JPH10149947A - キャパシタ誘電体厚膜組成物 - Google Patents
キャパシタ誘電体厚膜組成物Info
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- JPH10149947A JPH10149947A JP9175055A JP17505597A JPH10149947A JP H10149947 A JPH10149947 A JP H10149947A JP 9175055 A JP9175055 A JP 9175055A JP 17505597 A JP17505597 A JP 17505597A JP H10149947 A JPH10149947 A JP H10149947A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
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- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 種々のキャパシタ処理方法に使われる厚膜組
成物を提供する。 【解決手段】 キャパシタ誘電体厚膜組成物は、重量％
で、３２〜９８％のＢａＴｉＯ3 と、２〜６０％の亜鉛
バリウムほう酸塩フリットと、０〜８％のＢｉ2Ｏ3 と
を含む。
成物を提供する。 【解決手段】 キャパシタ誘電体厚膜組成物は、重量％
で、３２〜９８％のＢａＴｉＯ3 と、２〜６０％の亜鉛
バリウムほう酸塩フリットと、０〜８％のＢｉ2Ｏ3 と
を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は種々のキャパシタ処理方
法に使われる厚膜組成物に関連する。
法に使われる厚膜組成物に関連する。
【０００２】
【従来の技術】密集し、かつ複雑な電子回路を製造する
一般的な方法は、セラミック誘電体層を絶縁することに
よって隔てられた複数の伝導層からなる多層構造を製造
するものである。誘電体層を通して、金属被覆バイアス
によってプリント（印刷）され、かつ相互接続された厚
膜のコンダクタ・パターンを有する複数の未焼成セラミ
ック誘電体層は、一緒に共焼成される。キャパシタ等の
コンポーネントが共焼成した部分の表面に典型的にマウ
ントされて、価値ある表面空間を占領している。共焼成
多層構造の中へのコンポーネントの組み込みは、密度の
見地からのみならず、同じく処理およびコストの見地か
ら有益であろう。
一般的な方法は、セラミック誘電体層を絶縁することに
よって隔てられた複数の伝導層からなる多層構造を製造
するものである。誘電体層を通して、金属被覆バイアス
によってプリント（印刷）され、かつ相互接続された厚
膜のコンダクタ・パターンを有する複数の未焼成セラミ
ック誘電体層は、一緒に共焼成される。キャパシタ等の
コンポーネントが共焼成した部分の表面に典型的にマウ
ントされて、価値ある表面空間を占領している。共焼成
多層構造の中へのコンポーネントの組み込みは、密度の
見地からのみならず、同じく処理およびコストの見地か
ら有益であろう。
【０００３】多層回路における金属被覆法での銀の使用
が低コストかつ高コンダクタンスという利点を提供す
る。しかし、銀の溶融温度が９６１℃であることから、
銀多層回路にける焼成温度をそれよりも低い温度にする
必要がある。銀皮膜を含む一般的な多層回路は８５０℃
で焼成（fire）される。
が低コストかつ高コンダクタンスという利点を提供す
る。しかし、銀の溶融温度が９６１℃であることから、
銀多層回路にける焼成温度をそれよりも低い温度にする
必要がある。銀皮膜を含む一般的な多層回路は８５０℃
で焼成（fire）される。
【０００４】多層構造の中にキャパシタを集積するため
に、キャパシタ誘電体は金属被覆法と多層誘電体との縮
化（shrinkage ）互換性を持っていなくてはならない。
縮化互換性が無いと、低温度共焼成セラミック（ＬＴＣ
Ｃ）部分が回路を無用にするわい曲が見られるであろ
う。ＢａＴｉＯ3 のような高い比誘電率（Ｋ）材料は、
一般に＞１２５０℃で焼結され、そしてフリットあるい
はフラックスが８５０℃において縮化を促進するために
ＢａＴｉＯ3 と化合されなくてはならない。ＢａＴｉＯ
3 材料へのフリットの添加は焼成された誘電体の誘電的
性質を下げる。また、特にそれは焼成された誘電体のフ
リット組成物に依存したＫの劣化の程度に比誘電率を減
少させる。８５０℃において望ましい縮化を促進する濃
度においてＢａＴｉＯ3 材料と化合された、典型的なフ
リットが比誘電率における受け入れ難い劣化をもたら
す。米国特許第４, ６４０, ９０５号では、Ｍｎ−ドー
プ亜鉛ほう酸塩フリット［Ｆ］を含んでいるＢａＴｉＯ
3 を主成分とする組成物が以下の式で示されている。
に、キャパシタ誘電体は金属被覆法と多層誘電体との縮
化（shrinkage ）互換性を持っていなくてはならない。
縮化互換性が無いと、低温度共焼成セラミック（ＬＴＣ
Ｃ）部分が回路を無用にするわい曲が見られるであろ
う。ＢａＴｉＯ3 のような高い比誘電率（Ｋ）材料は、
一般に＞１２５０℃で焼結され、そしてフリットあるい
はフラックスが８５０℃において縮化を促進するために
ＢａＴｉＯ3 と化合されなくてはならない。ＢａＴｉＯ
3 材料へのフリットの添加は焼成された誘電体の誘電的
性質を下げる。また、特にそれは焼成された誘電体のフ
リット組成物に依存したＫの劣化の程度に比誘電率を減
少させる。８５０℃において望ましい縮化を促進する濃
度においてＢａＴｉＯ3 材料と化合された、典型的なフ
リットが比誘電率における受け入れ難い劣化をもたら
す。米国特許第４, ６４０, ９０５号では、Ｍｎ−ドー
プ亜鉛ほう酸塩フリット［Ｆ］を含んでいるＢａＴｉＯ
3 を主成分とする組成物が以下の式で示されている。
【０００５】
【数１】(1-X)[Ba1-xPbx(Ti1-(u+v)ZruSnv)O3]+X[AZ1/3
Nb2/3]+Y[F] 式中、ＡはＰｂおよびＢａから選択される。ＢａＯを含
んでいるマンガン−ドープ亜鉛ほう酸塩フリットのほか
に、組成物中で、亜鉛／ほう素原子の比率が２〜４であ
り、また５０モル％までのＢ2 Ｏ3 がＳｉＯ2 、ＧｅＯ
2 、またはＡｌ2Ｏ3 によって置換された、Ｍｎ−ドー
プ亜鉛ほう酸塩フリットもまた、開示されている。
Nb2/3]+Y[F] 式中、ＡはＰｂおよびＢａから選択される。ＢａＯを含
んでいるマンガン−ドープ亜鉛ほう酸塩フリットのほか
に、組成物中で、亜鉛／ほう素原子の比率が２〜４であ
り、また５０モル％までのＢ2 Ｏ3 がＳｉＯ2 、ＧｅＯ
2 、またはＡｌ2Ｏ3 によって置換された、Ｍｎ−ドー
プ亜鉛ほう酸塩フリットもまた、開示されている。
【０００６】フリットの濃度（Ｙ）が１〜５重量％であ
ると、焼成温度１０００〜１１５０℃での高密度化が顕
著に影響を受け、７０銀／３０パラジウム電極の使用が
可能となる。
ると、焼成温度１０００〜１１５０℃での高密度化が顕
著に影響を受け、７０銀／３０パラジウム電極の使用が
可能となる。
【０００７】米国特許第４，８４５，０６２号では、亜
鉛／ほう素原子の比率が１〜３で、Ｂ2 Ｏ3 の濃度が１
〜５重量％であり、さらにＡｌ2 Ｏ3 によって置換され
たＢａＯの濃度が５０モル％までである亜鉛ほう酸塩フ
リットが開示されている。ＭｇＴｉＯ3 を主成分とする
組成物では、濃度が５〜１０重量％のフリットが使用さ
れ、１０００ないし１１５０℃での高密度化に影響を及
ぼすために、かつ７０銀／３０パラジウム電極の使用を
可能とするために使われた。誘電率の範囲が１８ないし
２３となった上記組成物は、比誘電率が約２０であるこ
とを必要としている高周波数用途に有用であった。銀金
属被覆法の使用を可能とするために８５００℃での焼成
中に縮み、かつＫ＞１００となる高Ｋ誘電体組成物が求
められている。本発明は、ＢａＴｉＯ3 を主成分とする
誘電体組成物を開示するものであり、該組成物はアルミ
ナなしの２ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 フリットを含む。
ＢａＴｉＯ3 への２ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 フリット
の添加が他のフリットと比較して比誘電率でより少ない
分解に導く焼成の間に縮化を促進することがわかった。
鉛／ほう素原子の比率が１〜３で、Ｂ2 Ｏ3 の濃度が１
〜５重量％であり、さらにＡｌ2 Ｏ3 によって置換され
たＢａＯの濃度が５０モル％までである亜鉛ほう酸塩フ
リットが開示されている。ＭｇＴｉＯ3 を主成分とする
組成物では、濃度が５〜１０重量％のフリットが使用さ
れ、１０００ないし１１５０℃での高密度化に影響を及
ぼすために、かつ７０銀／３０パラジウム電極の使用を
可能とするために使われた。誘電率の範囲が１８ないし
２３となった上記組成物は、比誘電率が約２０であるこ
とを必要としている高周波数用途に有用であった。銀金
属被覆法の使用を可能とするために８５００℃での焼成
中に縮み、かつＫ＞１００となる高Ｋ誘電体組成物が求
められている。本発明は、ＢａＴｉＯ3 を主成分とする
誘電体組成物を開示するものであり、該組成物はアルミ
ナなしの２ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 フリットを含む。
ＢａＴｉＯ3 への２ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 フリット
の添加が他のフリットと比較して比誘電率でより少ない
分解に導く焼成の間に縮化を促進することがわかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、キャパシタ誘
電体厚膜組成物に関するものであり、３２〜９８％のＢ
ａＴｉＯ3 と、２〜６０％の亜鉛バリウムほう酸塩フリ
ットと、０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを、重量％でもって含
むことを特徴とする。好ましくは、重量％で、３２〜９
２％のＢａＴｉＯ3 と、８〜６０％の亜鉛バリウムほう
酸塩フリットと、０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを含む。
電体厚膜組成物に関するものであり、３２〜９８％のＢ
ａＴｉＯ3 と、２〜６０％の亜鉛バリウムほう酸塩フリ
ットと、０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを、重量％でもって含
むことを特徴とする。好ましくは、重量％で、３２〜９
２％のＢａＴｉＯ3 と、８〜６０％の亜鉛バリウムほう
酸塩フリットと、０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを含む。
【０００９】好ましくは、重量％で、４２〜９６％のＢ
ａＴｉＯ3 と、４〜５０％の亜鉛バリウムほう酸塩フリ
ットと、０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを含む。
ａＴｉＯ3 と、４〜５０％の亜鉛バリウムほう酸塩フリ
ットと、０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを含む。
【００１０】好ましくは、重量％で、５２〜９８％のＢ
ａＴｉＯ3 と、２〜４０％の亜鉛バリウムほう酸塩フリ
ットと、０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを含む。
ａＴｉＯ3 と、２〜４０％の亜鉛バリウムほう酸塩フリ
ットと、０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを含む。
【００１１】また、前記Ｂｉ2 Ｏ3 の重量％は、約０．
５〜５％であってもよい。
５〜５％であってもよい。
【００１２】 さらに、前記亜鉛バリウムほう酸塩フリッ
トは２ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ2Ｏ3であってもよい。
トは２ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ2Ｏ3であってもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の組成物は、典型的な種々
のキャパシタを処理する方法に適用することができる。
この方法は、高Ｋテープ挿入物（インサート）配列、充
填配列を介したペースト、高Ｋテープ挿入物または多層
回路での集積キャパシタ用スクリーン印刷を含む。異な
った処理実験方法は異なったキャパシタ誘電体縮化要求
を持ち、そのため本発明（フリット含有量の変更）の種
々の組成物を必要とする。加えて、材料（多層誘電体と
金属被覆法）の異なった多層系が異なった縮化特性を持
っており、それは本発明の種々の組成物範囲を必要とす
る。組成物は約８５０℃での焼成中に縮化し、また低間
隙率、容積収縮、およびＬＴＣＣ系材料との縮化率互換
性が、キャパシタ良好な電気的性質とＬＴＣＣ多層回路
の低部分わい曲および表面微細構成とに対して得られ
る。
のキャパシタを処理する方法に適用することができる。
この方法は、高Ｋテープ挿入物（インサート）配列、充
填配列を介したペースト、高Ｋテープ挿入物または多層
回路での集積キャパシタ用スクリーン印刷を含む。異な
った処理実験方法は異なったキャパシタ誘電体縮化要求
を持ち、そのため本発明（フリット含有量の変更）の種
々の組成物を必要とする。加えて、材料（多層誘電体と
金属被覆法）の異なった多層系が異なった縮化特性を持
っており、それは本発明の種々の組成物範囲を必要とす
る。組成物は約８５０℃での焼成中に縮化し、また低間
隙率、容積収縮、およびＬＴＣＣ系材料との縮化率互換
性が、キャパシタ良好な電気的性質とＬＴＣＣ多層回路
の低部分わい曲および表面微細構成とに対して得られ
る。
【００１４】ここに記述された組成物は同じく誘電体シ
ートに挿入されたプラグとして用いることもできよう。
プラグ用の穴をプラグの挿入前のステップまたは同一ス
テップにおいて、シートに形成する。誘電体シートにバ
イアホールを形成する方法、例えばメカニカル・パンチ
ング、レーザ・ドリル、化学エッチング、およびフォト
フォーミングはプラグ用の穴を形成するのに適する。プ
ラグは既知のバイアホール充填方法によって挿入するこ
とができる。この方法としては、ホールの中に厚膜ペー
ストをスクリーン印刷したり、あるい既存の穴の中に、
シート形式で、所望のプラグを機械的にパンチングした
りすることができる。代わりに、穴が誘電体シートに事
前に形成されていてもよい。シート形式で、機械的にパ
ンチングすることで所望のプラグを処理されていない誘
電体シーツに開口することができ、同一ストロークで誘
電体シートの対応する材料を置き換える。それぞれのプ
ラグが完全に、あるいは部分的にそのそれぞれの穴の深
さを満たしてもよい。一般に、プラグは形状に応じて直
径あるいは対角線で２ｍｉｌから１００ｍｉｌの範囲内
であろう。プラグの大きさが減少するにつれて、ＴＣＥ
のミスマッチが減少する。十分に小さなエリアのため
に、ストレスはクラッキングが生ずる臨界的なストレス
よりも小さく、より大きいＴＣＥのミスマッチに対応す
ることができる。
ートに挿入されたプラグとして用いることもできよう。
プラグ用の穴をプラグの挿入前のステップまたは同一ス
テップにおいて、シートに形成する。誘電体シートにバ
イアホールを形成する方法、例えばメカニカル・パンチ
ング、レーザ・ドリル、化学エッチング、およびフォト
フォーミングはプラグ用の穴を形成するのに適する。プ
ラグは既知のバイアホール充填方法によって挿入するこ
とができる。この方法としては、ホールの中に厚膜ペー
ストをスクリーン印刷したり、あるい既存の穴の中に、
シート形式で、所望のプラグを機械的にパンチングした
りすることができる。代わりに、穴が誘電体シートに事
前に形成されていてもよい。シート形式で、機械的にパ
ンチングすることで所望のプラグを処理されていない誘
電体シーツに開口することができ、同一ストロークで誘
電体シートの対応する材料を置き換える。それぞれのプ
ラグが完全に、あるいは部分的にそのそれぞれの穴の深
さを満たしてもよい。一般に、プラグは形状に応じて直
径あるいは対角線で２ｍｉｌから１００ｍｉｌの範囲内
であろう。プラグの大きさが減少するにつれて、ＴＣＥ
のミスマッチが減少する。十分に小さなエリアのため
に、ストレスはクラッキングが生ずる臨界的なストレス
よりも小さく、より大きいＴＣＥのミスマッチに対応す
ることができる。
【００１５】プラグは誘電体層のどこにでも配置するこ
とができ、そして１以上である場合、それらはどのよう
な所望の形状でも配置することができる。キャパシタの
ような単一のコンポーネントでは、複数のプラグが規則
正しく、繰り返されたパターンでもって配列されてい
る。１以上のコンポーネントを含んでいるひとつの誘電
体シートに対して、多数のそのようなパターンが使用さ
れてもよい。多層相互連結では、変えられた誘電体シー
トの１つあるいはさらに多くが性質と埋設コンポーネン
トの数に依存して使用することもできる。各コンポーネ
ントに関して、それぞれの変えられたシートの側が該コ
ンポーネントに対するプラグのエリアで電極組成物と接
する。プラグと周囲のマトリックス誘電体は電気的に並
列に接続され、効率的にマトリックス誘電体組成物の電
気的性質を変える。プラグが完全にそれに対応する穴を
充填していない場合、電極組成物がプラグと誘電体シー
トの表面との間に残っているいかなるスペースでも充填
することができる。しかし、電極組成物がプラグ材料の
表面を越えてプラグ穴に入り込むべきではない。プラグ
形状を２つの電極間に挟むために、厚膜導電性ペースト
のような電極組成物をプラグを覆っている誘電体シーツ
それぞれの側面と周囲のマトリックス誘電体シーツとに
適用することができる。電極は、単一で、かつプラグと
マトリックス誘電体との両方をカバーする連続したパッ
ドであるか、もしくは電極はプラグと若干の周囲のマト
リックス誘電体との両方をカバーした小さなパッドから
なるパターンであり、それらはトレース・コンダクタ・
ラインによって接続される。
とができ、そして１以上である場合、それらはどのよう
な所望の形状でも配置することができる。キャパシタの
ような単一のコンポーネントでは、複数のプラグが規則
正しく、繰り返されたパターンでもって配列されてい
る。１以上のコンポーネントを含んでいるひとつの誘電
体シートに対して、多数のそのようなパターンが使用さ
れてもよい。多層相互連結では、変えられた誘電体シー
トの１つあるいはさらに多くが性質と埋設コンポーネン
トの数に依存して使用することもできる。各コンポーネ
ントに関して、それぞれの変えられたシートの側が該コ
ンポーネントに対するプラグのエリアで電極組成物と接
する。プラグと周囲のマトリックス誘電体は電気的に並
列に接続され、効率的にマトリックス誘電体組成物の電
気的性質を変える。プラグが完全にそれに対応する穴を
充填していない場合、電極組成物がプラグと誘電体シー
トの表面との間に残っているいかなるスペースでも充填
することができる。しかし、電極組成物がプラグ材料の
表面を越えてプラグ穴に入り込むべきではない。プラグ
形状を２つの電極間に挟むために、厚膜導電性ペースト
のような電極組成物をプラグを覆っている誘電体シーツ
それぞれの側面と周囲のマトリックス誘電体シーツとに
適用することができる。電極は、単一で、かつプラグと
マトリックス誘電体との両方をカバーする連続したパッ
ドであるか、もしくは電極はプラグと若干の周囲のマト
リックス誘電体との両方をカバーした小さなパッドから
なるパターンであり、それらはトレース・コンダクタ・
ラインによって接続される。
【００１６】誘電体と電極とからなるアセンブリは、レ
ジストリで相互連結の他の層とともにスタックされ、モ
ノリスの中にラミネートされて、そしてその後焼成され
る。代わりに、コンダクタ組成物は隣接した誘電体シー
トに適用され、該シートは変えられたシートと相互連結
の他の層とともにレジストリにスタックされる。あるい
は、コンダクタ組成物はシートのかたちであり、該シー
トは変えられたシートとともにレジストリにスタックさ
れ、かつ該変えられたシートに隣接する。
ジストリで相互連結の他の層とともにスタックされ、モ
ノリスの中にラミネートされて、そしてその後焼成され
る。代わりに、コンダクタ組成物は隣接した誘電体シー
トに適用され、該シートは変えられたシートと相互連結
の他の層とともにレジストリにスタックされる。あるい
は、コンダクタ組成物はシートのかたちであり、該シー
トは変えられたシートとともにレジストリにスタックさ
れ、かつ該変えられたシートに隣接する。
【００１７】モノリスの種々の層は、米国特許第５, ０
８５, ７２０号で記述されるように、例えば圧力支援さ
れた焼成を含周知の方法によってアセンブル、かつ焼成
されることができる。好ましくは、モノリスは 共焼成
される。焼成温度は、８００〜２０００℃であり、モノ
リスに含まれる組成物の性質に応じて適当な温度が選択
される。
８５, ７２０号で記述されるように、例えば圧力支援さ
れた焼成を含周知の方法によってアセンブル、かつ焼成
されることができる。好ましくは、モノリスは 共焼成
される。焼成温度は、８００〜２０００℃であり、モノ
リスに含まれる組成物の性質に応じて適当な温度が選択
される。
【００１８】前述の記載は誘電体シートを使っている発
明、望ましい実施形態例に焦点を合わせている。厚膜組
成物の使用のための従来の方法を同じく使用することが
できる。例えば、本発明の厚膜組成物は、電極を持つレ
ジストリで適当な穴でスクリーン印刷され、そして次に
焼成されることができる。電気的性質を変更したかも知
れない厚膜組成物は、プラグ穴を持つレジストリにスク
リーン印刷され、さらに組成物が焼成される。つぎに、
他の電極組成物がプラグを持つレジストリにスクリーン
印刷される。
明、望ましい実施形態例に焦点を合わせている。厚膜組
成物の使用のための従来の方法を同じく使用することが
できる。例えば、本発明の厚膜組成物は、電極を持つレ
ジストリで適当な穴でスクリーン印刷され、そして次に
焼成されることができる。電気的性質を変更したかも知
れない厚膜組成物は、プラグ穴を持つレジストリにスク
リーン印刷され、さらに組成物が焼成される。つぎに、
他の電極組成物がプラグを持つレジストリにスクリーン
印刷される。
【００１９】キャパシタ誘電体の望ましい組成物は、処
理方法および材料（多層誘電体と金属被覆法）の多層系
に依存していて、そして縮化特性のための必要量に関連
づけられる。例えば、低温共焼成セラミック（ＬＴＣ
Ｃ）テープ構造のスクリーン印刷されたキャパシタにと
って好ましい組成物は、減少した部分わい曲に対するＬ
ＴＣＣ材料系と同様の縮化率を持っていなくてはならな
い。例えば、 ＢａＴｉＯ3 ３２〜９２重量％ 亜鉛バリウムほう酸塩フリット ８〜６０重量％ Ｂｉ2 Ｏ3 ０〜８重量％ 大きい領域（例えば、直径２５０ｍｉｌ）の高Ｋインサ
ートまたはプラグにとって好適な組成物は、間隙率の減
少および減少部分歪曲に対する多層系に類似した縮化率
にとって十分なフリット含有量を、減少部分歪曲に対す
るフリット含有量を制限する容積縮化必要量とともに持
たなければならい。すなわち、 ＢａＴｉＯ3 ４２〜９６重量％ 亜鉛バリウムほう酸塩フリット ４〜５０重量％ Ｂｉ2 Ｏ3 ０〜８ 重量％ 小さい領域（例えば、直径１５ｍｉｌ）の高Ｋインサー
トまたはプラグにとって好適な組成物は、間隙率の減少
にとって十分なフリット含有量を、微細構造結着性に対
するフリット含有量を制限する容積収縮の必要量ととも
に持たなければならい。すなわち、 ＢＴｉＯ3 ５２〜９８重量％ 亜鉛バリウムほう酸塩フリット ２〜４０重量％ Ｂｉ2 Ｏ3 ０〜８ 重量％ 上記の組成物で好まれるフリットは２ＺｎＯ−ＢａＯ−
Ｂ2 Ｏ3 である。しかし、縮化と比誘電率（Ｋ）を調節
するために第２のフリットがさらに付け加えてもよい。
理方法および材料（多層誘電体と金属被覆法）の多層系
に依存していて、そして縮化特性のための必要量に関連
づけられる。例えば、低温共焼成セラミック（ＬＴＣ
Ｃ）テープ構造のスクリーン印刷されたキャパシタにと
って好ましい組成物は、減少した部分わい曲に対するＬ
ＴＣＣ材料系と同様の縮化率を持っていなくてはならな
い。例えば、 ＢａＴｉＯ3 ３２〜９２重量％ 亜鉛バリウムほう酸塩フリット ８〜６０重量％ Ｂｉ2 Ｏ3 ０〜８重量％ 大きい領域（例えば、直径２５０ｍｉｌ）の高Ｋインサ
ートまたはプラグにとって好適な組成物は、間隙率の減
少および減少部分歪曲に対する多層系に類似した縮化率
にとって十分なフリット含有量を、減少部分歪曲に対す
るフリット含有量を制限する容積縮化必要量とともに持
たなければならい。すなわち、 ＢａＴｉＯ3 ４２〜９６重量％ 亜鉛バリウムほう酸塩フリット ４〜５０重量％ Ｂｉ2 Ｏ3 ０〜８ 重量％ 小さい領域（例えば、直径１５ｍｉｌ）の高Ｋインサー
トまたはプラグにとって好適な組成物は、間隙率の減少
にとって十分なフリット含有量を、微細構造結着性に対
するフリット含有量を制限する容積収縮の必要量ととも
に持たなければならい。すなわち、 ＢＴｉＯ3 ５２〜９８重量％ 亜鉛バリウムほう酸塩フリット ２〜４０重量％ Ｂｉ2 Ｏ3 ０〜８ 重量％ 上記の組成物で好まれるフリットは２ＺｎＯ−ＢａＯ−
Ｂ2 Ｏ3 である。しかし、縮化と比誘電率（Ｋ）を調節
するために第２のフリットがさらに付け加えてもよい。
【００２０】
実施例１〜５（比較）
【００２１】
【表１】
【００２２】実施例１〜５の誘電材料を、ＢａＴｉＯ3
とフリットとからなる厚膜ペーストを形成することによ
って調製した。デュポン (DuPont) ６１６０（無機結合
剤を少量持つＡｇコンダクタ組成物）を用いて並行板キ
ャパシタを形成するために、ペーストをアルミナ基板上
にスクリーン印刷した。つぎに、８５０℃で焼成した。
とフリットとからなる厚膜ペーストを形成することによ
って調製した。デュポン (DuPont) ６１６０（無機結合
剤を少量持つＡｇコンダクタ組成物）を用いて並行板キ
ャパシタを形成するために、ペーストをアルミナ基板上
にスクリーン印刷した。つぎに、８５０℃で焼成した。
【００２３】異なったフリットによって異なった比誘電
率と損失係数（Ｄ．Ｆ値）が得られた。ＢａＴｉＯ3 を
含む固定フリット含有量について、６ＺｎＯ−３ＢａＯ
−２Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 フリット（ＢａＡｌＺｎほう
酸塩）がもっとも高い誘電率を示し、一方フリットＡお
よびフリットＢ（表２）は誘電率および損失係数が実質
的に大きく減少した。
率と損失係数（Ｄ．Ｆ値）が得られた。ＢａＴｉＯ3 を
含む固定フリット含有量について、６ＺｎＯ−３ＢａＯ
−２Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 フリット（ＢａＡｌＺｎほう
酸塩）がもっとも高い誘電率を示し、一方フリットＡお
よびフリットＢ（表２）は誘電率および損失係数が実質
的に大きく減少した。
【００２４】
【表２】
【００２５】実施例６−７
【００２６】
【表３】
【００２７】実施例６はアルミ含有のバリウム亜鉛ほう
酸塩フリットのＢａＴｉＯ3 を主成分とする誘電体を表
し、実施例７はアルミを含まないバリウム亜鉛ほう酸塩
フリットを表す。
酸塩フリットのＢａＴｉＯ3 を主成分とする誘電体を表
し、実施例７はアルミを含まないバリウム亜鉛ほう酸塩
フリットを表す。
【００２８】実施例６では、適当な媒体に分散された、
ＢａＴｉＯ3 を含む１５重量％の６ＺｎＯ−３ＢａＯ−
２Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 フリットからなるスリットを調
製し、さらにテープをキャストする。多層のキャパシタ
は、テープ上に銀電極をスクリーン印刷し、追加のテー
プ層を積層し、９２５℃で焼成し、さらに７５０℃で焼
成した銀ペーストで終了することによって形成した。実
施例７では、適当な有機媒体に分散されたＢａＴｉＯ3
と少量のＢｉ2 Ｏ3 を含む３０重量％の2ZnO−ＢａＯ−
Ｂ2 Ｏ3 からなる誘電体ペーストを調製した。誘電体ペ
ーストを銀コンダクタ電極とともにデュポン９１５グリ
ーン・テープ（商標：Green Tape、E.I. duPont de Nem
ours and Co., Wilmington, DE、比誘電率が８で、８５
０〜８７５℃で焼成可能な０．５μｍアルミナ粒子充填
結晶性ガラス材料) 上にスクリーン印刷した。予期した
とおり、実施例７の比誘電率は、フリット含有量が高い
ことから、実施例６よりも低かった。実施例６および７
によって示された重要な特徴は、２００Ｖ／１５０℃で
の高度に加速された寿命試験（ＨＡＬＴ）後に、不良が
生じないことであり、このことはフリットにアルミナが
存在しないことによる。
ＢａＴｉＯ3 を含む１５重量％の６ＺｎＯ−３ＢａＯ−
２Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 フリットからなるスリットを調
製し、さらにテープをキャストする。多層のキャパシタ
は、テープ上に銀電極をスクリーン印刷し、追加のテー
プ層を積層し、９２５℃で焼成し、さらに７５０℃で焼
成した銀ペーストで終了することによって形成した。実
施例７では、適当な有機媒体に分散されたＢａＴｉＯ3
と少量のＢｉ2 Ｏ3 を含む３０重量％の2ZnO−ＢａＯ−
Ｂ2 Ｏ3 からなる誘電体ペーストを調製した。誘電体ペ
ーストを銀コンダクタ電極とともにデュポン９１５グリ
ーン・テープ（商標：Green Tape、E.I. duPont de Nem
ours and Co., Wilmington, DE、比誘電率が８で、８５
０〜８７５℃で焼成可能な０．５μｍアルミナ粒子充填
結晶性ガラス材料) 上にスクリーン印刷した。予期した
とおり、実施例７の比誘電率は、フリット含有量が高い
ことから、実施例６よりも低かった。実施例６および７
によって示された重要な特徴は、２００Ｖ／１５０℃で
の高度に加速された寿命試験（ＨＡＬＴ）後に、不良が
生じないことであり、このことはフリットにアルミナが
存在しないことによる。
【００２９】実施例８〜１１
【００３０】
【表４】
【００３１】多層構造でのキャパシタ誘電体共焼成のた
めの縮化率の重要性は実施例８〜１１で証明される。焼
成された多層のためのローカルな表面微細構成での変異
は 表面マウンティングに対応するように小さくしなけ
ればならない。表面平坦度の要求に合致させる主要な条
件は、キャパシタ誘電体と基板グリーンテープおよびコ
ンダクタとの間におけるＸ−Ｙ縮化率でのクロス・マッ
チである。キャパシタ誘電体におけるフリットの型およ
び量によって制御される縮化率のよりいっそう大きなミ
スマッチのために、より大きい表面微細構成が結果とし
て生じるであろう。
めの縮化率の重要性は実施例８〜１１で証明される。焼
成された多層のためのローカルな表面微細構成での変異
は 表面マウンティングに対応するように小さくしなけ
ればならない。表面平坦度の要求に合致させる主要な条
件は、キャパシタ誘電体と基板グリーンテープおよびコ
ンダクタとの間におけるＸ−Ｙ縮化率でのクロス・マッ
チである。キャパシタ誘電体におけるフリットの型およ
び量によって制御される縮化率のよりいっそう大きなミ
スマッチのために、より大きい表面微細構成が結果とし
て生じるであろう。
【００３２】ＢａＴｉＯ3 および２ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ
2 Ｏ3 を主成分として、約８００℃で縮化し始めるキャ
パシタ誘電体ペーストを配合した。
2 Ｏ3 を主成分として、約８００℃で縮化し始めるキャ
パシタ誘電体ペーストを配合した。
【００３３】実施例８〜１１に関して、デュポン (DuPo
nt) ６１４２の銀電極とともに誘電体ペーストを９５１
グリーン・テープ（商標）シートにスクリーン印刷し、
つづいて各側面に２または３枚の追加の９５１クリーン
・テープ（商標）層の間に、接触さえたキャパシタ誘電
体を持つ２枚のそのようなシートを積層し、８５０℃で
焼成した。表面変異をメカニカル・プロフィルメータを
使って決定した。
nt) ６１４２の銀電極とともに誘電体ペーストを９５１
グリーン・テープ（商標）シートにスクリーン印刷し、
つづいて各側面に２または３枚の追加の９５１クリーン
・テープ（商標）層の間に、接触さえたキャパシタ誘電
体を持つ２枚のそのようなシートを積層し、８５０℃で
焼成した。表面変異をメカニカル・プロフィルメータを
使って決定した。
【００３４】実施例８では、フリットを含まず、そのた
め非常に縮化が小さいペーストをキャパシタで評価し
た。誘電体がＢｉ2 Ｏ3 を５重量％含んでいたにもかか
わらず、起こった焼成縮化はわずかであった。誘電率は
４６０であった。この値は主にＢａＴｉＯ3 体にとって
は低い。このことは誘電体の高間隙率と９５１グリーン
・テープからキャパシタ誘電体への流れとによるもので
ある。
め非常に縮化が小さいペーストをキャパシタで評価し
た。誘電体がＢｉ2 Ｏ3 を５重量％含んでいたにもかか
わらず、起こった焼成縮化はわずかであった。誘電率は
４６０であった。この値は主にＢａＴｉＯ3 体にとって
は低い。このことは誘電体の高間隙率と９５１グリーン
・テープからキャパシタ誘電体への流れとによるもので
ある。
【００３５】表面微細構成は、キャパシタ誘電体と９５
１のグリーンTaPeTM (Green TaPeTM) と6142D との間の
縮化における不適当な組合わせの結果として生じたひず
みのために非常に大きい。
１のグリーンTaPeTM (Green TaPeTM) と6142D との間の
縮化における不適当な組合わせの結果として生じたひず
みのために非常に大きい。
【００３６】表面微細構成を改善するために、キャパシ
タ誘電体は３０. ０重量％フリットを含有することによ
って共焼成する間に縮化するように配合された。任意の
縮化があるならばＢｉ2 Ｏ3 の含有はわずかに促進さ
れ、そして比誘電率のマイナーな強化のために組成物に
含められる。
タ誘電体は３０. ０重量％フリットを含有することによ
って共焼成する間に縮化するように配合された。任意の
縮化があるならばＢｉ2 Ｏ3 の含有はわずかに促進さ
れ、そして比誘電率のマイナーな強化のために組成物に
含められる。
【００３７】キャパシタが埋設されるモノリスのテープ
層の数の増加が、実施例１０で示されるように、表面微
細構成におけるわずかな減少をもたらした。
層の数の増加が、実施例１０で示されるように、表面微
細構成におけるわずかな減少をもたらした。
【００３８】キャパシタ誘電体式に含有されるフリット
含有物の効果を実施例１１に示す。表面微細構成におけ
る減少が明白である、そしてそれはキャパシタ誘電体と
９５１グリーン・テープ（商標）および6142D コンダク
タとにおける共焼成中の縮化率（あるいは縮化が起こる
温度）でより大きい類似性があるためである。比誘電率
は、キャパシタ誘電体におけるよりいっそう大きいフリ
ット含有量の希釈効果によって減少する。キャパシタ誘
電体および９５１グリーン・テープ（商標）に対する縮
化率は、キャパシタ誘電体におけるフリット２ＺｎＯ−
ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 のフリット濃度が４７. ０重量％であ
ることに対して非常にマッチしていることから、減少が
少ない。９μｍの表面微細構成は、主に多層に埋設され
た電極とキャパシタ誘電体とに関連した追加の厚さによ
る。
含有物の効果を実施例１１に示す。表面微細構成におけ
る減少が明白である、そしてそれはキャパシタ誘電体と
９５１グリーン・テープ（商標）および6142D コンダク
タとにおける共焼成中の縮化率（あるいは縮化が起こる
温度）でより大きい類似性があるためである。比誘電率
は、キャパシタ誘電体におけるよりいっそう大きいフリ
ット含有量の希釈効果によって減少する。キャパシタ誘
電体および９５１グリーン・テープ（商標）に対する縮
化率は、キャパシタ誘電体におけるフリット２ＺｎＯ−
ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 のフリット濃度が４７. ０重量％であ
ることに対して非常にマッチしていることから、減少が
少ない。９μｍの表面微細構成は、主に多層に埋設され
た電極とキャパシタ誘電体とに関連した追加の厚さによ
る。
【００３９】キャパシタ誘電体の配合はキャパシタが共
焼成多層テープ構造内に埋設されたスクリーン印刷キャ
パシタに好適である。最適なフリット含有量は表面微細
構成の必要性と所望の比誘電率とに依存している。極大
表面平坦性に必要なキャパシタ誘電体でのフリット含有
量は、基質の誘電体Ｘ−Ｙ縮化率に依存している。
焼成多層テープ構造内に埋設されたスクリーン印刷キャ
パシタに好適である。最適なフリット含有量は表面微細
構成の必要性と所望の比誘電率とに依存している。極大
表面平坦性に必要なキャパシタ誘電体でのフリット含有
量は、基質の誘電体Ｘ−Ｙ縮化率に依存している。
【００４０】実施例１２〜１６
【００４１】
【表５】
【００４２】実施例１２〜１６では、誘電体テープ・シ
ートにおいて２５０ｍｉｌ×２５０ｍｉｌと測定された
高Ｋテープ挿入物を形成することによって、キャパシタ
を作った。表４に示す組成比で、かつ適当な媒体に分散
された２ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ2Ｏ3 フリット, Ｂｉ2 Ｏ3
、およびＢａＴｉＯ3 からなるスリップを調製し、テ
ープをキャストした。キャパシタは、高テープ・シート
から高Ｋテープ材料を、機械的にバイアス・ホールを作
るパンチ装置を用いて、９５１のグリーン・テープ（商
標）に事前にパンチして開けた穴のなかに押し込むこと
によって形成された。寸法が２００ｍｉｌ×２００ｍｉ
ｌのデュポン (DuPont) ６１４２の銀コンダクタ・ペー
スト電極を挿入物の各側面上にスクリーン印刷した。こ
のアセンプリを、各側面上の２または４のいずれか一方
の追加の９５１のグリーン・テープ（商標）層の間に積
層した。５および９層モノリスをそれぞれ８５０〜８７
５℃で共焼成した。
ートにおいて２５０ｍｉｌ×２５０ｍｉｌと測定された
高Ｋテープ挿入物を形成することによって、キャパシタ
を作った。表４に示す組成比で、かつ適当な媒体に分散
された２ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ2Ｏ3 フリット, Ｂｉ2 Ｏ3
、およびＢａＴｉＯ3 からなるスリップを調製し、テ
ープをキャストした。キャパシタは、高テープ・シート
から高Ｋテープ材料を、機械的にバイアス・ホールを作
るパンチ装置を用いて、９５１のグリーン・テープ（商
標）に事前にパンチして開けた穴のなかに押し込むこと
によって形成された。寸法が２００ｍｉｌ×２００ｍｉ
ｌのデュポン (DuPont) ６１４２の銀コンダクタ・ペー
スト電極を挿入物の各側面上にスクリーン印刷した。こ
のアセンプリを、各側面上の２または４のいずれか一方
の追加の９５１のグリーン・テープ（商標）層の間に積
層した。５および９層モノリスをそれぞれ８５０〜８７
５℃で共焼成した。
【００４３】実施例１２では、ＢａＴｉＯ3 を有する４
０重量％のフリットから構成される材料を挿入物として
用いた。それによって埋設キャパシタの誘電率は３１７
となった。損失係数（Ｄ．Ｆ）、絶縁抵抗（Ｉ．Ｒ）、
そして絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）の値は好ましいものであ
る。挿入物の容積収縮はかなり９５１グリーン・テープ
（商標）のものより大きいく、また挿入物とその周りの
シートとの間の焼成厚の違いは、そして挿入とその周囲
のシートの間の燃え立たせられた厚さにおける結果の相
違はキャパシタ挿入物が埋設されている部分表面での低
下として証拠づけられる。周囲層と比べて体積収縮が大
きい挿入材料（寸法２５０ｍｉｌ×２５０ｍｉｌ）につ
いて、実施例１２で示したように、挿入物質の過剰の収
縮が、主にＺ方向で起こる。これによって、埋設キャパ
シタの上および下の表面微細構成が得られる。表面微細
構成を改善するために、挿入材料の容積収縮は、実施例
１３で示されるように、フリット含有量を減少させるこ
とによって減らされた。この減少したフリット含有量
は、表面微細構成における減少のほかに、比誘電率にお
ける増加をもたらした。
０重量％のフリットから構成される材料を挿入物として
用いた。それによって埋設キャパシタの誘電率は３１７
となった。損失係数（Ｄ．Ｆ）、絶縁抵抗（Ｉ．Ｒ）、
そして絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）の値は好ましいものであ
る。挿入物の容積収縮はかなり９５１グリーン・テープ
（商標）のものより大きいく、また挿入物とその周りの
シートとの間の焼成厚の違いは、そして挿入とその周囲
のシートの間の燃え立たせられた厚さにおける結果の相
違はキャパシタ挿入物が埋設されている部分表面での低
下として証拠づけられる。周囲層と比べて体積収縮が大
きい挿入材料（寸法２５０ｍｉｌ×２５０ｍｉｌ）につ
いて、実施例１２で示したように、挿入物質の過剰の収
縮が、主にＺ方向で起こる。これによって、埋設キャパ
シタの上および下の表面微細構成が得られる。表面微細
構成を改善するために、挿入材料の容積収縮は、実施例
１３で示されるように、フリット含有量を減少させるこ
とによって減らされた。この減少したフリット含有量
は、表面微細構成における減少のほかに、比誘電率にお
ける増加をもたらした。
【００４４】フリット含有量の減少による挿入物配合の
それ以上の修飾効果を実施例１５に示す。実施例１５で
のキャパシタ誘電体のための比誘電率は、より高いフリ
ット含有量の実施例１４と比較して増加した。挿入物の
容積収縮は周囲テープの縮化と比べて少ない。しかし、
挿入材料のフリット含有量における減少は挿入材料と周
囲材料との共焼成中における縮化率（あるいは縮化が起
こる温度）でより大きいミスマッチが生じ、そのため表
面微細構成がよりいっそう劣化する。
それ以上の修飾効果を実施例１５に示す。実施例１５で
のキャパシタ誘電体のための比誘電率は、より高いフリ
ット含有量の実施例１４と比較して増加した。挿入物の
容積収縮は周囲テープの縮化と比べて少ない。しかし、
挿入材料のフリット含有量における減少は挿入材料と周
囲材料との共焼成中における縮化率（あるいは縮化が起
こる温度）でより大きいミスマッチが生じ、そのため表
面微細構成がよりいっそう劣化する。
【００４５】実施例１６は、フリットを含まない挿入材
料を含むので、極めて少ししか縮化が生じない。組成物
に含まれたＢｉ2 Ｏ3 によって促進される縮化の程度は
ほんのわずかである。この挿入材料と周囲材料との間の
縮化特性における大きい相違は 実施例１５よりも大き
いゆがみと表面微細構成とをもたらした。キャパシタの
比誘電率は一般に挿入誘電体でフリット含有率における
減少にともなって増加する。しかし、実施例１６でのキ
ャパシタ誘電体の比誘電率はフリット（実施例１５）を
持つ挿入誘電体のものよりも小さかった。そしてそれは
フリットの欠如と低焼成縮化による実施例１６における
誘電体挿入物の間隙率の増加と結び付けられた。フリッ
トは、顕著に縮化に対して影響を与えるために、８５０
℃で焼成されたＢａＴｉＯ3 を主成分とする組成物に含
まれなければならない。
料を含むので、極めて少ししか縮化が生じない。組成物
に含まれたＢｉ2 Ｏ3 によって促進される縮化の程度は
ほんのわずかである。この挿入材料と周囲材料との間の
縮化特性における大きい相違は 実施例１５よりも大き
いゆがみと表面微細構成とをもたらした。キャパシタの
比誘電率は一般に挿入誘電体でフリット含有率における
減少にともなって増加する。しかし、実施例１６でのキ
ャパシタ誘電体の比誘電率はフリット（実施例１５）を
持つ挿入誘電体のものよりも小さかった。そしてそれは
フリットの欠如と低焼成縮化による実施例１６における
誘電体挿入物の間隙率の増加と結び付けられた。フリッ
トは、顕著に縮化に対して影響を与えるために、８５０
℃で焼成されたＢａＴｉＯ3 を主成分とする組成物に含
まれなければならない。
【００４６】実施例１７−１８
【００４７】
【表６】
【００４８】「実施例１７〜１８では、誘電体シートに
直径１５ｍｉｌの高Ｋテープ挿入物（またはプラグ）を
形成することによってキャパシタを設けた。２ＺｎＯ−
ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 リット、Ｂｉ2 Ｏ3 、およびＢａＴｉ
Ｏ3 から構成されるスリップを表５に示した比率にもと
づいて、かつ適当な媒体に分散して調製し、さらにテー
プをキャストした。９５１グリーン・テープ（商標）の
穴の事前にパンチングされた配列の中に高Ｋテープを機
械的にパンチングすることによって、キャパシタを形成
した。各キャパシタに対して、１１５μｍの厚さのプラ
グの１０×１０配列を１１５μｍ厚のマトリックス・テ
ープに挿入した。高Ｋプラグの直径は１５ｍｉｌであっ
た。また、プラグを中心と中心との距離が２０ｍｉｌで
密集して配列した。それによって、高Ｋプラグ領域／低
Ｋプラグ領域の比が０. ４４／０.５６となった。
直径１５ｍｉｌの高Ｋテープ挿入物（またはプラグ）を
形成することによってキャパシタを設けた。２ＺｎＯ−
ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 リット、Ｂｉ2 Ｏ3 、およびＢａＴｉ
Ｏ3 から構成されるスリップを表５に示した比率にもと
づいて、かつ適当な媒体に分散して調製し、さらにテー
プをキャストした。９５１グリーン・テープ（商標）の
穴の事前にパンチングされた配列の中に高Ｋテープを機
械的にパンチングすることによって、キャパシタを形成
した。各キャパシタに対して、１１５μｍの厚さのプラ
グの１０×１０配列を１１５μｍ厚のマトリックス・テ
ープに挿入した。高Ｋプラグの直径は１５ｍｉｌであっ
た。また、プラグを中心と中心との距離が２０ｍｉｌで
密集して配列した。それによって、高Ｋプラグ領域／低
Ｋプラグ領域の比が０. ４４／０.５６となった。
【００４９】複合キャパシタ誘電体エリアの、寸法が２
００ｍｉｌ×２００ｍｉｌ×２００ｍｉｌの複合キャパ
シタ誘電体領域にデュポン６１４２銀コンダクタ・ペー
ストをスクリーン印刷し、高Ｋプラグ配列を持つ９５１
グリーン・テープ（商標）を追加の９５１グリーン・テ
ープ（商標）層の間に積層した。モノリスを８７５℃で
共焼成した。
００ｍｉｌ×２００ｍｉｌ×２００ｍｉｌの複合キャパ
シタ誘電体領域にデュポン６１４２銀コンダクタ・ペー
ストをスクリーン印刷し、高Ｋプラグ配列を持つ９５１
グリーン・テープ（商標）を追加の９５１グリーン・テ
ープ（商標）層の間に積層した。モノリスを８７５℃で
共焼成した。
【００５０】実施例１７において、複合誘電体（Ｋ＝２
３０）の比誘電率は高Ｋプラグ（単離プラグではＫ＝７
９０）の形状にもとづいて予想される値よりも小さかっ
た。そして高Ｋプラグ中に流れる９５１テープ・マトリ
ックスからのフリットの希釈効果によって、低Ｋマトリ
ックス（Ｋ＝８）が電極の間に平行に接続された。焼成
中にマトリックス材と比較してより大きい容積収縮を持
つプラグ材料（その形状は直径が１５ｍｉｌ）は、実施
例１７に示すように、プラグ材料の過剰な縮化がｚ方向
と同様にｘｙ方向で生ずる。これによって、焼成多層の
マトリックス穴の空間に焼成プラグが完全に充填されな
いことから、複合誘電体の焼成微細構造が不良であると
いう結果になる。
３０）の比誘電率は高Ｋプラグ（単離プラグではＫ＝７
９０）の形状にもとづいて予想される値よりも小さかっ
た。そして高Ｋプラグ中に流れる９５１テープ・マトリ
ックスからのフリットの希釈効果によって、低Ｋマトリ
ックス（Ｋ＝８）が電極の間に平行に接続された。焼成
中にマトリックス材と比較してより大きい容積収縮を持
つプラグ材料（その形状は直径が１５ｍｉｌ）は、実施
例１７に示すように、プラグ材料の過剰な縮化がｚ方向
と同様にｘｙ方向で生ずる。これによって、焼成多層の
マトリックス穴の空間に焼成プラグが完全に充填されな
いことから、複合誘電体の焼成微細構造が不良であると
いう結果になる。
【００５１】マトリックス材料の容積収縮よりもわずか
に低く縮化が減少するように、高Ｋ誘電体プラグ配合の
修飾することで、焼成した多層のマトリックス誘電体シ
ートの穴の空間をプラグが満たす。実施例１８のプラグ
材料は、フリット含有量が低いことから実施例１７のも
のよりもより高いＫを持つ。
に低く縮化が減少するように、高Ｋ誘電体プラグ配合の
修飾することで、焼成した多層のマトリックス誘電体シ
ートの穴の空間をプラグが満たす。実施例１８のプラグ
材料は、フリット含有量が低いことから実施例１７のも
のよりもより高いＫを持つ。
【００５２】試験記述 ＨＡＬＴ（Highly Accelerated Life Test：高度に加速
された寿命試験）の記述：電圧バイアス下での誘電体パ
フォーマンスを、１５０℃、２００Ｖ印加の条件におけ
る漏れ電流を１００時間まで測定することによって決定
した。個々のキャパシタへの電流の流れは、キャパシタ
と直列に接続された１０＾＾５オーム・レジスタを横切
る電圧を測定することによって繰り返し時間間隔で決定
した。キャパシタの漏れ電流を試験中モニタし、不良の
数（短絡によって判断）あるいは不良が生ずるまでの平
均時間を判断した。この試験は、使用中のキャパシタの
不良を引き起こすかもしれない任意の劣化のプロセスを
加速するように設計されており、ＭＬＣを試験するのに
一般に使われている技術である。
された寿命試験）の記述：電圧バイアス下での誘電体パ
フォーマンスを、１５０℃、２００Ｖ印加の条件におけ
る漏れ電流を１００時間まで測定することによって決定
した。個々のキャパシタへの電流の流れは、キャパシタ
と直列に接続された１０＾＾５オーム・レジスタを横切
る電圧を測定することによって繰り返し時間間隔で決定
した。キャパシタの漏れ電流を試験中モニタし、不良の
数（短絡によって判断）あるいは不良が生ずるまでの平
均時間を判断した。この試験は、使用中のキャパシタの
不良を引き起こすかもしれない任意の劣化のプロセスを
加速するように設計されており、ＭＬＣを試験するのに
一般に使われている技術である。
【００５３】ＨＡＬＴ試験方法について、より詳細な説
明は以下の文献を参照せよ。
明は以下の文献を参照せよ。
【００５４】R.Munikoti and P. Dhar, "Higly Acceler
ated Life Testing (HALT) for Multilayer Ceramic
Capacitor Ｑｕａｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ”， ＩＥＥ
Ｅ Ｔｒａｎｓ．Ｃｏｍｐ．Ｈｙｂｒ． ａｎｄ Ｍａ
ｎｕｆａｃｔ．Ｔｅｃｈ．， １１， （４） ， ３
４２−３４５ （１９８８）
ated Life Testing (HALT) for Multilayer Ceramic
Capacitor Ｑｕａｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ”， ＩＥＥ
Ｅ Ｔｒａｎｓ．Ｃｏｍｐ．Ｈｙｂｒ． ａｎｄ Ｍａ
ｎｕｆａｃｔ．Ｔｅｃｈ．， １１， （４） ， ３
４２−３４５ （１９８８）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/316
Claims (6)
- 【請求項１】 ３２〜９８％のＢａＴｉＯ3 と、 ２〜６０％の亜鉛バリウムほう酸塩フリットと、 ０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを、重量％でもって含むことを
特徴とするキャパシタ誘電体厚膜組成物。 - 【請求項２】 ３２〜９２％のＢａＴｉＯ3 と、 ８〜６０％の亜鉛バリウムほう酸塩フリットと、 ０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを、重量％でもって含むことを
特徴とする請求項１に記載のキャパシタ誘電体厚膜組成
物。 - 【請求項３】 ４２〜９６％のＢａＴｉＯ3 と、 ４〜５０％の亜鉛バリウムほう酸塩フリットと、 ０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを、重量％でもって含むことを
特徴とする請求項１に記載のキャパシタ誘電体厚膜組成
物。 - 【請求項４】 ５２〜９８％のＢａＴｉＯ3 と、 ２〜４０％の亜鉛バリウムほう酸塩フリットと、 ０〜８％のＢｉ2 Ｏ3 とを、重量％でもって含むことを
特徴とする請求項１に記載のキャパシタ誘電体厚膜組成
物。 - 【請求項５】 前記Ｂｉ2 Ｏ3 の重量％は、０．５〜５
％であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか
一項に記載のキャパシタ誘電体厚膜組成物。 - 【請求項６】 前記亜鉛バリウムほう酸塩フリットは２
ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 であることを特徴とする請求
項１ないし４のいずれか一項に記載のキャパシタ誘電体
厚膜組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/671,868 | 1996-06-28 | ||
| US08/671,868 US5780375A (en) | 1993-10-19 | 1996-06-28 | Thick film composition for modifying the electrical properties of a dielectric layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149947A true JPH10149947A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=24696199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9175055A Pending JPH10149947A (ja) | 1996-06-28 | 1997-06-30 | キャパシタ誘電体厚膜組成物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5780375A (ja) |
| EP (1) | EP0817215B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10149947A (ja) |
| KR (1) | KR980005071A (ja) |
| CN (1) | CN1170946A (ja) |
| DE (1) | DE69726056T2 (ja) |
| TW (1) | TW343341B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014239226A (ja) * | 2011-03-18 | 2014-12-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ、誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100379771B1 (ko) * | 2000-10-06 | 2003-04-11 | 한국과학기술연구원 | 고분자 물질을 이용한 유전체 후막 제조 방법 |
| TWI291936B (ja) * | 2001-05-31 | 2008-01-01 | Tdk Corp | |
| DE60220687T2 (de) | 2001-10-01 | 2007-12-27 | Heraeus, Inc. | Ungesintertes niedertemperaturglaskeramikband für elektronische mikrobauteile, verfahren zur herstellung und verwendung |
| US6517931B1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-02-11 | Ferro Corporation | Silver ink for forming electrodes |
| TWI223817B (en) * | 2002-11-08 | 2004-11-11 | Ind Tech Res Inst | Dielectric material compositions with high dielectric constant and low dielectric loss |
| US7394071B2 (en) * | 2004-12-20 | 2008-07-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Micro column electron beam apparatus formed in low temperature co-fired ceramic substrate |
| DE102005061832A1 (de) | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Hochdruckentladungslampe mit verbesserter Zündfähigkeit sowie Hochspannungspulsgenerator |
| JP5067541B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-11-07 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物、複合電子部品および積層セラミックコンデンサ |
| US20090034156A1 (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Takuya Yamamoto | Composite sheet |
| JP5668569B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-02-12 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
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|---|---|---|---|---|
| US4020536A (en) * | 1973-05-04 | 1977-05-03 | Cuttill William E | Method of constructing credit cards for automatic vending equipment and credit purchase systems |
| US3878443A (en) * | 1973-07-27 | 1975-04-15 | Gen Electric | Capacitor with glass bonded ceramic dielectric |
| US3968412A (en) * | 1973-07-27 | 1976-07-06 | General Electric Company | Thick film capacitor |
| US4101952A (en) * | 1976-08-17 | 1978-07-18 | Sprague Electric Company | Monolithic base-metal glass-ceramic capacitor |
| CA1115212A (en) * | 1978-02-10 | 1981-12-29 | Emilio Kyburz | Pyrrolidine derivatives |
| USH416H (en) * | 1981-08-31 | 1988-01-05 | Rogers Corporation | High capacitance flexible circuit |
| FR2522870A1 (fr) * | 1982-03-02 | 1983-09-09 | Europ Composants Electron | Composition ceramique dielectrique a base de titanate de baryum stable en fonction de la temperature et condensateur utilisant cette composition |
| US4613648A (en) * | 1984-03-29 | 1986-09-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Castable ceramic compositions |
| US4567542A (en) * | 1984-04-23 | 1986-01-28 | Nec Corporation | Multilayer ceramic substrate with interlayered capacitor |
| US4654095A (en) * | 1985-03-25 | 1987-03-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
| US4640905A (en) * | 1985-05-01 | 1987-02-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric compositions |
| US4898844A (en) * | 1986-07-14 | 1990-02-06 | Sprague Electric Company | Process for manufacturing a ceramic body having multiple barium-titanate phases |
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| US4766027A (en) * | 1987-01-13 | 1988-08-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for making a ceramic multilayer structure having internal copper conductors |
| US4845062A (en) * | 1987-10-19 | 1989-07-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low-firing dielectric composition |
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| US5085720A (en) * | 1990-01-18 | 1992-02-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for reducing shrinkage during firing of green ceramic bodies |
| US5055966A (en) * | 1990-12-17 | 1991-10-08 | Hughes Aircraft Company | Via capacitors within multi-layer, 3 dimensional structures/substrates |
| US5185690A (en) * | 1991-10-16 | 1993-02-09 | Miller Mark L | High dielectric constant sheet material |
| US5396397A (en) * | 1992-09-24 | 1995-03-07 | Hughes Aircraft Company | Field control and stability enhancement in multi-layer, 3-dimensional structures |
| US5428499A (en) * | 1993-01-28 | 1995-06-27 | Storage Technology Corporation | Printed circuit board having integrated decoupling capacitive core with discrete elements |
-
1996
- 1996-06-28 US US08/671,868 patent/US5780375A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-25 TW TW086103760A patent/TW343341B/zh active
- 1997-06-11 DE DE69726056T patent/DE69726056T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-11 EP EP97109443A patent/EP0817215B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-27 KR KR1019970028108A patent/KR980005071A/ko active IP Right Grant
- 1997-06-27 CN CN97114044A patent/CN1170946A/zh active Pending
- 1997-06-30 JP JP9175055A patent/JPH10149947A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JP2014239226A (ja) * | 2011-03-18 | 2014-12-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ、誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1170946A (zh) | 1998-01-21 |
| DE69726056D1 (de) | 2003-12-18 |
| EP0817215B1 (en) | 2003-11-12 |
| KR980005071A (ko) | 1998-03-30 |
| EP0817215A3 (en) | 1999-04-21 |
| EP0817215A2 (en) | 1998-01-07 |
| TW343341B (en) | 1998-10-21 |
| DE69726056T2 (de) | 2004-08-26 |
| US5780375A (en) | 1998-07-14 |
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