KR19990053262A

KR19990053262A - 반도체 패키지의 제조방법

Info

Publication number: KR19990053262A
Application number: KR1019970072868A
Authority: KR
Inventors: 김선동
Original assignee: 구본준; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1997-12-24
Filing date: 1997-12-24
Publication date: 1999-07-15
Also published as: KR100253388B1

Abstract

본 발명은 반도체 패키지의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 리드프레임 스트립이 단열(單列)형 금형에 몰딩되므로, 한번의 몰딩공정으로는 단열의 패키지 스트립만을 생산하게 되어 생산성이 제한되는 것은 물론, 상기 칩과 리드프레임의 양측면이 금형의 상, 하면에 밀착되지 못하여 리드프레임의 저면에 플레쉬가 발생되며, 봉지부가 칩을 완전히 밀봉하게 되어 패키지가 두꺼워지게 되는 문제점이 있었던 바, 본 발명에서는 반도체 칩과 와이어를 에폭시로 보호하도록 몰딩하는 단계에서 그 몰딩하는 금형의 사이에 이연성 분리대를 대고, 그 이연성 분리대의 양측면에 각각 리드프레임 스트립을 밀착시킨 후에 에폭시를 주입하여 패키지 스트립을 형성함으로써, 한번의 몰딩작업으로 두 개의 패키지 스트립을 형성할 수 있어 생산성이 현저하게 향상되는 것은 물론, 리드프레임과 칩의 양측 배면이 상, 하로 눌리면서 몰딩되므로 리드프레임의 배면에 플레쉬가 발생되지 않으며, 상기 칩의 배면이 몰딩되지 않고 노출되므로 패키지의 경박단소화가 실현될 수 있다.

Description

반도체 패키지의 제조방법

본 발명은 반도체 패키지의 제조방법에 관한 것으로, 특히 생산성은 향상되고 경박단소화에 적합한 반도체 패키지의 제조방법에 관한 것이다.

최근 들어 각종 전자제품들이 소형화 및 다기능화되어 가면서 반도체 패키지 역시 경박단소화 및 고집적화된 제품들을 요구하게 되는 바, 이러한 요구에 부흥하기 위하여 통상 비엘피 패키지라고 불리우는 버텀리드형 패키지가 제안되어 왔다.

일반적인 버텀리드형 패키지(이하, 비엘피 패키지로 통칭함)는 도 1에 도시된 바와같이, 반도체 칩(1)과, 그 반도체 칩(1)의 저면 양측에 절연접착제(2)로 부착되고 소정위치에서 절곡되어 상기 칩(1)과 평행하게 배치되는 리드프레임(3)과, 그 리드프레임(3)의 대향부위 저면과 상기 칩(1)의 패드(1a)를 전기적으로 연결시켜주는 골드 와이어(4)와, 상기 칩(1)을 외부로부터의 열적, 기계적, 화학적 충격을 보호하기 위하여 에폭시(EMC ; Epoxy Molding Compound)로 몰딩되는 봉지부(5)로 구성되어 있다.

상기 리드프레임(3)은 그 저면의 일부가 봉지부(5)로부터 노출되고, 그 노출된 리드프레임의 저면에는 인쇄회로기판(PCB)의 랜드와 접촉되는 외부단자용 도금부(이하, 전기단자와 혼용함)(3a)가 형성된다.

상기와 같은 종래의 비엘피 패키지를 제조하기 위한 방법은 도 2a 내지 도 2f에 도시된 바와 같다.

즉, 반도체 칩(1)의 저면 양측에 절연 접착제(2)로 리드프레임(3)의 일측 상면을 대향되게 부착하고, 그 각 리드프레임(3)의 대향부 저면과 반도체 칩(1)의 패드(1a)는 골드 와이어(4)로 본딩하여 전기적으로 연결시킨 후에 소정형상의 금형(6)에 얹고 에폭시로 몰딩하여 봉지부(5)를 형성하는데, 여기서 상기 금형은 도 2d에 도시된 바와 같이, 금형(6)의 캐비티 상, 하면이 각각 칩(1)의 상면 및 리드프레임(3)의 저면과 밀착되지 않도록 하여 상기 봉지부(5)가 칩(1)의 상면을 완전히 밀봉하도록 설계되어 있다.

다음, 상기의 몰딩공정이 끝난 패키지의 리드프레임(3) 노출부위에 부착된 몰드프레쉬(Mold Flash)(미도시)를 제거한 이후에 그 리드프레임(3)의 노출면에 전기도금을 실시하고, 이러한 플래팅(Plating)공정이 완료되면, 트리밍(Trimming)공정을 통해 각 패키지를 상호 연결시키고 있는 아웃리드를 절단하여 비엘피 패키지를 완성하는 것이었다.

그러나, 상기와 같은 종래 비엘피 패키지의 제조방법에 있어서는, 리드프레임(3)에 칩(1)이 접착되어 골드와이어(4)가 본딩된 리드프레임 스트립(Lead Frame Strip)(미부호)이 단열(單列)형 금형(6)에 일렬로만 얹혀져 몰딩되므로, 한번의 몰딩공정으로는 단열의 패키지만을 생산하게 되어 생산성 향상에 제약이 뒤따르게 되는 것은 물론, 상기 칩(1)과 리드프레임(3)의 양측면이 금형(6)의 상, 하면에 밀착되지 못하여 밀봉공정중에 에폭시의 일부가 리드프레임(3)의 저면으로 스며들어 밀봉 후 디플레쉬공정이 필요하게 되고, 또한 봉지부(5)가 칩(1)을 완전히 밀봉하게 되어 패키지가 두꺼워지게 되는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 반도체 패키지의 제조방법이 가지는 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 패키지의 생산성이 향상되는 것은 물론, 별도의 디플레쉬공정이 불필요하며 경박단소한 패키지를 생산할 수 있는 반도체 패키지의 제조방법을 제공하려는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래 비엘피 패키지의 일례를 보인 종단면도.

도 2a 내지 도 2f는 종래 비엘피 패키지를 제조하는 과정을 보인 종단면도.

도 3은 본 발명에 의한 비엘피 패키지의 일례를 보인 종단면도.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 의한 비엘피 패키지를 제조하는 과정을 보인 종단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 반도체 칩 2 : 접착제

3 : 리드프레임 4 : 골드와이어

10 : 에폭시 20 : 이연성 분리대

30 : 금형

이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 리드프레임 스트립에 수개의 반도체 칩을 접착시키고, 각 반도체 칩의 패드와 리드프레임을 금속와이어로 각각 본딩하는 단계와, 상기 수개의 반도체 칩을 접착함과 아울러 금속와이어가 각각 본딩된 복수개의 리드프레임 스트립이 그 사이에 개재되는 이연성(離緣性) 분리대를 중심으로 서로 대칭되도록 금형의 캐비티에 삽입하는 단계와, 상기 금형의 캐비티에 몰딩재를 주입하여 패키지 스트립을 형성하도록 몰딩하는 단계와, 상기 몰딩재가 응고된 이후에 금형을 분리하고, 이연성 분리대의 양측면으로부터 패키지 스트립을 각각 분리하는 단계와, 상기 리드프레임의 노출면에 전기도금을 실시하고, 트리밍공정을 통해 각 패키지를 상호 연결시키고 있는 아웃리드를 절단하여 단품의 패키지를 완성하는 단계로 진행함을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법이 제공된다.

이하, 본 발명에 의한 반도체 패키지의 제조방법을 첨부도면에 도시된 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다.

도 3은 본 발명에 의한 비엘피 패키지의 일례를 보인 종단면도이고, 도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 의한 비엘피 패키지를 제조하는 과정을 보인 종단면도이다.

이에 도시된 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 패키지는, 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 칩(1)과, 그 반도체 칩(1)의 저면 양측에 절연접착제(2)로 부착되고 소정위치에서 절곡되어 상기 칩(1)과 평행하게 배치되는 리드프레임(3)과, 그 리드프레임(3)의 대향부위 저면과 상기 칩(1)의 패드(1a)를 전기적으로 연결시켜주는 골드 와이어(4)와, 상기 칩(1)을 외부로부터의 열적, 기계적, 화학적 충격을 보호하기 위하여 에폭시로 몰딩되는 봉지부(10)로 구성된다.

상기 봉지부(10)의 일측은 리드프레임(3)의 저면이 노출되도록 형성되고, 타측은 반도체 칩(1)의 상면이 노출되도록 형성된다.

도면중 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하였다.

도면중 미설명 부호인 3a는 외부단자이다.

상기와 같은 본 발명의 비엘피 패키지를 제조하기 위한 방법은 도 4a 내지 도 4f에 도시된 바와 같다.

즉, 반도체 칩(1)의 저면 양측에 절연접착제(2)로 리드프레임(3)의 일측 상면을 대향되게 부착하고, 그 각 리드프레임(3)의 대향부 저면과 반도체 칩(1)의 패드(1a)는 골드 와이어(4)로 본딩하여 전기적으로 연결시킨 후에 소정형상의 금형(6)에 얹고 에폭시로 몰딩하여 봉지부(5)를 형성하는데. 여기서 상기 수개의 반도체 칩(1)을 접착함과 아울러 골드와이어(4)가 각각 본딩된 복수개의 리드프레임 스트립(미부호)을 그 사이에 개재되는 테프론 또는 폴리머와 같은 이연성(離緣性) 분리대(20)를 중심으로 서로 대칭되도록 금형(30)의 캐비티(미부호)에 삽입하고, 상기 금형(30)의 캐비티에 에폭시(10)를 주입하여 패키지 스트립(미부호)을 형성하도록 몰딩하며, 상기 에폭시가 응고된 이후에 금형(30)을 분리함과 아울러 이연성 분리대(20)의 양측면으로부터 패키지 스트립(미부호)을 각각 분리하고, 이어서 상기 리드프레임(3)의 노출면(3a)에 전기도금을 실시하며, 이러한 플래팅공정이 완료되면, 트리밍공정을 통해 각 패키지(미부호)를 상호 연결시키고 있는 아웃리드를 절단하여 단품의 비엘피 패키지를 완성하는 것이다.

이때, 상기 리드프레임 스트립(미부호)을 금형(30)의 캐비티에 삽입하는 단계에서 각 리드프레임 스트립(미부호)의 반도체 칩(1) 일측면은 금형(30)의 캐비티 상, 하면에 밀착되는 반면, 각 리드프레임 스트립(미부호)의 리드프레임(3) 일측면은 이연성 분리대(20)의 상, 하면에 밀착되도록 삽입함이 바람직하다.

이로써, 한번의 몰딩작업으로 두 개의 패키지 스트립(미부호)을 형성할 수 있으므로 생산성이 현저하게 향상되는 것은 물론, 리드프레임(3)과 칩(1)의 양측 배면이 상, 하로 눌리면서 몰딩되므로 리드프레임(3)의 배면에 플레쉬가 발생되지 않으며, 상기 칩(1)의 배면이 몰딩되지 않고 노출되므로 패키지의 경박단소화가 실현될 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 패키지의 제조방법은, 반도체칩과 와이어를 에폭시로 보호하도록 몰딩하는 단계에서 그 몰딩하는 금형의 사이에 이연성 분리대를 대고, 그 이연성 분리대의 양측면에 각각 리드프레임 스트립을 밀착시킨 후에 에폭시를 주입하여 패키지 스트립을 형성함으로써, 한번의 몰딩작업으로 두 개의 패키지 스트립을 형성할 수 있어 생산성이 현저하게 향상되는 것은 물론, 리드프레임과 칩의 양측 배면이 상, 하로 눌리면서 몰딩되므로 리드프레임의 배면에 플레쉬가 발생되지 않으며, 상기 칩의 배면이 몰딩되지 않고 노출되므로 패키지의 경박단소화가 실현될 수 있다.

Claims

리드프레임 스트립에 수개의 반도체 칩을 접착시키고, 각 반도체 칩의 패드와 리드프레임을 금속와이어로 각각 본딩하는 단계와, 상기 수개의 반도체 칩을 접착함과 아울러 금속와이어가 각각 본딩된 복수개의 리드프레임 스트립이 그 사이에 개재되는 이연성(離緣性) 분리대를 중심으로 서로 대청되도록 금형의 캐비티에 삽입하는 단계와, 상기 금형의 캐비티에 몰딩재를 주입하여 패키지 스트립을 형성하도록 몰딩하는 단계와, 상기 몰딩재가 응고된 이후에 금형을 분리하고, 이연성 분리대의 양측면으로부터 패키지 스트립을 각각 분리하는 단계와, 상기 리드프레임의 노출면에 전기도금을 실시하고, 트리밍(Trimming)공정을 통해 각 패키지를 상호 연결시키고 있는 아웃리드를 절단하여 단품의 패키지를 완성하는 단계로 진행함을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 리드프레임 스트립을 금형의 캐비티에 삽입하는 단계에서 각 리드프레임 스트립의 반도체 칩 일측면은 금형의 캐비티 상, 하면에 밀착되는 반면. 각 리드프레임 스트립의 리드프레임 일측면은 이연성 분리대의 상, 하면에 밀착되도록 삽입됨을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.