JPH10107109A - 半導体素子及びその評価方法 - Google Patents
半導体素子及びその評価方法Info
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- JPH10107109A JPH10107109A JP8254570A JP25457096A JPH10107109A JP H10107109 A JPH10107109 A JP H10107109A JP 8254570 A JP8254570 A JP 8254570A JP 25457096 A JP25457096 A JP 25457096A JP H10107109 A JPH10107109 A JP H10107109A
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- resistors
- semiconductor device
- wiring
- wheatstone bridge
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 段差部に形成された配線の微妙な断線を感度
良く検出できる半導体素子及びその評価方法を提供す
る。 【解決手段】 段差部１ａ〜１ｄ上に同一形状、同一寸
法で同一抵抗値を有する４組の抵抗体２ａ〜２ｄにより
ホイートストンブリッジ回路を形成した。
良く検出できる半導体素子及びその評価方法を提供す
る。 【解決手段】 段差部１ａ〜１ｄ上に同一形状、同一寸
法で同一抵抗値を有する４組の抵抗体２ａ〜２ｄにより
ホイートストンブリッジ回路を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の段差
部の形成された配線の被覆状態の良否を評価できる半導
体素子の構造とその評価方法に関するものである。
部の形成された配線の被覆状態の良否を評価できる半導
体素子の構造とその評価方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の段差部に形成された
配線の被覆性（ステップカバレッジ）を評価する場合に
は、研磨等により前記段差部の断面を切り出し、ＳＥＭ
等で観察する方法が行われていた。さらに、今日の解析
ツールの進歩により、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ
Ｂｅａｍ）を応用した断面観察機能を特徴とする専用
解析装置で観察する方法もあった。
配線の被覆性（ステップカバレッジ）を評価する場合に
は、研磨等により前記段差部の断面を切り出し、ＳＥＭ
等で観察する方法が行われていた。さらに、今日の解析
ツールの進歩により、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ
Ｂｅａｍ）を応用した断面観察機能を特徴とする専用
解析装置で観察する方法もあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の評価方法はいずれも破壊評価である。つまり、半導体
素子事態を破壊してしまうことになり、全数の評価を行
うことができないという問題があった。
の評価方法はいずれも破壊評価である。つまり、半導体
素子事態を破壊してしまうことになり、全数の評価を行
うことができないという問題があった。
【０００４】一方、配線の被覆性を評価する目的で設計
されたテストサンプル（ＴＥＧ：Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅ
ｎｔ Ｇｒｏｕｐ）の抵抗値を測定する方法もあるが、
測定器事体の検出感度に依存するところが多く、また、
断線寸前の微妙な配線の欠損を検出することは困難であ
った。
されたテストサンプル（ＴＥＧ：Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅ
ｎｔ Ｇｒｏｕｐ）の抵抗値を測定する方法もあるが、
測定器事体の検出感度に依存するところが多く、また、
断線寸前の微妙な配線の欠損を検出することは困難であ
った。
【０００５】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、段差部に形成された配
線の微妙な断線を感度良く検出できる半導体素子及びそ
の評価方法を提供することにある。
あり、その目的とするところは、段差部に形成された配
線の微妙な断線を感度良く検出できる半導体素子及びそ
の評価方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体素
子は、段差部上に同一形状、同一寸法で同一抵抗値を有
する４組の抵抗体によりホイートストンブリッジ回路を
形成したことを特徴とするものである。
子は、段差部上に同一形状、同一寸法で同一抵抗値を有
する４組の抵抗体によりホイートストンブリッジ回路を
形成したことを特徴とするものである。
【０００７】請求項２記載の半導体素子は、請求項１記
載の半導体素子において、前記４組の抵抗体をアルミ配
線により形成したことを特徴とするものである。
載の半導体素子において、前記４組の抵抗体をアルミ配
線により形成したことを特徴とするものである。
【０００８】請求項３記載の半導体素子は、請求項１記
載の半導体素子において、前記４組の抵抗体をポリシリ
コンにより形成したことを特徴とするものである。
載の半導体素子において、前記４組の抵抗体をポリシリ
コンにより形成したことを特徴とするものである。
【０００９】請求項４記載の半導体素子の評価方法は、
前記ホイートストンブリッジ回路に定電流を印加し出力
の電位差により半導体素子の段差部の配線の被覆状態の
良否を判断するようにしたことを特徴とするものであ
る。
前記ホイートストンブリッジ回路に定電流を印加し出力
の電位差により半導体素子の段差部の配線の被覆状態の
良否を判断するようにしたことを特徴とするものであ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は、本発明の実施の形態
の一例に係る半導体素子の概略構成を示す模式図であ
る。１ａ〜１ｄはシリコン基板上に形成されたシリコン
酸化膜の段差部である。２ａ〜２ｄは段差部１ａ〜１ｄ
上に形成されたアルミ配線からなる抵抗体である。抵抗
体２ａ〜２ｄは同一形状且つ同一寸法で形成されてお
り、同一の抵抗値を有している。３ａ〜３ｄは電極パッ
ドであり、抵抗体２ａ〜２ｄの端部間を接続している。
つまり、電極パッド３ａには抵抗体２ａの一端と抵抗体
２ｂの一端とが接続され、電極パッド３ｂには抵抗体２
ｂの一端と抵抗体２ｃの一端とが接続され、電極パッド
３ｃには抵抗体２ｃの一端と抵抗体２ｄの一端とが接続
され、電極パッド３ｄには抵抗体２ｄの一端と抵抗体２
ａの一端とが接続されている。従って、抵抗体２ａ〜２
ｄと電極パッド３ａ〜３ｄとでホイートストンブリッジ
を構成しているのである。
を図面に基づき説明する。図１は、本発明の実施の形態
の一例に係る半導体素子の概略構成を示す模式図であ
る。１ａ〜１ｄはシリコン基板上に形成されたシリコン
酸化膜の段差部である。２ａ〜２ｄは段差部１ａ〜１ｄ
上に形成されたアルミ配線からなる抵抗体である。抵抗
体２ａ〜２ｄは同一形状且つ同一寸法で形成されてお
り、同一の抵抗値を有している。３ａ〜３ｄは電極パッ
ドであり、抵抗体２ａ〜２ｄの端部間を接続している。
つまり、電極パッド３ａには抵抗体２ａの一端と抵抗体
２ｂの一端とが接続され、電極パッド３ｂには抵抗体２
ｂの一端と抵抗体２ｃの一端とが接続され、電極パッド
３ｃには抵抗体２ｃの一端と抵抗体２ｄの一端とが接続
され、電極パッド３ｄには抵抗体２ｄの一端と抵抗体２
ａの一端とが接続されている。従って、抵抗体２ａ〜２
ｄと電極パッド３ａ〜３ｄとでホイートストンブリッジ
を構成しているのである。
【００１１】本実施形態の半導体素子の評価は図２のよ
うにして行う。電極パッド３ｂ、３ｄ間には電流源４を
接続し、電極パッド３ａ、３ｃ間には電圧計５を接続す
る。そして、電流源４により定電流（例えば１ｍＡ）を
印加した状態で、電極パッド３ａ、３ｃ間に発生する電
位差を電圧計５により測定する。
うにして行う。電極パッド３ｂ、３ｄ間には電流源４を
接続し、電極パッド３ａ、３ｃ間には電圧計５を接続す
る。そして、電流源４により定電流（例えば１ｍＡ）を
印加した状態で、電極パッド３ａ、３ｃ間に発生する電
位差を電圧計５により測定する。
【００１２】ここで、段差部１ａ〜１ｄでのアルミ配線
の被覆状態が良好であれば、４つの抵抗体２ａ〜２ｄの
抵抗値は全く同じ値を示すので、ホイートストンブリッ
ジに発生する電位差、つまり、電圧計５により測定され
る電位差は０（Ｖ）となる。もし、段差部１ａ〜１ｄで
のアルミ配線の内、１つでも被覆状態が悪ければ、つま
り、断線しかかっている状態であれば、抵抗体２ａ〜２
ｄの抵抗値にばらつきが生じ、ホイートストンブリッジ
に電位差が発生する。この電位差は電圧計５により測定
されるが、電位差の値が大きい程、段差部１ａ〜１ｄで
のアルミ配線の被覆状態が悪いということになる。
の被覆状態が良好であれば、４つの抵抗体２ａ〜２ｄの
抵抗値は全く同じ値を示すので、ホイートストンブリッ
ジに発生する電位差、つまり、電圧計５により測定され
る電位差は０（Ｖ）となる。もし、段差部１ａ〜１ｄで
のアルミ配線の内、１つでも被覆状態が悪ければ、つま
り、断線しかかっている状態であれば、抵抗体２ａ〜２
ｄの抵抗値にばらつきが生じ、ホイートストンブリッジ
に電位差が発生する。この電位差は電圧計５により測定
されるが、電位差の値が大きい程、段差部１ａ〜１ｄで
のアルミ配線の被覆状態が悪いということになる。
【００１３】従って、本実施形態の半導体素子を用いた
段差部１ａ〜１ｄでのアルミ配線の被覆状態の評価方法
では、段差部１ａ〜１ｄ上に形成された抵抗体２ａ〜２
ｄにより構成されたホイートストンブリッジに発生する
電位差を検出するだけで、配線の断線や断線に至らない
配線の被覆状態不良が容易に検出できるのである。
段差部１ａ〜１ｄでのアルミ配線の被覆状態の評価方法
では、段差部１ａ〜１ｄ上に形成された抵抗体２ａ〜２
ｄにより構成されたホイートストンブリッジに発生する
電位差を検出するだけで、配線の断線や断線に至らない
配線の被覆状態不良が容易に検出できるのである。
【００１４】なお、上述の実施形態においては、抵抗体
２ａ〜２ｄをアルミ配線により形成したが、ポリシリコ
ンにより形成してもよい。
２ａ〜２ｄをアルミ配線により形成したが、ポリシリコ
ンにより形成してもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、請求項１乃至請求項４記
載の発明によれば、半導体素子の段差部上にアルミ配線
やポリシリコンにより、同一形状、同一寸法で同一抵抗
値を有する４組の抵抗体を形成し、これらの抵抗体にて
ホイートストンブリッジ回路を形成し、該ホイートスト
ンブリッジ回路に定電流を印加し出力の電位差により半
導体素子の段差部の配線の被覆状態の良否を判断するよ
うにしたので、段差部に形成された配線の微妙な断線を
感度良く検出できる半導体素子及びその評価方法が提供
できた。
載の発明によれば、半導体素子の段差部上にアルミ配線
やポリシリコンにより、同一形状、同一寸法で同一抵抗
値を有する４組の抵抗体を形成し、これらの抵抗体にて
ホイートストンブリッジ回路を形成し、該ホイートスト
ンブリッジ回路に定電流を印加し出力の電位差により半
導体素子の段差部の配線の被覆状態の良否を判断するよ
うにしたので、段差部に形成された配線の微妙な断線を
感度良く検出できる半導体素子及びその評価方法が提供
できた。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体素子の概略構
成を示す模式図である。
成を示す模式図である。
【図２】同上の半導体素子を用いた評価方法を示す模式
図である。
図である。
１ａ〜１ｄ 段差部 ２ａ〜２ｄ 抵抗体 ３ａ〜３ｄ 電極パッド ４ 電流源 ５ 電圧計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０１Ｒ 31/02 Ｇ０１Ｒ 31/02 31/28 31/28 Ｖ
Claims (4)
- 【請求項１】 段差部上に同一形状、同一寸法で同一抵
抗値を有する４組の抵抗体によりホイートストンブリッ
ジ回路を形成したことを特徴とする半導体素子。 - 【請求項２】 前記４組の抵抗体をアルミ配線により形
成したことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。 - 【請求項３】 前記４組の抵抗体をポリシリコン配線に
より形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体素
子。 - 【請求項４】 前記ホイートストンブリッジ回路に定電
流を印加し出力の電位差により半導体素子の段差部の配
線の被覆状態の良否を判断するようにしたことを特徴と
する半導体素子の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8254570A JPH10107109A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 半導体素子及びその評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8254570A JPH10107109A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 半導体素子及びその評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107109A true JPH10107109A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17266888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8254570A Pending JPH10107109A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 半導体素子及びその評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107109A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001080305A2 (en) * | 2000-04-17 | 2001-10-25 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Electromigration early failure distribution in submicron interconnects |
| JP2002340668A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Denso Corp | サーモパイル式赤外線センサおよびその検査方法 |
| CN112992709A (zh) * | 2021-02-07 | 2021-06-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 故障隔离分析方法 |
| DE102006010901B4 (de) | 2006-03-09 | 2022-02-17 | Robert Bosch Gmbh | Fluidsensor mit Fehlerdetektionseinrichtung |
-
1996
- 1996-09-26 JP JP8254570A patent/JPH10107109A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001080305A2 (en) * | 2000-04-17 | 2001-10-25 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Electromigration early failure distribution in submicron interconnects |
| WO2001080305A3 (en) * | 2000-04-17 | 2002-03-21 | Univ Texas | Electromigration early failure distribution in submicron interconnects |
| JP2002340668A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Denso Corp | サーモパイル式赤外線センサおよびその検査方法 |
| DE102006010901B4 (de) | 2006-03-09 | 2022-02-17 | Robert Bosch Gmbh | Fluidsensor mit Fehlerdetektionseinrichtung |
| CN112992709A (zh) * | 2021-02-07 | 2021-06-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 故障隔离分析方法 |
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