JPH10101410A - フェライト材料 - Google Patents
フェライト材料Info
- Publication number
- JPH10101410A JPH10101410A JP8258160A JP25816096A JPH10101410A JP H10101410 A JPH10101410 A JP H10101410A JP 8258160 A JP8258160 A JP 8258160A JP 25816096 A JP25816096 A JP 25816096A JP H10101410 A JPH10101410 A JP H10101410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- magnetic permeability
- mol
- content
- ferrite material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
Abstract
ェライト材料を得る。 【解決手段】酸化物換算で、45〜50モル%のFe2
O3 と、28〜33モル%のZnOと、12〜17モル
%のNiOと、3〜8モル%のCuOを主成分とし、こ
れら主成分100重量部に対し、1.7重量部以下のC
aOと、0.05〜0.5重量部のAl2 O3 を含有す
る。
Description
ェライト材料に関するものである。
ダクター素子のコアとして使用され、特に近年、携帯電
話やノート型パソコン等に広く使用されている。
成分とするNi−Zn系フェライト材料を用いてフェラ
イトコアを作製し、この巻線部にコイル線を巻回してイ
ンダクター素子としている。
で使用されるが、特に温度に関する環境変化に対する耐
性は重要である。即ち、温度は季節、雰囲気等によって
大きく変化するため、温度変化に対してインダクタンス
L又は透磁率μが安定したフェライト材料が求められて
いる。
に用いられるNi−Zn系フェライトでは、インダクタ
ンスL又は透磁率μの温度係数は±500ppm/℃以
上と、温度変化に伴う特性値の変化が大きいものであっ
た。
物を加えることによって、特性を高めることも提案され
ているが(特開昭49−2092号、49−2093
号、特公昭52−27358号公報等参照)、いずれも
上記問題を解決するものではなかった。
0ppm/℃以内であるような温度特性に優れたフェラ
イト材料を得ることを目的とする。
は、酸化物換算で、45〜50モル%のFe2 O3 と、
28〜33モル%のZnOと、12〜17モル%のNi
Oと、3〜8モル%のCuOを主成分とし、これら主成
分100重量部に対して、1.7重量部以下のCaOと
0.05〜0.5重量部のAl2 O3 を含有することを
特徴とする。
において、主成分の組成比を上記範囲とし、かつCaO
とAl2 O3 を添加することによって、温度特性に優れ
たフェライト材料を得るようにした。
いて、−20〜20℃及び20〜80℃のそれぞれ温度
範囲における透磁率の温度係数が、±500ppm/℃
以内であることを特徴とする。
に、−20〜20℃の低温域及び20〜80℃の高温域
のそれぞれの温度範囲における透磁率の温度係数を求
め、これが共に±500ppm/℃以内であるようにす
れば、実用的に優れた温度特性を有することを見出し
た。
囲とした理由は以下の通りである。Fe2 O3 を45〜
50モル%としたのは、Fe2 O3 が45モル%未満で
は透磁率μが低下し温度特性が悪くなるためであり、5
0モル%を超えるとQ値が低下するためである。ZnO
を28〜33モル%としたのは、28モル%未満では透
磁率μが低下し、33モル%を超えるとキューリー点が
下がるためである。NiOを12〜17モル%としたの
は、12モル%未満ではキュリー温度が下がり、17モ
ル%を超えると透磁率が低下するためである。CuOを
3〜8モル%としたのは、3モル%未満では焼結性が低
下し、8モル%を超えると焼結体中に液相が生成して粒
成長が起こりやすくなり、Q値が低下してしまうためで
ある。
が、0.3モル%以下とすることが好ましい。これは、
0.3モル%を超えると焼結体中に液相が生成して粒成
長が起こりやすくなり、Q値が低下してしまうためであ
る。
添加することによって、温度特性を向上させる作用を成
す。ここで、上記主成分100重量部に対し、CaOを
1.7重量部以下としたのは、1.7重量部を超えると
−20〜20℃の低温域における温度特性が悪くなるた
めである。また、後述するAl2 O3 を多く含有させれ
ばCaOは含有しなくても良いが、好ましくはCaOの
含有量は0.6重量部以上が良い。
量部としたのは、0.05重量部未満または0.5重量
部を超えると、−20〜20℃の低温域及び20〜80
℃の高温域における温度特性が悪くなるためである。
の成分以外にSiO2 、MgO、K2 O、S等をそれぞ
れ0.1重量部以下の範囲で含んでいても良い。
記範囲となるように主成分の各原料を調合し、振動ミル
等で粉砕混合した後、800〜900℃で仮焼し、この
仮焼粉体をボールミルで粉砕した後、所定のバインダー
を加えて造粒し、得られた粉体をプレス成形にて所定形
状に成形し、950〜1250℃の範囲で焼成すること
によって得られる。
C回路等に使用されるインダクター素子用のコアとして
好適に用いることができる。
うなリング状のトロイダルコア1、あるいは図1(b)
に示すようなボビン状コア2とすれば良く、それぞれ巻
き線部1a、2aに巻き線を施すことによって、インダ
クター素子とすることができる。
Oと、14.7モル%のNiOと、5.7モル%のCu
Oと、0.24モル%のMnOから成る主成分100重
量部に対して、Al2 O3 とCaOの添加量を表1に示
すように種々に変化させて各原料を調合した。
00〜900℃で仮焼した。この仮焼粉体をボールミル
にて粉砕し、所定のバインダーを加えて造粒した後、圧
縮成形してリング状に成形した。この成形体を1100
℃で焼成することによって、図1(a)に示すトロイダ
ルコア1を得た。なお寸法は、外径13.0mm、内径
8.0mm、厚み2.3mmとした。
被膜銅線を7ターン巻き付けて、LCRメータ(HP社
製4285A)を用いて、周波数100kHzと1.5
MHzにおいて透磁率μ、tanδ/μ、及び温度係数
を測定した。温度係数は、−20〜20℃の低温域と2
0〜80℃の高温域のそれぞれの温度範囲にて、透磁率
μの差Δμ、温度差ΔTとしたとき、 温度係数=Δμ/μ・ΔT により求めた。
り、Al2 O3 、CaOを含有しないか、またはその含
有量が本発明の範囲外のもの(No.1、4、7)では
低温域または高温域のいずれかにおいて温度係数が±5
00ppm/℃の範囲外となっている。
5重量%、CaOを1.7重量%以下とした本発明の範
囲内のもの(No.2、3、5、6、8)は、透磁率μ
やtanδ/μの特性値を維持したままで、低温域と高
温域の両方で温度係数が±500ppm/℃の範囲内と
なり、温度特性が優れていることがわかる。なお、N
o.3、5に示すように、CaOの含有量が0%でも温
度係数を本発明の範囲内とすることができるが、No.
2、6、8に示すようにCaOを0.6重量%以上含有
することによって、特に低温域での温度特性を向上でき
る。
主成分を表2に示す組成比となるように調合し、これら
100重量%に対し、Al2 O3 0.2重量部、CaO
0.6重量部を添加した。
実験を行った。
り、主成分の組成比が本発明の範囲外のもの(No.
4、5、8、9、12、13、16、17、20)では
低温域または高温域のいずれかにおいて温度係数が±5
00ppm/℃の範囲外となっている。
囲内であるもの(No.1〜3、6、7、10、11、
14、15、18、19)は、透磁率μやtanδ/μ
の特性値を維持したままで、低温域と高温域の両方で温
度係数が±500ppm/℃の範囲内となり、温度特性
が優れていることがわかる。
算で、45〜50モル%のFe2 O3と、28〜33モ
ル%のZnOと、12〜17モル%のNiOと、3〜8
モル%のCuOを主成分とし、これら主成分100重量
部に対し、1.7重量部以下のCaOと、0.05〜
0.5重量部のAl2 O3 を含有することによって、他
の特性を維持したまま、温度特性を優れたものとでき
る。
料における、−20〜20℃及び20〜80℃のそれぞ
れの温度範囲における透磁率の温度係数を±500pp
m/℃以内としたことによって、特に温度特性に優れた
フェライト材料とすることができる。
てインダクター素子を形成すれば、温度変化による特性
値の変化が極めて少ない高性能のインダクター素子を提
供できる。
斜視図である。
Claims (2)
- 【請求項1】酸化物換算で、45〜50モル%のFe2
O3 と、28〜33モル%のZnOと、12〜17モル
%のNiOと、3〜8モル%のCuOを主成分とし、こ
れら主成分100重量部に対して、1.7重量部以下の
CaOと0.05〜0.5重量部のAl2 O3 を含有す
ることを特徴とするフェライト材料。 - 【請求項2】−20〜20℃及び20〜80℃のそれぞ
れの温度範囲における透磁率の温度係数が、±500p
pm/℃以内であることを特徴とする請求項1記載のフ
ェライト材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25816096A JP3550258B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | フェライト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25816096A JP3550258B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | フェライト材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10101410A true JPH10101410A (ja) | 1998-04-21 |
JP3550258B2 JP3550258B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=17316376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25816096A Expired - Fee Related JP3550258B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | フェライト材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3550258B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001151564A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Kyocera Corp | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP25816096A patent/JP3550258B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001151564A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Kyocera Corp | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3550258B2 (ja) | 2004-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9123460B2 (en) | Ferrite composition for high frequency bead and chip bead comprising the same | |
JP4711897B2 (ja) | MnCoZnフェライトおよびトランス用磁心 | |
JP3492802B2 (ja) | 低損失フェライト材料 | |
JP2006206347A (ja) | 酸化物磁性材料 | |
JP4404408B2 (ja) | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア | |
JP4523430B2 (ja) | 高飽和磁束密度Mn−Zn−Ni系フェライト | |
JP2004296865A (ja) | 巻き線チップインダクタ用フェライトコアとその製造方法及び巻き線チップインダクタ | |
JP3550251B2 (ja) | 高周波領域用フェライト焼結体及びこれを用いた信号用チップインダクタ | |
JP2004247602A (ja) | MnZn系フェライト電波吸収体 | |
JP5089923B2 (ja) | MnCoZnフェライトおよびトランス用磁心 | |
JP3597665B2 (ja) | Mn−Niフェライト材料 | |
JP3487552B2 (ja) | フェライト材料 | |
JP3597666B2 (ja) | Mn−Niフェライト材料 | |
JP3464100B2 (ja) | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア | |
JP3550258B2 (ja) | フェライト材料 | |
JP2004247371A (ja) | MnZnフェライト | |
JP4799808B2 (ja) | フェライト組成物、磁心及び電子部品 | |
JP4436493B2 (ja) | 高周波低損失フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア | |
JP3449322B2 (ja) | 複合磁性材料およびインダクタ素子 | |
JP2002198212A (ja) | 低損失酸化物磁性材料 | |
JP3544615B2 (ja) | 高飽和磁束密度フェライト材料およびこれを用いたフェライトコア | |
JP4102673B2 (ja) | フェライト | |
JP7221751B2 (ja) | 磁性材料、および積層チップ部品 | |
JP3550247B2 (ja) | フェライト材料 | |
JP4701591B2 (ja) | フェライト組成物及び電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040420 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040423 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080430 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120430 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120430 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140430 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |