JPH10145071A - Ｅｍｃ対策構造 - Google Patents
Ｅｍｃ対策構造Info
- Publication number
- JPH10145071A JPH10145071A JP29623796A JP29623796A JPH10145071A JP H10145071 A JPH10145071 A JP H10145071A JP 29623796 A JP29623796 A JP 29623796A JP 29623796 A JP29623796 A JP 29623796A JP H10145071 A JPH10145071 A JP H10145071A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chassis
- emc
- countermeasure structure
- screws
- piercing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シールド体をシャーシに取り付けるネジを削
減するとともに、シールド効果の良いＥＭＣ対策構造を
提供する。 【解決手段】 電子機器のシャーシ２上に取り付けた回
路基板３から発生する電磁波ノイズをシールドしてＥＭ
Ｃ対策を行うために、電磁波ノイズの発生源となる回路
基板３を底部を開放し箱型のシールド体１で覆って、シ
ャーシ２にネジ４、４、・・でネジ止めしている。ネジ
４、４、・・は、その一部例えば箱形のシールド体１の
角部にのみ残して、他の部分にはシールド体１のビス止
め部を下方に凸部を持つように半抜きした複数のハーフ
ピアス５、５、・・を設ける。ハーフピアス５の凸量Ｌ
１は、ハーフピアス１と接合するシャーシ２の部分が平
面のとき、略０．２から０．３ｍｍとする。
減するとともに、シールド効果の良いＥＭＣ対策構造を
提供する。 【解決手段】 電子機器のシャーシ２上に取り付けた回
路基板３から発生する電磁波ノイズをシールドしてＥＭ
Ｃ対策を行うために、電磁波ノイズの発生源となる回路
基板３を底部を開放し箱型のシールド体１で覆って、シ
ャーシ２にネジ４、４、・・でネジ止めしている。ネジ
４、４、・・は、その一部例えば箱形のシールド体１の
角部にのみ残して、他の部分にはシールド体１のビス止
め部を下方に凸部を持つように半抜きした複数のハーフ
ピアス５、５、・・を設ける。ハーフピアス５の凸量Ｌ
１は、ハーフピアス１と接合するシャーシ２の部分が平
面のとき、略０．２から０．３ｍｍとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テレビ等のＥＭＣ
（Electro Magnetic Compatibility）対策として使用す
る、組立が容易でシールド効果の良いＥＭＣ対策構造に
関する。
（Electro Magnetic Compatibility）対策として使用す
る、組立が容易でシールド効果の良いＥＭＣ対策構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のＥＭＣ対策構造の１例の
斜視図である。電子機器のシャーシ２上に取り付けた回
路基板３から発生する電磁波ノイズをシールドしてＥＭ
Ｃ対策を行うために、電磁波ノイズの発生源となる回路
基板３を底部を開放し箱型のシールド体２１で覆って、
シャーシ２にネジ４、４、・・でネジ止めしている。こ
のような構造では、シールド体２１によるシールド効果
を良くするためにシールド体２１をシャーシ２に取り付
けるネジ４を増やしてシールド体とシャーシとの電磁的
な接合を良好に保つ必要があった。しかし、取付用のネ
ジが増えると、部品数が多くなるばかりでなく、ネジを
取り付けるための締結作業も増大し、作業が煩雑となる
という問題があった。
斜視図である。電子機器のシャーシ２上に取り付けた回
路基板３から発生する電磁波ノイズをシールドしてＥＭ
Ｃ対策を行うために、電磁波ノイズの発生源となる回路
基板３を底部を開放し箱型のシールド体２１で覆って、
シャーシ２にネジ４、４、・・でネジ止めしている。こ
のような構造では、シールド体２１によるシールド効果
を良くするためにシールド体２１をシャーシ２に取り付
けるネジ４を増やしてシールド体とシャーシとの電磁的
な接合を良好に保つ必要があった。しかし、取付用のネ
ジが増えると、部品数が多くなるばかりでなく、ネジを
取り付けるための締結作業も増大し、作業が煩雑となる
という問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みなされたもので、シールド体をシャーシに取り付け
るネジを削減するとともに、シールド効果の良いＥＭＣ
対策構造を提供することを目的とする。
鑑みなされたもので、シールド体をシャーシに取り付け
るネジを削減するとともに、シールド効果の良いＥＭＣ
対策構造を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】電子機器のシャーシ上に
取り付けた回路基板等の電磁波ノイズの発生源を底部を
開放した箱型のシールド体で覆って前記シャーシにネジ
止めしてＥＭＣ対策を行うＥＭＣ対策構造において、ネ
ジ止めのネジの一部をハーフピアスに代えてシールド体
とシャーシを電磁的に接合させて、シールド体を取り付
けるネジを削減するとともに、シールド効果を良好に保
つようにする。
取り付けた回路基板等の電磁波ノイズの発生源を底部を
開放した箱型のシールド体で覆って前記シャーシにネジ
止めしてＥＭＣ対策を行うＥＭＣ対策構造において、ネ
ジ止めのネジの一部をハーフピアスに代えてシールド体
とシャーシを電磁的に接合させて、シールド体を取り付
けるネジを削減するとともに、シールド効果を良好に保
つようにする。
【０００５】
【発明の実施の形態】電子機器のシャーシ上に取り付け
た回路基板等の電磁波ノイズの発生源を底部を開放した
箱型のシールド体で覆って前記シャーシにネジ止めして
ＥＭＣ対策を行うＥＭＣ対策構造において、前記ネジ止
めのネジの一部をハーフピアスに代えて前記シールド体
とシャーシを電磁的に接合させる。
た回路基板等の電磁波ノイズの発生源を底部を開放した
箱型のシールド体で覆って前記シャーシにネジ止めして
ＥＭＣ対策を行うＥＭＣ対策構造において、前記ネジ止
めのネジの一部をハーフピアスに代えて前記シールド体
とシャーシを電磁的に接合させる。
【０００６】前記ハーフピアスの凸量は略０．２から
０．３ｍｍとする。
０．３ｍｍとする。
【０００７】前記ハーフピアスの凸部の直径は、略２か
ら３ｍｍとする。
ら３ｍｍとする。
【０００８】前記ハーフピアスとハーフピアスの間の間
隔は略１０から２０ｍｍとする。
隔は略１０から２０ｍｍとする。
【０００９】前記ハーフピアスと接合する部分には、同
ハーフピアスを受ける穴を開口する。
ハーフピアスを受ける穴を開口する。
【００１０】前記ハーフピアスを受ける穴の直径は、前
記ハーフピアスの凸部の直径より僅かに小さくする。
記ハーフピアスの凸部の直径より僅かに小さくする。
【００１１】前記シールド体は錫メッキ鋼板（SPTE）で
構成する。
構成する。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明によるＥＭＣ対策構造の１実
施例の（Ａ）斜視図、（Ｂ）同図ｃーｃ断面図である。
上記と同様に、電子機器のシャーシ２上に取り付けた回
路基板３から発生する電磁波ノイズをシールドしてＥＭ
Ｃ対策を行うために、電磁波ノイズの発生源となる回路
基板３を底部を開放した箱型のシールド体１で覆って、
シャーシ２にネジ４、４、・・でネジ止めしている。ネ
ジ４、４、・・は、その一部例えば箱形のシールド体１
の角部にのみ残して、他の部分にはシールド体１のビス
止め部を下方に凸部を持つように半抜きした複数のハー
フピアス５、５、・・を設ける。ハーフピアス５の凸量
Ｌ１は、ハーフピアス１と接合するシャーシ２の部分が
平面のとき、略０．２から０．３ｍｍとする。また、ハ
ーフピアス５の凸部の直径Ｄ１は、略２から３ｍｍとす
る。ハーフピアスとハーフピアスの間の間隔は、シール
ドする電磁波ノイズの周波数にもよるが、一般の電子機
器においては、略１０から２０ｍｍとする。
施例の（Ａ）斜視図、（Ｂ）同図ｃーｃ断面図である。
上記と同様に、電子機器のシャーシ２上に取り付けた回
路基板３から発生する電磁波ノイズをシールドしてＥＭ
Ｃ対策を行うために、電磁波ノイズの発生源となる回路
基板３を底部を開放した箱型のシールド体１で覆って、
シャーシ２にネジ４、４、・・でネジ止めしている。ネ
ジ４、４、・・は、その一部例えば箱形のシールド体１
の角部にのみ残して、他の部分にはシールド体１のビス
止め部を下方に凸部を持つように半抜きした複数のハー
フピアス５、５、・・を設ける。ハーフピアス５の凸量
Ｌ１は、ハーフピアス１と接合するシャーシ２の部分が
平面のとき、略０．２から０．３ｍｍとする。また、ハ
ーフピアス５の凸部の直径Ｄ１は、略２から３ｍｍとす
る。ハーフピアスとハーフピアスの間の間隔は、シール
ドする電磁波ノイズの周波数にもよるが、一般の電子機
器においては、略１０から２０ｍｍとする。
【００１３】ハーフピアス１と接合するシャーシ２の部
分は、平面としても良いが、ハーフピアス５を受ける穴
６を開口することもできる。このとき、ハーフピアス５
を受ける穴６の直径Ｄ２は、ハーフピアス５の凸部の直
径Ｄ１より僅かに小さくする。シールド体は錫メッキ鋼
板（SPTE）で構成することができる。なお、上記では、
ハーフピアス５はシールド体１の取付部に設けることと
したが、反対にシャーシ側に設けることもできる。
分は、平面としても良いが、ハーフピアス５を受ける穴
６を開口することもできる。このとき、ハーフピアス５
を受ける穴６の直径Ｄ２は、ハーフピアス５の凸部の直
径Ｄ１より僅かに小さくする。シールド体は錫メッキ鋼
板（SPTE）で構成することができる。なお、上記では、
ハーフピアス５はシールド体１の取付部に設けることと
したが、反対にシャーシ側に設けることもできる。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載するような効果を奏する。
施され、以下に記載するような効果を奏する。
【００１５】電子機器のシャーシ上に取り付けた回路基
板等の電磁波ノイズの発生源を底部を開放した箱型のシ
ールド体で覆って前記シャーシにネジ止めしてＥＭＣ対
策を行うＥＭＣ対策構造において、ネジ止めのネジの一
部をハーフピアスに代えてシールド体とシャーシを電磁
的に接合させようにすることにより、シールド効果を良
好に保ったままで、シールド体をシャーシに取り付ける
ネジを削減することができるため、取付ネジの締結作業
が短縮されて作業能率が上がる。また、部品の数が削減
できるため経済的である。
板等の電磁波ノイズの発生源を底部を開放した箱型のシ
ールド体で覆って前記シャーシにネジ止めしてＥＭＣ対
策を行うＥＭＣ対策構造において、ネジ止めのネジの一
部をハーフピアスに代えてシールド体とシャーシを電磁
的に接合させようにすることにより、シールド効果を良
好に保ったままで、シールド体をシャーシに取り付ける
ネジを削減することができるため、取付ネジの締結作業
が短縮されて作業能率が上がる。また、部品の数が削減
できるため経済的である。
【００１６】前記ハーフピアスの凸量は略０．２から
０．３ｍｍとすることで、ハーブピアスに接合する部分
が平面でも、良好な電磁的接触が可能となる。
０．３ｍｍとすることで、ハーブピアスに接合する部分
が平面でも、良好な電磁的接触が可能となる。
【００１７】前記ハーフピアスの凸部の直径は、略２か
ら３ｍｍとすることで、凸量が略０．２から０．３ｍｍ
のハーフピアスが作業性良く作製できる。
ら３ｍｍとすることで、凸量が略０．２から０．３ｍｍ
のハーフピアスが作業性良く作製できる。
【００１８】前記ハーフピアスとハーフピアスの間の間
隔は略１０から２０ｍｍとすることで、一般の電子機器
における電磁波ノイズを有効にシールドできる。
隔は略１０から２０ｍｍとすることで、一般の電子機器
における電磁波ノイズを有効にシールドできる。
【００１９】前記ハーフピアスと接合する部分には、同
ハーフピアスを受ける穴を開口することで、シールド体
の取り付けの際の位置合わせが容易となり作業性が増
す。
ハーフピアスを受ける穴を開口することで、シールド体
の取り付けの際の位置合わせが容易となり作業性が増
す。
【００２０】前記ハーフピアスを受ける穴の直径は、前
記ハーフピアスの凸部の直径より僅かに小さくすること
で、シールド体とシャーシの接合が良くなる。
記ハーフピアスの凸部の直径より僅かに小さくすること
で、シールド体とシャーシの接合が良くなる。
【００２１】前記シールド体は錫メッキ鋼板（SPTE）で
構成することで、ハーフピアスの作製が容易な経済的な
シールド体が得られる。
構成することで、ハーフピアスの作製が容易な経済的な
シールド体が得られる。
【図１】本発明によるＥＭＣ対策構造の１実施例の
（Ａ）斜視図、（Ｂ）同図ｃーｃ断面図である。
（Ａ）斜視図、（Ｂ）同図ｃーｃ断面図である。
【図２】従来のＥＭＣ対策構造の１例の斜視図である。
１、２１ シールド体 ２ シャーシ ３ 回路基板 ４ ネジ ５ ハーフピアス ６ 穴
Claims (7)
- 【請求項１】 電子機器のシャーシ上に取り付けた回路
基板等の電磁波ノイズの発生源を底部を開放した箱型の
シールド体で覆って前記シャーシにネジ止めしてＥＭＣ
（Electro Magnetic Compatibility）対策を行うＥＭＣ
対策構造において、前記ネジ止めのネジの一部を複数の
ハーフピアスに代えて前記シールド体とシャーシを電磁
的に接合させることを特徴としたＥＭＣ対策構造。 - 【請求項２】 前記ハーフピアスの凸量は略０．２から
０．３ｍｍとすることを特徴とした請求項１記載のＥＭ
Ｃ対策構造。 - 【請求項３】 前記ハーフピアスの凸部の直径は、略２
から３ｍｍとすることを特徴とした請求項１記載のＥＭ
Ｃ対策構造。 - 【請求項４】 前記ハーフピアスとハーフピアスの間の
間隔は略１０から２０ｍｍとすることを特徴とした請求
項１記載のＥＭＣ対策構造。 - 【請求項５】 前記ハーフピアスと接合する部分には、
同ハーフピアスを受ける穴を開口することを特徴とした
請求項１記載のＥＭＣ対策構造。 - 【請求項６】 前記ハーフピアスを受ける穴の直径は、
前記ハーフピアスの凸部の直径より僅かに小さいことを
特徴とした請求項５記載のＥＭＣ対策構造。 - 【請求項７】 前記シールド体は錫メッキ鋼板（SPTE）
で構成することを特徴とした請求項１記載のＥＭＣ対策
構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29623796A JPH10145071A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Ｅｍｃ対策構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29623796A JPH10145071A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Ｅｍｃ対策構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10145071A true JPH10145071A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17830965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29623796A Pending JPH10145071A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Ｅｍｃ対策構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10145071A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008287261A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Samsung Sdi Co Ltd | シャーシベース組立体及びそれを備えるディスプレイ装置 |
| CN103648261A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-03-19 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种机箱屏蔽方法 |
-
1996
- 1996-11-08 JP JP29623796A patent/JPH10145071A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008287261A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Samsung Sdi Co Ltd | シャーシベース組立体及びそれを備えるディスプレイ装置 |
| CN103648261A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-03-19 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种机箱屏蔽方法 |
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