JPH10135215A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JPH10135215A JPH10135215A JP28645296A JP28645296A JPH10135215A JP H10135215 A JPH10135215 A JP H10135215A JP 28645296 A JP28645296 A JP 28645296A JP 28645296 A JP28645296 A JP 28645296A JP H10135215 A JPH10135215 A JP H10135215A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッシベーション膜を用いずにウエハの上面
に電気めっきを行ってバンプを形成する方法を提供す
る。 【解決手段】 ウエハ１０の上面にパッド部を露出させ
る第１開口部を有する第１レジスト層を形成する工程
と、第１開口部に露出したパッド部上にアンダーバンプ
メタル（ＵＢＭ）層18b,18c,18d,18e を形成する工程
と、第１レジスト層を除去した後、アンダーバンプメタ
ル層を露出する第２開口部19a,19b,19c,19d を有する第
２レジスト層20をウエハの上面に形成する工程と、アン
ダーバンプメタル層上に電気めっきを行ってバンプを形
成する工程とを含む。
に電気めっきを行ってバンプを形成する方法を提供す
る。 【解決手段】 ウエハ１０の上面にパッド部を露出させ
る第１開口部を有する第１レジスト層を形成する工程
と、第１開口部に露出したパッド部上にアンダーバンプ
メタル（ＵＢＭ）層18b,18c,18d,18e を形成する工程
と、第１レジスト層を除去した後、アンダーバンプメタ
ル層を露出する第２開口部19a,19b,19c,19d を有する第
２レジスト層20をウエハの上面に形成する工程と、アン
ダーバンプメタル層上に電気めっきを行ってバンプを形
成する工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、パッシベーショ
ン膜を用いずにウエハの上面に電気めっきを行ってバン
プを形成する方法に関するものである。
ン膜を用いずにウエハの上面に電気めっきを行ってバン
プを形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ素
子の電極パターンのパッド部にバンプを形成する方法と
しては、文献Ｉ（ＩＭＥＴ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ １９
９３、ＪＡＰＡＮ ｐ．１１０、ｐ．１１１）及び文献
ＩＩ（信学技報 ＣＰＭ９５−３４、１９９５−０７、
ｐ．４９）に開示された方法がある。
子の電極パターンのパッド部にバンプを形成する方法と
しては、文献Ｉ（ＩＭＥＴ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ １９
９３、ＪＡＰＡＮ ｐ．１１０、ｐ．１１１）及び文献
ＩＩ（信学技報 ＣＰＭ９５−３４、１９９５−０７、
ｐ．４９）に開示された方法がある。
【０００３】文献Ｉ及び文献ＩＩに開示されているバン
プ形成方法は、いずれもウエハ上に形成されたＡｌ電極
パターンに設けたパッド部に、スタッドバンプを形成
し、その後、スタッドバンプの高さのバラツキを修正す
るため、平坦化加工を行ってバンプ高さを揃える。その
後、ＳＡＷフィルタ素子と支持体とを電気的に接続す
る。上述した従来のバンプ形成方法では、１つのチップ
毎にバンプ高さを平坦にするため生産効率が低下すると
いう問題がある。
プ形成方法は、いずれもウエハ上に形成されたＡｌ電極
パターンに設けたパッド部に、スタッドバンプを形成
し、その後、スタッドバンプの高さのバラツキを修正す
るため、平坦化加工を行ってバンプ高さを揃える。その
後、ＳＡＷフィルタ素子と支持体とを電気的に接続す
る。上述した従来のバンプ形成方法では、１つのチップ
毎にバンプ高さを平坦にするため生産効率が低下すると
いう問題がある。
【０００４】また、パッド部にスタッドバンプを形成す
る方法は、ワイヤボンデイングで１個づつパッド部にバ
ンプを形成しているので、生産効率が悪い。また、バン
プとしてワイヤを使用しているので、バンプ径がどうし
ても大きくなり、このためＳＡＷフィルタ部品を製作す
る上で小型化できないという問題がある。
る方法は、ワイヤボンデイングで１個づつパッド部にバ
ンプを形成しているので、生産効率が悪い。また、バン
プとしてワイヤを使用しているので、バンプ径がどうし
ても大きくなり、このためＳＡＷフィルタ部品を製作す
る上で小型化できないという問題がある。
【０００５】スタッドバンプ法に代わるバンプ形成方法
としては、文献ＩＩＩ（月刊セミコンダクターワール
ド、１９９０年増刊号、ｐ．２２９）に開示されている
電気めっきを行ってバンプを形成する方法とか文献ＩＶ
（ＩＳＨＭ、 '９３Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ、ｐ．４４
０）に開示されている無電解めっきを行ってバンプを形
成する方法等がある。
としては、文献ＩＩＩ（月刊セミコンダクターワール
ド、１９９０年増刊号、ｐ．２２９）に開示されている
電気めっきを行ってバンプを形成する方法とか文献ＩＶ
（ＩＳＨＭ、 '９３Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ、ｐ．４４
０）に開示されている無電解めっきを行ってバンプを形
成する方法等がある。
【０００６】しかし、無電解めっき法ではＡｌ電極とバ
ンプとの密着強度がスタッドバンプ法や電気めっき法に
比べて劣り、バンプ自体の電気抵抗も高いという問題が
あるので、好ましくない。
ンプとの密着強度がスタッドバンプ法や電気めっき法に
比べて劣り、バンプ自体の電気抵抗も高いという問題が
あるので、好ましくない。
【０００７】文献ＩＩＩに開示されている電気めっき法
によれば、ウエハ（Ｓｉウエハ）上にシリコン酸化（Ｓ
ｉＯ2 ）膜を形成し、このシリコン酸化膜上に電極パタ
ーン（Ａｌ電極）を形成する。その後、上記電極パター
ン及びシリコン酸化膜を保護するため、電極パターンの
上面のみを露出させ、その他の領域を保護膜（パッシベ
ーション膜）で覆う。
によれば、ウエハ（Ｓｉウエハ）上にシリコン酸化（Ｓ
ｉＯ2 ）膜を形成し、このシリコン酸化膜上に電極パタ
ーン（Ａｌ電極）を形成する。その後、上記電極パター
ン及びシリコン酸化膜を保護するため、電極パターンの
上面のみを露出させ、その他の領域を保護膜（パッシベ
ーション膜）で覆う。
【０００８】更に、バンプと電極パターンとの密着性を
良くしかつ拡散を防止するため、パッシベーション膜及
び電極パターンの上面全体にアンダーバンプメタル（Ｕ
ＢＭ）層を形成する。
良くしかつ拡散を防止するため、パッシベーション膜及
び電極パターンの上面全体にアンダーバンプメタル（Ｕ
ＢＭ）層を形成する。
【０００９】次に、ＵＢＭ層上にレジストを塗布した
後、フォトリソグラフィ法を用いてパッド部に開口部を
有するレジスト層を形成する。その後、ＵＢＭ層を給電
膜に用いて金（Ａｕ）の電気めっきを行ってパッド部上
にＡｕバンプを形成する。その後、レジスト層を除去
し、パッシベーション膜上に露出しているＵＢＭ層をエ
ッチング除去する。このような一連の工程を経てウエハ
の上側にＡｕバンプを形成する。
後、フォトリソグラフィ法を用いてパッド部に開口部を
有するレジスト層を形成する。その後、ＵＢＭ層を給電
膜に用いて金（Ａｕ）の電気めっきを行ってパッド部上
にＡｕバンプを形成する。その後、レジスト層を除去
し、パッシベーション膜上に露出しているＵＢＭ層をエ
ッチング除去する。このような一連の工程を経てウエハ
の上側にＡｕバンプを形成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＡＷ
フィルタのようにウエハ上面にパッシベーション膜がな
い素子には、上面に給電膜としてのアンダーバンプメタ
ル層を直接形成することはできない。このため、従来は
パッシベーション膜のない素子に対して電気めっき法に
よるバンプ形成が行われていなかった。
フィルタのようにウエハ上面にパッシベーション膜がな
い素子には、上面に給電膜としてのアンダーバンプメタ
ル層を直接形成することはできない。このため、従来は
パッシベーション膜のない素子に対して電気めっき法に
よるバンプ形成が行われていなかった。
【００１１】そこで、パッシベーション膜を形成せずに
電気めっきを行ってバンプを形成する方法の実現が望ま
れていた。
電気めっきを行ってバンプを形成する方法の実現が望ま
れていた。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このため、この発明のバ
ンプ形成方法によれば、ウエハの上面に設けた電極パタ
ーンのパッド部にバンプを形成するに当たり、（ａ）ウ
エハの上面にパッド部を露出させる第１開口部を有する
第１レジスト層を形成する工程と、（ｂ）第１開口部に
露出したパッド部上にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）
層を形成する工程と、（ｃ）第１レジスト層を除去した
後、アンダーバンプメタル層を露出する第２開口部を有
する第２レジスト層をウエハの上面に形成する工程と、
（ｄ）電気めっきを行ってアンダーバンプメタル層上に
バンプを形成する工程とを含むことを特徴とする。
ンプ形成方法によれば、ウエハの上面に設けた電極パタ
ーンのパッド部にバンプを形成するに当たり、（ａ）ウ
エハの上面にパッド部を露出させる第１開口部を有する
第１レジスト層を形成する工程と、（ｂ）第１開口部に
露出したパッド部上にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）
層を形成する工程と、（ｃ）第１レジスト層を除去した
後、アンダーバンプメタル層を露出する第２開口部を有
する第２レジスト層をウエハの上面に形成する工程と、
（ｄ）電気めっきを行ってアンダーバンプメタル層上に
バンプを形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】この発明では、第１開口部を有するレジス
ト層を用いて予め電極パターンのパッド部にアンダーバ
ンプメタル層（以下ＵＢＭ層という）を形成しておき、
このＵＢＭ層を露出する第２開口部を有する第２レジス
ト層を形成した構造体をめっき溶液に浸漬させパッド部
側を陰極にして、電気めっきを行ってＵＢＭ層上にバン
プを形成する。
ト層を用いて予め電極パターンのパッド部にアンダーバ
ンプメタル層（以下ＵＢＭ層という）を形成しておき、
このＵＢＭ層を露出する第２開口部を有する第２レジス
ト層を形成した構造体をめっき溶液に浸漬させパッド部
側を陰極にして、電気めっきを行ってＵＢＭ層上にバン
プを形成する。
【００１４】このため、ウエハに対し電気めっきによる
電解処理を施しても第２レジスト層が保護膜となるた
め、ウエハ上面に電極パターンが形成された素子、例え
ば弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタの特性を劣化させるこ
とはなくなる。
電解処理を施しても第２レジスト層が保護膜となるた
め、ウエハ上面に電極パターンが形成された素子、例え
ば弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタの特性を劣化させるこ
とはなくなる。
【００１５】また、電気めっきを行ってＵＢＭ層上にバ
ンプを形成するため、バンプの高さのバラツキが従来の
スタッドバンプに比べ、小さくなる。このため、バンプ
高さの平坦化加工が必要なくなる。
ンプを形成するため、バンプの高さのバラツキが従来の
スタッドバンプに比べ、小さくなる。このため、バンプ
高さの平坦化加工が必要なくなる。
【００１６】また、第２レジスト層の第２開口部をリソ
グラフィ技術を用いて形成するので、第２開口部の形状
を精度良くかつ小型に形成することができる。したがっ
て、この発明では、バンプ径（直径）を従来のスタッド
バンプ法のバンプ径に比べ、小さくできるので、ＳＡＷ
フィルタ部品の小型化が可能となる。
グラフィ技術を用いて形成するので、第２開口部の形状
を精度良くかつ小型に形成することができる。したがっ
て、この発明では、バンプ径（直径）を従来のスタッド
バンプ法のバンプ径に比べ、小さくできるので、ＳＡＷ
フィルタ部品の小型化が可能となる。
【００１７】また、この発明では、好ましくは、ＵＢＭ
層を形成するための第１レジスト層の第１開口部の断面
形状を逆テーパ状に形成するのが良い。
層を形成するための第１レジスト層の第１開口部の断面
形状を逆テーパ状に形成するのが良い。
【００１８】このように、第１レジスト層の第１開口部
の断面形状を逆テーパ状に形成することにより、ＵＢＭ
層を蒸着法を用いて形成したとき、第１レジスト層の上
面に形成されたＵＢＭ層とパッド部上に形成されたＵＢ
Ｍ層とが段切れされるので、第１開口部の部分で容易に
ＵＢＭ層を分離することができる。
の断面形状を逆テーパ状に形成することにより、ＵＢＭ
層を蒸着法を用いて形成したとき、第１レジスト層の上
面に形成されたＵＢＭ層とパッド部上に形成されたＵＢ
Ｍ層とが段切れされるので、第１開口部の部分で容易に
ＵＢＭ層を分離することができる。
【００１９】また、この発明では、好ましくはパッド部
に接続された給電用配線パターンを、電極パターンと同
時に形成するのが良い。
に接続された給電用配線パターンを、電極パターンと同
時に形成するのが良い。
【００２０】このように、配線パターンをウエハの上面
に形成することにより、電気めっきを行うとき、この配
線パターンを給電膜として使用することができる。
に形成することにより、電気めっきを行うとき、この配
線パターンを給電膜として使用することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
バンプ形成方法の実施の形態につき説明する。なお、こ
の発明では、ウエハ上にパッシベーション膜を形成しな
い弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ素子のバンプ形成方法
を例に取って詳細に説明する。図１〜図５は、この発明
が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置
関係を概略的に示してあるにすぎない。また、図１の
（Ａ）及び（Ｃ）、図２の（Ｂ）及び図３の（Ａ）に示
すハッチング線は断面を表わすのではなく、図を分かり
やすくするために付した斜線である。
バンプ形成方法の実施の形態につき説明する。なお、こ
の発明では、ウエハ上にパッシベーション膜を形成しな
い弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ素子のバンプ形成方法
を例に取って詳細に説明する。図１〜図５は、この発明
が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置
関係を概略的に示してあるにすぎない。また、図１の
（Ａ）及び（Ｃ）、図２の（Ｂ）及び図３の（Ａ）に示
すハッチング線は断面を表わすのではなく、図を分かり
やすくするために付した斜線である。
【００２２】［弾性表面波フィルタの構造説明］弾性表
面波フィルタ（以下ＳＡＷフィルタという）のバンプ形
成方法の説明に先立ち、図５を参照して、ＳＡＷフィル
タの構造につき説明する。なお、図５は、ＳＡＷフィル
タの構造を説明するための斜視図である。
面波フィルタ（以下ＳＡＷフィルタという）のバンプ形
成方法の説明に先立ち、図５を参照して、ＳＡＷフィル
タの構造につき説明する。なお、図５は、ＳＡＷフィル
タの構造を説明するための斜視図である。
【００２３】ＳＡＷフィルタ２４は、１つのチップの圧
電基板１０上に２組の相対向する電極パターン１３ａ及
び１３ｂと１３ｃ及び１３ｄとを具えている。ここで
は、電極パターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃ及び１３ｄの
パッド部を１２ａ，１２ｄ，１２ｅ及び１２ｈの符号で
示し、電極パターン部を１２ｂ，１２ｃ，１２ｆ及び１
２ｇで示す。
電基板１０上に２組の相対向する電極パターン１３ａ及
び１３ｂと１３ｃ及び１３ｄとを具えている。ここで
は、電極パターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃ及び１３ｄの
パッド部を１２ａ，１２ｄ，１２ｅ及び１２ｈの符号で
示し、電極パターン部を１２ｂ，１２ｃ，１２ｆ及び１
２ｇで示す。
【００２４】次に、図１〜図４を参照して、図５のＳＡ
Ｗフィルタのパッド部上にバンプを形成する方法につき
説明する。なお、図１〜図３は、ＳＡＷフィルタのパッ
ド部にバンプを形成する工程を説明するための平面図、
及びＸ−Ｘ線に沿って切断した位置での断面図であり、
図４はバンプ形成後のバンプ付きＳＡＷフィルタ構造を
説明するための斜視図である。
Ｗフィルタのパッド部上にバンプを形成する方法につき
説明する。なお、図１〜図３は、ＳＡＷフィルタのパッ
ド部にバンプを形成する工程を説明するための平面図、
及びＸ−Ｘ線に沿って切断した位置での断面図であり、
図４はバンプ形成後のバンプ付きＳＡＷフィルタ構造を
説明するための斜視図である。
【００２５】この実施の形態では、ウエハ１０として圧
電基板を用いる。この圧電基板１０上にフォトリソグラ
フィにより２組の相対向する電極パターン１３ａ及び１
３ｂと１３ｃ及び１３ｄとを形成する。また、この電極
パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３ｄに接続され
た配線パターン１４（１４ａ及び１４ｂ）を同時に形成
する（図１の（Ａ）及び（Ｂ））。ここでは、配線パタ
ーン１４の内部に２組の電極パターン１３ａ及び１３ｂ
と１３ｃ及び１３ｄとを示しているが、実際には圧電基
板１０上に複数個の配線パターン１４に接続された電極
パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３ｄが多数配設
されている。なお、ここでは、電極パターン１３ａ，１
３ｂ，１３ｃ及び１３ｄ及び配線パターン１４の材料を
アルミニウム（Ａｌ）とする。したがって、この実施の
形態では、電極パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１
３ｄをＡｌ電極とも称する。
電基板を用いる。この圧電基板１０上にフォトリソグラ
フィにより２組の相対向する電極パターン１３ａ及び１
３ｂと１３ｃ及び１３ｄとを形成する。また、この電極
パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３ｄに接続され
た配線パターン１４（１４ａ及び１４ｂ）を同時に形成
する（図１の（Ａ）及び（Ｂ））。ここでは、配線パタ
ーン１４の内部に２組の電極パターン１３ａ及び１３ｂ
と１３ｃ及び１３ｄとを示しているが、実際には圧電基
板１０上に複数個の配線パターン１４に接続された電極
パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３ｄが多数配設
されている。なお、ここでは、電極パターン１３ａ，１
３ｂ，１３ｃ及び１３ｄ及び配線パターン１４の材料を
アルミニウム（Ａｌ）とする。したがって、この実施の
形態では、電極パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１
３ｄをＡｌ電極とも称する。
【００２６】また、Ａｌ電極１３ａ、１３ｂ，１３ｃ及
び１３ｄの形状を、すだれ状とする。
び１３ｄの形状を、すだれ状とする。
【００２７】次に、圧電基板１０の上面にパッド部１２
ａ，１２ｄ，１２ｅ及び１２ｈを露出させる第１開口部
１５を有する第１レジスト層１６を形成する（図１の
（Ｄ））。このとき、第１開口部１５の断面形状を逆テ
ーパ状に形成する。
ａ，１２ｄ，１２ｅ及び１２ｈを露出させる第１開口部
１５を有する第１レジスト層１６を形成する（図１の
（Ｄ））。このとき、第１開口部１５の断面形状を逆テ
ーパ状に形成する。
【００２８】その後、第１開口部１５に露出したパッド
部１２ａ，１２ｄ，１２ｅ及び１２ｈ上及び第１レジス
ト層１６の上面に、蒸着法を用いてアンダーバンプメタ
ル層（以下ＵＢＭ層という）１８を形成する（図１の
（Ｃ）及び（Ｄ））。なお、図１の（Ｃ）は、第１レジ
スト層１６を除いた状態の基板の平面を示す。
部１２ａ，１２ｄ，１２ｅ及び１２ｈ上及び第１レジス
ト層１６の上面に、蒸着法を用いてアンダーバンプメタ
ル層（以下ＵＢＭ層という）１８を形成する（図１の
（Ｃ）及び（Ｄ））。なお、図１の（Ｃ）は、第１レジ
スト層１６を除いた状態の基板の平面を示す。
【００２９】このとき、第１開口部１５の断面形状が逆
テーパ状に形成されているので、第１レジスト層１６の
上面に形成されたＵＢＭ層１８ａとパッド部１２ａ，１
２ｄ，１２ｅ及び１２ｈ上に形成されたＵＢＭ層１８
ｂ，１８ｃ，１８ｄ及び１８ｅとは、段切れを起こして
分離される。このときのＵＢＭ層１８を形成する成膜条
件を以下の通りとする。
テーパ状に形成されているので、第１レジスト層１６の
上面に形成されたＵＢＭ層１８ａとパッド部１２ａ，１
２ｄ，１２ｅ及び１２ｈ上に形成されたＵＢＭ層１８
ｂ，１８ｃ，１８ｄ及び１８ｅとは、段切れを起こして
分離される。このときのＵＢＭ層１８を形成する成膜条
件を以下の通りとする。
【００３０】 真空度：３×１０-6Ｔｏｒｒ以下 加熱温度：約１１０℃ 蒸着レート：１４０ｍμ／分 このとき得られるＵＢＭ層を例えば接着用金属（クロム
（Ｃｒ））及び拡散バリア金属（金（Ａｕ））の２層構
造（金（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ））とする。なお、ＵＢ
Ｍ層を金（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）の代わりに金（Ａ
ｕ）／ニッケル（Ｎｉ）／クロム（Ｃｒ）によって構成
しても良い。
（Ｃｒ））及び拡散バリア金属（金（Ａｕ））の２層構
造（金（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ））とする。なお、ＵＢ
Ｍ層を金（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）の代わりに金（Ａ
ｕ）／ニッケル（Ｎｉ）／クロム（Ｃｒ）によって構成
しても良い。
【００３１】次に、任意好適な方法により第１レジスト
層１６を除去した後（図２の（Ａ））、ＵＢＭ層１８
（１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ及び１８ｅ）を露出する第２
開口部１９（１９ａ，１９ｂ，１９ｃ及び１９ｄ）を有
する第２レジスト層２０を圧電基板１０の上面に形成す
る（図２の（Ｂ）及び（Ｃ））。
層１６を除去した後（図２の（Ａ））、ＵＢＭ層１８
（１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ及び１８ｅ）を露出する第２
開口部１９（１９ａ，１９ｂ，１９ｃ及び１９ｄ）を有
する第２レジスト層２０を圧電基板１０の上面に形成す
る（図２の（Ｂ）及び（Ｃ））。
【００３２】次に、図２の（Ｂ）及び（Ｃ）の構造体を
めっき溶液中に浸漬して、ＵＢＭ層１８に接続されてい
る配線パターン１４の端子１４ｃ側にマイナス（負）電
圧を印加し、電極板（図示せず）側にプラス（正）電圧
を印加してＵＢＭ層１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ及び１８ｅ
上にバンプ２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ）を
形成する。このときの電気めっきの条件を以下の通りと
する。
めっき溶液中に浸漬して、ＵＢＭ層１８に接続されてい
る配線パターン１４の端子１４ｃ側にマイナス（負）電
圧を印加し、電極板（図示せず）側にプラス（正）電圧
を印加してＵＢＭ層１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ及び１８ｅ
上にバンプ２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ）を
形成する。このときの電気めっきの条件を以下の通りと
する。
【００３３】 めっき液：ノンシアン系中性金（Ａｕ）めっき液 液温 ：６０〜７０℃ ｐＨ ：７．０〜７．４ 電流密度：約１．０アンペア（Ａ）／ｄｍ2 上記の電気めっきによって形成されたバンプは、円柱状
のＡｕバンプとなり、Ａｕバンプの直径は約４０μｍと
なる。
のＡｕバンプとなり、Ａｕバンプの直径は約４０μｍと
なる。
【００３４】上記の電気めっきの条件によりバンプ高さ
のバルツキを測定した結果を以下に述べる。
のバルツキを測定した結果を以下に述べる。
【００３５】６インチ（約１５．２４ｃｍ）のウエハに
２０μｍのバンプ高さを形成した場合、±３μｍのバラ
ツキが生じ、７０μｍのバンプ高さにした場合、±１０
μｍのバラツキが生じた。但し、この測定結果は、１つ
のウエハに１０，０００個のバンプを形成したときの結
果である。また、１つのチップ内では２０μｍのバンプ
高さを形成した場合、±２μｍのバラツキが生じ、７０
μｍのバンプ高さを形成した場合、±５μｍ以内のバラ
ツキが生じた。
２０μｍのバンプ高さを形成した場合、±３μｍのバラ
ツキが生じ、７０μｍのバンプ高さにした場合、±１０
μｍのバラツキが生じた。但し、この測定結果は、１つ
のウエハに１０，０００個のバンプを形成したときの結
果である。また、１つのチップ内では２０μｍのバンプ
高さを形成した場合、±２μｍのバラツキが生じ、７０
μｍのバンプ高さを形成した場合、±５μｍ以内のバラ
ツキが生じた。
【００３６】これに対して、従来のスタッドバンプでは
１つのチップ内のバラツキが文献Ｉのバンプ形成方法の
場合、約５０μｍであり、また、文献ＩＩのバンプ形成
方法の場合、５０μｍのバンプ高さで約±５μｍのバラ
ツキが生じると報告されている。
１つのチップ内のバラツキが文献Ｉのバンプ形成方法の
場合、約５０μｍであり、また、文献ＩＩのバンプ形成
方法の場合、５０μｍのバンプ高さで約±５μｍのバラ
ツキが生じると報告されている。
【００３７】また、従来のスタッドバンプ法により形成
されたバンプ径は、約８０〜１００μｍ程度である。し
たがって、この発明では、バンプ高さのバラツキが従来
に比べ、小さくなると共に、バンプ径を従来に比べ、４
０〜５０％小さくできる。
されたバンプ径は、約８０〜１００μｍ程度である。し
たがって、この発明では、バンプ高さのバラツキが従来
に比べ、小さくなると共に、バンプ径を従来に比べ、４
０〜５０％小さくできる。
【００３８】また、この発明では、図２の（Ｂ）及び
（Ｃ）の構造体をめっき溶液に浸漬しても、構造体の上
面は第２レジスト層２０により覆われているので、圧電
基板１０やこの基板１０上に形成されているＡｌ電極１
３等が劣化されることはなく、したがって、実質的にＳ
ＡＷフィルタとしての特性劣化は生じない。
（Ｃ）の構造体をめっき溶液に浸漬しても、構造体の上
面は第２レジスト層２０により覆われているので、圧電
基板１０やこの基板１０上に形成されているＡｌ電極１
３等が劣化されることはなく、したがって、実質的にＳ
ＡＷフィルタとしての特性劣化は生じない。
【００３９】次に、任意好適な溶剤を用いて第２レジス
ト層２０を除去する（図３の（Ａ）及び（Ｂ））。その
後、圧電基板１０を所定の形状にダイシングしてパッド
部１２ａ，１２ｄ，１２ｅ及び１２ｈ間を接続している
配線パターン１４を切断し、バンプ付きＳＡＷフィルタ
のチップが得られる（図４）。
ト層２０を除去する（図３の（Ａ）及び（Ｂ））。その
後、圧電基板１０を所定の形状にダイシングしてパッド
部１２ａ，１２ｄ，１２ｅ及び１２ｈ間を接続している
配線パターン１４を切断し、バンプ付きＳＡＷフィルタ
のチップが得られる（図４）。
【００４０】上述した実施の形態では、バンプの材料と
して金（Ａｕ）を用いたが、Ａｕの代わりにニッケル
（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）又は半田等を用いても良い。な
お、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）のバンプを形成す
る場合、めっき溶液としてニッケルめっき溶液又は銅め
っき溶液を用いることはいうまでもない。
して金（Ａｕ）を用いたが、Ａｕの代わりにニッケル
（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）又は半田等を用いても良い。な
お、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）のバンプを形成す
る場合、めっき溶液としてニッケルめっき溶液又は銅め
っき溶液を用いることはいうまでもない。
【００４１】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明のバンプ形成方法によれば、バッシベーション膜を
形成しない素子に対して特性を劣化させずにウエハの上
面にバンプを形成することができる。また、電気めっき
を行ってアンダーバンプメタル層上にバンプを形成して
あるため、バンプ高さのバラツキは従来のスタッドバン
プに比べて小さくなるので、バンプの平坦化加工工程が
削減できる。このため、生産性（スループット）の向上
が期待できる。また、バンプ径を従来のスタッドパンプ
より小さくすることができるので、素子をパッケージに
組込んだ部品の小型化が可能となる。
発明のバンプ形成方法によれば、バッシベーション膜を
形成しない素子に対して特性を劣化させずにウエハの上
面にバンプを形成することができる。また、電気めっき
を行ってアンダーバンプメタル層上にバンプを形成して
あるため、バンプ高さのバラツキは従来のスタッドバン
プに比べて小さくなるので、バンプの平坦化加工工程が
削減できる。このため、生産性（スループット）の向上
が期待できる。また、バンプ径を従来のスタッドパンプ
より小さくすることができるので、素子をパッケージに
組込んだ部品の小型化が可能となる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明のＳＡＷフィルタ
にバンプを形成する方法を説明するために供する平面図
及び断面図である。
にバンプを形成する方法を説明するために供する平面図
及び断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、図１の工程に続く、ＳＡＷ
フィルタにバンプを形成する方法を説明するために供す
る平面図及び断面図である。
フィルタにバンプを形成する方法を説明するために供す
る平面図及び断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｂ）は、図２の工程に続く、ＳＡＷ
フィルタにバンプを形成する方法を説明するために供す
る平面図及び断面図である。
フィルタにバンプを形成する方法を説明するために供す
る平面図及び断面図である。
【図４】ＳＡＷフィルタの上面にバンプを形成したバン
プ付きＳＡＷフィルタの構造を説明するための斜視図で
ある。
プ付きＳＡＷフィルタの構造を説明するための斜視図で
ある。
【図５】ＳＡＷフィルタの構造を説明するための斜視図
である。
である。
１０：圧電基板 １２ａ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｈ：パッド部 １２ｂ，１２ｃ，１２ｆ，１２ｇ：電極パターン部 １３ａ〜１３ｄ：電極パターン（Ａｌ電極） １４：配線パターン １５：第１開口部 １６：第１レジスト層 １８：アンダーバンプメタル層 １９：第２開口部 ２０：第２レジスト層 ２２：バンプ
Claims (7)
- 【請求項１】 ウエハの上面に設けた電極パターンのパ
ッド部にバンプを形成するに当たり、（ａ）前記ウエハ
の上面にパッド部を露出させる第１開口部を有する第１
レジスト層を形成する工程と、（ｂ）前記第１開口部に
露出した前記パッド部上にアンダーバンプメタル（ＵＢ
Ｍ）層を形成する工程と、（ｃ）前記第１レジスト層を
除去した後、前記アンダーバンプメタル層を露出する第
２開口部を有する第２レジスト層を前記ウエハの上面に
形成する工程と、（ｄ）電気めっきを行って前記アンダ
ーバンプメタル層上にバンプを形成する工程とを含むこ
とを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のバンプ形成方法におい
て、前記パッド部に接続された給電用配線パターンを、
前記電極パターンと同時に形成することを特徴とするバ
ンプ形成方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のバンプ形成方法におい
て、前記第１レジスト層の第１開口部の断面形状を逆テ
ーパ状に形成したことを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載のバンプ形成方法におい
て、前記電極パターンをすだれ状に形成したこと特徴と
するバンプ形成方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載のバンプ形成方法におい
て、前記ウエハとして圧電基板を用いたことを特徴とす
るバンプ形成方法。 - 【請求項６】 請求項１に記載のバンプ形成方法におい
て、前記バンプ材料を金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、
及び銅（Ｃｕ）群の中から選ばれた１種類の材料とする
ことを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項７】 請求項１に記載のバンプ形成方法におい
て、前記アンダーバンプメタル層を、蒸着法を用いて形
成することを特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28645296A JPH10135215A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28645296A JPH10135215A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135215A true JPH10135215A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17704579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28645296A Withdrawn JPH10135215A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135215A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6903489B2 (en) | 2000-07-25 | 2005-06-07 | Tdk Corporation | Piezoelectric resonator, piezoelectric resonator component and method of making the same |
| KR100640576B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 유비엠의 형성방법 및 그에 의해 형성된 반도체 소자 |
-
1996
- 1996-10-29 JP JP28645296A patent/JPH10135215A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6903489B2 (en) | 2000-07-25 | 2005-06-07 | Tdk Corporation | Piezoelectric resonator, piezoelectric resonator component and method of making the same |
| KR100640576B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 유비엠의 형성방법 및 그에 의해 형성된 반도체 소자 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040106 |