JPH098210A - 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム - Google Patents

半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム

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JPH098210A
JPH098210A JP7178209A JP17820995A JPH098210A JP H098210 A JPH098210 A JP H098210A JP 7178209 A JP7178209 A JP 7178209A JP 17820995 A JP17820995 A JP 17820995A JP H098210 A JPH098210 A JP H098210A
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resin
pellet
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semiconductor pellet
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Atsushi Nishikisawa
篤志 錦沢
Tadatoshi Danno
忠敏 団野
Kazuo Shimizu
一男 清水
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂封止体のクラック発生を防止する。 【構成】 ＱＦＰ・ＩＣ３８において、タブ１８の中央
部に４個の長円孔２１が十字形に配されて開設され、各
長円孔２１に４個のＴ字形状の舌片２２が十字形に配さ
れてタブ１８の厚さ内に突設されているとともに、各舌
片２２の横条片部に薄肉部２３がペレット３２側に空間
部を構成するように形成されており、長円孔２１内に樹
脂封止体３５の樹脂が充填されて舌片２１が投錨されて
いる。 【効果】 熱ストレスでタブ下面と樹脂封止体の樹脂と
の界面またはタブとペレットとの界面に剥離力が作用し
ても、長円孔の内部に充填された樹脂封止体の樹脂と、
薄肉部付き舌片を包囲した樹脂封止体の樹脂とが投錨効
果を発揮するため、剥離は防止される。剥離が発生しな
いと、樹脂封止体の内部でタブの裏面外縁付近に応力が
集中しても、そこを起点とするクラックは発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に、樹
脂封止パッケージにおけるクラックの発生防止技術に関
し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備えてい
る半導体集積回路装置（以下、表面実装形樹脂封止パッ
ケージＩＣという。）に利用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高密度実装を実現するための表
面実装形樹脂封止パッケージＩＣにおいては、樹脂封止
パッケージが高温度に晒された後に冷却されると、樹脂
封止体にタブの裏面を起点とするクラックが発生すると
いう問題点があることが知られている。そして、クラッ
クが発生する理由は次のように考えられている。
【０００３】すなわち、シリコン等のペレットを形成し
ている材料と、リードフレームを形成している４２アロ
イや銅と、樹脂封止体を形成している樹脂との熱膨張係
数は大きく異なる。そこで、表面実装形樹脂封止パッケ
ージＩＣが温度サイクル試験や熱衝撃試験等で、また、
実装時におけるはんだディップ工程やリフローはんだ工
程等で加熱されることにより、樹脂封止体の樹脂とペレ
ットおよびタブとの接着界面に剥がれが発生するととも
に、樹脂封止体にタブの裏面を起点とするクラックが発
生する。
【０００４】従来、この問題点を解決するための表面実
装形樹脂封止パッケージＩＣとして、タブに円形の小孔
を多数個開設したものや、タブに４本の直線状のスリッ
トを十字形状に開設したものが提案されている。
【０００５】このようにタブに小孔またはスリットが開
設された表面実装形樹脂封止パッケージＩＣにおいて
は、熱ストレスによる繰り返し応力により、タブ下面と
樹脂封止体の樹脂との界面や、タブとペレットとの界面
に対してこれらを剥離させようとする力が作用したとし
ても、小孔やスリット内に充填されている樹脂封止体の
樹脂が投錨効果を発揮することにより、その剥離力に対
して充分に抗することができるため、これら界面におけ
る剥離を防止することができる。そして、剥離が発生し
ない場合には、樹脂封止体の内部において、タブの裏面
における外縁付近に応力が集中したとしても、そこを起
点とするクラックは発生しない。
【０００６】さらに、タブにスリットが十字形状に開設
されている場合には、タブの横断面積が４つのブロック
に分割されることによって各ブロックの横断面積が減少
されているため、タブの熱膨張による伸び量が縮小され
ることになる。その結果、タブの外側縁辺においてタブ
の金属と樹脂封止体の樹脂との熱膨張差によって発生す
る集中応力の大きさ自体が小さく抑制されるため、万
一、剥離が発生したとしても、樹脂封止体の内部におい
て応力集中箇所を起点とするクラックの発生は防止され
ることになる。
【０００７】なお、タブに小孔やスリットが開設されて
いる表面実装形樹脂封止パッケージＩＣを述べてある例
としては、特開昭６３−２２４２４５号公報、特開平４
−３２４６６７号公報や、特開平６−１７７３１３号公
報、がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】最近、高密度実装を実
現し、かつ、アウタリードの本数を増加するための表面
実装形樹脂封止パッケージＩＣとして、Ｑｕａｄ Ｆｌ
ａｔ Ｐａｃｋａｇｅ・ＩＣ（以下、ＱＦＰ・ＩＣとい
う。）が使用されて来ている。
【０００９】すなわち、このＱＦＰ・ＩＣの表面実装形
樹脂封止パッケージ（クワッド・フラット・パッケー
ジ。以下、ＱＦＰという。）は、絶縁性を有する樹脂が
用いられて四角形の平盤形状に形成された樹脂封止体
と、樹脂封止体の４枚の側面からそれぞれ一列に揃えら
れて突出されガル・ウイング形状に屈曲された複数本の
アウタリードとを備えている。樹脂封止体の内部には、
半導体ペレット（以下、ペレットという。）と、ペレッ
トがボンディングされているタブと、ペレットの各ボン
ディングパッドにボンディングワイヤを介して電気的に
接続されている複数本のインナリードとが樹脂封止され
ており、各インナリードは各アウタリードにそれぞれ一
体的に連設されている。また、アウタリード群は樹脂封
止体の４辺から水平面内で直角にそれぞれ突出されてガ
ル・ウイング形状に屈曲されているとともに、樹脂封止
体の下側主面の高さ位置に略揃えられている。
【００１０】しかしながら、このＱＦＰ・ＩＣにおいて
は、前述した従来技術のようにタブに小孔やスリットを
開設しただけでは、樹脂封止体に湿気が吸収された状況
において水蒸気爆発が引き起こされると、樹脂封止体に
おけるクラックの発生を防止することができない場合が
あるという問題点があることが、本発明者によって明ら
かにされた。
【００１１】本発明の目的は、樹脂封止体におけるクラ
ックの発生を確実に防止することができる半導体装置を
提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【００１４】すなわち、樹脂封止パッケージを備えてい
る半導体装置において、タブに空所部が形成されてお
り、この空所部の内周の一部にはタブと一体の舌片がタ
ブの厚さ内に突設されているとともに、この舌片の少な
くとも一部には薄肉部が半導体ペレット側に充填空間部
を構成するように形成されており、この空所部内に樹脂
封止体の樹脂が充填されていることを特徴とする。
【００１５】
【作用】前記した手段によれば、熱ストレスによる繰り
返し応力によってタブ下面と樹脂封止体の樹脂との界
面、または、タブとペレットとの界面に対してこれらを
剥離させようとする力が作用したとしても、空所部の内
部に充填されている樹脂封止体の樹脂と、薄肉部を有す
る舌片を包囲している樹脂封止体の樹脂とが投錨効果を
発揮することにより、その剥離力に対して充分に抗する
ことができるため、剥離は確実に防止される。そして、
剥離が発生しない場合には、樹脂封止体の内部において
タブの裏面における外縁付近に応力が集中したとして
も、そこを起点とするクラックは発生しない。
【００１６】また、タブに空所部が開設されていること
により、タブの横断面積は空所部によって複数個のブロ
ックに分割されているため、各ブロックの横断面積は減
少されることになる。その結果、タブの熱膨張による伸
び量が縮小されることになり、タブの外側縁辺において
タブと樹脂封止体の樹脂との熱膨張差によって発生する
集中応力の大きさ自体が小さく抑制されることになる。
万一、剥離が発生したとしても、樹脂封止体の内部にお
ける応力集中箇所を起点とするクラックの発生は防止さ
れることになる。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるＱＦＰ・ＩＣ
を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は一部切断
底面図である。図２以降はその製造方法における各工程
を示す各説明図である。
【００１８】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、表面実装形樹脂封止パッケージの一例であるＱＦ
Ｐ３７を備えている半導体集積回路装置（ＱＦＰ・Ｉ
Ｃ）として構成されている。このＱＦＰ・ＩＣ３８のＱ
ＦＰ３７は、絶縁性を有する樹脂が用いられて略正方形
の平盤形状に形成された樹脂封止体３５と、樹脂封止体
３５の４枚の側面からそれぞれ一列に揃えられて突出さ
れガル・ウイング形状に屈曲された複数本のアウタリー
ド２０とを備えている。樹脂封止体３５の内部には、半
導体素子を含む集積回路が作り込まれたペレット３２
と、ペレット３２がボンディングされているタブ１８
と、ペレット３２の電極としての各ボンディングパッド
３２ａにボンディングワイヤ３３を介して電気的に接続
されている複数本のインナリード１９とが樹脂封止され
ており、各インナリード１９は各アウタリード２０にそ
れぞれ一体的に連設されている。また、アウタリード２
０群は樹脂封止体３５の４辺から水平面内で直角にそれ
ぞれ突出されてガル・ウイング形状に屈曲されていると
ともに、樹脂封止体３５の下側主面の高さ位置に略揃え
られている。
【００１９】本実施例において、タブ１８には空所部と
しての４個の長円孔２１が中央部に十字形に配されてそ
れぞれ開設されている。各長円孔２１の内周には略Ｔ字
形状に形成された舌片２２が４個ずつ十字形状に配され
てタブ１８の厚さ内に内向きにタブ１８とそれぞれ一体
的に突設されているとともに、各舌片２２の先端部であ
るＴ字形の横条片部には薄肉部２３がペレット３２側に
空間部２４を構成するように形成されている。そして、
各長円孔２１の中空部内には樹脂封止体３５の樹脂がそ
れぞれ充填された状態になっており、各舌片２２の薄肉
部２３はこの長円孔２１の中空部内に充填された樹脂の
内部に投錨された状態になっている。
【００２０】以下、本発明の一実施例であるＱＦＰ・Ｉ
Ｃの製造方法を説明する。この説明によって、前記ＱＦ
Ｐ・ＩＣの構成の詳細が共に明らかにされる。
【００２１】本実施例において、ＱＦＰ・ＩＣの製造方
法には、図２に示されている多連リードフレーム１１が
使用されており、この多連リードフレーム１１は多連リ
ードフレーム成形工程によって製作されて準備されてい
る。この多連リードフレーム１１は、鉄−ニッケル合金
や燐青銅等のような比較的大きい機械的強度を有するば
ね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加工
またはエッチング加工等のような適当な手段により一体
成形されている。多連リードフレーム１１の表面には銀
（Ａｇ）等を用いためっき処理が、後述するワイヤボン
ディングが適正に実施されるように部分的または全体的
に施されている（図示せず）。この多連リードフレーム
１１には複数の単位リードフレーム１２が横方向に１列
に並設されている。但し、説明および図示は一単位につ
いて行われる。
【００２２】単位リードフレーム１２は位置決め孔１３
ａが開設されている外枠１３を一対備えており、両外枠
１３は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそ
れぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレーム１
２、１２間には一対のセクション枠１４が両外枠１３、
１３間に互いに平行に配されて一体的に架設されてお
り、これら外枠、セクション枠により形成される略正方
形の枠体（フレーム）内に単位リードフレーム１２が構
成されている。
【００２３】各単位リードフレーム１２において、外枠
１３およびセクション枠１４の接続部にはダム吊り部材
１５が略直角方向にそれぞれ配されて一体的に突設され
ており、ダム吊り部材１５には４本のダム部材１６が略
正方形の枠形状になるように配されて、一体的に吊持さ
れている。
【００２４】セクション枠１４側の各ダム部材１６には
タブ吊りリード１７がそれぞれの一端に配されて、略４
５度方向に対向して一体的に突設されており、各タブ吊
りリード１７の先端には略正方形の平板形状に形成され
たタブ１８が、ダム部材１６群の枠形状と略同心的に配
されて、これらタブ吊りリード１７により吊持されるよ
うに一体的に連設されている。各タブ吊りリード１７は
タブ１８付近においてそれぞれ屈曲されており、このタ
ブ吊りリード１７の屈曲によって、タブ１８は後記する
リード群の面よりも、後記するペレットの厚さ分程度下
げられている（所謂タブ下げ。）。
【００２５】また、各ダム部材１６の内側辺にはインナ
リード１９が複数本、長手方向に等間隔に配されて互い
に平行でダム部材１６と直交するように一体的に突設さ
れており、各ダム部材１６における各インナリード１９
の先端部はタブ１８の外周に近接した状態で略一直線に
揃うように敷設されている。他方、各ダム部材１６の外
側辺にはアウタリード２０が複数本、各インナリード１
９に一連に連続するように一体的に突設されており、各
ダム部材１６における各アウタリード２０の先端部は外
枠１３およびセクション枠１４にそれぞれ接続されてい
る。各ダム部材１６における隣り合うアウタリード２
０、２０間の部分は、後述する樹脂封止体成形時にレジ
ンの流れをせき止めるダム１６ａを実質的に構成してい
る。
【００２６】本実施例において、タブ１８には空所部と
しての透孔の一例である長円孔２１が４個、タブ１８の
前後方向の中心線上および左右方向の中心線上において
タブ１８の周辺位置にそれぞれ配されて形成されてお
り、各長円孔２１は中心線上に沿って長く延在するよう
にそれぞれ配置されている。したがって、４個の長円孔
２１は互いに一方の短辺側を対向されて十字形状に開設
された状態になっている。
【００２７】各長円孔２１の内周には略Ｔ字形状の舌片
２２が４個、タブ１８の厚さ内に直角方向内向きに一体
的に突設されているとともに、各舌片２２の先端部には
薄肉部２３がタブ１８のペレット側を向く主面側（以
下、上面側とする。）に空間部２４を構成するように形
成されている（図３参照）。４個の舌片２２は長円孔２
１の前後左右の中心線上にそれぞれ配置されているとと
もに、その略Ｔ字形状の横条片部が内側にそれぞれ配置
されている。タブ１８に一体成形された舌片２２の厚さ
はタブ１８の厚さと等しくなっており、舌片２２の略Ｔ
字形の縦条片部の幅はタブ１８との連結強度を確保した
範囲内で可及的に狭くなるように設定されている。した
がって、舌片２２の縦条片部によってタブ１８との連結
部２５が構成されている。薄肉部２３は略Ｔ字形状の横
条片部に可及的に整合するように形成されており、薄肉
部２３の厚さはタブ１８の厚さの約１／２に設定されて
いる。したがって、薄肉部２３の厚さと空間部２４の高
さとは略等しくなるように設定されている。また、薄肉
部２３の平面視の形状は長円形に形成されており、薄肉
部２３の平面視の大きさは後述する樹脂の長円孔２１の
中空部内への充填を確保し得る範囲内で、また、隣合う
もの同士が干渉しない範囲内で可及的に大きくなるよう
に設定されている。
【００２８】以上のように構成された薄肉部２３は図３
に示されているようにプレス加工によって製作される。
図３（ａ）および（ｂ）に示されている薄肉部のプレス
加工方法の実施例１においては、多連リードフレーム１
の打ち抜き成形に際して、長円孔２１の内部に一体的に
突設される舌片２２が予め略Ｔ字形状に打ち抜き成形さ
れ、この略Ｔ字形状の舌片２２の横条片部が上型２６に
よって下型２７に押し付けられて押し潰されることによ
り、長円形の薄肉部２３が形成される。この実施例１に
おいては、舌片２２が予め略Ｔ字形状に形成されている
ため、薄肉部２３は予め想定された長円形に正確に形成
されることになる。また、長円孔２１の中空部内に突出
した状態の舌片２２が押し潰されることによって塑性加
工において発生する応力が外側空間に逃がされるため、
タブ１８にその応力が残留するのを防止することがで
き、その結果、多連リードフレームが加熱された際に、
タブ１８が残留応力によって変形されてしまうのを未然
に回避することができる。
【００２９】図３（ｃ）および（ｄ）に示されている薄
肉部のプレス加工方法の実施例２においては、舌片２２
は細長い棒形状に打ち抜き成形され、この棒形状の舌片
２２の先端部が上型２６によって下型２７に押し付けら
れて部分的に押し潰されることにより、薄肉部２３が形
成される。この実施例２においては、舌片２２が予め略
Ｔ字形状に形成されていないため、薄肉部２３の平面視
の形状にばらつきが発生する場合がある。しかし、タブ
１８にプレス加工時の応力が残留するのは防止すること
ができる。
【００３０】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム１１には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。これらボンディング作業に際して、多連リ
ードフレームは加熱されるが、タブ１８にはプレス加工
時の応力が残留していないため、タブ１８が熱によって
反ったり変形されたりすることはない。また、長円孔２
１内に突設された舌片２２はタブ１８の厚さ内に収まっ
ているため、多連リードフレーム１１の送りを妨害する
ことはない。
【００３１】まず、ペレット・ボンディング作業によ
り、ＩＣの製造工程における所謂前工程において半導体
素子を含む集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造
物としてのペレット３２が、図４および図５に示されて
いるように、各単位リードフレーム１２におけるタブ１
８上の略中央部に配されて、タブ１８とペレット３２と
の間に形成されたボンディング層３１によって機械的に
固着されることによりボンディングされる。ペレットボ
ンディング層３１の形成手段としては、銀ペースト接着
層によるボンディング法を用いることが可能である。こ
の場合、銀ペーストはタブ１８の上面に各長円孔２１を
避けた領域に塗布される。
【００３２】続いて、ワイヤボンディング作業により、
図４および図５に示されているように、タブ１８上にボ
ンディングされたペレット３２の電極としてのボンディ
ングパッド３２ａと、各単位リードフレーム１２におけ
るインナリード１９との間に、ボンディングワイヤ３３
が超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のワイヤボ
ンディング装置（図示せず）が使用されることにより、
その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。
これにより、ペレット３２に作り込まれている集積回路
は、ボンディングパッド３２ａ、ボンディングワイヤ３
３、インナリード１９およびアウタリード２０を介して
電気的に外部に引き出されることになる。
【００３３】以上のようにしてペレットおよびワイヤ・
ボンディングされた組立体３４には各単位リードフレー
ム毎に樹脂封止体が、図６に示されているトランスファ
成形装置４０が使用されて、各単位リードフレームにつ
いて同時成形される。
【００３４】図６に示されているトランスファ成形装置
４０はシリンダ装置（図示せず）によって互いに型締め
される一対の上型４１と下型４２とを備えており、上型
４１と下型４２との合わせ面には上型キャビティー凹部
４３ａと下型キャビティー凹部４３ｂとが互いに協働し
てキャビティー４３を形成するようにそれぞれ複数組没
設されている。前記構成に係る組立体３４が用いられて
樹脂封止体３５がトランスファ成形される場合には、上
型４１および下型４２における各キャビティー４３は各
単位リードフレーム１２における４本のダム部材１６に
よって取り囲まれた空間にそれぞれ対応される。
【００３５】上型４１の合わせ面にはポット４４が開設
されており、ポット４４にはシリンダ装置（図示せず）
により進退されるプランジャ４５が成形材料としての樹
脂（以下、レジンという。）を送給し得るように挿入さ
れている。下型４２の合わせ面にはカル４６がポット４
４との対向位置に配されて没設されているとともに、複
数条のランナ４７がカル４６にそれぞれ接続するように
放射状に配されて没設されている。各ランナ４７の他端
部は下側キャビティー凹部４３ｂにそれぞれ接続されて
おり、その接続部にはゲート４８がレジンをキャビティ
ー４３内に注入し得るように形成されている。また、下
型４２の合わせ面には逃げ凹所４９がリードフレームの
厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム１１の外形
よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法
の一定深さに没設されている。
【００３６】トランスファ成形に際して、前記構成に係
る組立体３４は多連リードフレーム１１が下型４２に没
設されている逃げ凹所４９内に収容され、各単位リード
フレーム１２におけるペレット３２が各キャビティー４
３内にそれぞれ収容されるように配されてセットされ
る。
【００３７】続いて、上型４１と下型４２とが型締めさ
れ、ポット４４からプランジャ４５によりレジン５０が
ランナ４７およびゲート４８を通じて各キャビティー４
３に送給されて圧入される。キャビティー４３に圧入さ
れたレジン５０はキャビティー４３に隙間なく充填され
るため、レジン５０はタブ１８に開設された各長円孔２
１の内部にも隙間なく充填される。
【００３８】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止体
３５が成形されると、上型４１および下型４２は型開き
されるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）により
樹脂封止体３５群が離型される。このようにして、図７
および図８に示されているように、樹脂封止体３５群が
成形された組立体３６はトランスファ成形装置４０から
脱装される。
【００３９】以上のようにして樹脂成形された樹脂封止
体３５の内部には、タブ１８、ペレット３２、インナリ
ード１９およびワイヤ３３が樹脂封止されることにな
る。そして、各長円孔２１の中空部内には樹脂封止体３
５の樹脂がそれぞれ充填された状態になっており、各舌
片２２の薄肉部２３はこの長円孔２１の中空部内に充填
された樹脂の内部に投錨された状態になっている。
【００４０】樹脂封止体を成形された半完成品としての
組立体３６は、リード切断成形工程（図示せず）におい
て、外枠１３、セクション枠１４およびダム１６ａを各
単位リードフレーム１２毎に切り落とされるとともに、
アウタリード２０群をガル・ウイング形状に屈曲され
る。この結果、絶縁性を有する樹脂が用いられて略正方
形の平盤形状に形成された樹脂封止体３５の４枚の側面
から複数本のアウタリード２０がそれぞれ一列に揃えら
れて突出されてガル・ウイング形状に屈曲されたＱＦＰ
３７が形成されたことになる。
【００４１】以上のようにして製造された樹脂封止形Ｑ
ＦＰ・ＩＣ３８は図９に示されているようにプリント配
線基板に実装される。すなわち、プリント配線基板５１
にはランド５２が複数個、実装対象物となるＱＦＰ・Ｉ
Ｃ３８における各アウタリード２０にそれぞれ対応する
ように配されて、はんだ材料を用いられて略長方形の薄
板形状に形成されており、各ランド５２にＱＦＰ・ＩＣ
３８の各アウタリード２０がそれぞれ整合されて当接さ
れているとともに、各アウタリード２０とランド５２と
がリフローはんだ処理により形成されたはんだ盛り層
（図示せず）によって電気的かつ機械的に接続されてい
る。
【００４２】次に作用を説明する。前述したように製造
されたＱＦＰ・ＩＣは出荷前に抜き取り検査を実施され
る。抜き取り検査としては温度サイクル試験や熱衝撃試
験を含む環境試験が実施される。前述した通りＱＦＰ・
ＩＣがプリント配線基板に実装される際には、はんだデ
ィップ処理やリフローはんだ処理によってＱＦＰ・ＩＣ
は加熱される。このような環境試験または実装に際し
て、熱ストレスが前記構成に係るＱＦＰ・ＩＣに加わっ
た場合には、構成材料の熱膨張係数差により樹脂封止体
の内部に応力が発生する。
【００４３】ところで、タブの外周縁が鋭い直角に形成
されている場合、樹脂封止体の内部応力はタブの裏面に
おける外縁付近に集中する。但し、樹脂封止体のクラッ
クはこの程度の応力集中では発生しない。しかし、度重
なる熱ストレスによる繰り返し応力により、タブ下面と
樹脂封止体の樹脂との界面や、タブとペレットとの界面
に剥離が発生すると、タブ裏面における外縁付近の応力
集中箇所に過大な応力が作用するため、そこを起点にし
てクラックが発生する。
【００４４】さらに、樹脂封止体の完成後の保管過程に
おいて樹脂封止体の内部に吸湿された湿気が、タブ下面
と樹脂封止体との間に剥離によって発生した隙間に万一
侵入すると、ＱＦＰ・ＩＣが加熱された際に、加熱によ
ってその湿気が膨張することによって所謂水蒸気爆発が
発生するため、一層過大な応力が発生される。このた
め、タブ裏面における外縁付近の応力集中箇所を起点と
するクラックは、より一層発生され易くなるという問題
点がある。
【００４５】この解析と同様な研究が、財団法人日本科
学技術連盟１９８４年５月２９日発行「第１４回信頼性
シンポジウム発表報文集」 Ｐ４０４〜Ｐ４０６、に発
表されている。
【００４６】そして、４２アロイから成るリードフレー
ムが使用されている場合には、タブ下面と樹脂封止体の
樹脂との界面における剥離が発生した時にタブ下端部の
応力は大幅に増加するため、樹脂封止体にクラックが発
生する。また、銅から成るリードフレームが使用されて
いる場合には、ペレットとタブとの界面における剥離が
発生した時にタブ下端部の応力は大幅に増加するため、
樹脂封止体にクラックが発生する。特に、熱膨張係数が
樹脂封止体に使用されている樹脂と略同一の銅からなる
リードフレームが使用されている場合であっても、ペレ
ットとタブとの界面における剥離が発生すると、タブ側
面に接する樹脂封止体の樹脂部分が開口するため、過大
な応力が作用してクラックが発生する。
【００４７】そして、ＱＦＰ・ＩＣ３８においてこのよ
うなクラックが発生すると、樹脂封止体３５が薄く形成
されているため、クラックが樹脂封止体３５の表面に達
し易い。そして、表面に達したクラックの開口から樹脂
封止体３５内部へ湿気が侵入するため、ＱＦＰ・ＩＣ３
８の耐湿性が急激に低下することになる。
【００４８】しかし、本実施例においては、タブ１８に
４個の長円孔２１が中央部に十字形に開設され、各長円
孔２１の中空部内に薄肉部２３を有する舌片２２がそれ
ぞれ４個ずつ突設されているため、ＱＦＰ・ＩＣ３８の
樹脂封止体３５にクラックが発生することはない。
【００４９】すなわち、前述したような熱ストレスによ
る繰り返し応力により、タブ１８の下面と樹脂封止体３
５の樹脂との界面、または、タブ１８とペレット３２と
の界面に対してこれを剥離させようとする力が作用した
としても、各長円孔２１の中空部内に充填されている樹
脂封止体３５の樹脂、および、各長円孔２１の中空部に
充填された樹脂の内部にそれぞれ埋め込まれた状態にな
っている各舌片２２が投錨効果を発揮するため、その剥
離力に対して充分に抗することができる。このとき、各
舌片２２はＴ字形状に形成されているとともに、Ｔ字形
状の横条片部がプレス加工によって押し潰されて薄肉部
２３を形成されているため、連結部２５の全周において
投錨された状態になっており、その投錨効果はきわめて
高くなっている。これらの投錨効果によって、タブ１８
の下面と樹脂封止体３５の樹脂との界面、および、タブ
１８とペレット３２との界面における剥離は確実に防止
される。そして、剥離が発生しない場合には、タブ１８
の裏面における外縁付近に応力が集中したとしても、そ
こを起点とするクラックが発生しないのは前述した通り
である。
【００５０】また、タブ１８に４個の長円孔２１が十字
形状に配されて開設されていることにより、タブ１８の
横断面積が４つのブロックに分割されて各ブロック毎に
横断面積が減少されているため、タブ１８の熱膨張によ
る伸び量がその分だけ縮小された状態になっている。そ
の結果、タブ１８の外側縁辺においてタブ１８と樹脂封
止体３５の樹脂との熱膨張差によって発生する集中応力
の大きさ自体が小さく抑制されるため、万一、樹脂封止
体３５の内部において前述したような剥離が発生したと
しても、タブ１８の裏面における外縁の応力集中箇所を
起点とするクラックの発生は防止されることになる。
【００５１】以上のようにして、本実施例においては、
薄肉部２３を有するＴ字形状の舌片２２の投錨効果と、
長円孔２１の横断面積の分割効果とによって剥離の発生
が確実に防止されているため、樹脂封止体３５の温度上
昇に伴って引き起こされる所謂水蒸気爆発による樹脂封
止体３５のクラックをも防止することができる。すなわ
ち、樹脂封止体３５に吸湿された湿気がタブ１８下面と
樹脂封止体３５の樹脂との界面に形成された隙間に溜ま
り、この溜まった湿気が加熱時における樹脂封止体３５
の温度上昇に伴って所謂水蒸気爆発を引起すことにな
る。しかし、本実施例においては、剥離による隙間が発
生しないのであるから、樹脂封止体３５に吸湿された湿
気が隙間に溜まる現象は発生しない。つまり、水蒸気爆
発が樹脂封止体３５の内部で発生する現象を未然に回避
することができるため、それによるクラックの発生は防
止されることになる。
【００５２】前記実施例によれば次の効果が得られる。 （１） タブに長円孔を形成するとともに、長円孔に薄
肉部を有する舌片を突設することにより、熱ストレスに
伴って発生する応力によってタブと樹脂封止体の樹脂と
が剥離されるのを防止することができるため、タブの外
周縁を起点とする樹脂封止体におけるクラックの発生を
防止することができる。
【００５３】（２） タブと樹脂封止体の樹脂との剥離
を防止することにより、樹脂封止体に吸湿された湿気が
剥離による隙間に溜まるのを未然に防止することができ
るため、種々の加熱時における樹脂封止体の温度上昇に
伴って引き起こされる所謂水蒸気爆発を未然に回避する
ことができ、その結果、水蒸気爆発による樹脂封止体の
クラックをも防止することができる。
【００５４】（３） 前記（１）および（２）により、
樹脂封止体におけるクラックの発生を確実に防止するこ
とができるので、ＱＦＰをさらに薄形で、かつ小形化さ
せることができ、ＱＦＰ・ＩＣの集積密度および実装密
度をさらに一層高めることができる。
【００５５】（４） 舌片はタブの厚さ内に収まるた
め、樹脂封止体の厚さが増加するのを回避することがで
き、ＱＦＰ・ＩＣの厚さの増加を防止することができ
る。
【００５６】（５） 薄肉部によって舌片を平面視Ｔ字
形状に形成することにより、舌片が連結部の全周におい
て投錨効果を発揮する状態になるため、舌片はタブが樹
脂封止体の樹脂から剥離するのをより一層確実に防止す
ることができる。
【００５７】（６） 長円孔および舌片は多連リードフ
レームの成形時にタブと同時に成形することができ、ま
た、舌片の薄肉部はプレス加工によって一体成形するこ
とができるため、生産性の低下を抑制することができ
る。
【００５８】図１０は長円孔に突設された舌片の配置の
変形例をそれぞれ示す長円孔部分の各平面図である。
【００５９】（ａ）に示されている例においては、３個
の舌片２２が長円孔２１の両直線内周面における中央部
と、一方の半円形内周面における中央部とにそれぞれ配
置されている。ここで、タブ１８の外側が熱膨張による
伸び量が大きくなるため、半円形内周面側の舌片２２は
熱膨張による応力が大きくなるタブ１８の外周側に位置
する半円形内周面に配置されている。
【００６０】（ｂ）に示されている例においては、２個
の舌片２２が長円孔２１の両直線内周面における中央部
にそれぞれ配置されている。
【００６１】（ｃ）に示されている例においては、２個
の舌片２２が長円孔２１の両方の半円形内周面における
中央部にそれぞれ配置されている。
【００６２】（ｄ）に示されている例においては、１個
の舌片２２が長円孔２１の一方の半円形内周面における
中央部に配置されている。ここで、タブ１８の外側が熱
膨張による伸び量が大きくなるため、舌片２２は熱膨張
による応力が大きくなるタブ１８の外周側に位置する半
円形内周面に配置されている。
【００６３】図１１は空所部の配置の変形例を示すタブ
の各平面図である。
【００６４】（ａ）に示されている例においては、空所
部としての長円孔２１が４個、タブ１８の中央部に十字
形状に配置されているとともに、空所部としての切欠部
２８が合計８個、タブ１８の四辺における１／４の分割
線上にそれぞれ配置されている。切欠部２８はタブ１８
の外周側が開口した長方形に切り欠かれており、その開
口に対向する内周側面に略Ｔ字形状の舌片２２が突設さ
れている。切欠部２８に突設された舌片２２は長円孔２
１に突設された前記舌片２２と同様に構成されている。
【００６５】（ｂ）に示されている例においては、正方
形の枠形状に形成されたタブ１８Ａの外周面および内周
面に舌片２２がそれぞれ突設されている。ここで、空所
部はタブ１８Ａの枠形状の枠内径孔２９自体によって構
成されている。薄肉部２３を有する舌片２２はこの枠内
径孔２９の前後左右の中心線上にそれぞれ配置されて、
径方向内向きに突設されている。また、タブ１８Ａの外
周には空所部としての切欠部２８がタブ１８Ａの外周側
が開口した長方形に切り欠かれており、その開口に対向
する内周側面に略Ｔ字形状の舌片２２が突設されてい
る。
【００６６】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００６７】例えば、空所部としての透孔の形状は、長
円や正方形に限らず、長方形や多角形、楕円形、曲線あ
るいは直線と曲線の組合せ等であってもよく、特に、そ
の形状は問わない。
【００６８】舌片はＴ字形状に形成するに限らず、薄肉
部が円形や楕円形になった平面視において拡大部を有す
る形状に形成してもよいし、平面視が先方広がりの三角
形形状や銀杏形形状等に形成してもよい。
【００６９】また、舌片の薄肉部はプレス加工によって
形成するに限らず、エッチング加工によって形成するこ
とができる。
【００７０】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＱＦＰ
・ＩＣに適用した場合について主に説明したが、それに
限定されるものではなく、樹脂封止パッケージを備えて
いる半導体装置全般に適用することができる。特に、本
発明は、厚さが薄い表面実装形樹脂封止パッケージを備
えている半導体装置の製造技術に利用して優れた効果が
得られる。
【００７１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【００７２】タブに空所部を形成するとともに、その空
所部に薄肉部付きの舌片を突設することにより樹脂封止
体にタブのコーナーを起点とするクラックが発生するの
を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるＱＦＰ・ＩＣを示す図
であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は一部切断底面図
である。
【図２】そのＱＦＰ・ＩＣの製造方法に使用される多連
リードフレームを示す一部省略平面図である。
【図３】薄肉部の成形方法の実施例を示しており、
（ａ）および（ｂ）は実施例１を示す各斜視図、（ｃ）
および（ｄ）は実施例２を示す斜視図である。
【図４】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示す一部省略平面図である。
【図５】（ａ）は図４のＶ−Ｖ線に沿う正面断面図、
（ｂ）は（ａ）のｂ部の拡大部分図である。
【図６】樹脂封止体の成形工程を示す一部省略縦断面図
である。
【図７】樹脂封止体成形後の組立体を示す一部切断平面
図である。
【図８】（ａ）は同じく縦断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ
部の拡大部分図である。
【図９】ＱＦＰ・ＩＣの実装状態を示す斜視図である。
【図１０】長円孔に突設された舌片の配置の変形例を示
しており、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各長円孔
の平面図である。
【図１１】空所部の配置の変形例を示しており、
（ａ）、（ｂ）は各タブの平面図である。
【符号の説明】 １１…多連リードフレーム、１２…単位リードフレー
ム、１３…外枠、１４…セクション枠、１５…ダム吊り
部材、１６…ダム部材、１６ａ…ダム、１７…タブ吊り
リード、１８…タブ、１８Ａ…タブ、１９…インナリー
ド、２０…アウタリード、２１…長円孔（空所部）、２
２…舌片、２３…薄肉部、２４…空間部、２５…連結
部、２６…上型、２７…下型、２８…切欠部（空所
部）、２９…枠内径孔（空所部）、３１…ボンディング
層、３２…ペレット、３２ａ…ボンディングパッド（電
極）、３３…ワイヤ、３４…組立体、３５…樹脂封止
体、３６…樹脂封止体成形後の組立体、３７…ＱＦＰ
（表面実装形樹脂封止パッケージ）、３８…ＱＦＰ・Ｉ
Ｃ（表面実装形樹脂封止パッケージを備えている半導体
装置）、４０…トランスファ成形装置、４１…上型、４
２…下型、４３…キャビティー、４３ａ…上型キャビテ
ィー凹部、４３ｂ…下型キャビティー凹部、４４…ポッ
ト、４５…プランジャ、４６…カル、４７…ランナ、４
８…ゲート、４９…逃げ凹所、５０…レジン、５１…プ
リント配線基板、５２…ランド。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
    ンディングされているタブと、半導体ペレットの各電極
    に電気的に接続されている複数本のインナリードと、各
    インナリードにそれぞれ一連に連設されている複数本の
    アウタリードと、半導体ペレット、タブおよびインナリ
    ード群を樹脂封止する樹脂封止体とを備えている半導体
    装置において、 前記タブに空所部が形成されており、この空所部の内周
    の一部にはタブと一体の舌片がタブの厚さ内に突設され
    ているとともに、この舌片の少なくとも一部には薄肉部
    が前記半導体ペレット側に充填空間部を構成するように
    形成されており、前記空所部内に前記樹脂封止体の樹脂
    が充填されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記舌片の前記薄肉部はプレス加工によ
    って形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導
    体装置。
  3. 【請求項３】 前記薄肉部を有する舌片が略Ｔ字形状に
    形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導
    体装置。
  4. 【請求項４】 前記略Ｔ字形状の舌片は、予め略Ｔ字形
    状に成形されてその横条片部が押し潰されて薄肉部を形
    成されたことを特徴とする請求項３に記載の半導体装
    置。
  5. 【請求項５】 前記空所部が前記タブの内形内に開設さ
    れた透孔によって構成されているとともに、この透孔が
    複数個前記タブの前後左右の中心線上に十字形にそれぞ
    れ配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半
    導体装置。
  6. 【請求項６】 前記空所部が前記タブの外周に形成され
    た切欠部によって構成されていることを特徴とする請求
    項１に記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
    ンディングされているタブと、半導体ペレットの各電極
    に電気的に接続されている複数本のインナリードと、各
    インナリードにそれぞれ一連に連設されている複数本の
    アウタリードと、半導体ペレット、タブおよびインナリ
    ード群を樹脂封止する樹脂封止体とを備えている半導体
    装置の製造方法において、 前記タブに空所部が形成されており、この空所部の内周
    の一部にはタブと一体の舌片がタブの厚さ内に突設され
    ているとともに、この舌片の少なくとも一部には薄肉部
    が前記半導体ペレット側に充填空間部を構成するように
    形成されているリードフレームを製作するリードフレー
    ム成形工程と、 このリードフレームにおける前記タブに前記半導体ペレ
    ットがボンディングされるペレットボンディング工程
    と、 この半導体ペレットの各電極と、前記リードフレームの
    各インナリードとがそれぞれ電気的に接続される接続工
    程と、 この組立体が成形型に、前記タブがキャビティー内に配
    置されて収容され、キャビティー内に樹脂が注入される
    ことにより、前記半導体ペレット、タブおよびインナリ
    ード群を樹脂封止する樹脂封止体が成形されるととも
    に、前記空所部内に樹脂封止体の樹脂が充填される樹脂
    封止体成形工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 半導体ペレットがボンディングされるタ
    ブと、タブにボンディングされる半導体ペレットの各電
    極に電気的に接続されるインナリードと、各インナリー
    ドにそれぞれ一連に連設されている複数本のアウタリー
    ドと、アウタリード群を支持するフレームとを備えてい
    るリードフレームにおいて、 前記タブに空所部が形成されており、この空所部の内周
    の一部にはタブと一体の舌片がタブの厚さ内に突設され
    ているとともに、この舌片の少なくとも一部には薄肉部
    が前記半導体ペレット側に充填空間部を構成するように
    形成されていることを特徴とするリードフレーム。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1024532A3 (en) * 1999-01-28 2001-04-18 Fujitsu Limited Semiconductor device and method of producing the same
EP1073116A3 (en) * 1999-07-09 2002-03-27 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Lead frame and semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1024532A3 (en) * 1999-01-28 2001-04-18 Fujitsu Limited Semiconductor device and method of producing the same
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