JPH1012586A - 処理装置および処理方法 - Google Patents

処理装置および処理方法

Info

Publication number
JPH1012586A
JPH1012586A JP8178415A JP17841596A JPH1012586A JP H1012586 A JPH1012586 A JP H1012586A JP 8178415 A JP8178415 A JP 8178415A JP 17841596 A JP17841596 A JP 17841596A JP H1012586 A JPH1012586 A JP H1012586A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
processing unit
rotation
processing
wafers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8178415A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3624054B2 (ja
Inventor
Tatsuya Nishida
辰也 西田
Kenji Miyaji
健次 宮地
Hidejiro Oka
秀治郎 岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OHMIYA KOGYO CO Ltd
OOMIYA KOGYO KK
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
OHMIYA KOGYO CO Ltd
OOMIYA KOGYO KK
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by OHMIYA KOGYO CO Ltd, OOMIYA KOGYO KK, Tokyo Electron Ltd filed Critical OHMIYA KOGYO CO Ltd
Priority to JP17841596A priority Critical patent/JP3624054B2/ja
Priority to TW086108422A priority patent/TW339449B/zh
Priority to US08/877,565 priority patent/US5960562A/en
Priority to KR1019970025287A priority patent/KR100432269B1/ko
Publication of JPH1012586A publication Critical patent/JPH1012586A/ja
Priority to US09/154,741 priority patent/US6187060B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3624054B2 publication Critical patent/JP3624054B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/14Wafer cassette transporting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Photographic Processing Devices Using Wet Methods (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 回転処理部に被処理体を収納した後、直ちに
被処理体の回転を開始できる手段を提供する。 【解決手段】 複数枚の被処理体を一括して回転させて
乾燥処理する回転処理部19と、被処理体の枚数に基づ
いてカウンターウェイトの位置を移動させることにより
該回転処理部をバランス調整するオートバランサ75,
76とを備えた処理装置において、前記回転処理部19
に収納される被処理体の枚数を計数する計数手段と、予
め定めておいた被処理体の枚数とカウンターウェイトの
移動位置との関係に従って前記バランス調整機構のバラ
ンス調整を制御する制御手段とを設けたことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハなどの被処理体に回転を与え、被処理体の表面に付着
した液体などを回転による遠心力で飛散させる工程を含
んだ処理を行う処理装置と方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という)表面
のパーティクル、有機汚染物等のコンタミネーションを
除去するために洗浄システムが使用されている。その中
でもウェハを処理部内の洗浄液に浸漬して洗浄するウエ
ット型の洗浄システムは、ウェハに付着したパーティク
ルを効果的に除去できる長所がある。
【0003】このウエット型の洗浄システムは、連続バ
ッチ処理を可能とするため、例えば25枚のウェハをキ
ャリア単位で装置内にロードするローダと、このローダ
によってロードされたキャリア2個分の50枚のウェハ
を一括して搬送する搬送手段と、この搬送手段によって
搬送される50枚のウェハをバッチ式に洗浄、乾燥する
ように配列されたユニットとしての処理部を備え、さら
に各処理部によって洗浄、乾燥されたウェハをアンロー
ドするアンローダとを備えた、ウエットステーションと
呼ばれ、広く使用されている。このウエットステーショ
ンの各処理部では、アンモニア処理、フッ酸処理、硫酸
処理、塩酸処理などの各種薬液処理と、純水などによる
水洗処理とが交互に行われ、更に最終的に、乾燥処理が
行われる。
【0004】ウェハの乾燥処理を行う処理部としては、
ウェハを回転させて遠心力でウェハ表面の処理液を振り
飛ばして乾燥させる回転式の処理部と、ウェハの表面に
親水性の高いIPA[イソプロピルアルコール:(CH
32CHOH]の蒸気を供給しつつ排水して乾燥を行う
IPA処理部とが、従来より公知になっている。そし
て、回転処理部はいわゆるスピンドライヤなどとも呼ば
れており、IPA処理部に比べて構造が簡単で、防爆機
構なども不要でランニングコストも低廉であるといった
長所を有している。従来、この回転式の乾燥処理部に関
して、例えば実開平5−83870号のスピンドライヤ
が公知になっている。
【0005】ここで従来の回転式の乾燥処理部を簡単に
説明すると、図11に示す如く、回転処理部内に配置さ
れる処理室200内に一対の回転軸201、202が直
列に設けてあり、回転軸201にはモータ203の回転
動力が伝達される。回転軸202は従動軸である。これ
ら回転軸201、202には、処理室200内において
ロータ205、206がそれぞれ取り付けられ、これら
ロータ205とロータ206との間に掛け渡された拘束
機構207、208によって複数枚のウェハWが並列状
態で一括して保持されている。拘束機構207、208
のウェハWと当接する側の面には、図12に示すよう
に、多数の溝210が一定の間隔で刻設され、ウェハW
の周縁部をこれら溝210にそれぞれ挿入させることに
より、拘束機構207、208の間に複数のウェハWを
互いに一定間隔の距離を保った状態で並列に保持してい
る。
【0006】また、処理室200には、図示しない吸気
口と排気口が接続されており、これら吸排気口を介して
処理室200内に清浄な空気を流通させながらモータ2
03の動力によってウェハWを回転させることにより、
ウェハWに付着している水分を遠心力で飛散させ、ま
た、清浄空気によってウェハWを蒸発、乾燥させること
ができるように構成されている。
【0007】ところで、かような回転処理部において
は、ウェハWの重心が回転中心(回転軸201、202
の回転中心)と一致していない場合がある。かかる状態
でそのままウェハWを回転させると重量バランスがくず
れ、回転中に振動を生ずる心配がある。このため、騒音
防止や装置の耐久性の向上といった観点から、ウェハW
の回転に伴って発生する振動が大きくならないようにバ
ランスを調整し、軸ぶれを押さえる必要がある。そこ
で、ウェハWと一緒に回転する回転軸201、202に
オートバランサ211、212を装着して一体的に回転
させ、それらオートバランサ211、212内に設けら
れたカウンターウェイトを適当な位置に移動させること
