JPH0977721A - 新規脂環式ジカルボン酸ジエステル及びその製造方法 - Google Patents
新規脂環式ジカルボン酸ジエステル及びその製造方法Info
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- JPH0977721A JPH0977721A JP7236558A JP23655895A JPH0977721A JP H0977721 A JPH0977721 A JP H0977721A JP 7236558 A JP7236558 A JP 7236558A JP 23655895 A JP23655895 A JP 23655895A JP H0977721 A JPH0977721 A JP H0977721A
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- ruthenium
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ジシクロペンタジエンを原料として、ポリエ
ステルの原料モノマーとなる新規なノルボルナン骨格を
有する脂環式ジカルボン酸ジエステル及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 一般式１ （Ｒ1、Ｒ2は独立してＣ１〜６のアルキル基、Ｃ５又は
６のシクロアルキル基を表す。）のジアルキルテトラシ
クロ〔７．２．０．１ 2,8．０3,7〕ドデカ−４，１０−
ジエン−１０，１１−ジカルボキシレート、およびそれ
の一般式２ （Ｒ1、Ｒ2は上記と同じ）のジアルキルアセチレンジカ
ルボキシレートとジシクロペンタジエンを周期律表第８
族金属（Ｒｕ等）触媒を用い付加反応させる製造方法。
ステルの原料モノマーとなる新規なノルボルナン骨格を
有する脂環式ジカルボン酸ジエステル及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 一般式１ （Ｒ1、Ｒ2は独立してＣ１〜６のアルキル基、Ｃ５又は
６のシクロアルキル基を表す。）のジアルキルテトラシ
クロ〔７．２．０．１ 2,8．０3,7〕ドデカ−４，１０−
ジエン−１０，１１−ジカルボキシレート、およびそれ
の一般式２ （Ｒ1、Ｒ2は上記と同じ）のジアルキルアセチレンジカ
ルボキシレートとジシクロペンタジエンを周期律表第８
族金属（Ｒｕ等）触媒を用い付加反応させる製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は式〔１〕
【０００２】
【化４】
【０００３】（Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立して炭素数１〜
６のアルキル基、炭素数５又は６のシクロアルキル基を
表す。）で表される新規なノルボルナン骨格を有する脂
環式ジカルボン酸ジエステルであるジアルキルテトラシ
クロ〔７．２．０．１2,8．０3,7〕ドデカ−４，１０−
ジエン−１０，１１−ジカルボキシレート及びその製造
方法に関する。ノルボナン骨格を有するジカルボン酸ジ
エステルは、一般にエポキシ系熱硬化剤、ポリエステル
樹脂等の樹脂分野の中間原料として有用な化合物であ
る。
６のアルキル基、炭素数５又は６のシクロアルキル基を
表す。）で表される新規なノルボルナン骨格を有する脂
環式ジカルボン酸ジエステルであるジアルキルテトラシ
クロ〔７．２．０．１2,8．０3,7〕ドデカ−４，１０−
ジエン−１０，１１−ジカルボキシレート及びその製造
方法に関する。ノルボナン骨格を有するジカルボン酸ジ
エステルは、一般にエポキシ系熱硬化剤、ポリエステル
樹脂等の樹脂分野の中間原料として有用な化合物であ
る。
【０００４】
【従来の技術】従来ノルボルナン骨格を有するポリエス
テルはガラス転移温度が高く、寸法安定性が優れており
写真用フィルムのベース等に用いられている（米国防衛
特許第８９６０３３号）。これまでのノルボルナン骨格
を有する多環式化合物の合成には、多くの場合多工程を
要し、製造コスト面で不利を強いられていた。
テルはガラス転移温度が高く、寸法安定性が優れており
写真用フィルムのベース等に用いられている（米国防衛
特許第８９６０３３号）。これまでのノルボルナン骨格
を有する多環式化合物の合成には、多くの場合多工程を
要し、製造コスト面で不利を強いられていた。
【０００５】一方、ノルボルネル誘導体とジメチレンア
セチレンジカルボキシレートからルテニウム触媒を用い
てそれらの〔２＋２〕クロス付加体を合成する方法は知
られている（ジヤーナル オブ オーガニック ケミス
トリー ４４巻 ２５号 ４４９２〜４４９６頁（１９
７９年）。しかし、実用的に安価で大量に入手可能なジ
シクロペンタジエンを原料にした検討はなされていなか
った。
セチレンジカルボキシレートからルテニウム触媒を用い
てそれらの〔２＋２〕クロス付加体を合成する方法は知
られている（ジヤーナル オブ オーガニック ケミス
トリー ４４巻 ２５号 ４４９２〜４４９６頁（１９
７９年）。しかし、実用的に安価で大量に入手可能なジ
シクロペンタジエンを原料にした検討はなされていなか
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】工業的に経済的価値が
高いジシクロペンタジエンを原料として、その骨格の特
異性を生かした諸物性の改良されたポリエステルの原料
モノマーとなる新規なノルボルナン骨格を有する脂環式
ジカルボン酸ジエステル及びその製造方法の提供を目的
とする。
高いジシクロペンタジエンを原料として、その骨格の特
異性を生かした諸物性の改良されたポリエステルの原料
モノマーとなる新規なノルボルナン骨格を有する脂環式
ジカルボン酸ジエステル及びその製造方法の提供を目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、式
〔１〕
〔１〕
【０００８】
【化５】
【０００９】（Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立して炭素数１〜
６のアルキル基、炭素数５又は６のシクロアルキル基を
表す。）で表されるジアルキルテトラシクロ〔７．２．
０．１2,8．０3,7〕ドデカ−４，１０−ジエン−１０，
１１−ジカルボキシレートに関する。また、本発明は、
式〔２〕
６のアルキル基、炭素数５又は６のシクロアルキル基を
表す。）で表されるジアルキルテトラシクロ〔７．２．
０．１2,8．０3,7〕ドデカ−４，１０−ジエン−１０，
１１−ジカルボキシレートに関する。また、本発明は、
式〔２〕
【００１０】
【化６】
【００１１】（Ｒ1、Ｒ2は上記と同じ）で表されるジア
ルキルアセチレンジカルボキシレートとジシクロペンタ
ジエンを触媒として周期律表第８族金属を用い付加反応
させることを特徴とする上記式〔１〕で表されるジアル
キルテトラシクロ〔７．２．０．１2,8．０3,7〕ドデカ
−４，１０−ジエン−１０，１１−ジカルボキシレート
（以下ＤＡＤＥと略す。）の製造方法に関する。
ルキルアセチレンジカルボキシレートとジシクロペンタ
ジエンを触媒として周期律表第８族金属を用い付加反応
させることを特徴とする上記式〔１〕で表されるジアル
キルテトラシクロ〔７．２．０．１2,8．０3,7〕ドデカ
−４，１０−ジエン−１０，１１−ジカルボキシレート
（以下ＤＡＤＥと略す。）の製造方法に関する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明化合物の製造方法に
つて述べる。出発原料のジシクロペンタジエンは、工業
的に流通している純度の製品をそのまま使用することが
できる。
つて述べる。出発原料のジシクロペンタジエンは、工業
的に流通している純度の製品をそのまま使用することが
できる。
【００１３】もう一方の原料であるジアルキルアセチレ
ンジカルボキシレートは種々の誘導体が使用できる。例
えば、具体的には、ジメチルアセチレンジカルボキシレ
ート、ジエチルアセチレンジカルボキシレート、ジプロ
ピルアセチレンジカルボキシレート、ジブチルアセチレ
ンジカルボキシレート、ジペンチルアセチレンジカルボ
キシレート、ジヘキシルアセチレンジカルボキシレー
ト、ジシクロペンチルアセチレンジカルボキシレート及
びジシクロヘキシルアセチレンジカルボキシレート等が
挙げられる。
ンジカルボキシレートは種々の誘導体が使用できる。例
えば、具体的には、ジメチルアセチレンジカルボキシレ
ート、ジエチルアセチレンジカルボキシレート、ジプロ
ピルアセチレンジカルボキシレート、ジブチルアセチレ
ンジカルボキシレート、ジペンチルアセチレンジカルボ
キシレート、ジヘキシルアセチレンジカルボキシレー
ト、ジシクロペンチルアセチレンジカルボキシレート及
びジシクロヘキシルアセチレンジカルボキシレート等が
挙げられる。
【００１４】触媒として用いる周期律表第８族金属とし
ては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金、鉄、
ニッケル及びコバルト等である。特に好ましいのはルテ
ニウムである。触媒の形態としては、金属錯体、金属
塩、金属単身、担持金属及び金属酸化物等が使用でき
る。
ては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金、鉄、
ニッケル及びコバルト等である。特に好ましいのはルテ
ニウムである。触媒の形態としては、金属錯体、金属
塩、金属単身、担持金属及び金属酸化物等が使用でき
る。
【００１５】金属錯体としては、ヒドリドカルボニルト
リス（トリフェニルホスフィン）金属、ジヒドリドテト
ラキス（トリフェニルホスフィン）金属、ジヒドリドカ
ルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）金属、クロ
ロヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィ
ン）金属、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）
金属、ジクロロテトラキス（トリフェニルホスフィン）
金属、ジクロロビスベンゾニトリル金属、トリス（アセ
チルアセトナト）金属、ジクロロシクロジエン金属、ホ
ルマトジカルボニル金属、ドデカカルボニル三金属、カ
ルボニルビス（トリフェニルホスフィン）金属及びテト
ラキストリフェニルホスフィン金属等が使用できる。
リス（トリフェニルホスフィン）金属、ジヒドリドテト
ラキス（トリフェニルホスフィン）金属、ジヒドリドカ
ルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）金属、クロ
ロヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィ
ン）金属、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）
金属、ジクロロテトラキス（トリフェニルホスフィン）
金属、ジクロロビスベンゾニトリル金属、トリス（アセ
チルアセトナト）金属、ジクロロシクロジエン金属、ホ
ルマトジカルボニル金属、ドデカカルボニル三金属、カ
ルボニルビス（トリフェニルホスフィン）金属及びテト
ラキストリフェニルホスフィン金属等が使用できる。
【００１６】金属塩としては、塩酸、硫酸、硝酸及び燐
酸等の鉱酸塩、蟻酸、酢酸及びプロピオン酸等の有機酸
塩が挙げられる。担持金属としては、炭素、アルミナ及
び珪藻土等の担体に担持させた金属が使用できる。
酸等の鉱酸塩、蟻酸、酢酸及びプロピオン酸等の有機酸
塩が挙げられる。担持金属としては、炭素、アルミナ及
び珪藻土等の担体に担持させた金属が使用できる。
【００１７】更に、具体的にはジヒドリドテトラキス
（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジヒドリドカ
ルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウ
ム、クロロヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホ
スフィン）ルテニウム、ジクロロトリス（トリフェニル
ホスフィン）ルテニウム、ジクロロテトラキス（トリフ
ェニルホスフィン）ルテニウム、トリス（アセチルアセ
トナト）ルテニウム、ジクロロ（η−１，５−シクロオ
クタジエン）ルテニウム、ホルマトジカルボニルルテニ
ウム及びドデカカルボニル三ルテニウム、ヒドリドカル
ボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ジ
クロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム、カルボニル
ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、テトラキス
トリフェニルホスフィンパラジウム、塩化ルテニウム、
ルテニウム／活性炭、パラジウム／活性炭、ルテニウム
黒及び酸化ルテニウム等が挙げられる。
（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジヒドリドカ
ルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウ
ム、クロロヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホ
スフィン）ルテニウム、ジクロロトリス（トリフェニル
ホスフィン）ルテニウム、ジクロロテトラキス（トリフ
ェニルホスフィン）ルテニウム、トリス（アセチルアセ
トナト）ルテニウム、ジクロロ（η−１，５−シクロオ
クタジエン）ルテニウム、ホルマトジカルボニルルテニ
ウム及びドデカカルボニル三ルテニウム、ヒドリドカル
ボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ジ
クロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム、カルボニル
ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、テトラキス
トリフェニルホスフィンパラジウム、塩化ルテニウム、
ルテニウム／活性炭、パラジウム／活性炭、ルテニウム
黒及び酸化ルテニウム等が挙げられる。
【００１８】これらの中で特に好ましいものは、ジヒド
リドテトラキス（トリフェニルホスフィン）ルテニウ
ム、ジヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフ
ィン）ルテニウム、ジクロロトリス（トリフェニルホス
フィン）ルテニウム、ジクロロテトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）ルテニウム、クロロヒドリドカルボニル
トリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム及びトリ
ス（アセチルアセトナト）ルテニウム等である。
リドテトラキス（トリフェニルホスフィン）ルテニウ
ム、ジヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフ
ィン）ルテニウム、ジクロロトリス（トリフェニルホス
フィン）ルテニウム、ジクロロテトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）ルテニウム、クロロヒドリドカルボニル
トリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム及びトリ
ス（アセチルアセトナト）ルテニウム等である。
【００１９】その使用量は、原料のジシクロロペンタジ
エンに対し、０．１〜３０モル％、特には，０．５〜20
モル％が好ましい。本反応では溶媒を使用しなくとも、
反応は進行するが、通常使用する事が好ましい。溶媒と
しては例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン及びキュ
メン等の芳香族炭化水素類及びテトラヒドロフラン、
１，４−ジオキサン及び１，２−ジメトキシエタン等の
エーテル類等が特に好ましいが、他の溶媒例えばヘキサ
ンやヘプタン等の脂肪族炭化水素類でも進行する。
エンに対し、０．１〜３０モル％、特には，０．５〜20
モル％が好ましい。本反応では溶媒を使用しなくとも、
反応は進行するが、通常使用する事が好ましい。溶媒と
しては例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン及びキュ
メン等の芳香族炭化水素類及びテトラヒドロフラン、
１，４−ジオキサン及び１，２−ジメトキシエタン等の
エーテル類等が特に好ましいが、他の溶媒例えばヘキサ
ンやヘプタン等の脂肪族炭化水素類でも進行する。
【００２０】その使用量は、ジシクロペンタジエンに対
し１〜２０重量倍、特には２〜１０重量倍が経済的に好
ましい。また、本反応の原料であるジシクロペンタジエ
ンやジアルキルアセチレンジカルボキシレートの反応中
の重合を抑制するために重合禁止剤を添加することもで
きる。
し１〜２０重量倍、特には２〜１０重量倍が経済的に好
ましい。また、本反応の原料であるジシクロペンタジエ
ンやジアルキルアセチレンジカルボキシレートの反応中
の重合を抑制するために重合禁止剤を添加することもで
きる。
【００２１】重合禁止剤としては例えば、ジフェニルピ
クリルヒドラジン、トリ−ｐ−ニトロフェニルメチル、
Ｎ−（３−Ｎ−オキシアニリノ−１，３−ジメチルブチ
リデン）アニリンオキシド、ｐ−ベンゾキノン、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルカテコール、ニトロベンゼン、ピクリン
酸、ジチオベンゾイルジスルフィド及び塩化銅（II）等
が挙げられる。
クリルヒドラジン、トリ−ｐ−ニトロフェニルメチル、
Ｎ−（３−Ｎ−オキシアニリノ−１，３−ジメチルブチ
リデン）アニリンオキシド、ｐ−ベンゾキノン、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルカテコール、ニトロベンゼン、ピクリン
酸、ジチオベンゾイルジスルフィド及び塩化銅（II）等
が挙げられる。
【００２２】重合禁止剤の添加量は、ジシクロペンタジ
エンやジアルキルアセチレンジカルボキシレートに対し
て０．０１〜１モル％が好ましい。
エンやジアルキルアセチレンジカルボキシレートに対し
て０．０１〜１モル％が好ましい。
【００２３】反応温度は、高温ほど反応が速いが、通常
５０〜１８０℃の範囲、好ましくは６０〜１６０℃の範
囲である。本反応は常圧でも加圧でも、また回分式でも
連続反応でも可能である。以下実施例でさらに具体的に
本発明を説明するが、これらによって本発明が何ら制限
されるものではない。
５０〜１８０℃の範囲、好ましくは６０〜１６０℃の範
囲である。本反応は常圧でも加圧でも、また回分式でも
連続反応でも可能である。以下実施例でさらに具体的に
本発明を説明するが、これらによって本発明が何ら制限
されるものではない。
【００２４】
実施例１ ジシクロペンタジエン１．３２ｇ（１０ミリモル）、ジ
メチルアセチレンジカルボキシレート１．４２ｇ（１０
ミリモリ）、ジヒドリドテトラキス（トリフェニルホス
フィン）ルテニウム（II）〔ＲｕＨ2（ＰＰｈ3）4〕
０．２３ｇ（０．２ミリモル）及びベンゼン１０ｇを反
応フラスコに仕込み、８０℃で２０時間撹拌した。
メチルアセチレンジカルボキシレート１．４２ｇ（１０
ミリモリ）、ジヒドリドテトラキス（トリフェニルホス
フィン）ルテニウム（II）〔ＲｕＨ2（ＰＰｈ3）4〕
０．２３ｇ（０．２ミリモル）及びベンゼン１０ｇを反
応フラスコに仕込み、８０℃で２０時間撹拌した。
【００２５】反応後、濃縮すると油状物質２．２ｇが得
られた。この油状物質をシリカゲルカラムで精製すると
ガスクロマトグラフィーで純度９８．８％の油状物質
１．２ｇが得られた。この油状物質の分析結果は以下の
通りであった。
られた。この油状物質をシリカゲルカラムで精製すると
ガスクロマトグラフィーで純度９８．８％の油状物質
１．２ｇが得られた。この油状物質の分析結果は以下の
通りであった。
【００２６】ＭＡＳＳ（ＥＩ＋ ｍ／ｅ（％））：２７
４（Ｍ+）（８）、２４２（４０）、２１４（３４）、
２０７（３４）、１７７（９８）、１４９（１００）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：５．６
５（ｄｄ，Ｊ1＝２．１Ｈｚ，Ｊ2＝４．８Ｈｚ，１Ｈ，
オレフィン）、５．５５（ｄｄ，Ｊ1＝２．３Ｈｚ，Ｊ2
＝４．６Ｈｚ，１Ｈ，オレフィン）、３．７７（ｓ，６
Ｈ，ＯＣＨ3）、３．１９（ｍ，１Ｈ，エキソ−シクロ
ブテン）、２．８０（ｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，１Ｈ，エン
ド−シクロブテン）、２．７１（ｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，
１Ｈ，エンド−シクロブテン）、２．６９（ｍ，１Ｈ，
エキソ−シクロペンタン）、２．３７（ｄ，Ｊ＝５．３
Ｈｚ，１Ｈ，エキソ−シクロペンタン）、２．２７
（ｍ，２Ｈ，ブリッジヘッド）、２．２５（ｄ，Ｊ＝
５．３Ｈｚ，１Ｈ，エキソ−シクロペンテン）、１．４
７（ｄ，Ｊ＝１０．８Ｈｚ，１Ｈ，ブリッジ）、１．３
０（ｄ，Ｊ＝１０．７Ｈｚ，１Ｈ，ブリッジ） 以上から、本物質は、目的とするジメチルテトラシクロ
〔７．２．０．１2,8．０3,7〕ドデカ−４，１０−ジエ
ン−１０，１１−ジカルボキシレートであることを確認
した。
４（Ｍ+）（８）、２４２（４０）、２１４（３４）、
２０７（３４）、１７７（９８）、１４９（１００）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：５．６
５（ｄｄ，Ｊ1＝２．１Ｈｚ，Ｊ2＝４．８Ｈｚ，１Ｈ，
オレフィン）、５．５５（ｄｄ，Ｊ1＝２．３Ｈｚ，Ｊ2
＝４．６Ｈｚ，１Ｈ，オレフィン）、３．７７（ｓ，６
Ｈ，ＯＣＨ3）、３．１９（ｍ，１Ｈ，エキソ−シクロ
ブテン）、２．８０（ｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，１Ｈ，エン
ド−シクロブテン）、２．７１（ｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，
１Ｈ，エンド−シクロブテン）、２．６９（ｍ，１Ｈ，
エキソ−シクロペンタン）、２．３７（ｄ，Ｊ＝５．３
Ｈｚ，１Ｈ，エキソ−シクロペンタン）、２．２７
（ｍ，２Ｈ，ブリッジヘッド）、２．２５（ｄ，Ｊ＝
５．３Ｈｚ，１Ｈ，エキソ−シクロペンテン）、１．４
７（ｄ，Ｊ＝１０．８Ｈｚ，１Ｈ，ブリッジ）、１．３
０（ｄ，Ｊ＝１０．７Ｈｚ，１Ｈ，ブリッジ） 以上から、本物質は、目的とするジメチルテトラシクロ
〔７．２．０．１2,8．０3,7〕ドデカ−４，１０−ジエ
ン−１０，１１−ジカルボキシレートであることを確認
した。
【００２７】実施例２〜１７ 実施例１において、反応条件を変えた他は同様に操作を
して反応させた結果を表１に示す。
して反応させた結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【図１】実施例１で得たジメチルテトラシクロ〔７．
２．０．１2,8．０3,7〕ドデカ−４，１０−ジエン−１
０，１１−ジカルボキシレートについての1Ｈ−ＮＭＲ
チャート。
２．０．１2,8．０3,7〕ドデカ−４，１０−ジエン−１
０，１１−ジカルボキシレートについての1Ｈ−ＮＭＲ
チャート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｊ 31/24 Ｂ０１Ｊ 31/24 Ｘ Ｃ０７Ｃ 67/347 Ｃ０７Ｃ 67/347 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (3)
- 【請求項１】 式〔１〕 【化１】 （Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数５又は６のシクロアルキル基を表す。）で表
されるジアルキルテトラシクロ〔７．２．０．１2,8．
０3,7〕ドデカ−４，１０−ジエン−１０，１１−ジカ
ルボキシレート。 - 【請求項２】 式〔２〕 【化２】 （Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数５又は６のシクロアルキル基を表す。）で表
されるジアルキルアセチレンジカルボキシレートとジシ
クロペタンジエンを触媒として周期律表第８族金属を用
い付加反応させることを特徴とする式〔１〕 【化３】 （Ｒ1、Ｒ2は上記と同じ。）で表されるジアルキルテト
ラシクロ〔７．２．０．１2,8．０3,7〕ドデカ−４，１
０−ジエン−１０，１１−ジカルボキシレートの製造方
法。 - 【請求項３】 周期律表第８族金属がルテニウム及びパ
ラジウムである請求項２記載のジアルキルテトラシクロ
〔７．２．０．１2,8．０3,7〕ドデカ−４，１０−ジエ
ン−１０，１１−ジカルボキシレートの製造方法。 【０００１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23655895A JP3735902B2 (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 新規脂環式ジカルボン酸ジエステル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23655895A JP3735902B2 (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 新規脂環式ジカルボン酸ジエステル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0977721A true JPH0977721A (ja) | 1997-03-25 |
| JP3735902B2 JP3735902B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=17002428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23655895A Expired - Fee Related JP3735902B2 (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 新規脂環式ジカルボン酸ジエステル及びその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002020353A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Nissan Chem Ind Ltd | 新規シクロペンテノン化合物及びその製造法 |
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1995
- 1995-09-14 JP JP23655895A patent/JP3735902B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3735902B2 (ja) | 2006-01-18 |
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