JPH0984280A - 電源監視回路 - Google Patents

電源監視回路

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JPH0984280A
JPH0984280A JP7236378A JP23637895A JPH0984280A JP H0984280 A JPH0984280 A JP H0984280A JP 7236378 A JP7236378 A JP 7236378A JP 23637895 A JP23637895 A JP 23637895A JP H0984280 A JPH0984280 A JP H0984280A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は電源監視回路に関し、MOS−FET
のオン抵抗を電流検出用抵抗として電流測定を行い、部
品点数を削減し、かつ電池電源系の電源供給ラインのイ
ンピーダンスを低減させ、電池駆動時間の延命化を図
る。 【解決手段】電池1と他電源との2種類の電源系を持
ち、少なくとも電池1の電源供給ラインに、他電源との
突き合わせ用素子としてMOS−FETを挿入し、MO
S−FETを含む複数の突き合わせ用素子により電源系
を切り換えて負荷に電源を供給する電源回路に、電池1
の電源供給ラインに流れる電流を測定する電流測定部7
Aを備え、電流測定部7Aで測定した電流値を基に電池
1の監視を行う電源監視回路において、MOS−FET
のオン抵抗を電流検出用抵抗として用い、電流測定部7
Aは、前記電流検出用抵抗の両端電圧を検出して電池1
の電源供給ラインに流れる電流を測定するように構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電池電源を使用し
た各種機器に利用されるものであり、前記電池状態を監
視する電源監視回路に関する。近年のノート型パソコン
を始めとする様々な電気製品には、その電源として電池
を用いたものが数多く製品化されている。このような電
池駆動の装置においては、使用者に電池残量を知らせる
ため、電池残量予測を行うための回路が組み込まれてお
り、その回路により電池残量が正確に把握できるように
なっている。
【0002】前記電池残量を予測する場合、例えば、電
源ラインに電流検出用抵抗を直列に接続し、その電源ラ
インに電流が流れる時に発生する電流検出用抵抗の両端
電圧を測定して電流値を把握し、その電流値の積算によ
って電池残量を予測していた。ところが、前記電流検出
用抵抗は電池から見ると負荷になっており、消費電力が
増大して電池寿命を短くする欠点があり、この点の改善
が要望されていた。
【0003】
【従来の技術】図7は従来例の回路図である。以下、図
7に基づいて従来例を説明する。 §1:回路構成の説明 この例はノート型パソコン等の電池駆動機器における電
源監視回路の例である。前記電池駆動の機器には電源回
路が設けてあり、この電源回路に電源監視回路が接続さ
れている。なお、この例は電源回路に電池電源と他電源
との2種類の電源系を持つ例である。
【0004】電源として電池1(1次電池、または2次
電池)が設けてあり、前記電源回路には、フィルタ(ノ
イズ除去等を行う電源フィルタ)2、ヒューズ(図示省
略)、MOS型電界効果トランジスタ(以下「MOS−
FET」と記す)4、ダイオード5、抵抗R7等が設け
てある。
【0005】また、前記電源回路にはACアダプタ等の
他電源が接続される端子T1(DC−IN端子)が設け
てあり、この端子T1に前記ダイオード5、及び抵抗R
7が接続されている。前記MOS−FET4はPチャン
ネル型MOS−FETであり、他電源との突き合わせ用
素子を構成している。また、前記ダイオード5も他電源
との突き合わせ用素子を構成している。
【0006】前記電源監視回路は、電流検出用抵抗R
X、抵抗R1、R2、R3、R4、オペアンプ6、アナ
ログ/ディジタルコンバータ(以下「ADC」と記す)
8を内蔵したマイクロコンピュータ(以下「マイコン」
と記す)7で構成している。また、前記マイコン7には
液晶表示パネル(以下「LCD」と記す)9が接続され
ており、このLCD9の表示画面で電池残量表示(例え
ば、アイコンによる電池残量表示)を行うように構成さ
れている。
【0007】前記抵抗R1、R2、R3、R4はオペア
ンプ6に入力する電圧の増幅度を決定するための抵抗で
あり、オペアンプ6は入力電圧増幅用の回路である。 §2:動作説明 端子T1に他電源(直流電源)が印加されている場合
は、端子T1に印加された電圧により抵抗R7に電流が
流れる。この電流により抵抗R7には電圧が発生し、こ
の電圧によりMOS−FET4がオフになる。従って、
電池1から負荷3への電源供給ラインは遮断される。一
方、前記端子T1に印加された電圧によりダイオード5
に順方向電流が流れるため、他電源からダイオード5を
介して負荷3に電力が供給される。
【0008】また、端子T1に他電源が印加されていな
い場合は、抵抗R7及びダイオード5に電流が流れずM
OS−FET4がオンになる。このため、電池1からM
OS−FET4を介して負荷3に電源が供給される。こ
の状態では電流検出用抵抗RXに電流が流れ、前記電流
検出用抵抗RXの両端に電圧が発生する。
【0009】前記電流検出用抵抗RXの両端に発生した
電圧はオペアンプ6により増幅され、その後、ADC8
によりディジタル信号に変換された後、マイコン7によ
り電流の値が求められる。そして、マイコン7は前記求
めた電流値を所定時間積算することにより、電池残量を
予測しLCD9の一部で前記電池残量を表示する。
【0010】§3:電源監視回路の詳細な説明 前記のように、電源となる電池1から装置側の負荷3へ
の電源系に直列に電流検出用抵抗RXが接続されてい
る。今、電池1から装置側の負荷3へJ1の電流を供給
する場合、電流検出用抵抗RXの両端の電圧VRXは、V
RX=J1×RXで表される。一般に、前記電流検出用抵
抗RXの抵抗値は、数十〜数百ミリオームの値であるた
め、前記電圧VRXの値も小さくなる。
【0011】そこで、オペアンプ6によってその電圧を
増幅し、増幅後の電圧をADC8に入力してディジタル
信号に変換した後、マイコン7により電流値の読み取り
(電圧値から電流J1値の計算を行う)を行う。そして
マイコン7は、前記読み取った電流値を基に電池1の残
量予測を行い、その情報を外部に出力し、LCD9で表
示する。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】前記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 (1) :前記従来の回路において、電流検出用抵抗は電源
系に直列に挿入されているため、電池側から見ると負荷
に見えてしまい、電池駆動時間を短くする原因となって
いた。勿論電流検出用抵抗の値は非常に小さな抵抗値で
あるが、電流を流せば流すほど、その損失は大きくな
る。
【0013】また電流を流さない場合でも、電流検出用
抵抗の値が小さいほど測定誤差が大きくなってしまい正
確な測定が不可能になる。このため、数百mAの電流を
測定する場合には、100mΩ〜200mΩの抵抗値が
必要になっていた。そのため、どうしても電流検出用抵
抗の抵抗分の損失は避けられなかった。
【0014】本発明は、このような従来の課題を解決
し、低抵抗であるMOS型電界効果トランジスタのオン
抵抗を電流検出用抵抗として利用することで電源供給ラ
インのインピーダンスを低減して電流の測定を行い、損
失を少なくして電池駆動時間の延命化を図ることを目的
とする。
【0015】また、本発明は、他電源との突き合わせ素
子として使用されているMOS型電界効果トランジスタ
を利用し、そのオン抵抗を電流検出用抵抗として電流測
定を行うことで、部品点数を削減し、かつ電池電源系の
電源供給ラインのインピーダンスを低減させて損失を少
なくし、電池駆動時間の延命化を図ることを目的とす
る。
【0016】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。本発明は前記の目的を達成するため、次のよ
うに構成した。 (1) :図1において、電源回路には電池1を電源とする
電池電源と、ACアダプタ等を電源とする他電源(端子
T1に印加する直流電源)の2種類の電源系を持ち、突
き合わせ用素子であるダイオード5、MOS−FET
(MOS型電界効果トランジスタ)4、及び抵抗R7に
より前記2種類の電源系を切り換えるように構成されて
いる。この場合、前記MOS−FET4は電池電源系の
電源供給ラインに直列に挿入されている。
【0017】また、前記電源回路には電源監視回路が設
けてあり、この電源監視回路は、MOS−FET4、抵
抗R1、R2、R3、電流測定部7Aで構成されてい
る。この場合、MOS−FET4はそのオン抵抗を電流
検出用抵抗として使用される。すなわち、突き合わせ素
子としてのMOS−FET4のオン抵抗を利用して電流
測定を行うものである。
【0018】また、前記電源監視回路を次のように構成
した。 (2) :電池電源と、前記電池電源から負荷への電源供給
ラインに挿入された電流検出用抵抗と、前記電流検出用
抵抗の両端電圧を検出して前記電源供給ラインに流れる
電流を測定する電流測定部を備え、前記電流測定部で測
定した電流値を基に電池電源の監視を行う電源監視回路
において、前記電流検出用抵抗をMOS型電界効果トラ
ンジスタのオン抵抗で構成した。
【0019】(3) :電池電源と他電源との電源系を持
ち、少なくとも電池電源系の電源供給ラインに、他電源
との突き合わせ用素子としてMOS型電界効果トランジ
スタを挿入し、前記MOS型電界効果トランジスタを含
む複数の突き合わせ用素子により前記電源系を切り換え
て負荷に電源を供給する電源回路に、前記電池電源系の
電源供給ラインに流れる電流を測定する電流測定部を備
え、前記電流測定部で測定した電流値を基に電池電源の
監視を行う電源監視回路において、前記MOS型電界効
果トランジスタのオン抵抗を電流検出用抵抗として用
い、前記電流測定部は、前記電流検出用抵抗の両端電圧
を検出して電池電源系の電源供給ラインに流れる電流を
測定するようにした。
【0020】(4) :電池電源と他電源との電源系を持
ち、少なくとも電池電源系の電源供給ラインに、他電源
との突き合わせ用素子としてMOS型電界効果トランジ
スタを挿入し、前記MOS型電界効果トランジスタを含
む複数の突き合わせ用素子により前記電源系を切り換え
て負荷に電源を供給する電源回路に、前記電池電源系の
電源供給ラインに流れる電流を測定する電流測定部を備
え、前記電流測定部で測定した電流値を基に電池電源の
監視を行う電源監視回路において、前記MOS型電界効
果トランジスタをオン抵抗の異なる2種類のMOS型電
界効果トランジスタで構成すると共に、前記MOS型電
界効果トランジスタを並列接続し、前記各MOS型電界
効果トランジスタのオン抵抗を電流検出用抵抗として用
い、前記電流測定部は、前記電流検出用抵抗の両端電圧
を検出して電池電源系の電源供給ラインに流れる電流を
測定し、その電流値に応じて前記2種類のMOS型電界
効果トランジスタを切り換え制御するようにした。
【0021】(5) :前記(4) の電源監視回路において、
電流測定部は、測定した電流値を予め設定された閾値と
比較し、前記比較結果により、前記電流値が閾値より大
きい場合はオン抵抗の小さい方のMOS型電界効果トラ
ンジスタをオン、他方のMOS型電界効果トランジスタ
をオフにし、前記電流値が閾値より小さい場合はオン抵
抗の大きい方のMOS型電界効果トランジスタをオン、
他方のMOS型電界効果トランジスタをオフに制御する
ようにした。
【0022】(6) :電池電源と他電源との電源系を持
ち、少なくとも電池電源系の電源供給ラインに、他電源
との突き合わせ用素子としてMOS型電界効果トランジ
スタを挿入し、前記MOS型電界効果トランジスタを含
む複数の突き合わせ用素子により前記電源系を切り換え
て負荷に電源を供給する電源回路に、前記電池電源系の
電源供給ラインに流れる電流を測定する電流測定部を備
え、前記電流測定部で測定した電流値を基に電池電源の
監視を行う電源監視回路において、前記MOS型電界効
果トランジスタのオン抵抗を電流検出用抵抗として用
い、前記電流測定部は、前記電流検出用抵抗の両端電圧
を検出して電池電源系の電源供給ラインに流れる電流を
測定し、その電流値に応じて前記MOS型電界効果トラ
ンジスタのオン抵抗を変化させるようにした。
【0023】(7) :電池電源と他電源との電源系を持
ち、少なくとも電池電源系の電源供給ラインに、他電源
との突き合わせ用素子としてダイオードを挿入し、前記
ダイオードを含む複数の突き合わせ用素子により前記電
源系を切り換えて負荷に電源を供給する電源回路に、前
記電池電源系の電源供給ラインに流れる電流を測定する
電流測定部を備え、前記電流測定部で測定した電流値を
基に電池電源の監視を行う電源監視回路において、前記
電流測定部は、前記ダイオードに順方向電流が流れた際
の順方向電圧降下を検出して電池電源系の電源供給ライ
ンに流れる電流を測定するようにした。
【0024】(作用)前記構成に基づく本発明の作用を
説明する。 :前記構成(1) 、(2) 、(3) の作用 図1において、端子T1に他電源(直流電源)が印加さ
れている場合は、端子T1に印加された電圧により抵抗
R7に電流が流れる。この電流により抵抗R7には電圧
が発生し、この電圧によりMOS−FET4がオフにな
る。従って、電池1から負荷3への電源供給ラインは遮
断される。
【0025】一方、前記端子T1に印加された電圧によ
りダイオード5に順方向電流が流れるため、他電源から
ダイオード5を介して負荷3に電力が供給される。ま
た、端子T1に他電源が印加されていない場合は、抵抗
R7、及びダイオード5に電流が流れず、MOS−FE
T4がオンになる。
【0026】このため、電池1からMOS−FET4を
介して負荷3に電力が供給される。この状態ではMOS
−FET4のソースードレイン間には電流が流れ、ソー
スードレイン間電圧が発生する。前記ソースードレイン
間電圧は抵抗R1、R2、R3を介して電流測定部7A
により検出される。そして、電流測定部7Aでは、前記
検出した電圧より電流値を求め、更に、前記求めた電流
値を所定時間積算することで電池残量を予測し、その電
池残量情報を出力する。
【0027】このようにすれば、従来の電流検出用抵抗
を無くすことができ、かつ前記電流検出用抵抗よりロー
インピーダンスのFETを使用して電流の測定を行うの
で、従来の電源回路よりも電源供給ラインのインピーダ
ンスを低減して損失を少なくすることができる。また、
電流検出用抵抗の代わりに突き合わせ用素子として使用
されていたFETを使用したので、従来の電源回路より
も部品点数が削減できる。
【0028】:前記構成(4) 、(5) の作用 前記と同様にして2種類の電源系の切り換えを行い、電
池電源から負荷への電源供給が開始されると、前記2種
類のMOS型電界効果トランジスタの内、いずれか一方
がオンで他方がオフになり、オンになったMOS型電界
効果トランジスタを介して負荷に電源が供給される。
【0029】この場合電流測定部では、前記オンになっ
たMOS型電界効果トランジスタのオン抵抗の両端の電
圧を検出し、その値から電流を求める。そして、求めた
電流値に応じて2種類のMOS型電界効果トランジスタ
をオン/オフ制御する。
【0030】この制御で、電流測定部は、測定した電流
値を予め設定された閾値と比較し、前記比較結果によ
り、前記電流値が閾値より大きい場合はオン抵抗の小さ
い方のMOS型電界効果トランジスタをオン、他方のM
OS型電界効果トランジスタをオフにし、前記電流値が
閾値より小さい場合はオン抵抗の大きい方のMOS型電
界効果トランジスタをオン、他方のMOS型電界効果ト
ランジスタをオフに制御する。
【0031】このようにすれば、小電流の場合も大電流
の場合も常に正確に電流の測定を行うことができる。ま
た、他電源との突き合わせ素子として使用されているM
OS型電界効果トランジスタを利用し、そのオン抵抗を
電流検出用抵抗として電流測定を行うことで、部品点数
を削減し、かつ電池電源系の電源供給ラインのインピー
ダンスを低減させて損失を少なくし、電池駆動時間の延
命化を図ることができる。
【0032】:前記構成(6) の作用 前記と同様にして2種類の電源系の切り換えを行い、電
池電源から負荷への電源供給が開始されると、前記MO
S型電界効果トランジスタがオンになり、前記MOS型
電界効果トランジスタを介して負荷に電源が供給され
る。
【0033】この場合電流測定部では、前記オンになっ
たMOS型電界効果トランジスタのオン抵抗の両端の電
圧を検出し、その値から電流を求める。そして、求めた
電流値に応じて前記MOS型電界効果トランジスタのオ
ン抵抗を変化させるように制御を行う。
【0034】このようにすれば、1つのMOS−FET
でも電流の大きさに応じてオン抵抗を変化させるので、
小電流の場合も大電流の場合も常に正確に電流の測定を
行うことができる。
【0035】また、他電源との突き合わせ素子として使
用されているMOS型電界効果トランジスタを利用し、
そのオン抵抗を電流検出用抵抗として電流測定を行うこ
とで、部品点数を削減し、かつ電池電源系の電源供給ラ
インのインピーダンスを低減させて損失を少なくし、電
池駆動時間の延命化を図ることができる。
【0036】:前記構成(7) の作用 前記と同様にして2種類の電源系の切り換えを行い、電
池電源から負荷への電源供給が開始されると、前記ダイ
オードに順方向電流が流れ、前記ダイオードを介して負
荷に電源が供給される。この場合電流測定部では、前記
ダイオードに順方向電流が流れた際の順方向電圧降下を
検出して電池電源系の電源供給ラインに流れる電流を測
定する。
【0037】このようにすれば、ダイオードを利用して
小電流の場合も大電流の場合も常に正確に電流の測定を
行うことができる。また、他電源との突き合わせ素子と
して使用されているダイオードを利用して電流測定を行
うことで、部品点数を削減し、かつ電池電源系の電源供
給ラインのインピーダンスを低減させて損失を少なく
し、電池駆動時間の延命化を図ることができる。
【0038】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。 (実施例1の説明)実施例1は異なる2種類以上の電源
系を持つ電源回路において、前記従来例の回路に使用さ
れていた電流検出用抵抗を無くし、他電源との突き合わ
せ用素子であるMOS−FETのオン抵抗を利用して電
流(負荷電流)の測定をする例である。
【0039】§1:回路構成の説明 図2は実施例1の回路図である。以下、図2に基づいて
実施例1を説明する。なお、図2中、図1、図7と同じ
ものは同一符号で示してある。この例はノート型パソコ
ン等の電池駆動機器における電源監視回路の例である。
前記電池駆動機器には電源回路が設けてあり、この電源
回路に電源監視回路が接続されている。なお、この例は
電源回路に電池電源と他電源との2種類の電源系を持つ
例である。具体的には次の通りである。
【0040】前記電源系としては、電池1から負荷3へ
電源を供給する電池電源系と、端子T1に接続されるA
Cアダプタ等の他電源(直流電源)から負荷3へ電源を
供給する他電源系で構成される。そして、前記2種類の
電源系の切り換えを行うための突き合わせ素子として、
ダイオード5とMOS−FET4が設けてあり、更に、
MOS−FET4にゲート電圧を供給するための抵抗R
7が設けてある。
【0041】また、前記他電源系の電源供給ラインには
フィルタ10が接続されており、電池電源系の電源供給
ラインにはフィルタ2が接続されている。なお、前記M
OS−FET4はPチャンネル型MOS−FETであ
る。
【0042】そして、前記電池電源系の電源供給ライン
には、前記MOS−FET4、抵抗R1〜R4、オペア
ンプ6、ADC8を内蔵したマイコン7からなる電源監
視回路が接続されている。この場合、突き合わせ素子で
あるMOS−FET4のオン抵抗を電流検出用抵抗とし
て利用するものである。
【0043】なお、前記抵抗R1、R2、R3、R4は
オペアンプ6に入力する電圧の増幅度を決定するための
抵抗であり、オペアンプ6は電流増幅用の回路である。
また、前記マイコン7にはLCD9が接続されており、
このLCD9の一部で電池残量表示を行うように構成さ
れている。
【0044】§2:動作説明 端子T1に他電源(直流電源)が印加されている場合
は、端子T1に印加された電圧により抵抗R7に電流が
流れる。この電流により抵抗R7には電圧が発生し、こ
の電圧(+電圧)によりMOS−FET4がオフにな
る。従って、電池1から負荷3への電源供給ラインは遮
断される。一方、前記端子T1に印加された電圧により
ダイオード5に順方向電流が流れるため、他電源からダ
イオード5を介して負荷3に電力が供給される。
【0045】また、端子T1に他電源が印加されていな
い場合は、抵抗R7、及びダイオード5に電流が流れ
ず、MOS−FET4のゲート電圧がGND電位(零電
位)となって該MOS−FET4がオンになる。このた
め、電池1からMOS−FET4を介して負荷3に電力
が供給される。この状態ではMOS−FET4のソース
ードレイン間には電流が流れ、ソース−ドレイン間電圧
が発生する。
【0046】前記ソース−ドレイン間電圧はオペアンプ
6により増幅され、その後、ADC8によりディジタル
信号に変換された後、マイコン7により負荷電流の値が
求められる。そして、マイコン7は負荷電流の値から電
池残量を予測しLCD9の一部で前記電池残量を表示す
る。
【0047】§3:電源監視回路の詳細な説明 前記のように、実施例1では従来例のような電流検出用
抵抗RXが無く、電池電源系の電源供給ラインに流れる
電流(負荷電流)をMOS−FET4を利用して測定し
ている。この場合、前記MOS−FET4はオンになっ
た飽和状態の時、そのドレイン−ソース間には幾らかの
抵抗分を持っている。この抵抗分は、一般にオン抵抗と
呼ばれ、この抵抗値はゲート−ソース間の電位差の大小
によって変化するが、電位差が同じであれば略一定の値
を示す。
【0048】また、ドレイン−ソース間に流れる電流値
によって弱冠のズレが生じるが、これも殆ど変化しな
い。そこで、前記MOS−FET4のオン抵抗の値を利
用して、従来の電流検出用抵抗RXを代用し、前記電流
検出用抵抗RXと同じようにMOS−FET4のソース
−ドレイン間の電位差(ソース−ドレイン間電圧)をオ
ペアンプ6に送り込んで増幅した後、その電圧をADC
8によりディジタル信号に変換した後、マイコン7へ入
力して電流値の測定を行うことができる。
【0049】(実施例2の説明)実施例2は、実施例1
における他電源との突き合わせ用素子であるMOS−F
ETを、オン抵抗が異なり、かつ並列接続した2種類の
MOS−FETで置き換え、負荷電流値に応じて前記2
つのMOS−FETを切り換えることにより、負荷電流
の大小に関係なく常に正確な電流の測定ができるように
した例である。
【0050】§1:回路構成の説明 図3は実施例2の回路図である。以下、図3に基づいて
実施例2の回路を説明する。前記実施例1と同様に実施
例2も電源回路に電池電源と他電源との2種類の電源系
を持つ例である。具体的には次の通りである。
【0051】前記電源系としては、電池1から負荷3へ
電源を供給する電池電源系と、端子T1に接続されるA
Cアダプタ等の他電源(直流電源)から負荷3へ電源を
供給する他電源系で構成される。そして、前記2種類の
電源系の切り換えを行うための突き合わせ素子として、
ダイオード5とMOS−FET4とMOS−FET12
が設けてあり、前記MOS−FET4とMOS−FET
12が並列接続されている。
【0052】この場合、MOS−FET4とMOS−F
ET12はオン抵抗の異なる2種類のMOS−FETで
構成し、動作時には、常にいずれか一方がオンで他方が
オフとなるように制御されるものである。また、他電源
系の電源供給ラインにはフィルタ10が接続されてお
り、電池電源系の電源供給ラインにはフィルタ2が接続
されている。
【0053】そして、前記電池電源系の電源供給ライン
には、前記MOS−FET4、MOS−FET12、抵
抗R1〜R4、オペアンプ6、ADC8を内蔵したマイ
コン7からなる電源監視回路が接続されている。この場
合、突き合わせ素子であるMOS−FET4、或いはM
OS−FET12のオン抵抗を電流検出用抵抗として利
用するものである。
【0054】なお、前記抵抗R1、R2、R3、R4は
オペアンプ6に入力する電圧の増幅度を決定するための
抵抗であり、オペアンプ6は電流増幅用の回路である。
また、前記マイコン7にはLCD9が接続されており、
このLCD9の一部で電池残量表示を行うように構成さ
れている。
【0055】前記MOS−FET4、及びMOS−FE
T12はPチャンネル型MOS−FETであり、MOS
−FET4のオン抵抗>MOS−FET12のオン抵抗
の関係がある。そして、マイコン7から電流値判定信号
を出力し、この電流値判定信号により前記MOS−FE
T4、及びMOS−FET12を切り換え制御する。
【0056】この場合、マイコン7から出力される電流
値判定信号は、電流値判定信号Aと電流値判定信号Bと
であり、前記電流値判定信号Aはゲート電圧Gsとして
MOS−FET4のゲートに印加すると共に、前記電流
値判定信号Bはゲート電圧GbとしてMOS−FET1
2のゲートへ印加する。
【0057】前記マイコンでは測定した電流値を予め内
部に設定してある閾値と比較し、電流値>閾値の場合は
ハイレベルHの電流値判定信号を出力し、電流値≦閾値
の場合はローレベルLの電流値判定信号を出力する。な
お、通常はハイレベルHの電流値判定信号を出力してい
る。
【0058】§2:動作説明 端子T1に他電源(直流電源)が印加されている場合
は、前記端子T1に印加された電圧によりダイオード5
に順方向電流が流れるため、他電源からダイオード5を
介して負荷3に電力が供給される。この時マイコン7は
MOS−FET4、MOS−FET12はオフになるよ
うに電流値判定信号A、Bを制御し、電池1から負荷3
への電源供給ラインは遮断される。
【0059】また、端子T1に他電源が印加されていな
い場合はダイオード5に電流が流れないため、電池1か
ら負荷3への電源供給ラインが通電状態になる。この場
合、通常はマイコン7からハイレベルの電流値判定信号
Aが出力され、ハイレベルのゲート電圧GsがMOS−
FET4のゲートに印加する。また、同時にローレベル
の電流値判定信号Bが出力され、ローレベルのゲート電
圧GbがMOS−FET12のゲートに印加する。
【0060】このため、MOS−FET4がオフでMO
S−FET12がオンになり、電池電源系の電源供給ラ
インには、フィルタ2→MOS−FET12→負荷3の
経路で電流(負荷電流)Ibが流れる。この時、MOS
−FET12のオン抵抗を電流検出用抵抗として電流測
定が行われる。
【0061】前記電流測定では、MOS−FET12の
ゲート−ソース間電圧を検出し、この電圧をオペアンプ
6で増幅し、更に前記電圧をADC8でディジタル信号
に変換した後、マイコン7により電圧値から電流値が求
められる(電流値の測定)。このようにしてマイコン7
により電流値が測定されると、マイコン7は、測定した
電流値に応じて電流値判定信号を出力する。
【0062】そして、通常(電池残量が大きい場合)は
電池1から負荷3へ流れる電流Ibが大きいので、前記
ゲート電圧Gs=H(ハイレベル)、Gb=L(ローレ
ベル)となりMOS−FET4がオフ、MOS−FET
12がオンになる。従って、前記のように電池1→フィ
ルタ2→MOS−FET12→負荷3の経路で電流が流
れる。
【0063】そして、電流Ibが閾値より小さくなる
と、前記ゲート電圧はGs=L、Gb=Hになり、MO
S−FET4がオン、MOS−FET12がオフにな
る。このため、電池1→フィルタ2→MOS−FET4
→負荷3の経路で電流Ibが流れる。
【0064】前記のようにして、MOS−FET4、或
いはMOS−FET12に電流Ibが流れる。この時、
前記いずれか一方のMOS−FETのオン抵抗に電圧が
発生し(ソース−ドレイン間電圧)、この電圧をオペア
ンプ6に入力して増幅し、ADC8でディジタル信号に
変換した後、マイコン7で電流値を求める。
【0065】そして、マイコン7では求めた電流値を、
予め内部に設定した閾値と比較し、前記電流値が閾値よ
り大きい場合は、電流値判定信号をGs=Hにし、前記
電流値が閾値より小さい場合は電流値判定信号をGs=
Lにする。この電流値判定信号により前記の制御を行
う。また、マイコン7では前記のようにして電流Ibの
値(電流値)を求めると、前記電流値から電池残量を予
測しLCD9の一部で前記電池残量を表示する。
【0066】§3:電源監視回路の詳細な説明 前記MOS−FET4の飽和時のオン抵抗は数十ミリオ
ーム〜数オームまで様々な抵抗値がある。また、MOS
−FET4のゲート−ソース間の電位差によっても抵抗
値を変化させることもできる。そこで、前記のように、
オン抵抗の異なる2つの突き合わせ用MOS−FET
(MOS−FET4、MOS−FET12)を並列に接
続して、電流値に応じて前記突き合わせ用のMOS−F
ETを切り換えることにより、電流測定誤差を少なくし
ている。
【0067】図示のMOS−FET12は低オン抵抗特
性の素子であり、MOS−FET4はMOS−FET1
2よりも高オン抵抗特性の素子である(MOS−FET
4のオン抵抗>MOS−FET12のオン抵抗)。
【0068】前記のように電流が極僅かの場合、電流検
出用抵抗としての前記MOS−FETのオン抵抗の抵抗
値が小さいことは、抵抗の両端の電位差が少なくなるた
め、電流測定が正確にできない。そこで、マイコン7か
ら電流値に応じて判定信号を出力し、前記MOS−FE
T4、MOS−FET12を適時切り換えることによ
り、正確に電流測定を行わせる。
【0069】通常、マイコン7から電流値判定信号Aが
ハイレベルH、電流値判定信号BがローレベルLになっ
ている(Gs=H、Gb=L)としてMOS−FET1
2を通して電流Ibを負荷3に供給しているものとす
る。次に、負荷側の電流値が少なくなったことをマイコ
ン7が判断すると、電流値判定信号AをローレベルL、
電流値判定信号BをハイレベルHとし(Gs=L、Gb
=H)、電流のパスをMOS−FET4側に切り換え
る。
【0070】ここでMOS−FET4、MOS−FET
12には一般的にMOS−FETが持っている寄生ダイ
オード(内蔵ダイオード)によって、MOS−FETが
オフであっても電流がオフ側のMOS−FETからも流
れようとする。
【0071】しかし、オン側のオン抵抗によってドロッ
プする電圧は、オフ側のMOS−FETから寄生ダイオ
ードでドロップする電圧より低いため、常にオン側のM
OS−FETから流れる(オフ側のMOS−FETは寄
生ダイオードがあっても実質的に電流が流れない)。こ
の切り換えによって、電流値が大小に変化しても誤差の
少ない測定が可能になる。
【0072】電流Ibの値が小さい場合、抵抗値(MO
S−FETのオン抵抗の値)を大きくしても、そこに流
れる電流から電流検出用抵抗(MOS−FETのオン抵
抗)で発生する電圧ドロップは小さいため、電池駆動時
間にさほど影響することはない。
【0073】§4:変形例の説明 なお、前記MOS−FETとして、Pチャンネル型MO
S−FETとNチャンネル型MOS−FETを1つずつ
用いることにより、電流値判定信号Bを省略することが
できる。一般に、Nチャンネル型MOS−FETは、P
チャンネル型MOS−FETに比べ、コンプリメンタリ
部品において、オン抵抗が1/2〜1/1.5程度にな
っている。
【0074】このことを利用し、電流値の小さい時には
Pチャンネル型MOS−FETに電流を流し、電流値が
大きい時にはNチャンネル型MOS−FETに電流を流
すことによって、オン抵抗の違う2つのMOS−FET
から電流を測定することができる。
【0075】(実施例3の説明)実施例3は、実施例2
のMOS−FETを1つのままでオン抵抗を変化させる
ことにより、大電流から小電流までを正確に測定できる
ようにした例である。
【0076】§1:回路構成の説明 図4は実施例3の回路図である。以下、図4に基づいて
実施例3を説明する。前記実施例1、2と同様に実施例
3も電源回路に電池電源と他電源との2種類の電源系を
持つ例である。具体的には次の通りである。
【0077】前記電源系としては、電池1から負荷3へ
電源を供給する電池電源系と、端子T1に接続されるA
Cアダプタ等の他電源(直流電源)から負荷3へ電源を
供給する他電源系で構成される。そして、前記2種類の
電源系の切り換えを行うための突き合わせ素子として、
ダイオード5とMOS−FET4が設けてある。
【0078】また、他電源系の電源供給ラインにはフィ
ルタ10が接続されており、電池電源系の電源供給ライ
ンにはフィルタ2が接続されている。そして、前記電池
電源系の電源供給ラインには、前記MOS−FET4、
抵抗R1〜R4、オペアンプ6、ADC8を内蔵したマ
イコン7、ディジタル/アナログコンバータ(以下「D
AC」と記す)14からなる電源監視回路が接続されて
いる。
【0079】この場合、突き合わせ素子であるMOS−
FET4のオン抵抗を電流検出用抵抗として利用するも
のである(従来例の電流検出用抵抗RXの代替)。な
お、前記抵抗R1、R2、R3、R4はオペアンプ6に
入力する電圧の増幅度を決定するための抵抗であり、オ
ペアンプ6は電流増幅用の回路であり、DAC14はマ
イコン7から出力されたデータ(ディジタルデータ)を
ゲート電圧Vg(アナログ信号)に変換するものであ
り、マイコン7は電流を測定するものである。
【0080】また、前記マイコン7にはLCD9が接続
されており、このLCD9の一部で電池残量表示を行う
ように構成されている。前記MOS−FET4は、Pチ
ャンネル型MOS−FETであり、DAC14を介して
マイコン7により制御される。前記MOS−FET4
は、従来の電流検出用抵抗RXの代替として両端の電圧
が測定されるが、そのオン抵抗は、ゲート−ソース間の
電位差によって決定される。
【0081】そこで、MOS−FET4のゲート電圧を
調整し、或る一定のオン抵抗になるような電圧値をゲー
ト端子に与えることで、オン抵抗を可変させ、電源系を
流れる電流の大小を全て1つのMOS−FETでまかな
い、測定することが可能になる。
【0082】§2:動作説明 端子T1に他電源(直流電源)が印加されている場合
は、前記端子T1に印加された電圧によりダイオード5
に順方向電流が流れるため、他電源からダイオード5を
介して負荷3に電力が供給される。この時MOS−FE
T4はオフになり電池1から負荷3への電源供給ライン
は遮断される。
【0083】また、端子T1に他電源が印加されていな
い場合はダイオード5に電流が流れないため、電池1か
ら負荷3への電源供給ラインは通電状態になる。この場
合、マイコン7からDAC14に対して、クロック(C
LK)と、測定した電流値に応じたデータ(DATA)
が出力され、DAC14から前記データに応じた大きさ
のゲート電圧Vg(アナログ信号)が出力する。
【0084】前記ゲート電圧VgはMOS−FET4の
ゲートに印加され、電流値に応じたゲート電圧でMOS
−FET4が制御される。前記のようにして、MOS−
FET4に電流Ibが流れると、MOS−FET4のオ
ン抵抗に電圧が発生し(ソース−ドレイン間電圧)、こ
の電圧をオペアンプ6に入力して増幅し、ADC8でデ
ィジタル信号に変換した後、マイコン7で電流値を求め
る。
【0085】そして、マイコン7で求めた電流値を基に
前記データをDAC14へ出力することで前記の制御を
行う。また、マイコン7では、前記のようにして負荷電
流Ibを求めると、負荷電流値から電池残量を予測しL
CD9の一部で前記電池残量を表示する。
【0086】なお、マイコン7が測定した電流値に応じ
てデータを出力するが、この場合、例えばマイコン7内
に閾値を設定しておき、電流値>閾値の場合第1のデー
タを出力し、電流値≦閾値の場合第2のデータを出力し
ても良い(但し、第1のデータ>第2のデータ)。
【0087】このようにすれば、DAC14では前記デ
ータに応じて2段階のゲート電圧Vg(第1の電圧、及
び第2の電圧)を発生してMOS−FET4のゲートに
印加する。前記ゲート電圧の印加によりMOS−FET
4のオン抵抗を少なくとも2段階(高抵抗、低抵抗)に
変化させることができる。
【0088】なお、前記閾値を複数設定しておき、各閾
値との比較により電流値に応じて複数段階のゲート電圧
Vgを発生させることにより、MOS−FET4のオン
抵抗を3段階以上に変化させても良い。
【0089】(実施例4の説明)実施例4は突き合わせ
用素子としてダイオードを用い、このダイオードを電流
検出用抵抗の代わりに使用した例である。
【0090】§1:回路構成の説明 図5は実施例4の回路図、図6は実施例4のダイオード
特性図である。以下、図5、図6に基づいて実施例4を
説明する。前記実施例1、2、3と同様に実施例4も電
源回路に電池電源と他電源との2種類の電源系を持つ例
である。具体的には次の通りである。
【0091】前記電源系としては、電池1から負荷3へ
電源を供給する電池電源系と、端子T1に接続されるA
Cアダプタ等の他電源(直流電源)から負荷3へ電源を
供給する他電源系で構成される。そして、前記2種類の
電源系の切り換えを行うための突き合わせ素子として、
ダイオード5とダイオード15が設けてある。
【0092】また、他電源系の電源供給ラインにはフィ
ルタ10が接続されており、電池電源系の電源供給ライ
ンにはフィルタ2が接続されている。そして、前記電池
電源系の電源供給ラインには、前記ダイオード15、抵
抗R1〜R4、オペアンプ6、ADC8を内蔵したマイ
コン7からなる電源監視回路が接続されると共に、前記
ダイオード15の近辺には環境温度を測定するためのサ
ーミスタ16が設けてある。
【0093】この場合、突き合わせ素子であるダイオー
ド15の順方向電圧降下を利用して電流の測定を行うと
共に、サーミスタ16により環境温度を測定して電流値
の補正を行うように構成している。前記抵抗R1、R
2、R3、R4はオペアンプ6に入力する電圧の増幅度
を決定するための抵抗であり、オペアンプ6は電流増幅
用の回路であり、マイコン7は電流を測定するものであ
る。
【0094】また、前記マイコン7にはLCD9が接続
されており、このLCD9の一部で電池残量表示を行う
ように構成されている。前記のように、電池1の電源供
給ラインには電流検出用抵抗の代替素子としてダイオー
ド15を接続している。このダイオードは他電源との突
き合わせ用素子と電流検出用抵抗の代替素子を兼用して
いる。
【0095】ところで、ダイオード15は、図6に示し
た特性を有する素子である。すなわち、図6において、
横軸はダイオード15の順方向電圧降下Vf、縦軸は順
方向電流Irを示す。また、各特性曲線は温度を0°
C、25°C、80°Cに変化させた場合の特性図であ
る。
【0096】図示のように、ダイオード15は、順方向
電流Irが流れると、その両端に順方向電圧降下Vfが
生じる。この順方向電圧降下Vfは順方向電流Irの大
きさにより変化する。そのため、前記順方向電圧降下V
fを測定することにより、電源供給ラインに流れる電流
を測定することができる。
【0097】しかし、前記順方向電圧降下Vfは環境温
度によっても左右されるため、環境温度を測定して測定
値の補正をしなければならない。そこで、前記ダイオー
ド15の近くにサーミスタ16を置き、マイコン7がサ
ーミスタ16からの信号を基に前記環境温度を測定して
補正を行う。すなわち、マイコン7は、サーミスタ16
の電流を検出することでダイオード15の周囲の環境温
度を測定しながら電流(負荷電流)の測定を行う。
【0098】前記のように、ダイオードの順方向電圧降
下を基に電流の測定を行う場合、ダイオードの環境温度
による補正をしながら電流値を測定しなければ、正確な
測定はできないが、電流値によってその順方向電圧降下
Vfが変化することに変わりはなく、温度での補正がで
きれば、正確な電流値の測定が可能になる。
【0099】§2:動作説明 端子T1に他電源(直流電源)が印加されている場合
は、前記端子T1に印加された電圧によりダイオード5
に順方向電流が流れるため、他電源からダイオード5を
介して負荷3に電力が供給される。この時ダイオード1
5は逆バイアスされ電流が流れない。このため、電池1
から負荷3への電源供給ラインは遮断される。
【0100】また、端子T1に他電源が印加されていな
い場合はダイオード5に電流が流れないため、電池1か
ら負荷3への電源供給ラインは通電状態になる。この場
合、電池1→フィルタ2→ダイオード15→負荷3の経
路で電流が流れる。そして、ダイオード15には順方向
電流Irが流れて、その両端には順方向電圧降下Vfが
生じる。
【0101】この順方向電圧降下Vfはオペアンプ6に
入力して増幅され、ADC8でディジタル信号に変換さ
れた後、マイコン7で電流値が求められる。この時、マ
イコン7はサーミスタ16からの信号を基にダイオード
15の環境温度を測定し、その測定した温度により負荷
電流値を補正する。このようにしてマイコン7で電流値
が測定されると、その電流値から電池残量を予測しLC
D9の一部で前記電池残量を表示する。
【0102】(他の実施例)以上実施例について説明し
たが、本発明は次のようにしても実施可能である。 (1) :2種類の電源系を有する電源回路に限らず、2種
類以上の電源系を持つ電源回路、或いは電池電源系のみ
の電源回路にも同様に適用可能である。なお、電池電源
系のみの電源回路に適用した場合は、従来例の電流検出
用抵抗の代替として突き合わせ用素子ではないMOS−
FETのオン抵抗を使用する。
【0103】(2) :前記MOS−FETはPチャンネル
型MOS−FETに限らず、Nチャンネル型MOS−F
ETでも適用可能である。なお、Nチャンネル型MOS
−FETを使用した場合は、ゲート電圧をインバータで
反転させれば良い。
【0104】(3) :マイコンに内蔵されているADCは
外付け回路としても実施可能である。
【0105】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) :電池電源系の電源監視を行う場合、従来のような
電流検出用抵抗を使用することなく、低抵抗であるMO
S−FETのオン抵抗を利用して電流測定を行うので、
電源供給ラインのインピーダンスを低下させることがで
きる。従って、前記電源供給ラインの損失を低減し電池
駆動時間を長くすることができる。
【0106】(2) :電池電源系の電源供給ラインの電流
を測定する場合、他電源との突き合わせ素子に使用され
ているMOS−FETを利用して測定している。このた
め、部品点数が少なくなり電源供給ラインのインピーダ
ンスが低減する。その結果、前記電源供給ラインでの損
失が少なくなり、電池駆動時間の延命化を達成すること
ができる。
【0107】(3) :電池電源系の電源供給ラインの電流
を測定する場合、従来のような電流検出用抵抗を使用し
ないのでインピーダンスを低減することができる。この
ため、電源供給ラインのロスを意識しないで電流測定が
より正確に行える。
【0108】前記効果の外、各請求項に対応して次のよ
うな効果がある。 (4) :請求項1では、電池電源と、電池電源から負荷へ
の電源供給ラインに挿入された電流検出用抵抗と、電流
検出用抵抗の両端電圧を検出して電源供給ラインに流れ
る電流を測定する電流測定部を備え、電池電源の監視を
行う電源監視回路において、前記電流検出用抵抗をMO
S型電界効果トランジスタのオン抵抗で構成した。
【0109】従って、電池電源系の電源監視を行う場
合、従来のような電流検出用抵抗を使用することなく、
低抵抗であるMOS−FETのオン抵抗を利用して電流
測定を行うので、電源供給ラインのインピーダンスを低
下させることができる。従って、前記電源供給ラインの
損失を低減し電池駆動時間を長くすることができる。
【0110】(5) :請求項2では、少なくとも電池電源
系の電源供給ラインに、他電源との突き合わせ用素子と
してMOS型電界効果トランジスタを挿入し、突き合わ
せ用素子により2種類の電源系を切り換えて負荷に電源
を供給する電源回路に、電流測定部を備え、電池電源の
監視を行う電源監視回路において、MOS型電界効果ト
ランジスタのオン抵抗を電流検出用抵抗として用い、電
流測定部は前記電流検出用抵抗の両端電圧を検出して電
池電源系の電源供給ラインに流れる電流を測定するよう
にした。
【0111】このようにすれば、従来の電流検出用抵抗
を無くすことができ、かつ前記電流検出用抵抗よりロー
インピーダンスのFETを使用して電流の測定を行うの
で、従来の電源回路よりも電源供給ラインのインピーダ
ンスを低減して損失を少なくすることができる。また、
電流検出用抵抗の代わりに突き合わせ用素子として使用
されていたFETを使用したので、従来の電源回路より
も部品点数が削減できる。
【0112】(6) :請求項3では、少なくとも電池電源
系の電源供給ラインに、他電源との突き合わせ用素子と
してMOS型電界効果トランジスタを挿入し、突き合わ
せ用素子により電源系を切り換えて負荷に電源を供給す
る電源回路に、電流測定部を備え、電池電源の監視を行
う電源監視回路において、MOS型電界効果トランジス
タをオン抵抗の異なる2種類のMOS型電界効果トラン
ジスタで構成すると共に、前記MOS型電界効果トラン
ジスタを並列接続し、各MOS型電界効果トランジスタ
のオン抵抗を電流検出用抵抗として用い、電流測定部
は、前記電流検出用抵抗の両端電圧を検出して電池電源
系の電源供給ラインに流れる電流を測定し、その電流値
に応じて前記2種類のMOS型電界効果トランジスタを
切り換え制御するようにした。
【0113】従って、他電源との突き合わせ素子として
使用されているMOS型電界効果トランジスタのオン抵
抗を電流検出用抵抗として利用することで電流の測定を
行い、電池電源系の電源供給ラインのインピーダンスを
低減させ、電池駆動時間の延命化を図ることができる。
また、電流が小さい場合でも、大きい場合でも常に正確
に電流の測定を行うことができる。
【0114】(7) :請求項4では、電流測定部は、測定
した電流値を予め設定された閾値と比較し、比較結果に
より、電流値が閾値より大きい場合はオン抵抗の小さい
方のMOS型電界効果トランジスタをオン、他方のMO
S型電界効果トランジスタをオフにし、電流値が閾値よ
り小さい場合はオン抵抗の大きい方のMOS型電界効果
トランジスタをオン、他方のMOS型電界効果トランジ
スタをオフに制御するようにした。
【0115】従って、電流が小さい場合でも、大きい場
合でも常に正確に電流の測定を行うことができる。 (8) :請求項5では、少なくとも電池電源系の電源供給
ラインに他電源との突き合わせ用素子としてMOS型電
界効果トランジスタを挿入し、突き合わせ用素子により
電源系を切り換えて負荷に電源を供給する電源回路に電
流測定部を備え、電池電源の監視を行う電源監視回路に
おいて、MOS型電界効果トランジスタのオン抵抗を電
流検出用抵抗として用い、電流測定部は電流検出用抵抗
の両端電圧を検出して電池電源系の電源供給ラインに流
れる電流を測定し、その電流値に応じてMOS型電界効
果トランジスタのオン抵抗を変化させるようにした。
【0116】このようにすれば、1個のMOS−FET
を使用して、電流が小さい場合でも、大きい場合でも常
に正確に電流の測定を行うことができる。また、2個の
MOS−FETを使用する場合よりも部品点数が少なく
なる。
【0117】(9) :請求項6では、少なくとも電池電源
系の電源供給ラインに他電源との突き合わせ用素子とし
てダイオードを挿入し、ダイオードを含む複数の突き合
わせ用素子により2種類の電源系を切り換えて負荷に電
源を供給する電源回路に、電流測定部を備え、電池電源
の監視を行う電源監視回路において、電流測定部は、ダ
イオードに順方向電流が流れた際の順方向電圧降下を検
出して電池電源系の電源供給ラインに流れる電流を測定
するようにした。
【0118】従って、突き合わせ用素子に使用されてい
たダイオードを利用することで電流の測定を行い、電池
電源系の電源供給ラインのインピーダンスを低減させ、
電池駆動時間の延命化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理説明図である。
【図2】実施例1の回路図である。
【図3】実施例2の回路図である。
【図4】実施例3の回路図である。
【図5】実施例4の回路図である。
【図6】実施例4のダイオード特性図である。
【図7】従来例の回路図である。
【符号の説明】
1 電池 3 負荷 4 MOS型電界効果トランジスタ(MOS−FET) 5、15 ダイオード 6 オペアンプ 7 マイコン 7A 電流測定部 8 アナログ/ディジタルコンバータ(ADC) 9 液晶表示パネル(LCD) 2、10 フィルタ 12 MOS型電界効果トランジスタ(MOS−FE
T) 14 ディジタル/アナログコンバータ(DAC) 16 サーミスタ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電池電源と、前記電池電源から負荷への電
    源供給ラインに挿入された電流検出用抵抗と、前記電流
    検出用抵抗の両端電圧を検出して前記電源供給ラインに
    流れる電流を測定する電流測定部を備え、前記電流測定
    部で測定した電流値を基に電池電源の監視を行う電源監
    視回路において、 前記電流検出用抵抗をMOS型電界効果トランジスタの
    オン抵抗で構成したことを特徴とする電源監視回路。
  2. 【請求項2】電池電源と他電源との電源系を持ち、少な
    くとも電池電源系の電源供給ラインに、他電源との突き
    合わせ用素子としてMOS型電界効果トランジスタを挿
    入し、前記MOS型電界効果トランジスタを含む複数の
    突き合わせ用素子により前記電源系を切り換えて負荷に
    電源を供給する電源回路に、前記電池電源系の電源供給
    ラインに流れる電流を測定する電流測定部を備え、前記
    電流測定部で測定した電流値を基に電池電源の監視を行
    う電源監視回路において、 前記MOS型電界効果トランジスタのオン抵抗を電流検
    出用抵抗として用い、前記電流測定部は、前記電流検出
    用抵抗の両端電圧を検出して電池電源系の電源供給ライ
    ンに流れる電流を測定することを特徴とした電源監視回
    路。
  3. 【請求項3】電池電源と他電源との電源系を持ち、少な
    くとも電池電源系の電源供給ラインに、他電源との突き
    合わせ用素子としてMOS型電界効果トランジスタを挿
    入し、前記MOS型電界効果トランジスタを含む複数の
    突き合わせ用素子により前記電源系を切り換えて負荷に
    電源を供給する電源回路に、前記電池電源系の電源供給
    ラインに流れる電流を測定する電流測定部を備え、前記
    電流測定部で測定した電流値を基に電池電源の監視を行
    う電源監視回路において、 前記MOS型電界効果トランジスタをオン抵抗の異なる
    2種類のMOS型電界効果トランジスタで構成すると共
    に、前記MOS型電界効果トランジスタを並列接続し、 前記各MOS型電界効果トランジスタのオン抵抗を電流
    検出用抵抗として用い、前記電流測定部は、前記電流検
    出用抵抗の両端電圧を検出して電池電源系の電源供給ラ
    インに流れる電流を測定し、その電流値に応じて前記2
    種類のMOS型電界効果トランジスタを切り換え制御す
    ることを特徴とした電源監視回路。
  4. 【請求項4】前記電流測定部は、測定した電流値を予め
    設定された閾値と比較し、前記比較結果により、前記電
    流値が閾値より大きい場合はオン抵抗の小さい方のMO
    S型電界効果トランジスタをオン、他方のMOS型電界
    効果トランジスタをオフにし、前記電流値が閾値より小
    さい場合はオン抵抗の大きい方のMOS型電界効果トラ
    ンジスタをオン、他方のMOS型電界効果トランジスタ
    をオフに制御することを特徴とした請求項3記載の電源
    監視回路。
  5. 【請求項5】電池電源と他電源との電源系を持ち、少な
    くとも電池電源系の電源供給ラインに、他電源との突き
    合わせ用素子としてMOS型電界効果トランジスタを挿
    入し、前記MOS型電界効果トランジスタを含む複数の
    突き合わせ用素子により前記電源系を切り換えて負荷に
    電源を供給する電源回路に、前記電池電源系の電源供給
    ラインに流れる電流を測定する電流測定部を備え、前記
    電流測定部で測定した電流値を基に電池電源の監視を行
    う電源監視回路において、 前記MOS型電界効果トランジスタのオン抵抗を電流検
    出用抵抗として用い、前記電流測定部は、前記電流検出
    用抵抗の両端電圧を検出して電池電源系の電源供給ライ
    ンに流れる電流を測定し、その電流値に応じて前記MO
    S型電界効果トランジスタのオン抵抗を変化させること
    を特徴とした電源監視回路。
  6. 【請求項6】電池電源と他電源との電源系を持ち、少な
    くとも電池電源系の電源供給ラインに、他電源との突き
    合わせ用素子としてダイオードを挿入し、前記ダイオー
    ドを含む複数の突き合わせ用素子により前記電源系を切
    り換えて負荷に電源を供給する電源回路に、前記電池電
    源系の電源供給ラインに流れる電流を測定する電流測定
    部を備え、前記電流測定部で測定した電流値を基に電池
    電源の監視を行う電源監視回路において、 前記電流測定部は、前記ダイオードに順方向電流が流れ
    た際の順方向電圧降下を検出して電池電源系の電源供給
    ラインに流れる電流を測定することを特徴とした電源監
    視回路。
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