により、バランス調整を行っている。
【0008】ここで、オートバランサ211、212は
何れも同様の構成を有しているので、回転軸201に装
着されているオートバランサ211について代表して説
明すると、図13(a)、(b)に示すように、オート
バランサ211内には一対のカウンターウェイト21
3、214が設けられており、回転軸201と共にこれ
らカウンターウェイト213、214も回転することに
より、遠心力215、216がそれぞれ働く構成になっ
ている。これらカウンターウェイト213、214の配
置角度は何れも360゜自由に移動させることができ、
図13(a)に示す状態では、カウンターウェイト21
3とカウンターウェイト214とが互いに正反対の位置
(180゜開いた位置)に配置されている。この場合、
回転時にカウンターウェイト213に働く遠心力215
とカウンターウェイト214に働く遠心力216は、互
いに反対方向となり、遠心力215と遠心力216の合
力は互いに打ち消しあって0になる。
【0009】一方、図13(b)は、カウンターウェイ
ト213とカウンターウェイト214を、図13(a)
に示す状態からそれぞれ所定の角度だけ移動させた状態
を示している。この場合は、回転時にカウンターウェイ
ト213に働く遠心力215とカウンターウェイト21
4に働く遠心力216の合力217が作用することにな
る。このように、オートバランサ211、212内にお
いてカウンターウェイト213とカウンターウェイト2
14の位置を任意に移動させることにより、カウンター
ウェイト213に働く遠心力215とカウンターウェイ
ト214に働く遠心力216の合力217の方向および
大きさを変えることができるように構成されており、こ
の合力217を利用して処理室200内で回転させるウ
ェハWのバランスを調整している。なお、オートバラン
サ211について代表して説明したが、オートバランサ
212も全く同様の構成を有している。
【0010】ところで、バランス調整のためのオートバ
ランサ211、212内におけるカウンターウェイト2
13、214の最適な位置を見つけ出す方法としては、
従来次のような方法が一般的に採用されている。即ち、
予め回転処理部の処理室200内にウェハWを収納した
状態で、カウンターウェイト213、214の位置を例
えば5゜ずつ変化させながらウェハWを回転させて振動
を測定する操作を少なくとも一回以上行い、カウンター
ウェイト213、214の位置と振動値の関係を調べ、
その関係に基づいて、振動を最も小さくできるカウンタ
ーウェイト213、214の位置を決定する方法であ
る。
【0011】しかし、この方法は、処理室200内にウ
ェハWを収納して実際にそれを回転させなければカウン
ターウェイト213、214の最適位置を見つけ出すこ
とができない。このため、ウェハWを乾燥させるための
回転を開始する前に、少なくとも一回以上の余計な回転
操作を繰り返さなければならず、処理時間の短縮化をは
かり難い。また、この方法によると、バランスが調整さ
れていない状態でウェハWを回転させる操作を避けるこ
とができないが、その際に振動が大きく発生する。
【0012】一方最近では、回転処理部の処理室200
内に収納したウェハWの枚数とカウンターウェイト21
3、214の位置との間に密接な関係があることが分か
ってきた。即ち、例えば最大50枚のウェハWを処理室
200内に一括して収納し、それらを回転させて乾燥処
理できるように構成された回転処理部を例にしていえ
ば、処理室200内に収納されるウェハの枚数が50枚
の時はカウンターウェイト213、214を所定の角度
の位置に移動すれば良く、ウェハWの枚数が49枚の時
はカウンターウェイト213、214を別の所定の角度
の位置に移動すれば良く、ウェハWの枚数が48枚の時
はカウンターウェイト213、214を更に別の所定の
角度の位置に移動すれば良い、といったようにウェハW
の枚数が分かれば、振動を最も小さくするカウンターウ
ェイト213、214の位置が一義的に定まることが分
かった。このように、回転処理部においてウェハWの枚
数とカウンターウェイト213、214の位置と関係を
予め調べておけば、実際の処理を行う場合は、ウェハW
の枚数さえ計数すればプリセットデータに従ってカウン
ターウェイト213、214の位置を調節すれば良く、
処理毎に余計な回転操作を繰り返さなくても済む。
【0013】そこで、上記の実開平5−83870号の
スピンドライヤでは、一対の発光器と受光器からなるカ
ウンタを回転処理部内に設けて、回転処理部内に収納し
たウェハの枚数をそのカウンタで計数し、その計数値に
基づいてバランス調整を行っている。この方法によれ
ば、ウェハを回転乾燥させる前に、余計な回転操作をし
なくて良い。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】しかし、実開平5−8
3870号のスピンドライヤは、回転処理部内に収納し
てからウェハの枚数の計数を開始し、バランスを調整し
ているため、回転処理部にウェハを収納した後、直ちに
ウェアの回転を開始することができない。例えばウエッ
ト型の洗浄システムでは、各洗浄部において予め洗浄さ
れリンスされることによって表面に水が付着した状態の
ウェハが回転処理部に収納されることになるが、そのよ
うな表面に水が付着したウェハを長時間放置すると、水
が自然蒸発してウェハの表面にいわゆるウォータマーク
を形成してしまう。
【0015】また、実開平5−83870号のスピンド
ライヤは回転処理部内にカウンタが配置されているが、
かような構造によると、ウェハを回転させた際に飛び散
った水が発光器や受光器に付着し、それら機器の作動不
良を招きやすい。更に、このスピンドライヤも、回転処
理部内にウェハを収納してから回転を開始するまでに時
間がかかるため、処理時間の短縮化をはかり難い。ま
た、回転処理部内はあまり広くない場合が多く、カウン
タを設けることは構造上困難なことも多い。
【0016】本発明の目的は、回転処理部に被処理体を
収納した後、直ちに被処理体の回転を開始できる手段を
提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、複数
枚の被処理体を一括して回転させて乾燥処理する回転処
理部と、被処理体の枚数に基づいてカウンターウェイト
の位置を移動させることにより該回転処理部をバランス
調整するバランス調整機構とを備えた処理装置におい
て、前記回転処理部に収納される被処理体の枚数を計数
する計数手段と、予め定めておいた被処理体の枚数とカ
ウンターウェイトの移動位置との関係に従って前記バラ
ンス調整機構のバランス調整を制御する制御手段とを設
けたことを特徴とする。
【0018】請求項2の発明は、被処理体を処理する一
または二以上の処理部と、該処理部で処理された複数枚
の被処理体を一括して回転させて乾燥処理する回転処理
部と、被処理体の枚数に基づいてカウンターウェイトの
位置を移動させることにより該回転処理部をバランス調
整するバランス調整機構とを備えた処理装置において、
前記処理部での処理を開始する前に被処理体の枚数を計
数する計数手段と、予め定めておいた被処理体の枚数と
カウンターウェイトの移動位置との関係に従って前記バ
ランス調整機構のバランス調整を制御する制御手段とを
設けたことを特徴とする。
【0019】これら請求項1または2の処理装置におい
て、請求項3に記載したように、前記制御手段は、遅く
とも前記回転処理部に被処理体を収納した時までに前記
バランス調整機構のバランス調整を終了しておくように
制御するものであることが好ましい。
【0020】請求項4の発明は、回転処理部に収納した
被処理体の枚数に基づいてカウンターウェイトの位置を
移動させることにより該回転処理部をバランスを調整し
た後、複数枚の被処理体を一括して回転させて処理でき
るように構成された処理方法において、遅くとも前記回
転処理部に被処理体を収納した時までにバランスの調整
を終了しておき、前記回転処理部に被処理体を収納した
後、直ちに被処理体の回転を開始することを特徴とす
る。
【0021】この請求項4の処理方法において、請求項
5に記載したように、前記回転処理部のバランス調整
は、予め定めておいた被処理体の枚数とカウンターウェ
イトの移動位置との関係に従って行うことができる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、被処理体の一例としてのウェハWを洗浄するため
の洗浄システム1に基づいて説明する。図1は、洗浄シ
ステム1の斜視図である。
【0023】この洗浄システム1は、キャリアC単位で
搬入された洗浄前のウェハWをキャリアCから整列した
状態で取り出す動作を行う搬入・取出部2と、この搬入
・取出部2で取り出された複数枚数の(例えば、キャリ
アC2個分の50枚の)ウェハWを一括してバッチ式に
洗浄、乾燥する洗浄乾燥処理部3と、この洗浄乾燥処理
部3で洗浄、乾燥されたウェハWを、例えば25枚ずつ
キャリアCに装填してキャリアC単位で搬出する装填・
搬出部4の三つの箇所に大別することができる。
【0024】搬入・取出部2には、洗浄前のウェハWを
例えば25枚収納可能なキャリアCを搬入して載置させ
る搬入部5と、そのキャリアCからウェハWを取り出し
て整列させる取出部6が隣接して配置されており、更
に、キャリアCを搬入部5から取出部6へ一度に適宜数
(例えば2個)ずつ移送するための移送装置7が設けら
れている。
【0025】この実施の形態においては、洗浄乾燥処理
部3には、搬入・取出部2側から装填・搬出部4側の順
に、後述する搬送装置30のウェハチャック36を洗浄
および乾燥するための処理部11、洗浄液を用いてウェ
ハWを洗浄する処理部12、この処理部12で洗浄され
たウェハWをリンス洗浄する処理部13、14、洗浄液
を用いてウェハWを洗浄する処理部15、この処理部1
5で洗浄されたウェハWをリンス洗浄する処理部16、
17、後述する搬送装置32のウェハチャック38を洗
浄および乾燥するための処理部18、および、各処理部
11〜17で洗浄されたウェハWを回転させながら清浄
な空気を流通させることにより、ウェハWに付着してい
る水分を遠心力で飛散させ、清浄空気によってウェハW
を乾燥させるための回転処理部19が配列されている。
【0026】そして、処理部11と処理部18では、例
えば純水などを用いてウェハチャック36、38の洗浄
をそれぞれ行い、更に、ウェハチャック36、38の乾
燥をそれぞれ行う。また、処理部12と処理部15で
は、互いに種類の異なる洗浄液による洗浄を行うのが一
般的である。その一例として、処理部12では、例えば
アンモニア過水の如きアルカリ系洗浄液(NH4OH/
22/H2O)を用いたいわゆるSC1洗浄を行い、
ウェハW表面に付着している有機汚染物、パーティクル
等の不純物質を除去する。また、処理部15では、例え
ば塩酸過水(HCl+H22)を用いたいわゆるSC2
洗浄を行って、この酸系洗浄により金属イオンの除去、
ウェハW表面の安定化を図る。また、処理部13、1
4、および処理部16、17では、例えば純水の如き洗
浄水を用いてウェハWのリンス洗浄を行う。また、回転
処理部19では、後述するようにウェハWに回転を与え
て表面に付着した洗浄液を遠心力で飛散させ、清浄な空
気を流通させてウォーターマークを残すことのない乾燥
を行う。
【0027】但し、各処理部11〜19の配列、組合わ
せはウェハWに対する洗浄の種類によって任意に組み合
わせることができ、場合によってはある処理部を省略し
たり、逆に他の処理部を付加してもよい。例えば、硫酸
過水(H2SO4+H22)洗浄を行う処理部などが組み
合わされる場合もある。なお、ウェハWの乾燥を行う回
転処理部19は最も最後に配置されるのが一般的であ
る。
【0028】装填・搬出部4には、先に説明した搬入・
取出部2の取出部6と同様の構成を有する装填部20、
搬入部5と同様の構成を有する搬出部21、および、移
送装置7と同様の構成を有する移送装置(図示せず)が
それぞれ設けられている。
【0029】そして、洗浄乾燥処理部3の前面側(図1
における手前側)には、搬入・取出部2側から装填・搬
出部4側の順に、三つの搬送装置30、31、32が配
列されており、これら各搬送装置30、31、32は、
何れもガイド33に沿って洗浄システム1の長手方向に
スライド移動自在に構成されている。各搬送装置30、
31、32は、それぞれ対応するウェハチャック36、
37、38を備えていて、各搬送装置30、31、32
はそのウェハチャック36、37、38によって所定枚
数のウェハW(例えばキャリアC二個分の50枚のウェ
ハW)を一括して把持することが可能である。これらの
内、搬入・取出部2側に位置する搬送装置30は、その
ウェハチャック36で所定枚数のウェハWを保持してガ
イド33に沿ってスライド移動することにより、搬入・
取出部2の取出部6から取り出したウェハWを、洗浄乾
燥処理部3において処理部12、13、14の順に一括
して搬送する。また、中央に位置する搬送装置31は、
そのウェハチャック37で所定枚数のウェハWを保持し
てガイド33に沿ってスライド移動することにより、洗
浄乾燥処理部3において処理部14、15、16、17
の順にウェハWを一括して搬送する。また、装填・搬出
部4側に位置する搬送装置32は、そのウェハチャック
38で所定枚数のウェハWを保持してガイド33に沿っ
てスライド移動することにより、洗浄乾燥処理部3にお
いて処理部17、回転処理部19の順にウェハWを一括
して搬送し、更に、回転処理部19から装填・搬出部4
の搬出部20にウェハWを一括して搬送する。
【0030】ここで、前述の搬入・取出部2に設けられ
ている取出部6の詳細について図2、図3に基づいて説
明すると、この取出部6の上面には、シリンダ40の短
縮稼働に従って下降する(図3における破線矢印方向に
移動する)可動ステージ41が設けられている。またこ
の可動ステージ41には、ウェハ保持台42、43が通
過自在な開口44、45が形成されており、これら各開
口44、45の周縁上方には、各開口44、45を挟ん
で、ガイド部材46とプッシャ47が対向配置されてい
る。前述の搬入部5から移送装置7によって取出部6に
移送された2つのキャリアCは、これらガイド部材46
とプッシャ47によって位置決めされて、可動ステージ
41上の所定の位置、即ちこれら各キャリアCの各下面
に形成されている図示しない開口部と、前記各開口4
4、45とが一致する位置で固定される。
【0031】ウェハ保持台42、43の上面には、ウェ
ハWの下端周縁部を受容して保持する保持溝50が例え
ば25本ずつ所定の間隔で形成されており、これらウェ
ハ保持台42、43は支柱51の上端にそれぞれ固定さ
れて、常時は同じ高さを保っている。但し、手前側のウ
ェハ保持台42を固定している支柱51は、奥側のウェ
ハ保持台43に近付く方向に移動できるように構成され
ている。
【0032】整列部6の上方には、ウェハカウンタ55
が設置されている。このウェハカウンタ55は、ウェハ
保持台42、43の側方に沿って移動自在なL字型のガ
イド材56と、このガイド材56の上端に支持された湾
曲部材57で構成される。湾曲部材57の下面には、ウ
ェハ保持台42、43の上方においてそれぞれ同じ高さ
で対向する発光器61と受光器62、発光器63と受光
器64が配置されている。但し、発光器63と受光器6
4は、発光器61と受光器62よりも少しだけ高い位置
に配置される。
【0033】このウェハカウンタ55のガイド材56
は、通常は取出部6の最も手前側の位置に退避してい
る。そして、後述するように、ウェハ保持台42、43
によってウェハWがキャリアCから相対的に突き上げら
れると、ガイド材56はウェハ保持台42、43の側方
に沿って移動する。この移動の際には、図3に示したよ
うに、湾曲部材57の下側にて対向している発光器61
と受光器62が各ウェハWの周縁部上端を挟む状態とな
り、発光器61と受光器62が各ウェハWの周縁部上端
を通過する際に、発光部61の光が当該ウェハWの周縁
部上端によって遮断されるので、受光部62は受光でき
ず、そのことによってウェハWの存在を検知して、ウェ
ハWの枚数を計数する。そして、この計数の後、手前側
のウェハ保持台42を固定している支柱51が移動し、
ウェハ保持台42を奥側のウェハ保持台43に近付ける
ことにより、いわゆる片寄せが行われてウェハWが整列
した状態になる。
【0034】なお、湾曲部材57の上側にて対向してい
る発光器63と受光器64は、発光器61と受光器62
よりも少しだけ高い位置に配置されており、図3に示す
ガイド材56の移動の際には、発光器63から出た光は
各ウェハWの周縁部上端よりも少しだけ上方の位置を通
過して受光器64に入光するように設定されている。従
