム材は、厚板部11と、薄板部12とを有する異形条の金属板である。このような異形条の金属板は、例えば、上述の金属材料を圧延加工することによって形成することができる。
プレス工程S1では、厚板部11に対してプレスを行い、第1凸部13と、第2凸部14とを、厚板部11の長手方向に沿って交互に形成する。すなわち、厚板部11の所定の位置を、所定のプレス深さdで押し潰し、第2凸部14を形成する。厚板部11において、プレスを行っていない箇所が第1凸部13に相当する。プレス深さdは、例えば、0.1mm以上1mm以下の範囲内で適宜設定することができる。この際、第1凸部13の厚みt>第2凸部14の厚みt>薄板部12の厚みtという関係となるように、プレス深さdを設定する。
プレス工程S1では、厚板部11を押し潰す際、押し潰された余分な金属(以下、肉とよぶ)を外側(短手方向)に逃がすようにプレスを行う。厚板部11を押し潰す際、敢えて肉を逃がしてプレスをすることで、第2凸部14に突出部16を形成することができる。突出部16を形成することで、突出部16がない場合と比べて、第2凸部14の粗化面積を大きくすることができる。また、突出部16と封止樹脂との引っ掛かりが強くなり、アンカー効果を得ることができる。これらにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
また、プレス工程S1では、厚板部11を押し潰す際、第1凸部13の側面の少なくとも一部が傾斜面になるようにプレスを行う。プレス工程S1にて形成された第1凸部13の側面は、プレスによってせん断応力が加わるため、例えば、せん断面となる。第1凸部13の側面の少なくとも一部が傾斜面になっていることで、傾斜面がない場合と比べて、第1凸部13の側面の粗化面積を大きくすることができる。これにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
(マスク工程S2)
マスク工程S2では、例えば、マスキングテープ貼付けロールを用いて、厚板部11の長手方向に連続してマスキングテープ17を貼り付ける。マスキングテープ17の材質としては、例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)、ポリエステル、ポリプロピレン等のプラスチックフィルムが例示される。これらのプラスチックフィルムに、例えば、合成樹脂系の接着剤を塗布し、マスキングテープ17とする。
図6は、マスキングテープ17を貼り付けたリードフレーム10の一例を示す概略断面図である。図6に示すように、マスク工程S2では、マスキングテープ17が、第1凸部13の上面に接触し、かつ、第2凸部14の上面に接触しないように、マスキングテープ17の張力を調整する。これにより、マスキングテープ17をカットすることなく、後述する粗化処理工程S3において、第2凸部14を粗化処理することができる。
(粗化処理工程S3)
粗化処理工程S3では、マスキングテープ17を貼り付けたリードフレーム10に対して、粗化処理を行う。粗化処理は、リードフレーム材の表面をエッチングによって粗化することができるエッチング液を用いて行う。エッチング液としては、例えば、リードフレーム材が銅で構成されている場合には、硫酸系エッチング液を用いることができる。粗化処理は、例えば、エッチング液を貯留したエッチング槽の中にリードフレーム10を浸漬させることにより行う。
粗化処理工程S3では、第1凸部13の上面を除く、封止樹脂と接触する面を粗化する。具体的には、例えば、薄板部12の上面および側面と、第1凸部13の側面と、第2凸部14の上面および側面と、を粗化する。これらの面を粗化面15とすることで、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を部分的に向上させることができる。また、第1凸部13の上面を粗化しないことで、素子搭載部としての第1凸部13の半田濡れ性の低下を抑制することができる。
なお、リードフレーム10の裏面を封止樹脂で覆う場合には、リードフレーム10の裏面も粗化することが好ましい。これにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。一方、リードフレーム10の裏面を封止樹脂で覆わずに露出させる場合には、リードフレーム10の裏面は粗化しないことが好ましい。これにより、例えば、リードフレーム10の裏面に封止樹脂の薄バリが発生した場合、薄バリの除去を容易に行うことができる。なお、「薄バリ」とは、例えば、封止樹脂を成型する際に、金型の隙間等へ余剰な樹脂が流れて発生する薄いバリのことを意味し、フラッシュバリともいう。薄バリの除去は、例えば、水と研磨剤の混合液を噴射する手法によって行うことができる。
本実施形態では、プレス工程S1の後に、マスク工程S2および粗化処理工程S3を行う。したがって、プレス工程S1にて形成した突出部16も粗化することができる。突出部16を粗化することで、粗化面積を大きくすることができる。また、第2凸部14によるアンカー効果を強化することができる。さらに、第2凸部14の側面が粗化面15になっていない場合と比べて、より多くの方向からの応力に対して封止樹脂との剥離を抑制することができる。
ここで、逆テーパー形状である第2凸部14の側面は、エッチング液が流れ込み難いため、通常は粗化し難い。しかしながら、本実施形態では、プレス工程S1におけるプレス条件を制御することによって、第2凸部14の側面を粗化しやすい表面状態にしている。そのため、粗化処理工程S3にて第2凸部14の側面も粗化することができる。
また、粗化処理工程S3では、第2凸部14の側面の算術平均粗さRaが、第1凸部13の側面の算術平均粗さRaよりも大きくなるように粗化処理を行う。上述の通り、プレス工程S1でのプレス条件を制御することで、第1凸部13の側面と比べて、第2凸部14の側面を粗化しやすくできる。これにより、第2凸部14の側面の算術平均粗さRaを大きくし、第2凸部14によるアンカー効果を強化することができる。
また、粗化処理工程S3では、薄板部12の上面の算術平均粗さRaが、第2凸部14の上面の算術平均粗さRaよりも大きくなるように粗化処理を行う。プレス工程S1にてプレス深さdを調整するか、あるいはマスク工程S2にてマスキングテープ17の張力を調整することで、第2凸部14の上面へ流れ込むエッチング液の流量を調整することができる。すなわち、薄板部12の上面へ流れ込むエッチング液の流量を、第2凸部14の上面へ流れ込むエッチング液の流量より大きくすることができる。これにより、薄板部12の上面の算術平均粗さRaを大きくし、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
また、粗化処理工程S3では、第1凸部13の上面の周縁部の算術平均粗さRaが、第1凸部13の上面の中央部の算術平均粗さRaよりも大きくなるように粗化処理を行う。マスク工程S2にてマスキングテープ17の接着力を調整することで、第1凸部13の上面の周縁部に、エッチング液が浸み込みやすくすることができる。そのため、第1凸部13の上面の周縁部は、第1凸部13の上面の中央部に比べて、粗化しやすい。第1凸部13の上面の周縁部の算術平均粗さRaを大きくすることで、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。また、マスキングテープ17の接着力を調整することで、第1凸部13の上面の中央部に、エッチング液が浸み込み難くすることができる。第1凸部13の上面の中央部の算術平均粗さRaを小さくすることで、半導体素子を搭載する際の半田濡れ性の低下を抑制することができる。なお、マスキングテープ17の接着力を調整する方法としては、例えば、マスキングテープ貼付けロールの貼付圧力を調整する方法や、接着剤を変える方法が例示される。
(洗浄工程S4)
洗浄工程S4では、リードフレーム10をエッチング槽から搬出した後、マスキングテープ17を剥離し、水洗、乾燥して粗化処理後のリードフレーム10を得る。
(打ち抜き工程S5)
打ち抜き工程S5では、粗化処理後のリードフレーム10を所定の形状に打ち抜き加工する。なお、必要に応じて、例えば、リードフレーム10の一部を所定の形状に曲げる曲げ加工等を行ってもよい。また、その後に再度リードフレーム10の洗浄を行ってもよい。
(検査・梱包工程S6)
検査・梱包工程S6では、まず、リードフレーム10の外観検査を実施する。外観検査では、例えば、リードフレーム10に傷や変形、凹み等がないか検査する。次に、リードフレーム10の梱包を実施する。リードフレーム10の梱包は、外観検査で良品と判断したリードフレーム10を、例えば、所定の個数ずつ梱包用の容器に収納することで行う。
以上の工程により、完成品のリードフレーム10が製造される。
(3)本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
(a)本実施形態のリードフレーム10は、薄板部12の上面および側面と、第1凸部13の側面と、第2凸部14の上面および側面と、が粗化面15になっている。これらの面が粗化面15になっていることで、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を部分的に向上させることができる。
ここで、従来の樹脂封止型の半導体デバイスに用いられるリードフレームは、リードフレームを構成する金属板の全面を粗化処理した場合、半導体素子が搭載される素子搭載部において、半田濡れ性が低下してしまうという問題があった。
また、車載用等のパワーモジュール半導体に用いられるリードフレームでは、高い放熱性に加えて、より高い密着性を有することが要求されている。
これに対し、本実施形態のリードフレーム10は、厚板部11によって充分な放熱性を確保している。さらに、第1凸部13の周囲4方向がすべて粗化面15になっていることで、従来のリードフレームよりも、封止樹脂との密着性を向上させることができる。
また、第1凸部13の上面は粗化されていないため、素子搭載部としての第1凸部13の半田濡れ性の低下を抑制することができる。
