JPH08213402A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 銅メッキ層と半田メッキ層とからなる突起電
極を形成する際に、半導体基板の外周部上に形成される
不要な半田メッキ層を容易に除去する。 【構成】 接続パッド３４に対応する部分における下地
金属層形成用層３５上に銅メッキ層３８を形成した後、
メッキレジスト層３７の外周部を除去し、次いで銅メッ
キ層３８上及び下地金属層形成用層３５の外周部上に半
田メッキ層３９、４０を形成する。次に、メッキレジス
ト層３７及びその下の下地金属層形成用層３５を除去す
る。次に、突起電極を形成するための半田メッキ層３９
の形状をほぼ球状とするための熱処理を行うと、下地金
属層形成用層３５の外周部上に形成された半田メッキ層
４０の除去を水洗により行うことが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に関し、例えば、銅と半田とからなる突起電極を備えた
半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば銅と半田とからなる突起電極を備
えたＩＣチップ等の半導体装置を製造する場合には、一
例として、まず図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、シ
リコンウエハ等からなる半導体基板１上に形成された絶
縁膜２に形成された開口部３を介して半導体基板１上に
形成された接続パッド４が露出され、その全上面に下地
金属層形成用層５が形成され、接続パッド４に対応する
部分（つまり、突起電極形成領域５ａ）を除く下地金属
層形成用層５上にメッキレジスト層６が形成されたもの
を用意する。この場合、下地金属層形成用層５の上面外
周部５ｂの一部を突起電極を形成するためのメッキ処理
におけるメッキ電極として用いるので、この上面外周部
５ｂの一部をメッキレジスト層６によって被わずに露出
させればよいが、この従来例では上面外周部５ｂの全域
を露出させている。その理由については後で説明する。
なお、図１０（Ａ）において符号７で示す一点鎖線はダ
イシングストリートを示す。

【０００３】また、図１１に示すような銅メッキ装置を
用意する。この銅メッキ装置では、メッキ槽１１内にカ
ップ１２が設けられている。メッキ槽１１とカップ１２
とは液路１３によって連通されている。液路１３には、
メッキ槽１１内に収容されている銅メッキ液１４をカッ
プ１２内に噴流させるための噴流ポンプ１５が介在され
ている。カップ１２内の底部には網状のアノード電極１
６が設けられている。アノード電極１６はリード線１７
を介して図示しない電源装置の陽極に接続されている。
カップ１２の上面の等間隔ずつ離間する所定の複数箇所
にはカソード電極１８が設けられている。カソード電極
１８はリード線１９を介して電源装置の陰極に接続され
ている。

【０００４】そして、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す半導
体基板１をそのメッキレジスト層６側を下側にして複数
のカソード電極１８上に載置し、メッキ槽１１に上蓋１
９を取り付ける。すると、上蓋１９の下面に設けられた
板バネ２０によって半導体基板１が押え付けられること
により、メッキレジスト層６によって被われていない下
地金属層形成用層５の上面外周部５ｂの等間隔ずつ離間
する所定の複数箇所がそれぞれ対応するカソード電極１
８に圧接される。この状態で、噴流ポンプ１５が駆動す
ると、メッキ槽１１内に収容されている銅メッキ液１４
がアノード電極１６を通過してカップ１２内に噴流さ
れ、半導体基板１の下面側に噴き付けられる。このと
き、アノード電極１６とカソード電極１８との間にメッ
キ電流を流すと、図１２に示すように、メッキレジスト
層６によって被われていない下地金属層形成用層５の突
起電極形成領域５ａに銅メッキ層２１が形成される。ま
た、メッキレジスト層６によって被われていない下地金
属層形成用層５の上面外周部５ｂの全域にも銅メッキ層
２２が形成される。この場合、銅メッキ層２１、２２の
高さは５〜２５μｍ程度となるようにする。半導体基板
１の下面側に噴き付けられた銅メッキ液１４は、カツプ
１２の上端部から外側にオーバーフローして流れ落ち、
メッキ槽１１内に回収される。

