JPH07283172A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ダイシングブレードの寿命を延ばす。 【構成】 下地金属層形成用層３５の中央部のバンプ電
極形成領域３５ａを除く部分と下地金属層形成用層３５
の外周部３５ｂのダイシングストリート３６に対応する
部分とにメッキレジスト層３７を形成する。そして、バ
ンプ電極３８を形成するためにメッキ処理を行うと、外
周部３５ｂのダイシングストリート３６に対応する部分
を除く部分にメッキ層３９が形成され、ダイシングスト
リート３６に対応する部分にはメッキ層３９が形成され
ない。したがって、ダイシングブレードによってダイシ
ングする際に、メッキ層３９を切断することがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はバンプ電極を備えた半
導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】バンプ電極を備えたＩＣチップ等の半導
体装置を製造する場合には、一例として、まず図５
（Ａ）、（Ｂ）に示すように、シリコンウエハ等からな
る半導体基板１上に形成されたパッシベーション膜２に
形成されたパッド露出用の開口部３を介して半導体基板
１上に形成されたパッド４が露出され、その全上面に下
地金属層形成用層５が形成され、この下地金属層形成用
層５の中央部のバンプ電極形成領域５ａ（つまり、パッ
ド４に対応する部分）を除く部分にメッキレジスト層６
が形成されたものを用意する。この場合、下地金属層形
成用層５の外周部５ｂの一部をバンプ電極を形成するた
めのメッキ処理におけるメッキ電極として用いるので、
この外周部５ｂの一部をメッキレジスト層６によって被
わずに露出させればよいが、この従来例では外周部５ｂ
の全域を露出させている。その理由については後で説明
する。なお、図５（Ａ）において符号７で示す一点鎖線
はダイシングストリートを示す。

【０００３】また、図６に示すようなメッキ装置を用意
する。このメッキ装置では、メッキ槽１１内にカップ１
２が設けられている。メッキ槽１１とカップ１２とは液
路１３によって連通されている。液路１３には、メッキ
槽１１内に収容されているメッキ液（イオン化された金
（Ａｕ）を含む）１４をカップ１２内に噴流させるため
の噴流ポンプ１５が介在されている。カップ１２内の底
部には網状のアノード電極１６が設けられている。アノ
ード電極１６はリード線１７を介して図示しない電源装
置の陽極に接続されている。カップ１２の上面の等間隔
ずつ離間する所定の複数箇所にはカソード電極１８が設
けられている。カソード電極１８はリード線１９を介し
て電源装置の陰極に接続されている。

【０００４】そして、図５（Ａ）、（Ｂ）に示す半導体
基板１をそのメッキレジスト層６側を下側にして複数の
カソード電極１８上に載置し、メッキ槽１１に上蓋１９
を取り付ける。すると、上蓋１９の下面に設けられた板
バネ２０によって半導体基板１が押え付けられることに
より、メッキレジスト層６によって被われていない下地
金属層形成用層５の外周部５ｂの等間隔ずつ離間する所
定の複数箇所がそれぞれ対応するカソード電極１８に圧
接される。この状態で、噴流ポンプ１５が駆動すると、
メッキ槽１１内に収容されているメッキ液１４がアノー
ド電極１６を通過してカップ１２内に噴流され、半導体
基板１の下面に噴き付けられる。このとき、アノード電
極１６とカソード電極１８との間にメッキ電流を流す
と、図７に示すように、メッキレジスト層６によって被
われていない下地金属層形成用層５のバンプ電極形成領
域５ａに金メッキが施され、この施された金メッキによ
ってバンプ電極２１が形成される。また、メッキレジス
ト層６によって被われていない下地金属層形成用層５の
外周部５ｂの全域にも金メッキが施され、この部分にメ
ッキ層２２が形成される。半導体基板１の下面に噴き付
けられたメッキ液１４は、カツプ１２の上端部から外側
にオーバーフローして流れ落ち、メッキ槽１１内に回収
される。

【０００５】このようにして所定のメッキ処理が終了し
たら、メッキ装置から半導体基板１を取り出す。次に、
メッキレジスト層６をエッチングして除去する。次に、
メッキレジスト層６の除去によって露出された部分の下
地金属層形成用層５を、すなわちバンプ電極２１下およ
びメッキ層２２下以外の下地金属層形成用層５をエッチ
ングして除去し、これにより図８（Ａ）、（Ｂ）に示す
ように、バンプ電極２１下に下地金属層５Ａを形成す
る。この場合、メッキ層２２下には下地金属層形成用層
５からなるメッキ電極用金属層５Ｂが残存する。次に、
図８（Ａ）において一点鎖線で示すダイシングストリー
ト７に沿って図示しないダイシングブレードによって半
導体基板１をダイシングすると、複数個のチップが得ら
れる。

【０００６】ここで、下地金属層形成用層５の外周部５
ａの全域をメッキレジスト層６によって被わずに露出さ
せ、この露出部分の全域にメッキ層２２を形成する理由
について説明する。例えば、図９に示すように、メッキ
処理時における電気力線２３は半導体基板１の外周部に
おいて回り込むので、電気力線２３の密度が半導体基板
１の外周部において中央部よりも高くなる。この結果、
電気力線２３の密度が高い半導体基板１の外周部におけ
るメッキ析出量が中心部よりも多くなり、何ら対策を講
じない場合には、半導体基板１の外周部に形成されるバ
ンプ電極２１の高さが中心部に形成されるものよりも高
くなり、バンプ電極２１の高さにバラツキが生じてしま
う。そこで、下地金属層形成用層５の外周部５ａの全域
をメッキレジスト層６によって被わずに露出させ、この
露出部分の全域に電気力線２３の密度増によるメッキを
析出させてメッキ層２２を形成するようにすると、バン
プ電極２１の高さが全体にわたって均一化されることに
なる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような半導体装置の製造方法では、半導体基板１の
外周部の全域にメッキ層２２が形成され、しかもこのメ
ッキ層２２がその下に残存するメッキ電極用金属層５Ｂ
に強く密着しているので、バンプ電極２１に何ら影響を
及ぼすことなく、このメッキ層２２のみを取り除くこと
は極めて困難である。一方、図８（Ａ）に示すように、
メッキ層２２がダイシングストリート７とどうしても重
なり合ってしまう。この結果、半導体基板１をダイシン
グする際に、メッキ層２２およびその下に残存するメッ
キ電極５Ｂをもダイシングすることになる。しかるに、
バンプ電極２１を形成する材料して使用されている金属
は、Ａｕのほかに、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＰｂとＳｎの合
金、Ｉｎ等があるが、これらの金属は全て比較的軟らか
い。したがって、半導体基板１をダイシングするダイシ
ングブレードにこのような金属が絡み付きやすく、ひい
てはカッティングの性能が早期に悪くなり、ダイシング
ブレードの寿命が短くなるという問題があった。この発
明の目的は、下地金属層形成用層の外周部に形成される
メッキ層がダイシングストリートと重なり合わないよう
にすることのできる半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明は、下地金属層
形成用層の外周部においてダイシングストリートに対応
する部分にメッキレジスト層を形成し、下地金属層形成
用層の外周部においてダイシングストリートに対応する
部分を除く部分にメッキ層を形成するようにしたもので
ある。

【０００９】

【作用】この発明によれば、下地金属層形成用層の外周
部においてダイシングストリートに対応する部分を除く
部分にメッキ層が形成されることになるので、下地金属
層形成用層の外周部に形成されるメッキ層がダイシング
ストリートと重なり合わないようにすることができる。

【００１０】

【実施例】図１〜図４はそれぞれこの発明の一実施例に
おける半導体装置の各製造工程を示したものである。そ
こで、これらの図を順に参照しながら、この実施例の半
導体装置の製造方法について説明する。

【００１１】まず、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
シリコンウエハ等からなる半導体基板３１上に形成され
たパッシベーション膜３２に形成されたパッド露出用の
開口部３３を介して半導体基板３１上に形成されたパッ
ド３４が露出され、その全上面に下地金属層形成用層３
５が形成されたものを用意する。この場合、パッド３４
はＡｌまたはＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ等のアルミ
ニウム合金からなっている。下地金属層形成用層３５は
Ｔｉ−Ｗ、Ｐｔ−Ｔｉ、Ｐｄ−Ｔｉ等の合金、すなわち
バリアメタルと接着メタルとの合金の上に金（Ａｕ）薄
膜が形成されたものからなっている。なお、図１（Ａ）
において符号３６で示す一点鎖線はダイシングストリー
トを示す。

【００１２】次に、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、
下地金属層形成用層３５の中央部のバンプ電極形成領域
３５ａ（つまり、パッド４に対応する部分）を除く部分
と下地金属層形成用層３５の外周部３５ｂのダイシング
ストリート３６に対応する部分とにメッキレジスト層３
７を形成する。次に、図６に示すようなメッキ装置を用
いて所定のメッキ処理を行う。すると、図３（Ａ）〜
（Ｃ）に示すように、メッキレジスト層３７によって被
われていない下地金属層形成用層３５のバンプ電極形成
部３５ａに金メッキが施され、この施された金メッキに
よってバンプ電極３８が形成される。また、メッキレジ
スト層３７によって被われていない下地金属層形成用層
３５の外周部３５ｂのダイシングストリート３６に対応
する部分を除く部分にも金メッキが施され、この部分に
メッキ層３９が形成される。すなわち、この状態では、
下地金属層形成用層３５の外周部３５ｂのダイシングス
トリート３６に対応する部分にはメッキ層３９が形成さ
れていない。

【００１３】次に、メッキレジスト層３７をエッチング
して除去する。次に、メッキレジスト層３７の除去によ
って露出された部分の下地金属層形成用層３５を、すな
わちバンプ電極３８下およびメッキ層３９下以外の下地
金属層形成用層３５をエッチングして除去し、これによ
り図４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、バンプ電極３８下
に下地金属層３５Ａを形成する。この場合、外周部３５
ｂにおいてはメッキ層３９下に下地金属層形成用層３５
からなるメッキ電極用金属層３５Ｂが残存するが、外周
部３５ｂのダイシングストリート３６に対応する部分に
はメッキ層３９が元々形成されていないので、外周部３
５ｂのダイシングストリート３６に対応する部分に形成
されていた下地金属層形成用層３５はエッチングされて
除去され、この除去部分におけるパッシベーション膜３
２が露出されることになる。次に、図４（Ａ）において
一点鎖線で示すダイシングストリート３６に沿って図示
しないダイシングブレードによって半導体基板３１をダ
イシングすると、複数個のチップが得られる。

【００１４】このように、外周部３５ｂのダイシングス
トリート３６に対応する部分にメッキ層３９を元々形成
していないので、メッキ層３９がダイシングストリート
３６と重なり合うことがない。したがって、バンプ電極
３８を形成する材料がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｂと
Ｓｎの合金、Ｉｎ等の比較的軟らかい金属であっても、
半導体基板３１をダイシングするダイシングブレードに
このような金属が絡み付くことがなく、ひいてはカッテ
ィングの性能が早期に悪くなることがなく、ダイシング
ブレードの寿命を延ばすことができる。なお、ダイシン
グストリート３６の幅はチップの大きさに比べてかなり
小さいので、下地金属層形成用層３５の外周部３５ｂの
ダイシングストリート３６に対応する部分にメッキレジ
スト層３７を形成しても、下地金属層形成用層３５の外
周部３５ａの大部分の領域をメッキレジスト層３７によ
って被わずに露出させることができ、したがってこの露
出部分に電気力線の密度増によるメッキを析出させてメ
ッキ層３９を形成することができ、ひいてはバンプ電極
３８の高さを全体にわたって均一にすることができる。

【００１５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、下地金属層形成用層の外周部においてダイシングス
トリートに対応する部分を除く部分にメッキ層を形成し
ているので、下地金属層形成用層の外周部に形成される
メッキ層がダイシングストリートと重なり合わないよう
にすることができ、したがってバンプ電極を形成する材
料がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＰｂとＳｎの合金、Ｉｎ等の比
較的軟らかい金属であっても、半導体基板をダイシング
するダイシングブレードにこのような金属が絡み付くこ
とがなく、ひいてはカッティングの性能が早期に悪くな
ることがなく、ダイシングブレードの寿命を延ばすこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）はこの発明の一実施例における半導体装
置の製造に際し、半導体装置上にパッド、パッシベーシ
ョン膜および下地金属層形成用層を形成した状態の平面
図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う一部の拡大断面図。

【図２】（Ａ）は同製造に際し、メッキレジスト層を形
成した状態の平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う一部
の拡大断面図、（Ｃ）はそのＣ−Ｃ線に沿う一部の拡大
断面図。

【図３】（Ａ）は同製造に際し、メッキ処理を行った状
態の平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う一部の拡大断
面図、（Ｃ）はそのＣ−Ｃ線に沿う一部の拡大断面図。

【図４】（Ａ）は同製造に際し、不要な部分を除去した
状態の平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う一部の拡大
断面図、（Ｃ）はそのＣ−Ｃ線に沿う一部の拡大断面
図。

【図５】（Ａ）は従来の半導体装置の製造に際し、半導
体装置上にパッド、パッシベーション膜、下地金属層形
成用層およびメッキレジスト層を形成した状態の平面
図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う一部の拡大断面図。

【図６】同製造において使用するメッキ装置の概略構成
図。

【図７】（Ａ）は同製造に際し、メッキ処理を行った状
態の一部の拡大断面図。

【図８】（Ａ）は同製造に際し、不要な部分を除去した
状態の平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う一部の拡大
断面図。

【図９】バンプ電極の高さが不均一となる理由を説明す
るために示す図。

【符号の説明】

２１ 半導体基板 ３５ 下地金属層形成用層 ３５ａ バンプ電極形成領 ３５ｂ 外周部 ３６ ダイシングストリート ３７ メッキレジスト層 ３８ バンプ電極 ３９ メッキ層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の全上面に下地金属層形成用
   層を形成し、 前記下地金属層形成用層の中央部のバンプ電極形成領域
   を除く部分と前記下地金属層形成用層の外周部のダイシ
   ングストリートに対応する部分とにメッキレジスト層を
   形成し、 メッキ処理を行うことにより、前記下地金属層形成用層
   の中央部のバンプ電極形成領域と前記下地金属層形成用
   層の外周部のダイシングストリートに対応する部分を除
   く部分とにメッキ層を形成し、 前記メッキレジスト層および該メッキレジスト層下の前
   記下地金属層形成用層を除去した後、前記ダイシングス
   トリートに沿ってダイシングすることにより、所定のサ
   イズのチップを複数個得る、 ようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。