(b)本実施形態のリードフレーム10において、第2凸部14は突出部16を有している。そのため、第2凸部14の粗化面積を大きくすることができる。これにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
(c)本実施形態のリードフレーム10において、第2凸部14の短手方向の縦断面形状は、逆テーパー形状になっている。そのため、突出部16と封止樹脂との引っ掛かりが強くなり、アンカー効果を得ることができる。また、第2凸部14の側面は粗化面15になっているため、第2凸部14によるアンカー効果を強化することができる。さらに、第2凸部14の側面が粗化面15になっていない場合と比べて、より多くの方向からの応力に対して封止樹脂との剥離を抑制することができる。これらにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
(d)本実施形態のリードフレーム10において、第1凸部13の側面の少なくとも一部は、傾斜面になっている。そのため、第1凸部13の側面の粗化面積を大きくすることができる。これにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
(e)本実施形態のリードフレーム10において、第2凸部14の側面の算術平均粗さRaは、第1凸部13の側面の算術平均粗さRaよりも大きくなっている。そのため、第2凸部14によるアンカー効果を強化することができる。これにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
(f)本実施形態のリードフレーム10において、薄板部12の上面の算術平均粗さRaは、第2凸部14の上面の算術平均粗さRaよりも大きくなっている。これにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
(g)本実施形態のリードフレーム10において、第1凸部13の上面の周縁部の算術平均粗さRaは、第1凸部13の上面の中央部の算術平均粗さRaよりも大きくなっている。これにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。また、半導体素子を搭載する際の半田濡れ性の低下を抑制することができる。
(h)本実施形態のプレス工程S1では、厚板部11を押し潰す際、敢えて肉を逃がしてプレスをすることで、第2凸部14に突出部16を形成することができる。そのため、第2凸部14の粗化面積を大きくすることができる。また、突出部16と封止樹脂との引っ掛かりが強くなり、アンカー効果を得ることができる。これらにより、リードフレーム10と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
(i)本実施形態のマスク工程S2では、マスキングテープ17が、第1凸部13の上面に接触し、かつ、第2凸部14の上面に接触しないように、マスキングテープ17の張力を調整する。これにより、マスキングテープ17をカットすることなく、粗化処理工程S3において、第2凸部14を粗化処理することができる。
(j)本実施形態では、プレス工程S1の後に、マスク工程S2および粗化処理工程S3を行う。そのため、プレス工程S1にて形成した突出部16も粗化することができる。突出部16を粗化することで、粗化面積を大きくすることができる。また、第2凸部14によるアンカー効果を強化することができる。さらに、第2凸部14の側面が粗化面15になっていない場合と比べて、より多くの方向からの応力に対して封止樹脂との剥離を抑制することができる。
<本発明の他の実施形態>
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、リードフレーム10が1つの厚板部11を有する場合について説明したが、リードフレーム10は、複数の厚板部11を有していてもよい。
例えば、上述の実施形態では、厚板部11が2つの第1凸部13と、1つの第2凸部14とを有する場合について説明したが、厚板部11は1つまたは3つ以上の第1凸部13を有していてもよいし、複数の第2凸部14を有していてもよい。
例えば、上述の実施形態では、第1凸部13の上面を粗化しない場合について説明したが、第1凸部13の上面を粗化してもよい。
例えば、上述の実施形態では、突出部16が厚板部11の短手方向へ円弧状に突出している場合について説明したが、突出部16は、厚板部11の長手方向に交差する方向へ突出していてもよい。また、突出部16は、一部が円弧状であってもよいし、矩形状であってもよい。
<本発明の好ましい態様>
以下、本発明の好ましい態様を付記する。
(付記1)
本発明の一態様によれば、
厚板部と、薄板部とを有する異形条のリードフレームであって、
前記厚板部は、半導体素子が搭載される第1凸部と、前記第1凸部よりも厚みが小さい第2凸部と、を有し、
前記第1凸部および前記第2凸部は、前記厚板部の長手方向に沿って交互に設けられており、
前記薄板部の上面および側面と、前記第1凸部の側面と、前記第2凸部の上面および側面と、が粗化面になっているリードフレームが提供される。
(付記2)
付記1に記載のリードフレームであって、
前記第2凸部は、前記厚板部を平面視した際に、前記長手方向に交差する方向へ突出している突出部を有する。
(付記3)
付記1または付記2に記載のリードフレームであって、
前記第2凸部の前記長手方向に交差する方向の縦断面形状は、逆テーパー形状になっている。
(付記4)
付記1から付記3のいずれか1つに記載のリードフレームであって、
前記第1凸部の側面の少なくとも一部は、傾斜面になっている。
(付記5)
付記1から付記4のいずれか1つに記載のリードフレームであって、
前記第2凸部の側面の算術平均粗さRaは、前記第1凸部の側面の算術平均粗さRaよりも大きい。
(付記6)
付記1から付記5のいずれか1つに記載のリードフレームであって、
前記薄板部の上面の算術平均粗さRaは、前記第2凸部の上面の算術平均粗さRaよりも大きい。
(付記7)
付記1から付記6のいずれか1つに記載のリードフレームであって、
前記第1凸部の上面の周縁部の算術平均粗さRaは、前記第1凸部の上面の中央部の算術平均粗さRaよりも大きい。
(付記8)
本発明の他の態様によれば、
厚板部と、薄板部とを有する異形条のリードフレームの製造方法であって、
前記厚板部に対してプレスを行うプレス工程と、
前記厚板部に対してマスキングテープを貼り付けるマスク工程と、
前記厚板部および前記薄板部に対して粗化処理を行う粗化処理工程と、を有し、
前記プレス工程では、半導体素子が搭載される第1凸部と、前記第1凸部よりも厚みが小さい第2凸部とを、前記厚板部の長手方向に沿って交互に形成し、
前記マスク工程では、前記マスキングテープが、前記第1凸部の上面に接触し、かつ、前記第2凸部の上面に接触しないように、前記マスキングテープの張力を調整し、
前記粗化処理工程では、前記薄板部の上面および側面と、前記第1凸部の側面と、前記第2凸部の上面および側面と、を粗化するリードフレームの製造方法が提供される。
10 リードフレーム
11 厚板部
12 薄板部
13 第1凸部
14 第2凸部
15 粗化面
16 突出部
17 マスキングテープ
S1 プレス工程
S2 マスク工程
S3 粗化処理工程
S4 洗浄工程
S5 打ち抜き工程
S6 点検・梱包工程

Claims (8)

  1. 厚板部と、薄板部とを有する異形条のリードフレームであって、
    前記厚板部は、半導体素子が搭載される第1凸部と、前記第1凸部よりも厚みが小さい第2凸部と、を有し、
    前記第1凸部および前記第2凸部は、前記厚板部の長手方向に沿って交互に設けられており、前記薄板部の上面および側面と、前記第1凸部の側面と、前記第2凸部の上面および側面と、が粗化面になっているリードフレーム。
  2. 前記第2凸部は、前記厚板部を平面視した際に、前記長手方向に交差する方向へ突出している突出部を有する請求項1に記載のリードフレーム。
  3. 前記第2凸部の前記長手方向に交差する方向の縦断面形状は、逆テーパー形状になっている請求項1または請求項2に記載のリードフレーム。
  4. 前記第1凸部の側面の少なくとも一部は、傾斜面になっている請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のリードフレーム。
  5. 前記第2凸部の側面の算術平均粗さRaは、前記第1凸部の側面の算術平均粗さRaよりも大きい請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のリードフレーム。
  6. 前記薄板部の上面の算術平均粗さRaは、前記第2凸部の上面の算術平均粗さRaよりも大きい請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のリードフレーム。
  7. 前記第1凸部の上面の周縁部の算術平均粗さRaは、前記第1凸部の上面の中央部の算術平均粗さRaよりも大きい請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のリードフレーム。
  8. 厚板部と、薄板部とを有する異形条のリードフレームの製造方法であって、
    前記厚板部に対してプレスを行うプレス工程と、
    前記厚板部に対してマスキングテープを貼り付けるマスク工程と、
    前記厚板部および前記薄板部に対して粗化処理を行う粗化処理工程と、を有し、
    前記プレス工程では、半導体素子が搭載される第1凸部と、前記第1凸部よりも厚みが小さい第2凸部とを、前記厚板部の長手方向に沿って交互に形成し、
    前記マスク工程では、前記マスキングテープが、前記第1凸部の上面に接触し、かつ、前記第2凸部の上面に接触しないように、前記マスキングテープの張力を調整し、
    前記粗化処理工程では、前記薄板部の上面および側面と、前記第1凸部の側面と、前記第2凸部の上面および側面と、を粗化するリードフレームの製造方法。
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