JPH10176797A - 密閉キャビティ内にガス相を充填する方法 - Google Patents

密閉キャビティ内にガス相を充填する方法

Info

Publication number
JPH10176797A
JPH10176797A JP9333307A JP33330797A JPH10176797A JP H10176797 A JPH10176797 A JP H10176797A JP 9333307 A JP9333307 A JP 9333307A JP 33330797 A JP33330797 A JP 33330797A JP H10176797 A JPH10176797 A JP H10176797A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cavity
ions
gas phase
implantation
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9333307A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4657392B2 (ja
Inventor
Michel Bruel
ミシェル・ブリュエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of JPH10176797A publication Critical patent/JPH10176797A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4657392B2 publication Critical patent/JP4657392B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/764—Air gaps
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/32—Hydrogen storage

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 構造体内に存在する密閉されたキャビティ内
にガス相を充填する方法を提供する。 【解決手段】 キャビティ１５内にガス相を生成するこ
とができる複数のイオンを注入するためにイオン注入を
行い、この注入は、キャビティ１５に到達しうるのに十
分な注入エネルギーを各イオンに供給し、かつ、キャビ
ティ１５内で所定圧力を得るのに十分な量をもって行わ
れることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、密閉されたキャビ
ティ内にガス相（gaseous phase）を充填する方法に関
する。このキャビティは、導電体、半導体または誘電体
等のいかなる種類の固体材料からも製造することができ
る。
【０００２】
【従来の技術】密閉キャビティ内にガス相を充填するこ
とは、一定の技術分野では価値のあることである。特に
マイクロエレクトロニクスの分野では、ガス相を充填す
ることにより、圧力センサーとして使用したり、あるい
は柔らかい接触部を形成することができる加圧されたマ
イクロパッド（micro-pads）を製造することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】マイクロエレクトロニ
クスの分野におけるデバイス中に前述の加圧されたマイ
クロパッドを製造することは、従来の方法では特に困難
であると考えられている。たいていのマイクロエレクト
ロニクスにおける方法は、低圧または大気圧で動作する
装置により行われる。以上のような状況の下、所定圧力
に対応するガスが充填された媒介物を備えた物理的な充
填手段により、構造体中の微小キャビティ内に所定圧力
でガス相を充填することは可能であるが、ガス相を所望
圧力で維持しつつ微小キャビティを密閉することは困難
であり、さらには不可能であるとさえ言える。
【０００４】本発明の発明者は、キャビティと外部との
間に物理的な充填手段を用いることなく、構造体内に存
在する閉塞されたキャビティ内にガス相を充填できると
の知見を得た。すなわち、発明者は、キャビティ内でガ
スを生成することができるイオンを、該キャビティを密
閉する壁部を通過させて注入することによりガス相を充
填する方法を発明した。
【０００５】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明の目
的は、構造体内に存在する少なくとも一つの密閉された
キャビティ内にガス相を充填する方法を提供することで
ある。本発明による方法は、キャビティ内に所望のガス
相を生成することができる複数のイオンを注入するため
にイオン注入を行い、この注入は、キャビティに到達し
うるのに十分なエネルギーを各イオンに対して供給する
とともに、キャビティ内で所定圧力を得るのに十分な量
をもって行われることを特徴とする。
【０００６】“ガス相を生成することができる複数のイ
オン”とは、キャビティ内に供給される各イオンが、こ
れらイオン間及び／又は周囲の複数の原子との間で相互
作用を行った後に、前記各イオン間で中和された各イオ
ン及び／又は前記各原子と中和された各イオンが結合す
ることにより生成されるガス分子を製造することを意味
する。
【０００７】ガス相は、異なる種類の各イオンを注入す
ることにより製造することができる。好ましくは、これ
らイオンは、水素イオン、または特にヘリウムイオン等
の希ガスのイオンとされる。
【０００８】好ましくは、注入に用いられるエネルギー
は、キャビティ内における理論上最大のイオン濃度を提
供するものとされる。
【０００９】イオン注入は、キャビティ内で生成される
ガス相にキャビティの一つの壁部を変形させるのに十分
な圧力を与えうる量で行うことができる。この変形され
た壁部は、突起状またはパッド状とすることができる。
この壁部の外面が導電性を有して形成されている場合に
は、構造体は外側の部材に対して柔らかい電気接触を提
供することができる。
【００１０】本発明の他の態様によれば、ガス相が誘電
体として作用する少なくとも一つのキャパシタを形成す
るように配置された複数の電極の並び（formation）を
構成することができる。
【００１１】上記態様によれば、前記製法は、キャパシ
タのキャパシタンスを計測する圧力センサーを製造する
ために用いることができる。前記製法はさらに、注入さ
れた複数のキャビティのマトリクスから形成された各キ
ャパシタに対する各キャパシタンスを計測することによ
る複数の圧力センサーのマトリクスを製造するために用
いることもできる。
【００１２】
【発明の実施の形態】添付図面を参照して行う以下の非
制限的な説明により、本発明はさらに理解されるととも
に、さらなる有利点および特徴が明らかとされる。図１
は、物質内に注入されるイオンの濃度分布を示した図で
ある。図２は、キャビティを半導体の構造体内に形成す
る方法を示し、（Ａ）〜（Ｃ）は当該形成過程の各段階
を示した断面図である。図３は、本発明による方法を適
用して製造された圧力センサのマトリクスを示す平面図
である。図４は、本発明による方法を適用することによ
り柔らかい電気接触を有する構造体を示した断面図であ
る。
【００１３】固体材料の平板にイオンを衝突させると、
イオンは、該イオンに印加されるエネルギーおよび前記
材料の性質に応じて様々な深さまでプレート内に浸透す
る。前記プレートが均質な材料で形成されるとともに一
つの平坦な表面を有し、かつ所定のエネルギーのイオン
ビームによりイオン衝突が行われたと仮定すると、プレ
ート内に注入されるイオンは、平均深さ付近に最大濃度
を有して該平均深さ周りに分布される。図１には、単結
晶シリコンのプレート内にＨ+イオン（陽子）を注入し
た際のイオン濃度分布の一例が示されている。さらに詳
しくは、“半導体材料薄膜の製造方法”について記載さ
れた仏国特許第2,681,472号公開公報明細書を参照され
たい。
【００１４】図１において、Ｙ軸は、各矢印で示すよう
に、所定エネルギーのイオンビームが浸透するプレート
の平坦表面に一致するものである。イオンビームの方向
に平行なＸ軸は、プレートの深さｐを示す。軌跡１は、
例えば周囲温度等の設定温度で注入が行われた際の注入
イオンの濃度分布Ｃである。この軌跡１は、注入イオン
の濃度は深さＲｐで最大値をもつということを示してい
る。したがって、固体部材内の所定深さに相対的に多量
のイオンを集中させることができるということである。
【００１５】したがって、適切な方法で各注入パラメー
タを調節することにより、キャビティに侵入する、充填
に必要なガス相を生成するイオンの最大濃度を達成する
ことができる。キャビティ内にのみガス相を充填し、か
つキャビティ周囲の材料内へのイオン注入を回避するた
めに、マスキングを用いることができる。
【００１６】キャビティは、構造体を形成する材質内に
自然に存在しうるが、さらには通常の方法で製造するこ
ともできる。本発明は、これら両方の可能性に適用する
ものである。
【００１７】一例として、半導体の構造体に形成された
キャビティ内にガス相の充填を行う場合について説明す
る。
【００１８】図２（Ａ）〜（Ｃ）には、例えばドーピン
グされてｎ形とされた単結晶シリコンの基体１０から形
成された半導体の構造体の断面が示されている。基体１
０上には、厚さ５００ｎｍの酸化層１１が、加熱による
酸化によって形成されている。得られた前記構造体の一
つの表面上に、厚さ５００ｎｍの多結晶シリコン層１２
が堆積されている（deposited）。この多結晶シリコン
層１２上には、厚さ５００ｎｍの酸化層１３が、加熱に
よる酸化によって形成されている。多結晶シリコン層１
２の約２５０ｎｍは酸化により消費されるので、残され
た層の厚さは２５０ｎｍとなる。
【００１９】従来のリソエッチング（lithoetching）手
法を使用することにより、開口部１４が最上部の酸化層
１３に形成される。この開口部１４は、例えば直径１ｍ
ｍの孔とされる。この開口部１４を介して、テトラメチ
ルアンモニウム酸化水素溶液（TMAH）により多結晶シリ
コン層１２を加工（attack）することができる。このよ
うにして、開口部１４を中心とする直径２００ｍｍのキ
ャビティ１５を得ることができる（図２（Ｂ）参照）。
【００２０】乾燥段階後に、さらに酸化層１６が、開口
部１４を閉塞するために酸化層１３上に堆積される。こ
のように、密閉されたキャビティ１５が半導体構造体内
に形成されることになる（図２（Ｃ）参照）。
【００２１】この実施形態において、キャビティ１５は
直径２００ｍｍの円盤状とされている。各層１３，１６
から成るユニットは、その厚さを１ｍｍ程度とすること
ができ、これにより、キャビティ１５を密閉する膜とし
て機能することとなる。この膜は、前記キャビティの内
外の圧力差に対して高感度なものとなる。キャビティ内