【０００５】次に、図示していないが、図１１に示す銅
メッキ装置と同様の構造の半田メッキ装置を用いて所定
の半田メッキ処理を行うと、図１３に示すように、銅メ
ッキ層２１、２２上に半田メッキ層２３、２４が形成さ
れる。この場合、メッキレジスト層６の厚さが比較的薄
いので、メッキレジスト層６上においては半田メッキが
等方的に堆積される。このため、特に、突起電極を形成
するための半田メッキ層２３はきのこ形状となる。この
段階において半田メッキ層２３の形状をきのこ形状とす
るのは、その高さを１００〜２００μｍ程度と比較的高
くし、後で説明する最終的な突起電極の高さを充分な高
さとするためである。

【０００６】次に、メッキレジスト層６を剥離して除去
すると、図１４に示す状態となる。次に、メッキレジス
ト層６の除去によって露出された部分の下地金属層形成
用層５を、すなわち銅メッキ層２１下以外の下地金属層
形成用層５をエッチングして除去し、これにより図１５
に示すように、銅メッキ層２１下に下地金属層５Ａを形
成する。この場合、銅メッキ層２２下には下地金属層形
成用層５からなるメッキ電極用金属層５Ｂが残存する。
次に、図１６に示すように、熱処理を行うと、特に、き
のこ形状の半田メッキ層２３が溶融した後表面張力によ
り丸まってほぼ球状となり、この状態で固化することに
より、銅メッキ層２１上にほぼ球状の半田層２３が形成
される。この場合、銅メッキ層２１は、高温熱処理中に
おいて高いバリア性を保持する機能と、ほぼ球状の半田
層２３を形成するための核となる機能とを有する。これ
により、接続パッド４上に下地金属層５Ａを介して銅メ
ッキ層２１とほぼ球状の半田層２３とからなる突起電極
が形成される。次に、図１０（Ａ）において一点鎖線で
示すダイシングストリート７に沿って図示しないダイシ
ングブレードによって半導体基板１をダイシングする
と、複数個のチップが得られる。

【０００７】ここで、下地金属層形成用層５の上面外周
部５ｂの全域をメッキレジスト層６によって被わずに露
出させ、この露出部分の全域に銅メッキ層２２及び半田
メツキ層２４を形成する理由について説明する。例え
ば、図１７に示すように、メッキ処理時における電気力
線２５は半導体基板１の外周部において回り込むので、
電気力線２５の密度が半導体基板１の外周部において中
央部よりも高くなる。この結果、電気力線２５の密度が
高い半導体基板１の外周部におけるメッキ析出量が中心
部よりも多くなり、何ら対策を講じない場合には、半導
体基板１の外周部に形成される銅メッキ層２１及び半田
メッキ層２３の高さが中心部に形成されるものよりも高
くなり、最終的な形状の突起電極の高さにバラツキが生
じてしまう。そこで、下地金属層形成用層５の上面外周
部５ｂの全域をメッキレジスト層６によって被わずに露
出させ、この露出部分の全域に電気力線２５の密度増に
よるメッキを析出させて銅メッキ層２２及び半田メッキ
層２４を形成するようにすると、最終的な形状の突起電
極の高さが全体にわたって均一化されることになる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような半導体装置の製造方法では、半導体基板１の
外周部の全域に銅メッキ層２２及び半田メッキ層２４が
形成され、しかもこれらのメッキ層２２、２４がその下
に残存するメッキ電極用金属層５Ｂに強く密着している
ので、突起電極を形成するための銅メッキ層２１及び半
田メッキ層２３に何ら影響を及ぼすことなく、外周部の
メッキ層２２、２４のみを取り除くことは極めて困難で
ある。一方、メッキ層２２、２４が図１０（Ａ）に示す
ダイシングストリート７とどうしても重なり合ってしま
う。この結果、半導体基板１をダイシングする際に、メ
ッキ層２２、２４をもダイシングすることになる。しか
るに、メッキ層２２、２４の材料である銅や半田は比較
的軟らかい。したがって、半導体基板１をダイシングす
るダイシングブレードに銅や半田が絡み付きやすく、ひ
いてはカッティングの性能が早期に悪くなり、ダイシン
グブレードの寿命が短くなるという問題があった。この
発明の目的は、下地金属層形成用層の上面外周部に形成
されるメッキ層がダイシングストリートと重なり合わな
いようにすることができ、あるいは下地金属層形成用層
の上面外周部に形成されるメッキ層を容易に除去するこ
とができる半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体基板上に形成され且つ該半導体基板上に被覆され
た絶縁膜に形成された開口部を介して露出された接続パ
ッド上及び前記絶縁膜上に下地金属層形成用層を形成
し、前記下地金属層形成用層の上面中央部の前記接続パ
ッドに対応する部分を除く部分と前記下地金属層形成用
層の上面外周部のメッキ電極形成領域を除く部分とにメ
ッキレジスト層を形成し、第１の金属メッキ処理を行う
ことにより、前記接続パッドに対応する部分における前
記下地金属層形成用層上に第１の金属メッキ層を形成
し、前記メッキレジスト層の外周部を除去して前記下地
金属層形成用層の上面外周部を露出させ、第２の金属メ
ッキ処理を行うことにより、前記第１の金属メッキ層上
及び前記下地金属層形成用層の上面外周部に第２の金属
メッキ層を形成し、前記第１の金属メッキ層とその上に
形成された前記第２の金属メッキ層とによって突起電極
を形成するようにしたものである。請求項２記載の発明
は、請求項１記載の発明において、前記第１の金属メッ
キ層を銅メッキ層とし、前記第２の金属メッキ層を半田
メッキ層としたものである。請求項３記載の発明は、請
求項１または２記載の発明において、前記メッキ電極形
成領域をダイシングストリートに対応しない部分とした
ものである。請求項４記載の発明は、請求項２または３
記載の発明において、前記銅メッキ層上及び前記下地金
属層形成用層の上面外周部に半田メッキ層を形成した
後、前記メッキレジスト層及び該メッキレジスト層下の
前記下地金属層形成用層を除去し、前記半田メッキ層が
溶融する温度で熱処理を行うことにより、前記半田メッ
キ層の形状をほぼ球状とするようにしたものである。請
求項５記載の発明は、請求項４記載の発明において、前
記半田メッキ層の形状をほぼ球状とした後、前記下地金
属層形成用層の上面外周部に形成された前記半田メッキ
層を除去するようにしたものである。請求項６記載の発
明は、請求項５記載の発明において、前記下地金属層形
成用層の上面外周部に形成された前記半田メッキ層の除
去を水洗により行うようにしたものである。

【００１０】

【作用】請求項１記載の発明によれば、下地金属層形成
用層の上面中央部の接続パッドに対応する部分を除く部
分と下地金属層形成用層の上面外周部のメッキ電極形成
領域を除く部分とにメッキレジスト層を形成しているの
で、下地金属層形成用層の上面外周部においては第１の
金属メッキ層（請求項２記載の発明の場合、銅メッキ
層）が形成されるとしても、メッキ電極形成領域のみに
形成されることになる。したがって、請求項３記載の発
明のように、メッキ電極形成領域をダイシングストリー
トに対応しない部分とすると、下地金属層形成用層の上
面外周部に形成される第１の金属メッキ層（銅メッキ
層）がダイシングストリートと重なり合わないようにす
ることができる。また、同じく請求項１記載の発明によ
れば、第１の金属メッキ処理を行った後に、メッキレジ
スト層の外周部を除去して下地金属層形成用層の上面外
周部を露出させ、この状態で第２の金属メッキ処理を行
っているので、下地金属層形成用層の上面外周部の全域
に第２の金属メッキ層が形成され、これにより突起電極
を形成するための第２の金属メッキ層（請求項２記載の
発明の場合、半田メッキ層）の高さを全体にわたって均
一化することができる。この場合、下地金属層形成用層
の上面外周部の大部分においては第２の金属メッキ層
（半田メッキ層）のみが形成されることになる。この結
果、請求項５記載の発明のように、下地金属層形成用層
の外周部においては半田メッキ層のみを除去すればよい
ことになる。しかるに、請求項４記載の発明のように、
半田メッキ層の形状をほぼ球状とするための熱処理を行
うと、請求項６記載の発明のように、下地金属層形成用
層の上面外周部に形成された半田メッキ層の除去を水洗
により行うことが可能となり、したがって下地金属層形
成用層の上面外周部に形成される半田メッキ層を容易に
除去することができる。

【００１１】

【実施例】図１〜図９はそれぞれこの発明の一実施例に
おける半導体装置の各製造工程を示したものである。そ
こで、これらの図を順に参照しながら、この実施例の半
導体装置の製造方法について説明する。

【００１２】まず、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
シリコンウエハ等からなる半導体基板３１上に形成され
た酸化シリコン等からなる絶縁膜３２に形成されたの開
口部３３を介して半導体基板３１上に形成された接続パ
ッド３４が露出され、その全上面に下地金属層形成用層
３５が形成されたものを用意する。この場合、接続パッ
ド３４はＡｌまたはＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ等の
アルミニウム合金からなっている。下地金属層形成用層
３５は、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｔｉ−Ｗ合金等からなる接着層
と、Ｃｕ等からなるバリア層との２層構造となっている
が、接着メタルとバリアメタルとの合金からなる１層構
造であってもよい。なお、図１（Ａ）において符号３６
で示す一点鎖線はダイシングストリートを示す。

【００１３】次に、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
下地金属層形成用層３５の上面中央部の接続パッド３４
に対応する部分（つまり、突起電極形成領域３５ａ）を
除く部分と、下地金属層形成用層３５の上面外周部にお
いて等間隔ずつ離間して配置された所定の３箇所のメッ
キ電極形成領域３５ａを除く部分とにメッキレジスト層
３７を形成する。この場合、メッキ電極形成領域３５ａ
はダイシングストリート３６に対応しない部分とする。
次に、図１１に示すような銅メッキ装置を用いて所定の
銅（第１の金属）メッキ処理を行う。すると、図３に示
すように、メッキレジスト層３７によって被われていな
い下地金属層形成用層３５の突起電極形成部３５ａに銅
メッキ層３８が形成される。また、メッキレジスト層３
７によって被われていない下地金属層形成用層３５のメ
ッキ電極形成領域３５ａにも銅メッキ層（図示せず）が
形成される。この場合、銅メッキ層３８の高さは５〜２
５μｍ程度となるようにする。

【００１４】次に、図４に示すように、メッキレジスト
層３７の外周部を全体にわたって剥離して除去し、下地
金属層形成用層３５の上面外周部３５ｃを露出させる。
この場合、図示していないが、真空吸着機構付き回転板
の上面に半導体基板３１をそのメッキレジスト層３７側
を上側として載置して吸着させ、回転板と共に半導体基
板３１を高速回転させ、メッキレジスト層３７の外周部
上方に配置されたノズルから剥離液を噴出させ、メッキ
レジスト層３７の外周部を同心円状にエッチングして除
去するようにしてもよい。

【００１５】次に、図１１に示すような銅メッキ装置と
同様の構造の半田メッキ装置を用いて所定の半田（第２
の金属）メッキ処理を行う。すると、図５に示すよう
に、銅メッキ層３８上に半田メッキ層３９が形成され、
また下地金属層形成用層３５の上面外周部３５ｃに半田
メッキ層４０が形成される。この場合も、メッキレジス
ト層３７の厚さが比較的薄いので、メッキレジスト層３
７上においては半田メッキが等方的に堆積される。この
ため、特に、突起電極を形成するための半田メッキ層３
９はきのこ形状となり、その高さが１００〜２００μｍ
程度となるようにする。

【００１６】ここで、半田メッキ処理を行う場合、下地
金属層形成用層３５の上面外周部３５ａが露出している
ので、この露出部分に電気力線の密度増による半田メッ
キを析出させて半田メッキ層３９、４０を形成すること
ができる。この結果、特に、突起電極を形成するための
半田メッキ層３９の高さを全体にわたって均一にするこ
とができる。一方、銅メッキ処理を行う場合、下地金属
層形成用層３５の上面外周部３５ａの大部分が露出して
いないので、この露出していない部分に電気力線の密度
増による銅メッキを析出させることはできない。したが
って、銅メッキ層３８の高さを全体にわたって均一にす
ることはできない。しかしながら、銅メッキ層３８の高
さが５〜２５μｍ程度であるのに対し、半田メッキ層３
９の高さは１００〜２００μｍ程度とかなり高く、しか
も後で説明するように、半田メッキ層３９を熱処理して
その形状をほぼ球状とするので、銅メッキ層３８の高さ
の不均一はほとんど問題とならない。したがって、銅メ
ッキ層３８とほぼ球状の半田層とからなる最終的な形状
の突起電極の高さを全体にわたって均一にすることがで
きることになる。

【００１７】次に、メッキレジスト層３７を剥離して除
去すると、図６に示す状態となる。次に、メッキレジス
ト層３７の除去によって露出された部分の下地金属層形
成用層３５を、すなわち銅メッキ層３８下以外の下地金
属層形成用層３５をエッチングして除去し、これにより
図７に示すように、銅メッキ層３８下に下地金属層３５
Ａを形成する。この場合、半田メッキ層４０下には下地
金属層形成用層３５からなるメッキ電極を含む金属層３
５Ｂが残存する。次に、図８に示すように、熱処理を行
うと、特に、きのこ形状の半田メッキ層３９が溶融した
後表面張力により丸まってほぼ球状となり、この状態で
固化することにより、銅メッキ層３８上にほぼ球状の半
田層３９が形成される。これにより、接続パッド３４上
に下地金属層３５Ａを介して銅メッキ層３８とほぼ球状
の半田層３９とからなる突起電極が形成される。

【００１８】ところで、上記熱処理は高温で行うので、
このとき、半田（メッキ）層４０のＳｎ−Ｐｂ合金とそ
の下の金属層３５Ｂのうち上層のバリア層のＣｕとが相
互拡散を起こし、薄いバリア層のＣｕが半田層４０側に
拡散してしまうことになる。この結果、金属層３５Ｂの
うち下層の接着層に半田層４０が直接接触することにな
る。すると、金属層３５Ｂのうち下層の接着層の材料で
あるＴｉ、Ｐｄ、Ｔｉ−Ｗ合金等の金属と半田層４０と
の密着性が低くなる。この結果、半田層４０を水洗によ
り除去することが可能となり、したがって半田層４０を
容易に除去することができる。この状態を図９に示す。
次に、図２（Ａ）において一点鎖線で示すダイシングス
トリート３６に沿って図示しないダイシングブレードに
よって半導体基板３１をダイシングすると、複数個のチ
ップが得られる。

【００１９】このように、半田層４０を除去した状態で
ダイシングブレードによって半導体基板３１をダイシン
グしているので、半田層４０が比較的軟らかい金属であ
っても、半導体基板３１をダイシングするダイシングブ
レードに半田が絡み付くことがなく、ひいてはカッティ
ングの性能が早期に悪くなることがなく、ダイシングブ
レードの寿命を延ばすことができる。なお、下地金属層
形成用層３５のメッキ電極形成領域３５ａに銅メッキ層
が形成されても、メッキ電極形成領域３５ａをダイシン
グストリート３６に対応しない部分としているので、メ
ッキ電極形成領域３５ａに形成される銅メッキ層がダイ
シングストリート３６と重なり合わないようにすること
ができる。したがって、この場合も、半導体基板３１を
ダイシングするダイシングブレードに銅が絡み付かない
ようにすることができる。なお、メッキ電極形成領域３
５ａに形成される銅メッキ層がダイシングストリート３
６と重なり合うようにしたとしても、その重なり合う量
を極めて少なくすることができる。したがって、このよ
うにした場合には、半導体基板３１をダイシングするダ
イシングブレードへの銅の絡み付きをかなり少なくする
ことができる。

【００２０】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、下地金属層形成用層の上面中央部の接続パ
ッドに対応する部分を除く部分と下地金属層形成用層の
上面外周部のメッキ電極形成領域を除く部分とにメッキ
レジスト層を形成しているので、下地金属層形成用層の
上面外周部においては第１の金属メッキ層（請求項２記
載の発明の場合、銅メッキ層）が形成されるとしても、
メッキ電極形成領域のみに形成されることになる。した
がって、請求項３記載の発明のように、メッキ電極形成
領域をダイシングストリートに対応しない部分とする
と、下地金属層形成用層の上面外周部に形成される第１
の金属メッキ層（銅メッキ層）がダイシングストリート
と重なり合わないようにすることができる。この結果、
第１の金属メッキ層（銅メッキ層）が比較的軟らかくて
も、半導体基板をダイシングするダイシングブレードに
比較的軟らかい第１の金属（銅）が絡み付くことがな
く、ひいてはカッティングの性能が早期に悪くなること
がなく、ダイシングブレードの寿命を延ばすことができ
る。また、同じく請求項１記載の発明によれば、第１の
金属メッキ処理を行った後に、メッキレジスト層の外周
部を除去して下地金属層形成用層の上面外周部を露出さ
せ、この状態で第２の金属メッキ処理を行っているの
で、下地金属層形成用層の上面外周部の全域に第２の金
属メッキ層が形成され、これにより突起電極を形成する
ための第２の金属メッキ層（請求項２記載の発明の場
合、半田メッキ層）の高さを全体にわたって均一化する
ことができる。この場合、下地金属層形成用層の上面外
周部の大部分においては第２の金属メッキ層（半田メッ
キ層）のみが形成されることになる。この結果、請求項
５記載の発明のように、下地金属層形成用層の外周部に
おいては半田メッキ層のみを除去すればよいことにな
る。しかるに、請求項４記載の発明のように、半田メッ
キ層の形状をほぼ球状とするための熱処理を行うと、請
求項６記載の発明のように、下地金属層形成用層の上面
外周部に形成された半田メッキ層の除去を水洗により行
うことが可能となり、したがって下地金属層形成用層の
上面外周部に形成される半田メッキ層を容易に除去する
ことができる。この結果、半田メッキ層が比較的軟らか
くても、半導体基板をダイシングするダイシングブレー
ドに半田が絡み付くことがなく、ひいてはカッティング
の性能が早期に悪くなることがなく、ダイシングブレー
ドの寿命を延ばすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）はこの発明の一実施例における半導体装
置の製造に際し、半導体装置上に接続パッド、絶縁膜及
び下地金属層形成用層を形成した状態の平面図、（Ｂ）
はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。

【図２】（Ａ）は同製造に際し、メッキレジスト層を形
成した状態の平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面
図。

【図３】同製造に際し、銅メッキ処理を行った状態の断
面図。

【図４】同製造に際し、メッキレジスト層の外周部を除
去した状態の断面図。

【図５】同製造に際し、半田メッキ処理を行った状態の
断面図。

【図６】同製造に際し、メッキレジスト層を除去した状
態の断面図。

【図７】同製造に際し、下地金属層形成用層の不要な部
分を除去した状態の断面図。

【図８】同製造に際し、熱処理により特に突起電極を形
成するための半田層をほぼ球状とした状態の断面図。

【図９】同製造に際し、不要な部分の半田層を除去した
状態の断面図。

【図１０】（Ａ）は従来の半導体装置の製造に際し、半
導体装置上に接続パッド、絶縁膜、下地金属層形成用層
及びメッキレジスト層を形成した状態の平面図、（Ｂ）
はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。

【図１１】同製造において使用する銅メッキ装置の概略
構成図。

【図１２】同製造に際し、銅メッキ処理を行った状態の
断面図。

【図１３】同製造に際し、半田メッキ処理を行った状態
の断面図。

【図１４】同製造に際し、メッキレジスト層を除去した
状態の断面図。

【図１５】同製造に際し、下地金属層形成用層の不要な
部分を除去した状態の断面図。

【図１６】同製造に際し、熱処理により特に突起電極を
形成するための半田層をほぼ球状とした状態の断面図。

【図１７】突起電極の高さが不均一となる理由を説明す
るために示す図。

【符号の説明】

３１ 半導体基板 ３２ 絶縁膜 ３３ 開口部 ３４ 接続パッド ３５ 下地金属層形成用層 ３６ ダイシングストリート ３７ メッキレジスト層 ３８ 銅メッキ層 ３９、４０ 半田メッキ層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に形成され且つ該半導体基
   板上に被覆された絶縁膜に形成された開口部を介して露
   出された接続パッド上及び前記絶縁膜上に下地金属層形
   成用層を形成し、 前記下地金属層形成用層の上面中央部の前記接続パッド
   に対応する部分を除く部分と前記下地金属層形成用層の
   上面外周部のメッキ電極形成領域を除く部分とにメッキ
   レジスト層を形成し、 第１の金属メッキ処理を行うことにより、前記接続パッ
   ドに対応する部分における前記下地金属層形成用層上に
   第１の金属メッキ層を形成し、 前記メッキレジスト層の外周部を除去して前記下地金属
   層形成用層の上面外周部を露出させ、 第２の金属メッキ処理を行うことにより、前記第１の金
   属メッキ層上及び前記下地金属層形成用層の上面外周部
   に第２の金属メッキ層を形成し、 前記第１の金属メッキ層とその上に形成された前記第２
   の金属メッキ層とによって突起電極を形成する、 ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記第１
   の金属メッキ層は銅メッキ層からなり、前記第２の金属
   メッキ層は半田メッキ層からなることを特徴とする半導
   体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の発明において、
   前記メッキ電極形成領域はダイシングストリートに対応
   しない部分であることを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
4. 【請求項４】 請求項２または３記載の発明において、
   前記銅メッキ層上及び前記下地金属層形成用層の上面外
   周部に半田メッキ層を形成した後、 前記メッキレジスト層及び該メッキレジスト層下の前記
   下地金属層形成用層を除去し、 前記半田メッキ層が溶融する温度で熱処理を行うことに
   より、前記半田メッキ層の形状をほぼ球状とする、 ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の発明において、前記半田
   メッキ層の形状をほぼ球状とした後、 前記下地金属層形成用層の上面外周部に形成された前記
   半田メッキ層を除去する、 ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の発明において、前記下地
   金属層形成用層の上面外周部に形成された前記半田メッ
   キ層の除去は水洗により行うことを特徴とする半導体装
   置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項５または６記載の発明において、
   前記下地金属層形成用層の上面外周部に形成された前記
   半田メッキ層を除去した後、 前記半導体基板をダイシングストリートに沿ってダイシ
   ングすることにより、所定のサイズのチップを複数個得
   る、 ことを特徴とする半導体装置の製造方法。