JPH0975342A - スイッチ回路及びそれを用いた超音波診断装置 - Google Patents
スイッチ回路及びそれを用いた超音波診断装置Info
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- JPH0975342A JPH0975342A JP7257250A JP25725095A JPH0975342A JP H0975342 A JPH0975342 A JP H0975342A JP 7257250 A JP7257250 A JP 7257250A JP 25725095 A JP25725095 A JP 25725095A JP H0975342 A JPH0975342 A JP H0975342A
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- switch circuit
- probe
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- switching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 対象回路の接続の切り換えを行うスイッチ回
路において、信号の漏れを少なくすると共に、消費電力
を小さくすることにより回路規模を小形化する。 【解決手段】 高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nの
二つの電界効果トランジスタ８ａ，８ｂの共通接続され
たソースに接続したスイッチングダイオード１４を抵抗
１３を介して駆動する電源として、交互にオン、オフす
る上記とは異なる他の二つの電界効果トランジスタ８
ｃ，８ｄを接続して成る回路２６を用い、上記高耐圧ア
ナログスイッチ回路４1〜４nがオフ動作時には上記の電
源回路２６に接続された抵抗１３の一端が接地した状態
となり、上記高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nがオ
ン動作時には上記の電源回路２６に接続された抵抗１３
の一端が該電源回路２６の一つの電界効果トランジスタ
８ｄを介して逆バイアスを印加する状態となるようにし
たものである。これにより、信号の漏れを少なくすると
共に、消費電力を小さくして回路規模を小形化すること
ができる。
路において、信号の漏れを少なくすると共に、消費電力
を小さくすることにより回路規模を小形化する。 【解決手段】 高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nの
二つの電界効果トランジスタ８ａ，８ｂの共通接続され
たソースに接続したスイッチングダイオード１４を抵抗
１３を介して駆動する電源として、交互にオン、オフす
る上記とは異なる他の二つの電界効果トランジスタ８
ｃ，８ｄを接続して成る回路２６を用い、上記高耐圧ア
ナログスイッチ回路４1〜４nがオフ動作時には上記の電
源回路２６に接続された抵抗１３の一端が接地した状態
となり、上記高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nがオ
ン動作時には上記の電源回路２６に接続された抵抗１３
の一端が該電源回路２６の一つの電界効果トランジスタ
８ｄを介して逆バイアスを印加する状態となるようにし
たものである。これにより、信号の漏れを少なくすると
共に、消費電力を小さくして回路規模を小形化すること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号の漏れを少な
くすると共に、消費電力を小さくすることにより回路規
模を小形化することができるスイッチ回路、及びこのス
イッチ回路を送波パルス発生器から印加される送波パル
スと探触子から出力される受波信号との切り換えを行う
切換スイッチとして用いた超音波診断装置に関する。
くすると共に、消費電力を小さくすることにより回路規
模を小形化することができるスイッチ回路、及びこのス
イッチ回路を送波パルス発生器から印加される送波パル
スと探触子から出力される受波信号との切り換えを行う
切換スイッチとして用いた超音波診断装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の超音波診断装置は、特開
平2-136134号公報に記載され、図３に示すように、例え
ば短冊状に形成された複数の振動子素子１1，１2，…，
１nが吸音材の上に隣接して配列され超音波を送受波す
る探触子２と、この探触子２内の各振動子素子１1〜１n
に所定の遅延時間を与えて超音波打ち出しの駆動パルス
を印加するｎ個の送波パルス発生器３1，３2，…，３n
と、縦形の二重拡散電界効果トランジスタ（以下「ＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ」と略称する）の逆直列接続体を含む高
耐圧アナログスイッチ回路４1，４2，…，４nを用い上
記探触子２の振動子素子１1〜１nと送波パルス発生器３
1〜３nとの接続の切り換えを行う切換スイッチ５とを有
して成っていた。
平2-136134号公報に記載され、図３に示すように、例え
ば短冊状に形成された複数の振動子素子１1，１2，…，
１nが吸音材の上に隣接して配列され超音波を送受波す
る探触子２と、この探触子２内の各振動子素子１1〜１n
に所定の遅延時間を与えて超音波打ち出しの駆動パルス
を印加するｎ個の送波パルス発生器３1，３2，…，３n
と、縦形の二重拡散電界効果トランジスタ（以下「ＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ」と略称する）の逆直列接続体を含む高
耐圧アナログスイッチ回路４1，４2，…，４nを用い上
記探触子２の振動子素子１1〜１nと送波パルス発生器３
1〜３nとの接続の切り換えを行う切換スイッチ５とを有
して成っていた。
【０００３】ここで、上記切換スイッチ５として用いら
れる高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nは、符号４1
を付して示す第一の高耐圧アナログスイッチ回路の内部
回路図に示すような構成とされている。すなわち、二つ
のＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ及び８ｂと、発光ダイオード
９及び光起電ダイオードアレイ１０からなる光結合回路
を有し入力端子Ａからの制御信号に応じて光起電電流を
発生する入力部１１と、上記二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ
８ａ，８ｂのオフ時に動作してゲートとソース間を短絡
しそのオフ動作を早めるＦＥＴゲートの制御部１２と、
高電圧源−Ｖから上記二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，
８ｂのソースに共通接続された抵抗１３と、上記高電圧
源−Ｖより電位の低いバイパスコンデンサＣを設けた低
インピーダンス電圧源−Ｖ2に接続されたスイッチング
ダイオード１４と、前記探触子２と接続する信号線の対
地インピーダンスを低くするために上記の抵抗１３より
十分小さい抵抗又はインダクタ１５とから成っている。
なお、符号１６ａ，１６ｂは、それぞれ各ＶＤ ＭＯＳ
ＦＥＴ８ａ，８ｂの寄生ダイオードを示している。ま
た、上記高電圧源−Ｖは、他の入力端子Ｂ側のＶＤ Ｍ
ＯＳ ＦＥＴ８ｃと抵抗１３′とこの抵抗１３′に接続
された高電圧源−Ｖ1とから成る回路より供給される構
成となっている。
れる高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nは、符号４1
を付して示す第一の高耐圧アナログスイッチ回路の内部
回路図に示すような構成とされている。すなわち、二つ
のＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ及び８ｂと、発光ダイオード
９及び光起電ダイオードアレイ１０からなる光結合回路
を有し入力端子Ａからの制御信号に応じて光起電電流を
発生する入力部１１と、上記二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ
８ａ，８ｂのオフ時に動作してゲートとソース間を短絡
しそのオフ動作を早めるＦＥＴゲートの制御部１２と、
高電圧源−Ｖから上記二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，
８ｂのソースに共通接続された抵抗１３と、上記高電圧
源−Ｖより電位の低いバイパスコンデンサＣを設けた低
インピーダンス電圧源−Ｖ2に接続されたスイッチング
ダイオード１４と、前記探触子２と接続する信号線の対
地インピーダンスを低くするために上記の抵抗１３より
十分小さい抵抗又はインダクタ１５とから成っている。
なお、符号１６ａ，１６ｂは、それぞれ各ＶＤ ＭＯＳ
ＦＥＴ８ａ，８ｂの寄生ダイオードを示している。ま
た、上記高電圧源−Ｖは、他の入力端子Ｂ側のＶＤ Ｍ
ＯＳ ＦＥＴ８ｃと抵抗１３′とこの抵抗１３′に接続
された高電圧源−Ｖ1とから成る回路より供給される構
成となっている。
【０００４】次に、上記のように構成された図３に示す
高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nの動作について説
明する。まず、制御信号が入力端子に印加されると、第
一の光結合回路の発光ダイオード９が光を発し、この光
が光起電ダイオードアレイ１０に入射して光起電電流を
発生し、ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのゲートとドレ
イン間の静電容量を充電する。そして、この充電により
ゲート電圧が上昇してＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂを
オンさせる。これにより、送波パルス発生器３1，３2，
…と探触子２の振動子素子１1，１2，…とが接続され、
上記送波パルス発生器３1，３2，…からの駆動パルスが
該当するチャンネルの振動子素子１1，１2，…に印加さ
れ、その振動子素子１1，１2，…から超音波が送波され
る。このとき、上記ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのソ
ースの直流電圧は、他の入力端子Ｂに一の入力端子Ａの
信号と同期して印加される制御電圧によりその入力端子
Ｂ側のＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃがオンするため、ほぼ接
地電位となる。すなわち、高電圧源−Ｖの電位はスイッ
チングダイオード１４がオフとなると共にほぼ接地電位
となるので、入出力信号端の直流電位はほぼ接地電位と
なる。
高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nの動作について説
明する。まず、制御信号が入力端子に印加されると、第
一の光結合回路の発光ダイオード９が光を発し、この光
が光起電ダイオードアレイ１０に入射して光起電電流を
発生し、ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのゲートとドレ
イン間の静電容量を充電する。そして、この充電により
ゲート電圧が上昇してＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂを
オンさせる。これにより、送波パルス発生器３1，３2，
…と探触子２の振動子素子１1，１2，…とが接続され、
上記送波パルス発生器３1，３2，…からの駆動パルスが
該当するチャンネルの振動子素子１1，１2，…に印加さ
れ、その振動子素子１1，１2，…から超音波が送波され
る。このとき、上記ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのソ
ースの直流電圧は、他の入力端子Ｂに一の入力端子Ａの
信号と同期して印加される制御電圧によりその入力端子
Ｂ側のＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃがオンするため、ほぼ接
地電位となる。すなわち、高電圧源−Ｖの電位はスイッ
チングダイオード１４がオフとなると共にほぼ接地電位
となるので、入出力信号端の直流電位はほぼ接地電位と
なる。
【０００５】次に、上記入力端子Ａから制御信号が除か
れると、光結合回路の発光ダイオード９からの発光が止
まり光起電ダイオードアレイ１０には光が入射しないの
で、上記光起電ダイオードアレイ１０は光起電電流を発
生せず、ＦＥＴゲートの制御部１２がスイッチ動作して
ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのゲートとソース間を短
絡することにより、ゲートの電荷を放電させて上記ＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオフさせる。これにより、
送波パルス発生器３1，３2，…と探触子２の振動子素子
１1，１2，…とが遮断され、該当するチャンネルの振動
子素子１1，１2，…からの超音波の送波が停止される。
このとき、上記ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂはオフと
されているので、そのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂの
ソース電位は高電圧源−Ｖ1に近くなる。この状態で
は、スイッチングダイオード１４のアノードの電位は−
Ｖ2であり、この電位は上記高電圧源−Ｖ1より低いの
で、上記スイッチングダイオード１４はオンとなる。こ
のスイッチングダイオード１４には、Ｖ2，Ｖ1間の電位
差と抵抗１３，１３′とにより決まる電流が流れ、この
ときの上記スイッチングダイオード１４の動作抵抗が十
分小さくなるように設計すると、二つＶＤ ＭＯＳ ＦＥ
Ｔ８ａ，８ｂからの信号の漏れは上記スイッチングダイ
オード１４に流れて、探触子２内の振動子素子１1，
１2，…，１nへの漏れを少なくすることができる。
れると、光結合回路の発光ダイオード９からの発光が止
まり光起電ダイオードアレイ１０には光が入射しないの
で、上記光起電ダイオードアレイ１０は光起電電流を発
生せず、ＦＥＴゲートの制御部１２がスイッチ動作して
ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのゲートとソース間を短
絡することにより、ゲートの電荷を放電させて上記ＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオフさせる。これにより、
送波パルス発生器３1，３2，…と探触子２の振動子素子
１1，１2，…とが遮断され、該当するチャンネルの振動
子素子１1，１2，…からの超音波の送波が停止される。
このとき、上記ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂはオフと
されているので、そのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂの
ソース電位は高電圧源−Ｖ1に近くなる。この状態で
は、スイッチングダイオード１４のアノードの電位は−
Ｖ2であり、この電位は上記高電圧源−Ｖ1より低いの
で、上記スイッチングダイオード１４はオンとなる。こ
のスイッチングダイオード１４には、Ｖ2，Ｖ1間の電位
差と抵抗１３，１３′とにより決まる電流が流れ、この
ときの上記スイッチングダイオード１４の動作抵抗が十
分小さくなるように設計すると、二つＶＤ ＭＯＳ ＦＥ
Ｔ８ａ，８ｂからの信号の漏れは上記スイッチングダイ
オード１４に流れて、探触子２内の振動子素子１1，
１2，…，１nへの漏れを少なくすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の超音波診断装置における切換スイッチ５として用い
られる高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nは、探触子
２内の振動子素子１1〜１nへの信号の漏れを少なくする
ため、スイッチングダイオード１４の動作抵抗が十分小
さくなるように設計して、二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８
ａ，８ｂからの信号の漏れは上記スイッチングダイオー
ド１４に流れるようにしていたので、該スイッチングダ
イオード１４に流れる電流が大きくなるものであった。
この場合、入力端子Ｂ側も含めて三つのＶＤ ＭＯＳ Ｆ
ＥＴ８ａ，８ｂ，８ｃがオン時に上記スイッチングダイ
オード１４に流れる電流は、上記入力端子Ｂ側に供給さ
れる高電圧源の電位差Ｖ1と抵抗１３′とで決まる。従
って、上記スイッチングダイオード１４に流れる電流を
小さくするには、上記抵抗１３′の値を大きくする必要
がある。ところが、この抵抗１３′の値を大きくする
と、上記スイッチングダイオード１４の動作電流が小さ
くなりすぎることがあるので、該抵抗１３′の値を大き
くするには限界がある。一方、上記抵抗１３′の値を小
さくすると、流れる電流が大きくなると共に消費電力が
大きくなり、抵抗器も大形化して回路規模が大きくな
り、オフセット電圧も高くなるものであった。このこと
から、切換スイッチ５全体が大形化して超音波診断装置
の全体も大形化するものであった。
来の超音波診断装置における切換スイッチ５として用い
られる高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nは、探触子
２内の振動子素子１1〜１nへの信号の漏れを少なくする
ため、スイッチングダイオード１４の動作抵抗が十分小
さくなるように設計して、二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８
ａ，８ｂからの信号の漏れは上記スイッチングダイオー
ド１４に流れるようにしていたので、該スイッチングダ
イオード１４に流れる電流が大きくなるものであった。
この場合、入力端子Ｂ側も含めて三つのＶＤ ＭＯＳ Ｆ
ＥＴ８ａ，８ｂ，８ｃがオン時に上記スイッチングダイ
オード１４に流れる電流は、上記入力端子Ｂ側に供給さ
れる高電圧源の電位差Ｖ1と抵抗１３′とで決まる。従
って、上記スイッチングダイオード１４に流れる電流を
小さくするには、上記抵抗１３′の値を大きくする必要
がある。ところが、この抵抗１３′の値を大きくする
と、上記スイッチングダイオード１４の動作電流が小さ
くなりすぎることがあるので、該抵抗１３′の値を大き
くするには限界がある。一方、上記抵抗１３′の値を小
さくすると、流れる電流が大きくなると共に消費電力が
大きくなり、抵抗器も大形化して回路規模が大きくな
り、オフセット電圧も高くなるものであった。このこと
から、切換スイッチ５全体が大形化して超音波診断装置
の全体も大形化するものであった。
【０００７】そこで、本発明は、このような問題点に対
処し、信号の漏れを少なくすると共に、消費電力を小さ
くすることにより回路規模を小形化することができるス
イッチ回路、及びこのスイッチ回路を送波パルス発生器
から印加される送波パルスと探触子から出力される受波
信号との切り換えを行う切換スイッチとして用いた超音
波診断装置を提供することを目的とする。
処し、信号の漏れを少なくすると共に、消費電力を小さ
くすることにより回路規模を小形化することができるス
イッチ回路、及びこのスイッチ回路を送波パルス発生器
から印加される送波パルスと探触子から出力される受波
信号との切り換えを行う切換スイッチとして用いた超音
波診断装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるスイッチ回路は、二つの電界効果トラ
ンジスタを逆直列接続して成る高耐圧アナログスイッチ
回路を用い、上記二つの電界効果トランジスタのゲート
信号を制御すると共に、これらの電界効果トランジスタ
の共通接続されたソースにオフ動作時に低インピーダン
ス電源で逆バイアスするため、上記高耐圧アナログスイ
ッチ回路の二つの電界効果トランジスタの共通接続され
たソースにスイッチングダイオードを接続して成り、対
象回路の接続の切り換えを行うスイッチ回路において、
上記スイッチングダイオードを抵抗を介して駆動する電
源として交互にオン、オフする上記とは異なる他の二つ
の電界効果トランジスタを接続して成る回路を用い、上
記高耐圧アナログスイッチ回路がオフ動作時には上記の
電源回路に接続された抵抗の一端が接地した状態とな
り、上記高耐圧アナログスイッチ回路がオン動作時には
上記の電源回路に接続された抵抗の一端が該電源回路の
一つの電界効果トランジスタを介して逆バイアスを印加
する状態となるようにしたものである。
に、本発明によるスイッチ回路は、二つの電界効果トラ
ンジスタを逆直列接続して成る高耐圧アナログスイッチ
回路を用い、上記二つの電界効果トランジスタのゲート
信号を制御すると共に、これらの電界効果トランジスタ
の共通接続されたソースにオフ動作時に低インピーダン
ス電源で逆バイアスするため、上記高耐圧アナログスイ
ッチ回路の二つの電界効果トランジスタの共通接続され
たソースにスイッチングダイオードを接続して成り、対
象回路の接続の切り換えを行うスイッチ回路において、
上記スイッチングダイオードを抵抗を介して駆動する電
源として交互にオン、オフする上記とは異なる他の二つ
の電界効果トランジスタを接続して成る回路を用い、上
記高耐圧アナログスイッチ回路がオフ動作時には上記の
電源回路に接続された抵抗の一端が接地した状態とな
り、上記高耐圧アナログスイッチ回路がオン動作時には
上記の電源回路に接続された抵抗の一端が該電源回路の
一つの電界効果トランジスタを介して逆バイアスを印加
する状態となるようにしたものである。
【０００９】また、関連発明としての超音波診断装置
は、複数の振動子素子が配列され超音波を送受波する探
触子と、この探触子内の各振動子素子に所定の遅延時間
を与えて超音波打ち出しの駆動パルスを印加する送波パ
ルス発生器と、この送波パルス発生器から上記探触子へ
印加される送波パルスと該探触子からの受波信号とを切
り換える切換スイッチと、この切換スイッチを介して出
力される探触子からの受波信号を増幅する受信増幅器
と、この受信増幅器からの受波信号に所定の遅延時間を
与える遅延回路を有しこれらの遅延回路で位相が揃えら
れた受波信号を加算して出力する整相回路と、この整相
回路で整相された信号を検波する検波器と、この検波器
からの出力信号を画像として表示する表示装置とを備え
て成る超音波診断装置において、上記切換スイッチとし
て、上記手段のスイッチ回路を用いたものである。
は、複数の振動子素子が配列され超音波を送受波する探
触子と、この探触子内の各振動子素子に所定の遅延時間
を与えて超音波打ち出しの駆動パルスを印加する送波パ
ルス発生器と、この送波パルス発生器から上記探触子へ
印加される送波パルスと該探触子からの受波信号とを切
り換える切換スイッチと、この切換スイッチを介して出
力される探触子からの受波信号を増幅する受信増幅器
と、この受信増幅器からの受波信号に所定の遅延時間を
与える遅延回路を有しこれらの遅延回路で位相が揃えら
れた受波信号を加算して出力する整相回路と、この整相
回路で整相された信号を検波する検波器と、この検波器
からの出力信号を画像として表示する表示装置とを備え
て成る超音波診断装置において、上記切換スイッチとし
て、上記手段のスイッチ回路を用いたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明によるス
イッチ回路の実施の形態を示す回路図である。このスイ
ッチ回路は、例えば超音波診断装置において送波パルス
発生器３1〜３nから探触子２へ印加される送波パルスと
該探触子２からの受波信号との切り換えを行う切換スイ
ッチ５として用いるもので、縦形の二重拡散電界効果ト
ランジスタ（ＶＤＭＯＳ ＦＥＴ）８ａ，８ｂを逆直列
接続して成る高耐圧アナログスイッチ回路４1，４2，
…，４nを用い、上記ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂの
ゲート信号を光結合回路で制御すると共に、これらのＶ
Ｄ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂの共通接続されたソースに
オフ動作時に低インピーダンス電源で逆バイアスして、
対象回路の接続の切り換えを行うものである。
図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明によるス
イッチ回路の実施の形態を示す回路図である。このスイ
ッチ回路は、例えば超音波診断装置において送波パルス
発生器３1〜３nから探触子２へ印加される送波パルスと
該探触子２からの受波信号との切り換えを行う切換スイ
ッチ５として用いるもので、縦形の二重拡散電界効果ト
ランジスタ（ＶＤＭＯＳ ＦＥＴ）８ａ，８ｂを逆直列
接続して成る高耐圧アナログスイッチ回路４1，４2，
…，４nを用い、上記ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂの
ゲート信号を光結合回路で制御すると共に、これらのＶ
Ｄ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂの共通接続されたソースに
オフ動作時に低インピーダンス電源で逆バイアスして、
対象回路の接続の切り換えを行うものである。
【００１１】ここで、本発明においては、上記切換スイ
ッチ５として用いられる高耐圧アナログスイッチ回路４
1〜４nは、符号４1を付して示す第一の高耐圧アナログ
スイッチ回路の内部回路図に示すような構成とされてい
る。すなわち、二つのＶＤＭＯＳ ＦＥＴ８ａ及び８ｂ
と、発光ダイオード９及び光起電ダイオードアレイ１０
からなる光結合回路を有し入力端子Ａからの制御信号に
応じて光起電電流を発生する入力部１１と、上記二つＶ
Ｄ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのオフ時に動作してゲート
とソース間を短絡しそのオフ動作を早めるＦＥＴゲート
の制御部１２と、高電圧源−Ｖから上記二つのＶＤ Ｍ
ＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのソースに共通接続された抵抗
１３と、上記高電圧源−Ｖより電位の低いバイパスコン
デンサＣを設けた低インピーダンス電圧源−Ｖ2に接続
されたスイッチングダイオード１４と、前記探触子２と
接続する信号線の対地インピーダンスを低くするために
上記の抵抗１３より十分小さい抵抗又はインダクタ１５
とから成っている。なお、符号１６ａ，１６ｂは、それ
ぞれ各ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂの寄生ダイオード
を示している。また、上記高電圧源−Ｖは、他の入力端
子Ｂ側のＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃ，８ｄと、トランジス
タ２３と、ダイオード２４と、抵抗２５と、上記一方の
ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｄに接続された電圧源−Ｖ1とか
ら成る回路より供給される構成となっている。すなわ
ち、上記スイッチングダイオード１４を抵抗１３を介し
て駆動する電源として、交互にオン、オフする二つのＶ
Ｄ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃ，８ｄを接続して成る電源回路２
６を用いたものである。
ッチ５として用いられる高耐圧アナログスイッチ回路４
1〜４nは、符号４1を付して示す第一の高耐圧アナログ
スイッチ回路の内部回路図に示すような構成とされてい
る。すなわち、二つのＶＤＭＯＳ ＦＥＴ８ａ及び８ｂ
と、発光ダイオード９及び光起電ダイオードアレイ１０
からなる光結合回路を有し入力端子Ａからの制御信号に
応じて光起電電流を発生する入力部１１と、上記二つＶ
Ｄ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのオフ時に動作してゲート
とソース間を短絡しそのオフ動作を早めるＦＥＴゲート
の制御部１２と、高電圧源−Ｖから上記二つのＶＤ Ｍ
ＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのソースに共通接続された抵抗
１３と、上記高電圧源−Ｖより電位の低いバイパスコン
デンサＣを設けた低インピーダンス電圧源−Ｖ2に接続
されたスイッチングダイオード１４と、前記探触子２と
接続する信号線の対地インピーダンスを低くするために
上記の抵抗１３より十分小さい抵抗又はインダクタ１５
とから成っている。なお、符号１６ａ，１６ｂは、それ
ぞれ各ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂの寄生ダイオード
を示している。また、上記高電圧源−Ｖは、他の入力端
子Ｂ側のＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃ，８ｄと、トランジス
タ２３と、ダイオード２４と、抵抗２５と、上記一方の
ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｄに接続された電圧源−Ｖ1とか
ら成る回路より供給される構成となっている。すなわ
ち、上記スイッチングダイオード１４を抵抗１３を介し
て駆動する電源として、交互にオン、オフする二つのＶ
Ｄ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃ，８ｄを接続して成る電源回路２
６を用いたものである。
【００１２】そして、上記高耐圧アナログスイッチ回路
４1がオフ動作時には上記の電源回路２６に接続された
抵抗１３の一端が接地した状態となり、上記高耐圧アナ
ログスイッチ回路４1がオン動作時には上記の電源回路
２６に接続された抵抗１３の一端が該電源回路２６の一
つの電界効果トランジスタ８ｄを介して逆バイアスを印
加する状態となるように構成されている。
４1がオフ動作時には上記の電源回路２６に接続された
抵抗１３の一端が接地した状態となり、上記高耐圧アナ
ログスイッチ回路４1がオン動作時には上記の電源回路
２６に接続された抵抗１３の一端が該電源回路２６の一
つの電界効果トランジスタ８ｄを介して逆バイアスを印
加する状態となるように構成されている。
【００１３】次に、上記のように構成された図１に示す
高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nの動作について説
明する。まず、制御信号が入力端子Ａに印加されると、
光結合回路の発光ダイオード９が光を発し、この光が光
起電ダイオードアレイ１０に入射して光起電電流を発生
し、ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのゲートとソース間
の静電容量を充電する。そして、この充電によりゲート
電圧が上昇してＶＤＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオンさ
せる。これにより、送波パルス発生器３1，３2，…と探
触子２の振動子素子１1，１2，…とが接続され、上記送
波パルス発生器３1，３2，…からの駆動パルスが該当す
るチャンネルの振動子素子１1，１2，…に印加され、そ
の振動子素子１1，１2，…から超音波が送波される。こ
のとき、他の入力端子Ｂに上記入力端子Ａの信号と同期
して印加される制御電圧により、該入力端子Ｂ側のＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃがオンすると共に、トランジスタ２
３により信号が反転されて他のＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｄ
はオフするため、前記ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂの
ソースの直流電圧はほぼ接地電位となる。すなわち、高
電圧源−Ｖの電位はスイッチングダイオード１４がオフ
となると共にほぼ接地電位となるので、入出力信号端の
直流電位はほぼ接地電位となる。
高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nの動作について説
明する。まず、制御信号が入力端子Ａに印加されると、
光結合回路の発光ダイオード９が光を発し、この光が光
起電ダイオードアレイ１０に入射して光起電電流を発生
し、ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのゲートとソース間
の静電容量を充電する。そして、この充電によりゲート
電圧が上昇してＶＤＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオンさ
せる。これにより、送波パルス発生器３1，３2，…と探
触子２の振動子素子１1，１2，…とが接続され、上記送
波パルス発生器３1，３2，…からの駆動パルスが該当す
るチャンネルの振動子素子１1，１2，…に印加され、そ
の振動子素子１1，１2，…から超音波が送波される。こ
のとき、他の入力端子Ｂに上記入力端子Ａの信号と同期
して印加される制御電圧により、該入力端子Ｂ側のＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃがオンすると共に、トランジスタ２
３により信号が反転されて他のＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｄ
はオフするため、前記ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂの
ソースの直流電圧はほぼ接地電位となる。すなわち、高
電圧源−Ｖの電位はスイッチングダイオード１４がオフ
となると共にほぼ接地電位となるので、入出力信号端の
直流電位はほぼ接地電位となる。
【００１４】ここで、図３に示す従来の高耐圧アナログ
スイッチ回路４1〜４nの動作においては、二つのＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオンにした場合、前記スイ
ッチングダイオード１４に流れる電流ｉ1は、他の入力
端子Ｂ側の高電圧源−Ｖ1に接続された抵抗１３′の値
をＲ′とすると、 ｉ1＝Ｖ1／Ｒ′ …（１） で与えられるが、信号の漏れを少なくするためスイッチ
ングダイオード１４の動作抵抗を十分小さくするように
設計してあるので、この抵抗１３′の値Ｒ′は小さくな
るものであった。このため、上記スイッチングダイオー
ド１４に流れる電流ｉ1は大きくなるものであった。
スイッチ回路４1〜４nの動作においては、二つのＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオンにした場合、前記スイ
ッチングダイオード１４に流れる電流ｉ1は、他の入力
端子Ｂ側の高電圧源−Ｖ1に接続された抵抗１３′の値
をＲ′とすると、 ｉ1＝Ｖ1／Ｒ′ …（１） で与えられるが、信号の漏れを少なくするためスイッチ
ングダイオード１４の動作抵抗を十分小さくするように
設計してあるので、この抵抗１３′の値Ｒ′は小さくな
るものであった。このため、上記スイッチングダイオー
ド１４に流れる電流ｉ1は大きくなるものであった。
【００１５】一方、図１に示す本発明のスイッチ回路に
おける高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nの動作にお
いては、二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオンし
た場合、他の入力端子Ｂ側の電源回路２６のＶＤ ＭＯ
Ｓ ＦＥＴ８ｄはオフとなり、その場合のオフ抵抗をｒ
(off)とし、上記ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのソー
スに共通接続された抵抗１３の値をＲとすると、前記ス
イッチングダイオード１４に流れる電流ｉ2は、 ｉ2＝Ｖ1／（ｒ(off)＋Ｒ） …（２） で与えられるが、このオフ抵抗ｒ(off)は数ＭΩと非常
に大きなものとなる。このため、上記スイッチングダイ
オード１４に流れる電流ｉ2は非常に小さくなる。
おける高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nの動作にお
いては、二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオンし
た場合、他の入力端子Ｂ側の電源回路２６のＶＤ ＭＯ
Ｓ ＦＥＴ８ｄはオフとなり、その場合のオフ抵抗をｒ
(off)とし、上記ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのソー
スに共通接続された抵抗１３の値をＲとすると、前記ス
イッチングダイオード１４に流れる電流ｉ2は、 ｉ2＝Ｖ1／（ｒ(off)＋Ｒ） …（２） で与えられるが、このオフ抵抗ｒ(off)は数ＭΩと非常
に大きなものとなる。このため、上記スイッチングダイ
オード１４に流れる電流ｉ2は非常に小さくなる。
【００１６】次に、前記入力端子Ａから制御信号が除か
れると、光結合回路の発光ダイオード９からの発光が止
まり光起電ダイオードアレイ１０には光が入射しないの
で、上記光起電ダイオードアレイ１０は光起電電流を発
生せず、ＦＥＴゲートの制御部１２がスイッチ動作して
ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのゲートとソース間を短
絡することにより、ゲートの電荷を放電させて上記ＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオフさせる。これにより、
送波パルス発生器３1，３2，…と探触子２の振動子素子
１1，１2，…とが遮断され、該当するチャンネルの振動
子素子１1，１2，…からの超音波の送波が停止される。
このとき、他の入力端子Ｂからの制御信号が除かれ、一
つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｄはオンするが、もう一つの
ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃはオフする。このため、高電圧
源−Ｖ1がＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃのドレイン側にかか
り、高電圧源−Ｖの電位は上記高電圧源−Ｖ1の電位と
一致する。
れると、光結合回路の発光ダイオード９からの発光が止
まり光起電ダイオードアレイ１０には光が入射しないの
で、上記光起電ダイオードアレイ１０は光起電電流を発
生せず、ＦＥＴゲートの制御部１２がスイッチ動作して
ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂのゲートとソース間を短
絡することにより、ゲートの電荷を放電させて上記ＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオフさせる。これにより、
送波パルス発生器３1，３2，…と探触子２の振動子素子
１1，１2，…とが遮断され、該当するチャンネルの振動
子素子１1，１2，…からの超音波の送波が停止される。
このとき、他の入力端子Ｂからの制御信号が除かれ、一
つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｄはオンするが、もう一つの
ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃはオフする。このため、高電圧
源−Ｖ1がＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ｃのドレイン側にかか
り、高電圧源−Ｖの電位は上記高電圧源−Ｖ1の電位と
一致する。
【００１７】ここで、図３に示す従来の高耐圧アナログ
スイッチ回路４1〜４nの動作においては、二つのＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオフにした場合、該ＶＤ Ｍ
ＯＳＦＥＴ８ａ，８ｂのソースは零電位となり、前記ス
イッチングダイオード１４に流れる電流ｉ1′は、 ｉ1′＝（Ｖ2−Ｖ1）／（Ｒ＋Ｒ′） …（３） で与えられる。
スイッチ回路４1〜４nの動作においては、二つのＶＤ
ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオフにした場合、該ＶＤ Ｍ
ＯＳＦＥＴ８ａ，８ｂのソースは零電位となり、前記ス
イッチングダイオード１４に流れる電流ｉ1′は、 ｉ1′＝（Ｖ2−Ｖ1）／（Ｒ＋Ｒ′） …（３） で与えられる。
【００１８】一方、図１に示す本発明のスイッチ回路に
おける高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nの動作にお
いては、二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオフし
た場合、他の入力端子Ｂ側の電源回路２６のＶＤ ＭＯ
Ｓ ＦＥＴ８ｄはオンとなり、その場合のオン抵抗をｒ
(on)とすると、前記スイッチングダイオード１４に流れ
る電流ｉ2′は、 ｉ2′＝（Ｖ2−Ｖ1）／（Ｒ＋ｒ(on)） …（４） で与えられる。ここで、二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８
ａ，８ｂのゲートとソース間の容量をＣとすると、Ｔ＝
ＣＲで決まる時間Ｔで上記二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８
ａ，８ｂのゲートとソース間の容量Ｃに電荷が充電され
るため、上記スイッチングダイオード１４に流れる電流
ｉ2′は、瞬間的に流れるだけとなる。このため、式
（４）に示す電流ｉ2′は、上述の式（３）に示す従来
例における電流ｉ1′よりも小さくなる。従って、本発
明のスイッチ回路の方が従来例のスイッチ回路よりも消
費電力を小さくすることができる。
おける高耐圧アナログスイッチ回路４1〜４nの動作にお
いては、二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８ａ，８ｂをオフし
た場合、他の入力端子Ｂ側の電源回路２６のＶＤ ＭＯ
Ｓ ＦＥＴ８ｄはオンとなり、その場合のオン抵抗をｒ
(on)とすると、前記スイッチングダイオード１４に流れ
る電流ｉ2′は、 ｉ2′＝（Ｖ2−Ｖ1）／（Ｒ＋ｒ(on)） …（４） で与えられる。ここで、二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８
ａ，８ｂのゲートとソース間の容量をＣとすると、Ｔ＝
ＣＲで決まる時間Ｔで上記二つのＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ８
ａ，８ｂのゲートとソース間の容量Ｃに電荷が充電され
るため、上記スイッチングダイオード１４に流れる電流
ｉ2′は、瞬間的に流れるだけとなる。このため、式
（４）に示す電流ｉ2′は、上述の式（３）に示す従来
例における電流ｉ1′よりも小さくなる。従って、本発
明のスイッチ回路の方が従来例のスイッチ回路よりも消
費電力を小さくすることができる。
【００１９】図２は図１に示すスイッチ回路の関連発明
としての超音波診断装置の実施の形態を示すブロック図
である。この超音波診断装置は、超音波を利用して被検
体の診断部位について断層像を得るもので、例えば電子
リニア走査型とされており、短冊状に形成された複数の
振動子素子１1〜１nが配列され超音波を送受波する探触
子２と、この探触子２内の各振動子素子１1〜１nに所定
の遅延時間を与えて超音波打ち出しの駆動パルスを印加
する送波パルス発生器３と、この送波パルス発生器３か
ら上記探触子２へ印加される送波パルスと該探触子２か
らの受波信号とを切り換える切換スイッチ５と、この切
換スイッチ５を介して出力される探触子２からの受波信
号を時間と共に利得を変化させて増幅する受信増幅器６
ａ〜６ｅと、この各受信増幅器６ａ〜６ｅからの出力信
号に所定の遅延時間を与える複数の遅延回路７ａ〜７ｅ
を有しこれらの遅延回路７ａ〜７ｅで位相が揃えられた
受波信号を加算する加算器１８を備えた整相回路１９
と、この整相回路１９で整相された信号を検波する検波
器２０と、この検波器２０からの出力信号を画像として
表示する表示装置２１とを備えて成る。
としての超音波診断装置の実施の形態を示すブロック図
である。この超音波診断装置は、超音波を利用して被検
体の診断部位について断層像を得るもので、例えば電子
リニア走査型とされており、短冊状に形成された複数の
振動子素子１1〜１nが配列され超音波を送受波する探触
子２と、この探触子２内の各振動子素子１1〜１nに所定
の遅延時間を与えて超音波打ち出しの駆動パルスを印加
する送波パルス発生器３と、この送波パルス発生器３か
ら上記探触子２へ印加される送波パルスと該探触子２か
らの受波信号とを切り換える切換スイッチ５と、この切
換スイッチ５を介して出力される探触子２からの受波信
号を時間と共に利得を変化させて増幅する受信増幅器６
ａ〜６ｅと、この各受信増幅器６ａ〜６ｅからの出力信
号に所定の遅延時間を与える複数の遅延回路７ａ〜７ｅ
を有しこれらの遅延回路７ａ〜７ｅで位相が揃えられた
受波信号を加算する加算器１８を備えた整相回路１９
と、この整相回路１９で整相された信号を検波する検波
器２０と、この検波器２０からの出力信号を画像として
表示する表示装置２１とを備えて成る。
【００２０】なお、図２においては、切換スイッチ５は
例えば五つに分けられた振動子素子群を一端方から順次
選択してそれぞれ次段の受信増幅器６ａ〜６ｅに接続す
るようになっており、上記五つの振動子素子群を順次切
り換えて並進させるようになっている。従って、受信増
幅器は５個（６ａ〜６ｅ）設けられている。また、上記
各構成要素の動作は、制御部２２からの制御信号で制御
されるようになっている。
例えば五つに分けられた振動子素子群を一端方から順次
選択してそれぞれ次段の受信増幅器６ａ〜６ｅに接続す
るようになっており、上記五つの振動子素子群を順次切
り換えて並進させるようになっている。従って、受信増
幅器は５個（６ａ〜６ｅ）設けられている。また、上記
各構成要素の動作は、制御部２２からの制御信号で制御
されるようになっている。
【００２１】ここで、本発明においては、上記切換スイ
ッチ５としては、図１に示す回路構成とされ、信号の漏
れを少なくすると共に、消費電力を減少させ、回路規模
の小型化を図ることができる高耐圧アナログスイッチ回
路４1〜４nから成るスイッチ回路が用いられている。こ
のような構成により、本発明の超音波診断装置において
は、上記切換スイッチ５として図１に示すスイッチ回路
（４1〜４n）を用いることにより、装置全体の小型化を
図ることができる。
ッチ５としては、図１に示す回路構成とされ、信号の漏
れを少なくすると共に、消費電力を減少させ、回路規模
の小型化を図ることができる高耐圧アナログスイッチ回
路４1〜４nから成るスイッチ回路が用いられている。こ
のような構成により、本発明の超音波診断装置において
は、上記切換スイッチ５として図１に示すスイッチ回路
（４1〜４n）を用いることにより、装置全体の小型化を
図ることができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によるスイッチ回路（図１参照）
は以上のように構成されたので、高耐圧アナログスイッ
チ回路の二つの電界効果トランジスタの共通接続された
ソースに接続したスイッチングダイオードを抵抗を介し
て駆動する電源として、交互にオン、オフする上記とは
異なる他の二つの電界効果トランジスタを接続して成る
回路を用い、上記高耐圧アナログスイッチ回路がオフ動
作時には上記の電源回路に接続された抵抗の一端が接地
した状態となり、上記高耐圧アナログスイッチ回路がオ
ン動作時には上記の電源回路に接続された抵抗の一端が
該電源回路の一つの電界効果トランジスタを介して逆バ
イアスを印加する状態となるようにできる。これによ
り、信号の漏れを少なくすると共に、消費電力を小さく
して回路規模を小形化することができる。また、上記二
つの電界効果トランジスタのソースの直流電位は接地電
位に近くなり、本発明のスイッチ回路のオン、オフ動作
に伴うオフセット電位の変動がほとんどなく、スイッチ
切換時のノイズの発生も小さくすることができる。
は以上のように構成されたので、高耐圧アナログスイッ
チ回路の二つの電界効果トランジスタの共通接続された
ソースに接続したスイッチングダイオードを抵抗を介し
て駆動する電源として、交互にオン、オフする上記とは
異なる他の二つの電界効果トランジスタを接続して成る
回路を用い、上記高耐圧アナログスイッチ回路がオフ動
作時には上記の電源回路に接続された抵抗の一端が接地
した状態となり、上記高耐圧アナログスイッチ回路がオ
ン動作時には上記の電源回路に接続された抵抗の一端が
該電源回路の一つの電界効果トランジスタを介して逆バ
イアスを印加する状態となるようにできる。これによ
り、信号の漏れを少なくすると共に、消費電力を小さく
して回路規模を小形化することができる。また、上記二
つの電界効果トランジスタのソースの直流電位は接地電
位に近くなり、本発明のスイッチ回路のオン、オフ動作
に伴うオフセット電位の変動がほとんどなく、スイッチ
切換時のノイズの発生も小さくすることができる。
【００２３】また、本発明による超音波診断装置（図２
参照）は以上のように構成されたので、送波パルス発生
器から探触子へ印加される送波パルスと該探触子からの
受波信号とを切り換える切換スイッチとして、前記のス
イッチ回路を用いることにより、装置全体を小型化する
ことができる。
参照）は以上のように構成されたので、送波パルス発生
器から探触子へ印加される送波パルスと該探触子からの
受波信号とを切り換える切換スイッチとして、前記のス
イッチ回路を用いることにより、装置全体を小型化する
ことができる。
【図１】本発明によるスイッチ回路の実施の形態を示す
回路図である。
回路図である。
【図２】図１に示すスイッチ回路の関連発明としての超
音波診断装置の実施の形態を示すブロック図である。
音波診断装置の実施の形態を示すブロック図である。
【図３】従来の超音波診断装置における切換スイッチを
示す回路図である。
示す回路図である。
１1〜１n…振動子素子 ２…探触子 ３，３1〜３n…送波パルス発生器 ４1〜４n…高耐圧アナログスイッチ回路 ５…切換スイッチ ６ａ〜６ｎ…受信増幅器 ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ…ＶＤ ＭＯＳ ＦＥＴ ９…発光ダイオード １０…光起電ダイオードアレイ １１…入力部 １２…制御部 １３…抵抗 １４…スイッチングダイオード １５…抵抗又はインダクタ １９…整相回路 ２０…検波器 ２１…表示装置 ２２…制御部 ２６…電源回路
Claims (2)
- 【請求項１】 二つの電界効果トランジスタを逆直列接
続して成る高耐圧アナログスイッチ回路を用い、上記二
つの電界効果トランジスタのゲート信号を制御すると共
に、これらの電界効果トランジスタの共通接続されたソ
ースにオフ動作時に低インピーダンス電源で逆バイアス
するため、上記高耐圧アナログスイッチ回路の二つの電
界効果トランジスタの共通接続されたソースにスイッチ
ングダイオードを接続して成り、対象回路の接続の切り
換えを行うスイッチ回路において、上記スイッチングダ
イオードを抵抗を介して駆動する電源として交互にオ
ン、オフする上記とは異なる他の二つの電界効果トラン
ジスタを接続して成る回路を用い、上記高耐圧アナログ
スイッチ回路がオフ動作時には上記の電源回路に接続さ
れた抵抗の一端が接地した状態となり、上記高耐圧アナ
ログスイッチ回路がオン動作時には上記の電源回路に接
続された抵抗の一端が該電源回路の一つの電界効果トラ
ンジスタを介して逆バイアスを印加する状態となるよう
にしたことを特徴とするスイッチ回路。 - 【請求項２】 複数の振動子素子が配列され超音波を送
受波する探触子と、この探触子内の各振動子素子に所定
の遅延時間を与えて超音波打ち出しの駆動パルスを印加
する送波パルス発生器と、この送波パルス発生器から上
記探触子へ印加される送波パルスと該探触子からの受波
信号とを切り換える切換スイッチと、この切換スイッチ
を介して出力される探触子からの受波信号を増幅する受
信増幅器と、この受信増幅器からの受波信号に所定の遅
延時間を与える遅延回路を有しこれらの遅延回路で位相
が揃えられた受波信号を加算して出力する整相回路と、
この整相回路で整相された信号を検波する検波器と、こ
の検波器からの出力信号を画像として表示する表示装置
とを備えて成る超音波診断装置において、上記切換スイ
ッチとして、請求項１記載のスイッチ回路を用いたこと
を特徴とする超音波診断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7257250A JPH0975342A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | スイッチ回路及びそれを用いた超音波診断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7257250A JPH0975342A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | スイッチ回路及びそれを用いた超音波診断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0975342A true JPH0975342A (ja) | 1997-03-25 |
Family
ID=17303783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7257250A Pending JPH0975342A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | スイッチ回路及びそれを用いた超音波診断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0975342A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011161167A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Toshiba Corp | 超音波プローブ |
| EP3275374A4 (en) * | 2015-03-25 | 2018-12-05 | Hitachi, Ltd. | Ultrasonic probe, ultrasonic diagnostic device, and method for testing ultrasonic probes |
-
1995
- 1995-09-11 JP JP7257250A patent/JPH0975342A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011161167A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Toshiba Corp | 超音波プローブ |
| EP3275374A4 (en) * | 2015-03-25 | 2018-12-05 | Hitachi, Ltd. | Ultrasonic probe, ultrasonic diagnostic device, and method for testing ultrasonic probes |
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