KR100861317B1 - 방사성동위원소 전지 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 방사성동위원소 전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 마이크로와트급의 회로소자에서 반 영구적으로 쓰일 수 있는 방사성동위원소 전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
또한, 방사성동위원소전지 생성의 기반이 되는 밑판; 및 실리콘박막에 액셉터와 도너가 소정의 패턴으로 각각 주입되어 이루어진 핀 반도체와, 상기 핀 반도체가 형성된 실리콘박막에 적층되는 절연층과, 상기 절연층에 적층되고 방사선을 방출함으로써 상기 핀 반도체에 형성된 공핍영역과 진성반도체영역에서 전자/정공 쌍이 생성되도록 하는 방사성동위원소층으로 이루어진 전지구성부재를 포함하되,
적어도 하나 이상의 상기 전지구성부재가 상기 밑판의 일면에 적층되는 것을 특징으로 한다.
방사성동위원소, 반도체, 핀 다이오드, 절연층
Description
도 1은 종래 방사성동위원소 전지의 구조를 보인 단면도,
도 2는 도 1에서 AA방향으로 절단하여 본 단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사성동위원소 전지의 구조를 보인 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 방사성동위원소 전지 제작과정에 있어서 실리콘박막에 이온주입이 되는 일 형태를 보인 평면도,
도 5는 본 발명에 따른 방사성동위원소 전지 제작과정에 있어서 실리콘박막에 이온주입이 되는 다른 형태를 보인 평면도,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사성동위원소 전지의 구조를 보인 단면도,
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 방사성동위원소 전지의 구조를 보인 단면도이다.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***
300: 방사성동위원소전지 310: 밑판
320: 핀 반도체 321: P형 반도체
323: N형반도체 325: 진성반도체
327: 공핍층 381: 절연층
330: 방사성동위원소층 370: 방사선누설방지체
본 발명은 방사성동위원소 전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 마이크로와트급의 회로소자에서 반 영구적으로 쓰일 수 있는 방사성동위원소 전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 방사성동위원소(radioisotope)는 특유의 에너지를 가진 방사선을 방출하고 안정된 동위원소로 붕괴하는 원소이다. 여기서, 붕괴방식에는 α, β-, β+ 붕괴 이외에 원자핵이 K궤도전자(軌道電子)를 포획하는 이른바 EC 붕괴도 있다. 이들은 대부분 다시 여분의 에너지를 알파선, 베타선, 또는 감마선으로서 방출하고 안정된 동위원소가 된다. 방사성동위원소의 양은 방사성 강도, 즉 단위시간에 일어나는 붕괴의 횟수로 나타낸다. 그리고, 방사성원소가 붕괴하여 처음 양의 반으로 감소하는데 걸리는 시간을 반감기(half-life period)라 하는데, 그 기간은 방사성동위원소에 따라 일정한바, 이러한 반감기에 따라 방사성동위원소는 적게는 수년에서 수백년 동안 방사선을 방출하게 된다.
한편, 초소형 전지 제조 분야에서는 이러한 방사성동위원소에서 방출되는 방사선에 의해 반도체에서 생성되는 전자(electron)/정공(hole) 쌍을 에너지원으로 하여 마이크로와트급의 회로소자 예를 들면, 무인 전자장치 또는 무인 초소형 기계장치(Micromachine; MEMS)에서 반 영구적으로 쓰일 수 있는 이른바, 방사성동위원소 전지의 개발이 시도되고 있다. 이의 한 방편으로써 한국등록특허 제592478호에 '핀(PIN) 다이오드를 이용한 초소형 동위원소 전지(이하 선행발명)'가 제안되어 있다. 여기서, 핀 다이오드는 일반적으로 진성반도체(intrinsic semiconductor) 즉, 실리콘 웨이버에 3가 원소와 5가 원소와 같은 불순물을 주입(implantation)하여 P형 및 n형을 형성시킨 반도체를 지칭하는 것이다.
도 1은 상기한 선행발명에 따른 종래 방사성동위원소 전지의 구조를 보인 단면도이고, 도 2는 도 1에서 AA방향으로 절단하여 본 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 선행발명에서의 설명에 따르면, "먼저 실리콘 기판(210)위에 N-반도체영역(220)을 도핑하고, P-반도체영역(230)을 도핑 형성하고, 상기 N-반도체영역(220)과 상기 P-반도체영역(230) 사이에 I-반도체영역 즉, 진성반도체(240)을 형성한다. 여기서 PIN 소자층(220,230,240)의 두께는 방사성동위원소에서 방출된 알파선 또는 베타선에 의한 재료손상 및 경화가 적게 일어나도록 정지비정 보다는 얕게 설계하여야 한다. 그리고 PIN 소자와 소자 사이는 부도체로 남겨둔다. 상기와 같이 형성된 PIN 소자의 상부에 도체로 양전극(260)과 음전극(270)을 설치하며 상기 양전극(260)과 음전극(270)사이에는 방사성동위원소층(250)을 형성한다. 상기 방사성동위원소층(250)에는 낮은 에너지의 베타선과 감마선을 방출하는 Sr-90 또는 기체상의 H-3 등을 포함하는 재료로 구성한다. 상기 전극(260,270)과 방사성동위원소층(250)의 두께는 대부분의 알파선 또는 베타선이 충분히 빠져 나올 수 있도록 실험에 의해 미리 설정된 값으로 형성한다. 상기 전극(260,270)과 방사성동위원소층(250)의 상부에는 방사선의 누설을 막기 위한 전기부도체(280)를 피복한다. 상기 전기부도체(280)는 상기 방사성동위원소층(250)에서 발생하는 열은 충분히 빠져나올 수 있도록 열전도도가 좋은 재료를 사용한다. 또한 방사성동위원소층(250)에서 발생하는 방사선이 외부로 빠져나오지 못하도록 미리 설정된 두께로 형성한다."라고 기술하고 있다.
그러나, 전술한 종래 방사성동위원소 전지에 따르면, 양전극과 음전극 사이에 방사성동위원소층을 형성한다는 것은 N-반도체영역과 P-반도체영역 사이에 형성된 진성반도체 표면에 방사성동위원소를 증착한다는 것을 의미하는 것인바, 이러한 증착 공정에 있어서 방사성동위원소층이 진성반도체영역을 벗어나 N-반도체영역과 P-반도체영역의 표면에 형성되는 경우에는 N-반도체영역과 P-반도체영역이 증착된 방사성동위원소층을 통해 단락(short) 된다고 하는 구조적인 문제점이 있었다. 즉, 도 2에 도시한 바와 같이 도면 부호 250으로 표시된 영역에 있어서만 방사성동위원소의 증착이 정밀하게 이루어져야 하는 것을 의미하는 것인데, 이는 곧 실리콘 웨이퍼 상에 부분적으로 정밀 증착하기는 대단히 어려우며 설령, 정밀 증착이 가능하다 할지라도 대량으로 전지를 생산하기에는 효율적이지 못하다는 것을 반증하는 것이다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, P, N 및 진성 영역을 갖는 반도체와 방사성동위원소층 사이에 절연층이 형성되도록 함으로써 방사성동위원소의 증착이 쉽고 이에 따라 대량 생산이 용이해지도록 한 방사성동위원소 전지 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 방사성동위원소 전지는 방사성동위원소전지 생성의 기반이 되는 밑판; 및 실리콘박막에 액셉터와 도너가 소정의 패턴으로 각각 주입되어 이루어진 핀 반도체와, 상기 핀 반도체가 형성된 실리콘박막에 적층되는 절연층과, 상기 절연층에 적층되고 방사선을 방출함으로써 상기 핀 반도체에 형성된 공핍영역과 진성반도체영역에서 전자/정공 쌍이 생성되도록 하는 방사성동위원소층으로 이루어진 전지구성부재를 포함하되, 적어도 하나 이상의 상기 전자구성부재가 상기 밑판의 일면에 적층되는 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지를 제공한다.