って、ウェハ保持台42、43によってキャリアCから
相対的に突き上げられたウェハWが、整列状態にはな
く、例えばある1枚のウェハが、ウェハ保持台42、4
3の各保持溝50に受容されず飛び出している場合(い
わゆるジャンプスロット状態の場合)は、前記発光器6
3からの光が、当該飛び出しているウェハWによって遮
断されて、受光器64で受光できないので、そのことに
よりウェハWの整列状態の適否が検出できるようになっ
ていると共に、オリフラの角度のズレも検出できるよう
になっている。
【0035】次に、この洗浄システム1の洗浄乾燥処理
部3に組み込まれる回転処理部19の構成を、図4〜7
に基づいて詳細に説明する。
【0036】図4に示すように、回転処理部19の内部
に架台70が設けられ、この架台70の上にウェハWを
回転処理する処理室71が支持される。処理室71の両
側面には一対の回転軸72、73が配設されており、回
転軸72は従動軸であり、回転軸73はモータ74の稼
働によって回転される駆動軸である。
【0037】また、これら回転軸72、73にバランス
調整機構としてのオートバランサ75、76を装着して
いる。これらオートバランサ75、76は回転軸72、
73と一体的に回転する。オートバランサ75、76
は、先に図13で説明したものと同様の構成を備えてお
り、その内部にはバランス調整用のカウンタウェイトが
それぞれ二個ずつ内蔵されていて、それらカウンタウェ
イトの位置を移動させることにより、回転処理部19の
処理室71内に一括して収納されたウェハW全体のバラ
ンスを調整する構成となっている。
【0038】処理室71の上部は開口部80に形成され
ており、この開口部80を塞ぐための蓋体81が、処理
室71の一側面のブラケット82を通る軸83によって
支持されている。この軸83を中心にして蓋体81を上
方に持ち上げて回動させると、処理室71の上部は開口
状態となる。図4において実線で示した蓋体81は、上
方に持ち上げて処理室71の上部を開口させた状態を示
している。逆に、軸83を中心にして蓋体81を下げる
ことにより処理室71内を密閉することができる。図4
において一点鎖線で示した蓋体81’は、蓋体を下げて
処理室71内を密閉した状態を示している。この蓋体8
1の側面には、後述するように処理室71内に給気され
る空気中の電荷を除去するためのイオナイザ85が装着
してある。
【0039】処理室71の上方には、前述の搬送装置3
2のウェハチャック38によって例えば50枚まとめて
把持されたウェハWが待機している。このように処理室
71の上方に待機しているウェハWは、既に各処理部1
2〜17における所定の処理が行われた状態にある。
【0040】この搬送装置32はウェハチャック38を
駆動させる駆動部90を備え、この駆動部90は洗浄シ
ステム1の長手方向に沿って走行移動する走行部91の
上方に昇降部92を介して支持される。図4中、実線で
示した駆動部90は、昇降部92の上昇によって上方に
持ち上げられた状態を示している。一点鎖線で示した駆
動部90’は、昇降部92の下降によって下に下がった
状態を示している。ウェハチャック38は、駆動部90
から突出する左右一対の把持部材93、93を備えてお
り、これら把持部材93、93にはそれぞれ二本づつの
アーム94、94が垂設され、更にこれらアーム94、
94の間に上下の把持棒95、95がそれぞれ取り付け
られている。
【0041】このウェハチャック38を正面から見ると
図6に示すようになっており、把持部材93、93の回
動によって左右のアーム94、94が矢印96で示され
る方向にそれぞれ揺動する。そして、アーム94、94
同士を互いに近づけるように揺動させた際に、例えば5
0枚のウェハWを把持棒95、95同士の間で一括して
把持するように構成されている。ウェハWの周縁は略円
形に形成され、その一部に平坦形状のオリフラ部W’が
形成される。この実施の形態に示す洗浄システム1にあ
っては、このオリフラ部W’を上に向けた姿勢にして把
持棒95、95同士の間でウェハWを一括把持するよう
になっている。
【0042】また、把持棒95、95の内側にはウェハ
Wの周縁部を保持するための、ウェハWの枚数に対応す
る例えば50個の溝97が等間隔で刻設されている。従
って、この搬送装置32は、ウェハチャック38のアー
ム94、94同士を互いに近づけるように揺動させた際
に、例えば50枚のウェハWを把持棒95、95の溝9
7にそれぞれ挿入させた状態で、それらウェハWを並列
に等間隔に並べて一括把持することが可能である。そし
て、このように把持棒95、95同士の間で一括して把
持した例えば50枚のウェハWを、図4に示すように処
理室71の上方に移動できるように構成されている。ま
た、前記昇降部92の下降動作により、このように並列
に並べて把持した状態のウェハWを、そのオリフラ部
W’を上に向けた姿勢を保ったまま下降させ、処理室7
1の開口部80を介して処理室71内部に搬入すること
が可能である。
【0043】図4に示すように、処理室71の内部にお
いて前述の回転軸72、73の先端にはロータ100、
101がそれぞれ装着されており、これらロータ10
0、101の間には、下側の拘束機構102と上側の拘
束機構103が装着されている。ロータ100、101
がこれら拘束機構102、103によって連結されるこ
とにより、前述のモータ74の稼働によって、回転軸7
2、73と一緒にロータ100、101も一体的に回転
するように構成されている。
【0044】図6に示すように、下側の拘束機構102
は例えばテフロンパイプにステンレスパイプを圧入した
二重構造からなる3本の棒体106、107、108を
ロータ100、101の間に固着した構成になってい
る。これら3本の棒体106、107、108において
ウェハWと接触する側の面(図示の例では上面)には、
上記把持棒95、95の内側に刻設された溝97に対応
する溝110、111、112がそれぞれ刻設されてい
る。上記したように搬送装置32の昇降部92の下降動
作によって、ウェハチャック38の把持棒95、95同
士の間で把持された例えば50枚のウェハWが処理室7
1内部に搬入されると、それらウェハWの周縁部が溝1
10、111、112にそれぞれ挿入されるように構成
されている。そして、そのように3本の棒体106、1
07、108の溝110、111、112にウェハWの
周縁部を挿入させた際には、棒体106と棒体108の
溝110と溝112がウェハWの自重を支える役割を果
たし、棒体107の溝111がウェハWの倒れを防ぐ役
割を果たすことにより、例えば50枚のウェハWがこれ
ら3本の棒体106、107、108の上において垂直
に立った姿勢を保ちながら、等間隔で並列に並んだ状態
に保持されるようになっている。
【0045】上側の拘束機構103も同様に、図6に示
すように例えばテフロンパイプにステンレスパイプを圧
入してなる3本の棒体115、116、117を備えて
いる。但し、両側の棒体115と棒体117は溝のない
丸棒に形成される。棒体116のウェハWと接触する側
の面(図示の例では下面)には、先に説明した下側の拘
束機構102の棒体106、107、108にそれぞれ
形成された溝110、111、112に対応する溝11
8が刻設されている。この溝118は、2つの傾斜面1
18a、118bの備えた略「V」字形状に形成されて
いる。
【0046】拘束機構103を構成しているこれら棒体
115、116、117の基端側と先端側には、図7に
示すように、「T」字形状のブラケット120、130
が取り付けてあり、基端側のブラケット120はロータ
101に回転自在に支持された軸119に取り付けられ
ており、上側の拘束機構103全体をこの軸119を中
心にして回動させることにより、図4中の実線で示すよ
うに、上側の拘束機構103を上方に90度回動させ
て、処理室71の上方に上側の拘束機構103を退避さ
せた状態と、一点鎖線103’で示すように、上側の拘
束機構103を水平に倒すことにより、処理室71内に
収納したウェハWを下側の拘束機構102との間で押さ
えた状態とに切り替えることができる。
【0047】後述するように、ウェハチャック38より
一括して受け渡された例えば50枚のウェハWを、これ
ら下側の拘束機構102と上側の拘束機構103によっ
て拘束保持した際には、ウェハWの周縁部は下側の拘束
機構102の棒体106、107、108の溝110、
111、112と上側の拘束機構103の棒体116の
溝118に挿入された状態とされ、例えば50枚のウェ
ハWが等間隔を保ちながら並列に保持されるようになっ
ている。また、このように下側の拘束機構102と上側
の拘束機構103によって拘束保持されたウェハWの、
ロータ100、101に対する相対的な回転は、オリフ
ラ部W’と棒体116の溝118に形成された傾斜面1
18a、118bの何れかとの接触によって、阻止され
るように構成されている。
【0048】図7に示すように、ロータ101に回転自
在に支持された軸119の一端には噛み合い部121が
形成されている。上記処理室71の壁面には、この軸1
19の噛み合い部121と歯合可能な噛み合い部122
を有する軸123を、進退自在かつ回転自在に支持する
軸受装置124が装着されている。軸123には処理室
71の外部においてタイミングプーリ125が取り付け
られており、該タイミングプーリ125を介して図示し
ないモータからの回転動力が軸123に伝達される。ま
た、軸123の後端は、処理室71の外部に固定された
シリンダ126のピストンロッド127と部材128を
介して接続され、シリンダ126の作動によるピストン
ロッド127の伸縮に従って軸123は進退するように
構成されている。
【0049】一方、先端側のブラケット130はロータ
100に装着された切替ピン131によって固定される
ロック状態と、ロータ100に対して固定されていない
アンロック状態に切り換えて保持されるように構成され
ている。上記処理室71の壁面には、この切替ピン13
1をロック状態にさせるプッシャ132と、この切替ピ
ン131をアンロック状態にさせるプッシャ133が、
切替ピン131と直列に対向配置されている。
【0050】上記処理室71の壁面の一部には、光を通
過させる窓部135、136が対向配置されており、こ
の窓部135、136を介して処理室71内部に光を投
光する投光器137と、その光を受光する受光センサ1
38が装着されている。処理室71内にウェハWが収納
されているときは、そのウェハWによって光が遮られる
ので受光センサ138は光を検知できなくなり、それに
よってウェハWの存在を検出できる。
【0051】また、図4に示すように、処理室71の下
方には架台70の内部に構成された気液排除機構140
が設置されている。この気液排除機構140は、処理室
71の内部を吸引すると共に、処理室71内でウェハW
より分離された水分を排除するもので、ドレン141と
ブロワ142を備えており、これらドレン141とブロ
ワ142と、処理室71内を接続ダクト143、144
によって連通させた構成になっている。
【0052】さて、以上のように構成された洗浄システ
ム1におけるウェハWの処理工程を説明すると、先ず、
図示しない搬送ロボットの如き適当な搬送手段により、
キャリアCが搬入・取出部2の搬入部5に載置される。
このキャリアCにはまだ洗浄されていないウェハWが装
填されている。キャリアCには、正常な場合は例えば2
5枚の如き所定枚数のウェハWが装填されているが、何
らかの理由により、所定枚数よりも少ない枚数のウェハ
Wしか装填されていない場合もある。
【0053】そして、搬入・取出部2の搬入部5に載置
されたキャリアCは、オリフラ合わせが行われた後、移
送装置7によって隣接する取出部6に順次移送され、そ
の都度、ガイド部材46とプッシャ47によるキャリア
Cの位置決めが行われる。こうして、可動ステージ41
上に形成されている各開口44、45の真上位置に二つ
のキャリアCがそれぞれの下面開口部を一致させるよう
に位置決めが行われると、可動ステージ41が下降を開
始し、それに伴って、二つのキャリアCも一緒に下降し
ていく。この時、ウェハ保持台42、43は支柱51の
上端にそれぞれ固定されて同じ高さを保っているので、
二つのキャリアC内に装填されていたウェハWは、各開
口44、45と二つのキャリアCの下面に形成されてい
る図示しない開口部をそれぞれ通過して相対的に上昇す
るウェハ保持台42、43によって突き上げられ、ウェ
ハWは、各キャリアC内から取り出されてそのままウェ
ハ保持台42、43の各保持溝50で保持された状態と
なる。
【0054】次いで、今度はウェハカウンタ55のガイ
ド材56がウェハ保持台42、43の側方に沿って移動
し、その移動の際に湾曲部材57の下側にて対向してい
る発光器61と受光器62の間で各ウェハWの周縁部上
端をスキャンしていき、ウェハWの枚数を計数する。同
時に、発光器63と受光器64とによって、各ウェハW
が全て整列状態で保持されているかの確認もなされる。
このようにして計数されたウェハWの枚数は、後に図8
において説明する中央制御部150に入力され、記憶さ
れる。
【0055】また、この計数の後、図2において手前側
のウェハ保持台42を固定している支柱51が移動し、
ウェハ保持台42を奥側のウェハ保持台43に近付ける
ことによりいわゆる片寄せが行われ、キャリアC二個分
のウェハWが等間隔で整列した状態になる。こうして、
搬入・取出部2の取出部6において、キャリアC二個分
のウェハWが整列状態で待機される。
【0056】こうして搬入・取出部2の取出部6におい
てウェハ保持台42、43上に整列されたウェハWは、
次に、既に洗浄乾燥処理部3の処理部11において洗浄
及び乾燥処理された搬送装置30のウェハチャック36
によって整列状態を維持したまま一括して把持され、各
処理部12、13、14へと搬送されて、そこでウェハ
Wは洗浄液中に浸漬されて順次洗浄処理される。更に、
搬送装置31のウェハチャック37によってウェハWは
一括把持されて各処理部15、16、17へと搬送さ
れ、そこでもウェハWは洗浄液中に浸漬されて順次洗浄
処理される。
【0057】このようにして洗浄システム1の各処理部
12〜17において既に所定の洗浄処理が既に行われた
ウェハWは、次に、既に搬送装置32のウェハチャック
38によって整列状態を維持したまま一括して把持さ
れ、図4に示すように、回転処理部19の処理室71の
上方に搬送される。
【0058】そして、処理室71においては、図4中の
実線で示したように蓋体81が上方に回動し、処理室7
1上部の開口部80が開放された状態になっている。ま
た、上側の拘束機構103は上方に90度回動させられ
て、図中の実線で示したように処理室71の上方に退避
した状態になっている。
【0059】次に、上記搬送装置32の昇降部92の下
降動作により、ウェハチャック38で把持されたウェハ
Wが一括して処理室71内部に搬入される。そして、ウ
ェハチャック38が所定の高さまで下降すると、図6に
示すように、ウェハチャック38の把持棒95、95同
士の間で把持されているウェハWの周縁部が下側の拘束
機構102の棒体106、107、108に形成された
溝110、111、112にそれぞれ挿入された状態と
なる。こうして、ウェハチャック38で把持していたウ
ェハWを下側の拘束機構102上に載置させた後、ウェ
ハチャック38のアーム94、94が開脚揺動して把持
棒95、95同士の間で把持していたウェハWを放し、
その後、上記昇降部92の上昇動作により、ウェハチャ
ック38は上昇させられ、処理室71の上方に退避され
る。こうして下側の拘束機構102に受け渡されたウェ
ハWは、棒体106、108の溝110、112によっ
てその自重が支えられると共に、棒体107の溝111
によって倒れが防がれて、ウェハWはこれら3本の棒体
106、07、108の上において垂直に立った姿勢を
保ちながら、等間隔で並列に並んだ状態に保持される。
【0060】こうしてウェハWを下側の拘束機構102
上に載置させ、ウェハチャック38を処理室71の上方
に退避させた後、上側の拘束機構103がロータ101
に対して軸119を中心に下向きに90度回動すること
により、図4に示すように、下側の拘束機構102と一
点鎖線で示した上側の拘束機構103’の間でウェハW
が垂直に立った姿勢で一括して拘束保持される。また、
蓋体81が軸83を中心にして下方に回動し、図4中の
一点鎖線で示した蓋体81’の状態となって処理室71
の上部は閉塞された状態となる。
【0061】ここで、以上のような上側の拘束機構10
3の下向きへの回動は、図示しないモータの稼働によっ
て行われる。即ち、下側の拘束機構102上へのウェハ
Wの受け渡しが終了すると、先ず、軸受装置124に設
けられた軸123が処理室71の内部に向かって進出
し、軸123先端の噛み合い部122と、上側の拘束機
構103の軸119先端の噛み合い部121が歯合状態
となる。次いで、図示しないモータが稼働して、その回
転がタイミングプーリ125を介して、軸123に伝達
され、上側の拘束機構103は下向きに90度回動され
る。また、このように上側の拘束機構103が下向きに
90度回動させられて、下側の拘束機構102と上側の
拘束機構103の間でウェハWを拘束保持した後、処理
室71の壁面に配置されたプッシャ132がロータ10
0に装着された切替ピン131を押すように作動する。
これにより、上側の拘束機構103の先端側のブラケッ
ト130はロータ100に装着された切替ピン131に
よって固定されてロック状態となる。このように、下側
の拘束機構102と上側の拘束機構103の間でウェハ
Wを拘束保持する工程が終了したら、上記軸受装置12
4に設けられた軸123は後退し、軸123先端の噛み
合い部122と、上側の拘束機構103の軸119先端
の噛み合い部121が離れた状態となる。また、プッシ
ャ132も短縮稼働され、ロータ100に装着された切
替ピン131から離れる。こうして、回転処理部19の
処理室71内にウェハWを収納する工程が終了する。
【0062】一方、遅くとも以上のように回転処理部1
9の処理室71内にウェハWが収納されるときまでに
は、こうして下側の拘束機構62と上側の拘束機構63
の間で一括して保持されたウェハW全体のバランス調整
が、オートバランサ75、76によって既に行われた状
態になっている。
【0063】即ち、前述の搬入・取出部2の取出部6に
おいてウェハカウンタ55で計数されたウェハWの枚数
は、図8に示すバッファ151を経て中央制御部150
に入力され、記憶される。そして、この中央制御部15
0にて記憶されたウェハWの枚数が再びバッファ151
を経て、回転処理部19のオートバランサ75、76を
制御しているコントローラ152に入力され、各オート
バランサ75、76に内蔵されたカウンタウェイトの位
置を移動させることにより、ウェハWの枚数に基づくバ
ランス調整が行われる。
【0064】ここで、カウンタウエイトの移動位置は、
予めコントローラ152に位置データとして記憶されて
おり、前述の搬入、取出部2の取出部6においてウェハ
カウンタ55によってウェハWの枚数が計数されると、
その枚数に応じてカウンタウエイトの移動位置が選択さ
れるようになっている。なお、このカウンタウエイトの
移動位置を決定しておくために、処理室71内に実際に
何通りかの枚数でウェハWを収納して回転させ、手動も
しくは自動によってカウンタウエイトの移動させてバラ
ンス調整を行うことにより、図9に示す如きウェハWの
枚数xとカウンタウエイトの合力yの関係を予め決定し
ておく。この関係を決定するためには、ウェハWの枚数
は全枚数(たとえば1枚から50枚までの全部の枚数)
に対する測定を行って図9に示す関係を定めても良い
が、適当な枚数毎(例えば5枚おき)に測定を行ってそ
の間の関係は近似式(1次式)により求めるようにして
も良い。ウェハWの枚数xとカウンタウエイトの合力y
は比例関係にあり、ウェハWの枚数xが多くなるにつれ
てカウンタウエイトの合力yも大きくする必要が生じる
ので、ウェハの枚数xとカウンタウエイトの合力yとの
関係は、一次式であるy=ax+bで表現できる。ここ
でaはこの直線の傾きを示し、bはオフセットを示す。
例えば、5枚のウェハWを収納した場合のカウンタウエ
イトの合力yと、10枚のウェハWを収納した場合のカ
ウンタウエイトの合力yを実測データとしてこの関係式
(y=ax+b)に代入し、a(傾き)とb(オフセッ
ト)を算出する。この求めた式においてxにウェハWの
枚数として6枚〜9枚を代入すれば、それに対応した合
力yを求めることが可能となる。
【0065】そして、このようにして予め定めておいた
関係に従ってウェハWの枚数に応じたカウンタウエイト
の合力を求め、カウンタウエイトの移動位置を選択して
バランス調整を行う。このバランス調整を、遅くとも回
転処理部19の処理室71内にウェハWが収納されると
きまでに終了しておき、処理室71内にウェハWを収納
した後は、直ちにウェハWを回転させて乾燥処理を開始
する。
【0066】但し、実際には洗浄システム1の搬入・取
出部2と洗浄乾燥処理部3と装填・搬出部4における各
バッチ処理は同時に進行しており、洗浄乾燥処理部3の
各処理部12〜17および回転処理部19にはキャリア
C2個分のウェハWがそれぞれ収納された状態になって
いる(以下、このように各処理部12〜17および回転
処理部19に収納されているそれぞれの複数枚のウェハ
Wを「ロット」と呼ぶ)。従って、以上のようなオート
バランサ75、76のバランス調整は、回転処理部19
において任意のロットのウェハWの乾燥処理が終了した
後、次のロットのウェハWが回転処理部19の処理室7
1内に収納される前に行っておかなければならない。
【0067】そこで、この実施の形態では、図10に示
す手順に従ってバランス調整が行われる。即ち、先ずS
1に示すように、搬送装置32のウェハチャック38
が、回転処理部19において乾燥処理を終了したロット
のウェハWを搬出すると、S2に示すように、中央制御
部150は処理部17に収納されているウェハW(次に
回転処理部19の処理室71内に収納されるロットとな
るウェハW)の枚数をコントローラ152に入力する。
9なお、このコントローラ152へのウェハWの枚数の
入力を、次に回転処理部19の処理室71内に収納され
るロットが決まった時点で行いように構成しても良
い。)すると、コントローラ152はウェハWの枚数に
基づいてオートバランサ75、76に内蔵されたカウン
タウェイトの移動位置を決定し、カウンタウェイトの移
動指令をオートバランサ75、76に出力する。これに
より、オートバランサ75、76内のカウンタウェイト
が移動を開始し、S3に示すように、バランス調整が開
始する。
【0068】また、中央制御部150は、S4に示すよ
うに、このバランス調整に必要な時間、即ち、オートバ
ランサ75、76内のカウンタウェイトの移動に必要な
時間Aと、次のロットのウェハWを回転処理部19の処
理室71内に収納し終えるまでの時間、即ち、搬送装置
32のウェハチャック38によって処理部17からウェ
ハWを取り出し、それを回転処理部19の処理室71内
に収納し終えるまでの時間Bとの差X(X=A−B)を
演算する。そして、時間Aが時間Bよりも長くない場合
(X≦0)は、ウェハWを回転処理部19の処理室71
内に収納し終えた時には、必ずオートバランサ75、7
6のバランス調整が終了しているので、S5に示すよう
に、バランス調整の開始後すぐに処理部17からのウェ
ハWの搬送を開始して良い。
【0069】しかし、時間Aが時間Bよりも長い場合
(X>0)は、バランス調整の開始後すぐにウェハWの
搬送を開始すると、ウェハWを回転処理部19の処理室
71内に収納した時にまだバランス調整が終了していな
いといった事態が生ずる恐れがある。ウェハWを処理室
71内に収納した時点でバランス調整が終了していない
と、すぐにウェハWの回転を開始することができず、ウ
ォータマークの発生の原因となる。
【0070】そこで、時間Aが時間Bよりも長い場合
(X>0)は、S6に示すように、オートバランサ7
5、76においてバランス調整を開始してから時間Xだ
け搬送装置32の稼働開始を待機させ、時間Xが経過し
た後、搬送装置32のウェハチャック38によって処理
部17からウェハWを取り出し、それを回転処理部19
の処理室71内に収納する。そうすれば、回転処理部1
9の処理室71内にウェハWを収納した時には、必ずオ
ートバランサ75、76内のバランス調整が終了してい
ることとなる。
【0071】こうして、回転処理部19の処理室71内
においてウェハWを下側の拘束機構と上側の拘束機構1
03の間で一括して拘束保持し、また、処理室71の上
部を蓋体81によって閉塞してウェハWを収納する工程
が終了すると、直ちにモータ74が稼働を開始し、S7
に示すように、回転処理が開始する。こうしてウェハW
が回転させられることにより、ウェハWの表面に付着し
ていた水分がその遠心力により周囲に飛散する。この場
合、上述のようにオートバランサ75、76内のバラン
ス調整は既に終了しているので、回転に伴って発生する
振動を小さく押さえることができる。また一方で、架台
70の内部に構成された気液排除機構140の稼働が開
始される。即ち、ブロワ142の稼働によって処理室7
1の内部雰囲気が減圧され、これにより図示しないフィ
ルタを通過して清浄化された空気が処理室71内に流入
される。そして、この清浄空気が処理室71内部におい
て回転しているウェハWの表面に吹き付けられることに
より、ウェハWは乾燥される。また、ウェハWの表面か
ら遠心力によって飛散除去された水分はブロワ142の
給気流と共に処理室71下方に排出され、該水分はドレ
ン141に捕集される。
【0072】S8に示すようにウェハWの乾燥処理を終
了すると、モータ74の稼働が停止し、ウェハWの回転
が止まる。次いで、上側の拘束機構103は上方に90
度回動して退避状態となり、蓋体81は上方に回動退避
し、処理室71の上部が開放される。すると、予め処理
部18において洗浄および乾燥処理された搬送装置32
のウェハチャック38が処理室71内部に下降し、回転
処理部19の処理室71内から乾燥処理されたウェハW
をロットごと取り出し、そのウェハWを装填・搬出部4
の装填部20に搬送して行く。かくして以上の工程を経
て洗浄乾燥処理されたウェハWは装填・搬出部4の装填
部20にてキャリアCに装填された後、搬出部21にお
いて、キャリアCごと洗浄システム1の外部に取り出さ
れる。
【0073】以上、本発明の実施の形態をウェハWを洗
浄するための洗浄システム1に基づいて説明したが、図
示の例によれば、回転処理部19の処理室71内にウェ
ハWを収納した後、すぐにモータ74の稼働を開始する
ように構成しているので、ウェハWの表面に付着してい
た水分は自然蒸発する間もなく直ちに遠心力によって飛
散する。従って、ウェハWの表面にウォータマークが残
る心配がない。
【0074】
【発明の効果】本発明によれば、回転処理部に被処理体
を収納した後、直ちに被処理体の回転を開始することに
より、処理時間の短縮化を図ることができる。また、収
納後から回転開始までの時間が極めて短いので、その間
に被処理体に生ずる不具合を回避できるといった特徴が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】洗浄システムの斜視図である。
【図2】取出部の斜視図である。
【図3】図2におけるA−A断面矢視拡大図である。
【図4】本発明の実施の形態にかかる回転処理部の内部
構造の説明図である。
【図5】回転処理部の内部構造を側方より見た説明図で
ある。
【図6】下側の拘束機構と上側の拘束機構によって拘束
保持された状態のウェハの拡大正面図である。
【図7】処理室の平面図である。
【図8】洗浄システムの制御を示すブロック図である。
【図9】ウェハWの枚数xとカウンタウエイトの合力y
の関係を示すグラフである。
【図10】本発明の実施の形態におけるバランス調整の
手順を示すフローチャートである。
【図11】従来の回転処理部の内部構造図である。
【図12】ウェハの周縁部が保持杆の溝に挿入された状
態を示す拡大図である。
【図13】オートバランサによるバランス調整の説明図
である。
【符号の説明】
W ウェハ C キャリア 1 処理システム 2 搬入・取出部 3 洗浄乾燥処理部 4 装填・搬出部 19 回転処理部 55 ウェハカウンタ 71 処理室 75、76 オートバランサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡 秀治郎 広島県福山市大門町5丁目60番地 大宮工 業株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数枚の被処理体を一括して回転させて
    乾燥処理する回転処理部と、被処理体の枚数に基づいて
    カウンターウェイトの位置を移動させることにより該回
    転処理部をバランス調整するバランス調整機構とを備え
    た処理装置において、 前記回転処理部に収納される被処理体の枚数を計数する
    計数手段と、予め定めておいた被処理体の枚数とカウン
    ターウェイトの移動位置との関係に従って前記バランス
    調整機構のバランス調整を制御する制御手段とを設けた
    ことを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 被処理体を処理する一または二以上の処
    理部と、該処理部で処理された複数枚の被処理体を一括
    して回転させて乾燥処理する回転処理部と、被処理体の
    枚数に基づいてカウンターウェイトの位置を移動させる
    ことにより該回転処理部をバランス調整するバランス調
    整機構とを備えた処理装置において、 前記処理部での処理を開始する前に被処理体の枚数を計
    数する計数手段と、予め定めておいた被処理体の枚数と
    カウンターウェイトの移動位置との関係に従って前記バ
    ランス調整機構のバランス調整を制御する制御手段とを
    設けたことを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項3】 前記制御手段は、遅くとも前記回転処理
    部に被処理体を収納した時までに前記バランス調整機構
    のバランス調整を終了しておくように制御するものであ
    る請求項1または2に記載の処理装置。
  4. 【請求項4】 回転処理部に収納した被処理体の枚数に
    基づいてカウンターウェイトの位置を移動させることに
    より該回転処理部をバランスを調整した後、複数枚の被
    処理体を一括して回転させて処理できるように構成され
    た処理方法において、 遅くとも前記回転処理部に被処理体を収納した時までに
    バランスの調整を終了しておき、前記回転処理部に被処
    理体を収納した後、直ちに被処理体の回転を開始するこ
    とを特徴とする処理方法。
  5. 【請求項5】 前記回転処理部のバランス調整は、予め
    定めておいた被処理体の枚数とカウンターウェイトの移
    動位置との関係に従って行われる請求項4に記載の処理
    方法。
JP17841596A 1996-06-18 1996-06-18 処理装置および処理方法 Expired - Fee Related JP3624054B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17841596A JP3624054B2 (ja) 1996-06-18 1996-06-18 処理装置および処理方法
TW086108422A TW339449B (en) 1996-06-18 1997-06-17 Processing apparatus and processing method of processing objects
US08/877,565 US5960562A (en) 1996-06-18 1997-06-17 Processing apparatus of processing wafer sheets
KR1019970025287A KR100432269B1 (ko) 1996-06-18 1997-06-18 처리장치및처리방법
US09/154,741 US6187060B1 (en) 1996-06-18 1998-09-17 Sheet processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17841596A JP3624054B2 (ja) 1996-06-18 1996-06-18 処理装置および処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1012586A true JPH1012586A (ja) 1998-01-16
JP3624054B2 JP3624054B2 (ja) 2005-02-23

Family

ID=16048105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17841596A Expired - Fee Related JP3624054B2 (ja) 1996-06-18 1996-06-18 処理装置および処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5960562A (ja)
JP (1) JP3624054B2 (ja)
KR (1) KR100432269B1 (ja)
TW (1) TW339449B (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100707107B1 (ko) * 1997-07-17 2007-12-27 동경 엘렉트론 주식회사 세정.건조처리방법및장치
JP3627132B2 (ja) * 1997-11-18 2005-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板乾燥処理装置及び基板乾燥処理方法
KR100300030B1 (ko) * 1997-12-30 2001-10-19 김영환 노광장비의레티클세정장치
WO2001068489A1 (en) * 2000-03-13 2001-09-20 Laurier Inc. Automated feed mechanism for electronic components of silicon wafer
EP1269813B1 (de) * 2000-03-28 2007-05-30 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und vorrichtung zum überprüfen von elektrischen bauteilen in einer bestückvorrichtung für substrate
US6748961B2 (en) * 2001-03-30 2004-06-15 Lam Research Corporation Angular spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same
JP4033689B2 (ja) * 2002-03-01 2008-01-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP4347156B2 (ja) * 2004-07-28 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US8635784B2 (en) * 2005-10-04 2014-01-28 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for drying a substrate
US20090098527A1 (en) * 2006-09-12 2009-04-16 Fischer Gerald W Biological organism identification product and methods
JP5212165B2 (ja) * 2009-02-20 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9099481B2 (en) 2013-03-15 2015-08-04 Semiconductor Components Industries, Llc Methods of laser marking semiconductor substrates

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05166757A (ja) * 1991-12-13 1993-07-02 Tokyo Electron Ltd 被処理体の温調装置
JP2575077B2 (ja) * 1992-03-31 1997-01-22 住友精密工業株式会社 スピンドライヤー
JP3190929B2 (ja) * 1992-10-26 2001-07-23 保 目崎 半導体材料の水切乾燥装置
JP2604561B2 (ja) * 1994-12-26 1997-04-30 山形日本電気株式会社 ウェーハ乾燥装置
JP3030228B2 (ja) * 1995-04-14 2000-04-10 三洋電機株式会社 遠心脱水装置
US5804507A (en) * 1995-10-27 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Radially oscillating carousel processing system for chemical mechanical polishing
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US5610104A (en) * 1996-05-21 1997-03-11 Cypress Semiconductor Corporation Method of providing a mark for identification on a silicon surface

Also Published As

Publication number Publication date
KR980005774A (ko) 1998-03-30
US6187060B1 (en) 2001-02-13
KR100432269B1 (ko) 2004-10-26
TW339449B (en) 1998-09-01
US5960562A (en) 1999-10-05
JP3624054B2 (ja) 2005-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6009890A (en) Substrate transporting and processing system
US5055036A (en) Method of loading and unloading wafer boat
US5048164A (en) Vertical heat-treatment apparatus having boat transfer mechanism
KR100676516B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
US7775222B2 (en) Single substrate cleaning apparatus and method for cleaning backside of substrate
JPH1012586A (ja) 処理装置および処理方法
CN111508881A (zh) 衬底处理装置、载具搬送方法及载具缓冲装置
JPH10256346A (ja) カセット搬出入機構及び半導体製造装置
JP3950299B2 (ja) 基板処理装置及びその方法
KR102081706B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP3098547B2 (ja) キャリアストッカ
JPH11111836A (ja) 浸漬式ワーク収納方法及び装置
JP3210186B2 (ja) 回転処理装置
JP3548416B2 (ja) 基板処理装置
JP2000124288A (ja) 基板搬送方法および基板搬送装置
JP4455291B2 (ja) 処理システム
JP2004296646A (ja) 基板処理装置
JP3205525B2 (ja) 基板の取出装置,搬入装置及び取出搬入装置
JPH04329636A (ja) ウエット処理装置及びウエット処理方法
JP3730813B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JPH11268827A (ja) 基板処理装置
JP2002359225A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄システム
JP2530549B2 (ja) 基板滴受け装置、基板移送装置および基板洗浄システム
JPH11219912A (ja) 縦型熱処理装置
JP5872880B2 (ja) 基板処理装置、基板移載装置及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040301

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041129

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101203

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees