JPH10135064A - 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法Info
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- JPH10135064A JPH10135064A JP28706096A JP28706096A JPH10135064A JP H10135064 A JPH10135064 A JP H10135064A JP 28706096 A JP28706096 A JP 28706096A JP 28706096 A JP28706096 A JP 28706096A JP H10135064 A JPH10135064 A JP H10135064A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、積層セラミックコンデンサの外部
電極の形成方法に関し、特に内部電極と外部電極の接続
性を良好にでき、かつセラミックの本体片と密着強度の
高い薄膜の外部電極の形成方法を提供することにある。 【解決手段】セラミックよりなる本体片１の内部に複数
枚の内部電極２を配設し本体片１から内部電極２を露出
させた後、本体片１の側端面にセラミックに対し密着強
度の高い第一金属膜４ａと内部電極２の材料と異なる拡
散係数を持つ第二金属膜４ｂをこの順で形成し熱処理を
施した後、内部電極２と導通する外部電極３を設けるこ
とで積層セラミックコンデンサの外部電極を形成する。
上述の方法によれば、本体片１の側端面から内部電極２
が十分露出するようになり、外部電極３との接続が確実
になり、静電容量の損失、誘電正接（ｔａｎδ）の増大
等の問題を解決するとともに、本体片と密着強度の高い
薄膜の外部電極３を形成できる。
電極の形成方法に関し、特に内部電極と外部電極の接続
性を良好にでき、かつセラミックの本体片と密着強度の
高い薄膜の外部電極の形成方法を提供することにある。 【解決手段】セラミックよりなる本体片１の内部に複数
枚の内部電極２を配設し本体片１から内部電極２を露出
させた後、本体片１の側端面にセラミックに対し密着強
度の高い第一金属膜４ａと内部電極２の材料と異なる拡
散係数を持つ第二金属膜４ｂをこの順で形成し熱処理を
施した後、内部電極２と導通する外部電極３を設けるこ
とで積層セラミックコンデンサの外部電極を形成する。
上述の方法によれば、本体片１の側端面から内部電極２
が十分露出するようになり、外部電極３との接続が確実
になり、静電容量の損失、誘電正接（ｔａｎδ）の増大
等の問題を解決するとともに、本体片と密着強度の高い
薄膜の外部電極３を形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は積層セラミックコン
デンサの外部電極の形成方法に関し、特に内部電極と外
部電極の接続性を良好にでき、かつセラミックの本体片
と密着強度の高い薄膜の外部電極の形成方法に関する。
デンサの外部電極の形成方法に関し、特に内部電極と外
部電極の接続性を良好にでき、かつセラミックの本体片
と密着強度の高い薄膜の外部電極の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に薄膜の外部電極を有する積層セラ
ミックコンデンサは、図４の断面図に示すように、セラ
ミックからなる六面体に形成された本体片１の内部に、
複数枚のＰｄ又はＰｄ−Ａｇ合金からなる内部電極２が
交互に積層状に配設され、この本体片１における六つの
側面のうち内部電極２が露出する一対の側端面に、内部
電極２と導通する薄膜による外部電極３が形成されてい
る。
ミックコンデンサは、図４の断面図に示すように、セラ
ミックからなる六面体に形成された本体片１の内部に、
複数枚のＰｄ又はＰｄ−Ａｇ合金からなる内部電極２が
交互に積層状に配設され、この本体片１における六つの
側面のうち内部電極２が露出する一対の側端面に、内部
電極２と導通する薄膜による外部電極３が形成されてい
る。
【０００３】この外部電極３は、セラミックとの密着強
度の高いＣｒからなる第一電極層３ａと、ハンダ食われ
防止用のバリア金属となるＮｉからなる第二電極層３ｂ
と、ハンダ付け性の良いＡｇからなる第三電極層３ｃと
から構成され、スパッタリング法，真空蒸着法又はプラ
ズマ溶射法により形成される。ところで、上述の積層セ
ラミックコンデンサでは、内部電極２と外部電極３との
接続を確実に行うことが重要であるため、内部電極２を
設けた本体片１を焼成した後、内部電極２を本体片１の
側端面から十分露出させるためにバレル研磨を施した
後、本体片１の側端面に薄膜の外部電極３を形成してい
る。
度の高いＣｒからなる第一電極層３ａと、ハンダ食われ
防止用のバリア金属となるＮｉからなる第二電極層３ｂ
と、ハンダ付け性の良いＡｇからなる第三電極層３ｃと
から構成され、スパッタリング法，真空蒸着法又はプラ
ズマ溶射法により形成される。ところで、上述の積層セ
ラミックコンデンサでは、内部電極２と外部電極３との
接続を確実に行うことが重要であるため、内部電極２を
設けた本体片１を焼成した後、内部電極２を本体片１の
側端面から十分露出させるためにバレル研磨を施した
後、本体片１の側端面に薄膜の外部電極３を形成してい
る。
【０００４】しかしながら、バレル研磨の不十分、内部
電極２の過薄、内部電極２の露出部分での欠落、内部電
極２へのセラミック被覆等に起因し、内部電極２と外部
電極３との接続が不十分となる場合があり、静電容量の
損失、誘電正接（ｔａｎδ）の増大等の不具合を発生さ
せる原因となっていた。この問題を解決するために、例
えば、図５に示すような特開平６−５４６１に示す方法
では、本体片１をバレル研磨した後、耐熱容器１０内に
Ａｇ粉末（金属粉末）１１とＺｒＯ2粉末（セラミック
粉末）とを入れて混合し、この混合中にＰｄ又はＰｄ−
Ａｇ合金からなる内部電極２を有する本体片１を混在さ
せて、５００〜９００℃で熱処理することでＡｇ粉末１
１を内部電極２側に拡散させて合金を形成し、実質的に
内部電極２を長くして本体片１の側端面から十分露出さ
せることができる。その結果、内部電極２と薄膜の外部
電極３との接触が確実になる。
電極２の過薄、内部電極２の露出部分での欠落、内部電
極２へのセラミック被覆等に起因し、内部電極２と外部
電極３との接続が不十分となる場合があり、静電容量の
損失、誘電正接（ｔａｎδ）の増大等の不具合を発生さ
せる原因となっていた。この問題を解決するために、例
えば、図５に示すような特開平６−５４６１に示す方法
では、本体片１をバレル研磨した後、耐熱容器１０内に
Ａｇ粉末（金属粉末）１１とＺｒＯ2粉末（セラミック
粉末）とを入れて混合し、この混合中にＰｄ又はＰｄ−
Ａｇ合金からなる内部電極２を有する本体片１を混在さ
せて、５００〜９００℃で熱処理することでＡｇ粉末１
１を内部電極２側に拡散させて合金を形成し、実質的に
内部電極２を長くして本体片１の側端面から十分露出さ
せることができる。その結果、内部電極２と薄膜の外部
電極３との接触が確実になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
方法では耐熱容器１０内のＡｇ粉末１１が焼結してしま
い、再利用が困難というコスト的な問題が生じていた。
また、を内部電極２側に十分拡散させようとすると粉末
自体が固まってしまい本体片１が取り出せなくなる場合
があった。また、本体片１の表面全体にＡｇ粉末１１が
付着してしまい絶縁性が劣化するおそれがあった。
方法では耐熱容器１０内のＡｇ粉末１１が焼結してしま
い、再利用が困難というコスト的な問題が生じていた。
また、を内部電極２側に十分拡散させようとすると粉末
自体が固まってしまい本体片１が取り出せなくなる場合
があった。また、本体片１の表面全体にＡｇ粉末１１が
付着してしまい絶縁性が劣化するおそれがあった。
【０００６】さらに、内部電極２を実質的に長くするた
めにＡｇ粉末１１を拡散させているが、内部電極２との
合金形成に利用されなかったＡｇ粉末１１は本体片１の
側端面に付着したままとなる。この状態で３層かならる
外部電極３を形成すると、第一電極層３ａとしてセラミ
ックとの密着強度の高いＣｒを使用しているにも拘わら
ず、本体片１と第一電極層３ａとの間にセラミックとの
密着強度が低いＡｇ粉末１１が存在するために、外部電
極３の密着強度が低くなるという問題も生じていた。
めにＡｇ粉末１１を拡散させているが、内部電極２との
合金形成に利用されなかったＡｇ粉末１１は本体片１の
側端面に付着したままとなる。この状態で３層かならる
外部電極３を形成すると、第一電極層３ａとしてセラミ
ックとの密着強度の高いＣｒを使用しているにも拘わら
ず、本体片１と第一電極層３ａとの間にセラミックとの
密着強度が低いＡｇ粉末１１が存在するために、外部電
極３の密着強度が低くなるという問題も生じていた。
【０００７】本発明の目的は、上述した問題点に鑑み、
内部電極と外部電極との接続を確実にし、絶縁性，作業
性，コスト及び外部電極と本体片の密着性を改善できる