전술한 구성에서, 상기 밑판에 층층이 적층되는 상기 전지구성부재의 최상부에는 방사선누설방지체가 적층되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 방사성동위원소층의 적어도 두 면 이상이 상기 핀 반도체로 덮이는 것이 바람직하다.
또한, 상기 핀 반도체가 상기 실리콘박막의 양면에 형성된 경우에는 상기 전지구성부재들 사이에는 절연층이 적층되는 것이 바람직하고,
전술한 구성에서, 상기 밑판에 층층이 적층되는 상기 전지구성부재의 최상부에는 방사선누설방지체가 적층되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 방사성동위원소층의 적어도 두 면 이상이 상기 핀 반도체로 덮이는 것이 바람직하다.
또한, 상기 핀 반도체가 상기 실리콘박막의 양면에 형성된 경우에는 상기 전지구성부재들 사이에는 절연층이 적층되는 것이 바람직하고,
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상기 밑판의 양면에 상기 전지구성부재가 각각 적어도 하나 이상 적층되는 것이 바람직하며,
상기 방사성동위원소층은 Ni-63으로 이루어진 것이 바람직하며,
상기 액셉터와 도너는 상기 실리콘박막에 생선 뼈대의 형태로 주입되는 것이 바람직하며,
상기 실리콘박막, 상기 절연층 및 상기 방사성동위원소층 중 어느 하나 이상은 그 아래에 형성된 층을 덮어씌우는 형태로 증착되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 방사성동위원소 전지의 제조방법은 방사성동위원소전지 생성의 기반이 되는 밑판에 실리콘박막을 적층하는 (a) 단계; 상기 적층된 실리콘박막에 액셉터와 도너를 소정의 패턴으로 각각 주입하여 핀 반도체를 형성하는 (b) 단계; 상기 액셉터와 도너가 주입된 실리콘박막에 절연층을 적층하는 (c) 단계; 및 방사선을 방출함으로써 상기 핀 반도체에 형성된 공핍영역과 진성반도체영역에서 전자/정공 쌍이 생성되도록 하는 방사성동위원소층을 상기 절연층에 적층하는 (d) 단계를 포함하여 이루어진 방사성동위원소 전지의 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 제조방법에는 상기 핀 반도체와 동일한 기능을 갖는 제 2의 핀 반도체, 상기 방사성동위원소층와 동일한 기능을 갖는 제 2의 방사성동위원소층 및 상기 제 2의 핀 반도체와 상기 제 2의 방사성동위원소층 사이에 형성된 절연층을 포함하는 전지구성부재를 적어도 하나 이상, 상기 (d) 단계에서 적층된 방사성동위원소층 위에 적층하는 (e) 단계; 및 상기 방사성동위원소층에서 방출되는 방사선이 외부로 누설되는 것을 방지하는 방사선누설방지체를, 상기 (e) 단계에서 적층된 전지구성부재의 최상부에 적층하는 (f) 단계를 더 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 제조방법에 있어서 상기 전지구성부재에 포함되는 핀 반도체가 실리콘박막의 양면에 형성된 경우에는: 상기 (e) 단계를 수행하기 전에, 절연층을 상기 (d) 단계에서 적층된 방사성동위원소층 위에 적층하는 (pe) 단계; 및 상기 전지구성부재들 사이에 절연층을 적층하는 (g) 단계를 더 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.
이하에는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 방사성 동위원소 전지 및 그 제조방법에 대해서 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사성동위원소 전지의 구조를 보인 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 방사성동위원소 전지(이하 줄여서, '전지'라고도 한다.)(300)는 기전력이 발생되는 핀 반도체, 이 핀 반도체에 에너지원을 제공하는 방사성동위원소층 및 이들 사이에 형성되는 절연층이 포함되는 전지구성부재가 층층이 적층되는 다층 구조체인바, 상기 전지구성부재의 구성은 실리콘박막의 일면에 각각 3가 원소 일명, 액셉터(acceptor) 및 5가 원소 일명, 도너(donor)가 주입됨으로써 진성반도체(325)와, P형반도체(321)와, N형반도체(323)로 이루어진 핀 반도체(320); 이 핀 반도체(320)에 있어서 도너와 액셉터가 주입된 면에 적층되는 절연층(381); 및 이 절연층(381)에 적층되는 방사성동위원소층(330)을 포함하여 이루어지고, 도면부호 323은 도너와 액셉터의 주입에 의해 진성반도체(325)의 영역에 형성된 공핍층(depletion layer)을 나타낸다.
여기서, 방사성동위원소층(330)에 발생되는 에너지는 공핍층(323) 및 진성반도체(325)의 영역으로 투과되어 전자/전공 쌍을 생성하고, 이렇게 생성된 전자/정공 쌍이 P형반도체(321)에서 N형반도체(323)로 전류를 흐르게 하는 기전력(W/mm3)으로 작용하는 것이다.
또한, 절연층(381)은 핀 반도체(320)에 있어서 액셉터와 도너가 소정의 패턴으로 각각 주입된 면과 방사성동위원소층(330) 사이에 형성되어, 핀 반도체(320)에 형성된 P형반도체영역과 N형반도체영역 사이를 절연하게 되는 것이다. 이에 근거하여, 방사성동위원소층(330)의 적재가 종래에서보다 쉬워지게 되고 전지의 대량 생산이 용이해지는 것이다.
또한, 방사성동위원소층(330)으로는 Sr-90 또는 Co-60 등이 쓰일 수도 있겠으나 이들보다 비교적 낮은 에너지를 방출함으로써 방사선 누설 등의 위험성이 적은 Ni-63이 적용되는 것이 바람직하다. 여기서, Ni-63에서 방출되는 방사선은 그 투과 깊이가 10㎛이하인바, 이 투과 깊이에 따라 각 방사선누설방지체의 두께가 조절되어야 할 것이다.
한편, 전지(300)의 제조방법의 일 예를 설명하자면, 먼저 전지 생성의 기반이 되는 밑판(310)에 진성반도체(325)를 적층하고, 이 진성반도체(325)에 이온주입을 하여 제 1 핀 반도체(320)를 형성하며, 이 제 1 핀 반도체(320) 위에 제 1 절연층(381)를 적층하며, 이 제 1 절연층(381) 위에 제 1 방사성동위원소층(330)를 적층함으로써 밑판(310) 위에 제 1 전지구성부재를 형성시킨다.
다음으로는 상기와 같은 방법으로 제조될 수 있는 제 2 핀 반도체(340), 제 2 절연층(385) 및 제 2 방사성동위원소층(350)으로 이루어진 제 2 전지구성부재를 상기한 제 1 전지구성부재 위에 적재하게 되는바, 이러한 제 2 전지구성부재의 적재에 앞서, 도 3에 도시한 바와 같이, 제 2 핀 반도체(340)가 그 양면에 이온 주입이 된 경우에는 제 1 및 제 2 전지구성부재 사이를 절연시키기 위한 절연층(383)이 제 1 방사성동위원소층(330) 위에 증착되어야 할 것이다.
다음으로는 제 3 절연층(387)와, 하부에 이온이 주입됨으로써 제 2 방사성동위원소층(350)을 에너지원으로 하는 제 3 핀 반도체(360)로 이루어진 제 3 전지구성부재를 상기한 제 2 전지구성부재 위에 적재하게 되고 마지막으로는, 제 3 핀 반도체(360) 위에 방사성동위원소층에서 발생되는 방사선이 외부로 누출되는 것을 방지하기 위한 방사선누설방지체(370)가 증착될 것이다.
여기서, 도 3에서는 단지 3 개의 전지구성부재를 적재하는 것으로 마무리하였으나 이에 국한하는 것은 아니며, 제 4, 제 5의 전지 구조체가 제 3 핀 반도체(360) 위에 적재될 수도 있을 것이다. 또한, 핀 반도체(320, 340, 360)는 낮은 온도에서 증착이 가능하고 높은 도핑이 가능한 비정질실리콘(amorphous-silicon)이나 폴리실리콘(poly-silicon)으로 제조될 것이다. 또한, 상기한 밑판(310), 절연층이나 방사선누설방지체(370)는 당업계에서 절연체로 널리 쓰이는 이산화규소나 질화막이 될 것이다.
도 4 및 도 5는 각각 앞서 설명한 방사성동위원소 전지 제작과정에 있어서 실리콘박막에 이온주입이 되는 형태를 보인 평면도로써, 진성반도체에 형성되는 P형반도체와 N형반도체는 도 4에 도시된 패턴을 갖는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 도 5에 도시된 바와 같은 적어도 하나 이상씩의 생선 뼈대 모양인 패턴이 될 것이다. 즉, 종래에 따르면 이러한 패턴으로 형성된 핀 반도체에서 진성반도체 영역에만 방사성동위원소층을 부분부분 증착한다는 것이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사성동위원소 전지의 구조를 보인 단면도인바, 도 3에서 보인 다층 구조의 다른 실시 형태인 것이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 밑판(410)에 제 1 핀 반도체(421)를 부분적으로 적재하고, 이렇게 부분적으로 적재된 제 1 핀 반도체(421)를 덮어씌우는 형태로 제 1핀 반도체(421)에 제 1 절연층(441)을 적층하고, 적층된 절연층(441)에 부분적으로 제 1 방사성동위원소층(431)을 적재하여 제 1전지구성부재를 형성시킨다. 다음으로, 방사성동위원소층(431)을 덮어씌우는 형태로 방사성동위원소층(431)에 절연층(442)을 적층하고 같은 형태로 제 2 핀 반도체(423)를 적층한 다음, 제 1 절연층(441) 및 제 1 방사성동위원소층(431)을 적층한 것과 같이 제 2 절연층(443) 및 제 2 방사성동위원소층(433)을 적재하여 제 2전지구성부재를 형성시킨다. 이에 계속하여, 제 3, 제 4 등의 전지구성부재를 형성시킨 다음, 최종적으로는 이들 전지구성부재를 모두 덮어씌우는 형태로 방사선누설방지체(450)를 적층함으로써 본 발명에 따른 방사성동위원소 전지가 제조되는 것이다.
본 발명의 방사성동위원소 전지 및 그 제조방법은 전술한 실시 예에 국한되지 않고 본 발명의 기술 사상이 허용하는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다. 예를 들어, 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 방사성동위원소 전지의 구조를 보인 단면도인바, 전술한 실시예가 일면 구조라 한다면, 도 7을 통한 실시예는 방사성동위원소전지 생성의 기반이 되는 밑판의 양면에 전지가 형성되도록 하는 양면 구조를 보여주고 있는 것이다. 즉, 도 7에 도시한 바와 같이, 밑판(510)의 상면에 제 1 핀 반도체(520), 제 1 절연층(530), 제 1 방사성동위원소층(540) 및 제 1 방사선누설방지체(550)로 이루어진 제 1 전지구성부재를 적층하고, 이와 같은 형태로 밑판(510)의 하면에 제 2 핀 반도체(560), 제 2 절연층(570), 제 2 방사성동위원소층(580) 및 제 2 방사선누설방지체(590)로 이루어진 제 2 전지구성부재를 적층함으로써 본 발명에 따른 변형된 형태의 방사성동위원소 전지가 제조되는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 방사성동위원소 전지 및 그 제조방법에 따르면, 전지로서의 기전력이 발생되는 핀 반도체와 이 핀 반도체에 에너지원을 제공하는 방사성동위원소층 사이에 절연층이 형성되게 함으로써, 방사성동위원소의 증착 공정이 한층 용이해지는 효과가 있다. 한편, 이렇게 방사성동위원소층의 증착이 용이해짐에 따라서, 도 7에 도시한 바와 같은 양면 구조나 도 3이나 도 6에 도시한 바와 같은 다층 구조의 제작이 가능해져 전지에서 발생되는 기전력이 더욱 높아질 수 있는 효과가 있다. 그리고, 상기와 같은 이유로 해서 대량 생산이 보다 용이하므로, 저렴한 방사성동위원소 전지를 제공할 수 있는 효과가 있다.
Claims (11)
- 방사성동위원소전지 생성의 기반이 되는 밑판; 및실리콘박막에 액셉터와 도너가 소정의 패턴으로 각각 주입되어 이루어진 핀 반도체와, 상기 핀 반도체가 형성된 실리콘박막에 적층되는 절연층과, 상기 절연층에 적층되고 방사선을 방출함으로써 상기 핀 반도체에 형성된 공핍영역과 진성반도체영역에서 전자/정공 쌍이 생성되도록 하는 방사성동위원소층으로 이루어진 전지구성부재를 포함하되,적어도 하나 이상의 상기 전지구성부재가 상기 밑판의 일면에 적층되는 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지.
- 제 1항에 있어서,상기 밑판에 층층이 적층되는 상기 전지구성부재의 최상부에는 방사선누설방지체가 적층되는 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지.
- 제 1항에 있어서,상기 방사성동위원소층의 적어도 두 면 이상이 상기 핀 반도체로 덮이는 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지.
- 제 1항에 있어서,상기 핀 반도체가 상기 실리콘박막의 양면에 형성된 경우에는 상기 전지구성부재들 사이에는 절연층이 적층되는 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지.
- 제 1항에 있어서,상기 밑판의 양면에 상기 전지구성부재가 각각 적어도 하나 이상 적층되는 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지.
- 제 1항에 있어서,상기 방사성동위원소층은 Ni-63으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지.
- 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 액셉터와 도너는 상기 실리콘박막에 생선 뼈대의 형태로 주입되는 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지.
- 제 5항에 있어서,상기 실리콘박막, 상기 절연층 및 상기 방사성동위원소층 중 어느 하나 이상은 그 아래에 형성된 층을 덮어씌우는 형태로 증착되는 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지.
- 방사성동위원소전지 생성의 기반이 되는 밑판에 실리콘박막을 적층하는 (a) 단계;상기 적층된 실리콘박막에 액셉터와 도너를 소정의 패턴으로 각각 주입하여 핀 반도체를 형성하는 (b) 단계;상기 액셉터와 도너가 주입된 실리콘박막에 절연층을 적층하는 (c) 단계; 및방사선을 방출함으로써 상기 핀 반도체에 형성된 공핍영역과 진성반도체영역에서 전자/정공 쌍이 생성되도록 하는 방사성동위원소층을 상기 절연층에 적층하는 (d) 단계를 포함하여 이루어진 방사성동위원소 전지의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 핀 반도체와 동일한 기능을 갖는 제 2의 핀 반도체, 상기 방사성동위원소층와 동일한 기능을 갖는 제 2의 방사성동위원소층 및 상기 제 2의 핀 반도체와 상기 제 2의 방사성동위원소층 사이에 형성된 절연층을 포함하는 전지구성부재를 적어도 하나 이상, 상기 (d) 단계에서 적층된 방사성동위원소층 위에 적층하는 (e) 단계; 및상기 방사성동위원소층에서 방출되는 방사선이 외부로 누설되는 것을 방지하는 방사선누설방지체를, 상기 (e) 단계에서 적층된 전지구성부재의 최상부에 적층하는 (f) 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지의 제조방법.
- 제 10항에 있어서,상기 전지구성부재에 포함되는 핀 반도체가 실리콘박막의 양면에 형성된 경우에는:상기 (e) 단계를 수행하기 전에, 절연층을 상기 (d) 단계에서 적층된 방사성동위원소층 위에 적층하는 (pe) 단계; 및상기 전지구성부재들 사이에 절연층을 적층하는 (g) 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지의 제조방법.
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