JPH10170897A - 画像表示装置 - Google Patents
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- JPH10170897A JPH10170897A JP8328938A JP32893896A JPH10170897A JP H10170897 A JPH10170897 A JP H10170897A JP 8328938 A JP8328938 A JP 8328938A JP 32893896 A JP32893896 A JP 32893896A JP H10170897 A JPH10170897 A JP H10170897A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 端子電極のアマルガム化を抑制し、プラズマ
アドレス表示装置の寿命を向上することを目的とする。 【解決手段】 一主面上に互いに略平行な複数の放電電
極が形成された第1の基板上に、所定の間隙をもって誘
電体薄板が配置され、周囲をシール部で封止することで
プラズマセルが形成されるとともに、上記誘電体薄板上
に対向面に上記放電電極と略直交する電極が形成された
第2の基板が電気光学材料層を介して重ね合わされてな
る画像表示装置において、上記放電電極の外部接続用の
端子電極14が、接続用配線16を介して放電電極9に
接続され、プラズマセルの外部に引き出されていること
を特徴とするものである。
アドレス表示装置の寿命を向上することを目的とする。 【解決手段】 一主面上に互いに略平行な複数の放電電
極が形成された第1の基板上に、所定の間隙をもって誘
電体薄板が配置され、周囲をシール部で封止することで
プラズマセルが形成されるとともに、上記誘電体薄板上
に対向面に上記放電電極と略直交する電極が形成された
第2の基板が電気光学材料層を介して重ね合わされてな
る画像表示装置において、上記放電電極の外部接続用の
端子電極14が、接続用配線16を介して放電電極9に
接続され、プラズマセルの外部に引き出されていること
を特徴とするものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
て電気光学材料層を駆動し画像表示を行う画像表示装置
(いわゆるプラズマアドレス表示装置)に関するもので
ある。
て電気光学材料層を駆動し画像表示を行う画像表示装置
(いわゆるプラズマアドレス表示装置)に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】例えば液晶方式のディスプレイを高解像
度化及び高コントラスト化するための手法としては、各
表示画素毎にトランジスタ等の能動素子を設け、これを
駆動する方法、いわゆるアクティブマトリクスアドレス
方式がある。
度化及び高コントラスト化するための手法としては、各
表示画素毎にトランジスタ等の能動素子を設け、これを
駆動する方法、いわゆるアクティブマトリクスアドレス
方式がある。
【0003】しかしながら、この場合、薄膜トランジス
タの如き半導体素子を多数設ける必要があることから、
特にディスプレイを大面積化したときに歩留まりの問題
が懸念され、どうしてもコスト高になるという問題が生
じる。
タの如き半導体素子を多数設ける必要があることから、
特にディスプレイを大面積化したときに歩留まりの問題
が懸念され、どうしてもコスト高になるという問題が生
じる。
【0004】そこで、この問題を解決する手段として、
能動素子としてMOSトランジスタや薄膜トランジスタ
等の半導体素子ではなく放電プラズマを利用する方法が
提案されている。
能動素子としてMOSトランジスタや薄膜トランジスタ
等の半導体素子ではなく放電プラズマを利用する方法が
提案されている。
【0005】この放電プラズマを利用して液晶を駆動す
る画像表示装置(以下、プラズマアドレス表示装置と称
する。)は、電気光学材料層である液晶層と、プラズマ
の放電がなされるプラズマセルとが、ガラス等からなる
誘電体薄板を介して隣接配置されてなるものである。
る画像表示装置(以下、プラズマアドレス表示装置と称
する。)は、電気光学材料層である液晶層と、プラズマ
の放電がなされるプラズマセルとが、ガラス等からなる
誘電体薄板を介して隣接配置されてなるものである。
【0006】上記プラズマアドレス表示装置において
は、プラズマセルが隔壁によりライン状のプラズマ室に
分割されており、プラズマ放電が行われるプラズマ室を
順次切り替え走査するとともに、液晶層を挟んで対向す
る透明電極にこれと同期して信号電圧を印加することに
より、液晶層が駆動される。
は、プラズマセルが隔壁によりライン状のプラズマ室に
分割されており、プラズマ放電が行われるプラズマ室を
順次切り替え走査するとともに、液晶層を挟んで対向す
る透明電極にこれと同期して信号電圧を印加することに
より、液晶層が駆動される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のプラ
ズマアドレス表示装置においては、放電電極として、N
iペーストを印刷、焼成することにより形成される比較
的粗なNi膜が使用されている。
ズマアドレス表示装置においては、放電電極として、N
iペーストを印刷、焼成することにより形成される比較
的粗なNi膜が使用されている。
【0008】ただし、放電電極にNiを使用した場合、
その耐スパッタ性を高める必要があり、プラズマセル内
に水銀を拡散することが併せて行われている。
その耐スパッタ性を高める必要があり、プラズマセル内
に水銀を拡散することが併せて行われている。
【0009】一方、上記放電電極を外部回路と接続する
ための端子電極には、気密性を考慮して、金や銀等のペ
ーストを印刷、焼成したものが使用される。
ための端子電極には、気密性を考慮して、金や銀等のペ
ーストを印刷、焼成したものが使用される。
【0010】そして、図7に示すように、これら放電電
極101と端子電極102の接続は、フリットシール1
03で囲まれたプラズマセル内で行われ、通常、この接
続部はカバーガラス104で覆われる。
極101と端子電極102の接続は、フリットシール1
03で囲まれたプラズマセル内で行われ、通常、この接
続部はカバーガラス104で覆われる。
【0011】しかしながら、このような構成を採用した
場合、端子電極102が拡散した水銀と結合してアマル
ガムを形成し易く、プラズマセル内に拡散した水銀が失
われてしまうという難がある。
場合、端子電極102が拡散した水銀と結合してアマル
ガムを形成し易く、プラズマセル内に拡散した水銀が失
われてしまうという難がある。
【0012】その理由は、水銀が、粗なNi膜よりなる
放電電極101や、厚さの薄いカバーガラス104を経
由して、容易に端子電極に到達し得ることにある。
放電電極101や、厚さの薄いカバーガラス104を経
由して、容易に端子電極に到達し得ることにある。
【0013】特に、ガラス基板106上に放電電極10
1を下地ガラス層105とともにサンドブラスト法によ
り同時にエッチング形成する場合、上記端子電極102
は、放電電極101上に乗り上げる形になり、図中矢印
Aで示すように、あるいは矢印Bで示すように、上下か
ら水銀が侵入することになって、上記問題は一層深刻で
ある。
1を下地ガラス層105とともにサンドブラスト法によ
り同時にエッチング形成する場合、上記端子電極102
は、放電電極101上に乗り上げる形になり、図中矢印
Aで示すように、あるいは矢印Bで示すように、上下か
ら水銀が侵入することになって、上記問題は一層深刻で
ある。
【0014】端子電極102が水銀と結合し、プラズマ
セル内に拡散した水銀が失われると、Niよりなる放電
電極101が放電に伴ってスパッタされ易くなり、寿命
の点で不良となる。例えば、放電電極101がスパッタ
されると、スパッタされたNiが誘電体薄板107に付
着し、光の透過率を著しく劣化する。光の透過率の低下
は、プラズマアドレス表示装置においては、致命的であ
る。
セル内に拡散した水銀が失われると、Niよりなる放電
電極101が放電に伴ってスパッタされ易くなり、寿命
の点で不良となる。例えば、放電電極101がスパッタ
されると、スパッタされたNiが誘電体薄板107に付
着し、光の透過率を著しく劣化する。光の透過率の低下
は、プラズマアドレス表示装置においては、致命的であ
る。
【0015】ここで、上記問題を解消するために、カバ
ーガラス104の厚みを大きくすることも考えられる。
カバーガラス104の厚みを大きくすれば、水銀蒸気が
透過できなくなる。
ーガラス104の厚みを大きくすることも考えられる。
カバーガラス104の厚みを大きくすれば、水銀蒸気が
透過できなくなる。
【0016】ただし、この場合の弊害として、カバーガ
ラス104との境界部において、隔壁(リブ)108に
欠損が起こりやすくなり、放電もれによる画像欠陥が問
題となる。
ラス104との境界部において、隔壁(リブ)108に
欠損が起こりやすくなり、放電もれによる画像欠陥が問
題となる。
【0017】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、端子電極のアマルガム化を
抑制し、プラズマアドレス表示装置の寿命を向上するこ
とを目的とする。
て提案されたものであって、端子電極のアマルガム化を
抑制し、プラズマアドレス表示装置の寿命を向上するこ
とを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために、一主面上に互いに略平行な複数の放電
電極が形成された第1の基板上に、所定の間隙をもって
誘電体薄板が配置され、周囲をシール部で封止すること
でプラズマセルが形成されるとともに、上記誘電体薄板
上に対向面に上記放電電極と略直交する電極が形成され
た第2の基板が電気光学材料層を介して重ね合わされて
なる画像表示装置において、上記放電電極の外部接続用
の端子電極が、接続用配線を介して放電電極に接続さ
れ、プラズマセルの外部に引き出されていることを特徴
とするものである。
達成するために、一主面上に互いに略平行な複数の放電
電極が形成された第1の基板上に、所定の間隙をもって
誘電体薄板が配置され、周囲をシール部で封止すること
でプラズマセルが形成されるとともに、上記誘電体薄板
上に対向面に上記放電電極と略直交する電極が形成され
た第2の基板が電気光学材料層を介して重ね合わされて
なる画像表示装置において、上記放電電極の外部接続用
の端子電極が、接続用配線を介して放電電極に接続さ
れ、プラズマセルの外部に引き出されていることを特徴
とするものである。
【0019】このように、端子電極と放電電極とを直接
接続するのではなく、接続用配線を介して間接的に接続
することにより、水銀の端子電極への移行が抑えられ
る。
接続するのではなく、接続用配線を介して間接的に接続
することにより、水銀の端子電極への移行が抑えられ
る。
【0020】特に、端子電極上に接続用配線を重ね合わ
せることで、下からの水銀の経路は、第1の基板によっ
て遮断され、アマルガム化が軽減される。
せることで、下からの水銀の経路は、第1の基板によっ
て遮断され、アマルガム化が軽減される。
【0021】また、端子電極と接続用配線の接続部がシ
ール部下に位置するように設定することで、プラズマセ
ル内に臨む端子電極の面積が削減され、やはりアマルガ
ム化が軽減される。
ール部下に位置するように設定することで、プラズマセ
ル内に臨む端子電極の面積が削減され、やはりアマルガ
ム化が軽減される。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0023】本例のプラズマアドレス表示装置は、図1
及び図2に示すように、電気光学表示セル1と、プラズ
マセル2と、それら両者の間に介在する誘電シート3と
を積層した、いわゆるフラットパネル構造を有する。
及び図2に示すように、電気光学表示セル1と、プラズ
マセル2と、それら両者の間に介在する誘電シート3と
を積層した、いわゆるフラットパネル構造を有する。
【0024】誘電シート3には、薄板ガラス等が使用さ
れ、それ自身、キャパシタとして機能する。したがっ
て、電気光学表示セル1とプラズマセル2との電気的結
合を十分に確保し、且つ電荷の二次元的な広がりを抑制
するために、この誘電シート3は、なるべく薄い方がよ
い。具体的には、例えば50μm程度の厚さの薄板ガラ
スが使用される。
れ、それ自身、キャパシタとして機能する。したがっ
て、電気光学表示セル1とプラズマセル2との電気的結
合を十分に確保し、且つ電荷の二次元的な広がりを抑制
するために、この誘電シート3は、なるべく薄い方がよ
い。具体的には、例えば50μm程度の厚さの薄板ガラ
スが使用される。
【0025】上記電気光学表示セル1は、上記誘電シー
ト3の上にスペーサ6によって所定の間隙を保持した状
態でガラス基板(上側基板)4を接合することにより形
成される。
ト3の上にスペーサ6によって所定の間隙を保持した状
態でガラス基板(上側基板)4を接合することにより形
成される。
【0026】そして、この誘電シート3と上側基板4の
間の間隙には、電気光学材料としての液晶材料が充填さ
れ、液晶層7が形成される。なお、電気光学材料として
は、液晶以外のものを使用することもできる。
間の間隙には、電気光学材料としての液晶材料が充填さ
れ、液晶層7が形成される。なお、電気光学材料として
は、液晶以外のものを使用することもできる。
【0027】ここで、上側基板4と誘電シート3の間の
間隙の寸法は、例えば4〜10μmとされ、表示面全面
に亘ってほぼ均一に保たれている。
間隙の寸法は、例えば4〜10μmとされ、表示面全面
に亘ってほぼ均一に保たれている。
【0028】また、上記上側基板4の誘電シート3との
対向面には、透明導電材料からなり、例えば行方向に延
びる複数本のデータ電極5が所定の間隔を保持して列方
向に並列に配列されている。
対向面には、透明導電材料からなり、例えば行方向に延
びる複数本のデータ電極5が所定の間隔を保持して列方
向に並列に配列されている。
【0029】一方、プラズマセル2は、上記誘電シート
3と、この下方に配されるガラス基板(下側基板)8と
で構成されている。
3と、この下方に配されるガラス基板(下側基板)8と
で構成されている。
【0030】下側基板8の誘電シート3との対向面に
は、上記データ電極5と直交する方向、すなわち列方向
に延びる複数のアノード電極9A及びカソード電極9K
が、交互に所定の間隔を保持して並列に配列されてお
り、放電電極群を構成している。
は、上記データ電極5と直交する方向、すなわち列方向
に延びる複数のアノード電極9A及びカソード電極9K
が、交互に所定の間隔を保持して並列に配列されてお
り、放電電極群を構成している。
【0031】また、各アノード電極9A、カソード電極
9Kの上面中央部には、電極に沿って延在するように、
所定幅の隔壁10が形成されている。そして、各隔壁1
0の頂部は、誘電シート3の下面に当接され、下側基板
8と誘電シート3間の間隙がほぼ一定に保たれている。
9Kの上面中央部には、電極に沿って延在するように、
所定幅の隔壁10が形成されている。そして、各隔壁1
0の頂部は、誘電シート3の下面に当接され、下側基板
8と誘電シート3間の間隙がほぼ一定に保たれている。
【0032】さらに、上記誘電シート3は、外周縁部に
おいて、低融点ガラス等を使用したフリットシール11
により、上記下側基板8に対して気密的に接合されてお
り、プラズマセル2が密閉空間として構成されている。
この密閉空間には、例えばヘリウム、ネオン、アルゴ
ン、あるいはこれらの混合気体等、イオン化可能なガス
が封入されている。
おいて、低融点ガラス等を使用したフリットシール11
により、上記下側基板8に対して気密的に接合されてお
り、プラズマセル2が密閉空間として構成されている。
この密閉空間には、例えばヘリウム、ネオン、アルゴ
ン、あるいはこれらの混合気体等、イオン化可能なガス
が封入されている。
【0033】上述のプラズマアドレス表示装置において
は、下側基板8と誘電シート3の間隙に、各隔壁10で
分離された複数の放電チャンネル(空間)12が行方向
に並列に形成される。この放電チャンネル12は、デー
タ電極5と直交するものである。
は、下側基板8と誘電シート3の間隙に、各隔壁10で
分離された複数の放電チャンネル(空間)12が行方向
に並列に形成される。この放電チャンネル12は、デー
タ電極5と直交するものである。
【0034】したがって、各データ電極5は列駆動単位
となるとともに、各放電チャンネル12は行駆動単位と
なり、図3に示すように、両者の交差部がそれぞれ画素
13に対応している。
となるとともに、各放電チャンネル12は行駆動単位と
なり、図3に示すように、両者の交差部がそれぞれ画素
13に対応している。
【0035】以上の構成のプラズマアドレス表示装置に
おいて、所定の放電チャンネル12に対応するアノード
電極9Aとカソード電極9Kの間に駆動電圧が印加され
ると、この放電チャンネル12内において封入されたガ
スがイオン化されてプラズマ放電が起こり、アノード電
位に維持される。
おいて、所定の放電チャンネル12に対応するアノード
電極9Aとカソード電極9Kの間に駆動電圧が印加され
ると、この放電チャンネル12内において封入されたガ
スがイオン化されてプラズマ放電が起こり、アノード電
位に維持される。
【0036】この状態でデータ電極5にデータ電圧が印
加されると、上記プラズマ放電が発生した放電チャンネ
ル12に対応して、列方向に並ぶ複数の画素13に対応
した液晶層7にデータ電圧が書き込まれる。
加されると、上記プラズマ放電が発生した放電チャンネ
ル12に対応して、列方向に並ぶ複数の画素13に対応
した液晶層7にデータ電圧が書き込まれる。
【0037】プラズマ放電が終了すると、放電チャンネ
ル12は浮遊電位となり、各画素13に対応した液晶層
7に書き込まれたデータ電圧は、次の書き込み期間(例
えば1フィールド後あるいは1フレーム後)まで保持さ
れる。この場合、放電チャンネル12はサンプリングス
イッチとして機能し、各画素13の液晶層7はサンプリ
ングキャパシタとして機能する。
ル12は浮遊電位となり、各画素13に対応した液晶層
7に書き込まれたデータ電圧は、次の書き込み期間(例
えば1フィールド後あるいは1フレーム後)まで保持さ
れる。この場合、放電チャンネル12はサンプリングス
イッチとして機能し、各画素13の液晶層7はサンプリ
ングキャパシタとして機能する。
【0038】上記液晶層7に書き込まれたデータ電圧に
よって液晶が動作し、画素単位で表示が行われる。した
がって、プラズマ放電を発生させる放電チャンネル12
を順次走査するとともに、各データ電極5にこれに同期
してデータ電圧を印加することで、アクティブマトリク
スアドレッシング方式と同様に液晶層7が駆動され、二
次元画像の表示を行うことができる。
よって液晶が動作し、画素単位で表示が行われる。した
がって、プラズマ放電を発生させる放電チャンネル12
を順次走査するとともに、各データ電極5にこれに同期
してデータ電圧を印加することで、アクティブマトリク
スアドレッシング方式と同様に液晶層7が駆動され、二
次元画像の表示を行うことができる。
【0039】以上がプラズマアドレス表示装置の基本的
な構成であるが、このプラズマアドレス表示装置におい
ては、放電電極(アノード電極9A、カソード電極9
K)を外部駆動回路と接続するために、図4に示すよう
に、端子電極14を外部引き出し電極として形成する必
要がある。
な構成であるが、このプラズマアドレス表示装置におい
ては、放電電極(アノード電極9A、カソード電極9
K)を外部駆動回路と接続するために、図4に示すよう
に、端子電極14を外部引き出し電極として形成する必
要がある。
【0040】通常、この端子電極14は、放電電極9
A、9Kとプラズマセル内で直接接続されているが、本
例では接続用配線を介して間接的に接続されている。
A、9Kとプラズマセル内で直接接続されているが、本
例では接続用配線を介して間接的に接続されている。
【0041】この部分を拡大して示すのが、図5であ
る。
る。
【0042】先ず、放電電極9(アノード電極9Aまた
はカソード電極9K)であるが、これはNiを含むペー
ストを塗布し、焼成することにより、ストライプ状に形
成される。この放電電極9は、いわゆる粗な膜である。
はカソード電極9K)であるが、これはNiを含むペー
ストを塗布し、焼成することにより、ストライプ状に形
成される。この放電電極9は、いわゆる粗な膜である。
【0043】また、この放電電極9は、下側基板8の上
に直接形成するのではなく、下地ガラス層15を介して
形成されている。
に直接形成するのではなく、下地ガラス層15を介して
形成されている。
【0044】本例では、放電電極9と下地ガラス層15
は、サンドブラスト法により、同時にエッチング形成さ
れており、したがって同一形状とされている。
は、サンドブラスト法により、同時にエッチング形成さ
れており、したがって同一形状とされている。
【0045】一方、端子電極14は、フリットシール1
1の下を通り、プラズマセル2の外部に引き出されてお
り、そのプラズマセル側の先端部は、直接放電電極9上
に重ねて接続されるのではなく、接続用配線16を介し
て放電電極9と接続されている。
1の下を通り、プラズマセル2の外部に引き出されてお
り、そのプラズマセル側の先端部は、直接放電電極9上
に重ねて接続されるのではなく、接続用配線16を介し
て放電電極9と接続されている。
【0046】すなわち、上記放電電極9の先端と端子電
極14の先端とは、所定の間隔で離間されており、これ
を繋ぐ形で導電材料よりなる接続用配線16が形成され
ている。
極14の先端とは、所定の間隔で離間されており、これ
を繋ぐ形で導電材料よりなる接続用配線16が形成され
ている。
【0047】接続用配線16は、その両端部において、
それぞれ放電電極9、端子電極14上に一部重なり合う
ように形成され、この結果、放電電極9と端子電極14
とが電気的に接続されることになる。
それぞれ放電電極9、端子電極14上に一部重なり合う
ように形成され、この結果、放電電極9と端子電極14
とが電気的に接続されることになる。
【0048】なお、放電電極9上に形成される隔壁10
は、フリットシール11から若干離して形成する必要が
あり、この領域においては、これら電極を覆ってカバー
ガラス17が形成されている。カバーガラス17の形成
領域は、図4の斜線領域である。
は、フリットシール11から若干離して形成する必要が
あり、この領域においては、これら電極を覆ってカバー
ガラス17が形成されている。カバーガラス17の形成
領域は、図4の斜線領域である。
【0049】上記端子電極14は、フリットシール11
との密着性等を考慮して、金(Au)や銀(Ag)のペ
ーストを塗布し焼成することにより形成されている。な
お、このとき用いるペーストとしては、マイグレーショ
ンの虞れのない金ペーストが好ましく、特に、焼成時の
収縮率が25%以上の金ペーストを用いることにより、
水銀の溶解度を抑えることができ、アマルガム化をより
一層抑えることが可能である。なお、ここで、金ペース
トの収縮率は、焼成前後の膜厚を比較することで算出す
ることができ、具体的には下記の数1により算出され
る。
との密着性等を考慮して、金(Au)や銀(Ag)のペ
ーストを塗布し焼成することにより形成されている。な
お、このとき用いるペーストとしては、マイグレーショ
ンの虞れのない金ペーストが好ましく、特に、焼成時の
収縮率が25%以上の金ペーストを用いることにより、
水銀の溶解度を抑えることができ、アマルガム化をより
一層抑えることが可能である。なお、ここで、金ペース
トの収縮率は、焼成前後の膜厚を比較することで算出す
ることができ、具体的には下記の数1により算出され
る。
【0050】
【数1】
【0051】一方、上記接続用配線16には、導電材料
がいずれも使用可能であるが、水銀とアマルガムを形成
しない金属で、且つ放電電極9や端子電極14とオーミ
ックコンタクトが取れる材料であることが必要である。
がいずれも使用可能であるが、水銀とアマルガムを形成
しない金属で、且つ放電電極9や端子電極14とオーミ
ックコンタクトが取れる材料であることが必要である。
【0052】また、カバーガラス17にクラックが生じ
ないようにするために、焼成時の収縮率が30%以下の
ペーストを用いて形成することが好ましい。
ないようにするために、焼成時の収縮率が30%以下の
ペーストを用いて形成することが好ましい。
【0053】接続用配線16が放電電極9に乗り上げて
いる部分は、カバーガラス17の厚さが薄くなり易い傾
向にあり、焼成時に接続用配線16が収縮し応力が加わ
ると、クラックが入り易い。カバーガラス17にクラッ
クが入ると、そこを介して隣接カソード間で異常放電が
起こる。このような理由から、接続用配線16に用いる
ペーストの収縮率は30%以下であることが望ましい。
いる部分は、カバーガラス17の厚さが薄くなり易い傾
向にあり、焼成時に接続用配線16が収縮し応力が加わ
ると、クラックが入り易い。カバーガラス17にクラッ
クが入ると、そこを介して隣接カソード間で異常放電が
起こる。このような理由から、接続用配線16に用いる
ペーストの収縮率は30%以下であることが望ましい。
【0054】以上のような要件を満たす材料としては、
NiやCrやAlが挙げられるが、抵抗値が低く、発熱
に起因する不具合が起こり難いという点からは、Niま
たはAlが好ましい。Alを用いる場合は、端子電極と
オーミックコンタクトが取れるかどうかに注意を払う必
要があり、端子電極の材料としては金が好ましい。
NiやCrやAlが挙げられるが、抵抗値が低く、発熱
に起因する不具合が起こり難いという点からは、Niま
たはAlが好ましい。Alを用いる場合は、端子電極と
オーミックコンタクトが取れるかどうかに注意を払う必
要があり、端子電極の材料としては金が好ましい。
【0055】また、上記カバーガラス17には、通常、
気密的な被覆がしやすい非晶質のガラスが使用される。
しかしながら、非晶質のガラスを用いた場合、電極の接
合部において反応が起こり、抵抗値異常の不具合となっ
たり、放電中に発熱して断線が起こる場合がある。
気密的な被覆がしやすい非晶質のガラスが使用される。
しかしながら、非晶質のガラスを用いた場合、電極の接
合部において反応が起こり、抵抗値異常の不具合となっ
たり、放電中に発熱して断線が起こる場合がある。
【0056】そこで、この問題を回避するために、結晶
化ガラスを用いても良い。結晶化ガラスは、焼成温度等
に厳しい管理を要求されるが、電極接合部の反応を抑制
するという点では、非晶質のガラスよりも優れている。
化ガラスを用いても良い。結晶化ガラスは、焼成温度等
に厳しい管理を要求されるが、電極接合部の反応を抑制
するという点では、非晶質のガラスよりも優れている。
【0057】上述のように、端子電極14が最も下層に
位置することから、下からの水銀の侵入経路は、ガラス
基板である下側基板8によって完全に遮断されている。
位置することから、下からの水銀の侵入経路は、ガラス
基板である下側基板8によって完全に遮断されている。
【0058】さらに、端子電極14の先端位置(端子電
極14と接続用配線16の接続部)がフリットシール1
1の下にあり、プラズマセル2内にほとんど端子電極1
4が臨まない形になっているので、この点でもアマルガ
ム化を軽減することができる。
極14と接続用配線16の接続部)がフリットシール1
1の下にあり、プラズマセル2内にほとんど端子電極1
4が臨まない形になっているので、この点でもアマルガ
ム化を軽減することができる。
【0059】以上、本発明を適用した具体的な実施形態
について説明してきたが、本発明がこの例に限定される
ものでなく、種々の変更が可能であることは言うまでも
ない。
について説明してきたが、本発明がこの例に限定される
ものでなく、種々の変更が可能であることは言うまでも
ない。
【0060】例えば、上述の例では、放電電極9と下地
ガラス層15とは同時にサンドブラスト法でパターニン
グされものであるが、放電電極9と下地ガラス層15を
別々にパターニングしたものでもよい。また、放電電極
9と下地ガラス層15とを印刷法によってストライプ状
に印刷して形成してもよい。
ガラス層15とは同時にサンドブラスト法でパターニン
グされものであるが、放電電極9と下地ガラス層15を
別々にパターニングしたものでもよい。また、放電電極
9と下地ガラス層15とを印刷法によってストライプ状
に印刷して形成してもよい。
【0061】この場合には、図6に示すように、接続用
配線16が放電電極9と下地ガラス層15の間に入り込
むような形になるが、先の例と同様の効果が期待でき
る。
配線16が放電電極9と下地ガラス層15の間に入り込
むような形になるが、先の例と同様の効果が期待でき
る。
【0062】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、端子電極のアマルガム化を抑制することが
でき、プラズマアドレス表示装置の寿命を向上すること
が可能である。
明によれば、端子電極のアマルガム化を抑制することが
でき、プラズマアドレス表示装置の寿命を向上すること
が可能である。
【0063】また、このとき、例えばカバーガラスの厚
さを大きくする必要もないので、カバーガラスのエッジ
部において隔壁の欠損が生ずることもない。
さを大きくする必要もないので、カバーガラスのエッジ
部において隔壁の欠損が生ずることもない。
【図1】プラズマアドレス表示装置の構成例を一部切り
欠いて示す概略斜視図である。
欠いて示す概略斜視図である。
【図2】プラズマアドレス表示装置の構成例を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図3】データ電極、放電電極、放電チャンネルの配列
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図4】放電電極と端子電極の配置を模式的に示す概略
平面図である。
平面図である。
【図5】プラズマセルにおける端子電極接続部を示す要
部概略断面図である。
部概略断面図である。
【図6】プラズマセルにおける端子電極接続部の他の例
を示す要部概略断面図である。
を示す要部概略断面図である。
【図7】従来のプラズマセルにおける端子電極接続部の
一例を示す要部概略断面図である。
一例を示す要部概略断面図である。
1 電気光学表示セル、2 プラズマセル、3 誘電シ
ート、4 上側基板、5データ電極、7 液晶層、8
下側電極、9 放電電極、10 隔壁、11フリットシ
ール、14 端子電極、16 接続用配線
ート、4 上側基板、5データ電極、7 液晶層、8
下側電極、9 放電電極、10 隔壁、11フリットシ
ール、14 端子電極、16 接続用配線
Claims (5)
- 【請求項1】 一主面上に互いに略平行な複数の放電電
極が形成された第1の基板上に、所定の間隙をもって誘
電体薄板が配置され、周囲をシール部で封止することで
プラズマセルが形成されるとともに、 上記誘電体薄板上に対向面に上記放電電極と略直交する
電極が形成された第2の基板が電気光学材料層を介して
重ね合わされてなる画像表示装置において、 上記放電電極の外部接続用の端子電極が、接続用配線を
介して放電電極に接続され、プラズマセルの外部に引き
出されていることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項2】 上記端子電極と接続用配線の接続部にお
いて、端子電極上に接続用配線が重ね合わされているこ
とを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。 - 【請求項3】 上記接続用配線がNi、CuまたはAl
よりなることを特徴とする請求項1記載の画像表示装
置。 - 【請求項4】 上記放電電極上にプラズマセルを仕切る
隔壁が形成され、少なくともこの隔壁とシール部の間の
領域において、上記各電極を覆ってカバーガラス層が形
成されていることを特徴とする請求項1記載の画像表示
装置。 - 【請求項5】 上記端子電極と接続用配線の接続部が上
記シール部下に位置することを特徴とする請求項1記載
の画像形成装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8328938A JPH10170897A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 画像表示装置 |
US08/986,524 US5923389A (en) | 1996-12-09 | 1997-12-08 | Plasma addressed electro-optical display |
KR1019970067141A KR19980063952A (ko) | 1996-12-09 | 1997-12-09 | 플라즈마 어드레스 전기 광학 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8328938A JPH10170897A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 画像表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10170897A true JPH10170897A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18215782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8328938A Withdrawn JPH10170897A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 画像表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5923389A (ja) |
JP (1) | JPH10170897A (ja) |
KR (1) | KR19980063952A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10269935A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | パネルディスプレイ製造方法及び製造装置 |
JP4168488B2 (ja) * | 1998-08-28 | 2008-10-22 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
US6614411B2 (en) * | 1998-09-08 | 2003-09-02 | Sony Corporation | Plasma address display apparatus |
JP2000111883A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
JP4554983B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2010-09-29 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
US8014167B2 (en) * | 2007-09-07 | 2011-09-06 | Seagate Technology Llc | Liquid crystal material sealed housing |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6056339A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-04-01 | Ise Electronics Corp | 螢光表示管 |
JPS6419324A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Toshiba Corp | Active matrix type liquid crystal display panel |
JP2516688B2 (ja) * | 1989-08-02 | 1996-07-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
EP0554172B1 (en) * | 1992-01-28 | 1998-04-29 | Fujitsu Limited | Color surface discharge type plasma display device |
US5821912A (en) * | 1993-11-05 | 1998-10-13 | Sony Corporation | Plasma-addressed display device |
JP3297777B2 (ja) * | 1994-04-27 | 2002-07-02 | ソニー株式会社 | 電気光学表示装置 |
JP3297782B2 (ja) * | 1994-08-26 | 2002-07-02 | ソニー株式会社 | プラズマアドレス液晶表示装置及びプラズマアドレス液晶表示装置の製造方法 |
US5596431A (en) * | 1995-03-29 | 1997-01-21 | Philips Electronics North America Corp. | Plasma addressed liquid crystal display with etched electrodes |
JPH08304790A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Sony Corp | プラズマアドレス表示装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-12-09 JP JP8328938A patent/JPH10170897A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-12-08 US US08/986,524 patent/US5923389A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-09 KR KR1019970067141A patent/KR19980063952A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980063952A (ko) | 1998-10-07 |
US5923389A (en) | 1999-07-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040302 |