JPH10173350A - モールドｉｃをケースに固定した構造の半導体装置 - Google Patents
モールドｉｃをケースに固定した構造の半導体装置Info
- Publication number
- JPH10173350A JPH10173350A JP8328793A JP32879396A JPH10173350A JP H10173350 A JPH10173350 A JP H10173350A JP 8328793 A JP8328793 A JP 8328793A JP 32879396 A JP32879396 A JP 32879396A JP H10173350 A JPH10173350 A JP H10173350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- terminals
- mold
- thermal expansion
- pitch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/141—Monolithic housings, e.g. molded or one-piece housings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Abstract
(57)【要約】
【課題】 モールドＩＣとケースが熱膨張した場合で
も、モールドＩＣの外部端子とケース側のターミナルと
の固定部に過大な応力が加わらないようにする。 【解決手段】 外部端子２ａ、２ｂ、２ｃを有するモー
ルドＩＣ１が、樹脂ケース２０内に収納固定されてい
る。ケース２０にはターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃ
がインサート成形されており、ターミナル２１ａ、２１
ｂ、２１ｃは、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃに溶接により
固定されている。ここで、モールドＩＣ１を構成する樹
脂の熱膨張係数α1 とケース２０を構成する樹脂の熱膨
張係数α2 に応じ、α1 ・Ｌ1 ＝α2 ・Ｌ2 の関係を満
たすように、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃ間のピッチＬ1
とターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃ間のピッチＬ2 を
設定した。
も、モールドＩＣの外部端子とケース側のターミナルと
の固定部に過大な応力が加わらないようにする。 【解決手段】 外部端子２ａ、２ｂ、２ｃを有するモー
ルドＩＣ１が、樹脂ケース２０内に収納固定されてい
る。ケース２０にはターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃ
がインサート成形されており、ターミナル２１ａ、２１
ｂ、２１ｃは、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃに溶接により
固定されている。ここで、モールドＩＣ１を構成する樹
脂の熱膨張係数α1 とケース２０を構成する樹脂の熱膨
張係数α2 に応じ、α1 ・Ｌ1 ＝α2 ・Ｌ2 の関係を満
たすように、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃ間のピッチＬ1
とターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃ間のピッチＬ2 を
設定した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、モールドＩＣをケ
ースに固定した構造の半導体装置に係り、例えば自動車
用の圧力センサ装置等に用いることができる。
ースに固定した構造の半導体装置に係り、例えば自動車
用の圧力センサ装置等に用いることができる。
【０００２】
【従来の技術】従来、モールドＩＣをケースに固定して
なるセンサ装置として、図８に示すものがある。この図
において、モールドＩＣ１００は、信号処理回路用ＩＣ
を内蔵しており、この信号処理回路用ＩＣの電源端子、
信号端子、接地端子をなす外部端子１０１ａ、１０１
ｂ、１０１ｃが外部に取り出されている。このモールド
ＩＣ１００は、樹脂で構成されたケース２００内に収納
されている。
なるセンサ装置として、図８に示すものがある。この図
において、モールドＩＣ１００は、信号処理回路用ＩＣ
を内蔵しており、この信号処理回路用ＩＣの電源端子、
信号端子、接地端子をなす外部端子１０１ａ、１０１
ｂ、１０１ｃが外部に取り出されている。このモールド
ＩＣ１００は、樹脂で構成されたケース２００内に収納
されている。
【０００３】ケース２００には、３つのターミナル２０
１ａ、２０１ｂ、２０１ｃがインサート成形されてお
り、それぞれの一端はケース２００のコネクタ部２００
ａ内に露呈しており、他端はモールドＩＣ１００の外部
端子１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃに電気的に導通した
状態でそれぞれ溶接固定されている。
１ａ、２０１ｂ、２０１ｃがインサート成形されてお
り、それぞれの一端はケース２００のコネクタ部２００
ａ内に露呈しており、他端はモールドＩＣ１００の外部
端子１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃに電気的に導通した
状態でそれぞれ溶接固定されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の構成に
おいて、モールドＩＣ１００を構成する樹脂とケース２
００を構成する樹脂とが異なる材料のもので、それぞれ
の熱膨張係数が異なっている場合、外部端子１０１ａ、
１０１ｂ、１０１ｃ間のピッチとターミナル２０１ａ、
２０１ｂ、２０１ｃ間のピッチが共にＬで等しくなって
いると、温度変化によりその間の熱膨張もしくは収縮に
差が生じ、外部端子１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃとタ
ーミナル２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃのそれぞれの固
定部に過大な応力が加り、その部分に疲労破壊の問題が
生じる可能性がある。
おいて、モールドＩＣ１００を構成する樹脂とケース２
００を構成する樹脂とが異なる材料のもので、それぞれ
の熱膨張係数が異なっている場合、外部端子１０１ａ、
１０１ｂ、１０１ｃ間のピッチとターミナル２０１ａ、
２０１ｂ、２０１ｃ間のピッチが共にＬで等しくなって
いると、温度変化によりその間の熱膨張もしくは収縮に
差が生じ、外部端子１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃとタ
ーミナル２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃのそれぞれの固
定部に過大な応力が加り、その部分に疲労破壊の問題が
生じる可能性がある。
【０００５】本発明は上記問題に鑑みたもので、温度変
化によりモールドＩＣとケースがそれぞれ熱膨張もしく
は収縮した場合でも、外部端子とターミナルの固定部に
過大な応力が加わらないようにすることを目的とする。
化によりモールドＩＣとケースがそれぞれ熱膨張もしく
は収縮した場合でも、外部端子とターミナルの固定部に
過大な応力が加わらないようにすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、モールドＩＣを
構成する樹脂の熱膨張係数（α1 ）と第１、第２の外部
端子間のピッチ（Ｌ1 ）との積（α1 ・Ｌ1 ）と、ケー
スを構成する材料の熱膨張係数（α2 ）と第１、第２の
ターミナル間のピッチ（Ｌ2 ）との積（α2 ・Ｌ2 ）と
の差が小さくなるように、モールドＩＣとケースの構成
材料の熱膨張係数に応じて、外部端子間のピッチとター
ミナル間のピッチを異ならせたことを特徴としている。
め、請求項１に記載の発明においては、モールドＩＣを
構成する樹脂の熱膨張係数（α1 ）と第１、第２の外部
端子間のピッチ（Ｌ1 ）との積（α1 ・Ｌ1 ）と、ケー
スを構成する材料の熱膨張係数（α2 ）と第１、第２の
ターミナル間のピッチ（Ｌ2 ）との積（α2 ・Ｌ2 ）と
の差が小さくなるように、モールドＩＣとケースの構成
材料の熱膨張係数に応じて、外部端子間のピッチとター
ミナル間のピッチを異ならせたことを特徴としている。
【０００７】従って、温度変化が生じた場合でも、外部
端子間のモールドＩＣの熱膨張もしくは収縮とターミナ
ル間のケースの熱膨張もしくは収縮の差が小さいため、
外部端子とターミナルの固定部に過大な応力が加わるの
を防止することができる。この場合、請求項２に記載の
発明のように、モールドＩＣを構成する樹脂の熱膨張係
数と外部端子間のピッチとの積と、ケースを構成する材
料の熱膨張係数とターミナル間のピッチとの積とを等し
い関係（α1 ・Ｌ1 ＝α2 ・Ｌ2 ）にすれば、外部端子
間のモールドＩＣの熱膨張もしくは収縮とターミナル間
のケースの熱膨張もしくは収縮の差がほとんどなくなる
ため、外部端子とターミナルの固定部に樹脂の熱膨張も
しくは収縮により発生する応力をなくすことができる。
端子間のモールドＩＣの熱膨張もしくは収縮とターミナ
ル間のケースの熱膨張もしくは収縮の差が小さいため、
外部端子とターミナルの固定部に過大な応力が加わるの
を防止することができる。この場合、請求項２に記載の
発明のように、モールドＩＣを構成する樹脂の熱膨張係
数と外部端子間のピッチとの積と、ケースを構成する材
料の熱膨張係数とターミナル間のピッチとの積とを等し
い関係（α1 ・Ｌ1 ＝α2 ・Ｌ2 ）にすれば、外部端子
間のモールドＩＣの熱膨張もしくは収縮とターミナル間
のケースの熱膨張もしくは収縮の差がほとんどなくなる
ため、外部端子とターミナルの固定部に樹脂の熱膨張も
しくは収縮により発生する応力をなくすことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１乃至図３に本発明の一実施形
態である圧力センサ装置の構成を示す。図１はその平面
図、図２は図１中のII-II 断面図、図３は図１に示すモ
ールドＩＣ１のIII-III 断面図である。なお、本実施形
態に係る圧力センサ装置は、自動車用の吸気圧センサと
して用いられるもので、ケース２０内にモールドＩＣ１
を収納して構成されている。
態である圧力センサ装置の構成を示す。図１はその平面
図、図２は図１中のII-II 断面図、図３は図１に示すモ
ールドＩＣ１のIII-III 断面図である。なお、本実施形
態に係る圧力センサ装置は、自動車用の吸気圧センサと
して用いられるもので、ケース２０内にモールドＩＣ１
を収納して構成されている。
【０００９】モールドＩＣ１は、４２アロイで構成され
たリードフレーム２をエポキシ樹脂によりモールドして
形成されている。このモールドＩＣ１において、樹脂の
モールド部材３には、圧力を検出するセンシング部１０
を載置するための開口部３ａが形成されている。このセ
ンシング部１０は、図３に示すように、シリコン基板に
て構成されるセンサチップ１１と、このセンサチップ１
１と陽極接合されたガラス台座１３から構成されてい
る。センサチップ１１には、圧力を受けて変位するダイ
ヤフラム１１ａが形成され、またその表面にはダイヤフ
ラム１１ａの変位に応じて抵抗値が変化する拡散ゲージ
１２が形成されている。そして、センサチップ１１とガ
ラス台座１３の間には基準圧力室が形成され、ダイヤフ
ラム１１ａは表面にかかる圧力と基準圧力室の圧力の差
圧に応じて変位する。
たリードフレーム２をエポキシ樹脂によりモールドして
形成されている。このモールドＩＣ１において、樹脂の
モールド部材３には、圧力を検出するセンシング部１０
を載置するための開口部３ａが形成されている。このセ
ンシング部１０は、図３に示すように、シリコン基板に
て構成されるセンサチップ１１と、このセンサチップ１
１と陽極接合されたガラス台座１３から構成されてい
る。センサチップ１１には、圧力を受けて変位するダイ
ヤフラム１１ａが形成され、またその表面にはダイヤフ
ラム１１ａの変位に応じて抵抗値が変化する拡散ゲージ
１２が形成されている。そして、センサチップ１１とガ
ラス台座１３の間には基準圧力室が形成され、ダイヤフ
ラム１１ａは表面にかかる圧力と基準圧力室の圧力の差
圧に応じて変位する。
【００１０】上記したセンシング部１０は、樹脂接着剤
１４により開口部３ａ内のモールド部材３上に接着固定
されている。また、センシング部１０の周囲およびセン
シング部１０上には有機系のゲル状保護材１５が塗布さ
れている。センサチップ１１の表面に形成された拡散ゲ
ージ１２は、センサチップ１１上に形成された図示しな
いＡｌ薄膜による配線パターン、およびボンディングワ
イヤ１６により、リードフレーム２に電気的に接続され
ている。その電気信号は、モールドＩＣ１に内蔵されリ
ードフレーム２上（図１の点線で示した位置）に設けら
れた信号処理回路用ＩＣ１７に入力され、センサ信号と
して出力される。また、信号処理回路用ＩＣ１７は、リ
ードフレーム２により構成された３つの外部端子２ａ、
２ｂ、２ｃと電気的に接続されている。外部端子２ａ、
２ｂ、２ｃは、信号処理回路用ＩＣ１７の電源端子、接
地端子、およびセンサ信号出力端子を構成している。
１４により開口部３ａ内のモールド部材３上に接着固定
されている。また、センシング部１０の周囲およびセン
シング部１０上には有機系のゲル状保護材１５が塗布さ
れている。センサチップ１１の表面に形成された拡散ゲ
ージ１２は、センサチップ１１上に形成された図示しな
いＡｌ薄膜による配線パターン、およびボンディングワ
イヤ１６により、リードフレーム２に電気的に接続され
ている。その電気信号は、モールドＩＣ１に内蔵されリ
ードフレーム２上（図１の点線で示した位置）に設けら
れた信号処理回路用ＩＣ１７に入力され、センサ信号と
して出力される。また、信号処理回路用ＩＣ１７は、リ
ードフレーム２により構成された３つの外部端子２ａ、
２ｂ、２ｃと電気的に接続されている。外部端子２ａ、
２ｂ、２ｃは、信号処理回路用ＩＣ１７の電源端子、接
地端子、およびセンサ信号出力端子を構成している。
【００１１】ケース２０は、図２に示すように、開口部
２０ａ内にモールドＩＣ１を収納するとともにコネクタ
部２０ｂを有している。また、ケース２０内には、銅で
構成された３つのターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃが
インサート成形されており、ターミナル２１ａ、２１
ｂ、２１ｃのそれぞれの一端は、コネクタ部２０ｂ内に
露呈しており、その露呈した部分にて外部との電気的な
導通が取られる。また、ターミナル２１ａ、２１ｂ、２
１ｃの他端は、溶接により外部端子２ａ、２ｂ、２ｃに
電気的に導通した状態でそれぞれ固定されている。
２０ａ内にモールドＩＣ１を収納するとともにコネクタ
部２０ｂを有している。また、ケース２０内には、銅で
構成された３つのターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃが
インサート成形されており、ターミナル２１ａ、２１
ｂ、２１ｃのそれぞれの一端は、コネクタ部２０ｂ内に
露呈しており、その露呈した部分にて外部との電気的な
導通が取られる。また、ターミナル２１ａ、２１ｂ、２
１ｃの他端は、溶接により外部端子２ａ、２ｂ、２ｃに
電気的に導通した状態でそれぞれ固定されている。
【００１２】モールドＩＣ１は、樹脂注型剤（ポッティ
ング剤）４にてケース２０の開口部２０ａ内に固定され
ている。この場合、樹脂注型剤４にて外部端子２ａ、２
ｂ、２ｃ、ターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃを覆うよ
うにしているため、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃとモール
ド部材３の間から水等がモールドＩＣ１内に侵入するの
を防止することができ、またターミナル２１ａ、２１
ｂ、２１ｃの腐食を防止して、電気的なリークがないよ
うにしている。
ング剤）４にてケース２０の開口部２０ａ内に固定され
ている。この場合、樹脂注型剤４にて外部端子２ａ、２
ｂ、２ｃ、ターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃを覆うよ
うにしているため、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃとモール
ド部材３の間から水等がモールドＩＣ１内に侵入するの
を防止することができ、またターミナル２１ａ、２１
ｂ、２１ｃの腐食を防止して、電気的なリークがないよ
うにしている。
【００１３】本実施形態においては、モールドＩＣ１の
モールド樹脂としてエポキシ樹脂を用いており、ケース
２０の構成材料である樹脂としてＰＢＴ（ポリブチレン
テレフタレート）を用いている。ここで、エポキシ樹脂
の熱膨張係数は、２．０×１０-5／℃（＝α1 ）であ
り、ＰＢＴの熱膨張係数は、６．０×１０-5／℃（＝α
2 ）である。このように、それらの樹脂の熱膨張係数が
異なっていると、高温になったときモールドＩＣ１とケ
ース２０の熱膨張の差によって、外部端子２ａ、２ｂ、
２ｃとターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃの固定部に応
力がかかることになる。
モールド樹脂としてエポキシ樹脂を用いており、ケース
２０の構成材料である樹脂としてＰＢＴ（ポリブチレン
テレフタレート）を用いている。ここで、エポキシ樹脂
の熱膨張係数は、２．０×１０-5／℃（＝α1 ）であ
り、ＰＢＴの熱膨張係数は、６．０×１０-5／℃（＝α
2 ）である。このように、それらの樹脂の熱膨張係数が
異なっていると、高温になったときモールドＩＣ１とケ
ース２０の熱膨張の差によって、外部端子２ａ、２ｂ、
２ｃとターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃの固定部に応
力がかかることになる。
【００１４】そこで、本実施形態においては、モールド
ＩＣ１とケース２０の熱膨張の差を考慮し、外部端子２
ａ、２ｂ、２ｃのそれぞれの間での熱膨張とターミナル
２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれぞれの間での熱膨張とが
等しくなるように、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃのピッチ
Ｌ1 とターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃのピッチＬ 2
を異ならせて設定している。
ＩＣ１とケース２０の熱膨張の差を考慮し、外部端子２
ａ、２ｂ、２ｃのそれぞれの間での熱膨張とターミナル
２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれぞれの間での熱膨張とが
等しくなるように、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃのピッチ
Ｌ1 とターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃのピッチＬ 2
を異ならせて設定している。
【００１５】すなわち、ΔＴの温度変化があった場合、
外部端子２ａ、２ｂ、２ｃのそれぞれの間の熱膨張はα
1 ・Ｌ1 ・ΔＴであり、ターミナル２１ａ、２１ｂ、２
１ｃのそれぞれの間の熱膨張はα2 ・Ｌ2 ・ΔＴである
ため、両者の両熱膨張が等しくなるように、外部端子２
ａ、２ｂ、２ｃのピッチＬ1 とターミナル２１ａ、２１
ｂ、２１ｃのピッチＬ2 を設定している。本実施形態の
場合、α2 ＞α1 であるため、図１に示すように、外部
端子２ａ、２ｂ、２ｃの形状を変えて、α1 ・Ｌ1 ＝α
2 ・Ｌ2 の関係から、Ｌ1 ＞Ｌ2 に設定している。
外部端子２ａ、２ｂ、２ｃのそれぞれの間の熱膨張はα
1 ・Ｌ1 ・ΔＴであり、ターミナル２１ａ、２１ｂ、２
１ｃのそれぞれの間の熱膨張はα2 ・Ｌ2 ・ΔＴである
ため、両者の両熱膨張が等しくなるように、外部端子２
ａ、２ｂ、２ｃのピッチＬ1 とターミナル２１ａ、２１
ｂ、２１ｃのピッチＬ2 を設定している。本実施形態の
場合、α2 ＞α1 であるため、図１に示すように、外部
端子２ａ、２ｂ、２ｃの形状を変えて、α1 ・Ｌ1 ＝α
2 ・Ｌ2 の関係から、Ｌ1 ＞Ｌ2 に設定している。
【００１６】なお、ケース２０における開口部２０ａ内
のスペースとの関係で、α1 ・Ｌ1＝α2 ・Ｌ2 にでき
ない場合には、α1 ・Ｌ1 とα2 ・Ｌ2 の差が小さくな
るようにピッチＬ1 、Ｌ2 を設定すれば、外部端子２
ａ、２ｂ、２ｃとターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃの
固定部にかかる応力を小さくすることができ、固定部の
疲労破壊の問題に対してかなり有効な対策となる。
のスペースとの関係で、α1 ・Ｌ1＝α2 ・Ｌ2 にでき
ない場合には、α1 ・Ｌ1 とα2 ・Ｌ2 の差が小さくな
るようにピッチＬ1 、Ｌ2 を設定すれば、外部端子２
ａ、２ｂ、２ｃとターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃの
固定部にかかる応力を小さくすることができ、固定部の
疲労破壊の問題に対してかなり有効な対策となる。
【００１７】また、熱膨張係数の関係が上記実施形態と
は逆にα1 ＞α2 となる場合には、図４に示すように、
外部端子２ａ、２ｂ、２ｃを外側に開くようにして、Ｌ
2 ＞Ｌ1 の関係にする。また、上記した実施形態におい
ては、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃの形状を変えるものを
示したが、ターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃの方の形
状を変えるようにしてもよい。この場合の実施形態を図
５に示す。この場合、ターミナル２１ａ、２１ｂ、２１
ｃのそれぞれの他端が図２に示すようにケース２０上に
固定されていると、モールドＩＣ１とケース２０の熱膨
張の差をなくすことができないため、この実施形態にお
いては、図６（図５中のVI-VI 断面図) に示すように、
ターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれぞれの他端が
ケース２０から突出するようにしている。
は逆にα1 ＞α2 となる場合には、図４に示すように、
外部端子２ａ、２ｂ、２ｃを外側に開くようにして、Ｌ
2 ＞Ｌ1 の関係にする。また、上記した実施形態におい
ては、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃの形状を変えるものを
示したが、ターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃの方の形
状を変えるようにしてもよい。この場合の実施形態を図
５に示す。この場合、ターミナル２１ａ、２１ｂ、２１
ｃのそれぞれの他端が図２に示すようにケース２０上に
固定されていると、モールドＩＣ１とケース２０の熱膨
張の差をなくすことができないため、この実施形態にお
いては、図６（図５中のVI-VI 断面図) に示すように、
ターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれぞれの他端が
ケース２０から突出するようにしている。
【００１８】この図５、図６に示す実施形態に対し、さ
らに図７に示すように、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃおよ
びターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃの両方の形状を変
えるように構成してもよい。なお、上述した説明から分
かるように、ターミナルのピッチは、ターミナル２１
ａ、２１ｂ、２１ｃがケース２０から突出している場合
は、その突出した出口部間の距離をいい、図２に示すよ
うにターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃがケース２０か
ら突出していない場合は、ケース２０上での最端部間の
距離をいう。同様に、モールドＩＣのピッチも、外部端
子２ａ、２ｂ、２ｃがモールドＩＣ１から突出した出口
部間の距離をいう。
らに図７に示すように、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃおよ
びターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃの両方の形状を変
えるように構成してもよい。なお、上述した説明から分
かるように、ターミナルのピッチは、ターミナル２１
ａ、２１ｂ、２１ｃがケース２０から突出している場合
は、その突出した出口部間の距離をいい、図２に示すよ
うにターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃがケース２０か
ら突出していない場合は、ケース２０上での最端部間の
距離をいう。同様に、モールドＩＣのピッチも、外部端
子２ａ、２ｂ、２ｃがモールドＩＣ１から突出した出口
部間の距離をいう。
【００１９】本発明は上記した種々の実施形態に限定さ
れるものでなく、特許請求の範囲に記載した範囲内で適
宜変更が可能である。例えば、モールドＩＣ１、ケース
２０の構成材料としては、上記した実施形態以外の他の
材料を用いることができる。例えば、ケース２０とし
て、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）を用いても
よく、またターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃとの絶縁
をとるようにすれば、金属を用いてもよい。
れるものでなく、特許請求の範囲に記載した範囲内で適
宜変更が可能である。例えば、モールドＩＣ１、ケース
２０の構成材料としては、上記した実施形態以外の他の
材料を用いることができる。例えば、ケース２０とし
て、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）を用いても
よく、またターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃとの絶縁
をとるようにすれば、金属を用いてもよい。
【００２０】また、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃとターミ
ナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれぞれの固定は、溶接
以外に、半田、かしめ等を用いることができる。また、
モールドＩＣ１の形状として、図６中に点線で示したよ
うに、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃが露出する上側部分を
大きく開口させるようにすれば、外部端子２ａ、２ｂ、
２ｃとターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれぞれを
溶接する場合の作業性を良好にすることができる。
ナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれぞれの固定は、溶接
以外に、半田、かしめ等を用いることができる。また、
モールドＩＣ１の形状として、図６中に点線で示したよ
うに、外部端子２ａ、２ｂ、２ｃが露出する上側部分を
大きく開口させるようにすれば、外部端子２ａ、２ｂ、
２ｃとターミナル２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれぞれを
溶接する場合の作業性を良好にすることができる。
【００２１】また、リードフレーム２とターミナル２１
ａ、２１ｂ、２１ｃは、上記実施形態に示したような異
種の金属でも、あるいは銅等の同種の金属でもよい。ま
た、ケース２０はモールドＩＣ１を収納するタイプのも
のに限らず、モールドＩＣ１を単に固定するタイプのも
のであってもよい。さらに、本発明はモールドＩＣ内に
センサ用の信号処理回路用ＩＣを内蔵した構造のセンサ
装置に限らず、センサ以外の他の用途の信号処理回路用
ＩＣを内蔵したものにも同様に適用することができる。
ａ、２１ｂ、２１ｃは、上記実施形態に示したような異
種の金属でも、あるいは銅等の同種の金属でもよい。ま
た、ケース２０はモールドＩＣ１を収納するタイプのも
のに限らず、モールドＩＣ１を単に固定するタイプのも
のであってもよい。さらに、本発明はモールドＩＣ内に
センサ用の信号処理回路用ＩＣを内蔵した構造のセンサ
装置に限らず、センサ以外の他の用途の信号処理回路用
ＩＣを内蔵したものにも同様に適用することができる。
【図１】本発明の一実施形態である圧力センサ装置の平
面図である。
面図である。
【図２】図１中のII-II 断面図である。
【図３】図１に示すモールドＩＣのIII-III 断面図であ
る。
る。
【図４】図１に示す構成に対し、モールドＩＣとケース
の熱膨張係数の関係が逆になる場合の実施形態を示す平
面図である。
の熱膨張係数の関係が逆になる場合の実施形態を示す平
面図である。
【図５】図１に示す構成に対し、ターミナルの方の形状
を変えた実施形態を示す平面図である。
を変えた実施形態を示す平面図である。
【図６】図５中のVI-VI 断面図である。
【図７】図５に示す構成に対し、外部端子およびターミ
ナルの両方の形状を変えた実施形態を示す平面図であ
る。
ナルの両方の形状を変えた実施形態を示す平面図であ
る。
【図８】従来の構成を示す平面図である。
１…モールドＩＣ、２…リードフレーム、２ａ、２ｂ、
２ｃ…外部端子、３…モールド部材、２０…ケース、２
１ａ、２１ｂ、２１ｃ…ターミナル。
２ｃ…外部端子、３…モールド部材、２０…ケース、２
１ａ、２１ｂ、２１ｃ…ターミナル。
Claims (2)
- 【請求項１】 第１、第２の外部端子（２ａ、２ｂ、２
ｃ）を有し樹脂でモールドされたモールドＩＣ（１）
と、このモールドＩＣを固定するケース（２０）と、こ
のケースに取り付けられ前記ケース外に露呈した部分を
有する第１、第２のターミナル（２１ａ、２１ｂ、２１
ｃ）を備え、前記第１、第２のターミナルは、前記第
１、第２の外部端子に電気的に導通した状態でそれぞれ
固定されており、 前記モールドＩＣを構成する樹脂の熱膨張係数（α1 ）
と前記ケースを構成する材料の熱膨張係数（α2 ）は異
なっており、 前記モールドＩＣを構成する樹脂の熱膨張係数と前記第
１、第２の外部端子間のピッチ（Ｌ1 ）との積（α1 ・
Ｌ1 ）と、前記ケースを構成する材料の熱膨張係数と前
記第１、第２のターミナル間のピッチ（Ｌ2 ）との積
（α2 ・Ｌ2 ）との差が小さくなるように、前記モール
ドＩＣと前記ケースの構成材料の熱膨張係数に応じて、
前記第１、第２の外部端子のピッチと前記第１、第２の
ターミナルのピッチが異なるようにしたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 前記モールドＩＣを構成する樹脂の熱膨
張係数と前記第１、第２の外部端子間のピッチとの積
（α1 ・Ｌ1 ）と、前記ケースを構成する材料の熱膨張
係数と前記第１、第２のターミナル間のピッチとの積
（α2 ・Ｌ2 ）とが等しい関係になっていることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32879396A JP3671563B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | モールドｉｃをケースに固定した構造の半導体装置 |
| US08/982,034 US6034421A (en) | 1996-12-09 | 1997-12-01 | Semiconductor device including molded IC fixed to casing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32879396A JP3671563B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | モールドｉｃをケースに固定した構造の半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173350A true JPH10173350A (ja) | 1998-06-26 |
| JP3671563B2 JP3671563B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=18214178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32879396A Expired - Fee Related JP3671563B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | モールドｉｃをケースに固定した構造の半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6034421A (ja) |
| JP (1) | JP3671563B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012142516A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-26 | Denso Corp | 半導体装置 |
| KR20150094777A (ko) * | 2012-12-20 | 2015-08-19 | 콘티넨탈 테베스 아게 운트 코. 오하게 | 전자 디바이스 및 전자 디바이스를 제조하기 위한 방법 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3367458B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2003-01-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| JP3640337B2 (ja) * | 1999-10-04 | 2005-04-20 | 信越化学工業株式会社 | 圧力センサー装置 |
| JP2004198240A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Denso Corp | センサ装置 |
| JP2006032490A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Hitachi Ltd | エンジン制御回路装置 |
| JP4003780B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2007-11-07 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4644008B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2011-03-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| US7378721B2 (en) * | 2005-12-05 | 2008-05-27 | Honeywell International Inc. | Chip on lead frame for small package speed sensor |
| JP4737032B2 (ja) | 2006-10-26 | 2011-07-27 | 株式会社デンソー | コネクタ一体型センサ |
| DE102007051870A1 (de) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Robert Bosch Gmbh | Modulgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Modulgehäuses |
| DE102008029192A1 (de) * | 2008-03-13 | 2009-09-24 | Epcos Ag | Fühler zum Erfassen einer physikalischen Größe und Verfahren zur Herstellung des Fühlers |
| JP2011100718A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-05-19 | Yazaki Corp | コネクタ |
| JP2012052809A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Hitachi Automotive Systems Ltd | センサの構造 |
| KR20160026895A (ko) * | 2013-07-01 | 2016-03-09 | 콘티넨탈 테베스 아게 운트 코. 오하게 | 밀봉 코팅을 구비하는 센서 |
| DE102014213588A1 (de) * | 2014-07-11 | 2016-02-18 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Kundenspezifischer Sensor hergestellt durch Dreifach-Molden |
| WO2016005608A1 (de) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Neutralteil für einen kundenspezifisch adaptierbaren sensor |
| DE102014213591A1 (de) | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Neutralteil für einen kundenspezifisch adaptierbaren Sensor |
| KR102076961B1 (ko) * | 2015-04-10 | 2020-02-13 | 햄린 일렉트로닉스 (쑤저우) 코. 엘티디. | 캡슐화된 전기 장치 및 제조 방법 |
| DE102021108659A1 (de) * | 2021-04-07 | 2022-11-03 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Sensoreinheit und Verfahren zur Herstellung einer Sensoreinheit |
| DE102021108660A1 (de) * | 2021-04-07 | 2022-10-13 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Sensoreinheit und Verfahren zur Herstellung einer Sensoreinheit |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04179152A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-25 | Fujitsu Ltd | 集積回路装置 |
| JPH04179283A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-25 | Nec Corp | 圧電素子変位増幅機構 |
| JP2531382B2 (ja) * | 1994-05-26 | 1996-09-04 | 日本電気株式会社 | ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-12-09 JP JP32879396A patent/JP3671563B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-12-01 US US08/982,034 patent/US6034421A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012142516A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-26 | Denso Corp | 半導体装置 |
| KR20150094777A (ko) * | 2012-12-20 | 2015-08-19 | 콘티넨탈 테베스 아게 운트 코. 오하게 | 전자 디바이스 및 전자 디바이스를 제조하기 위한 방법 |
| KR20150096707A (ko) * | 2012-12-20 | 2015-08-25 | 콘티넨탈 테베스 아게 운트 코. 오하게 | 전자 장치 및 전자 장치의 제작 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3671563B2 (ja) | 2005-07-13 |
| US6034421A (en) | 2000-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3671563B2 (ja) | モールドｉｃをケースに固定した構造の半導体装置 | |
| US7028568B2 (en) | Sensor having resin mold casing and method of manufacturing the same | |
| US7219544B2 (en) | Thermal-type flow rate sensor and manufacturing method thereof | |
| KR100514917B1 (ko) | 고체 촬상소자 장착용 패키지 | |
| US6756585B2 (en) | Process for manufacturing a housing for sensor elements, sensor and use thereof | |
| JP3752444B2 (ja) | 圧力検出装置 | |
| US6380840B1 (en) | Temperature sensor with measuring resistor | |
| US20030094665A1 (en) | Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof | |
| JP2004513339A (ja) | 圧力センサモジュール | |
| MXPA97003843A (es) | Sensor de temperatura con resistor de medicion | |
| JPH08193897A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2009047532A (ja) | 圧力センサ | |
| US5616521A (en) | Side port package for micromachined fluid sensor | |
| US20210381909A1 (en) | Sensor Arrangement Having a Temperature Sensor Element and Method For Its Production | |
| US20020100331A1 (en) | Sensor | |
| JP2006194683A (ja) | 温度センサ一体型圧力センサ装置 | |
| JPH09119875A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US6313514B1 (en) | Pressure sensor component | |
| JP3405457B2 (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
| JP4507890B2 (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
| JP2002257663A (ja) | 圧力検出装置 | |
| JP2006194682A (ja) | 温度センサ一体型圧力センサ装置 | |
| JP2006208088A (ja) | 圧力センサおよびその製造方法 | |
| JP2972112B2 (ja) | 電力半導体装置 | |
| JP3131374B2 (ja) | 半導体圧力センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040727 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040906 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050329 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050411 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080428 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120428 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120428 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130428 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130428 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |