JPH0996666A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH0996666A JPH0996666A JP7254241A JP25424195A JPH0996666A JP H0996666 A JPH0996666 A JP H0996666A JP 7254241 A JP7254241 A JP 7254241A JP 25424195 A JP25424195 A JP 25424195A JP H0996666 A JPH0996666 A JP H0996666A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F5/00—Coils
- H01F5/02—Coils wound on non-magnetic supports, e.g. formers
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/028—Electrodynamic magnetometers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 細長い形状の磁気コアと、上記磁気コアの周
囲に巻回されたコイルとを備え、コイルのインダクタン
スの変化によって磁界を検出する磁気センサについて、
コイルの巻数を増やすことなく、高い感度が得られるよ
うにする。 【解決手段】 磁気コアの中央部におけるコイルの巻数
を、磁気コアの端部におけるコイルの巻数よりも多くす
る。これにより、コイルに流れるバイアス電流によるバ
イアス磁界が磁気コアに効率良く印加されるようにな
る。その結果、コイルの巻数を増やすことなく、コイル
のインダクタンスの値を大きく設定することが可能とな
り、高い感度が得られるようになる。
囲に巻回されたコイルとを備え、コイルのインダクタン
スの変化によって磁界を検出する磁気センサについて、
コイルの巻数を増やすことなく、高い感度が得られるよ
うにする。 【解決手段】 磁気コアの中央部におけるコイルの巻数
を、磁気コアの端部におけるコイルの巻数よりも多くす
る。これにより、コイルに流れるバイアス電流によるバ
イアス磁界が磁気コアに効率良く印加されるようにな
る。その結果、コイルの巻数を増やすことなく、コイル
のインダクタンスの値を大きく設定することが可能とな
り、高い感度が得られるようになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強磁性材料からな
る磁気コアにコイルが巻かれてなり、コイルのインダク
タンスの変化によって外部磁界を検出する磁気センサに
関する。
る磁気コアにコイルが巻かれてなり、コイルのインダク
タンスの変化によって外部磁界を検出する磁気センサに
関する。
【０００２】
【従来の技術】外部磁界を検出する磁気センサは、磁場
の検出器や測定器などの計測用から始まり、近年では、
磁気式スイッチ、磁気式ロータリーエンコーダ、地磁気
センサ等に広く使用されている。
の検出器や測定器などの計測用から始まり、近年では、
磁気式スイッチ、磁気式ロータリーエンコーダ、地磁気
センサ等に広く使用されている。
【０００３】従来、このような磁気センサとしては、ホ
ール素子を用いた磁気センサ、フラックスゲートセンサ
を用いた磁気センサ、或いは磁気抵抗効果素子を用いた
磁気センサ等が使用されてきた。しかし、これらの磁気
センサは、感度が著しく低いため地磁気のような微弱な
磁界を検出するためには不十分であったり、小型化や低
価格化が難しい等の問題があった。
ール素子を用いた磁気センサ、フラックスゲートセンサ
を用いた磁気センサ、或いは磁気抵抗効果素子を用いた
磁気センサ等が使用されてきた。しかし、これらの磁気
センサは、感度が著しく低いため地磁気のような微弱な
磁界を検出するためには不十分であったり、小型化や低
価格化が難しい等の問題があった。
【０００４】これに対して、近年、小型化や低価格化が
可能で高い感度が得られる磁気センサとして、強磁性材
料の透磁率の急変性を利用した磁気センサが開発されて
いる。この磁気センサは、図１２に示すように、細長い
形状の強磁性材料からなる磁気コア２０１の周囲にコイ
ル２０２を巻回したものである。そして、この磁気セン
サでは、コイル２０２のインダクタンスの変化を検出す
ることによって外部磁界の変化を検出する。このような
磁気センサでは、外部磁界が変化すると磁気コア２０１
の透磁率が変化し、その結果、コイル２０２のインダク
タンスに変化が生じる。そこで、コイル２０２のインダ
クタンスの変化を検出することにより、外部磁界の変化
が検出されることとなる。
可能で高い感度が得られる磁気センサとして、強磁性材
料の透磁率の急変性を利用した磁気センサが開発されて
いる。この磁気センサは、図１２に示すように、細長い
形状の強磁性材料からなる磁気コア２０１の周囲にコイ
ル２０２を巻回したものである。そして、この磁気セン
サでは、コイル２０２のインダクタンスの変化を検出す
ることによって外部磁界の変化を検出する。このような
磁気センサでは、外部磁界が変化すると磁気コア２０１
の透磁率が変化し、その結果、コイル２０２のインダク
タンスに変化が生じる。そこで、コイル２０２のインダ
クタンスの変化を検出することにより、外部磁界の変化
が検出されることとなる。
【０００５】このような磁気センサで外部磁界を検出す
る際には、高い感度を得るために、及び外部磁界検出時
のリニアリティーを確保するために、コイル２０２にバ
イアス電流を供給して磁気コア２０１にバイアス磁界を
印加し、磁気コア２０１を長手方向に磁化しておく必要
がある。ただし、消費電力を抑えるために、このような
バイアス電流は少ない方が好ましい。特に、磁気センサ
を電池で駆動するときには、消費電力の抑制が大きな課
題となるので、バイアス電流の低減が強く望まれる。ま
た、このような磁気センサの感度を向上させるには、コ
イル２０１のインダクタンスを大きく設定する必要があ
る。
る際には、高い感度を得るために、及び外部磁界検出時
のリニアリティーを確保するために、コイル２０２にバ
イアス電流を供給して磁気コア２０１にバイアス磁界を
印加し、磁気コア２０１を長手方向に磁化しておく必要
がある。ただし、消費電力を抑えるために、このような
バイアス電流は少ない方が好ましい。特に、磁気センサ
を電池で駆動するときには、消費電力の抑制が大きな課
題となるので、バイアス電流の低減が強く望まれる。ま
た、このような磁気センサの感度を向上させるには、コ
イル２０１のインダクタンスを大きく設定する必要があ
る。
【０００６】そして、このような条件を満たすために、
現在実用させている磁気センサでは、コイル２０２の巻
数を増やし、約１５００ターン程度としている。このよ
うにコイル２０２の巻数を増やすことにより、少ないバ
イアス電流でも磁気コア２０１が十分に磁化されるよう
になると共に、コイル２０２と鎖交する磁束数が増える
のでコイル２０２のインダクタンスの値が大きくなる。
現在実用させている磁気センサでは、コイル２０２の巻
数を増やし、約１５００ターン程度としている。このよ
うにコイル２０２の巻数を増やすことにより、少ないバ
イアス電流でも磁気コア２０１が十分に磁化されるよう
になると共に、コイル２０２と鎖交する磁束数が増える
のでコイル２０２のインダクタンスの値が大きくなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
磁気センサにおいて、磁気コアは開磁路を形成している
ため、磁気コアには磁極が存在し反磁界が生じている。
そして、反磁界が存在していると外部からの磁束が磁気
コアに入り難くなってしまうため、このような反磁界
は、磁気センサの特性に悪影響を及ぼしている。
磁気センサにおいて、磁気コアは開磁路を形成している
ため、磁気コアには磁極が存在し反磁界が生じている。
そして、反磁界が存在していると外部からの磁束が磁気
コアに入り難くなってしまうため、このような反磁界
は、磁気センサの特性に悪影響を及ぼしている。
【０００８】ここで、このような反磁界の影響は、磁性
体の長さと幅の比、すなわちアスペクト比が小さい程大
きくなる。したがって、単に反磁界の影響を軽減すると
いう観点からは、磁気コアのアスペクト比を大きくすれ
ばよいのだが、この磁気センサでは、インダクタンスの
急峻な変化を利用するために、アスペクト比は１５前後
の小さい値に設定する必要がある。
体の長さと幅の比、すなわちアスペクト比が小さい程大
きくなる。したがって、単に反磁界の影響を軽減すると
いう観点からは、磁気コアのアスペクト比を大きくすれ
ばよいのだが、この磁気センサでは、インダクタンスの
急峻な変化を利用するために、アスペクト比は１５前後
の小さい値に設定する必要がある。
【０００９】そこで、従来、このような磁気センサにお
いて磁気センサの効率を上げて感度を向上させる際は、
磁気コアのアスペクト比を大きくするのではなく、コイ
ルの巻数を更に増やすことによって対応していた。
いて磁気センサの効率を上げて感度を向上させる際は、
磁気コアのアスペクト比を大きくするのではなく、コイ
ルの巻数を更に増やすことによって対応していた。
【００１０】しかし、コイルの巻数を増やすと、磁気セ
ンサの大型化や、巻線コストの増加等の問題が生じてし
まう。また、コイルの巻数を増やすと、コイルの抵抗が
大きくなるため、一般に使用されている電池のような低
圧電源を用いて駆動しようとしたときに、十分なバイア
ス磁界を磁気コアに印加できなくなる恐れもあった。
ンサの大型化や、巻線コストの増加等の問題が生じてし
まう。また、コイルの巻数を増やすと、コイルの抵抗が
大きくなるため、一般に使用されている電池のような低
圧電源を用いて駆動しようとしたときに、十分なバイア
ス磁界を磁気コアに印加できなくなる恐れもあった。
【００１１】そこで本発明は、このような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、コイルの巻数を増やすこ
となく、高い感度が得られる磁気センサを提供すること
を目的としている。
鑑みて提案されたものであり、コイルの巻数を増やすこ
となく、高い感度が得られる磁気センサを提供すること
を目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに完成された本発明に係る磁気センサは、細長い形状
の磁気コアと、上記磁気コアの周囲に巻回されたコイル
とを備えた磁気センサであって、磁気コアの中央部にお
けるコイルの巻数が、磁気コアの端部におけるコイルの
巻数よりも多いことを特徴とするものである。
めに完成された本発明に係る磁気センサは、細長い形状
の磁気コアと、上記磁気コアの周囲に巻回されたコイル
とを備えた磁気センサであって、磁気コアの中央部にお
けるコイルの巻数が、磁気コアの端部におけるコイルの
巻数よりも多いことを特徴とするものである。
【００１３】このような磁気センサにおいて、反磁界の
影響は、磁界が強いほど大きくなるので、磁界が集中す
る磁極付近、すなわち磁気コアの両端部で大きくなり、
磁気コアの中央部で小さくなる。そして、本発明に係る
磁気センサでは、磁気コアの中央部におけるコイルの巻
数を多くしているため、反磁界の影響が小さい磁気コア
の中央部に対して、より強いバイアス磁界が印加される
こととなる。したがって、本発明に係る磁気センサで
は、コイルに流れるバイアス電流によるバイアス磁界が
磁気コアに効率良く印加されることとなる。
影響は、磁界が強いほど大きくなるので、磁界が集中す
る磁極付近、すなわち磁気コアの両端部で大きくなり、
磁気コアの中央部で小さくなる。そして、本発明に係る
磁気センサでは、磁気コアの中央部におけるコイルの巻
数を多くしているため、反磁界の影響が小さい磁気コア
の中央部に対して、より強いバイアス磁界が印加される
こととなる。したがって、本発明に係る磁気センサで
は、コイルに流れるバイアス電流によるバイアス磁界が
磁気コアに効率良く印加されることとなる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお、本発明は以下の例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変更が可能である
ことは言うまでもない。
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお、本発明は以下の例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変更が可能である
ことは言うまでもない。
【００１５】本実施の形態に係る磁気センサについて、
磁気センサの長手方向の断面の様子を図１に示す。この
図１に示すように、磁気センサは、リボン状やワイヤー
状に形成された細長い磁気コア１と、この磁気コア１の
長手方向に巻回された銅線等からなるコイル２とから構
成される。
磁気センサの長手方向の断面の様子を図１に示す。この
図１に示すように、磁気センサは、リボン状やワイヤー
状に形成された細長い磁気コア１と、この磁気コア１の
長手方向に巻回された銅線等からなるコイル２とから構
成される。
【００１６】上記磁気コア１には、数ガウス程度の微弱
な磁界で急峻な透磁率変化を示す角形特性に優れたアモ
ルファス等の強磁性材料が用いられる。そして、このよ
うな磁気コア１を一様な磁界中に配したとき、磁気コア
１内に生じる反磁界の分布は、図２に示すように、磁界
が集中する磁極付近、すなわち磁気コア１の両端におい
て大きくなる。
な磁界で急峻な透磁率変化を示す角形特性に優れたアモ
ルファス等の強磁性材料が用いられる。そして、このよ
うな磁気コア１を一様な磁界中に配したとき、磁気コア
１内に生じる反磁界の分布は、図２に示すように、磁界
が集中する磁極付近、すなわち磁気コア１の両端におい
て大きくなる。
【００１７】一方、このような磁気コア１に巻回される
コイル２は、磁気コア１の中央部において盛り上がるよ
うに巻回され、磁気コア１の中央部における巻数が、磁
気コア１の端部における巻数よりも多くなるようにされ
ている。（以下、このようにコイルが巻回された磁気セ
ンサを「中凸型磁気センサ」と称する。） このように、磁気コア１の中央部におけるコイル２の巻
数が、磁気コア１の端部におけるコイル２の巻数よりも
多くなるようにすると、コイル２にバイアス電流を流し
て磁気コア１にバイアス磁界を印加したときに、反磁界
の影響が少ない磁気コア１の中央部に対して、より強い
バイアス磁界が印加される。したがって、中凸型磁気セ
ンサでは、コイル２に流れるバイアス電流によるバイア
ス磁界が磁気コア１に効率良く印加される。
コイル２は、磁気コア１の中央部において盛り上がるよ
うに巻回され、磁気コア１の中央部における巻数が、磁
気コア１の端部における巻数よりも多くなるようにされ
ている。（以下、このようにコイルが巻回された磁気セ
ンサを「中凸型磁気センサ」と称する。） このように、磁気コア１の中央部におけるコイル２の巻
数が、磁気コア１の端部におけるコイル２の巻数よりも
多くなるようにすると、コイル２にバイアス電流を流し
て磁気コア１にバイアス磁界を印加したときに、反磁界
の影響が少ない磁気コア１の中央部に対して、より強い
バイアス磁界が印加される。したがって、中凸型磁気セ
ンサでは、コイル２に流れるバイアス電流によるバイア
ス磁界が磁気コア１に効率良く印加される。
【００１８】このような中凸型磁気センサを実際に作製
し、その特性を測定した結果を図３に示す。この図３に
おいて、横軸はコイルに供給したバイアス電流の値を示
しており、縦軸はコイルのインダクタンスの値を示して
いる。なお、図３では比較のために、図４に示すように
磁気コア１１の全体にわたってコイル１２を均一に巻回
して、磁気コア１１の中央部におけるコイル１２の巻数
と、磁気コア１１の端部におけるコイル１２の巻数とが
同じとなるようにした磁気センサ（以下、このようにコ
イルが巻回された磁気センサを「整巻型磁気センサ」と
称する。）の特性と、図５に示すように磁気コア２１の
両端部において盛り上がるようにコイル２２を巻回し
て、磁気コア２１の中央部におけるコイル２２の巻数
が、磁気コア２１の端部におけるコイル２２の巻数より
も少なくなるようにした磁気センサ（以下、このように
コイルが巻回された磁気センサを「中凹型磁気センサ」
と称する。）の特性についても表示している。ここで、
これらの特性の測定に使用した各磁気センサの磁気コア
及びコイルの巻数はそれぞれ同一とした。
し、その特性を測定した結果を図３に示す。この図３に
おいて、横軸はコイルに供給したバイアス電流の値を示
しており、縦軸はコイルのインダクタンスの値を示して
いる。なお、図３では比較のために、図４に示すように
磁気コア１１の全体にわたってコイル１２を均一に巻回
して、磁気コア１１の中央部におけるコイル１２の巻数
と、磁気コア１１の端部におけるコイル１２の巻数とが
同じとなるようにした磁気センサ（以下、このようにコ
イルが巻回された磁気センサを「整巻型磁気センサ」と
称する。）の特性と、図５に示すように磁気コア２１の
両端部において盛り上がるようにコイル２２を巻回し
て、磁気コア２１の中央部におけるコイル２２の巻数
が、磁気コア２１の端部におけるコイル２２の巻数より
も少なくなるようにした磁気センサ（以下、このように
コイルが巻回された磁気センサを「中凹型磁気センサ」
と称する。）の特性についても表示している。ここで、
これらの特性の測定に使用した各磁気センサの磁気コア
及びコイルの巻数はそれぞれ同一とした。
【００１９】図３から明らかなように、本発明を適用し
た磁気センサである中凸型磁気センサでは、整巻型磁気
センサや中凹型磁気センサとコイルの巻数が同じである
にも関わらず、インダクタンスの変化が大きくなってい
る。これは、上述したように、中凸型磁気センサでは、
コイルに流れるバイアス電流によるバイアス磁界が磁気
コアに効率良く印加されるためである。そして、このよ
うな磁気センサにおいて外部磁界はインダクタンスの変
化に基づいて検出されるので、インダクタンスの変化が
大きい中凸型磁気センサでは、コイルの巻数を増やすこ
となく、外部磁界を非常に感度良く検出できることとな
る。
た磁気センサである中凸型磁気センサでは、整巻型磁気
センサや中凹型磁気センサとコイルの巻数が同じである
にも関わらず、インダクタンスの変化が大きくなってい
る。これは、上述したように、中凸型磁気センサでは、
コイルに流れるバイアス電流によるバイアス磁界が磁気
コアに効率良く印加されるためである。そして、このよ
うな磁気センサにおいて外部磁界はインダクタンスの変
化に基づいて検出されるので、インダクタンスの変化が
大きい中凸型磁気センサでは、コイルの巻数を増やすこ
となく、外部磁界を非常に感度良く検出できることとな
る。
【００２０】なお、中凸型磁気センサでは、磁気コアの
中央部において盛り上がるようにコイルを巻回して、磁
気コアの中央部におけるコイルの巻数が磁気コアの端部
におけるコイルの巻数よりも多くなるようにしたが、図
６に示すように、コイル３２を巻回する部分の長さを規
定して、コイル３１を磁気コア３２の中央部にだけ巻回
し、磁気コア３１の端部には巻回しないようにしてもよ
い。（以下、このようにコイルが巻回された磁気センサ
を「コイル長規定型磁気センサ」と称する。） このようなコイル長規定型磁気センサにおいても、コイ
ル３２にバイアス電流を流して磁気コア３１にバイアス
磁界を印加したときに、反磁界の影響が少ない磁気コア
３１の中央部に対して、より強いバイアス磁界が印加さ
れる。したがって、コイル長規定型磁気センサにおいて
も、コイル３２に流れるバイアス電流によるバイアス磁
界が磁気コア３１に効率良く印加される。
中央部において盛り上がるようにコイルを巻回して、磁
気コアの中央部におけるコイルの巻数が磁気コアの端部
におけるコイルの巻数よりも多くなるようにしたが、図
６に示すように、コイル３２を巻回する部分の長さを規
定して、コイル３１を磁気コア３２の中央部にだけ巻回
し、磁気コア３１の端部には巻回しないようにしてもよ
い。（以下、このようにコイルが巻回された磁気センサ
を「コイル長規定型磁気センサ」と称する。） このようなコイル長規定型磁気センサにおいても、コイ
ル３２にバイアス電流を流して磁気コア３１にバイアス
磁界を印加したときに、反磁界の影響が少ない磁気コア
３１の中央部に対して、より強いバイアス磁界が印加さ
れる。したがって、コイル長規定型磁気センサにおいて
も、コイル３２に流れるバイアス電流によるバイアス磁
界が磁気コア３１に効率良く印加される。
【００２１】このようなコイル幅規定型磁気センサを実
際に作製し、その特性を測定した結果を図７に示す。な
お、図７において、横軸はコイルに供給したバイアス電
流の値を示しており、縦軸はコイルのインダクタンスの
値を示している。そして、この図７では比較のために
図４に示したような整巻型磁気センサの特性についても
表示している。ここで、コイル幅規定型磁気センサは、
コイルを巻回した部分の長さが磁気コアの長さの半分と
なるよう作製し、整巻型磁気センサは、コイルを巻回し
た部分の長さと磁気コアの長さとが同じとなるように作
製した。なお、これらの特性の測定に使用した各磁気セ
ンサの磁気コア及びコイルの巻数はそれぞれ同一とし
た。
際に作製し、その特性を測定した結果を図７に示す。な
お、図７において、横軸はコイルに供給したバイアス電
流の値を示しており、縦軸はコイルのインダクタンスの
値を示している。そして、この図７では比較のために
図４に示したような整巻型磁気センサの特性についても
表示している。ここで、コイル幅規定型磁気センサは、
コイルを巻回した部分の長さが磁気コアの長さの半分と
なるよう作製し、整巻型磁気センサは、コイルを巻回し
た部分の長さと磁気コアの長さとが同じとなるように作
製した。なお、これらの特性の測定に使用した各磁気セ
ンサの磁気コア及びコイルの巻数はそれぞれ同一とし
た。
【００２２】この図７から明らかなように、本発明を適
用した磁気センサであるコイル長規定型磁気センサで
は、整巻型磁気センサとコイルの巻数が同じであるにも
関わらず、インダクタンスの変化が大きくなっている。
これは、上述したように、コイル長規定型磁気センサで
は、コイルに流れるバイアス電流によるバイアス磁界が
磁気コアに効率良く印加されるためである。そして、こ
のような磁気センサにおいて外部磁界はインダクタンス
の変化に基づいて検出されるので、インダクタンスの変
化が大きいコイル長規定型磁気センサでは、外部磁界を
非常に感度良く検出できることとなる。
用した磁気センサであるコイル長規定型磁気センサで
は、整巻型磁気センサとコイルの巻数が同じであるにも
関わらず、インダクタンスの変化が大きくなっている。
これは、上述したように、コイル長規定型磁気センサで
は、コイルに流れるバイアス電流によるバイアス磁界が
磁気コアに効率良く印加されるためである。そして、こ
のような磁気センサにおいて外部磁界はインダクタンス
の変化に基づいて検出されるので、インダクタンスの変
化が大きいコイル長規定型磁気センサでは、外部磁界を
非常に感度良く検出できることとなる。
【００２３】なお、本発明に係る磁気センサは、コイル
がボビンに巻回され、磁気コアがボビンに挿入された構
造となっていてもよい。ここで、ボビンを用いるときに
は、中央部が括れた形状のボビンを用いることが好まし
い。このように中央部が括れた形状のボビンを用いたと
きには、容易に、磁気コアの中央部におけるコイルの巻
数が磁気コアの端部におけるコイルの巻数よりも多くな
るようにコイルを巻回することが可能となる。
がボビンに巻回され、磁気コアがボビンに挿入された構
造となっていてもよい。ここで、ボビンを用いるときに
は、中央部が括れた形状のボビンを用いることが好まし
い。このように中央部が括れた形状のボビンを用いたと
きには、容易に、磁気コアの中央部におけるコイルの巻
数が磁気コアの端部におけるコイルの巻数よりも多くな
るようにコイルを巻回することが可能となる。
【００２４】このように中央部が括れた形状のボビンを
用いた磁気センサの具体的な例を図８及び図９に示す。
用いた磁気センサの具体的な例を図８及び図９に示す。
【００２５】図８に示した磁気センサに使用されている
ボビン４３は、ボビン４３の端部４３ａ、すなわち磁気
コア４１の端部に対応する部分から、ボビン４３の中央
部４３ｂ、すなわち磁気コア４１の中央部に対応する部
分にわたって、徐々に内周が小さくなっている。このよ
うなボビン４３を用いたときは、コイル４２の外周が平
らになるようにボビン４３にコイル４２を巻回すれば、
磁気コア４１の中央部におけるコイル４２の巻数が、磁
気コア４１の端部におけるコイル４２の巻数よりも多く
なる。したがって、このようなボビン４３を用いた磁気
センサでは、非常に容易に、磁気コア４１の中央部にお
けるコイル４２の巻数が磁気コア４１の端部におけるコ
イル４２の巻数よりも多くなるように、コイル４２を巻
回することが可能である。さらに、このような磁気セン
サでは、コイル４２の外周が平らとなるので、取り扱い
が便利であるという利点もある。
ボビン４３は、ボビン４３の端部４３ａ、すなわち磁気
コア４１の端部に対応する部分から、ボビン４３の中央
部４３ｂ、すなわち磁気コア４１の中央部に対応する部
分にわたって、徐々に内周が小さくなっている。このよ
うなボビン４３を用いたときは、コイル４２の外周が平
らになるようにボビン４３にコイル４２を巻回すれば、
磁気コア４１の中央部におけるコイル４２の巻数が、磁
気コア４１の端部におけるコイル４２の巻数よりも多く
なる。したがって、このようなボビン４３を用いた磁気
センサでは、非常に容易に、磁気コア４１の中央部にお
けるコイル４２の巻数が磁気コア４１の端部におけるコ
イル４２の巻数よりも多くなるように、コイル４２を巻
回することが可能である。さらに、このような磁気セン
サでは、コイル４２の外周が平らとなるので、取り扱い
が便利であるという利点もある。
【００２６】一方、図９に示した磁気センサに使用され
ているボビン５３は、ボビン５３の端部５３ａ、すなわ
ち磁気コア５１の端部に対応する部分に比べて、ボビン
５３の中央部５３ｂ、すなわち磁気コア５１の中央部に
対応する部分の内周が小さくなるように、中央部に凹部
が設けられいる。
ているボビン５３は、ボビン５３の端部５３ａ、すなわ
ち磁気コア５１の端部に対応する部分に比べて、ボビン
５３の中央部５３ｂ、すなわち磁気コア５１の中央部に
対応する部分の内周が小さくなるように、中央部に凹部
が設けられいる。
【００２７】このようなボビン５３を用いたときは、図
８に示した磁気センサと同様に、コイル５２の外周が平
らになるようにボビン５３にコイル５２を巻回すれば、
磁気コア５１の中央部におけるコイル５２の巻数が、磁
気コア５１の端部におけるコイル５２の巻数よりも多く
なる。したがって、このようなボビン５３を用いた磁気
センサでは、非常に容易に、磁気コア５１の中央部にお
けるコイル５２の巻数が磁気コア５１の端部におけるコ
イル５２の巻数よりも多くなるように、コイル５２を巻
回することが可能である。さらに、このような磁気セン
サでは、コイル５２の外周が平らとなるので、取り扱い
が便利であるという利点もある。
８に示した磁気センサと同様に、コイル５２の外周が平
らになるようにボビン５３にコイル５２を巻回すれば、
磁気コア５１の中央部におけるコイル５２の巻数が、磁
気コア５１の端部におけるコイル５２の巻数よりも多く
なる。したがって、このようなボビン５３を用いた磁気
センサでは、非常に容易に、磁気コア５１の中央部にお
けるコイル５２の巻数が磁気コア５１の端部におけるコ
イル５２の巻数よりも多くなるように、コイル５２を巻
回することが可能である。さらに、このような磁気セン
サでは、コイル５２の外周が平らとなるので、取り扱い
が便利であるという利点もある。
【００２８】つぎに、以上のような磁気センサを用いた
磁界検出用回路の具体例について説明する。
磁界検出用回路の具体例について説明する。
【００２９】この磁界検出用回路は、図１０に示すよう
に、バイラテラルスイッチ１１０内に配された磁気セン
サ１１１と、バイラテラルスイッチ１１０に接続された
抵抗１１２と、方形波発振電圧Ｖｂを供給する発振電圧
供給源１１３と、抵抗１１２の両端から導出された配線
に接続されたシュミットトリガ回路１１４と、シュミッ
トトリガ回路１１４からの出力と発振電圧供給源１１３
からの発振電圧とを比較するロジック回路１１５とを備
えている。
に、バイラテラルスイッチ１１０内に配された磁気セン
サ１１１と、バイラテラルスイッチ１１０に接続された
抵抗１１２と、方形波発振電圧Ｖｂを供給する発振電圧
供給源１１３と、抵抗１１２の両端から導出された配線
に接続されたシュミットトリガ回路１１４と、シュミッ
トトリガ回路１１４からの出力と発振電圧供給源１１３
からの発振電圧とを比較するロジック回路１１５とを備
えている。
【００３０】ここで、磁気センサ１１１は、上述したよ
うに、磁気コアにコイルが巻回された構造となってい
る。そして、この磁気センサ１１１は、スイッチＳＷ
１、スイッチＳＷ２、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ
４を備えたバイラテラルスイッチ１１０内に配されてお
り、磁気センサ１１１に流れる電流方向は、このバイラ
テラルスイッチ１１０によって反転させることができる
ようになっている。そして、バイラテラルスイッチ１１
０に接続された抵抗１１２は、磁気センサ１１１に対し
て直列となるように接続されており、この抵抗１１２と
磁気センサ１１１とによって積分回路が構成される。
うに、磁気コアにコイルが巻回された構造となってい
る。そして、この磁気センサ１１１は、スイッチＳＷ
１、スイッチＳＷ２、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ
４を備えたバイラテラルスイッチ１１０内に配されてお
り、磁気センサ１１１に流れる電流方向は、このバイラ
テラルスイッチ１１０によって反転させることができる
ようになっている。そして、バイラテラルスイッチ１１
０に接続された抵抗１１２は、磁気センサ１１１に対し
て直列となるように接続されており、この抵抗１１２と
磁気センサ１１１とによって積分回路が構成される。
【００３１】この積分回路の両端は、発振電圧供給源１
１３に接続されており、この発振電圧供給源１１３から
積分回路に方形波発振電圧Ｖｂが供給され、これによ
り、磁気センサ１１１及び抵抗１１２に積分電流が流れ
る。
１３に接続されており、この発振電圧供給源１１３から
積分回路に方形波発振電圧Ｖｂが供給され、これによ
り、磁気センサ１１１及び抵抗１１２に積分電流が流れ
る。
【００３２】一方、抵抗１１２の両端から導出された配
線に接続されたシュミットトリガ回路１１４は、上述の
ような積分電流が流れたときに抵抗１１２に生じる発振
電圧Ｖｒを検出し、この発振電圧Ｖｒの応答波形に基づ
いた信号として、方形波発振電圧Ｖｓｏを出力する。
線に接続されたシュミットトリガ回路１１４は、上述の
ような積分電流が流れたときに抵抗１１２に生じる発振
電圧Ｖｒを検出し、この発振電圧Ｖｒの応答波形に基づ
いた信号として、方形波発振電圧Ｖｓｏを出力する。
【００３３】そして、このシュミットトリガ回路１１４
から出力される方形波発振電圧Ｖｓｏは、ロジック回路
１１５に供給される。また、ロジック回路１１５には、
発振電圧供給源１１３からの方形波発振電圧Ｖｂも供給
される。そして、ロジック回路１１５は、シュミットト
リガ回路１１４からの方形波発振電圧Ｖｓｏと、発振電
圧供給源１１３からの方形波発振電圧Ｖｂとを比較し
て、積分電流が流れたときに抵抗１１２に生じる発振電
圧Ｖｒの立ち上がり時間又は立ち下がり時間に対応した
パルス電圧信号Ｖｐを出力する。
から出力される方形波発振電圧Ｖｓｏは、ロジック回路
１１５に供給される。また、ロジック回路１１５には、
発振電圧供給源１１３からの方形波発振電圧Ｖｂも供給
される。そして、ロジック回路１１５は、シュミットト
リガ回路１１４からの方形波発振電圧Ｖｓｏと、発振電
圧供給源１１３からの方形波発振電圧Ｖｂとを比較し
て、積分電流が流れたときに抵抗１１２に生じる発振電
圧Ｖｒの立ち上がり時間又は立ち下がり時間に対応した
パルス電圧信号Ｖｐを出力する。
【００３４】このような磁界検出用回路の動作につい
て、磁気センサ１１１に電流を流したときの各部におけ
る電圧波形のタイムチャートである図１１を参照しなが
ら説明する。
て、磁気センサ１１１に電流を流したときの各部におけ
る電圧波形のタイムチャートである図１１を参照しなが
ら説明する。
【００３５】まず、発振電圧供給源１１３から、図１１
（１）に示すように、方形波発振電圧Ｖｂが磁気センサ
１１１に供給され、これにより、磁気センサ１１１と抵
抗１１２からなる積分回路に積分電流が流れる。このと
き、抵抗１１２に生じる発振電圧Ｖｒ、すなわちシュミ
ットトリガ回路１１４に供給される発振電圧Ｖｒの波形
は、図１１（２）に示すように、図１１（１）に示した
方形波発振電圧Ｖｂに対して、立ち上がり及び立ち下が
り時に遅延が生じた波形となる。ここで、発振電圧Ｖｒ
の波形は、磁気センサ１１１に流れる電流の応答波形に
対応している。そして、外部磁界の変化に応じて、磁気
センサ１１１のコイルのインダクタンスが変化し、この
インダクタンスの変化に応じて、磁気センサ１１１に流
れる電流の応答波形が変化する。したがって、この発振
電圧Ｖｒの立ち上がり及び立ち下がり時の遅延は、磁気
センサ１１１に加わる外部磁界の大きさに応じて変化す
ることとなる。
（１）に示すように、方形波発振電圧Ｖｂが磁気センサ
１１１に供給され、これにより、磁気センサ１１１と抵
抗１１２からなる積分回路に積分電流が流れる。このと
き、抵抗１１２に生じる発振電圧Ｖｒ、すなわちシュミ
ットトリガ回路１１４に供給される発振電圧Ｖｒの波形
は、図１１（２）に示すように、図１１（１）に示した
方形波発振電圧Ｖｂに対して、立ち上がり及び立ち下が
り時に遅延が生じた波形となる。ここで、発振電圧Ｖｒ
の波形は、磁気センサ１１１に流れる電流の応答波形に
対応している。そして、外部磁界の変化に応じて、磁気
センサ１１１のコイルのインダクタンスが変化し、この
インダクタンスの変化に応じて、磁気センサ１１１に流
れる電流の応答波形が変化する。したがって、この発振
電圧Ｖｒの立ち上がり及び立ち下がり時の遅延は、磁気
センサ１１１に加わる外部磁界の大きさに応じて変化す
ることとなる。
【００３６】そして、シュミットトリガ回路１１４は、
図１１（２）に示した発振電圧Ｖｒを、立ち上がり時に
シュミット電圧ＶｓＨでコンパレートすると共に、立ち
下がり時にシュミット電圧ＶｓＬでコンパレートし、図
１１（３）に示すように波形整形された方形波発振電圧
Ｖｓｏを出力し、ロジック回路１１５に供給する。
図１１（２）に示した発振電圧Ｖｒを、立ち上がり時に
シュミット電圧ＶｓＨでコンパレートすると共に、立ち
下がり時にシュミット電圧ＶｓＬでコンパレートし、図
１１（３）に示すように波形整形された方形波発振電圧
Ｖｓｏを出力し、ロジック回路１１５に供給する。
【００３７】ロジック回路１１５は、発振電圧供給源１
１３から供給される方形波発振電圧Ｖｂと、シュミット
トリガ回路１１４から供給される方形波発振電圧Ｖｓｏ
との位相差を比較し、図１１（４）に示すようなパルス
電圧信号Ｖｐを出力する。
１３から供給される方形波発振電圧Ｖｂと、シュミット
トリガ回路１１４から供給される方形波発振電圧Ｖｓｏ
との位相差を比較し、図１１（４）に示すようなパルス
電圧信号Ｖｐを出力する。
【００３８】ここで、パルス電圧信号Ｖｐのパルス幅
は、磁気センサ１１１と抵抗１１２とからなる積分回路
に積分電流が流れたときに抵抗１１２に生じる発振電圧
Ｖｒの立ち上がり時間又は立ち下がり時間を示してい
る。そして、発振電圧Ｖｒの波形は磁気センサ１１１に
流れる電流の応答波形に対応しているので、ロジック回
路１５から出力されるパルス電圧信号Ｖｐのパルス幅
は、磁気センサ１１１に流れる電流の立ち上がり時間又
は立ち下がり時間を示すこととなる。そして、上述した
ように磁気センサ１１１に流れる電流の立ち上がり時間
又は立ち下がり時間は外部磁界の大きさに依存している
ので、このロジック回路１１５から出力されるパルス電
圧信号Ｖｐは、磁気センサ１１１に加わっている外部磁
界の大きさを現している。すなわち、この磁界検出用回
路では、外部磁界の大きさが、ロジック回路１１５から
のパルス電圧信号Ｖｐとして出力される。
は、磁気センサ１１１と抵抗１１２とからなる積分回路
に積分電流が流れたときに抵抗１１２に生じる発振電圧
Ｖｒの立ち上がり時間又は立ち下がり時間を示してい
る。そして、発振電圧Ｖｒの波形は磁気センサ１１１に
流れる電流の応答波形に対応しているので、ロジック回
路１５から出力されるパルス電圧信号Ｖｐのパルス幅
は、磁気センサ１１１に流れる電流の立ち上がり時間又
は立ち下がり時間を示すこととなる。そして、上述した
ように磁気センサ１１１に流れる電流の立ち上がり時間
又は立ち下がり時間は外部磁界の大きさに依存している
ので、このロジック回路１１５から出力されるパルス電
圧信号Ｖｐは、磁気センサ１１１に加わっている外部磁
界の大きさを現している。すなわち、この磁界検出用回
路では、外部磁界の大きさが、ロジック回路１１５から
のパルス電圧信号Ｖｐとして出力される。
【００３９】ところで、この磁界検出用回路では、バイ
ラテラルスイッチ１１０によって磁気センサ１１１に流
れる電流方向を反転させることができる。すなわち、図
１０において、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４がオ
ンで、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３がオフのと
き、図１０の矢印Ａの向きに電流が流れ、また、スイッ
チＳＷ１及びスイッチＳＷ４がオフで、スイッチＳＷ２
及びスイッチＳＷ３がＯＮのとき、図１０の矢印Ｂの向
きに電流が流れる。そして、このようにバイラテラルス
イッチ１１０によって磁気センサ１１１に流れる電流方
向を反転させて外部磁界を検出することにより、より高
い出力を得ることができる。すなわち、各電流方向にお
ける出力の差動を取ることにより、一定の方向にだけ電
流を流したときに比べて、約２倍の出力が磁気センサか
ら得られることとなる。
ラテラルスイッチ１１０によって磁気センサ１１１に流
れる電流方向を反転させることができる。すなわち、図
１０において、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４がオ
ンで、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３がオフのと
き、図１０の矢印Ａの向きに電流が流れ、また、スイッ
チＳＷ１及びスイッチＳＷ４がオフで、スイッチＳＷ２
及びスイッチＳＷ３がＯＮのとき、図１０の矢印Ｂの向
きに電流が流れる。そして、このようにバイラテラルス
イッチ１１０によって磁気センサ１１１に流れる電流方
向を反転させて外部磁界を検出することにより、より高
い出力を得ることができる。すなわち、各電流方向にお
ける出力の差動を取ることにより、一定の方向にだけ電
流を流したときに比べて、約２倍の出力が磁気センサか
ら得られることとなる。
【００４０】なお、この磁界検出用回路では、磁気セン
サのコイルに流れる電流の応答波形の変化を検出するこ
とにより、コイルのインダクタンスの変化を検出した
が、当然の事ながら、コイルのインダクタンスの変化の
検出方法は、このような方法に限られるものではない。
サのコイルに流れる電流の応答波形の変化を検出するこ
とにより、コイルのインダクタンスの変化を検出した
が、当然の事ながら、コイルのインダクタンスの変化の
検出方法は、このような方法に限られるものではない。
【００４１】また、以上の説明では、コイルのインダク
タンスの変化に基づいて磁界の変化を検出するものとし
てきたが、コイルのインピーダンスもインダクタンスと
同様に磁界の変化に応じて変化するので、コイルのイン
ピーダンスの変化に基づいて磁界の変化を検出するよう
にしてもよい。そして、コイルのインピーダンスの変化
に基づいて磁界の変化を検出する際も、インダクタンス
の変化に基づいて磁界の変化を検出する場合と同様に、
本発明が適用可能であることは言うまでもない。
タンスの変化に基づいて磁界の変化を検出するものとし
てきたが、コイルのインピーダンスもインダクタンスと
同様に磁界の変化に応じて変化するので、コイルのイン
ピーダンスの変化に基づいて磁界の変化を検出するよう
にしてもよい。そして、コイルのインピーダンスの変化
に基づいて磁界の変化を検出する際も、インダクタンス
の変化に基づいて磁界の変化を検出する場合と同様に、
本発明が適用可能であることは言うまでもない。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気センサでは、コイルに流れるバイアス電流に
よるバイアス磁界が磁気コアに効率良く印加されるの
で、コイルの巻数を増やすことなく、コイルのインダク
タンスの値を大きく設定することが可能である。したが
って、本発明によれば、コイルの巻数を増やすことな
く、高効率で高い感度が得られる磁気センサを提供する
ことができる。
に係る磁気センサでは、コイルに流れるバイアス電流に
よるバイアス磁界が磁気コアに効率良く印加されるの
で、コイルの巻数を増やすことなく、コイルのインダク
タンスの値を大きく設定することが可能である。したが
って、本発明によれば、コイルの巻数を増やすことな
く、高効率で高い感度が得られる磁気センサを提供する
ことができる。
【００４３】また、本発明に係る磁気センサでは、コイ
ルに流れるバイアス電流によるバイアス磁界が磁気コア
に効率良く印加されるので、バイアス電流を減らして
も、磁気コアを十分に磁化することが可能である。した
がって、本発明に係る磁気センサでは、消費電力を削減
することができる。
ルに流れるバイアス電流によるバイアス磁界が磁気コア
に効率良く印加されるので、バイアス電流を減らして
も、磁気コアを十分に磁化することが可能である。した
がって、本発明に係る磁気センサでは、消費電力を削減
することができる。
【００４４】また、本発明に係る磁気センサでは、コイ
ルに流れるバイアス電流によるバイアス磁界が磁気コア
に効率良く印加されるので、コイルの巻数を減らすこと
が可能である。そして、コイルの巻数を減らすことが可
能であるので、本発明に係る磁気センサは、小型化が可
能であり、また、巻線コストを削減して低価格化を図る
ことができる。
ルに流れるバイアス電流によるバイアス磁界が磁気コア
に効率良く印加されるので、コイルの巻数を減らすこと
が可能である。そして、コイルの巻数を減らすことが可
能であるので、本発明に係る磁気センサは、小型化が可
能であり、また、巻線コストを削減して低価格化を図る
ことができる。
【００４５】また、本発明に係る磁気センサは、コイル
の巻数を減らして抵抗を小さくすることが可能であるの
で、低圧電源による駆動、例えば３．３Ｖ程度の電圧を
供給する電池による駆動に非常に適している。
の巻数を減らして抵抗を小さくすることが可能であるの
で、低圧電源による駆動、例えば３．３Ｖ程度の電圧を
供給する電池による駆動に非常に適している。
【図１】本発明を適用した磁気センサである中凸型磁気
センサの一例を示す模式図である。
センサの一例を示す模式図である。
【図２】一様な磁界中における磁気コア内の反磁界の分
布を示す図である。
布を示す図である。
【図３】バイアス電流とインダクタンスの関係を示す特
性図である。
性図である。
【図４】整巻型磁気センサの一例を示す模式図である。
【図５】中凹型磁気センサの一例を示す模式図である。
【図６】本発明を適用した磁気センサであるコイル長規
定型磁気センサの一例を示す模式図である。
定型磁気センサの一例を示す模式図である。
【図７】バイアス電流とインダクタンスの関係を示す特
性図である。
性図である。
【図８】本発明を適用した磁気センサの他の例を示す模
式図である。
式図である。
【図９】本発明を適用した磁気センサの他の例を示す模
式図である。
式図である。
【図１０】本発明を適用した磁界検出用回路の一例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図１１】図１０に示した磁界検出用回路の各部におけ
る電圧波形のタイムチャートを示す図である。
る電圧波形のタイムチャートを示す図である。
【図１２】従来の磁気センサの一例を示す模式図であ
る。
る。
１ 磁気コア ２ コイル
Claims (4)
- 【請求項１】 細長い形状の磁気コアと、上記磁気コア
の周囲に巻回されたコイルとを備えた磁気センサにおい
て、 磁気コアの中央部におけるコイルの巻数が、磁気コアの
端部におけるコイルの巻数よりも多いことを特徴とする
磁気センサ。 - 【請求項２】 前記コイルが、前記磁気コアの中央部に
おいて盛り上がるように巻回されていることを特徴とす
る請求項１記載の磁気センサ。 - 【請求項３】 前記コイルが前記磁気コアの中央部にだ
け巻回され且つ磁気コアの端部には巻回されないよう
に、上記コイルを巻回する部分の長さが規定されている
ことを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。 - 【請求項４】 前記コイルが中央部が括れた形状のボビ
ンに巻回され、前記磁気コアが上記ボビンに挿入されて
いることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7254241A JPH0996666A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 磁気センサ |
| US08/722,614 US5818226A (en) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | Magnetic sensor having a coil with varying turns along the length of a bobbin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7254241A JPH0996666A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0996666A true JPH0996666A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17262242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7254241A Pending JPH0996666A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 磁気センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5818226A (ja) |
| JP (1) | JPH0996666A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512370B1 (en) | 1999-02-12 | 2003-01-28 | Elf Engineering, Ltd. | Low power, frequency-mode magnetometer |
| US6278355B1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-08-21 | Square D Company | Transformer winding |
| JP3713422B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2005-11-09 | ヒロセ電機株式会社 | パルス信号発生装置並びにパルス信号発生装置に使用するコイル巻きボビンおよびその製造方法 |
| TWI276122B (en) * | 2003-11-05 | 2007-03-11 | Tdk Corp | Coil device |
| US7818264B2 (en) * | 2006-06-19 | 2010-10-19 | Visa U.S.A. Inc. | Track data encryption |
| US8330566B2 (en) * | 2009-02-02 | 2012-12-11 | Northrop Grumman Guidance And Electronics Company, Inc. | Magnetic solenoid for generating a substantially uniform magnetic field |
| US8487729B2 (en) | 2009-02-02 | 2013-07-16 | Northrop Grumman Guidance & Electronics | Magnetic solenoid for generating a substantially uniform magnetic field |
| KR101091199B1 (ko) * | 2010-01-13 | 2011-12-09 | 한국전기연구원 | 초전도 전력저장 장치용 코일 보빈 |
| JP6264805B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2018-01-24 | Tdk株式会社 | パルストランス |
| CN112802398B (zh) * | 2021-01-28 | 2023-01-24 | 维沃移动通信有限公司 | 柔性屏及其展开大小的检测方法和电子设备 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
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