薄膜による積層セラミックコンデンサの外部電極の形成
方法を提供することにある。
内部電極と外部電極との接続を確実にし、絶縁性，作業
性，コスト及び外部電極と本体片の密着性を改善できる
薄膜による積層セラミックコンデンサの外部電極の形成
方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次のような構成をとる。すなわち、本発明
の積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法は、
セラミックよりなる本体片の内部に複数枚の内部電極を
配設し前記本体片から内部電極を露出させた後、前記本
体片の側端面にセラミックに対し密着強度の高い第一金
属膜と内部電極材料と異なる拡散係数を持つ第二金属膜
をこの順で形成し熱処理を施した後、前記内部電極と導
通する外部電極を設けることを特徴とするものである。
成するために次のような構成をとる。すなわち、本発明
の積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法は、
セラミックよりなる本体片の内部に複数枚の内部電極を
配設し前記本体片から内部電極を露出させた後、前記本
体片の側端面にセラミックに対し密着強度の高い第一金
属膜と内部電極材料と異なる拡散係数を持つ第二金属膜
をこの順で形成し熱処理を施した後、前記内部電極と導
通する外部電極を設けることを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
の外部電極の形成方法は、前記金属膜の拡散係数が前記
内部電極材料より大きいことを特徴とするものである。
本発明よれば、セラミックに対して密着強度の高い第一
金属膜を形成した後、内部電極の材料と異なる拡散係数
を持つ第二金属膜を形成して熱処理を施すと、この第二
金属膜が第一金属膜を通過して内部電極側に拡散が起こ
り、内部電極と第二金属膜との間に合金が形成される。
その結果、内部電極が実質的に長くなり、本体片の側端
面から十分露出されて内部電極と外部電極との接続がよ
り確実になるとともに、密着強度の高い外部電極を形成
することができる。
の外部電極の形成方法は、前記金属膜の拡散係数が前記
内部電極材料より大きいことを特徴とするものである。
本発明よれば、セラミックに対して密着強度の高い第一
金属膜を形成した後、内部電極の材料と異なる拡散係数
を持つ第二金属膜を形成して熱処理を施すと、この第二
金属膜が第一金属膜を通過して内部電極側に拡散が起こ
り、内部電極と第二金属膜との間に合金が形成される。
その結果、内部電極が実質的に長くなり、本体片の側端
面から十分露出されて内部電極と外部電極との接続がよ
り確実になるとともに、密着強度の高い外部電極を形成
することができる。
【００１０】特に、金属膜の拡散係数が内部電極材料よ
り大きいので、内部電極に金属膜が第一電極祖を通過し
て入り込み、内部電極材料と金属膜との間に合金が形成
されて内部電極の実質的に長くなり本体片の側端面から
確実に露出するようになる。
り大きいので、内部電極に金属膜が第一電極祖を通過し
て入り込み、内部電極材料と金属膜との間に合金が形成
されて内部電極の実質的に長くなり本体片の側端面から
確実に露出するようになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図面を
参照しつつ具体的に説明する。まず、図１（ａ）に示す
ように、酸化チタンやチタン酸バリウム及びＰｂ系の複
合ペロブスカイト型化合物の誘電体材料を有機バインダ
ーに分散させたグリーンシート１３上に、完成時には内
部電極となるＡｇ−Ｐｄ系，Ｐｄ等の金属を含む導電ペ
ースト１４をスクリーン印刷し、このグリーンシート１
３を所定枚数（２０〜１００枚程度）積み重ねて熱圧着
する。その後、熱圧着したグリーンシート１３を切断線
１５に沿って切断し、所定寸法の積層セラミックコンデ
ンサの本体片１を得る。
参照しつつ具体的に説明する。まず、図１（ａ）に示す
ように、酸化チタンやチタン酸バリウム及びＰｂ系の複
合ペロブスカイト型化合物の誘電体材料を有機バインダ
ーに分散させたグリーンシート１３上に、完成時には内
部電極となるＡｇ−Ｐｄ系，Ｐｄ等の金属を含む導電ペ
ースト１４をスクリーン印刷し、このグリーンシート１
３を所定枚数（２０〜１００枚程度）積み重ねて熱圧着
する。その後、熱圧着したグリーンシート１３を切断線
１５に沿って切断し、所定寸法の積層セラミックコンデ
ンサの本体片１を得る。
【００１２】そして、同図（ｂ）に示すように、本体片
１を仮焼成して脱バインダーした後焼成し、本体片１の
一対の側端面から内部電極２が露出するようにバレル研
磨を施す。しかし、本体片１内においては丸印で囲んだ
ように複数枚（ここでは２枚）の内部電極２が側端面か
ら十分に露出していないことがあり、この状態で従来の
方法で薄膜の外部電極を本体片１の側端面に形成する
と、内部電極２と外部電極との接続が不十分となり、静
電容量の損失、誘電正接（ｔａｎδ）の増大等の不具合
を発生するおそれがある。
１を仮焼成して脱バインダーした後焼成し、本体片１の
一対の側端面から内部電極２が露出するようにバレル研
磨を施す。しかし、本体片１内においては丸印で囲んだ
ように複数枚（ここでは２枚）の内部電極２が側端面か
ら十分に露出していないことがあり、この状態で従来の
方法で薄膜の外部電極を本体片１の側端面に形成する
と、内部電極２と外部電極との接続が不十分となり、静
電容量の損失、誘電正接（ｔａｎδ）の増大等の不具合
を発生するおそれがある。
【００１３】そこで、同図（ｃ）に示すように、本体片
１を収納するための多数の貫通孔１６を有する枠部１７
を底板１８の上に固定した治具を準備し、貫通孔１６内
に側端面が上を向くように本体片１を挿入する。そし
て、この治具を側端面に金属膜を形成できる装置、例え
ばスパッタリング装置、にセットする。そして、本発明
では内部電極２との間で拡散を生じる金属膜を形成する
前に、図２（ｄ）に示すように、スパッタリングにより
体片１の両側端面に、セラミックに対して密着性の高い
Ｃｒ，Ｍｎ又はＡｌからなる第一金属膜４ａを膜厚０．
１〜１μｍ程度となるように形成した後、Ａｇ−Ｐｄ系
又はＰｄ等の金属からなる内部電極２より拡散係数の大
きい金属、例えばＡｇを膜厚０．５〜２μｍ程度となる
第二金属膜４ｂを形成する。
１を収納するための多数の貫通孔１６を有する枠部１７
を底板１８の上に固定した治具を準備し、貫通孔１６内
に側端面が上を向くように本体片１を挿入する。そし
て、この治具を側端面に金属膜を形成できる装置、例え
ばスパッタリング装置、にセットする。そして、本発明
では内部電極２との間で拡散を生じる金属膜を形成する
前に、図２（ｄ）に示すように、スパッタリングにより
体片１の両側端面に、セラミックに対して密着性の高い
Ｃｒ，Ｍｎ又はＡｌからなる第一金属膜４ａを膜厚０．
１〜１μｍ程度となるように形成した後、Ａｇ−Ｐｄ系
又はＰｄ等の金属からなる内部電極２より拡散係数の大
きい金属、例えばＡｇを膜厚０．５〜２μｍ程度となる
第二金属膜４ｂを形成する。
【００１４】次に、第一金属膜４ａ及び第二金属膜４ｂ
が形成された本体片１を治具を取り出して、トンネル炉
内にセットし、昇温温度３０℃／分で，最高温度８５０
℃を１０分保持し、側端面に金属膜４が形成された本体
片１に熱処理を施す。熱処理を施すと、図２（ｅ）に示
すように、拡散係数の違いにより第二金属膜４ｂが第一
金属膜４ａを通過して本来露出されるべき内部電極２と
の間で拡散が起こり、本体片１の側端面付近で第二金属
膜４ｂと内部電極２の合金５が形成され、内部電極２が
実質的に延長され、本体片１の側端面から十分露出する
ようになる。
が形成された本体片１を治具を取り出して、トンネル炉
内にセットし、昇温温度３０℃／分で，最高温度８５０
℃を１０分保持し、側端面に金属膜４が形成された本体
片１に熱処理を施す。熱処理を施すと、図２（ｅ）に示
すように、拡散係数の違いにより第二金属膜４ｂが第一
金属膜４ａを通過して本来露出されるべき内部電極２と
の間で拡散が起こり、本体片１の側端面付近で第二金属
膜４ｂと内部電極２の合金５が形成され、内部電極２が
実質的に延長され、本体片１の側端面から十分露出する
ようになる。
【００１５】特に、本発明では、Ａｇからなる第二金属
膜４ｂの拡散係数がＡｇ−Ｐｄ系又はＰｄ系の内部電極
２より大きいので、第二金属膜４ｂが第一電極膜４ａを
通過して内部電極２側に入り込み、本体片１の側端面付
近に合金５が形成されることになる。他方内部電極２の
非接続端側では内部電極２と金属膜４との間には一定の
間隔で離間されているので、上述の拡散作用による合金
形成がほとんど生じない。
膜４ｂの拡散係数がＡｇ−Ｐｄ系又はＰｄ系の内部電極
２より大きいので、第二金属膜４ｂが第一電極膜４ａを
通過して内部電極２側に入り込み、本体片１の側端面付
近に合金５が形成されることになる。他方内部電極２の
非接続端側では内部電極２と金属膜４との間には一定の
間隔で離間されているので、上述の拡散作用による合金
形成がほとんど生じない。
【００１６】かかる場合、内部電極２の拡散係数が第二
金属膜４ｂより大きいとすれば、内部電極２が近接する
側端面側に拡散して合金５が形成されるが、内部電極２
が拡散された分膜厚が薄くり、内部電極２の一部が断線
するおそれが生じる。しかしながら、本願では第二金属
膜４ａの拡散係数が大きいのでこのような問題は生じな
い。
金属膜４ｂより大きいとすれば、内部電極２が近接する
側端面側に拡散して合金５が形成されるが、内部電極２
が拡散された分膜厚が薄くり、内部電極２の一部が断線
するおそれが生じる。しかしながら、本願では第二金属
膜４ａの拡散係数が大きいのでこのような問題は生じな
い。
【００１７】なお、本実施例では、熱処理を８５０℃の
温度で行ったが、第二金属膜４ｂと内部電極２との間で
拡散が生じればよく、５００℃〜９００℃の間で適宜選
択することができる。次いで、側端面付近に合金５が形
成された本体片１を、図１（ｃ）と同様の治具に側端面
が上を向くように本体片１を挿入し、外部電極を形成す
るための装置、例えばスパッタリング装置、に治具ごと
セットする。
温度で行ったが、第二金属膜４ｂと内部電極２との間で
拡散が生じればよく、５００℃〜９００℃の間で適宜選
択することができる。次いで、側端面付近に合金５が形
成された本体片１を、図１（ｃ）と同様の治具に側端面
が上を向くように本体片１を挿入し、外部電極を形成す
るための装置、例えばスパッタリング装置、に治具ごと
セットする。
【００１８】そして、この本体片１にスパッタリングを
施して、図２（ｆ）に示すように外部電極３を形成す
る。外部電極３の形成方法は、第一金属膜４ａ及び第二
金属膜４ｂが両側端面に形成された本体片１の一方の側
端面に第ハンダ食われ防止用のバリア金属となるＮｉか
らなる第一電極層３ａを形成し、次にハンダ付け性の良
いＡｇ等の金属材料からなる第二電極層３ｂを形成す
る。さらに、一方の外部電極３を形成した後、治具を裏
返して本体片１の他方の側端面が上を向くようにし、上
述と同様に２種類の電極材料をスパッタリングし、第一
電極層３ａ，第二電極層３ｂからなる外部電極３を形成
する。
施して、図２（ｆ）に示すように外部電極３を形成す
る。外部電極３の形成方法は、第一金属膜４ａ及び第二
金属膜４ｂが両側端面に形成された本体片１の一方の側
端面に第ハンダ食われ防止用のバリア金属となるＮｉか
らなる第一電極層３ａを形成し、次にハンダ付け性の良
いＡｇ等の金属材料からなる第二電極層３ｂを形成す
る。さらに、一方の外部電極３を形成した後、治具を裏
返して本体片１の他方の側端面が上を向くようにし、上
述と同様に２種類の電極材料をスパッタリングし、第一
電極層３ａ，第二電極層３ｂからなる外部電極３を形成
する。
【００１９】この図からも明らかなように、内部電極２
は金属膜４ｂとの合金５の形成により側端面から十分露
出しており、内部電極２と外部電極３とは確実に電気的
に接続することになる。本発明の実施例では、内部電極
２としてＡｇ−Ｐｄ系，Ｐｄを、第二金属膜４ｂとして
Ａｇを使用したが、拡散係数が内部電極より金属膜が大
きければどのような金属材料を使用しも良い。ここで拡
散係数について説明すると、金属の拡散係数は一般に次
の式で与えられる。 Ｄ＝Ｄ0ｅｘｐ（−Ｑ／ＲＴ） Ｄ：拡散係数(cm2/sec) Ｄ0：拡散の振動数項(cm2/sec) Ｑ：活性化エネルギー(kcal/mol) Ｒ：気体定数(1.986cal/K・mol) Ｔ：絶対温度(K) ただし、拡散の振動数項Ｄ0，活性化エネルギーＱは自
己拡散の実験によって決定された金属材料固有の数値で
ある。
は金属膜４ｂとの合金５の形成により側端面から十分露
出しており、内部電極２と外部電極３とは確実に電気的
に接続することになる。本発明の実施例では、内部電極
２としてＡｇ−Ｐｄ系，Ｐｄを、第二金属膜４ｂとして
Ａｇを使用したが、拡散係数が内部電極より金属膜が大
きければどのような金属材料を使用しも良い。ここで拡
散係数について説明すると、金属の拡散係数は一般に次
の式で与えられる。 Ｄ＝Ｄ0ｅｘｐ（−Ｑ／ＲＴ） Ｄ：拡散係数(cm2/sec) Ｄ0：拡散の振動数項(cm2/sec) Ｑ：活性化エネルギー(kcal/mol) Ｒ：気体定数(1.986cal/K・mol) Ｔ：絶対温度(K) ただし、拡散の振動数項Ｄ0，活性化エネルギーＱは自
己拡散の実験によって決定された金属材料固有の数値で
ある。
【００２０】本発明で使用されたＡｇ，Ｐｄについて拡
散係数を計算すると、Ａｇ；Ｄ0=0.395(cm2/sec)，Ｑ=4
4.09(kcal/mol)であり、Ｐｄ；Ｄ0=0.205(cm2/sec)，Ｑ
=63.6(kcal/mol)であり、Ｔ=1125Kとして式（１）にそ
れぞれ代入すると拡散係数が得られる。ＡｇはＤ＝0.38
7(cm2/sec)、ＰｄはＤ＝0.199(cm2/sec)となりＡｇの拡
散係数がＰｄより大きいことが判る。従って、上記の式
で算出される拡散係数の値を参照に適宜金属材料を選択
することができる。
散係数を計算すると、Ａｇ；Ｄ0=0.395(cm2/sec)，Ｑ=4
4.09(kcal/mol)であり、Ｐｄ；Ｄ0=0.205(cm2/sec)，Ｑ
=63.6(kcal/mol)であり、Ｔ=1125Kとして式（１）にそ
れぞれ代入すると拡散係数が得られる。ＡｇはＤ＝0.38
7(cm2/sec)、ＰｄはＤ＝0.199(cm2/sec)となりＡｇの拡
散係数がＰｄより大きいことが判る。従って、上記の式
で算出される拡散係数の値を参照に適宜金属材料を選択
することができる。
【００２１】次に、本願発明により形成された積層セラ
ミックコンデンサと、従来のＡｇ粉末とＺｒＯ2粉末を
利用して形成された積層セラミックコンデンサの外部電
極の密着強度に関する比較実験を行った。この実験で
は、図３（ａ）に示すように、薄本体片１に形成された
薄膜の外部電極３に先端に円形の取付部２１を有するリ
ード線２０を半田付けし、リード線２１を両端側から引
張り、外部電極３が剥がれるときの引張り強度を測定す
ることで密着強度を測定した。
ミックコンデンサと、従来のＡｇ粉末とＺｒＯ2粉末を
利用して形成された積層セラミックコンデンサの外部電
極の密着強度に関する比較実験を行った。この実験で
は、図３（ａ）に示すように、薄本体片１に形成された
薄膜の外部電極３に先端に円形の取付部２１を有するリ
ード線２０を半田付けし、リード線２１を両端側から引
張り、外部電極３が剥がれるときの引張り強度を測定す
ることで密着強度を測定した。
【００２２】その結果を、図３（ｂ）のグラフに表示し
た。このグラフで、直線は強度のばらつきを示し、丸印
はその平均値を示している。このグラフからも明らかな
ように、本願発明の方法で形成された外部電極の密着強
度が、従来方法で形成された外部電極の密着強度に比
べ、ばらつきが少なく、しかもその引張強度が大きくな
るといえる。
た。このグラフで、直線は強度のばらつきを示し、丸印
はその平均値を示している。このグラフからも明らかな
ように、本願発明の方法で形成された外部電極の密着強
度が、従来方法で形成された外部電極の密着強度に比
べ、ばらつきが少なく、しかもその引張強度が大きくな
るといえる。
【００２３】
【発明の効果】以上、説明したように本発明による積層
セラミックコンデンサの外部電極の形成方法によれば、
セラミックに対して密着強度の高い第一金属膜を形成し
た後、内部電極の材料と異なる拡散係数を持つ第二金属
膜を形成して熱処理を施すと、この第二金属膜が第一金
属膜を通過して内部電極側に拡散が起こり、内部電極と
第二金属膜との間に合金が形成される。その結果、内部
電極が実質的に延長され、本体片の側端面から十分露出
されて内部電極と外部電極との接続がより確実になると
ともに、第一金属膜により密着強度の高い外部電極を形
成することができ、静電容量の損失、誘電正接（ｔａｎ
δ）の増大、密着強度の低下等の問題を解決することが
できる。
セラミックコンデンサの外部電極の形成方法によれば、
セラミックに対して密着強度の高い第一金属膜を形成し
た後、内部電極の材料と異なる拡散係数を持つ第二金属
膜を形成して熱処理を施すと、この第二金属膜が第一金
属膜を通過して内部電極側に拡散が起こり、内部電極と
第二金属膜との間に合金が形成される。その結果、内部
電極が実質的に延長され、本体片の側端面から十分露出
されて内部電極と外部電極との接続がより確実になると
ともに、第一金属膜により密着強度の高い外部電極を形
成することができ、静電容量の損失、誘電正接（ｔａｎ
δ）の増大、密着強度の低下等の問題を解決することが
できる。
【００２４】特に、金属膜の拡散係数が内部電極材料よ
り大きいので、内部電極に金属膜が第一電極祖を通過し
て入り込み、内部電極材料と金属膜との間に合金が形成
されて内部電極の実質的に長くなり本体片の側端面から
確実に露出するようになる。
り大きいので、内部電極に金属膜が第一電極祖を通過し
て入り込み、内部電極材料と金属膜との間に合金が形成
されて内部電極の実質的に長くなり本体片の側端面から
確実に露出するようになる。
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの製造工程
の一部を示す説明図。
の一部を示す説明図。
【図２】本発明の積層セラミックコンデンサの製造工程
の一部を示す説明図。
の一部を示す説明図。
【図３】本発明により形成された外部電極の密着強度を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図４】従来の積層セラミックコンデンサを示す断面
図。
図。
【図５】従来の積層セラミックコンデンサの製造方法を
示す断面図。
示す断面図。
１ 本体片 ２ 内部電極 ３ 外部電極 ４ａ 第一金属膜 ４ｂ 第二金属膜 ５ 合金部
Claims (2)
- 【請求項１】セラミックよりなる本体片の内部に複数枚
の内部電極を配設し前記本体片から内部電極を露出させ
た後、前記本体片の側端面にセラミックに対し密着強度
の高い第一金属膜と内部電極の材料と異なる拡散係数を
持つ第二金属膜をこの順で形成し熱処理を施した後、前
記内部電極と導通する外部電極を設けることを特徴とす
る積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法。 - 【請求項２】 前記第一金属膜の拡散係数が前記内部電
極の材料より大きいことを特徴とする請求項１記載の積
層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28706096A JP3524298B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28706096A JP3524298B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135064A true JPH10135064A (ja) | 1998-05-22 |
| JP3524298B2 JP3524298B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=17712541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28706096A Expired - Fee Related JP3524298B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3524298B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014060331A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Tdk Corp | 積層電子部品 |
| WO2016121417A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 株式会社村田製作所 | 蓄電デバイス及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-10-29 JP JP28706096A patent/JP3524298B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014060331A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Tdk Corp | 積層電子部品 |
| WO2016121417A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 株式会社村田製作所 | 蓄電デバイス及びその製造方法 |
| JPWO2016121417A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2017-11-02 | 株式会社村田製作所 | 蓄電デバイス及びその製造方法 |
| US10079117B2 (en) | 2015-01-30 | 2018-09-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electric storage device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3524298B2 (ja) | 2004-05-10 |
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