JPH10158652A - ドープ剤 - Google Patents

ドープ剤

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JPH10158652A
JPH10158652A JP9314679A JP31467997A JPH10158652A JP H10158652 A JPH10158652 A JP H10158652A JP 9314679 A JP9314679 A JP 9314679A JP 31467997 A JP31467997 A JP 31467997A JP H10158652 A JPH10158652 A JP H10158652A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】電気光学ディスプレイ用の液晶媒体のための新
規ドープ剤を提供する。 【解決手段】本発明は、式 R1 −(A1 −Z1 )n−A2 −W 具体的には、例えば で表わされるドープ剤および電気光学ディスプレイ用の
液晶媒体中におけるキラルドープ剤としてのそれらの使
用およびまたこのような媒体を含有する電気光学ディス
プレイに関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規ドープ剤、こ
れらのドープ剤を含有する液晶媒体およびこのような液
晶媒体を含有する電気光学ディスプレイに関する:
【0002】
【従来の技術】特に過去数十年の間に、液晶は電気光学
的性質およびディスプレイ−デバイスとしての物性が要
求される各種工業分野(例えば、時計、計算機およびタ
イプライターのディスプレイ)に導入されている。これ
らのディスプレイデバイスは、液晶化合物のネマティッ
ク、コレステリックおよび(または)スメクティック相
における誘電配向効果に基づいている。この効果では誘
電異方性により発現され、印加電場において当該化合物
の分子の長軸の好適な配向が取り入れられる。これらの
ディスプレイデバイスにおける通常の応答時間は、液晶
を適用し得るかなりの別の潜在的分野にとっては長すぎ
る。この欠点は多数の画素をアドレスしなければならな
い場合に、特に顕著になる。従って、比較的大きいスク
リーン面積を有するデバイス、例えばビデオ装置などの
製造価格は一般に高くなりすぎる。
【0003】ネマティックおよびコレステリック液晶に
加えて、光学活性スメクティック液晶相はまた、過去数
年にわたり重要性を増している。クラーク(Clark)お
よびラガーウォル(Lagerwall)は、非常に薄いセルで
強誘電性液晶系を使用すると、慣用のTN(「ねじれネ
マティック」)セルに比較して、1000までのファク
ターで迅速な応答時間を有する光電気切換え素子または
表示素子が得られることを証明することができている
[例えば、ラガーウォル等による“Ferroelectric Liqu
id Crystals for Displays"、SID Symposium、 October M
eeting 1985, San Diego,CA.,USA参照]。これらのおよ
びその他の好ましい性質故に、例えば双安定性切換えお
よびコントラストが視野角からほとんど独立しているこ
とによって、FLC(強誘電性液晶)は原則的に、上記
用途分野、例えばマトリックス アドレス法による用途
分野に格別に適している。
【0004】電気光学切換え素子および表示素子の場合
には、適当なまたは矩形(orthogonal)のスメクティッ
ク相を形成し、かつまたそれら自体が光学活性である化
合物であるか、または強誘電性スメクティック相が、そ
れ自体スメクティック相を形成しないが、光学活性でな
い化合物に光学活性化合物をドープすることによって誘
導されることができる、それらのいずれかである必要が
ある。望ましい相は、できるだけ広い温度範囲にわたり
安定でなければならない。電気光学デバイスに良好なコ
ントラスト比を得るためには、液晶の均一で平坦な配向
が要求される。S* A およびS* C 相における良好な配向
は、液晶混合物の温度の低下を伴う相配列が下記のとお
りである場合に達成することができる: アイソトロピック→N* →S* A →S* C
【0005】N*相のラセンピッチが非常に大きいか
(10μmより大)、またはより好ましくは充分に補償
されることが前提条件である[例えば、T.Matsumoto等
による、468〜470頁、Proc.of the 6th Int.Display Re
search Conf.,Japan Display,1986年9月30日〜10月2
日、東京、日本国;M.Murakami等による同書、344〜347
頁参照]。これは、例えばN*相において左旋回ラセン
を有するキラル液晶混合物に、右旋回ラセンを誘起させ
る追加の光学活性ドープ剤をこのラセンが丁度補償され
るような量で添加することによって達成される。JP-A0
3/193740A2には、光学活性を有する類似の置換アルキ
ニルフェニルエーテル化合物およびアルキニルベンゾエ
ート化合物が記載されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、傾斜
配向のスメクティック液晶相およびネマティック液晶相
のための新規ドープ剤を提供することにある。本発明の
もう一つの課題は、傾斜配向のスメクティック液晶相に
少量で添加しても、コレステリック相に非常に強いねじ
れを生じさせる新規ドープ剤を提供することにある。本
発明のもう一つの課題は、しきい値電圧およびアドレス
電圧の温度依存性が少ない液晶混合物の調製を可能にす
る新規ドープ剤を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は下記式Iで表わ
されるドープ剤に関する: R1−(A1−Z1)n−A2−W I 式中、Wは下記の基であり:
【化8】
【0008】Xは−C≡C−Yまたは−CH=CH−Y
であり、Yは、a)Hであるか、または炭素原子1〜1
5個を有するアルキル基またはアルケニル基であり、こ
の基は未置換であるか、置換基として1個のCNまたは
CF3を有するか、または置換基として少なくとも1個
のハロゲンを有しており、さらにこれらの基中に存在す
る1個または2個以上のCH2基はそれぞれ相互に独立
して、ヘテロ原子が相互に直接に結合しないものとし
て、−O−、−CO−または−CO−O−により置き換
えられていてもよく、あるいは b)フェニレン基であり、この基中に存在する1個また
は2個のCH基はNにより置き換えられていてもよく、
そしてこの基は未置換であるか、またはCN、Cl、ま
たはFにより、あるいは炭素原子1〜8個を有するアル
キル基、アルケニル基またはアルコキシ基により置換さ
れていてもよく、これらの基中の1個または2個以上の
H原子はF原子により置き換えられていてもよく、
【0009】Raは炭素原子1〜15個を有する直鎖状
アルキル基であり、R1はHであるか、または炭素原子
1〜15個を有するアルキル基またはアルケニル基であ
り、この基は未置換であるか、置換基として1個のCN
またはCF3を有するか、または置換基として少なくと
も1個のハロゲンを有しており、さらにこれらの基中に
存在する1個または2個以上のCH2基はそれぞれ相互
に独立して、ヘテロ原子が相互に直接に結合しないもの
として、−O−、−S−、−CO−、−CO−O−、−
O−CO−または−O−CO−O−により置き換えられ
ていてもよく、
【0010】A1およびA2はそれぞれ相互に独立して、 a)トランス−1,4−シクロヘキシレン基であり、こ
の基中に存在する1個のCH2基または隣接していない
2個以上のCH基は−O−および(または)−S−に
より置き換えられていてもよく、 b)1,4−シクロヘキセニレン基であり、 c)1,4−フェニレン基であり、この基中に存在する
1個または2個のCH基はNにより置き換えられていて
もよく、 d)1,4−ビシクロ[2.2.2]オクチレン、ピペ
リジン−1,4−ジイル、ナフタレン−2,6−ジイ
ル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、および
1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジ
イル基であり、上記基a)、b)およびc)は、CN、
ClまたはFにより、あるいは炭素原子1〜5個を有す
るアルキル基またはアルケニル基により置換されていて
もよく、
【0011】Z1 は−CO−O−、−O−CO−、−C
2O−、−O−CH2−、−CH2CH−、−CH=
CH−、−C≡C−あるいは単結合であり、そしてn
は、0、1、2または3である、ただし、A2 が未置換
の1,4−フェニレン基であり、そしてXがC≡CHで
ある場合には、A1はその分子中に存在する1個または
2個のCH基がまた、Nにより置き換えられていてもよ
い1,4−フェニレン基ではない。
【0012】ネマティック液晶混合物に、この新規キラ
ル化合物を使用すると、ネマティック液晶混合物のコレ
ステリックピッチを各種用途の要件に適合させることが
できる。一例として、例えば、コレステリックからネマ
ティックへの電界誘導相転移を有する「相転移」型ディ
スプレイ用およびSTNディスプレイ用などのための実
質的に温度−独立性のコレステリックピッチを得ること
ができる。しかしながらまた、コレステリックピッチの
高い温度依存性と成すこともでき、そしてこれは正の数
値または負の数値のどちらかを有することができる。
【0013】コレステリックピッチの負の温度依存性に
より、温度が上昇するとピッチが減少し、そしてこのピ
ッチの減少により各種電気光学表示素子、例えばTNデ
ィスプレイやSTNディスプレイにおいてもしきい値電
圧または動作電圧が増大するので、ネマティック液晶混
合物において新規キラル物質を使用することにより、温
度上昇に伴うしきい値電圧または動作電圧の上昇が実質
的に補償される形で顕著に低下する。ここで、当該新規
ドープ剤を使用しない場合でも、しきい値電圧の比較的
小さな温度依存性を達成するための、適当な混合物を用
いることは有利である。これは、その種の表示素子のア
ドレッシングを単純化するものである。式Iで表わされ
る光学活性化合物は傾斜配向のスメクティック液晶相の
ドープ剤として、少量添加された場合でも、コレステリ
ィック相に非常に強力なねじれを生じさせることが見出
された。
【0014】このN*相で誘起されるラセンはピッチの
特定の補償のために混合物において有利に使用すること
ができる。この場合に、この新規ドープ剤が、それらの
強力なねじれ力によって、少量添加した場合でも、もう
1種のドープ剤のピッチを補償することができることは
特に有利である。式Iで表わされる化合物は純粋な状態
で無色であり、かつまた多くの場合に、それら自体で、
電気光学用途に対して好ましい位置にある温度範囲で液
晶中間相を形成する。これらの化合物は化学的に、熱に
対して、およびまた光に対して安定である。
【0015】従って、本発明は式Iで表わされる化合物
およびこれらの化合物の液晶媒体における成分としての
使用に関する。本発明はさらにまた、式Iで表わされる
化合物の少なくとも1種を含有する液晶媒体およびまた
この種の媒体を含有する液晶表示素子、特に電気光学表
示素子に関する。本明細書の全体をとおして、R1
1、Z1、n、A2 およびWは、別段の記載がないかぎ
り、上記定義の意味を有する。簡潔にするために、以下
の記載において、Cycは1,4−シクロヘキシレン基
を表わし、Cheは1,4−シクロヘキセニレン基を表
わし、Dioは1,3−ジオキサン−2,5−ジイル基
を表わし、Ditは1,3−ジチアン−2,5−ジイル
基を表わし、Pheは1,4−フェニレン基を表わし、
Pydはピリジン−2,5−ジイル基を表わし、Pyr
はピリミジン−2,5−ジイル基を表わし、そしてBc
oはビシクロ[2.2.2]オクチレン基を表わすもの
とする。このCycおよび(または)Pheは未置換で
あることができ、あるいは置換基として1個または2個
以上のCl、FまたはCNを有していてもよい。
【0016】式Iで表わされる化合物は、下記付属式I
aのメソゲン基R1−(A1−Z1)n−A2−内に1個の
環を含有する化合物を包含し: R−A1−W Ia 下記付属式Ib〜Icのメソゲン基R1−(A1−Z1
n−A2−内に2個の環を含有する化合物を包含し: R1−A1−A2−W Ib R1−A1−Z1−A2−W Ic そして下記付属式Id〜Igのメソゲン基R1−(A1
1)n−A2−内に3個の環を含有する下化合物を包含
する: R1−A1−A1−A2−W Id R1−A1−Z1−A1−A2−W Ie R1−A1−A1−Z1−A2−W If R1−A1−Z1−A1−Z1−A2−W Ig
【0017】これらの中で、付属式Ia、Ib、Ic、
Id、IeおよびIfで表わされる化合物は、特に好適
な化合物として挙げられる。付属式Iaで表わされる好
適化合物は、下記の付属式IaaおよびIabで表わさ
れる化合物を包含する: R1−Phe−W Iaa R1−Cyc−W Iab 付属式Ibで表わされる好適化合物は、下記の付属式I
ba〜Ibgで表わされる化合物を包含する: R1−Cyc−Cyc−W Iba R1−Cyc−Phe−W Ibb R1−Phe−Phe−W Ibc R1−Pyd−Phe−W Ibd R1−Phe−Cyc−W Ibe R1−Dio−Phe−W Ibf R1−Pyr−Phe−W Ibg
【0018】これらの中で、付属式Iba、Ibb、I
bcおよびIbeで表わされる化合物は特に好適であ
る。付属式Icで表わされる好適化合物は、下記の付属
式Ica〜Ichで表わされる化合物を包含する: R1−Cyc−Z1−Cyc−W Ica R1−A1−CH2CH2−A2−W Icb R1−Cyc−Z1−Phe−W Icc R1−A1−OCO−Phe−W Icd R1−Phe−Z1−Phe−W Ice R1−Pyr−Z1−A2−W Icf R1−Pyd−Z1−A2−W Icg R1−Dio−Z1−A2−W Ich
【0019】これらの中で、付属式Ica、Icb、I
ccおよびIceで表わされる化合物は特に好適であ
る。付属式Id〜Igで表わされる好適化合物は、下記
の付属式Ih〜Ioで表わされる化合物を包含する: R1−A1−Cyc−Cyc−W Ih R1−A1−Cyc−Phe−W Ii R1−A1−CH2CH2−A1−Phe−W Ij R1−Cyc−Z1−A1−Z1−Phe−W Ik R1−Phe−Phe−Phe−W Il R1−Phe−Z1−A1−Phe−W Im R1−A1−Phe−Z1−Phe−W In R1−A1−Z1−Cyc−Phe−W Io
【0020】前記および後記の式で表わされる化合物に
おいて、Rは好ましくは、アルキルまたはアルケニル
であり、さらにまた好ましくは、アルコキシである。A
およびAは相互に独立して、好ましくはPhe、C
yc、Che、Pyd、PyrまたはDioである。式
(I)で表わされる化合物は好ましくは、1個よりも多
くない数で、Boc、Pyd、Pyr、DipおよびD
itを含有する。2個の環Aが存在する場合に、これ
らは同一または相違する意味を有することができる。同
じことが架橋Zにもあてはまる。その分子中に存在す
るAが1個または2個のClおよび(または)Fによ
り置換されている1,4−フェニレンである式Iおよび
すべての付属式で表わされる化合物は好適化合物として
挙げられる。AおよびAは好ましくは、下記式の基
である:
【0021】
【化9】 (これらの環はまた、反転形態で存在することもでき
る)。
【0022】A1は特に好ましくは、未置換の1,4−
シクロヘキシレンである。nは好ましくは、0、1また
は2であり、特に好ましくは、2である。Z1は好まし
くは、−CH2CH2−、−CO−O−、−O−CO−ま
たは単結合であり、特に好ましくは、単結合である。構
造単位Wにおいて、Xは好ましくは、下記の基である:
【化10】 ここで、R2は好ましくは、CNまたはF、あるいは炭
素原子1〜8個を有するアルキル基またはアルコキシ基
である。R2は特に、アルキニル基に対してパラ位置に
存在するCNである。Raは好ましくは、炭素原子1〜
12個を有する直鎖状アルキル基である。Raは特に好
ましくは、炭素原子1〜8個を有する直鎖状アルキル基
である。式(1)〜(3)は、構造単位Wの特に好まし
い意味を表わす:
【0023】
【化11】
【0024】p−3〜7 前記および後記の式中に存在するR1がアルキル基およ
び(または)アルコキシ基である場合に、この基は直鎖
状または分枝鎖状であることができる。この基は好まし
くは、直鎖状であって、炭素原子2個、3個、4個、5
個、6個または7個を有し、従って好ましくは、エチ
ル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘ
キソキシまたはヘプトキシであり、さらにまたメチル、
オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、ト
リデシル、テトラデシル、ペンタデシル、メトキシ、オ
クトキシ、ノノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、ドデコ
キシ、トリデコキシまたはテトラデコキシであることが
できる。
【0025】オキサアルキルは好ましくは、直鎖状の2
−オキサプロピル(=メトキシメチル)、2−(=エト
キシメチル)または3−オキサブチル(=2- メトキシ
エチル)、2−、3−または4−オキサペンチル、2
−、3−、4−または5−オキサヘキシル、2−、3
−、4−、5−または6−オキサヘプチル、2−、3
−、4−、5−、6−または7−オキサオクチル、2
−、3−、4−、5−、6−、7−または8−オキサノ
ニルあるいは2−、3−、4−、5−、6−、7−、8
−または9−オキサデシルである。
【0026】R1 がアルキル基であって、この基中に存
在する1個のCH2 基が−CH=CH−により置き換え
られている場合に、この基は直鎖状または分枝鎖状であ
ることができる。この基は好ましくは、直鎖状であっ
て、炭素原子2〜10個を有する。従って、この基は特
に、ビニル、プロプ−1−または−2−エニル、ブト−
1−、−2−または−3−エニル、ペント−1−、−2
−、−3−または−4−エニル、ヘキシ−1−、−2
−、−3−、−4−または−5−エニル、ヘプト−1
−、−2−、−3−、−4−、−5−または−6−エニ
ル、オクト−1−、−2−、−3−、−4−、−5−、
−6−または−7−エニル、ノン−1−、−2−、−3
−、−4−、−5−、−6−、−7−または−8−エニ
ル、あるいはデク−1−、−2−、−3−、−4−、−
5−、−6−、−7−、−8−または−9−エニルであ
る。
【0027】R1がアルキル基であって、この基中に存
在する1個のCH2基が−O−により置き換えられてい
る場合および1個のCH2基が−CO−により置き換え
られている場合に、これらの基は好ましくは、隣接して
いる。従って、これらの基は1個のアシルオキシ基−C
O−O−または1個のオキシカルボニル基−O−CO−
を含有する。これらの基は好ましくは、直鎖状であっ
て、炭素原子2〜6個を有する。
【0028】従って、これらの基は特に、アセトキシ、
プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオ
キシ、ヘキサノイルオキシ、アセトキシメチル、プロピ
オニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、ペンタノ
イルオキシメチル、2−アセトキシエチル、2−プロピ
オニルオキシエチル、2−ブチリルオキシエチル、3−
アセトキシプロピル、3−プロピオニルオキシプロピ
ル、4−アセトキシブチル、メトキシカルボニル、エト
キシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカル
ボニル、ペントキシカルボニル、メトキシカルボニルメ
チル、エトキシカルボニルメチル、プロポキシカルボニ
ルメチル、ブトキシカルボニルメチル、2−(メトキシ
カルボニル)エチル、2−(エトキシカルボニル)エチ
ル、2−(プロポキシカルボニル)エチル、3−(メト
キシカルボニル)プロピル、3−(エトキシカルボニ
ル)プロピルまたは4−(メトキシカルボニル)ブチル
である。
【0029】R1がアルキル基であって、この基中に存
在する1個のCH2基が未置換のまたは置換基を有する
−CH=CH−により置き換えられている場合および隣
接するCH2 基が−CO−または−CO−O−または−
O−CO−により置き換えられている場合に、この基は
直鎖状または分枝鎖状であることができる。この基は好
ましくは、直鎖状であつて、炭素原子4〜13個を有す
る。従って、この基は特に、アクリロイルオキシメチ
ル、2−アクリロイルオキシエチル、3−アクリロイル
オキシプロピル、4−アクリロイルオキシブチル、5−
アクリロイルオキシペンチル、6−アクリロイルオキシ
ヘキシル、7−アクリロイルオキシヘプチル、8−アク
リロイルオキシオクチル、9−アクリロイルオキシノニ
ル、10−アクリロイルオキシデシル、メタアクリロイ
ルオキシメチル、2−メタアクリロイルオキシエチル、
3−メタアクリロイルオキシプロピル、4−メタアクリ
ロイルオキシブチル、5−メタアクリロイルオキシペン
チル、6−メタアクリロイルオキシヘキシル、7−メタ
アクリロイルオキシヘプチル、8−メタアクリロイルオ
キシオクチルおよび9−メタアクリロイルオキシノニル
である。
【0030】R1 がアルキル基またはアルケニル基であ
って、置換基として1個のCNまたはCF3を有する場
合に、この基は好ましくは、直鎖状であり、そしてCN
またはCF3 による置換はω−位置に存在する。R1
アルキル基またはアルケニル基であって、置換基として
少なくとも1個のハロゲンを有する場合に、この基は好
ましくは、直鎖状であり、そしてハロゲンは好ましく
は、FまたはClである。多置換されている場合に、ハ
ロゲンは好ましくは、F基である。生成する基にはま
た、過フッ素化基が包含される。1個の置換基を有する
場合に、フッ素または塩素置換基はいずれか所望の位置
に存在することができるが、好ましくはω−位置に存在
する。
【0031】分枝鎖状側鎖基R1を含有する式Iで表わ
される化合物は、これらが慣用の液晶基材中で良好な溶
解性を有することから場合により重要であり、特にこれ
らが光学活性である場合にはキラルドープ剤として場合
により重要である。この種のスメクティック化合物は強
誘電性材料の成分として適している。この種の分枝鎖状
基は一般に、1つよりも少ない鎖分枝を有する。好適な
分枝鎖状基R1 は、イソプロピル、2−ブチル(=1−
メチルプロピル)、イソブチル(=2−メチルプロピ
ル)、2−メチルブチル、イソペンチル(=3−メチル
ブチル)、2−メチルペンチル、3−メチルペンチル、
2−エチルヘキシル、2−プロピルペンチル、イソプロ
ポキシ、2−メチルプロポキシ、2−メチルブトキシ、
3−メチルブトキシ、2−メチルペントキシ、3−メチ
ルペントキシ、2−エチルヘキソキシ、1−メチルヘキ
ソキシおよび1−メチルヘプトキシである。
【0032】特に、R1は炭素原子1〜7個を有する直
鎖状の未置換アルキル基または炭素原子1〜7個を有す
る直鎖状の未置換アルケニル基である。式Iにはまた、
光学対掌体およびその混合物が包含される。これらの式
Iおよび付属式で表わされる化合物の中で、その分子中
に存在する基の少なくとも1つが上記の好ましい意味の
1つを有する化合物は好ましい化合物として挙げられ
る。式Iで表わされる化合物において、その環Cycお
よびピペリジンがトランス−1,4−ジ置換されている
立体異性体は好ましい化合物として挙げられる。1個ま
たは2個以上の基、Pyd、Pyrおよび(または)D
ioを含有する上記式で表わされる化合物にはそれぞ
れ、両方の2,5−位置異性体が包含される。式Iで表
わされる化合物の中で非常に特に好ましい比較的狭い群
の若干の化合物は、下記付属式I1〜16で表わされる
化合物である:
【0033】
【化12】
【0034】各式中、L1、L2、L3およびL4=H、C
lまたはFである。基L1およびL2の少なくとも1個が
Fである化合物は好適化合物として挙げられる。基L1
およびL2の一方がFであり、そして他方がClであ
り、同時にL3およびL4がHである化合物はまた、好適
化合物として挙げられる。L1およびL2がFであり、同
時にL3およびL4がHである化合物あるいはL2および
3がFであり、同時にL1およびL4がHである化合物
は特に好ましい化合物として挙げられる。付属式I2お
よびI6で表わされる好適化合物は、式I2a、I2
b、I2c、I6aおよびI6bで表わされる化合物で
ある:
【0035】
【化13】
【0036】付属式I2a、I2bおよびI2cで表わ
される好適化合物にはさらに、下記式I2a1、I2b
1〜I2b3およびI2c1で表わされる化合物があ
る:
【化14】
【0037】各式中、p=3、4、5、6または7であ
り、q=1、2、3または4である。AM用途の場合に
は、エステル基を含有していない式Iで表わされるキラ
ル化合物が好ましい。式Iで表わされる化合物は、刊行
物(例えばHouben- WeylによるMethoden derOrganische
n Chemie[有機化学の方法],Georg- Thieme出版社、S
tuttgartなどの標準的学術書)に記載されているような
それ自体公知の方法により、当該反応に適する公知の反
応条件の下に製造することができる。それ自体は公知で
あるが、本明細書には詳細に記載されていない変法を使
用することもできる。所望により、出発物質はまた、こ
れらを反応混合物から単離せずに、これらを式Iで表わ
される化合物に直ちに変換することによって、その場で
生成させることもできる。一例として、式Iで表わされ
る化合物は下記の反応経路に従い製造することができ
る:
【0038】反応経路1
【化15】
【0039】R2はH、CN、ClまたはFであるか、
あるいは炭素原子1〜8個を有するアルキル、アルケニ
ルまたはアルコキシ基であり、この基中に存在する1個
または2個以上のH原子はF原子により置き換えられて
いてもよい。式Iで表わされる好適化合物は同様に、下
記の反応経路に従い製造することができる:
【0040】反応経路2
【化16】
【0041】反応経路3
【化17】
【0042】本発明はさらにまた、少なくとも2種の液
晶成分を含有し、これらの成分が式Iで表わされる化合
物の少なくとも1種を包含する液晶媒体に関する。エス
テル基を含有していない式Iで表わされる化合物の1種
または2種以上を含有する液晶媒体は好ましいものとし
て挙げられる。本発明の好適態様において、式Iで表わ
される化合物の少なくとも1種を含有する液晶媒体のコ
レステリックピッチは、しきい値電圧またはアドレス電
圧の影響によって、しきい値電圧またはアドレス電圧の
小さい温度依存性をもたらすような温度依存性を有す
る。しきい値電圧のこの0.1%/℃よりも小さい温度
依存性は好適である。しきい値電圧の0.05%/℃の
温度依存性、特にしきい値電圧の0.01〜0.05%
/℃の範囲の温度依存性は、特に好適なものとして挙げ
られる。本発明のもう一つの態様は液晶媒体に関し、こ
の液晶媒体は式Iで表わされる化合物の少なくとも1種
を含有し、かつまたT=0℃〜50℃の範囲で、好まし
くは0.1%/℃より小さい、特に0.05%/℃より
も小さいコレステリックピッチの温度依存性を有する。
この態様において、0.02%/℃よりも小さい温度依
存性が特に好ましいものとして挙げられ、0.001〜
0.05%/℃の温度依存性はまた好ましい。上記温度
依存性は絶対値である。ピッチそれ自体の温度依存性
は、本発明によって正または負のどちらかであることが
できる。
【0043】本発明はさらにまた、この種の媒体を含有
する電気光学ディスプレイ、例えばTN、スーパーツイ
ストまたはアクティブ−マトリックス液晶(AM)ディ
スプレイに関し、この種の電気光学ディスプレイは、 − フレームとともにセルを形成している2枚の面平行
の外側基板、 − セル中に存在する正の誘電異方性を有するネマティ
ック液晶混合物、 − 上記外側基板の内側面上に積層されている配向膜に
より被覆されている電極層、を備えており、 − 上記外側基板の表面上の分子の長軸と外側基板表面
との間のチルト角は約1度〜30度であり、そして − 配向膜から配向膜までのセル内の液晶混合物のねじ
れ角は60〜600゜の数値を有し、好ましくはSTN
ディスプレイでは120〜360゜、そしてAMディス
プレイでは70〜110゜の数値を有し、
【0044】そのネマティック液晶混合物は、 a)+1.5〜+40の誘電異方性を有する化合物の1
種または2種以上からなる液晶成分Aを基材とし、 b)−1.5〜+1.5の誘電異方性を有する化合物の
1種または2種以上からなる液晶成分Bの0〜40重量
%を含有し、 c)−1.5よりも小さい誘電異方性を有する化合物の
1種または2種以上からなる液晶成分Cの0〜20重量
%を含有し、 d)層厚さ(面平行外側基板の隔たり)とキラルネマテ
ィック液晶混合物のナチュラルピッチとの比が、STN
ディスプレイでは約0.2〜1.3であり、そしてAM
ディスプレイでは約0.01〜0.45であるような量
で光学活性成分Dを含有し、この光学活性成分Dは式I
で表わされる化合物の少なくとも1種を包含しており、
かつまた
【0045】当該ネマティック液晶混合物は少なくとも
60摂氏度のネマティック相範囲を有し、20℃で35
mPa・sよりも高くない粘度、好ましくは25mPa
・sよりも高くない粘度を、より好ましくは20mPa
・sよりも高くない粘度を有し、かつまた少なくとも+
1の誘電異方性を有する電気光学ディスプレイである
(これらの化合物の誘電異方性および当該ネマティック
液晶混合物に関連するパラメーターは20℃の温度に基
づくものである)。AMディスプレイ用の液晶媒体は末
端フッ素化液晶化合物を基材とし、かつまたSTNディ
スプレイ用の媒体は好ましくは、成分Aとして、少なく
とも10%のシアノ置換化合物を含有する。このような
媒体は好ましくは、エステル基を含有する化合物を5%
よりも少ない量で含有する。AMディスプレイの場合
に、この混合物はエステル基を含有していない化合物を
基材とするものであると特に好ましい。かなりのこのよ
うな用途において、媒体は独占的に、エステル基を含有
していない化合物からなる。
【0046】本発明はまた、式Iで表わされる化合物の
少なくとも1種を含有するキラルで傾斜配向のスメクテ
ィック液晶媒体、特に強誘電性液晶媒体に関し、この媒
体は、 − 少なくとも1種の非キラルスメクティック液晶化合
物を包含する非キラルスメクティック成分S、および − キラルドープ剤の1種が式Iで表わされる化合物で
あるキラルドープ剤の少なくとも1種を包含するキラル
成分D、を含有する。本発明はさらにまた、このような
相を含む電気光学表示素子に関し、特に強誘電性媒体、
外側基板、電極、少なくとも1枚の配向膜および所望に
より、追加の配向膜を備えており、式Iで表わされる化
合物の少なくとも1種を含有する強誘電性媒体が請求項
13による媒体である液晶切換え素子および表示素子に
関する。本発明はさらにまた、式Iで表わされる化合物
の少なくとも1種を含有するネマティックまたはコレス
テリック相を含むアクティブ−マトリックスアドレス式
の電気光学表示素子に関する。
【0047】「エステル基を含有していない」という用
語は、メソゲン基がカルボキシレート基−O−CO−お
よび(または)−CO−O−を含有していないことを意
味する。この種の化合物は特に好ましくは、基材として
およびまたAMディスプレイにおけるキラル化合物とし
て特に好適である。新規媒体は、少なくとも1種の、好
ましくは少なくとも2種の式Iで表わされる化合物を含
有する。新規強誘電性媒体は好ましくは、少なくとも1
種の非キラルスメクティック化合物を包含する非キラル
スメクティック成分Sを含有し、かつまたキラル成分D
が少なくとも1種のキラルドープ剤であって、その少な
くとも1種のキラル化合物が式Iで表わされる化合物で
ある。
【0048】その非キラル基材混合物が、式Iで表わさ
れる化合物に加えて、負のまたは小さい正の誘電異方性
を有する別種の化合物の少なくとも1種を含有する新規
なキラルで傾斜配向のスメクティック相が特に好ましい
相として挙げられる。このキラリティは好ましくは、全
体的にまたは部分的に、式Iで表わされるキラル化合物
に基づいている。これらの相は好ましくし、1種または
2種の式Iで表わされるキラル化合物を含有する。しか
しながら、式Iで表わされる非キラル化合物(例えば、
ラセミ体の形態)を使用することもでき、この場合に、
この相のキラリティは、別種の活性化合物によって誘起
される。式Iで表わされるキラル化合物を使用する場合
に、純粋な光学対掌体に加えて、エナンチオマー過剰を
有する混合物が適当である。非キラル基材混合物の前記
の追加成分(1種または2種以上)は、当該基材混合物
の1〜50%、好ましくは10〜25%を構成すること
ができる。式Iで表わされる化合物は、ネマティック液
晶相の成分として、例えば逆ねじれを防ぐために特に適
している。
【0049】特に、式Iで表わされる化合物はSTNお
よびアクティブ−マトリックスディスプレイ用のネマテ
ィック液晶相のためのドープ剤として使用することがで
きる。このアクティブ−マトリックスディスプレイは、
大きいラセンねじれ力(HTP)の点で、および高い電
圧保持率の点で特に際立っいる。特に、この種のドーピ
ングされたネマティック混合物は、キラルドープ剤の損
失を伴うことなく、またはほとんど損失することなく、
酸化アルミニウムで処理することによって容易に精製す
ることができる。新規液晶媒体中における式Iで表わさ
れる化合物の使用によるもう一つの利点は、ネマティッ
ク液晶とのそれらの良好な適応性にあり、これによっ
て、式Iで表わされる化合物を通常量で使用した場合で
も、液晶混合物の透明点を非常に僅かに変えるのみであ
るか、または全く変えない結果が得られ、この使用量は
数重量%(例えば、10またはそれ以上)まで増量する
ことができる。
【0050】式Iで表わされる化合物はまた、液晶媒
体、特にAMD(アクティブマトリックスディスプレ
イ)用途用の液晶媒体中で非常に良好な溶解性を有する
点で際立っている。従って、式Iで表わされる化合物は
また、DE4212744に開示されているような大きいd/P
値および改良された中間調を有するAMD TNディス
プレイに特に適している。HTPが正の温度依存性を有
する場合には、すなわちピッチが、特に0.1%/℃〜
10%/℃またはそれ以上の範囲の数値で、温度の上昇
に従い減少する場合には、式Iで表わされる化合物はま
た、新規液晶媒体において、しきい値電圧の温度補償に
適しており、従ってTNおよびSTNディスプレイの動
作電圧の温度補償に適している。これらの化合物はま
た、小さいコレステリックピッチを有する、例えば転移
型のゲスト−ホストディスプレイで使用するのに特に適
している。
【0051】式Iで表わされる化合物のもう一つの好適
用途には、強誘電性液晶混合物における使用がある。こ
の場合に、これらの化合物は自発分極の誘導およびピッ
チ補償の両方に適している。さらにまた、新規キラル化
合物はまた、相転移型ディスプレイ(例えば、Y.Yabe等
によるSID,1991,Digest,261〜264)用の液晶媒
体の調製に使用することもできる。
【0052】これらの新規液晶媒体は、式Iで表わされ
る化合物の少なくとも1種を包含する2〜25種、好ま
しくは3〜15種の成分からなる。これらの別種の成分
は好ましくは、スメクティック物質またはスメクティッ
ク相形成性物質、特にアゾキシベンゼン化合物、ベンジ
リデンアニリン化合物、ビフェニル化合物、ターフェニ
ル化合物、フェニル−およびシクロヘキシルベンゾエー
ト化合物、シクロヘキサンカルボン酸のフェニルまたは
シクロヘキシルエステル化合物、フェニルシクロヘキサ
ン化合物、シクロヘキシルビフェニル化合物、シクロヘ
キシルシクロヘキサン化合物、シクロヘキシルナフタレ
ン化合物、1,4−ビスシクロヘキシルベンゼン化合
物、4,4´−ビスシクロヘキシルビフェニル化合物、
フェニル−またはシクロヘキシルピリミジン化合物、フ
ェニル−またはシクロヘキシルピリダジン化合物および
そのN−オキシド、フェニル−またはシクロヘキシルジ
オキサン化合物、フェニル−またはシクロヘキシル−
1,3−ジチアン化合物、1,2−ジフェニルエタン化
合物、1,2−ジシクロヘキシルエタン化合物、1−フ
ェニル−2−シクロヘキシルエタン化合物、ハロゲン化
されていてもよいスチルベン化合物、ベンジルフェニル
エーテル化合物、トラン化合物および置換ケイ皮酸化合
物からなる群からの公知物質から選択される。液晶混合
物はこの種の非キラル化合物を基材とするものである。
【0053】この種の液晶相の成分として適する最も重
要な化合物は、下記式I´で表わすことができる特徴を
有する: Rb−L−G−E−Rc I´ この式において、LおよびEはそれぞれ、1,4−ジ置
換ベンゼンおよびシクロヘキサン環、4,4−ジ置換ジ
フェニル、フェニルシクロヘキサンおよびシクロヘキシ
ルシクロヘキサン系、2,5−ジ置換ピリミジンおよび
1,3−ジオキサン環、2,6−ジ置換ナフタレン、ジ
ヒドロナフタレンおよびテトラヒドロナフタレン、キナ
ゾリンおよびテトラヒドロキナゾリンからなる群からの
炭素環状環系および複素環状環系であり、
【0054】 Gは、−CH=CH− −N(O)N− −CH=CY− −CH=N(O)− −C≡C− −CH2 −CH2 − −CO−O− −CH2 −O− −CO−S− −CH2 −S− −CH=N− −COO−Phe−COO− またはC−C単結合であり;Yは、ハロゲン、好ましく
は塩素、または−CNであり、そしてRbおよびRcは、
炭素原子1〜18個、好ましくは5〜12個を有するア
ルキル、アルコキシ、アルカノイルオキシ、アルコキシ
カルボニルまたはアルコキシカルボニルオキシであり、
あるいはこれらの基の一方はまた、F、−CF3、−O
CF3または−CNであることができる。
【0055】これらの化合物の大部分において、Rb
よびRcはそれぞれ、種々の鎖長を有するアルキル基ま
たはアルコキシ基であり、ネマティック媒体中の炭素原
子の総数は一般に、2〜9個、好ましくは2〜5個であ
る。これに対して、強誘電性媒体中の炭素原子の総数は
一般に、12個よりも多く、好ましくは12〜20個、
特に13〜18個である。しかしながら、その他種々の
提案されている置換基もまた慣用である。かなりのこの
ような物質またはその混合物は、市販されている。これ
らの物質は全部、刊行物から公知の方法によって得るこ
とができる。
【0056】ネマティック相を有する新規媒体は、式I
で表わされる化合物の1種または2種以上を0.01〜
15重量%、好ましくは0.1〜5重量%、特に0.2
〜2重量%の量で含有する。傾斜配向のスメクティック
相を有する新規媒体は、式Iで表わされる化合物の1種
または2種以上を0.1〜40重量%、好ましくは1〜
30重量%の量で含有する。これらの媒体はさらにまた
好ましくは、式Iで表わされる化合物の1種または2種
以上を2〜20重量%、特に好ましくは5〜10重量%
の量で含有する。これらの新規媒体は、それ自体慣用の
方法で製造される。一般に、諸成分を、有利には高めら
れた温度で、相互に溶解させる。強誘電性媒体用の好適
混合物の成分には、下記式で表わされる化合物がある:
【0057】
【化18】
【0058】
【化19】
【0059】上記各式において、R´およびR´´はそ
れぞれ相互に独立して、炭素原子5〜18個を有するア
ルキルであり、そしてX´およびX´´はそれぞれ相互
に独立して、炭素原子5〜18個を有するアルキル、ア
ルコキシ、ポリフルオロアルキルまたはポリフルオロア
ルコキシである。適当な添加剤を使用することによっ
て、本発明の液晶媒体は、これらの媒体を従来開示され
ている、全部の型式の液晶表示素子、特に山形または本
棚形形状のSSFLC型の液晶表示素子で使用すること
ができるように、修飾することができる。
【0060】
【実施例】以下の例は本発明を説明しようとするもので
あって、本発明を制限するものではない。m.p.=融
点であり、cl.p.=透明点である。本明細書全体を
とおして、パーセンテージは重量によるパーセントであ
る;温度は全て、摂氏度で示されている。「慣用の仕上
げ処理」の用語は、水を添加し、この混合物をジクロロ
メタンにより抽出し、その有機相を分離採取し、乾燥さ
せ、次いで蒸発させ、この生成物を結晶化および(また
は)クロマトグラフイにより精製することを意味する。
【0061】本特許出願および下記の例において、液晶
化合物の構造は頭文字で示されており、化学式への変換
は以下の表Aおよび表Bにより行うことができる。基C
n2n+1および基Cm2m+1は全部がそれぞれ、n個また
はm個の炭素原子を含有する直鎖状アルキル基である。
表B中のコードは自明である。表Aにおいて、基本構造
に関する頭文字のみが示されている。各化合物につい
て、この基本構造に関する頭文字の後に、−印により分
離して、置換基R1、R2、L1、L2およびL3に関する
コードが示されている:
【0062】
【表1】
【表1】
【0063】表A:
【化20】
【0064】
【化21】
【0065】
【化22】
【0066】表B:
【化23】
【0067】
【化24】
【化24】
【0068】
【化25】
【化25】
【0069】
【化26】
【0070】
【化27】
【化27】
【0071】下記の略語をまた使用する: C:結晶固体状態 S:スメクティック相(記号は相タイプを示し、例えば
C =スメクティックC、SA=スメクティックAであ
る) N:ネマティック状態 Ch:コレステリック相 I:アイソトロピック相。 2つの記号間の数値は変換温度を摂氏度で示すものであ
る。下記の略語を使用する: PPh3 トリフェニルホスフィン DEAD ジエチルアゾジカルボキシレート THF テトラヒドロフラン B(OMe3 トリメチルボレート BuLi ブチルリチウム
【0072】例
【化28】
【0073】例1
【化29】 ジエチルアゾジカルボキシレート10ミリモルを室温に
おいて、化合物 9ミリモル、R−(−)−1−オク
テン−3−オール9ミリモル、トリフェニルホスフィン
9ミリモルおよびTHF 70mlの混合物に滴下して
添加する。この混合物を5.5時間撹拌し、次いで慣用
の仕上げ処理に付す。クロマトグラフイに付し、化合物
を得る;C 46 I;[α]D 20=−3.1゜(C
2Cl2)。
【0074】例2
【化30】 ジエチルアゾジカルボキシレート140ミリモルを室温
において、化合物119ミリモル、R−(+)−1−
オクチン−3−オール119ミリモル、トリフェニルホ
スフィン119ミリモルおよびTHF 1000mlの
混合物に滴下して添加する。この混合物を12時間撹拌
し、次いで慣用の仕上げ処理に付す。クロマトグラフイ
に付し、化合物を得る;C 51 S(27.7)N
92.6 I;[α]D 20=−79.0゜(CH2Cl
2 )。
【0075】例3 化合物に対するエナンチオマーである化合物を、例
2と同様にして、(S)−(−)−1−オクチン−3−
オールおよびDEADの代わりにジイソプロピルアゾジ
カルボキシレートを使用して製造する;C 51 SB
(27.3)N92.2 I;[α]D 20=80.1゜
(CH2Cl2 )。
【0076】例4
【化31】 例2と同様にして、ジエチルアゾジカルボキシレート9
ミリモルを室温において、化合物 9ミリモル、R−
(+)−1−オクチン−3−オール8ミリモル、トリフ
ェニルホスフィン8ミリモルおよびTHF 70mlの
混合物に滴下して添加する。この混合物を12時間撹拌
し、次いで慣用の仕上げ処理に付す。クロマトグラフイ
に付し、化合物を得る;C 74 N 89.6
I。
【0077】例5
【化32】 化合物 4.5ミリモル、4−ブロモベンゾニトリル
4.8ミリモルおよびトリエチルアミン50mlの混合
物に、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(I
I)クロライド 0.09ミリモルおよびヨウ化銅
(I)0.045ミリモルを撹拌しながら添加する。こ
の混合物をさらに60時間撹拌し、次いで慣用の仕上げ
処理に付す。クロマトグラフイに付し、化合物を得
る;Tg:−9;C 82 I;[α]D 20=147.
1゜(CH2Cl2 )。
【0078】例1〜5と同様にして、下記の化合物(例
6〜80)を製造する:
【化33】
【0079】
【表2】
【0080】
【表3】
【0081】
【表4】
【0082】
【表5】
【0083】
【表6】
【0084】
【表7】
【0085】
【表8】
【0086】
【表9】
【0087】上記表に示されているXがCH=CH2
ある物質は例1と同様にして合成した。この表に示され
ているXがC≡CHである化合物は例2と同様にして合
成した。この表中のXが
【化34】 であり、ここでR2がCN、CH3、C37またはC49
である化合物は例5と同様にして合成した。
【0088】例(使用例) 使用した混合物の組成: 混合物Aの組成:
【表10】
【0089】混合物Aの性質: T(S−N) <−40℃ 透明点T(N,I)=103℃ 粘度(20℃)=20mm2 /秒 誘電異方性(1kHz、20℃)=4.0 光学異方性(20℃;589nm)=0.088 混合物Bの組成:
【0090】
【表11】
【0091】混合物Bの性質: T(S−N) <−40℃ 透明点T(N,I)=92℃ 光学異方性(20℃;589nm)=0.097 混合物Cの組成:
【0092】
【表12】
【0093】混合物Cの性質: T(S−N) <−40℃ 透明点T(N,I)=100℃ 光学異方性(20℃;589nm)=0.123 混合物Dの組成:
【0094】
【表13】
【0095】混合物Dの性質: T(S−N) <−40℃ 透明点T(N,I)=98℃ 光学異方性(20℃;589nm)=0.095
【0096】混合物Eの組成:
【表14】
【0097】混合物Eの性質: T(S−N) <−40℃ 透明点T(N,I)=102℃ 光学異方性(20℃;589nm)=0.096 混合物F、G、HおよびIの組成は使用例AB6に示さ
れている。
【0098】混合物Jの組成:
【表15】
【0099】混合物Jの性質: T(S−N) <−40℃ 透明点T(N,I)=109.0℃ 光学異方性(20℃;589nm)=0.100 混合物KおよびLの組成は使用例AB5に示されてい
る。混合物Mの組成は使用例AB7に示されている。
【0100】混合物Nの組成:
【表16】
【0101】混合物Nの性質: 透明点T(N,I)=89℃ 光学異方性(20℃;589nm)=0.137 混合物O、P、Q、RおよびSの組成は使用例AB8に
示されている。
【0102】使用例AB1 新規化合物1112313449およ
57を、表Iにそれぞれ示されている重量%で液晶混
合物Aに溶解する。生成したドーピングされた混合物の
ラセンピッチを測定し(Hochgesand等により"HTP of Ch
iral Dopants in Nematic LCs",Merck,1989年10月に記
載されているGrand-Jean Canoに従う)、次いでこの測
定値からHTPを計算する: HTP=[c・p]−1 このようにして得られた数値を下記の表Iに示す:
【0103】
【表17】 表I 温度の関数としての混合物A中における新規化合物のラ
センねじれ力(HTP)
【0104】AB1−1の場合:HTP(10℃)=−
2.94μm−1 ;HTP(30℃)=−3.30μ
−1 ;HTP(40℃)=−3.42μm−1 AB1−2の場合:HTP(10℃)=−0.63μm
−1 ;HTP(30℃)=−1.12μm−1 ;H
TP(40℃)=−1.36μm−1 比較例VB1 使用例AB1と同一の方法で、混合物A中における5種
の公知化合物、CB15、CN、CPU−W**、S−
811およびS−1011のHTPを測定した。化合
物、CB 15、CN、S−811およびS−1011
はMerckKGaA,Damrstadtからの市販
製品である。CPU−W**はDE19542849.
8に記載されている。この測定結果を表IIに示す。
【0105】
【表18】 表II 混合物A中における公知化合物の温度の関数としてのH
TP(比較例)
【0106】n.m.は測定されなかったことを示す。
表IおよびIIから見ることができるように、新規化合
31および57は最大の温度依存性を有す
る。化合物1134および49はまた、この
例で試験した比較化合物の中で最大の温度依存性を有す
るキラル物質であるS−1011またはCB 15に比
較して大きい温度依存性を有する。化合物は、CN、
CPU−W**およびS−811に比較して、HTPの
非常に小さい温度依存性を有する。
【0107】使用例AB2 新規化合物を8%の割合で液晶混合物Bに溶解し、ピ
ッチ測定用の楔形セルで、そのHTPを測定した(AB
2−1)。この混合物を次いで、Heraeus社から
のSUNTEST装置で100時間UV光に露光し(照
射強度:35mW/cm)、次いでHTPを温度の関
数として再測定した(AB2−2)。UV光露光の前お
よび後に測定された結果を表IIIに示す。
【0108】
【表19】 表III 混合物B中の化合物のHTP
【0109】表IIIはHTP値が、従ってまたピッチ
がUV照射により際立って変化しないことを示してい
る。 使用例AB3 さらにまた、化合物の光化学的および熱に対する安定
性を、透明点の測定によって試験した。この目的には、
混合物B中に被験物質として10%溶液を試験した。光
化学的安定性を測定するためには、混合物の透明点を2
0℃に温度調節したセルに充填する前に測定し、さらに
UV露光の完了後に再測定した(AB3−1)。露光前
の91.4℃の初期値から100時間露光後の89.7
℃に極く僅かに低下した。熱にさらすことに対する安定
性は、シールした融点毛細管で100時間、150℃に
加熱した後の混合物の透明点を測定することによって試
験した(AB3−2)。この透明点はまた、加熱後に8
9.1℃に極く僅かに低下した。これらの測定結果を表
IVに示す。
【0110】
【表20】 表IV 混合物B中の化合物の透明点
【0111】使用例AB4 新規化合物のHTPを混合物C、DおよびE中で測定
した。これらの結果を使用例AB1−2およびAB2−
1からの結果とともに表Vに示す。
【0112】
【表21】 表V 各種液晶混合物中の化合物のHTP
【0113】HTPの絶対値とHTPの温度依存性との
間には相互関係がある。小さい温度依存性のHTPで
は、HTPの絶対値は大きい。これとは逆に、大きい温
度依存性のHTPでは、HTPの絶対値は小さいという
相互関係がある。以下の記載において、被験液晶セルの
電気光学特性曲線の特性電圧はV(contr.,θ、T)で
示され、ここでcontr.は特定の相対コントラスト
をパーセントで表わすものであり、θは好適な四分円に
おける視野角を度で表わすものであり、そしてTは温度
を摂氏度で表わすものである。以下の記載において、垂
直視野での10%相対コントラストにおける電気光学特
性曲線のしきい値をV10で表わす。
【0114】使用例AB5 しきい値電圧V10の温度依存性を、混合物Jについて
(AB5−0)および混合物J中の新規ドープ剤の2
種の相違する濃度について測定した(AB5−1:混合
物K=混合物J+0.5重量%の化合物; AB5−
2:混合物L=混合物J+1.0重量%の化合物)。
これらの結果を図1に示す。図1は、ドープ剤を含有し
ていない混合物Jが、全温度範囲にわたりしきい値電圧
10の負の温度依存性を有することを示している。し
きい値電圧V10の温度依存性は、混合物J中のドープ
剤濃度が増加するのに従い低下する。この温度依存性
は、全温度範囲にわたり負のままである。
【0115】使用例AB6 使用例AB5と同様にして、しきい値電圧V10の温度
依存性を混合物Eについて(AB6−0)、および比較
のために、混合物E中従来技術から公知のドープ剤S−
1011およびCB 15の各種濃度比について(AB
6−V1:混合物F=混合物E+0.14重量%のS−
1011+0.43重量%のCB 15;AB6−V
2:混合物G=混合物E+0.23重量%のS−101
1+0.76重量%のCB 15)および混合物E中の
新規化合物の各種濃度について(AB6−1:混合物
H=混合物E+1.0重量%の化合物;AB6−2:
混合物I=混合物E+1.5重量%の化合物)測定し
た。これらの結果を図2にグラフの形で示す。図2から
見ることができるように、混合物Eはしきい値電圧V
10の大きい負の温度依存性を有する。
【0116】従来技術から公知のドープ剤S−1011
およびCB 15を液晶混合物Eに添加すると、この温
度依存性の減少が生じ、生成した混合物FおよびGは同
様に、全測定範囲にわたりしきい値電圧V10の負の温
度依存性を有する。混合物Gに使用された公知ドープ剤
の2種の総合濃度が高いほど、この温度依存性の減少効
果は大きくなる。しかしながら、混合物FおよびGは両
方ともに、−30℃の低い測定温度において、しきい値
電圧V10の増加が得られる。この増加は、ドープ剤濃
度が高い混合物Gの場合に、より際立っている。しかし
ながら、−30℃におけるしきい値電圧V10の増加
は、動作電圧において望ましくない低下をもたらす。低
温におけるしきい値電圧V10の増加は、バッテリイで
動作する装置では特に望ましくない。周知のように、こ
れはバッテリイの端子電圧は温度とともに低下するから
である。
【0117】新規化合物は、混合物Eのしきい値電圧
10の温度補償に特に適している。高い測定温度にお
いては、混合物E中の新規化合物の濃度に依存して、し
きい値電圧V10の温度補償は、従来技術から公知のド
ープ剤(図2の混合物Fおよび混合物G参照)に比較し
て、匹敵するか(混合物H)または大きい(混合物I)
ことを示している。新規混合物HおよびIは混合物Fお
よびGに優る利点を有し、これらの混合物は−30℃で
しきい値電圧V10を低下させ、かつまた低い測定温度
でしきい値電圧V10の正の温度依存性を有する(図2
参照)。これらの効果は、ドープ剤の濃度が高い混合物
Iの場合にさらに際立っている。新規化合物にかかわ
る低温におけるしきい値電圧V10の正の温度依存性故
に、しきい値電圧V10の温度補償性は化合物を別種
のドープ剤と混合することによってさらに増すことがで
きるということがわかる。
【0118】使用例AB7 特性電圧V(contr.,θ、T)の温度依存性を測定する
ために、動作電圧Vopの温度補償なしで使用すること
ができる条件および下記のパラメーターを有するTNデ
ィスプレイを使用した: バイアス: 1:3 マルチプレックス比:1:4 選択された状態(条件:10゜の視野角における50%
の最低コントラスト)についての数値V(50,10,
T)selおよび非選択的状態(条件:45゜の視野角に
おける10%の最大コントラスト)についての数値V
(10,45,T)nonselは、混合物Jについて図3に
(AB7−0)および混合物M(=混合物J+1重量%
の化合物)について図4に(AB7−1)示されてい
る。混合物Jにドープ剤を添加することによるディスプ
レイの物性にかかわる改良は、動作電圧Vopの僅かの
みの増加に対し、動作許容性(マージン)の数値の格別
の増加を見ることができる。
【0119】
【数1】 動作電圧Vopおよびマージンの数値を表VIに示す。
【0120】
【表22】 表VI 動作電圧およびマージン
【0121】使用例AB8 種々の濃度でドープ剤が溶解されている混合物Nのしき
い値電圧V10の温度依存性を測定するために、下記の
パラメーターを有するSTNディスプレイを使用した: ねじれ角: 240゜ チルト角: 5゜ 層厚さ d: 6.19μm d・△n: 0.85(△n:光学異方性) 使用したドープ剤は従来技術から公知の物質S−811
(AB8−1:混合物O=混合物N+0.73重量%の
S−811)、新規化合物(AB8−2:混合物P=
混合物N+3.29重量%の化合物;AB8−3:混
合物Q=混合物N+3.16重量%の化合物;AB8
−4:混合物R=混合物N+3.05重量%の化合物
)およびこれら2種のドープ剤の組合わせ(AB8−
5:混合物S=混合物N+0.36重量%のS−811
+1.65重量%の化合物)であった。−20℃から
+60℃までの温度範囲におけるしきい値電圧V10
数値を表VIIに示す。
【0122】
【表23】 表VII 各種ドープ剤を種々の濃度で含有する混合物Nにかかわ
る温度の関数としてのしきい値電圧V10
【0123】表VIIは、従来技術から公知のドープ剤
S−811を添加すると、しきい値の温度依存性は補償
されないことを示している(混合物Oは−20℃〜+6
0℃の全温度範囲にわたり負の温度依存性を有する)。
これに対して、新規混合物PおよびQは−20℃〜+6
0℃の温度範囲にわたり高度に適している。しかしなが
ら、+60℃の高温においては、これらの混合物は縞模
様領域(striped domains)現象を示す。この縞模様領
域問題は、ドープ剤濃度を減少させることによりしきい
値をほぼ一定の温度補償で実質的に減少させることがで
きる(AB8−4参照)。
【0124】従来技術から公知のドープ剤S−811お
よび新規ドープ剤の両方を含有する混合物Sは、混合
物Oと同様に、被験温度範囲でしきい値の負ではある
が、あまり際立ってはいない温度依存性を示す。これら
のドープ剤の濃度を最適にすることによって、非常に良
好なしきい値の温度補償を、−20℃〜+20℃間で得
ることができる。これは、この温度範囲における従来技
術からのドープ剤S−811のしきい値が負の温度依存
性を示すことから(AB8−1参照)および新規ドープ
のしきい値が正の温度依存性を示すことから(AB
8−2〜AB8−4参照)明白である。
【図面の簡単な説明】
【図1】混合物J、KおよびLのしきい値電圧の温度依
存性を示すグラフ。
【図2】混合物I、H、G、FおよびEのしきい値電圧
の温度依存性を示すグラフ。
【図3】混合物Jの選択された状態(条件:10゜の視
覚角度において10%の最低コントラスト)についての
しきい値電圧V(50,10,T)selおよび非選択
的状態(条件:45゜の視覚角度において10%の最大
コントラスト)についてのしきい値電圧V(10,4
5,T)nonselの温度依存性を示すグラフ。
【図4】混合物Mの選択された状態(条件:10゜の視
覚角度において10%の最低コントラスト)についての
しきい値電圧V(50,10,T)selおよび非選択
的状態(条件:45゜の視覚角度において10%の最大
コントラスト)についてのしきい値電圧V(10,4
5,T)nonselの温度依存性を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 591032596 Frankfurter Str. 250, D−64293 Darmstadt,Fed eral Republic of Ge rmany (72)発明者 フォルカー・ライフェンラート ドイツ連邦共和国 デー−64293 ダルム シュタット フランクフルター シュトラ ーセ 250 (72)発明者 ゲオルク・ヴェーベル ドイツ連邦共和国 デー−64293 ダルム シュタット フランクフルター シュトラ ーセ 250

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記式Iで表わされるドープ剤: R1 −(A1 −Z1 )n−A2 −W I 式中、 Wは下記の基であり: 【化1】 Xは−C≡C−Yまたは−CH=CH−Yであり、 Yは、a)Hであるか、または炭素原子1〜15個を有
    するアルキル基またはアルケニル基であり、この基は未
    置換であるか、置換基として1個のCNまたはCF3
    有するか、または置換基として少なくとも1個のハロゲ
    ンを有しており、さらにこれらの基中に存在する1個ま
    たは2個以上のCH2 基はそれぞれ相互に独立して、ヘ
    テロ原子が相互に直接に結合しないものとして、−O
    −、−CO−または−CO−O−により置き換えられて
    いてもよく、あるいは b)フェニレン基であり、この基中に存在する1個また
    は2個のCH基はNにより置き換えられていてもよく、
    そしてこの基は未置換であるか、またはCN、Cl、ま
    たはFにより、あるいは炭素原子1〜8個を有するアル
    キル基、アルケニル基またはアルコキシ基により置換さ
    れていてもよく、これらの基中の1個または2個以上の
    H原子はF原子により置き換えられていてもよく、 Ra は炭素原子1〜15個を有する直鎖状アルキル基で
    あり、 R1 は、Hであるか、または炭素原子1〜15個を有す
    るアルキル基またはアルケニル基であり、この基は未置
    換であるか、置換基として1個のCNまたはCF3 を有
    するか、または置換基として少なくとも1個のハロゲン
    を有しており、さらにこれらの基中に存在する1個また
    は2個以上のCH2 基はそれぞれ相互に独立して、ヘテ
    ロ原子が相互に直接に結合しないものとして、−O−、
    −S−、−CO−、−CO−O−、−O−CO−または
    −O−CO−O−により置き換えられていてもよく、 A1 およびA2 はそれぞれ相互に独立して、 a)トランス−1,4−シクロヘキシレン基であり、こ
    の基中に存在する1個のCH2 基または隣接していない
    2個以上のCH2 基は−O−および(または)−S−に
    より置き換えられていてもよく、 b)1,4−シクロヘキセニレン基であり、 c)1,4−フェニレン基であり、この基中に存在する
    1個または2個のCH基はNにより置き換えられていて
    もよく、 d)1,4−ビシクロ[2.2.2]オクチレン、ピペ
    リジン−1,4−ジイル、ナフタレン−2,6−ジイ
    ル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイルおよび1,
    2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル
    基であり、 上記基a)、b)およびc)は、CN、ClまたはFに
    より、あるいは炭素原子1〜5個を有するアルキル基ま
    たはアルケニル基により置換されていてもよく、 Z1 は、−CO−O−、−O−CO−、−CHO−、
    −O−CH−、−CH2CH2−、−CH=CH−、−
    C≡C−あるいは単結合であり、そしてnは、0、1、
    2または3であり、 ただし、A2 が未置換の1,4−フェニレン基であり、
    そしてXがC≡CHである場合には、A1 はその分子中
    に存在する1個または2個のCH基がまた、Nにより置
    き換えられていてもよい1,4−フェニレン基ではな
    い。
  2. 【請求項2】下記式I2で表わされる請求項1に記載の
    ドープ剤: 【化2】 式中、R1 およびWは請求項1に定義されているとおり
    であり、そしてL1 、L2 、L3 およびL4 は、H、C
    lまたはFである。
  3. 【請求項3】下記式I6で表わされる請求項1に記載の
    ドープ剤: 【化3】 式中、R1およびWは請求項1に定義されているとおり
    であり、そしてL1 、L2、L3およびL4は、H、Cl
    またはFである。
  4. 【請求項4】Xが、下記の基である、請求項1〜3のい
    ずれか1項に記載のドープ剤: 【化4】
  5. 【請求項5】Wが、下記式(1)に相当し、そしてpが
    3、4、5、6または7である、請求項1〜3のいずれ
    か1項に記載のドープ剤: 【化5】
  6. 【請求項6】Wが、下記式(2)に相当し、そしてpが
    3、4、5、6または7である、請求項1〜3のいずれ
    か1項に記載のドープ剤: 【化6】
  7. 【請求項7】Wが、下記式(3)に相当し、そしてpが
    3、4、5、6または7である、請求項1〜3のいずれ
    か1項に記載のドープ剤: 【化7】
  8. 【請求項8】請求項1〜7のいずれか1項に記載のドー
    プ剤の少なくとも1種を含有することを特徴とする液晶
    媒体。
  9. 【請求項9】媒体がキラルで傾斜配向のスメクティック
    相を有することを特徴とする請求項8に記載の液晶媒
    体。
  10. 【請求項10】媒体がキラルネマティック相を有するこ
    とを特徴とする請求項8に記載の液晶媒体。
  11. 【請求項11】ドープ剤の濃度が0.1重量%〜40重
    量%であることを特徴とする請求項9に記載の液晶媒
    体。
  12. 【請求項12】ドープ剤の濃度が0.001重量%〜1
    5重量%であることを特徴とする請求項10に記載の液
    晶媒体。
  13. 【請求項13】0℃〜50℃の範囲で、0.1%〜10
    %のコレステリックピッチの温度依存性を有することを
    特徴とする請求項11および12のいずれか1項に記載
    の液晶媒体。
  14. 【請求項14】請求項8〜13のいずれか1項に記載の
    液晶媒体を含有することを特徴とする電気光学ディスプ
    レイ。
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