JPH0971642A - 芳香族ポリカーボネート樹脂 - Google Patents
芳香族ポリカーボネート樹脂Info
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- JPH0971642A JPH0971642A JP16977496A JP16977496A JPH0971642A JP H0971642 A JPH0971642 A JP H0971642A JP 16977496 A JP16977496 A JP 16977496A JP 16977496 A JP16977496 A JP 16977496A JP H0971642 A JPH0971642 A JP H0971642A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電荷輸送能をもち且つ高い機械的強度を有す
る光導電性高分子材料を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で示される構成単位を
含有した芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化１】
る光導電性高分子材料を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で示される構成単位を
含有した芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真用感光体として
有用な新規芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。
有用な新規芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。
【０００２】
【従来の技術】芳香族ポリカーボネート樹脂として、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下ビスフェノールＡと略称する）にホスゲンやジフェニ
ルカーボネートを反応させて得られるポリカーボネート
樹脂がその代表的なものとして知られている。かかるビ
スフェノールＡからのポリカーボネート樹脂は、透明
性、耐熱性、寸法精度および機械的強度などの面で優れ
た性質を有していることから、多くの分野で用いられて
いる。そのひとつの例として、電子写真法において使用
される有機感光体用のバインダー樹脂として様々な検討
がなされている。有機感光体の代表的な構成例として、
導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
積層型感光体が挙げられる。電荷輸送層は低分子電荷輸
送材料とバインダー樹脂より形成され、このバインダー
樹脂として芳香族ポリカーボネート樹脂が多数提案され
ている。しかしながら、低分子電荷輸送材料の含有によ
り、バインダー樹脂が本来有する機械的強度を低下さ
せ、このことが感光体の摩耗性劣化、傷、クラックなど
の原因となり、感光体の耐久性を損うものとなってい
る。
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下ビスフェノールＡと略称する）にホスゲンやジフェニ
ルカーボネートを反応させて得られるポリカーボネート
樹脂がその代表的なものとして知られている。かかるビ
スフェノールＡからのポリカーボネート樹脂は、透明
性、耐熱性、寸法精度および機械的強度などの面で優れ
た性質を有していることから、多くの分野で用いられて
いる。そのひとつの例として、電子写真法において使用
される有機感光体用のバインダー樹脂として様々な検討
がなされている。有機感光体の代表的な構成例として、
導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
積層型感光体が挙げられる。電荷輸送層は低分子電荷輸
送材料とバインダー樹脂より形成され、このバインダー
樹脂として芳香族ポリカーボネート樹脂が多数提案され
ている。しかしながら、低分子電荷輸送材料の含有によ
り、バインダー樹脂が本来有する機械的強度を低下さ
せ、このことが感光体の摩耗性劣化、傷、クラックなど
の原因となり、感光体の耐久性を損うものとなってい
る。
【０００３】一方、ポリビニルアントラセン、ポリビニ
ルピレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミンを側鎖に有するアクリル系樹脂〔Ｍ．Ｓｔｏｌ
ｋａｅｔ ａｌ Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，２１ ９
６９（１９８３）〕およびベンジジン構造を有する芳香
族ポリカーボネート樹脂（特開昭６４−９９６４号公
報）などの光導電性高分子材料が検討されているが、実
用化には至っていない。
ルピレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミンを側鎖に有するアクリル系樹脂〔Ｍ．Ｓｔｏｌ
ｋａｅｔ ａｌ Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，２１ ９
６９（１９８３）〕およびベンジジン構造を有する芳香
族ポリカーボネート樹脂（特開昭６４−９９６４号公
報）などの光導電性高分子材料が検討されているが、実
用化には至っていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
電荷輸送性高分子材料として特に有用な芳香族ポリカー
ボネート樹脂を提供することを、その目的とする。
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
電荷輸送性高分子材料として特に有用な芳香族ポリカー
ボネート樹脂を提供することを、その目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、特定の構成単位を含有する新規芳香族ポリカー
ボネート樹脂により上記課題が解決されることを見出
し、本発明に到った。即ち、本発明は以下の（１）〜
（６）である。 （１）下記一般式（Ｉ）で表される構成単位を含有した
ポリカーボネート樹脂。
た結果、特定の構成単位を含有する新規芳香族ポリカー
ボネート樹脂により上記課題が解決されることを見出
し、本発明に到った。即ち、本発明は以下の（１）〜
（６）である。 （１）下記一般式（Ｉ）で表される構成単位を含有した
ポリカーボネート樹脂。
【０００６】
【化８】
【０００７】〔式中、Ａｒ1，Ａｒ3，Ａｒ4，Ａｒ5，Ａ
ｒ6は同一又は異なる置換もしくは無置換のアリレン基
を表わし、Ａｒ2，Ａｒ7は同一又は異なる置換もしくは
無置換のアリール基を表わす。〕 （２）上記一般式（Ｉ）及び下記一般式（II）で表わさ
れる構成単位からなり、一般式（Ｉ）で表わされる構成
単位の組成比をｋ、一般式（II）で表わされる構成単位
の組成比をｊとしたときに組成比の割合が０＜ｋ／（ｋ
＋ｊ）≦１であるポリカーボネート樹脂。
ｒ6は同一又は異なる置換もしくは無置換のアリレン基
を表わし、Ａｒ2，Ａｒ7は同一又は異なる置換もしくは
無置換のアリール基を表わす。〕 （２）上記一般式（Ｉ）及び下記一般式（II）で表わさ
れる構成単位からなり、一般式（Ｉ）で表わされる構成
単位の組成比をｋ、一般式（II）で表わされる構成単位
の組成比をｊとしたときに組成比の割合が０＜ｋ／（ｋ
＋ｊ）≦１であるポリカーボネート樹脂。
【０００８】
【化９】
【０００９】〔式中、Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族
の２価基、芳香族の２価基又はこれらを連結してできる
２価基、又は、
の２価基、芳香族の２価基又はこれらを連結してできる
２価基、又は、
【００１０】
【化１０】
【００１１】（ここで、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は各々独立
して置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基またはハロゲン原子であり、ａ及びｂ
は各々独立して０〜４の整数であり、ｃ及びｄは各々独
立して０〜３の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数２
〜１２の直鎖状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ
Ｏ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、
して置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基またはハロゲン原子であり、ａ及びｂ
は各々独立して０〜４の整数であり、ｃ及びｄは各々独
立して０〜３の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数２
〜１２の直鎖状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ
Ｏ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、
【００１２】
【化１１】
【００１３】から選ばれ、Ｚ1，Ｚ2は置換もしくは無置
換の脂肪族の２価基又は置換もしくは無置換のアリレン
基を表わし、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11は
各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５の
置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数１〜５の置換
もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換の
アリール基を表わし、又、Ｒ5とＲ6は結合して炭素数５
〜１２の炭素環または複素環を形成してもよく、又、Ｒ
5，Ｒ6はＲ1，Ｒ2と共同で炭素環または複素環を形成し
てもよく、Ｒ12，Ｒ13は単結合又は炭素数１〜４のアル
キレン基を表わし、Ｒ14，Ｒ15は各々独立して炭素数１
〜５の置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは
無置換のアリール基を表し、ｅは０〜４の整数、ｆは０
〜２０の整数、ｇは０〜２０００の整数を表わす。）を
表わす。〕 （３）下記一般式（III）で表わされる繰り返し単位か
らなるポリカーボネート樹脂。
換の脂肪族の２価基又は置換もしくは無置換のアリレン
基を表わし、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11は
各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５の
置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数１〜５の置換
もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換の
アリール基を表わし、又、Ｒ5とＲ6は結合して炭素数５
〜１２の炭素環または複素環を形成してもよく、又、Ｒ
5，Ｒ6はＲ1，Ｒ2と共同で炭素環または複素環を形成し
てもよく、Ｒ12，Ｒ13は単結合又は炭素数１〜４のアル
キレン基を表わし、Ｒ14，Ｒ15は各々独立して炭素数１
〜５の置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは
無置換のアリール基を表し、ｅは０〜４の整数、ｆは０
〜２０の整数、ｇは０〜２０００の整数を表わす。）を
表わす。〕 （３）下記一般式（III）で表わされる繰り返し単位か
らなるポリカーボネート樹脂。
【００１４】
【化１２】
【００１５】〔式中、Ａｒ1〜Ａｒ7、Ｘは前定義と同一
であり、ｎは繰り返し数で２〜５０００の整数を表わ
す。〕 （４）下記一般式（IV）で表わされる構成単位を含有し
たポリカーボネート樹脂。
であり、ｎは繰り返し数で２〜５０００の整数を表わ
す。〕 （４）下記一般式（IV）で表わされる構成単位を含有し
たポリカーボネート樹脂。
【００１６】
【化１３】
【００１７】〔式中、Ａｒ2，Ａｒ4、Ａｒ7は前定義と
同一である。〕 （５）上記一般式（IV）及び上記一般式（II）で表わさ
れる構成単位からなり、一般式（IV）で表わされる構成
単位の組成比をｋ、一般式（II）で表わされる構成単位
の組成比をｊとしたときに組成比の割合が０＜ｋ／（ｋ
＋ｊ）≦１であるポリカーボネート樹脂。 （６）下記一般式（Ｖ）で表わされる繰り返し単位から
なるポリカーボネート樹脂。
同一である。〕 （５）上記一般式（IV）及び上記一般式（II）で表わさ
れる構成単位からなり、一般式（IV）で表わされる構成
単位の組成比をｋ、一般式（II）で表わされる構成単位
の組成比をｊとしたときに組成比の割合が０＜ｋ／（ｋ
＋ｊ）≦１であるポリカーボネート樹脂。 （６）下記一般式（Ｖ）で表わされる繰り返し単位から
なるポリカーボネート樹脂。
【００１８】
【化１４】
【００１９】〔式中、Ａｒ2，Ａｒ4、Ａｒ7、Ｘは前定
義と同一であり、ｎは繰り返し数で２〜５０００の整数
を表わす。〕 上記のように本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は電
荷輸送能を有する前記一般式（Ｉ）、前記一般式（IV）
で示される構成単位を少なくとも含有するポリカーボネ
ート樹脂であり、電荷輸送能を有する前記一般式
（Ｉ）、前記一般式（IV）で示される構成単位のみから
なるポリカーボネート樹脂、または電荷輸送能を有する
前記一般式（Ｉ）、前記一般式（IV）で示される構成単
位と電荷輸送能以外の特性を付与するための構成単位と
して前記一般式（II）で示される構成単位とからなる共
重合ポリカーボネート樹脂、または電荷輸送能を有する
前記一般式（III）、前記一般式（Ｖ）で示される繰り
返し単位からなる交互共重合ポリカーボネート樹脂であ
る。これら芳香族ポリカーボネート樹脂は電荷輸送能を
もち、且つ高い機械的強度を有し、電子写真感光体の電
荷輸送層に要求される電気的な性質、光学的な性質、機
械的な性質を合わせ持ったものである。以下に本発明の
芳香族ポリカーボネート樹脂の製造法について説明す
る。
義と同一であり、ｎは繰り返し数で２〜５０００の整数
を表わす。〕 上記のように本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は電
荷輸送能を有する前記一般式（Ｉ）、前記一般式（IV）
で示される構成単位を少なくとも含有するポリカーボネ
ート樹脂であり、電荷輸送能を有する前記一般式
（Ｉ）、前記一般式（IV）で示される構成単位のみから
なるポリカーボネート樹脂、または電荷輸送能を有する
前記一般式（Ｉ）、前記一般式（IV）で示される構成単
位と電荷輸送能以外の特性を付与するための構成単位と
して前記一般式（II）で示される構成単位とからなる共
重合ポリカーボネート樹脂、または電荷輸送能を有する
前記一般式（III）、前記一般式（Ｖ）で示される繰り
返し単位からなる交互共重合ポリカーボネート樹脂であ
る。これら芳香族ポリカーボネート樹脂は電荷輸送能を
もち、且つ高い機械的強度を有し、電子写真感光体の電
荷輸送層に要求される電気的な性質、光学的な性質、機
械的な性質を合わせ持ったものである。以下に本発明の
芳香族ポリカーボネート樹脂の製造法について説明す
る。
【００２０】本発明のポリカーボネート樹脂は従来ポリ
カーボネート樹脂の製造法として公知の、ビスフェノー
ルと炭酸誘導体との重合と同様の方法で製造できる。す
なわち、下記一般式（VI），（VII）で表わされる電荷
輸送能を有するジオールを少なくとも１種以上使用し、
ビスアリールカーボネートとのエステル交換法やホスゲ
ン等のハロゲン化カルボニル化合物との溶液又は界面重
合法あるいはジオールから誘導されるビスクロロホーメ
ート等のクロロホーメートを用いる方法等により製造さ
れる。ハロゲン化カルボニル化合物としてはホスゲンの
代わりにホスゲンの２量体であるトリクロロメチルクロ
ロホーメートやホスゲンの３量体であるビス（トリクロ
ロメチル）カーボネートも有用であり、塩素以外のハロ
ゲンより誘導されるハロゲン化カルボニル化合物、例え
ば、臭化カルボニル、ヨウ化カルボニル、フッ化カルボ
ニルも有用である。これら公知の製造法については例え
ば「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」（編者：本間
精一、発行：日刊工業新聞社）等に記載されている。
又、一般式（VI），（VII）で表わされる電荷輸送能を
有するジオール１種以上と併用して下記一般式（VIII）
で表わされるジオールを使用し、機械的特性等の改良さ
れた共重合体とすることができる。この場合、一般式
（VIII）で表わされるジオールを１種あるいは複数併用
してもよい。一般式（VI），（VII）で表わされる電荷
輸送能を有するジオールと一般式（VIII）で表わされる
ジオールとの割合は所望の特性により広い範囲から選択
することができる。又、適当な重合操作を選択すること
によって共重合体の中でもランダム共重合体、交互共重
合体、ブロック共重合体、ランダム交互共重合体、ラン
ダムブロック共重合体等を得ることができる。例えば、
一般式（VI），（VII）で表わされる電荷輸送能を有す
るジオールと一般式（VIII）で表わされるジオールをは
じめから均一に混合してホスゲンとの縮合反応を行えば
一般式（Ｉ）あるいは（IV）で表わされる構成単位と一
般式（II）で表わされる構成単位とからなるランダム共
重合体が得られる。又、幾種類かのジオールを反応の途
中から加えることによりランダムブロック共重合体が得
られる。又、一般式（VIII）で表わされるジオールから
誘導されるビスクロロホーメートと一般式（VI），（VI
I）で表わされる電荷輸送能を有するジオールとの縮合
反応を行えば一般式（III），（Ｖ）で表わされる繰り
返し単位からなる交互共重合体が得られる。この場合、
逆に一般式（VI），（VII）で表わされる電荷輸送能を
有するジオールから誘導されるビスクロロホーメートと
一般式（VIII）で表わされるジオールとの縮合反応によ
っても同様に一般式（III），（Ｖ）で表わされる繰り
返し単位からなる交互共重合体が得られる。又、これら
ビスクロロホーメートとジオールとの縮合反応の際、ビ
スクロロホーメート及びジオールを複数使用することに
よりランダム交互共重合体が得られる。
カーボネート樹脂の製造法として公知の、ビスフェノー
ルと炭酸誘導体との重合と同様の方法で製造できる。す
なわち、下記一般式（VI），（VII）で表わされる電荷
輸送能を有するジオールを少なくとも１種以上使用し、
ビスアリールカーボネートとのエステル交換法やホスゲ
ン等のハロゲン化カルボニル化合物との溶液又は界面重
合法あるいはジオールから誘導されるビスクロロホーメ
ート等のクロロホーメートを用いる方法等により製造さ
れる。ハロゲン化カルボニル化合物としてはホスゲンの
代わりにホスゲンの２量体であるトリクロロメチルクロ
ロホーメートやホスゲンの３量体であるビス（トリクロ
ロメチル）カーボネートも有用であり、塩素以外のハロ
ゲンより誘導されるハロゲン化カルボニル化合物、例え
ば、臭化カルボニル、ヨウ化カルボニル、フッ化カルボ
ニルも有用である。これら公知の製造法については例え
ば「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」（編者：本間
精一、発行：日刊工業新聞社）等に記載されている。
又、一般式（VI），（VII）で表わされる電荷輸送能を
有するジオール１種以上と併用して下記一般式（VIII）
で表わされるジオールを使用し、機械的特性等の改良さ
れた共重合体とすることができる。この場合、一般式
（VIII）で表わされるジオールを１種あるいは複数併用
してもよい。一般式（VI），（VII）で表わされる電荷
輸送能を有するジオールと一般式（VIII）で表わされる
ジオールとの割合は所望の特性により広い範囲から選択
することができる。又、適当な重合操作を選択すること
によって共重合体の中でもランダム共重合体、交互共重
合体、ブロック共重合体、ランダム交互共重合体、ラン
ダムブロック共重合体等を得ることができる。例えば、
一般式（VI），（VII）で表わされる電荷輸送能を有す
るジオールと一般式（VIII）で表わされるジオールをは
じめから均一に混合してホスゲンとの縮合反応を行えば
一般式（Ｉ）あるいは（IV）で表わされる構成単位と一
般式（II）で表わされる構成単位とからなるランダム共
重合体が得られる。又、幾種類かのジオールを反応の途
中から加えることによりランダムブロック共重合体が得
られる。又、一般式（VIII）で表わされるジオールから
誘導されるビスクロロホーメートと一般式（VI），（VI
I）で表わされる電荷輸送能を有するジオールとの縮合
反応を行えば一般式（III），（Ｖ）で表わされる繰り
返し単位からなる交互共重合体が得られる。この場合、
逆に一般式（VI），（VII）で表わされる電荷輸送能を
有するジオールから誘導されるビスクロロホーメートと
一般式（VIII）で表わされるジオールとの縮合反応によ
っても同様に一般式（III），（Ｖ）で表わされる繰り
返し単位からなる交互共重合体が得られる。又、これら
ビスクロロホーメートとジオールとの縮合反応の際、ビ
スクロロホーメート及びジオールを複数使用することに
よりランダム交互共重合体が得られる。
【００２１】
【化１５】
【００２２】 ＨＯ−Ｘ−ＯＨ （VIII） 〔各式中のＡｒ1〜Ａｒ7及びＸは前定義と同じ。〕 界面重合においては、ジオールのアルカリ水溶液と水に
対して実質的に不溶性であり、かつ、ポリカーボネート
を溶解する有機溶媒との２相間で炭酸誘導体及び触媒の
存在下に反応を行う。この際、高速撹拌や乳化物質の添
加によって反応媒体を乳化させて行うことによって短時
間で分子量分布の狭いポリカーボネートを得ることがで
きる。アルカリ水溶液に用いる塩基としてはアルカリ金
属又はアルカリ土類金属であり、通常、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸
水素ナトリウム等の炭酸塩等である。これらの塩基は単
独で使用してもよく、又、複数併用してもよい。好まし
い塩基は、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムであ
る。使用される水は蒸留水、イオン交換水が好ましい。
有機溶媒は例えばジクロロメタン、１，２−ジクロロエ
タン、１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエタン、
テトラクロロエタン、ジクロロプロパン等の脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等
の芳香族ハロゲン化炭化水素、又はそれらの混合物であ
る。又、それらにトルエン、キシレン、エチルベンゼン
等の芳香族炭化水素、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂
肪族炭化水素等を混合した有機溶媒でもよい。有機溶媒
は好ましくは、脂肪族ハロゲン化炭化水素、芳香族ハロ
ゲン化炭化水素であり、より好ましくはジクロロメタン
又はクロロベンゼンである。
対して実質的に不溶性であり、かつ、ポリカーボネート
を溶解する有機溶媒との２相間で炭酸誘導体及び触媒の
存在下に反応を行う。この際、高速撹拌や乳化物質の添
加によって反応媒体を乳化させて行うことによって短時
間で分子量分布の狭いポリカーボネートを得ることがで
きる。アルカリ水溶液に用いる塩基としてはアルカリ金
属又はアルカリ土類金属であり、通常、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸
水素ナトリウム等の炭酸塩等である。これらの塩基は単
独で使用してもよく、又、複数併用してもよい。好まし
い塩基は、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムであ
る。使用される水は蒸留水、イオン交換水が好ましい。
有機溶媒は例えばジクロロメタン、１，２−ジクロロエ
タン、１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエタン、
テトラクロロエタン、ジクロロプロパン等の脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等
の芳香族ハロゲン化炭化水素、又はそれらの混合物であ
る。又、それらにトルエン、キシレン、エチルベンゼン
等の芳香族炭化水素、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂
肪族炭化水素等を混合した有機溶媒でもよい。有機溶媒
は好ましくは、脂肪族ハロゲン化炭化水素、芳香族ハロ
ゲン化炭化水素であり、より好ましくはジクロロメタン
又はクロロベンゼンである。
【００２３】ポリカーボネート製造時に使用されるポリ
カーボネート生成触媒は、３級アミン、４級アンモニウ
ム塩、３級ホスフィン、４級ホスホニウム塩、含窒素複
素環化合物及びその塩、イミノエーテル及びその塩、ア
ミド基を有する化合物等である。ポリカーボネート生成
触媒の具体例は、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルア
ミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，４−テ
トラメチレンジアミン、４−ピロリジノピリジン、Ｎ，
Ｎ’−ジメチルピペラジン、Ｎ−エチルピペリジン、ベ
ンジルトリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルト
リエチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモ
ニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムブロマイ
ド、フェニルトリエチルアンモニウムクロライド、トリ
エチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジフェニ
ルブチルホスフィン、テトラ（ヒドロキシメチル）ホス
ホニウムクロライド、ベンジルトリエチルホスホニウム
クロライド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロラ
イド、４−メチルピリジン、１−メチルイミダゾール、
１，２−ジメチルイミダゾール、３−メチルピリダジ
ン、４，６−ジメチルピリミジン、１−シクロヘキシル
−３，５−ジメチルピラゾール、２，３，５，６−テト
ラメチルピラジン等である。これらのポリカーボネート
生成触媒は単独で使用してもよく、又、複数併用しても
よい。ポリカーボネート生成触媒は、好ましくは３級ア
ミンであり、より好ましくは総炭素数３〜３０の３級ア
ミンであり、特に好ましくはトリエチルアミンである。
これら触媒はホスゲンやビスクロロホーメート体等の炭
酸誘導体を反応系に加える前、及び又は加えた後に添加
することができる。
カーボネート生成触媒は、３級アミン、４級アンモニウ
ム塩、３級ホスフィン、４級ホスホニウム塩、含窒素複
素環化合物及びその塩、イミノエーテル及びその塩、ア
ミド基を有する化合物等である。ポリカーボネート生成
触媒の具体例は、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルア
ミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，４−テ
トラメチレンジアミン、４−ピロリジノピリジン、Ｎ，
Ｎ’−ジメチルピペラジン、Ｎ−エチルピペリジン、ベ
ンジルトリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルト
リエチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモ
ニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムブロマイ
ド、フェニルトリエチルアンモニウムクロライド、トリ
エチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジフェニ
ルブチルホスフィン、テトラ（ヒドロキシメチル）ホス
ホニウムクロライド、ベンジルトリエチルホスホニウム
クロライド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロラ
イド、４−メチルピリジン、１−メチルイミダゾール、
１，２−ジメチルイミダゾール、３−メチルピリダジ
ン、４，６−ジメチルピリミジン、１−シクロヘキシル
−３，５−ジメチルピラゾール、２，３，５，６−テト
ラメチルピラジン等である。これらのポリカーボネート
生成触媒は単独で使用してもよく、又、複数併用しても
よい。ポリカーボネート生成触媒は、好ましくは３級ア
ミンであり、より好ましくは総炭素数３〜３０の３級ア
ミンであり、特に好ましくはトリエチルアミンである。
これら触媒はホスゲンやビスクロロホーメート体等の炭
酸誘導体を反応系に加える前、及び又は加えた後に添加
することができる。
【００２４】以上すべての重合操作において分子量を調
節するために分子量調節剤として末端停止剤を用いるこ
とが望ましく、従って本発明で使用されるポリカーボネ
ート樹脂の末端には停止剤にもとずく置換基が結合して
もよい。使用される末端停止剤は、１価の芳香族ヒドロ
キシ化合物、１価の芳香族ヒドロキシ化合物のハロホー
メート誘導体、１価のカルボン酸または１価のカルボン
酸のハライド誘導体等である。１価の芳香族ヒドロキシ
化合物は、例えばフェノール、ｐ−クレゾール、ｏ−エ
チルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｐ−イソプロ
ピルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ
−クミルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、
ｐ−オクチルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、２，
４−キシレノール、ｐ−メトキシフェノール、ｐ−ヘキ
シルオキシフェノール、ｐ−デシルオキシフェノール、
ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−ク
ロロフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ペンタブロモ
フェノール、ペンタクロロフェノール、ｐ−フェニルフ
ェノール、ｐ−イソプロペニルフェノール、２，４−ビ
ス（１−メチル−１−フェニルエチル）フェノール、β
−ナフトール、α−ナフトール、ｐ−（２，４，４−ト
リメチルクロマニル）フェノール、２−（４−メトキシ
フェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
等のフェノール類またはそれらのアルカリ金属塩および
アルカリ土類金属塩である。１価の芳香族ヒドロキシ化
合物のハロホーメート誘導体は、上記の１価の芳香族ヒ
ドロキシ化合物のハロホーメート誘導体等である。
節するために分子量調節剤として末端停止剤を用いるこ
とが望ましく、従って本発明で使用されるポリカーボネ
ート樹脂の末端には停止剤にもとずく置換基が結合して
もよい。使用される末端停止剤は、１価の芳香族ヒドロ
キシ化合物、１価の芳香族ヒドロキシ化合物のハロホー
メート誘導体、１価のカルボン酸または１価のカルボン
酸のハライド誘導体等である。１価の芳香族ヒドロキシ
化合物は、例えばフェノール、ｐ−クレゾール、ｏ−エ
チルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｐ−イソプロ
ピルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ
−クミルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、
ｐ−オクチルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、２，
４−キシレノール、ｐ−メトキシフェノール、ｐ−ヘキ
シルオキシフェノール、ｐ−デシルオキシフェノール、
ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−ク
ロロフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ペンタブロモ
フェノール、ペンタクロロフェノール、ｐ−フェニルフ
ェノール、ｐ−イソプロペニルフェノール、２，４−ビ
ス（１−メチル−１−フェニルエチル）フェノール、β
−ナフトール、α−ナフトール、ｐ−（２，４，４−ト
リメチルクロマニル）フェノール、２−（４−メトキシ
フェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
等のフェノール類またはそれらのアルカリ金属塩および
アルカリ土類金属塩である。１価の芳香族ヒドロキシ化
合物のハロホーメート誘導体は、上記の１価の芳香族ヒ
ドロキシ化合物のハロホーメート誘導体等である。
【００２５】１価のカルボン酸は、例えば酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、ヘプタン酸、カプ
リル酸、２，２−ジメチルプロピオン酸、３−メチル酪
酸、３，３−ジメチル酪酸、４−メチル吉草酸、３，３
−ジメチル吉草酸、４−メチルカプロン酸、３，５−ジ
メチルカプロン酸、フェノキシ酢酸等の脂肪酸類または
それらのアルカリ金属塩およびアルカリ土類金属塩、安
息香酸、ｐ−メチル安息香酸、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル安
息香酸、ｐ−ブトキシ安息香酸、ｐ−オクチルオキシ安
息香酸、ｐ−フェニル安息香酸、ｐ−ベンジル安息香
酸、ｐ−クロロ安息香酸等の安息香酸類またはそれらの
アルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩である。１価の
カルボン酸のハライド誘導体は、上記の１価のカルボン
酸のハライド誘導体等である。これらの末端封止剤は単
独で使用してもよく、又、複数併用してもよい。末端停
止剤は、好ましくは１価の芳香族ヒドロキシ化合物であ
り、より好ましくはフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール又はｐ−クミルフェノールである。本発明の
ポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン
換算数平均分子量で１０００〜５０００００であり、よ
り好ましくは１００００〜２０００００である。
オン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、ヘプタン酸、カプ
リル酸、２，２−ジメチルプロピオン酸、３−メチル酪
酸、３，３−ジメチル酪酸、４−メチル吉草酸、３，３
−ジメチル吉草酸、４−メチルカプロン酸、３，５−ジ
メチルカプロン酸、フェノキシ酢酸等の脂肪酸類または
それらのアルカリ金属塩およびアルカリ土類金属塩、安
息香酸、ｐ−メチル安息香酸、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル安
息香酸、ｐ−ブトキシ安息香酸、ｐ−オクチルオキシ安
息香酸、ｐ−フェニル安息香酸、ｐ−ベンジル安息香
酸、ｐ−クロロ安息香酸等の安息香酸類またはそれらの
アルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩である。１価の
カルボン酸のハライド誘導体は、上記の１価のカルボン
酸のハライド誘導体等である。これらの末端封止剤は単
独で使用してもよく、又、複数併用してもよい。末端停
止剤は、好ましくは１価の芳香族ヒドロキシ化合物であ
り、より好ましくはフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール又はｐ−クミルフェノールである。本発明の
ポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン
換算数平均分子量で１０００〜５０００００であり、よ
り好ましくは１００００〜２０００００である。
【００２６】又、機械的特性を改良するために重合時に
分岐化剤を少量加えることもできる。使用される分岐化
剤は、芳香族性ヒドロキシ基、ハロホーメート基、カル
ボン酸基、カルボン酸ハライド基または活性なハロゲン
原子等から選ばれる反応基を３つ以上（同種でも異種で
もよい）有する化合物である。分岐化剤の具体例は、フ
ロログルシノール、４，６−ジメチル−２，４，６−ト
リス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、４，
６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ヘプタン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、α，α，α’−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）−１−エチル−４−イソプ
ロピルベンゼン、２，４−ビス〔α−メチル−α−（４
−ヒドロキシフェニル）エチル〕フェノール、２−（４
−ヒドロキシフェニル）−２−（２，４−ジヒドロキシ
フェニル）プロパン、トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ホスフィン、１，１，４，４−テトラキス（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス
〔４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
シル〕プロパン、α，α，α’，α’−テトラキス（４
−ヒドロキシフェニル）−１，４−ジエチルベンゼン、
２，２，５，５−テトラキス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサン、１，１，２，３−テトラキス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス（４，４’−
ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、３，
３’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニルエーテ
ル、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ビス（ク
ロロカルボニルオキシ）安息香酸、４−ヒドロキシイソ
フタル酸、４−クロロカルボニルオキシイソフタル酸、
５−ヒドロキシフタル酸、５−クロロカルボニルオキシ
フタル酸、トリメシン酸トリクロライド、シアヌル酸ク
ロライド等である。これらの分岐化剤は単独で使用して
もよく、又、複数併用してもよい。
分岐化剤を少量加えることもできる。使用される分岐化
剤は、芳香族性ヒドロキシ基、ハロホーメート基、カル
ボン酸基、カルボン酸ハライド基または活性なハロゲン
原子等から選ばれる反応基を３つ以上（同種でも異種で
もよい）有する化合物である。分岐化剤の具体例は、フ
ロログルシノール、４，６−ジメチル−２，４，６−ト
リス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、４，
６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ヘプタン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、α，α，α’−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）−１−エチル−４−イソプ
ロピルベンゼン、２，４−ビス〔α−メチル−α−（４
−ヒドロキシフェニル）エチル〕フェノール、２−（４
−ヒドロキシフェニル）−２−（２，４−ジヒドロキシ
フェニル）プロパン、トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ホスフィン、１，１，４，４−テトラキス（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス
〔４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
シル〕プロパン、α，α，α’，α’−テトラキス（４
−ヒドロキシフェニル）−１，４−ジエチルベンゼン、
２，２，５，５−テトラキス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサン、１，１，２，３−テトラキス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス（４，４’−
ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、３，
３’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニルエーテ
ル、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ビス（ク
ロロカルボニルオキシ）安息香酸、４−ヒドロキシイソ
フタル酸、４−クロロカルボニルオキシイソフタル酸、
５−ヒドロキシフタル酸、５−クロロカルボニルオキシ
フタル酸、トリメシン酸トリクロライド、シアヌル酸ク
ロライド等である。これらの分岐化剤は単独で使用して
もよく、又、複数併用してもよい。
【００２７】又、アルカリ水溶液中でのジオールの酸化
を防ぐためにハイドロサルファイト等の酸化防止剤を加
えてもよい。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数
分〜５時間であり、反応中のｐＨは通常１０以上に保つ
ことが好ましい。
を防ぐためにハイドロサルファイト等の酸化防止剤を加
えてもよい。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数
分〜５時間であり、反応中のｐＨは通常１０以上に保つ
ことが好ましい。
【００２８】一方、溶液重合においては、ジオールを溶
媒に溶解し、脱酸剤を添加し、これにビスクロロホーメ
ート又はホスゲン又はホスゲンの多量体を添加すること
により得られる。脱酸剤としては、トリメチルアミン、
トリエチルアミン、トリプロピルアミンのような第３級
アミン及びピリジンが使用される。反応に使用される溶
媒としては、例えばジクロロメタン、ジクロロエタン、
トリクロロエタン、テトラクロロエタン、トリクロロエ
チレン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素及びテ
トラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル系の
溶媒及びピリジンが好ましい。又、界面重合の場合と同
様な分子量調節剤や分岐化剤を用いることができる。反
応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜５時間であ
る。
媒に溶解し、脱酸剤を添加し、これにビスクロロホーメ
ート又はホスゲン又はホスゲンの多量体を添加すること
により得られる。脱酸剤としては、トリメチルアミン、
トリエチルアミン、トリプロピルアミンのような第３級
アミン及びピリジンが使用される。反応に使用される溶
媒としては、例えばジクロロメタン、ジクロロエタン、
トリクロロエタン、テトラクロロエタン、トリクロロエ
チレン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素及びテ
トラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル系の
溶媒及びピリジンが好ましい。又、界面重合の場合と同
様な分子量調節剤や分岐化剤を用いることができる。反
応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜５時間であ
る。
【００２９】又、エステル交換法によっても製造され
る。この場合、不活性ガス存在下にジオールとビスアリ
ールカーボネートを混合し、通常減圧下１２０〜３５０
℃で反応させる。減圧度は段階的に変化させ、最終的に
は１ｍｍＨｇ以下にして生成するフェノール類を系外に
留去させる。反応時間は通常１〜４時間程度である。
又、必要に応じて分子量調節剤や酸化防止剤を加えても
よい。ビスアリールカーボネートとしてはジフェニルカ
ーボネート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フェニル−
ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニルカー
ボネート、ジナフチルカーボネート等が挙げられる。
る。この場合、不活性ガス存在下にジオールとビスアリ
ールカーボネートを混合し、通常減圧下１２０〜３５０
℃で反応させる。減圧度は段階的に変化させ、最終的に
は１ｍｍＨｇ以下にして生成するフェノール類を系外に
留去させる。反応時間は通常１〜４時間程度である。
又、必要に応じて分子量調節剤や酸化防止剤を加えても
よい。ビスアリールカーボネートとしてはジフェニルカ
ーボネート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フェニル−
ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニルカー
ボネート、ジナフチルカーボネート等が挙げられる。
【００３０】以上のようにして得られたポリカーボネー
ト樹脂は重合中に使用した触媒や酸化防止剤、又、未反
応のジオールや末端停止剤、又、重合中に発生した無機
塩等の不純物を除去して使用される。これら精製操作も
先の「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」（編者：本
間精一、発行：日刊工業新聞社）等に記載されている従
来公知の方法を使用できる。又、上記の方法に従って製
造された芳香族ポリカーボネート樹脂には、必要に応じ
て酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤など
の添加剤を加えることができる。次に本発明の主要な構
成単位である一般式（Ｉ）についてさらに詳細に説明す
る。前記一般式（Ｉ）中、Ａｒ2，Ａｒ7は置換もしくは
無置換のアリール基を表わす。
ト樹脂は重合中に使用した触媒や酸化防止剤、又、未反
応のジオールや末端停止剤、又、重合中に発生した無機
塩等の不純物を除去して使用される。これら精製操作も
先の「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」（編者：本
間精一、発行：日刊工業新聞社）等に記載されている従
来公知の方法を使用できる。又、上記の方法に従って製
造された芳香族ポリカーボネート樹脂には、必要に応じ
て酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤など
の添加剤を加えることができる。次に本発明の主要な構
成単位である一般式（Ｉ）についてさらに詳細に説明す
る。前記一般式（Ｉ）中、Ａｒ2，Ａｒ7は置換もしくは
無置換のアリール基を表わす。
【００３１】具体的にはアリール基としてはフェニル
基、ナフチル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、
ピレニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−
フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフ
ェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニ
ル基、５Ｈ−ジベンゾ〔ａ，ｄ〕シクロヘプテニリデン
フェニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ピリジニル
基、ピロリジル基、オキサゾリル基、下記一般式（IX）
で表わされる基等が挙げられる。これらの置換基として
はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハ
ロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換
のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、下
記一般式で表わされるアミノ基が挙げられる。置換もし
くは無置換のアルキル基としては以下のものを挙げるこ
とができる。炭素数１〜５の直鎖又は分岐鎖のアルキル
基であり、これらのアルキル基は更にフッ素原子、シア
ノ基、フェニル基又はハロゲン原子もしくは炭素数１〜
５の直鎖又は分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的にはメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチ
ル基、トリフルオロメチル基、２−シアノエチル基、ベ
ンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル
基等が挙げられる。又、置換もしくは無置換のアルコシ
基のアルキル基は前に定義した置換もしくは無置換のア
ルキル基と同じである。
基、ナフチル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、
ピレニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−
フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフ
ェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニ
ル基、５Ｈ−ジベンゾ〔ａ，ｄ〕シクロヘプテニリデン
フェニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ピリジニル
基、ピロリジル基、オキサゾリル基、下記一般式（IX）
で表わされる基等が挙げられる。これらの置換基として
はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハ
ロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換
のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、下
記一般式で表わされるアミノ基が挙げられる。置換もし
くは無置換のアルキル基としては以下のものを挙げるこ
とができる。炭素数１〜５の直鎖又は分岐鎖のアルキル
基であり、これらのアルキル基は更にフッ素原子、シア
ノ基、フェニル基又はハロゲン原子もしくは炭素数１〜
５の直鎖又は分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的にはメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチ
ル基、トリフルオロメチル基、２−シアノエチル基、ベ
ンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル
基等が挙げられる。又、置換もしくは無置換のアルコシ
基のアルキル基は前に定義した置換もしくは無置換のア
ルキル基と同じである。
【００３２】
【化１６】
【００３３】〔式中、Ｂは−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，
−ＳＯ2−，−ＣＯ−及び以下の２価基から選ばれる。
−ＳＯ2−，−ＣＯ−及び以下の２価基から選ばれる。
【００３４】
【化１７】
【００３５】（ここで、Ｒ16は水素原子、前に定義され
た置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置
換のアルコキシ基、ハロゲン原子、前に定義された置換
もしくは無置換のアリール基、アミノ基、ニトロ基、シ
アノ基を表わし、Ｒ17は水素原子、前に定義された置換
もしくは無置換のアルキル基、前に定義された置換もし
くは無置換のアリール基を表わし、ｈは１〜１２の整
数、ｉは１〜３の整数を表わす。）〕
た置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置
換のアルコキシ基、ハロゲン原子、前に定義された置換
もしくは無置換のアリール基、アミノ基、ニトロ基、シ
アノ基を表わし、Ｒ17は水素原子、前に定義された置換
もしくは無置換のアルキル基、前に定義された置換もし
くは無置換のアリール基を表わし、ｈは１〜１２の整
数、ｉは１〜３の整数を表わす。）〕
【００３６】
【化１８】
【００３７】〔式中、Ｒ18，Ｒ19は前に定義された置換
もしくは無置換のアルキル基、前に定義された置換もし
くは無置換のアリール基を表わすと共にＲ18とＲ19が共
同で環を形成したり、アリール基上の炭素原子と共同で
環を形成してもよい。このような具体例としてピペリジ
ノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。〕 Ａｒ1，Ａｒ3，Ａｒ4，Ａｒ5，Ａｒ6のアリレン基とし
てはＡｒ2，Ａｒ7で定義された置換もしくは無置換のア
リール基から誘導される２価基を挙げることができる。
以上一般式（Ｉ）の構成単位について説明したが同一の
記号については他の一般式中でも同じ定義である。
もしくは無置換のアルキル基、前に定義された置換もし
くは無置換のアリール基を表わすと共にＲ18とＲ19が共
同で環を形成したり、アリール基上の炭素原子と共同で
環を形成してもよい。このような具体例としてピペリジ
ノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。〕 Ａｒ1，Ａｒ3，Ａｒ4，Ａｒ5，Ａｒ6のアリレン基とし
てはＡｒ2，Ａｒ7で定義された置換もしくは無置換のア
リール基から誘導される２価基を挙げることができる。
以上一般式（Ｉ）の構成単位について説明したが同一の
記号については他の一般式中でも同じ定義である。
【００３８】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は電
荷輸送能を有する前記一般式（Ｉ）の構成単位のみから
なるポリカーボネート樹脂及びその構成単位と機械的特
性を調節するためのそれ以外の構成単位との共重合体で
ある。それ以外の構成単位としては従来公知のポリカー
ボネート樹脂の構成単位をそのまま利用することができ
る。例えば「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」（編
者：本間精一、発行：日刊工業新聞社）に記載されてい
る基本単位を利用することができる。このような従来公
知の構成単位のうち、好ましい例として前記一般式（I
I）で表わされる構成単位を挙げることができる。以下
にもう一つの主要な構成単位である一般式（II）につい
てその原料となる前記一般式（VIII）の例を挙げて詳細
に説明する。
荷輸送能を有する前記一般式（Ｉ）の構成単位のみから
なるポリカーボネート樹脂及びその構成単位と機械的特
性を調節するためのそれ以外の構成単位との共重合体で
ある。それ以外の構成単位としては従来公知のポリカー
ボネート樹脂の構成単位をそのまま利用することができ
る。例えば「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」（編
者：本間精一、発行：日刊工業新聞社）に記載されてい
る基本単位を利用することができる。このような従来公
知の構成単位のうち、好ましい例として前記一般式（I
I）で表わされる構成単位を挙げることができる。以下
にもう一つの主要な構成単位である一般式（II）につい
てその原料となる前記一般式（VIII）の例を挙げて詳細
に説明する。
【００３９】一般式（VIII）のＸが脂肪族の２価基、環
状脂肪族の２価基である場合のジオールの代表的具体例
は、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリ
エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテ
トラメチレンエーテルグリコール、１，３−プロパンジ
オール、１，４−ブタンジオール、１，５ペンタンジオ
ール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６
−ヘキサンジオール、１，５−ヘキサンジオール、１，
７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、
１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、
１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカンジ
オール、ネオペンチルグリコール、２−エチル−１，６
−ヘキサンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジ
オール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、２，
２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，３−シ
クロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジオー
ル、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール、２，２−
ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン、キシ
リレンジオール、１，４−ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）ベンゼン、１，４−ビス（３−ヒドロキシプロピ
ル）ベンゼン、１，４−ビス（４−ヒドロキシブチル）
ベンゼン、１，４−ビス（５−ヒドロキシペンチル）ベ
ンゼン、１，４−ビス（６−ヒドロキシヘキシル）ベン
ゼン等である。又、Ｘが芳香族の２価基である場合とし
てはＡｒ2，Ａｒ7で定義された置換もしくは無置換のア
リール基から誘導される２価基を挙げることができる。
又、Ｘは以下に示される２価基を表わす。
状脂肪族の２価基である場合のジオールの代表的具体例
は、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリ
エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテ
トラメチレンエーテルグリコール、１，３−プロパンジ
オール、１，４−ブタンジオール、１，５ペンタンジオ
ール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６
−ヘキサンジオール、１，５−ヘキサンジオール、１，
７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、
１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、
１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカンジ
オール、ネオペンチルグリコール、２−エチル−１，６
−ヘキサンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジ
オール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、２，
２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，３−シ
クロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジオー
ル、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール、２，２−
ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン、キシ
リレンジオール、１，４−ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）ベンゼン、１，４−ビス（３−ヒドロキシプロピ
ル）ベンゼン、１，４−ビス（４−ヒドロキシブチル）
ベンゼン、１，４−ビス（５−ヒドロキシペンチル）ベ
ンゼン、１，４−ビス（６−ヒドロキシヘキシル）ベン
ゼン等である。又、Ｘが芳香族の２価基である場合とし
てはＡｒ2，Ａｒ7で定義された置換もしくは無置換のア
リール基から誘導される２価基を挙げることができる。
又、Ｘは以下に示される２価基を表わす。
【００４０】
【化１９】
【００４１】（ここで、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は独立して
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換
のアリール基またはハロゲン原子であり、ａ及びｂは各
々独立して０〜４の整数であり、ｃ及びｄは各々独立し
て０〜３の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数２〜１
２の直鎖状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ
−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換
のアリール基またはハロゲン原子であり、ａ及びｂは各
々独立して０〜４の整数であり、ｃ及びｄは各々独立し
て０〜３の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数２〜１
２の直鎖状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ
−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、
【００４２】
【化２０】
【００４３】から選ばれ、Ｚ1，Ｚ2は置換もしくは無置
換の脂肪族の２価基又は置換もしくは無置換のアリレン
基を表わし、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11は
各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５の
置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数１〜５の置換
もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換の
アリール基を表わし、又、Ｒ5とＲ6は結合して炭素数５
〜１２の炭素環または複素環を形成してもよく、又、Ｒ
5，Ｒ6はＲ1，Ｒ2と共同で炭素環または複素環を形成し
てもよく、Ｒ12，Ｒ13は単結合又は炭素数１〜４のアル
キレン基を表わし、Ｒ14，Ｒ15は各々独立して炭素数１
〜５の置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは
無置換のアリール基を表し、ｅは０〜４の整数、ｆは０
〜２０の整数、ｇは０〜２０００の整数を表わす。）を
表わす。〕 これらの中で、置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアリール基はいずれも前に定義された
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換
のアリール基と同様である。又、ハロゲン原子はフッ素
原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表わす。又、
Ｚ1，Ｚ2が置換もしくは無置換の脂肪族の２価基である
場合としてはＸが脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基
である場合のジオールからヒドロキシル基を除いた２価
基を挙げることができる。又、Ｚ1，Ｚ2が置換もしくは
無置換のアリレン基である場合としてはＡｒ2，Ａｒ7で
定義された置換もしくは無置換のアリール基から誘導さ
れる２価基を挙げることができる。
換の脂肪族の２価基又は置換もしくは無置換のアリレン
基を表わし、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11は
各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５の
置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数１〜５の置換
もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換の
アリール基を表わし、又、Ｒ5とＲ6は結合して炭素数５
〜１２の炭素環または複素環を形成してもよく、又、Ｒ
5，Ｒ6はＲ1，Ｒ2と共同で炭素環または複素環を形成し
てもよく、Ｒ12，Ｒ13は単結合又は炭素数１〜４のアル
キレン基を表わし、Ｒ14，Ｒ15は各々独立して炭素数１
〜５の置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは
無置換のアリール基を表し、ｅは０〜４の整数、ｆは０
〜２０の整数、ｇは０〜２０００の整数を表わす。）を
表わす。〕 これらの中で、置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアリール基はいずれも前に定義された
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換
のアリール基と同様である。又、ハロゲン原子はフッ素
原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表わす。又、
Ｚ1，Ｚ2が置換もしくは無置換の脂肪族の２価基である
場合としてはＸが脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基
である場合のジオールからヒドロキシル基を除いた２価
基を挙げることができる。又、Ｚ1，Ｚ2が置換もしくは
無置換のアリレン基である場合としてはＡｒ2，Ａｒ7で
定義された置換もしくは無置換のアリール基から誘導さ
れる２価基を挙げることができる。
【００４４】これらＸが芳香族の２価基である場合の好
ましいジオールの代表的具体例としては、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（２−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フ
ェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェ
ニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−１−フェニルエタン、１，３−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−１，１−ジメチルプロパン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−ヒド
ロキシフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２
−メチルプロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−４−メチルペンタン、２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ヘキサン、４，４−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）ノナン、ビス（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フェニル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブ
ロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジクロロ−４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチル
シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ノルボルナン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）アダマンタン、４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−
ジメチルジフェニルエーテル、エチレングリコールビス
（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、４，４’−ジヒ
ドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，
３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキ
シジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルスルホキシド、３，３’−ジメチル−４，４’−
ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒ
ドロキシジフェニルスホン、３，３’−ジメチル−４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスホン、３，３’−ジフ
ェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、
３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジフェニ
ルスルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン、
３，３，３’，３’−テトラメチル−６，６’−ジヒド
ロキシスピロ（ビス）インダン、３，３’，４，４’−
テトラヒドロ−４，４，４’，４’−テトラメチル−
２，２’−スピロビ（２Ｈ−１−ベンゾピラン）−７，
７’−ジオール、トランス−２，３−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−２−ブテン、９，９−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）キサンテン、１，６−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−１，６−ヘキサンジオン、α，α，
α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−ｐ−キシレン、α，α，α’，α’
−テトラメチル−α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｍ−キシレン、２，６−ジヒドロキシジベンゾ
−ｐ−ジオキサン、２，６−ジヒドロキシチアントレ
ン、２，７−ジヒドロキシフェノキサチイン、９，１０
−ジメチル２，７−ジヒドロキシフェナジン、３，６−
ジヒドロキシジベンゾフラン、３，６−ジヒドロキシジ
ベンゾチオフェン、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、１，４−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒド
ロキシピレン、ハイドロキノン、レゾルシン、エチレン
グリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジ
エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエー
ト）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシ
ベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリ
コーンオイル等が挙げられる。又、ジオール２モルとイ
ソフタロイルクロライドまたはテレフタロイルクロライ
ド１モルとの反応により製造されるエステル結合を含む
芳香族ジオールも有用である。
ましいジオールの代表的具体例としては、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（２−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フ
ェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェ
ニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−１−フェニルエタン、１，３−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−１，１−ジメチルプロパン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−ヒド
ロキシフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２
−メチルプロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−４−メチルペンタン、２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ヘキサン、４，４−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）ノナン、ビス（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フェニル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブ
ロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジクロロ−４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチル
シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ノルボルナン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）アダマンタン、４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−
ジメチルジフェニルエーテル、エチレングリコールビス
（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、４，４’−ジヒ
ドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，
３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキ
シジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルスルホキシド、３，３’−ジメチル−４，４’−
ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒ
ドロキシジフェニルスホン、３，３’−ジメチル−４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスホン、３，３’−ジフ
ェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、
３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジフェニ
ルスルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン、
３，３，３’，３’−テトラメチル−６，６’−ジヒド
ロキシスピロ（ビス）インダン、３，３’，４，４’−
テトラヒドロ−４，４，４’，４’−テトラメチル−
２，２’−スピロビ（２Ｈ−１−ベンゾピラン）−７，
７’−ジオール、トランス−２，３−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−２−ブテン、９，９−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）キサンテン、１，６−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−１，６−ヘキサンジオン、α，α，
α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−ｐ−キシレン、α，α，α’，α’
−テトラメチル−α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｍ−キシレン、２，６−ジヒドロキシジベンゾ
−ｐ−ジオキサン、２，６−ジヒドロキシチアントレ
ン、２，７−ジヒドロキシフェノキサチイン、９，１０
−ジメチル２，７−ジヒドロキシフェナジン、３，６−
ジヒドロキシジベンゾフラン、３，６−ジヒドロキシジ
ベンゾチオフェン、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、１，４−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒド
ロキシピレン、ハイドロキノン、レゾルシン、エチレン
グリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジ
エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエー
ト）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシ
ベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリ
コーンオイル等が挙げられる。又、ジオール２モルとイ
ソフタロイルクロライドまたはテレフタロイルクロライ
ド１モルとの反応により製造されるエステル結合を含む
芳香族ジオールも有用である。
【００４５】以上一般式（II）の構成単位についてその
原料となる一般式（VIII）の例を挙げて説明したが同一
の記号については他の一般式中でも同じ定義である。一
般式（Ｉ）の構成単位と一般式（II）の構成単位との共
重合ポリカーボネート樹脂において一般式（Ｉ）の構成
単位の含有する割合は任意の範囲で選択することができ
るが、一般式（Ｉ）の構成単位の含有率はポリカーボネ
ート樹脂の電荷輸送性に対応しているので、好ましくは
全構成単位中５モル％以上、より好ましくは２０モル％
以上含有することが望ましい。
原料となる一般式（VIII）の例を挙げて説明したが同一
の記号については他の一般式中でも同じ定義である。一
般式（Ｉ）の構成単位と一般式（II）の構成単位との共
重合ポリカーボネート樹脂において一般式（Ｉ）の構成
単位の含有する割合は任意の範囲で選択することができ
るが、一般式（Ｉ）の構成単位の含有率はポリカーボネ
ート樹脂の電荷輸送性に対応しているので、好ましくは
全構成単位中５モル％以上、より好ましくは２０モル％
以上含有することが望ましい。
【００４６】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を説明
する。なお、下記実施例において部はすべて重量部であ
る。 実施例１ 下記構造の第３級アミノ基を有するジオール化合物を出
発物質として用いた。
する。なお、下記実施例において部はすべて重量部であ
る。 実施例１ 下記構造の第３級アミノ基を有するジオール化合物を出
発物質として用いた。
【００４７】
【化２１】
【００４８】乾燥ＴＨＦ５０ｍｌに１，４−ビス｛４−
〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−ヒドロキシフェニル）アミ
ノ〕スチリル｝ベンゼン６．４８ｇ（０．０１ｍｏ
ｌ）、トリエチルアミン３．０４ｇ（０．０３ｍｏｌ）
を溶解した。この溶液にジエチレングリコールビスクロ
ロフォーメート２．３１ｇ（０．０１ｍｏｌ）を乾燥Ｔ
ＨＦ８ｍｌに溶かしたものを、水冷下、３０分かけて滴
下した。滴下終了後、粘稠混合物をさらに１５分撹拌
し、０．１ｇのフェノールを５ｍｌの乾燥ＴＨＦに溶か
したものを加えた。５分間撹拌の後、得られた粘稠混合
物をメタノール中に沈殿させ、粗生成物を濾取した。こ
のものに塩化メチレン溶解−メタノール沈殿の処理を２
回施し、沈殿物を濾取、乾燥して下記構造式のポリカー
ボネート樹脂Ｎo.１）を得た。得られた目的物は６．６
１ｇで収率は８２．０％であった。この物のガラス転位
点は１４２℃であった。
〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−ヒドロキシフェニル）アミ
ノ〕スチリル｝ベンゼン６．４８ｇ（０．０１ｍｏ
ｌ）、トリエチルアミン３．０４ｇ（０．０３ｍｏｌ）
を溶解した。この溶液にジエチレングリコールビスクロ
ロフォーメート２．３１ｇ（０．０１ｍｏｌ）を乾燥Ｔ
ＨＦ８ｍｌに溶かしたものを、水冷下、３０分かけて滴
下した。滴下終了後、粘稠混合物をさらに１５分撹拌
し、０．１ｇのフェノールを５ｍｌの乾燥ＴＨＦに溶か
したものを加えた。５分間撹拌の後、得られた粘稠混合
物をメタノール中に沈殿させ、粗生成物を濾取した。こ
のものに塩化メチレン溶解−メタノール沈殿の処理を２
回施し、沈殿物を濾取、乾燥して下記構造式のポリカー
ボネート樹脂Ｎo.１）を得た。得られた目的物は６．６
１ｇで収率は８２．０％であった。この物のガラス転位
点は１４２℃であった。
【００４９】
【化２２】
【００５０】この物の分子量をゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ４１１００ 重量平均分子量 １７７３００ この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図１に示し
たが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動
に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を表１
に示す。
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ４１１００ 重量平均分子量 １７７３００ この物の赤外吸収スペクトル（フィルム）を図１に示し
たが、１７６０ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動
に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を表１
に示す。
【００５１】
【表１】
【００５２】実施例２ 実施例１と同じ第３級アミノ基を有するジオールを出発
物質として用いた。乾燥ＴＨＦ５０ｍｌに１，４−ビス
｛４−〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−ヒドロキシフェニ
ル）アミノ〕スチリル｝ベンゼン６．４８ｇ（０．０１
ｍｏｌ）、トリエチルアミン３．０４ｇ（０．０３ｍｏ
ｌ）を溶解した。この溶液にポリテトラメチレンエーテ
ルグリコールビスクロロフォーメート（平均分子量２５
０のポリテトラメチレンエーテルグリコールより調製）
３．７９ｇ（０．０１ｍｏｌ）を乾燥ＴＨＦ８ｍｌにと
かしたものを、水冷下、３０分かけて滴下した。滴下終
了後、粘稠混合物を更に１５分撹拌し、０．１ｇのフェ
ノールを５ｍｌの乾燥ＴＨＦに溶かしたものを加えた。
５分間乾燥の後、得られた粘稠混合物をメタノール中に
沈殿させ、粗生成物を濾取した。このものにＴＨＦ溶解
−メタノール沈殿の処理を２回施し、沈殿物を濾取、乾
燥して下記構造式のポリカーボネート樹脂（Ｎo.２）を
得た。得られた目的物は８．２８ｇで、収率は８６．８
％であった。
物質として用いた。乾燥ＴＨＦ５０ｍｌに１，４−ビス
｛４−〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−ヒドロキシフェニ
ル）アミノ〕スチリル｝ベンゼン６．４８ｇ（０．０１
ｍｏｌ）、トリエチルアミン３．０４ｇ（０．０３ｍｏ
ｌ）を溶解した。この溶液にポリテトラメチレンエーテ
ルグリコールビスクロロフォーメート（平均分子量２５
０のポリテトラメチレンエーテルグリコールより調製）
３．７９ｇ（０．０１ｍｏｌ）を乾燥ＴＨＦ８ｍｌにと
かしたものを、水冷下、３０分かけて滴下した。滴下終
了後、粘稠混合物を更に１５分撹拌し、０．１ｇのフェ
ノールを５ｍｌの乾燥ＴＨＦに溶かしたものを加えた。
５分間乾燥の後、得られた粘稠混合物をメタノール中に
沈殿させ、粗生成物を濾取した。このものにＴＨＦ溶解
−メタノール沈殿の処理を２回施し、沈殿物を濾取、乾
燥して下記構造式のポリカーボネート樹脂（Ｎo.２）を
得た。得られた目的物は８．２８ｇで、収率は８６．８
％であった。
【００５３】
【化２３】
【００５４】この物の分子量をゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ４０４００ 重量平均分子量 １０７０００ ガラス転移点は８６℃であり、この物の赤外吸収スペク
トル（フィルム）を図２に示したが、１７６０ｃｍ-1に
カーボネートのＣ＝０伸縮振動に基づく吸収が認められ
た。また元素分析結果を表２に示す。
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ４０４００ 重量平均分子量 １０７０００ ガラス転移点は８６℃であり、この物の赤外吸収スペク
トル（フィルム）を図２に示したが、１７６０ｃｍ-1に
カーボネートのＣ＝０伸縮振動に基づく吸収が認められ
た。また元素分析結果を表２に示す。
【００５５】
【表２】
【００５６】実施例３〜１０ 実施例１と同様に操作して下表に示す本発明の芳香族ポ
リカーボネート樹脂を得た。これらの実施例３〜４及び
６〜１０の化合物の基本構造は下記一般式で表わされ
る。
リカーボネート樹脂を得た。これらの実施例３〜４及び
６〜１０の化合物の基本構造は下記一般式で表わされ
る。
【００５７】
【化２４】
【００５８】又、実施例５の化合物の構造は下記式で表
わされる。
わされる。
【００５９】
【化２５】
【００６０】結果を表３に示す。
【００６１】
【表３】
【００６２】応用例 アルミ板上にメタノール／ブタノール混合溶媒に溶解し
たポリアミド樹脂（ＣＭ−８０００：東レ社製）溶液を
ドクターブレードで塗布し、自然乾燥して０．３μｍの
中間層を設けた。この上に電荷発生物質として下記式で
表わされるビスアゾ化合物をシクロヘキサノンで粉砕分
散した分散液をドクターブレードで塗布し、自然乾燥し
て約１μｍの電荷発生層を形成した。
たポリアミド樹脂（ＣＭ−８０００：東レ社製）溶液を
ドクターブレードで塗布し、自然乾燥して０．３μｍの
中間層を設けた。この上に電荷発生物質として下記式で
表わされるビスアゾ化合物をシクロヘキサノンで粉砕分
散した分散液をドクターブレードで塗布し、自然乾燥し
て約１μｍの電荷発生層を形成した。
【００６３】
【化２６】
【００６４】次に電荷輸送物質として実施例１で得られ
たポリカーボネート樹脂Ｎo.１ １部をメチレンジクロ
ライド９部に混合溶解し、この溶液を前記電荷発生層上
にドクターブレードで塗布し、自然乾燥し、次いで１２
０℃で２０分間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を
形成して感光体を作製した。かくしてつくられた感光体
について市販の静電複写紙試験装置〔（株）川口電機製
作所製ＳＰ４２８型〕を用いて暗所で−６ｋＶのコロナ
放電を２０秒間行って帯電せしめた後、感光体の表面電
位Ｖm（Ｖ）を測定し、更に２０秒間暗所に放置した
後、表面電位Ｖ0（Ｖ）を測定した。次いでタングステ
ンランプ光を感光体表面での照度が４．５ｌｕｘになる
ように照射して、Ｖ0が１／２になるまでの時間（秒）
を求め、露光量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を算出した。
その結果、Ｖo＝−７３７（Ｖ）、Ｅ1/2＝０．７６（ｌ
ｕｘ・ｓｅｃ）であった。
たポリカーボネート樹脂Ｎo.１ １部をメチレンジクロ
ライド９部に混合溶解し、この溶液を前記電荷発生層上
にドクターブレードで塗布し、自然乾燥し、次いで１２
０℃で２０分間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を
形成して感光体を作製した。かくしてつくられた感光体
について市販の静電複写紙試験装置〔（株）川口電機製
作所製ＳＰ４２８型〕を用いて暗所で−６ｋＶのコロナ
放電を２０秒間行って帯電せしめた後、感光体の表面電
位Ｖm（Ｖ）を測定し、更に２０秒間暗所に放置した
後、表面電位Ｖ0（Ｖ）を測定した。次いでタングステ
ンランプ光を感光体表面での照度が４．５ｌｕｘになる
ように照射して、Ｖ0が１／２になるまでの時間（秒）
を求め、露光量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を算出した。
その結果、Ｖo＝−７３７（Ｖ）、Ｅ1/2＝０．７６（ｌ
ｕｘ・ｓｅｃ）であった。
【００６５】また、以上の感光体を市販の電子写真複写
機を用いて帯電せしめた後、原図を介して光照射を行っ
て静電潜像を形成せしめ、乾式現像剤を用いて現像し、
得られた画像（トナー画像）を普通紙上に静電転写し、
定着したところ、鮮明な転写画像が得られた。現像剤と
して湿式現像剤を用いた場合も同様に鮮明な転写画像が
得られた。
機を用いて帯電せしめた後、原図を介して光照射を行っ
て静電潜像を形成せしめ、乾式現像剤を用いて現像し、
得られた画像（トナー画像）を普通紙上に静電転写し、
定着したところ、鮮明な転写画像が得られた。現像剤と
して湿式現像剤を用いた場合も同様に鮮明な転写画像が
得られた。
【００６６】
【発明の効果】本発明に係わる新規芳香族ポリカーボネ
ート樹脂は、前記したように光導電性素材として有効に
機能し、又、染料やルイス酸等の増感剤によって光学的
あるいは化学的に増感される。又、電子写真用感光体の
感光層の電荷輸送物質等として好適に使用され、特に電
荷発生層と電荷輸送層を２層に区分した、いわゆる機能
分離型感光層における電荷輸送物質として有用なもので
ある。
ート樹脂は、前記したように光導電性素材として有効に
機能し、又、染料やルイス酸等の増感剤によって光学的
あるいは化学的に増感される。又、電子写真用感光体の
感光層の電荷輸送物質等として好適に使用され、特に電
荷発生層と電荷輸送層を２層に区分した、いわゆる機能
分離型感光層における電荷輸送物質として有用なもので
ある。
【図１】本発明の実施例１の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図２】本発明の実施例２の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図３】本発明の実施例３の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図４】本発明の実施例４の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図５】本発明の実施例５の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図６】本発明の実施例６の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図７】本発明の実施例７の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図８】本発明の実施例８の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図９】本発明の実施例９の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図１０】本発明の実施例１０の化合物の赤外吸収スペ
クトル図。
クトル図。
フロントページの続き (72)発明者 諸岡 勝宏 神奈川県川崎市幸区堀川町66番地２ 保土 谷化学工業株式会社内 (72)発明者 島田 知幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 佐々木 正臣 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 太田 正文 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 有賀 保 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 永井 一清 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (6)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表される構成単位を
含有したポリカーボネート樹脂。 【化１】 〔式中、Ａｒ1，Ａｒ3，Ａｒ4，Ａｒ5，Ａｒ6は同一又
は異なる置換もしくは無置換のアリレン基を表わし、Ａ
ｒ2，Ａｒ7は同一又は異なる置換もしくは無置換のアリ
ール基を表わす。〕 - 【請求項２】 上記一般式（Ｉ）及び下記一般式（II）
で表わされる構成単位からなり、一般式（Ｉ）で表わさ
れる構成単位の組成比をｋ、一般式（II）で表わされる
構成単位の組成比をｊとしたときに組成比の割合が０＜
ｋ／（ｋ＋ｊ）≦１であるポリカーボネート樹脂。 【化２】 〔式中、Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、芳
香族の２価基又はこれらを連結してできる２価基、又
は、 【化３】 （ここで、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は各々独立して置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基またはハロゲン原子であり、ａ及びｂは各々独立し
て０〜４の整数であり、ｃ及びｄは各々独立して０〜３
の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数２〜１２の直鎖
状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
2−、−ＣＯ−、 【化４】 から選ばれ、Ｚ1，Ｚ2は置換もしくは無置換の脂肪族の
２価基又は置換もしくは無置換のアリレン基を表わし、
Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11は各々独立して
水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５の置換もしくは
無置換のアルキル基、炭素数１〜５の置換もしくは無置
換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリール基を
表わし、又、Ｒ5とＲ6は結合して炭素数５〜１２の炭素
環または複素環を形成してもよく、又、Ｒ5，Ｒ6は
Ｒ1，Ｒ2と共同で炭素環または複素環を形成してもよ
く、Ｒ12，Ｒ13は単結合又は炭素数１〜４のアルキレン
基を表わし、Ｒ14，Ｒ15は各々独立して炭素数１〜５の
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換
のアリール基を表し、ｅは０〜４の整数、ｆは０〜２０
の整数、ｇは０〜２０００の整数を表わす。）を表わ
す。〕 - 【請求項３】 下記一般式（III）で表わされる繰り返
し単位からなるポリカーボネート樹脂。 【化５】 〔式中、Ａｒ1〜Ａｒ7、Ｘは前定義と同一であり、ｎは
繰り返し数で２〜５０００の整数を表わす。〕 - 【請求項４】 下記一般式（IV）で表わされる構成単位
を含有したポリカーボネート樹脂。 【化６】 〔式中、Ａｒ2，Ａｒ4、Ａｒ7は前定義と同一であ
る。〕 - 【請求項５】 上記一般式（IV）及び上記一般式（II）
で表わされる構成単位からなり、一般式（IV）で表わさ
れる構成単位の組成比をｋ、一般式（II）で表わされる
構成単位の組成比をｊとしたときに組成比の割合が０＜
ｋ／（ｋ＋ｊ）≦１であるポリカーボネート樹脂。 - 【請求項６】 下記一般式（Ｖ）で表わされる繰り返し
単位からなるポリカーボネート樹脂。 【化７】 〔式中、Ａｒ2，Ａｒ4、Ａｒ7、Ｘは前定義と同一であ
り、ｎは繰り返し数で２〜５０００の整数を表わす。〕
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16977496A JP3352326B2 (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
| US08/671,722 US6027846A (en) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | Electrophotographic photoconductor and aromatic polycarbonate resin for use therein |
| US09/480,636 US6316577B1 (en) | 1995-06-30 | 2000-01-10 | Electrophotographic photoconductor and aromatic polycarbonate resin for use therein |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16597795 | 1995-06-30 | ||
| JP7-165977 | 1995-06-30 | ||
| JP16977496A JP3352326B2 (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971642A true JPH0971642A (ja) | 1997-03-18 |
| JP3352326B2 JP3352326B2 (ja) | 2002-12-03 |
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|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10170739A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路及びその作製方法 |
| JPH10170738A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路及びその作製方法 |
| EP1205808A1 (en) | 2000-11-08 | 2002-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method and apparatus using the photoreceptor |
| JP2004302032A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2004302033A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2005099777A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2005134607A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2005134516A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法 |
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| JP2005156797A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2005181679A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2005215010A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法 |
| EP1600822A2 (en) | 2004-05-25 | 2005-11-30 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method, apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
| US7416823B2 (en) | 2004-01-15 | 2008-08-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image formation method, image formation apparatus, and process cartridge for image formation apparatus using the same |
| EP2017676A1 (en) | 2006-04-17 | 2009-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus, image forming method, and process cartridge |
| EP2078988A2 (en) | 2008-01-10 | 2009-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| US7865114B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-01-04 | Ricoh Company Limited | Image forming apparatus, image forming method and process cartridge |
| US7914959B2 (en) | 2005-11-28 | 2011-03-29 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming method, and image forming apparatus |
| US8043773B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-25 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming apparatus and process cartridge |
| WO2012099182A1 (en) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image forming method, image forming apparatus, and process cartridge using the electrophotographic photoconductor |
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|---|---|---|---|---|
| JP4579151B2 (ja) | 2005-12-27 | 2010-11-10 | 株式会社リコー | 感光体及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP16977496A patent/JP3352326B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JPH10170739A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路及びその作製方法 |
| JPH10170738A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路及びその作製方法 |
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