にガス相を充填することにより、所定圧力に設定するこ
とができる。
【００２２】イオン注入には、水素イオンまたは好まし
くはヘリウムイオンとされる希ガスのイオンを用いるこ
とができる。ガス相は混合ガスで形成することもでき
る。最大イオン濃度がキャビティ内に位置するとともに
ガス相が所望圧力に到達する量をもって注入が行われ
る。
【００２３】好ましくは、各イオンが前記キャビティを
密閉する壁部を通過するときに、これらイオンがキャビ
ティ内に到達する際の平均エネルギーが、例えば１ｋｅ
Ｖより小さくなるべく非常に低くなるように、注入エネ
ルギーが選択される。いくつかのイオンは、キャビティ
内に存在する各原子および各分子と相互作用することに
より減速される。他のイオンはキャビティの底壁部で跳
ね返る。さらに他のイオンはキャビティ底壁部に注入さ
れる。キャビティ底部の表面の濃度は、すぐさま飽和に
達し、平衡となり、注入された各イオンに対して一つの
イオンが放出されることになる。結果として、イオンが
水素イオンとされた場合には、各イオンはキャビティ内
で蓄積されととともに互いに再結合してＨ2ガスを生成
し、これにより、ガス圧力が増大することになる。例え
ば、キャビティ上方の酸化層厚さが５００ｎｍとされた
場合には、注入エネルギーは約６０ｋｅＶに選択される
べきである。
【００２４】完全ガスに対する法則を適用することによ
り、以下の結果が導かれる。平均厚さ１ｍｍのキャビテ
ィに対して、水素による圧力１ｂａｒを得るには、６×
１０15ions/cm2のＨ+イオンが必要とされる。したがっ
て、同様のキャビティに対して、１０ｂａｒの圧力を得
るには１０倍のＨ+イオンが必要とされる。
【００２５】所定圧力に加圧された図２（Ｃ）に示す密
閉キャビティは、誘電体として機能するガス相をキャビ
ティ１５内に含んだ容量型圧力センサー（capacitypres
sure sensor）として用いることができる。この場合に
おいて、キャパシタの各電極は、一方では図に破線で示
したチャンバ１７を形成するために基体１０の一領域に
第一の（initial）ｐ形層となるようにドーピングする
ことにより、他方では酸化層１６上に図に破線で示した
金属電極１８（例えばアルミニウム）を堆積することに
より、形成することができる。
【００２６】同様の原理により、複数の圧力センサーか
らなるマトリクスを形成することもできる。これは、そ
のような構造の平面図である図３により示されている。
この図において、加圧されたキャビティは符号１５０、
上部の酸化層は符号１６０、導電体チャンバーは符号１
７０、上部電極は符号１８０でそれぞれ示されている。
符号１００は、各導電体チャンバー１７０に接続された
複数の電気接触用スタッドを示しており、これらスタッ
ドは、各チャンバーが形成された各層をエッチングした
後に堆積される。
【００２７】このように、複数の容量型圧力センサーか
らなるマトリクスが製造される。各圧力センサーは、加
圧されたキャビティ１５０を介在して配置される一つの
電極１８０と一つの電極１７０（又は導電体チャンバ
ー）との交差部に配置された基本要素としてのキャパシ
タから構成されている。
【００２８】したがって、得られた各圧力センサーのマ
トリクスは、複数の行（例えば金属製電極１８０）と、
複数の列（例えば導電体チャンバー１７０）とを有して
いる。行ｉと列ｊとの交差部の点に対応する前記センサ
ーマトリクスの一つの成分（ｉ，ｊ）における圧力は、
該成分（ｉ，ｊ）のキャパシタンスを計測することによ
り得られる。この目的のために、行ｉを除くすべての行
および列ｊを除くすべての列は、高インピーダンスのも
とに配置されている。そのため、行ｉと列ｊとの間に存
在するキャパシタンスが測定される。
【００２９】類似の形態として、外側要素に対して柔ら
かい（soft）電気接触を行う電気接触部を有する構造体
を製造することもできる。この形態は、多数のキャビテ
ィ２５が単結晶シリコン基体２０内に形成されていると
ともに酸化膜２１により密閉されているものとして図４
に示されている。マスキング技術を用いることにより、
キャビティ２５のみにイオン注入がなされる。注入され
るイオンの量は、各キャビティを密閉する膜２１を膨張
させかつ突起またはパッドを形成するように各キャビテ
ィを加圧する量とされる。膜２１は、金属層２２で覆わ
れている。このようにして、外側要素２８に対する柔ら
かい電気接触部を形成することができる構造体を得るこ
とになる。
【００３０】上述した実施形態は、主要構成要素がシリ
コンおよび酸化シリコンとされた構造体について説明さ
れたが、本発明の方法は、各要素の厚さが構造体内に形
成されたキャビティ内に適切な方法でイオンを注入でき
るものとされるという条件で、他の固体材料にも適用す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 物質内に注入されるイオンの濃度分布を示し
た図である。
【図２】 キャビティを半導体の基体内に形成する方法
を示し、（Ａ）〜（Ｃ）は当該形成過程の各段階を示し
た断面図である。
【図３】 本発明による方法を適用して製造された圧力
センサのマトリクスを示す平面図である。
【図４】 本発明による方法を適用することにより柔ら
かい電気接触部を有する構造体を示した断面図である。
【符号の説明】
１０ 基体 １１ 酸化層 １２ 多結晶シリコン層 １３ 酸化層 １４ 開口部 １５ キャビティ １６ 酸化層

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 構造体内に存在する少なくとも一つの密
    閉されたキャビティ内にガス相を充填する方法におい
    て、 前記キャビティ内に所望のガス相を生成することができ
    る複数のイオンを注入するためにイオン注入を行い、 前記注入は、前記イオンが前記キャビティに到達しうる
    のに十分な注入エネルギーでかつ、該キャビティ内で所
    定圧力を得るのに十分な量をもって行われることを特徴
    とする方法。
  2. 【請求項２】 前記ガス相は、異なる種類の複数のイオ
    ンの注入により生じることを特徴とする請求項１記載の
    方法。
  3. 【請求項３】 前記各イオンは、複数の水素イオンまた
    は複数の希ガスのイオンとされることを特徴とする請求
    項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記注入エネルギーは、前記キャビティ
    の内部で理論上最大のイオン濃度が得られるようにされ
    ていることを特徴とする請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記イオン注入は、前記キャビティ内で
    生成されるガス相に該キャビティの一つの壁部を変形さ
    せるのに十分な圧力を与えうる量をもって行われること
    を特徴とする請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記壁部は、突起状またはパッド状に変
    形させられることを特徴とする請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記壁部の外面が、前記構造体が外側の
    部材に対して柔らかい電気接触を得ることができるよう
    に導電性を有して形成されていることを特徴とする請求
    項５記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記ガス相が誘電体として作用する少な
    くとも一つのキャパシタを形成するように配置された複
    数の電極の並びを構成することを特徴とする請求項１記
    載の方法。
  9. 【請求項９】 前記キャパシタのキャパシタンスを測定
    することによる圧力センサーを製造するために用いるこ
    とを特徴とする請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 注入された複数のキャビティのマトリ
    クスから形成された各キャパシタに対する各キャパシタ
    ンスを計測することによる複数の圧力センサーのマトリ
    クスを製造するために用いることを特徴とする請求項８
    記載の方法。
JP33330797A 1996-12-09 1997-12-03 密閉キャビティ内にガス相を充填する方法、及び、密閉キャビティ内にガス相を有する構造体の製造方法 Expired - Fee Related JP4657392B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9615091 1996-12-09
FR9615091A FR2756973B1 (fr) 1996-12-09 1996-12-09 Procede d'introduction d'une phase gazeuse dans une cavite fermee

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10176797A true JPH10176797A (ja) 1998-06-30
JP4657392B2 JP4657392B2 (ja) 2011-03-23

Family

ID=9498467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33330797A Expired - Fee Related JP4657392B2 (ja) 1996-12-09 1997-12-03 密閉キャビティ内にガス相を充填する方法、及び、密閉キャビティ内にガス相を有する構造体の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5985688A (ja)
EP (1) EP0846941B1 (ja)
JP (1) JP4657392B2 (ja)
DE (1) DE69719472T2 (ja)
FR (1) FR2756973B1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0814690B2 (ja) * 1987-09-17 1996-02-14 富士写真フイルム株式会社 ハロゲン化銀写真感光材料
FR2766620B1 (fr) 1997-07-22 2000-12-01 Commissariat Energie Atomique Realisation de microstructures ou de nanostructures sur un support
FR2767416B1 (fr) 1997-08-12 1999-10-01 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un film mince de materiau solide
US7045878B2 (en) * 2001-05-18 2006-05-16 Reveo, Inc. Selectively bonded thin film layer and substrate layer for processing of useful devices
US6956268B2 (en) * 2001-05-18 2005-10-18 Reveo, Inc. MEMS and method of manufacturing MEMS
US6875671B2 (en) * 2001-09-12 2005-04-05 Reveo, Inc. Method of fabricating vertical integrated circuits
US7033910B2 (en) * 2001-09-12 2006-04-25 Reveo, Inc. Method of fabricating multi layer MEMS and microfluidic devices
US7163826B2 (en) * 2001-09-12 2007-01-16 Reveo, Inc Method of fabricating multi layer devices on buried oxide layer substrates
JP4277481B2 (ja) * 2002-05-08 2009-06-10 日本電気株式会社 半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法
US6928879B2 (en) * 2003-02-26 2005-08-16 Robert Bosch Gmbh Episeal pressure sensor and method for making an episeal pressure sensor
CA2797598A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-03 Intelligent Devices Inc. Method of producing medium-to thin-film pressure and humidity sensors by flexographic printing
US7056759B2 (en) * 2004-04-27 2006-06-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for making a microelectromechanical system using a flexure protection layer
US8552616B2 (en) * 2005-10-25 2013-10-08 The Curators Of The University Of Missouri Micro-scale power source
US20070170528A1 (en) 2006-01-20 2007-07-26 Aaron Partridge Wafer encapsulated microelectromechanical structure and method of manufacturing same
US20100109104A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 Radi Medical Systems Ab Pressure sensor and wire guide assembly
FR2978600B1 (fr) 2011-07-25 2014-02-07 Soitec Silicon On Insulator Procede et dispositif de fabrication de couche de materiau semi-conducteur
FR2980034B1 (fr) 2011-09-08 2014-07-04 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure a cavite fermee hermetiquement et sous atmosphere controlee

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4853669A (en) * 1985-04-26 1989-08-01 Wisconsin Alumni Research Foundation Sealed cavity semiconductor pressure transducers and method of producing the same
US4680474A (en) * 1985-05-22 1987-07-14 Varian Associates, Inc. Method and apparatus for improved ion dose accuracy
US4707312A (en) * 1985-10-09 1987-11-17 Westinghouse Electric Corp. Method for producing ceramic articles of increased fracture toughness
GB2198610B (en) * 1986-12-13 1990-04-04 Spectrol Reliance Ltd Method of producing a diaphragm on a substrate
CN1018844B (zh) * 1990-06-02 1992-10-28 中国科学院兰州化学物理研究所 防锈干膜润滑剂
FR2681472B1 (fr) * 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
FR2715502B1 (fr) * 1994-01-26 1996-04-05 Commissariat Energie Atomique Structure présentant des cavités et procédé de réalisation d'une telle structure.

Also Published As

Publication number Publication date
DE69719472D1 (de) 2003-04-10
FR2756973A1 (fr) 1998-06-12
US5985688A (en) 1999-11-16
FR2756973B1 (fr) 1999-01-08
EP0846941A1 (fr) 1998-06-10
DE69719472T2 (de) 2003-12-18
JP4657392B2 (ja) 2011-03-23
EP0846941B1 (fr) 2003-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4657392B2 (ja) 密閉キャビティ内にガス相を充填する方法、及び、密閉キャビティ内にガス相を有する構造体の製造方法
US6876123B2 (en) Thermotunnel converter with spacers between the electrodes
JP3935991B2 (ja) Ｄｒａｍセル装置および該ｄｒａｍセル装置の製造方法
JP3439968B2 (ja) お互いに接触している１つの構造体を構成する少なくとも２つの構成材料をイオン注入により分離するためのプロセス
KR100250208B1 (ko) 다공질 실리콘 웨이퍼 성형 방법 및 장치
US5055077A (en) Cold cathode field emission device having an electrode in an encapsulating layer
KR100861317B1 (ko) 방사성동위원소 전지 및 그 제조방법
US5403752A (en) Method for manufacturing a pyrodetector apparatus
US20130001692A1 (en) Semiconductor Devices Including a Layer of Polycrystalline Silicon Having a Smooth Morphology
JP2005504644A (ja) Ｓｏｉ基板にキャビティ構造を形成する方法およびｓｏｉ基板に形成されたキャビティ構造
US7005783B2 (en) Solid state vacuum devices and method for making the same
JP3125112B2 (ja) 高電流密度を有するバイポーラパワー素子とファストダイオードの集積構造ならびに関連する製造プロセス
JPH04306879A (ja) サイリスタの製造方法
JPS63133664A (ja) 半導体装置の製造方法
KR970054020A (ko) 캐패시터 제조방법
KR20020086568A (ko) 강유전 층의 제조 방법
US7435614B2 (en) Method for treating a structure to obtain an internal space and structure having an internal space
JPH10135419A (ja) 白金薄膜の形成方法
CA1249120A (en) Display panel and method of making it
KR100465040B1 (ko) 메모리 셀 어레이 및 그 제조 방법
JPH04206123A (ja) 電子放出素子およびその製造方法
JPH11135806A (ja) 半導体圧力センサおよびその製造方法
CN117558628B (zh) 一种igbt及其制造方法
JPH0351823A (ja) Ｍｉｍ型非線形スイッチング素子の製造方法
US6561839B2 (en) Process for forming shallow isolating regions in an integrated circuit and an integrated circuit thus formed

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070123

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070423

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070426

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070723

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080401

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080701

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080704

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080801

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080806

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080901

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080904

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081001

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090707

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091109

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20091116

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20100108

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100713

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100716

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101222

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees