JPH0980440A - 液晶配向膜の製造方法及び液晶表示素子 - Google Patents
液晶配向膜の製造方法及び液晶表示素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ラビング処理を行わずに液晶配向能を発現さ
せることにより、静電気によるほこりの付着、ＴＦＴ素
子の回路破壊が発生せず、高い歩留まりで面内均一性に
優れた液晶配向膜を製造し、高い表示品位を持つ液晶表
示素子を提供する。 【解決手段】 光励起性を有する構造を持つ液晶配向剤
を用いて透明基板上に薄膜を形成し、直線偏光された紫
外線を照射することによって液晶配向能を発現させる。
せることにより、静電気によるほこりの付着、ＴＦＴ素
子の回路破壊が発生せず、高い歩留まりで面内均一性に
優れた液晶配向膜を製造し、高い表示品位を持つ液晶表
示素子を提供する。 【解決手段】 光励起性を有する構造を持つ液晶配向剤
を用いて透明基板上に薄膜を形成し、直線偏光された紫
外線を照射することによって液晶配向能を発現させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶配向膜の製造
方法及び液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、ラビ
ング処理を行わずに、直線偏光された紫外線の照射によ
って液晶配向能を付与することを特徴とする液晶配向膜
の製造方法及びその液晶配向膜を有する液晶表示素子に
関する。
方法及び液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、ラビ
ング処理を行わずに、直線偏光された紫外線の照射によ
って液晶配向能を付与することを特徴とする液晶配向膜
の製造方法及びその液晶配向膜を有する液晶表示素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、正の誘電異方性を有するネマチッ
ク型液晶を、液晶配向膜を有する透明電極付き基板でサ
ンドイッチ構造にし、液晶分子の長軸が基板間で９０度
以上連続的に捻れるようにしてなるＴＮ（Twisted Nema
tic）型、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）型液晶セル
を有する液晶表示素子が知られている。
ク型液晶を、液晶配向膜を有する透明電極付き基板でサ
ンドイッチ構造にし、液晶分子の長軸が基板間で９０度
以上連続的に捻れるようにしてなるＴＮ（Twisted Nema
tic）型、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）型液晶セル
を有する液晶表示素子が知られている。
【０００３】前記、液晶セルにおける液晶を配向させる
手段には、基板表面に有機膜を形成し、次いでその有機
膜表面をレーヨンなどの布材で一方向にこすることによ
り液晶配向能を付与する（ラビング処理を施す）という
方法、基板表面に酸化珪素を斜方蒸着する方法、ラング
ミュア・ブロジェット法（ＬＢ法）を用いて長鎖アルキ
ル基を有する分子膜を形成する方法などがあるが、処理
する基板のサイズに制約があったり、処理時間や処理コ
ストの面で工業的にはラビング処理による液晶の配向が
一般的である。
手段には、基板表面に有機膜を形成し、次いでその有機
膜表面をレーヨンなどの布材で一方向にこすることによ
り液晶配向能を付与する（ラビング処理を施す）という
方法、基板表面に酸化珪素を斜方蒸着する方法、ラング
ミュア・ブロジェット法（ＬＢ法）を用いて長鎖アルキ
ル基を有する分子膜を形成する方法などがあるが、処理
する基板のサイズに制約があったり、処理時間や処理コ
ストの面で工業的にはラビング処理による液晶の配向が
一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶の
配向をラビング処理によって行うと、その工程中に静電
気が発生しやすいという問題点がある。静電気が発生す
ると、配向膜表面にほこりが付着し、表示不良が発生す
る原因となり、また、ＴＦＴ（thin film transister）
素子を有する液晶セルの場合、発生した静電気によって
ＴＦＴ素子の回路破壊が起こり、歩留まり低下の原因と
もなる。さらに、今後ますます高精彩化される液晶表示
素子においては、画素密度が高まるため、ラビング処理
の均一性が問題になる。本発明の目的は、静電気が発生
することがなく、量産性にも優れている液晶配向膜の製
造方法及び、この液晶配向膜を用いた液晶表示素子を提
供するものである。
配向をラビング処理によって行うと、その工程中に静電
気が発生しやすいという問題点がある。静電気が発生す
ると、配向膜表面にほこりが付着し、表示不良が発生す
る原因となり、また、ＴＦＴ（thin film transister）
素子を有する液晶セルの場合、発生した静電気によって
ＴＦＴ素子の回路破壊が起こり、歩留まり低下の原因と
もなる。さらに、今後ますます高精彩化される液晶表示
素子においては、画素密度が高まるため、ラビング処理
の均一性が問題になる。本発明の目的は、静電気が発生
することがなく、量産性にも優れている液晶配向膜の製
造方法及び、この液晶配向膜を用いた液晶表示素子を提
供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明における液晶配向
膜の製造方法は、透明電極付き基板上に紫外線に官能す
る有機化合物を含有する液晶配向剤を塗布、乾燥して形
成した薄膜上に、直線偏光された紫外線を照射すること
によって液晶配向能を付与する液晶配向膜の製造方法で
ある。
膜の製造方法は、透明電極付き基板上に紫外線に官能す
る有機化合物を含有する液晶配向剤を塗布、乾燥して形
成した薄膜上に、直線偏光された紫外線を照射すること
によって液晶配向能を付与する液晶配向膜の製造方法で
ある。
【０００６】さらに本発明における液晶表示素子は、前
記の液晶配向膜を有することを特徴とする。
記の液晶配向膜を有することを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。液晶配向剤 本発明の液晶配向膜を形成する液晶配向剤は、紫外線に
官能する有機化合物を含有する。ここでいう”官能”と
は、紫外線の照射を受けると、光励起反応によってエネ
ルギー準位が高まり、次いでエネルギーを放出して安定
状態に戻ることを意味する。このような有機化合物とし
ては、ベンゾフェノン構造、カルコン（ベンサールアセ
トフェノン）構造、スチルベン構造、アントラキノン構
造又はカルバゾール構造のいずれかを有する重合体を例
示することができる。好ましくは、 （１）ポリイミド （２）ポリエステル （３）ポリアミド のいずれかから選ばれる。特に、耐熱性に優れている点
からポリイミドが好ましい。
官能する有機化合物を含有する。ここでいう”官能”と
は、紫外線の照射を受けると、光励起反応によってエネ
ルギー準位が高まり、次いでエネルギーを放出して安定
状態に戻ることを意味する。このような有機化合物とし
ては、ベンゾフェノン構造、カルコン（ベンサールアセ
トフェノン）構造、スチルベン構造、アントラキノン構
造又はカルバゾール構造のいずれかを有する重合体を例
示することができる。好ましくは、 （１）ポリイミド （２）ポリエステル （３）ポリアミド のいずれかから選ばれる。特に、耐熱性に優れている点
からポリイミドが好ましい。
【０００８】前記ポリイミドは、（イ）テトラカルボン
酸二無水物と、（ロ）ジアミン化合物とを反応させ、中
間体のポリアミック酸を経て得られる。本発明において
用いられるポリイミドは、（イ）テトラカルボン酸二無
水物成分と（ロ）ジアミン成分の少なくともひとつの成
分に、ベンゾフェノン構造、カルコン（ベンサールアセ
トフェノン）構造、スチルベン構造、アントラキノン構
造又はカルバゾール構造を有する化合物が用いられる。
酸二無水物と、（ロ）ジアミン化合物とを反応させ、中
間体のポリアミック酸を経て得られる。本発明において
用いられるポリイミドは、（イ）テトラカルボン酸二無
水物成分と（ロ）ジアミン成分の少なくともひとつの成
分に、ベンゾフェノン構造、カルコン（ベンサールアセ
トフェノン）構造、スチルベン構造、アントラキノン構
造又はカルバゾール構造を有する化合物が用いられる。
【０００９】ベンゾフェノン構造を有するテトラカルボ
ン酸二無水物としては、例えば３，３’，４，４’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’−ジ
メチル−３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、２，２’５，５’−テトラメチル−
３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物等が挙げられる。カルコン構造をもつテトラカ
ルボン酸二無水物としては、例えば３，３’，４，４’
−カルコンテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。ス
チルベン構造を有するテトラカルボン酸二無水物として
は、例えば３，３’，４，４’−スチルベンテトラカル
ボン酸二無水物が挙げられる。アントラキノン構造を有
するテトラカルボン酸二無水物としては、例えば２，
３，６，７−アントラキノンテトラカルボン酸二無水物
が挙げられる。カルバゾール構造を有するテトラカルボ
ン酸二無水物としては、例えば２，３，６，７−カルバ
ゾールテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
ン酸二無水物としては、例えば３，３’，４，４’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’−ジ
メチル−３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、２，２’５，５’−テトラメチル−
３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物等が挙げられる。カルコン構造をもつテトラカ
ルボン酸二無水物としては、例えば３，３’，４，４’
−カルコンテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。ス
チルベン構造を有するテトラカルボン酸二無水物として
は、例えば３，３’，４，４’−スチルベンテトラカル
ボン酸二無水物が挙げられる。アントラキノン構造を有
するテトラカルボン酸二無水物としては、例えば２，
３，６，７−アントラキノンテトラカルボン酸二無水物
が挙げられる。カルバゾール構造を有するテトラカルボ
ン酸二無水物としては、例えば２，３，６，７−カルバ
ゾールテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
【００１０】ベンゾフェノン構造を有するジアミン化合
物としては、例えば３，３’−ジアミノベンゾフェノ
ン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジ
アミノベンゾフェノン、３，４−ジアミノベンゾフェノ
ン等が挙げられる。カルコン構造を有するジアミン化合
物としては、例えば３，３’−ジアミノカルコン、４，
４’−ジアミノカルコン、３，４’−ジアミノカルコ
ン、３，４−ジアミノカルコン等が挙げられる。スチル
ベン構造を有するジアミン化合物としては、例えば３，
３’−ジアミノスチルベン、４，４’−ジアミノスチル
ベン、４，４’−ジアミノスチルベン−２，２’−スル
フォン酸、４，４’−ビス（４−アミノ−１−ナフチル
アゾ）−２，２’−スチルベンスルフォン酸等が挙げら
れる。アントラキノン構造を有するジアミン化合物とし
ては、例えば１，２−ジアミノアントラキノン、１，４
−ジアミノアントラキノン、１，５−ジアミノアントラ
キノン、１，４−ジアミノアントラキノン−２，３−ジ
シアノ−９，１０−アントラキノン等が挙げられる。カ
ルバゾール構造を有するジアミン化合物としては、例え
ば３，６−ジアミノカルバゾール等が挙げられる。
物としては、例えば３，３’−ジアミノベンゾフェノ
ン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジ
アミノベンゾフェノン、３，４−ジアミノベンゾフェノ
ン等が挙げられる。カルコン構造を有するジアミン化合
物としては、例えば３，３’−ジアミノカルコン、４，
４’−ジアミノカルコン、３，４’−ジアミノカルコ
ン、３，４−ジアミノカルコン等が挙げられる。スチル
ベン構造を有するジアミン化合物としては、例えば３，
３’−ジアミノスチルベン、４，４’−ジアミノスチル
ベン、４，４’−ジアミノスチルベン−２，２’−スル
フォン酸、４，４’−ビス（４−アミノ−１−ナフチル
アゾ）−２，２’−スチルベンスルフォン酸等が挙げら
れる。アントラキノン構造を有するジアミン化合物とし
ては、例えば１，２−ジアミノアントラキノン、１，４
−ジアミノアントラキノン、１，５−ジアミノアントラ
キノン、１，４−ジアミノアントラキノン−２，３−ジ
シアノ−９，１０−アントラキノン等が挙げられる。カ
ルバゾール構造を有するジアミン化合物としては、例え
ば３，６−ジアミノカルバゾール等が挙げられる。
【００１１】本発明において用いられるポリイミドに
は、本発明の効果を損なわない程度に他のテトラカルボ
ン酸二無水物、ジアミン化合物を併用することができ
る。
は、本発明の効果を損なわない程度に他のテトラカルボ
ン酸二無水物、ジアミン化合物を併用することができ
る。
【００１２】他のテトラカルボン酸二無水物としては、
例えば２，３，５−トリカルボキシシクロペンチルカル
ボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸
二無水物、３，５，６−トリカルボキシノルボルナン−
２−酢酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフラ
ンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，
９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジ
オキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラ
ン−１，３−ジオン、５−（２，５−ジオキソテトラヒ
ドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，
２−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］−
オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸
二無水物等の脂肪族及び脂環族テトラカルボン酸二無水
物；
例えば２，３，５−トリカルボキシシクロペンチルカル
ボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸
二無水物、３，５，６−トリカルボキシノルボルナン−
２−酢酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフラ
ンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，
９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジ
オキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラ
ン−１，３−ジオン、５−（２，５−ジオキソテトラヒ
ドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，
２−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］−
オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸
二無水物等の脂肪族及び脂環族テトラカルボン酸二無水
物；
【００１３】ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，
４’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、
１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、３，３’，４，４’−ビフェニルエーテルテトラ
カルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジメチルジ
フェニルシランテトラカルボン酸二無水物、３，３’，
４，４’−テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無
水物、１，２，３，４−フランテトラカルボン酸二無水
物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）ジフェニルスルフィド二無水物、４，４’−ビス
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホ
ン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェノキシ）ジフェニルプロパン二無水物、３，３’，
４，４’−パーフルオロイソプロピリデンテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フェニルホスフ
ィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレン−ビス（トリ
フェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェニレン−ビス
（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス（トリフェニ
ルフタル酸）−４，４’−ジフェニルエーテル二無水
物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，４’−ジフェ
ニルメタン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水
物を挙げることができる。
４’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、
１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、３，３’，４，４’−ビフェニルエーテルテトラ
カルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジメチルジ
フェニルシランテトラカルボン酸二無水物、３，３’，
４，４’−テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無
水物、１，２，３，４−フランテトラカルボン酸二無水
物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）ジフェニルスルフィド二無水物、４，４’−ビス
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホ
ン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェノキシ）ジフェニルプロパン二無水物、３，３’，
４，４’−パーフルオロイソプロピリデンテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フェニルホスフ
ィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレン−ビス（トリ
フェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェニレン−ビス
（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス（トリフェニ
ルフタル酸）−４，４’−ジフェニルエーテル二無水
物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，４’−ジフェ
ニルメタン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水
物を挙げることができる。
【００１４】これらのうち、２，３，５−トリカルボキ
シシクロペンチル酢酸二無水物、ブタンテトラカルボン
酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカル
ボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３，３’，
４，４’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルエーテルテト
ラカルボン酸二無水物が好ましい。これらは単独で又は
２種以上を組み合わせて使用できる。
シシクロペンチル酢酸二無水物、ブタンテトラカルボン
酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカル
ボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３，３’，
４，４’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルエーテルテト
ラカルボン酸二無水物が好ましい。これらは単独で又は
２種以上を組み合わせて使用できる。
【００１５】他のジアミン化合物としては、例えばｐ−
フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノジフェニルスル
フィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，
３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、４，
４’−ジアミノベンズアニリド、４，４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、１，５−ジアミノナフタレン、３，
３−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、５−ア
ミノ−１−（４’−アミノフェニル）−１，３，３−ト
リメチルインダン、６−アミノ−１−（４’−アミノフ
ェニル）−１，３，３−トリメチルインダン、３，４’
−ジアミノジフェニルエーテル、２，２−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）プロパン、２，２−ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，４−ビス（４
−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェ
ニル）−１０−ヒドロアントラセン、２，７−ジアミノ
フルオレン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フル
オレン、４，４’−メチレン−ビス（２−クロロアニリ
ン）、２，２’，５，５’−テトラクロロ−４，４’−
ジアミノビフェニル、２，２’−ジクロロ−４，４’−
ジアミノ−５，５’−ジメトキシビフェニル、３，３’
−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、１，
４．４’−（ｐ−フェニレンイソプロピリデン）ビスア
ニリン、４，４’−（ｍ−フェニレンイソプロピリデ
ン）ビスアニリン、２，２’−ビス［４−（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキ
サフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ−２，２’−
ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４，４’−ビ
ス［（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）フェノキ
シ］−オクタフルオロビフェニル等の芳香族ジアミン；
ジアミノテトラフェニルチオフェン等のヘテロ原子を有
する芳香族ジアミン；
フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノジフェニルスル
フィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，
３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、４，
４’−ジアミノベンズアニリド、４，４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、１，５−ジアミノナフタレン、３，
３−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、５−ア
ミノ−１−（４’−アミノフェニル）−１，３，３−ト
リメチルインダン、６−アミノ−１−（４’−アミノフ
ェニル）−１，３，３−トリメチルインダン、３，４’
−ジアミノジフェニルエーテル、２，２−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）プロパン、２，２−ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，４−ビス（４
−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェ
ニル）−１０−ヒドロアントラセン、２，７−ジアミノ
フルオレン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フル
オレン、４，４’−メチレン−ビス（２−クロロアニリ
ン）、２，２’，５，５’−テトラクロロ−４，４’−
ジアミノビフェニル、２，２’−ジクロロ−４，４’−
ジアミノ−５，５’−ジメトキシビフェニル、３，３’
−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、１，
４．４’−（ｐ−フェニレンイソプロピリデン）ビスア
ニリン、４，４’−（ｍ−フェニレンイソプロピリデ
ン）ビスアニリン、２，２’−ビス［４−（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキ
サフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ−２，２’−
ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４，４’−ビ
ス［（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）フェノキ
シ］−オクタフルオロビフェニル等の芳香族ジアミン；
ジアミノテトラフェニルチオフェン等のヘテロ原子を有
する芳香族ジアミン；
【００１６】１，１−メタキシリレンジアミン、１，３
−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタ
メチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメ
チレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレ
ンジアミン、４，４−ジアミノヘプタメチレンジアミ
ン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジア
ミン、テトラヒドロジシクロペンタジエニレンジアミ
ン、ヘキサヒドロ−４，７−メタノインダニレンジメチ
レンジアミン、トリシクロ［６．２．１．０2,7］−ウ
ンデシレンジメチルジアミン、４，４’−メチレンビス
（シクロヘキシルアミン）等の脂肪族及び脂環式ジアミ
ン；ジアミノヘキサメチルジシロキサン等のジアミノオ
ルガノシロキサンが挙げられる。
−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタ
メチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメ
チレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレ
ンジアミン、４，４−ジアミノヘプタメチレンジアミ
ン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジア
ミン、テトラヒドロジシクロペンタジエニレンジアミ
ン、ヘキサヒドロ−４，７−メタノインダニレンジメチ
レンジアミン、トリシクロ［６．２．１．０2,7］−ウ
ンデシレンジメチルジアミン、４，４’−メチレンビス
（シクロヘキシルアミン）等の脂肪族及び脂環式ジアミ
ン；ジアミノヘキサメチルジシロキサン等のジアミノオ
ルガノシロキサンが挙げられる。
【００１７】これらのうち、ｐ−フェニレンジアミン、
４，４’−ジアミノジフェニルメタン、１，５−ジアミ
ノナフタレン、２，７−ジアミノフルオレン、４，４’
−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−（ｐ−フェ
ニレンイソプロピリデン）ビスアニリン、２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２’−ビス［４−（４−ア
ミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］
ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ−２，
２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４，
４’−ビス［（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）
フェノキシ］−オクタフルオロビフェニルが好ましい。
これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用でき
る。
４，４’−ジアミノジフェニルメタン、１，５−ジアミ
ノナフタレン、２，７−ジアミノフルオレン、４，４’
−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−（ｐ−フェ
ニレンイソプロピリデン）ビスアニリン、２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２’−ビス［４−（４−ア
ミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］
ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ−２，
２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４，
４’−ビス［（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）
フェノキシ］−オクタフルオロビフェニルが好ましい。
これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用でき
る。
【００１８】本発明において用いられるポリイミドは、
前記（イ）テトラカルボン酸二無水物成分と（ロ）ジア
ミン成分を重縮合させてポリアミック酸を得て、次いで
必要に応じて脱水剤及びイミド化触媒の存在下で加熱し
て、イミド化することにより得られる。加熱によりイミ
ド化する場合の反応温度は、通常６０〜３００℃、好ま
しくは１００〜１７０℃である。反応温度が６０℃未満
では反応の進行が遅れ、また３００℃を越えるとポリア
ミック酸の分子量が大きく低下することがある。また、
脱水剤及びイミド化触媒の存在下でイミド化する場合の
反応は、有機溶媒中で行うことができる。反応温度は、
通常０〜１８０℃、好ましくは６０〜１５０℃である。
前記脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無
水トリフルオロ酢酸等の酸無水物を用いることができ
る。また、イミド化触媒としては、例えばピリジン、コ
リジン、ルチジン、トリエチルアミン等の３級アミンを
用いることができるが、これらに限定されるものではな
い。脱水剤の使用量は、ポリアミック酸の繰り返し単位
１モルに対して１．６〜２０モルとするのが好ましい。
また、イミド化触媒の使用量は使用する脱水剤１モルに
対し、０．５〜１０モルとするのが好ましい。このイミ
ド化触媒、脱水剤の使用量によって、ポリイミド中のア
ミック酸残基の含率を調整することができる。
前記（イ）テトラカルボン酸二無水物成分と（ロ）ジア
ミン成分を重縮合させてポリアミック酸を得て、次いで
必要に応じて脱水剤及びイミド化触媒の存在下で加熱し
て、イミド化することにより得られる。加熱によりイミ
ド化する場合の反応温度は、通常６０〜３００℃、好ま
しくは１００〜１７０℃である。反応温度が６０℃未満
では反応の進行が遅れ、また３００℃を越えるとポリア
ミック酸の分子量が大きく低下することがある。また、
脱水剤及びイミド化触媒の存在下でイミド化する場合の
反応は、有機溶媒中で行うことができる。反応温度は、
通常０〜１８０℃、好ましくは６０〜１５０℃である。
前記脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無
水トリフルオロ酢酸等の酸無水物を用いることができ
る。また、イミド化触媒としては、例えばピリジン、コ
リジン、ルチジン、トリエチルアミン等の３級アミンを
用いることができるが、これらに限定されるものではな
い。脱水剤の使用量は、ポリアミック酸の繰り返し単位
１モルに対して１．６〜２０モルとするのが好ましい。
また、イミド化触媒の使用量は使用する脱水剤１モルに
対し、０．５〜１０モルとするのが好ましい。このイミ
ド化触媒、脱水剤の使用量によって、ポリイミド中のア
ミック酸残基の含率を調整することができる。
【００１９】前記ポリエステルは、（ハ）ジカルボン酸
類（ジカルボン酸、ジカルボン酸エステルまたはジカル
ボン酸ハロゲン化物）と、（ニ）２つの水酸基を有する
ビフェニル化合物とを反応させて得られる。本発明にお
いて用いられるポリエステルは、（ハ）ジカルボン酸類
化合物成分と、（ニ）２つの水酸基を有するビフェニル
成分の少なくともひとつの成分に、ベンゾフェノン構
造、カルコン（ベンサールアセトフェノン）構造、スチ
ルベン構造、アントラキノン構造又はカルバゾール構造
を有する化合物が用いられる。
類（ジカルボン酸、ジカルボン酸エステルまたはジカル
ボン酸ハロゲン化物）と、（ニ）２つの水酸基を有する
ビフェニル化合物とを反応させて得られる。本発明にお
いて用いられるポリエステルは、（ハ）ジカルボン酸類
化合物成分と、（ニ）２つの水酸基を有するビフェニル
成分の少なくともひとつの成分に、ベンゾフェノン構
造、カルコン（ベンサールアセトフェノン）構造、スチ
ルベン構造、アントラキノン構造又はカルバゾール構造
を有する化合物が用いられる。
【００２０】ベンゾフェノン構造を有するジカルボン酸
化合物としては、例えばベンゾフェノン−２，４’−ジ
カルボン酸及びそのアルキルエステル等のエステル化合
物、カルボン酸クロリド等のカルボン酸ハロゲン化物が
挙げられる。カルコン構造を持つカルボン酸類化合物と
しては、例えばカルコン−３，３’−ジカルボン酸、カ
ルコン−３，４’−ジカルボン酸、カルコン−４，４’
−ジカルボン酸及びそれぞれのアルキルエステル等のエ
ステル化合物、カルボン酸クロリド等のカルボン酸ハロ
ゲン化物が挙げられる。スチルベン構造を有するカルボ
ン酸類化合物としては、例えば４，４’−スチルベンジ
カルボン酸、２，２’−ｔｒａｎｓ−スチルベンジカル
ボン酸、２，４’−ｔｒａｎｓ−スチルベンジカルボン
酸及びそれぞれのアルキルエステル等のエステル化合
物、カルボン酸クロリド等のカルボン酸ハロゲン化物が
挙げられる。アントラキノン構造を有するカルボン酸化
合物としては、例えば１，２−アントラキノンジカルボ
ン酸、１，３−アントラキノンジカルボン酸、１，４−
アントラキノンジカルボン酸、１，５−アントラキノン
ジカルボン酸、１，６−アントラキノンジカルボン酸、
１，７−アントラキノンジカルボン酸、１，８−アント
ラキノンジカルボン酸、２，３−アントラキノンジカル
ボン酸、２，７−アントラキノンジカルボン酸及びそれ
ぞれのアルキルエステル等のエステル化合物、カルボン
酸クロリド等のカルボン酸ハロゲン化物が挙げられる。
カルバゾール構造を有するカルボン酸化合物としては、
例えば３，６−カルバゾールジカルボン酸及びそのアル
キルエステル等のエステル化合物、カルボン酸クロリド
等のカルボン酸ハロゲン化物が挙げられる。
化合物としては、例えばベンゾフェノン−２，４’−ジ
カルボン酸及びそのアルキルエステル等のエステル化合
物、カルボン酸クロリド等のカルボン酸ハロゲン化物が
挙げられる。カルコン構造を持つカルボン酸類化合物と
しては、例えばカルコン−３，３’−ジカルボン酸、カ
ルコン−３，４’−ジカルボン酸、カルコン−４，４’
−ジカルボン酸及びそれぞれのアルキルエステル等のエ
ステル化合物、カルボン酸クロリド等のカルボン酸ハロ
ゲン化物が挙げられる。スチルベン構造を有するカルボ
ン酸類化合物としては、例えば４，４’−スチルベンジ
カルボン酸、２，２’−ｔｒａｎｓ−スチルベンジカル
ボン酸、２，４’−ｔｒａｎｓ−スチルベンジカルボン
酸及びそれぞれのアルキルエステル等のエステル化合
物、カルボン酸クロリド等のカルボン酸ハロゲン化物が
挙げられる。アントラキノン構造を有するカルボン酸化
合物としては、例えば１，２−アントラキノンジカルボ
ン酸、１，３−アントラキノンジカルボン酸、１，４−
アントラキノンジカルボン酸、１，５−アントラキノン
ジカルボン酸、１，６−アントラキノンジカルボン酸、
１，７−アントラキノンジカルボン酸、１，８−アント
ラキノンジカルボン酸、２，３−アントラキノンジカル
ボン酸、２，７−アントラキノンジカルボン酸及びそれ
ぞれのアルキルエステル等のエステル化合物、カルボン
酸クロリド等のカルボン酸ハロゲン化物が挙げられる。
カルバゾール構造を有するカルボン酸化合物としては、
例えば３，６−カルバゾールジカルボン酸及びそのアル
キルエステル等のエステル化合物、カルボン酸クロリド
等のカルボン酸ハロゲン化物が挙げられる。
【００２１】ベンゾフェノン構造を有するビフェニル化
合物としては、例えば２，２’−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェ
ノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシ
ベンゾフェノン等が挙げられる。カルコン構造を有する
ビフェニル化合物としては、例えば３，３’−ジヒドロ
キシカルコン、４，４’−ジヒドロキシカルコン、３，
４’−ジヒドリキシカルコン、３，４−ジヒドロキシカ
ルコン等が挙げられる。スチルベン構造を有するビフェ
ニル化合物としては、例えば３，３’−ジヒドロキシス
チルベン、４，４’−ジヒドロキシスチルベン、３，
４’−ジヒドロキシスチルベン等が挙げられる。アント
ラキノン構造を有するビフェニル化合物としては、例え
ば１，２−ジヒドロキシアントラキノン、１，４−ジヒ
ドロキシアントラキノン、１，５−ジヒドロキシアント
ラキノン、等が挙げられる。カルバゾール構造を有する
ビフェニル化合物としては、例えば３，６−ジヒドロキ
シカルバゾール等が挙げられる。
合物としては、例えば２，２’−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェ
ノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシ
ベンゾフェノン等が挙げられる。カルコン構造を有する
ビフェニル化合物としては、例えば３，３’−ジヒドロ
キシカルコン、４，４’−ジヒドロキシカルコン、３，
４’−ジヒドリキシカルコン、３，４−ジヒドロキシカ
ルコン等が挙げられる。スチルベン構造を有するビフェ
ニル化合物としては、例えば３，３’−ジヒドロキシス
チルベン、４，４’−ジヒドロキシスチルベン、３，
４’−ジヒドロキシスチルベン等が挙げられる。アント
ラキノン構造を有するビフェニル化合物としては、例え
ば１，２−ジヒドロキシアントラキノン、１，４−ジヒ
ドロキシアントラキノン、１，５−ジヒドロキシアント
ラキノン、等が挙げられる。カルバゾール構造を有する
ビフェニル化合物としては、例えば３，６−ジヒドロキ
シカルバゾール等が挙げられる。
【００２２】本発明において用いられるポリエステルに
は、本発明の効果を損なわない程度に他のジカルボン酸
類化合物、２つの水酸基を有するビフェニル化合物を併
用することができる。
は、本発明の効果を損なわない程度に他のジカルボン酸
類化合物、２つの水酸基を有するビフェニル化合物を併
用することができる。
【００２３】他のジカルボン酸類化合物としては、例え
ばシュウ酸、マロン酸、ジフルオロマロン酸、アルキル
マロン酸、コハク酸、テトラフルオロコハク酸、アルキ
ルコハク酸、（±）−リンゴ酸、ｍｅｓｏ−酒石酸、イ
タコン酸、マレイン酸、メチルマレイン酸、フマル酸、
メチルフマル酸、アセチレンジカルボン酸、グルタル
酸、ヘキサフルオログルタル酸、メチルグルタル酸、グ
ルタコン酸、アジピン酸、ジチオアジピン酸、メチルア
ジピン酸、ジメチルアジピン酸、テトラメチルアジピン
酸、メチレンアジピン酸、ムコン酸、ガラクタル酸、ピ
メリン酸、スベリン酸、パーフルオロスベリン酸、３，
３，６，６−テトラメチルスベリン酸、アゼライン酸、
セバシン酸、パーフルオロセバシン酸、ブラシル酸、ド
デシルジカルボン酸、トリデシルジカルボン酸、テトラ
デシルジカルボン酸等の脂肪族カルボン酸；
ばシュウ酸、マロン酸、ジフルオロマロン酸、アルキル
マロン酸、コハク酸、テトラフルオロコハク酸、アルキ
ルコハク酸、（±）−リンゴ酸、ｍｅｓｏ−酒石酸、イ
タコン酸、マレイン酸、メチルマレイン酸、フマル酸、
メチルフマル酸、アセチレンジカルボン酸、グルタル
酸、ヘキサフルオログルタル酸、メチルグルタル酸、グ
ルタコン酸、アジピン酸、ジチオアジピン酸、メチルア
ジピン酸、ジメチルアジピン酸、テトラメチルアジピン
酸、メチレンアジピン酸、ムコン酸、ガラクタル酸、ピ
メリン酸、スベリン酸、パーフルオロスベリン酸、３，
３，６，６−テトラメチルスベリン酸、アゼライン酸、
セバシン酸、パーフルオロセバシン酸、ブラシル酸、ド
デシルジカルボン酸、トリデシルジカルボン酸、テトラ
デシルジカルボン酸等の脂肪族カルボン酸；
【００２４】例えばシクロアルキルジカルボン酸、ピン
酸、ヘキサヒドロフタル酸、１，４−（ノルボルネン）
ジカルボン酸、ビシクロアルキルジカルボン酸、アダマ
ンタンジカルボン酸、スピロヘプタンジカルボン酸等の
脂環族カルボン酸；
酸、ヘキサヒドロフタル酸、１，４−（ノルボルネン）
ジカルボン酸、ビシクロアルキルジカルボン酸、アダマ
ンタンジカルボン酸、スピロヘプタンジカルボン酸等の
脂環族カルボン酸；
【００２５】例えばフタル酸、イソフタル酸、ジチオイ
ソフタル酸、メチルイソフタル酸、ジメチルイソフタル
酸、クロロイソフタル酸、ジクロロイソフタル酸、テレ
フタル酸、メチルテレフタル酸、ジメチルテレフタル
酸、クロロテレフタル酸、ブロモテレフタル酸、ナフタ
レンジカルボン酸、オキソフルオレンジカルボン酸、ア
ントラセンジカルボン酸、ビフェニルジカルボン酸、ビ
フェニレンジカルボン酸、ジメチルビフェニレンジカル
ボン酸、４，４’’−ｐ−テレフェニレンジカルボン
酸、４、４’’’ーｐ−クワレルフェニルジカルボン
酸、ビベンジルジカルボン酸、アゾベンゼンジカルボン
酸、ホモフタル酸、フェニレン二酢酸、フェニレンジプ
ロピオン酸、ナフタレンジカルボン酸、ナフタレンジプ
ロピオン酸、ビフェニル二酢酸、ビフェニルジプロピオ
ン酸、３，３’−［４，４’−（メチレンジ−ｐ−ビフ
ェニレン）ジプロピオン酸、４，４’−ビベンジル二酢
酸、３，３’−（４，４’−ビベンジル）ジプロピオン
酸、オキシジ−ｐ−フェニレン二酢酸等の芳香族ジカル
ボン酸及びそれぞれのアルキルエステル等のエステル化
合物、カルボン酸クロリド等のカルボン酸ハロゲン化物
が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わ
せて使用できる。
ソフタル酸、メチルイソフタル酸、ジメチルイソフタル
酸、クロロイソフタル酸、ジクロロイソフタル酸、テレ
フタル酸、メチルテレフタル酸、ジメチルテレフタル
酸、クロロテレフタル酸、ブロモテレフタル酸、ナフタ
レンジカルボン酸、オキソフルオレンジカルボン酸、ア
ントラセンジカルボン酸、ビフェニルジカルボン酸、ビ
フェニレンジカルボン酸、ジメチルビフェニレンジカル
ボン酸、４，４’’−ｐ−テレフェニレンジカルボン
酸、４、４’’’ーｐ−クワレルフェニルジカルボン
酸、ビベンジルジカルボン酸、アゾベンゼンジカルボン
酸、ホモフタル酸、フェニレン二酢酸、フェニレンジプ
ロピオン酸、ナフタレンジカルボン酸、ナフタレンジプ
ロピオン酸、ビフェニル二酢酸、ビフェニルジプロピオ
ン酸、３，３’−［４，４’−（メチレンジ−ｐ−ビフ
ェニレン）ジプロピオン酸、４，４’−ビベンジル二酢
酸、３，３’−（４，４’−ビベンジル）ジプロピオン
酸、オキシジ−ｐ−フェニレン二酢酸等の芳香族ジカル
ボン酸及びそれぞれのアルキルエステル等のエステル化
合物、カルボン酸クロリド等のカルボン酸ハロゲン化物
が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わ
せて使用できる。
【００２６】他のビフェニル化合物としては、例えばカ
テコール、アルキルカテコール、ヒドロキノン等の多価
フェノ−ル類；メチレンビスフェノール、イソプロピリ
デンビスフェノール、ブチリデンビスフェノール、チオ
ビスフェノール、スルフィニルビスフェノール、スルフ
ォニルンビスフェノール、オキシビスフェノール等のビ
スフェノール類が挙げられる。これらは単独で又は２種
以上を組み合わせて使用できる。
テコール、アルキルカテコール、ヒドロキノン等の多価
フェノ−ル類；メチレンビスフェノール、イソプロピリ
デンビスフェノール、ブチリデンビスフェノール、チオ
ビスフェノール、スルフィニルビスフェノール、スルフ
ォニルンビスフェノール、オキシビスフェノール等のビ
スフェノール類が挙げられる。これらは単独で又は２種
以上を組み合わせて使用できる。
【００２７】本発明において用いられるポリエステル
は、前記（ハ）ジカルボン酸類化合物成分と（ニ）２つ
の水酸基を有するビフェニル化合物成分とを、必要に応
じて触媒存在下で加熱し重縮合させて得られる。ジカル
ボン酸とビフェニル化合物との重縮合の場合は、触媒と
して、硫酸、ｐ−トルエンスルフォン酸等のプロトン
酸、重金属の酸化物又は塩、チタン、スズ、鉛等の有機
金属化合物等が用いられる。ジカルボン酸エステルとビ
フェニル化合物との場合は、触媒として、鉛、亜鉛、マ
ンガン、カルシウム、コバルト、カドミウム等の酢酸塩
や炭酸塩化合物、金属マグネシウム、亜鉛、鉛、アンチ
モン、ゲルマニウム等の酸化物が用いられる。ジカルボ
ン酸ハロゲン化物とビフェニル化合物との場合は、触媒
として、ピリジン、トリエリルアミン等の塩基性触媒が
用いられる。
は、前記（ハ）ジカルボン酸類化合物成分と（ニ）２つ
の水酸基を有するビフェニル化合物成分とを、必要に応
じて触媒存在下で加熱し重縮合させて得られる。ジカル
ボン酸とビフェニル化合物との重縮合の場合は、触媒と
して、硫酸、ｐ−トルエンスルフォン酸等のプロトン
酸、重金属の酸化物又は塩、チタン、スズ、鉛等の有機
金属化合物等が用いられる。ジカルボン酸エステルとビ
フェニル化合物との場合は、触媒として、鉛、亜鉛、マ
ンガン、カルシウム、コバルト、カドミウム等の酢酸塩
や炭酸塩化合物、金属マグネシウム、亜鉛、鉛、アンチ
モン、ゲルマニウム等の酸化物が用いられる。ジカルボ
ン酸ハロゲン化物とビフェニル化合物との場合は、触媒
として、ピリジン、トリエリルアミン等の塩基性触媒が
用いられる。
【００２８】前記ポリアミドは、（ホ）ジカルボン酸類
（ジカルボン酸、ジカルボン酸エステル、ジカルボン酸
ハロゲン化物）化合物と、（ヘ）ジアミン化合物とを反
応させて得られる。本発明において用いられるポリアミ
ドは、（ホ）ジカルボン酸類化合物成分と（ヘ）ジアミ
ン化合物成分の少なくともひとつの成分に、ベンゾフェ
ノン構造、カルコン（ベンサールアセトフェノン）構
造、スチルベン構造、アントラキノン構造又はカルバゾ
ール構造を有する化合物が用いられる。
（ジカルボン酸、ジカルボン酸エステル、ジカルボン酸
ハロゲン化物）化合物と、（ヘ）ジアミン化合物とを反
応させて得られる。本発明において用いられるポリアミ
ドは、（ホ）ジカルボン酸類化合物成分と（ヘ）ジアミ
ン化合物成分の少なくともひとつの成分に、ベンゾフェ
ノン構造、カルコン（ベンサールアセトフェノン）構
造、スチルベン構造、アントラキノン構造又はカルバゾ
ール構造を有する化合物が用いられる。
【００２９】ベンゾフェノン構造、カルコン構造、スチ
ルベン構造、アントラキノン構造又はカルバゾール構造
を有するジカルボン酸類化合物としては、先に挙げたジ
カルボン酸類（ハ）が用いられる。
ルベン構造、アントラキノン構造又はカルバゾール構造
を有するジカルボン酸類化合物としては、先に挙げたジ
カルボン酸類（ハ）が用いられる。
【００３０】ベンゾフェノン構造、カルコン構造、スチ
ルベン構造、アントラキノン構造又はカルバゾール構造
を有するジアミン化合物としては、先に挙げたジアミン
化合物（ロ）が用いられる。
ルベン構造、アントラキノン構造又はカルバゾール構造
を有するジアミン化合物としては、先に挙げたジアミン
化合物（ロ）が用いられる。
【００３１】本発明において用いられるポリアミドに
は、本発明の効果を損なわない程度に他のジカルボン酸
類化合物、ジアミン化合物を併用することができる。
は、本発明の効果を損なわない程度に他のジカルボン酸
類化合物、ジアミン化合物を併用することができる。
【００３２】他のジカルボン酸類化合物、ジアミン化合
物としては、先に挙げた他のジカルボン酸類化合物及び
ジアミン化合物が用いられる。これらは単独で又は２種
以上を組み合わせて使用できる。
物としては、先に挙げた他のジカルボン酸類化合物及び
ジアミン化合物が用いられる。これらは単独で又は２種
以上を組み合わせて使用できる。
【００３３】本発明において用いられるポリアミドは、
前記（ホ）ジカルボン酸類化合物成分と（ヘ）ジアミン
成分とを、必要に応じて、ピリジン、トリエリルアミン
等の塩基性触媒存在下で重縮合させて得られる。
前記（ホ）ジカルボン酸類化合物成分と（ヘ）ジアミン
成分とを、必要に応じて、ピリジン、トリエリルアミン
等の塩基性触媒存在下で重縮合させて得られる。
【００３４】溶剤 本発明の液晶配向膜を形成する液晶配向剤は、前記の紫
外線に官能する有機化合物を含有する重合体の溶液から
成る。この際用いられる溶剤としては、該重合体を溶解
し得る有機溶剤であれば特に制限はなく、単独又は２種
以上の溶剤を組み合わせて使用できる。
外線に官能する有機化合物を含有する重合体の溶液から
成る。この際用いられる溶剤としては、該重合体を溶解
し得る有機溶剤であれば特に制限はなく、単独又は２種
以上の溶剤を組み合わせて使用できる。
【００３５】その他の添加剤 本発明において用いられる液晶配向剤は、プレチルト角
の安定化及び塗膜強度アップのために、種々の熱硬化性
の架橋剤を含有することもできる。熱硬化架橋剤として
は、多官能エポキシ含有化合物が有効であり、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、環状
脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル系エポキシ樹
脂、グリシジルジアミン系エポキシ樹脂、複素環式エポ
キシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂等が使用でき
る。市販品では、例えばエポライト４００Ｅ、同３００
２（共栄社油脂化学工業（株）製）、エピコート８２
８、同１５２、エポキシノボラック１８０Ｓ（油化シェ
ルエポキシ（株）製）等を挙げることができる。
の安定化及び塗膜強度アップのために、種々の熱硬化性
の架橋剤を含有することもできる。熱硬化架橋剤として
は、多官能エポキシ含有化合物が有効であり、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、環状
脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル系エポキシ樹
脂、グリシジルジアミン系エポキシ樹脂、複素環式エポ
キシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂等が使用でき
る。市販品では、例えばエポライト４００Ｅ、同３００
２（共栄社油脂化学工業（株）製）、エピコート８２
８、同１５２、エポキシノボラック１８０Ｓ（油化シェ
ルエポキシ（株）製）等を挙げることができる。
【００３６】さらに、前述の多官能エポキシ含有化合物
を使用する際、架橋反応を効率良く起こす目的で、１−
ベンジル−２−メチルイミダゾール等の塩基触媒を添加
することができる。
を使用する際、架橋反応を効率良く起こす目的で、１−
ベンジル−２−メチルイミダゾール等の塩基触媒を添加
することができる。
【００３７】また、本発明において用いられる液晶配向
剤は、基板との接着性を改善する目的で、官能性シラン
含有化合物を含有することができる。官能性シラン含有
化合物としては、例えば３−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２
−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−
３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシ
ラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−
ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカ
ルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ
−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキ
シシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレ
ントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリエ
チレントリアミン、１０−トリメトキシイシリル−１，
４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−
１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル
−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシ
シリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジ
ル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベン
ジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フ
ェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−
フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン等を挙げることができ、
さらに特開昭６３ー２９１９２２号公報記載のテトラカ
ルボン酸二無水物とアミノ基含有シラン化合物との反応
物等を挙げることができる。
剤は、基板との接着性を改善する目的で、官能性シラン
含有化合物を含有することができる。官能性シラン含有
化合物としては、例えば３−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２
−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−
３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシ
ラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−
ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカ
ルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ
−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキ
シシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレ
ントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリエ
チレントリアミン、１０−トリメトキシイシリル−１，
４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−
１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル
−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシ
シリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジ
ル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベン
ジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フ
ェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−
フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン等を挙げることができ、
さらに特開昭６３ー２９１９２２号公報記載のテトラカ
ルボン酸二無水物とアミノ基含有シラン化合物との反応
物等を挙げることができる。
【００３８】液晶配向膜の形成 本発明の液晶配向膜は、例えば次の方法によって製造す
ることができる。まず、透明導電膜が設けられた基板の
透明導電膜側に、前記液晶配向剤をロールコーター法、
スピンナー法、印刷法等により塗布し、４０〜２００℃
の温度で加熱して塗膜を形成させる。塗膜の膜厚は、通
常０．００１〜１μｍ、好ましくは０．００５〜０．５
μｍである。
ることができる。まず、透明導電膜が設けられた基板の
透明導電膜側に、前記液晶配向剤をロールコーター法、
スピンナー法、印刷法等により塗布し、４０〜２００℃
の温度で加熱して塗膜を形成させる。塗膜の膜厚は、通
常０．００１〜１μｍ、好ましくは０．００５〜０．５
μｍである。
【００３９】前記基板としては、例えばフロートガラ
ス、ソーダガラス等のガラス、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスル
ホン、ポリカーボネート等のプラスチックフィルム等か
らなる透明基板を用いることができる。
ス、ソーダガラス等のガラス、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスル
ホン、ポリカーボネート等のプラスチックフィルム等か
らなる透明基板を用いることができる。
【００４０】前記透明導電膜としては、ＳｎＯ2からな
るＮＥＳＡ膜、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2からなるＩＴＯ膜等
を用いることができ、これらの透明導電膜のパターニン
グには、フォト・エッチング法、予めマスクを用いる方
法等が用いられる。
るＮＥＳＡ膜、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2からなるＩＴＯ膜等
を用いることができ、これらの透明導電膜のパターニン
グには、フォト・エッチング法、予めマスクを用いる方
法等が用いられる。
【００４１】液晶配向剤の塗布に際しては、基板及び透
明導電膜と塗膜との接着性をさらに良好にするために、
基板及び透明導電膜上に、予め官能性シラン含有化合
物、チタネート等を塗布することもできる。
明導電膜と塗膜との接着性をさらに良好にするために、
基板及び透明導電膜上に、予め官能性シラン含有化合
物、チタネート等を塗布することもできる。
【００４２】次いで、前記塗膜に直線偏光した柴外線を
照射し、場合によってはさらに１５０〜２５０℃の温度
で加熱処理を行い、液晶配向能を付与する。本発明にお
いて使用される紫外線は、１５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波
長を有するものであり、中でも１９０ｎｍ〜３８０ｎｍ
の波長を有する紫外線が好ましい。
照射し、場合によってはさらに１５０〜２５０℃の温度
で加熱処理を行い、液晶配向能を付与する。本発明にお
いて使用される紫外線は、１５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波
長を有するものであり、中でも１９０ｎｍ〜３８０ｎｍ
の波長を有する紫外線が好ましい。
【００４３】前記光源としては、例えば低圧水銀ラン
プ、高圧水銀ランプ、重水素ランプ、メタルハライドラ
ンプ、アルゴン共鳴ランプ、キセノンランプ、エキシマ
ーレーザー等が使用できる。
プ、高圧水銀ランプ、重水素ランプ、メタルハライドラ
ンプ、アルゴン共鳴ランプ、キセノンランプ、エキシマ
ーレーザー等が使用できる。
【００４４】液晶表示素子 本発明の液晶表示素子は、前記液晶配向膜が形成された
基板を、その２枚を液晶配向膜を照射した直線偏光紫外
線の偏光方向が所定の角度となるよう対向させ、基板の
間の周辺部をシール剤でシールし、液晶を充填し、充填
孔を封止して液晶セルを構成する。そして、その両面に
偏光板の偏光方向がそれぞれ基板の液晶配向膜を照射し
た直線偏光紫外線の偏光方向と所定の角度を成すように
偏光板を張り合わせることにより、液晶表示素子とす
る。液晶配向膜が形成された２枚の基板における、照射
した直線偏光紫外線の偏光方向の成す角度及び、それぞ
れの基板と偏光板との角度を調整することにより、ＴＮ
型又はＳＴＮ型液晶セルを有する液晶表示素子を任意に
得ることができる。
基板を、その２枚を液晶配向膜を照射した直線偏光紫外
線の偏光方向が所定の角度となるよう対向させ、基板の
間の周辺部をシール剤でシールし、液晶を充填し、充填
孔を封止して液晶セルを構成する。そして、その両面に
偏光板の偏光方向がそれぞれ基板の液晶配向膜を照射し
た直線偏光紫外線の偏光方向と所定の角度を成すように
偏光板を張り合わせることにより、液晶表示素子とす
る。液晶配向膜が形成された２枚の基板における、照射
した直線偏光紫外線の偏光方向の成す角度及び、それぞ
れの基板と偏光板との角度を調整することにより、ＴＮ
型又はＳＴＮ型液晶セルを有する液晶表示素子を任意に
得ることができる。
【００４５】前記シール剤としては、例えば硬化剤およ
びスペーサーとしての酸化アルミニウム球を含有したエ
ポキシ樹脂等を用いることができる。
びスペーサーとしての酸化アルミニウム球を含有したエ
ポキシ樹脂等を用いることができる。
【００４６】前記液晶としては、ネマティック型液晶、
スメクティック型液晶などを用いることができる。ＴＮ
型液晶セルの場合、ネマティック型液晶を形成させるも
のが好ましく、例えばシッフベース系液晶、アゾキシ系
液晶、ビフェニル系液晶、フェニルシクロヘキサン系液
晶、エステル系液晶、ターフェニル系液晶、ビフェニル
シクロヘキサン系液晶、ピリミジン系液晶、ジオキサン
系液晶、ビシクロオクタン系液晶、キュバン系液晶等が
用いられる。またＳＴＮ型液晶セルの場合、前記液晶
に、例えばコレスチルクロライド、コレステリルノナエ
ート、コレステリルカーボネート等のコレステリック液
晶や商品名Ｃ−１５，ＣＢ−１５（メルク社製）として
販売されているようなカイラル剤等をさらに添加して使
用することもできる。さらに、ｐ−デシロキシベンジリ
デン−ｐ−アミノ−２−メチルブチルシンナメート等の
強誘電性液晶も使用することができる。
スメクティック型液晶などを用いることができる。ＴＮ
型液晶セルの場合、ネマティック型液晶を形成させるも
のが好ましく、例えばシッフベース系液晶、アゾキシ系
液晶、ビフェニル系液晶、フェニルシクロヘキサン系液
晶、エステル系液晶、ターフェニル系液晶、ビフェニル
シクロヘキサン系液晶、ピリミジン系液晶、ジオキサン
系液晶、ビシクロオクタン系液晶、キュバン系液晶等が
用いられる。またＳＴＮ型液晶セルの場合、前記液晶
に、例えばコレスチルクロライド、コレステリルノナエ
ート、コレステリルカーボネート等のコレステリック液
晶や商品名Ｃ−１５，ＣＢ−１５（メルク社製）として
販売されているようなカイラル剤等をさらに添加して使
用することもできる。さらに、ｐ−デシロキシベンジリ
デン−ｐ−アミノ−２−メチルブチルシンナメート等の
強誘電性液晶も使用することができる。
【００４７】液晶セルの外側に使用される偏光板として
は、ポリビニルアルコールを延伸配向させながら、ヨウ
素を吸収させたＨ膜と呼ばれる偏光膜を酢酸セルロース
保護膜で挟んだ偏光板、又はＨ膜そのものからなる偏光
板等を挙げることができる。
は、ポリビニルアルコールを延伸配向させながら、ヨウ
素を吸収させたＨ膜と呼ばれる偏光膜を酢酸セルロース
保護膜で挟んだ偏光板、又はＨ膜そのものからなる偏光
板等を挙げることができる。
【００４８】
【作用】本発明における液晶配向膜の製造方法によれ
ば、従来のラビング処理の際に発生する静電気によるほ
こりの付着、ＴＦＴ素子の回路破壊が発生しないため、
高い歩留まりで配向膜が製造できる。
ば、従来のラビング処理の際に発生する静電気によるほ
こりの付着、ＴＦＴ素子の回路破壊が発生しないため、
高い歩留まりで配向膜が製造できる。
【００４９】
【実施例】以下、本発明を実施例により、さらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるも
のではない。
に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるも
のではない。
【００５０】合成例１ポリアミック酸の重合 ２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水
物２２．４２ｇと３，３’−ジアミノベンゾフェノン２
１．２ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン４００ｇに溶解
させ、６０℃で６時間反応させた。次いで、反応混合物
を大過剰のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させ
た。その後、メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５
時間乾燥させて、重合体Ｉａ４０．２１ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉａ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン７．２５ｇ及び無水酢酸
９．３６ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩａ１５．５
５ｇを得た。
物２２．４２ｇと３，３’−ジアミノベンゾフェノン２
１．２ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン４００ｇに溶解
させ、６０℃で６時間反応させた。次いで、反応混合物
を大過剰のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させ
た。その後、メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５
時間乾燥させて、重合体Ｉａ４０．２１ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉａ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン７．２５ｇ及び無水酢酸
９．３６ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩａ１５．５
５ｇを得た。
【００５１】合成例２ポリアミック酸の重合 ２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水
物２２．４２ｇとｐ−フェニレンジアミン５．４１ｇお
よび３，３’−ジアミノベンゾフェノン１０．６１ｇを
Ｎ−メチル−２−ピロリドン３５０ｇに溶解させ、６０
℃で６時間反応させた。次いで、反応混合物を大過剰の
メタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後、
メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５時間乾燥させ
て、重合体Ｉｂ３０．７８ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉｂ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン８．２３ｇ及び無水酢酸１
０．６２ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩｂ１４．３
３ｇを得た。
物２２．４２ｇとｐ−フェニレンジアミン５．４１ｇお
よび３，３’−ジアミノベンゾフェノン１０．６１ｇを
Ｎ−メチル−２−ピロリドン３５０ｇに溶解させ、６０
℃で６時間反応させた。次いで、反応混合物を大過剰の
メタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後、
メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５時間乾燥させ
て、重合体Ｉｂ３０．７８ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉｂ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン８．２３ｇ及び無水酢酸１
０．６２ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩｂ１４．３
３ｇを得た。
【００５２】合成例３ポリアミック酸の重合 ２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水
物２２．４２ｇと４，４’−ジアミノスチルベン２１．
０２ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン４００ｇに溶解さ
せ、６０℃で６時間反応させた。次いで、反応混合物を
大過剰のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させた。
その後、メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５時間
乾燥させて、重合体Ｉｃ３５．２１ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉｃ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン７．２８ｇ及び無水酢酸
９．４０ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩｃ１２．６
１ｇを得た。
物２２．４２ｇと４，４’−ジアミノスチルベン２１．
０２ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン４００ｇに溶解さ
せ、６０℃で６時間反応させた。次いで、反応混合物を
大過剰のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させた。
その後、メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５時間
乾燥させて、重合体Ｉｃ３５．２１ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉｃ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン７．２８ｇ及び無水酢酸
９．４０ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩｃ１２．６
１ｇを得た。
【００５３】合成例４ポリアミック酸の重合 ２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水
物２２．４２ｇと４，４’−ジアミノアントラキノン２
３．８３ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン４００ｇに溶
解させ、６０℃で６時間反応させた。次いで、反応混合
物を大過剰のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させ
た。その後、メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５
時間乾燥させて、重合体Ｉｄ４０．００ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉｄ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン６．８４ｇ及び無水酢酸
８．８３ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩｄ１６．６
７ｇを得た。
物２２．４２ｇと４，４’−ジアミノアントラキノン２
３．８３ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン４００ｇに溶
解させ、６０℃で６時間反応させた。次いで、反応混合
物を大過剰のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させ
た。その後、メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５
時間乾燥させて、重合体Ｉｄ４０．００ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉｄ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン６．８４ｇ及び無水酢酸
８．８３ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩｄ１６．６
７ｇを得た。
【００５４】合成例５ポリアミック酸の重合 ３，３’４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物３２．２２ｇとｐ−フェニレンジアミン１０．８
１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン４００ｇに溶解さ
せ、６０℃で６時間反応させた。次いで、反応混合物を
大過剰のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させた。
その後、メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５時間
乾燥させて、重合体Ｉｅ３６．００ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉｅ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン６．１９ｇ及び無水酢酸
７．７１ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩｅ１５．３
０ｇを得た。
無水物３２．２２ｇとｐ−フェニレンジアミン１０．８
１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン４００ｇに溶解さ
せ、６０℃で６時間反応させた。次いで、反応混合物を
大過剰のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させた。
その後、メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５時間
乾燥させて、重合体Ｉｅ３６．００ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉｅ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン６．１９ｇ及び無水酢酸
７．７１ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩｅ１５．３
０ｇを得た。
【００５５】比較合成例１ポリアミック酸の重合 ２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水
物２２．４２ｇとｐ−フェニレンジアミン１０．８１ｇ
をＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｇに溶解させ、６
０℃で６時間反応させた。次いで、反応混合物を大過剰
のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させた。その
後、メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５時間乾燥
させて、重合体Ｉｘ２７．４４ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉｘ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン９．５２ｇ及び無水酢酸１
２．２９ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩｘ１５．２
７ｇを得た。
物２２．４２ｇとｐ−フェニレンジアミン１０．８１ｇ
をＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｇに溶解させ、６
０℃で６時間反応させた。次いで、反応混合物を大過剰
のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させた。その
後、メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５時間乾燥
させて、重合体Ｉｘ２７．４４ｇを得た。イミド化反応 得られた重合体Ｉｘ２０．００ｇにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン３８０ｇ、ピリジン９．５２ｇ及び無水酢酸１
２．２９ｇを添加し、１２０℃で４時間イミド化反応を
させた。次いで、反応混合液を大過剰のメタノールに注
ぎ、反応生成物を沈澱させた。その後メタノールで洗浄
し減圧下で１５時間乾燥させて、重合体ＩＩｘ１５．２
７ｇを得た。
【００５６】比較例１ 合成例１で得られた重合体（ＩＩａ）をγ−ブチロラク
トンに溶解させて、固形分濃度４重量％の溶液とし、こ
の溶液を孔径１μｍのフィルターで濾過し、液晶配向剤
溶液を調製した。この溶液を、ＩＴＯ膜からなる透明電
極付きガラス基板の上に透明電極面に、膜厚が０．１μ
ｍになるようにスピンナーを用いて塗布し、１８０℃で
１時間乾燥し薄膜を形成した。この薄膜に、ナイロン製
の布を巻き付けたロールを有するラビングマシーンによ
り、ロールの回転数５００ｒｐｍ、ステージの移動速度
１ｃｍ／秒でラビング処理を行った。次に、一対のラビ
ング処理された基板の液晶配向膜を有するそれぞれの外
縁に、直径１７μｍの酸化アルミニウム球入りエポキシ
樹脂接着剤をスクリーン印刷塗布した後、一対の基板を
液晶配向膜面が相対するように、しかもラビング方向が
直交するように重ね合わせて圧着し、接着剤を硬化させ
た。次いで、液晶注入口より一対の基板間に、ネマティ
ック型液晶（メルク社製、ＺＬＩ−１５６５）を充填し
た後、エポキシ系接着剤で液晶注入口を封止し、基板の
外側の両面に偏光板を、偏光板の偏光方向がそれぞれの
基板の液晶配向膜のラビング方向と一致するように張り
合わせ、液晶表示素子を作製したところ、液晶の配向性
は良好であった。電圧５Ｖを印加したところ、印加した
電圧のＯＮ−ＯＦＦに応答して、液晶表示素子の明暗の
変化が観察された。
トンに溶解させて、固形分濃度４重量％の溶液とし、こ
の溶液を孔径１μｍのフィルターで濾過し、液晶配向剤
溶液を調製した。この溶液を、ＩＴＯ膜からなる透明電
極付きガラス基板の上に透明電極面に、膜厚が０．１μ
ｍになるようにスピンナーを用いて塗布し、１８０℃で
１時間乾燥し薄膜を形成した。この薄膜に、ナイロン製
の布を巻き付けたロールを有するラビングマシーンによ
り、ロールの回転数５００ｒｐｍ、ステージの移動速度
１ｃｍ／秒でラビング処理を行った。次に、一対のラビ
ング処理された基板の液晶配向膜を有するそれぞれの外
縁に、直径１７μｍの酸化アルミニウム球入りエポキシ
樹脂接着剤をスクリーン印刷塗布した後、一対の基板を
液晶配向膜面が相対するように、しかもラビング方向が
直交するように重ね合わせて圧着し、接着剤を硬化させ
た。次いで、液晶注入口より一対の基板間に、ネマティ
ック型液晶（メルク社製、ＺＬＩ−１５６５）を充填し
た後、エポキシ系接着剤で液晶注入口を封止し、基板の
外側の両面に偏光板を、偏光板の偏光方向がそれぞれの
基板の液晶配向膜のラビング方向と一致するように張り
合わせ、液晶表示素子を作製したところ、液晶の配向性
は良好であった。電圧５Ｖを印加したところ、印加した
電圧のＯＮ−ＯＦＦに応答して、液晶表示素子の明暗の
変化が観察された。
【００５７】実施例１ 合成例１で得られた重合体ＩＩａを用いて、比較例１と
同様に基板上に薄膜を形成した。薄膜表面に、Ｈｇ−Ｘ
ｅランプより、グランレーザープリズムＧＬＰ−０−１
０−１５−ＡＮ（シグマ光機製）により、３６５ｎｍの
波長を主とする、直線偏光した紫外線０．５Ｊ／ｃｍ2
を照射した。次に、液晶配向膜を重ね合わせる向きをラ
ビング方向の代わりに紫外線の偏光方向に従った以外
は、比較例１と同様の方法で液晶表示素子を作製したと
ころ、液晶の配向性は良好であった。比較例１と同様の
条件で電圧を印加したところ、印加した電圧のＯＮ−Ｏ
ＦＦに応答して、液晶表示素子の明暗の変化が観察され
た。
同様に基板上に薄膜を形成した。薄膜表面に、Ｈｇ−Ｘ
ｅランプより、グランレーザープリズムＧＬＰ−０−１
０−１５−ＡＮ（シグマ光機製）により、３６５ｎｍの
波長を主とする、直線偏光した紫外線０．５Ｊ／ｃｍ2
を照射した。次に、液晶配向膜を重ね合わせる向きをラ
ビング方向の代わりに紫外線の偏光方向に従った以外
は、比較例１と同様の方法で液晶表示素子を作製したと
ころ、液晶の配向性は良好であった。比較例１と同様の
条件で電圧を印加したところ、印加した電圧のＯＮ−Ｏ
ＦＦに応答して、液晶表示素子の明暗の変化が観察され
た。
【００５８】実施例２〜５ 合成例２〜５で得られた重合体ＩＩｂ〜ｅを用いた以外
は、実施例１と同様に液晶表示素子を作製したところ、
液晶の配向性は良好であった。実施例１と同様の条件で
電圧を印加したところ、印加した電圧のＯＮ−ＯＦＦに
応答して、液晶表示素子の明暗の変化が観察された。
は、実施例１と同様に液晶表示素子を作製したところ、
液晶の配向性は良好であった。実施例１と同様の条件で
電圧を印加したところ、印加した電圧のＯＮ−ＯＦＦに
応答して、液晶表示素子の明暗の変化が観察された。
【００５９】比較例２ 比較合成例１で得られた重合体ＩＩｘを用いて、実施例
１と同様に基板上に薄膜を形成し、直線偏光紫外線を照
射して液晶配向膜を作成し、それを用いて液晶表示素子
を作製したところ、液晶の配向は観察されなかった。
１と同様に基板上に薄膜を形成し、直線偏光紫外線を照
射して液晶配向膜を作成し、それを用いて液晶表示素子
を作製したところ、液晶の配向は観察されなかった。
【００６０】
【発明の効果】本発明における液晶配向膜の製造方法に
よれば、従来のラビング処理の際に発生する静電気によ
るほこりの付着、ＴＦＴ素子の回路破壊が発生しないた
め、高い歩留まりで配向膜が製造できる。また、本発明
における液晶配向膜は面内均一性に優れているため、Ｔ
Ｎ型、ＳＴＮ型等の表示用として用いた場合に高い表示
品位を持つ液晶表示素子が得られ、種々の装置に有効に
使用でき、例えば卓上計算機、腕時計、置時計、係数表
示板、ワードプロセッサ、パーソナルコンピューター、
液晶テレビ等の表示装置に好適に用いられる。
よれば、従来のラビング処理の際に発生する静電気によ
るほこりの付着、ＴＦＴ素子の回路破壊が発生しないた
め、高い歩留まりで配向膜が製造できる。また、本発明
における液晶配向膜は面内均一性に優れているため、Ｔ
Ｎ型、ＳＴＮ型等の表示用として用いた場合に高い表示
品位を持つ液晶表示素子が得られ、種々の装置に有効に
使用でき、例えば卓上計算機、腕時計、置時計、係数表
示板、ワードプロセッサ、パーソナルコンピューター、
液晶テレビ等の表示装置に好適に用いられる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 安正 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 紫外線に官能する有機膜に、直線偏光さ
れた紫外線を照射することによって液晶配向能を付与す
る工程を有することを特徴とする液晶配向膜の製造方
法。 - 【請求項２】 ベンゾフェノン構造、カルコン（ベンサ
ールアセトフェノン）構造、スチルベン構造、アントラ
キノン構造又はカルバゾール構造のいずれかを有する重
合体から成る有機膜に、直線偏光された紫外線を照射す
ることによって液晶配向能を付与する工程を有すること
を特徴とする液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項３】 直線偏光された紫外線を照射することに
よって液晶配向能を付与した液晶配向膜を有する液晶表
示素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26076895A JP3265567B2 (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 液晶配向膜の製造方法及び液晶表示素子 |
| KR1019960021434A KR100423213B1 (ko) | 1995-09-13 | 1996-06-14 | 액정배향막의제조방법및액정표시소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26076895A JP3265567B2 (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 液晶配向膜の製造方法及び液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0980440A true JPH0980440A (ja) | 1997-03-28 |
| JP3265567B2 JP3265567B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=17352465
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26076895A Expired - Lifetime JP3265567B2 (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 液晶配向膜の製造方法及び液晶表示素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265567B2 (ja) |
| KR (1) | KR100423213B1 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000507719A (ja) * | 1996-03-29 | 2000-06-20 | アライアント・テクシステムズ・インコーポレーテッド | 液晶類を配向するための方法及び材料と液晶光学要素 |
| JP2001290155A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-19 | Agency Of Ind Science & Technol | 液晶配向膜の形成方法 |
| JP2002107733A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Sony Corp | 液晶表示素子 |
| WO2004029706A1 (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 液晶配向処理剤および液晶表示素子 |
| KR100752493B1 (ko) * | 1999-11-29 | 2007-08-28 | 고교기쥬츠인쵸 | 액정 배향 처리 방법 및 액정 표시 소자 |
| JP2007279691A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-10-25 | Chisso Corp | 光配向膜及び液晶表示素子 |
| US8057700B2 (en) | 2007-12-07 | 2011-11-15 | Cheil Industries, Inc. | Liquid crystal photo-alignment agent and liquid crystal photo-alignment film and liquid crystal display including the same |
| US8263732B2 (en) | 2006-03-16 | 2012-09-11 | Jnc Corporation | Photo-alignment film and liquid crystal display element |
| US8425799B2 (en) | 2007-10-10 | 2013-04-23 | Cheil Industries Inc. | Photoalignment agent of liquid crystal, photoalignment film of liquid crystal including the same, and liquid crystal display including the same |
| US8487069B2 (en) | 2009-12-16 | 2013-07-16 | Cheil Industries Inc. | Liquid crystal photo-alignment agent, liquid crystal photo-alignment layer manufactured using the same, and liquid crystal display device including the liquid crystal photo-alignment layer |
| US8623515B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-01-07 | Cheil Industries Inc. | Liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film manufactured using the same, and liquid crystal display device including the liquid crystal alignment film |
| WO2014030587A1 (ja) * | 2012-08-21 | 2014-02-27 | 日産化学工業株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
| US8722158B2 (en) | 2008-12-12 | 2014-05-13 | Cheil Industries Inc. | Liquid crystal photo-alignment agent and liquid crystal photo-alignment film manufactured using the same |
| US8969486B2 (en) | 2011-12-19 | 2015-03-03 | Cheil Industries Inc. | Liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film using the same, and liquid crystal display device including the liquid crystal alignment film |
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|---|---|---|---|---|
| KR101212135B1 (ko) * | 2005-06-14 | 2012-12-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101372932B1 (ko) | 2013-04-30 | 2014-03-12 | 한국생산기술연구원 | 펄스 ｕｖ를 이용한 광배향 장치 |
| WO2015002353A1 (ko) | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 한국생산기술연구원 | 편광 펄스 ｕｖ를 이용한 광배향 방법 및 패턴드 리타더 제조방법 |
| KR102008255B1 (ko) | 2013-12-23 | 2019-08-07 | 한국생산기술연구원 | 펄스 ｕｖ를 이용한 광배향 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478682A (en) * | 1993-05-27 | 1995-12-26 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Method for domain-dividing liquid crystal alignment film and liquid crystal device using domain-divided alignment film |
| KR0134832Y1 (ko) * | 1993-11-18 | 1999-03-20 | 이헌조 | 대면적 광경화성 고분자 배향막 제조장치 |
-
1995
- 1995-09-13 JP JP26076895A patent/JP3265567B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-06-14 KR KR1019960021434A patent/KR100423213B1/ko active IP Right Grant
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| KR100752493B1 (ko) * | 1999-11-29 | 2007-08-28 | 고교기쥬츠인쵸 | 액정 배향 처리 방법 및 액정 표시 소자 |
| JP2001290155A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-19 | Agency Of Ind Science & Technol | 液晶配向膜の形成方法 |
| JP2002107733A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Sony Corp | 液晶表示素子 |
| WO2004029706A1 (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 液晶配向処理剤および液晶表示素子 |
| CN100343740C (zh) * | 2002-09-25 | 2007-10-17 | 日产化学工业株式会社 | 液晶取向处理剂及液晶显示元件 |
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| JP2007279691A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-10-25 | Chisso Corp | 光配向膜及び液晶表示素子 |
| KR101416784B1 (ko) * | 2006-03-16 | 2014-07-08 | 제이엔씨 석유 화학 주식회사 | 광 배향막 및 액정 표시 소자 |
| US8425799B2 (en) | 2007-10-10 | 2013-04-23 | Cheil Industries Inc. | Photoalignment agent of liquid crystal, photoalignment film of liquid crystal including the same, and liquid crystal display including the same |
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| US8623515B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-01-07 | Cheil Industries Inc. | Liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film manufactured using the same, and liquid crystal display device including the liquid crystal alignment film |
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| WO2014030587A1 (ja) * | 2012-08-21 | 2014-02-27 | 日産化学工業株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
| JPWO2014030587A1 (ja) * | 2012-08-21 | 2016-07-28 | 日産化学工業株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
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