JPH0968723A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH0968723A JPH0968723A JP22230495A JP22230495A JPH0968723A JP H0968723 A JPH0968723 A JP H0968723A JP 22230495 A JP22230495 A JP 22230495A JP 22230495 A JP22230495 A JP 22230495A JP H0968723 A JPH0968723 A JP H0968723A
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＴＦＴ基板上に有機遮光膜を形成するさいのレ
ジスト残りをなくして表示が暗くなるのを防ぎ、開口率
の低下を防ぐ。 【解決手段】透明絶縁基板１上にゲート電極２および走
査線１１が、次にゲート電極２、走査線１１を覆うよう
にゲート絶縁膜３が、前記ゲート絶縁膜３上、かつ前記
ゲート電極２上にａ−Ｓｉのｉ型半導体層４が、そし
て、前記ａ−Ｓｉのｉ型の半導体層４上の後述のドレイ
ン電極およびソース電極の領域にはａ−Ｓｉのｎ+ 型半
導体層５が形成される。前記ｎ+ 型半導体層５上にはド
レイン電極６およびソース電極７さらに信号線１２が形
成される。次に画素電極８が形成され、この画素電極８
はソース電極７と接続される。そして、信号線１２およ
びＴＦＴの領域を覆い、画素電極８の信号線１２側の外
縁部と重なるように有機遮光膜１０を形成する。
ジスト残りをなくして表示が暗くなるのを防ぎ、開口率
の低下を防ぐ。 【解決手段】透明絶縁基板１上にゲート電極２および走
査線１１が、次にゲート電極２、走査線１１を覆うよう
にゲート絶縁膜３が、前記ゲート絶縁膜３上、かつ前記
ゲート電極２上にａ−Ｓｉのｉ型半導体層４が、そし
て、前記ａ−Ｓｉのｉ型の半導体層４上の後述のドレイ
ン電極およびソース電極の領域にはａ−Ｓｉのｎ+ 型半
導体層５が形成される。前記ｎ+ 型半導体層５上にはド
レイン電極６およびソース電極７さらに信号線１２が形
成される。次に画素電極８が形成され、この画素電極８
はソース電極７と接続される。そして、信号線１２およ
びＴＦＴの領域を覆い、画素電極８の信号線１２側の外
縁部と重なるように有機遮光膜１０を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を用いた液晶表示装置に関するものである。
（ＴＦＴ）を用いた液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＴＦＴを用いる液晶表示装置
は、ガラスのような二枚の透明基板の間に液晶材料が挟
まれており、これら二枚の透明基板のそれぞれの外側に
は偏向板が張り付けられている。また、二枚の透明基板
の一方の基板の液晶側には、通常金属から成る複数の走
査線が一方向に形成され、この走査線の垂直方向に、こ
れも通常金属からなる複数の信号線が形成され、そし
て、これら走査線と信号線の各々の交点には通常アモル
ファスシリコンから成るＴＦＴが形成され、さらに各々
のＴＦＴには通常インジウム・スズ酸化物（以下ＩＴＯ
という）から成る画素電極が接続されてＴＦＴ基板が作
られている。走査線には行を選択する電圧が、また、信
号線には挟まれた液晶に電圧を加えるための信号電圧が
印加される。走査線に行選択電圧が加えられると、相当
する行の画素電極にＴＦＴを通じて信号線からの電圧が
加えられる。
は、ガラスのような二枚の透明基板の間に液晶材料が挟
まれており、これら二枚の透明基板のそれぞれの外側に
は偏向板が張り付けられている。また、二枚の透明基板
の一方の基板の液晶側には、通常金属から成る複数の走
査線が一方向に形成され、この走査線の垂直方向に、こ
れも通常金属からなる複数の信号線が形成され、そし
て、これら走査線と信号線の各々の交点には通常アモル
ファスシリコンから成るＴＦＴが形成され、さらに各々
のＴＦＴには通常インジウム・スズ酸化物（以下ＩＴＯ
という）から成る画素電極が接続されてＴＦＴ基板が作
られている。走査線には行を選択する電圧が、また、信
号線には挟まれた液晶に電圧を加えるための信号電圧が
印加される。走査線に行選択電圧が加えられると、相当
する行の画素電極にＴＦＴを通じて信号線からの電圧が
加えられる。
【０００３】また、前記二枚の透明基板の他方の基板に
は、液晶側に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラー
フィルタ、そして、ＩＴＯから成る共通電極が形成され
対向電極基板が作られている。なお、両方の透明基板の
液晶と接する面にはポリイミドのようなものからなる配
向膜が形成され、この配向膜をラビングして液晶分子を
配向制御する。ここで、画素電極以外の領域にある液晶
分子は適切な配向制御ができないので光漏れがおこる。
その対策としてこの領域には遮光膜が必要である。そこ
で、対向電極基板側あるいはＴＦＴ基板側のどちらか一
方にこの領域を覆うようにブラックマトリクスが形成さ
れる。対向電極基板側に形成される場合のブラックマト
リクスはクロムのような金属から成る遮光膜が用いられ
る。またＴＦＴ基板側に形成される場合のブラックマト
リクスは黒色、あるいは他の色の顔料やカーボンブラッ
クを含むネガ・レジストをパターニングすることによっ
て得られる有機遮光膜が用いられる。
は、液晶側に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラー
フィルタ、そして、ＩＴＯから成る共通電極が形成され
対向電極基板が作られている。なお、両方の透明基板の
液晶と接する面にはポリイミドのようなものからなる配
向膜が形成され、この配向膜をラビングして液晶分子を
配向制御する。ここで、画素電極以外の領域にある液晶
分子は適切な配向制御ができないので光漏れがおこる。
その対策としてこの領域には遮光膜が必要である。そこ
で、対向電極基板側あるいはＴＦＴ基板側のどちらか一
方にこの領域を覆うようにブラックマトリクスが形成さ
れる。対向電極基板側に形成される場合のブラックマト
リクスはクロムのような金属から成る遮光膜が用いられ
る。またＴＦＴ基板側に形成される場合のブラックマト
リクスは黒色、あるいは他の色の顔料やカーボンブラッ
クを含むネガ・レジストをパターニングすることによっ
て得られる有機遮光膜が用いられる。
【０００４】ＴＦＴ基板側に有機遮光膜を用いた公知例
として特開平２−１６６４２２号が知られている。図
６、および図７を用いて、この公知例を説明する。図６
はＴＦＴ基板の平面図，図７はその断面図を示してい
る。ガラス基板２１上には、ＴＦＴ４０のゲート電極２
２が形成される。ゲート電極２２およびガラス基板２１
上にはゲート絶縁膜２３が形成される。ゲート絶縁膜２
３の上にはアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉとい
う）のｉ型半導体層２４が形成され、その上の後述する
ソース領域およびドレイン領域にはａ−Ｓｉのｎ+ 型半
導体層２５が形成される。さらにゲート絶縁膜２３上に
はインジウム・スズ酸化物（以下ＩＴＯという）から成
る画素電極２６が形成される。ａ−Ｓｉのｎ+ 型半導体
層２５上にはＴＦＴのドレイン電極２７およびソース電
極２８が形成される。ソース電極２８は画素電極２６と
接続される。ドレイン電極２７およびソース電極２８の
上および画素電極２６の上には、それぞれパッシベーシ
ョン絶縁膜２９が形成される。パッシベーション絶縁膜
２９の上には、画素電極２６の領域をのぞいてアクリル
系樹脂、光重合開始剤およびカーボン・ブラックから成
る黒色顔料を含むネガ・フォトレジストから成る有機遮
光膜３０が形成される。
として特開平２−１６６４２２号が知られている。図
６、および図７を用いて、この公知例を説明する。図６
はＴＦＴ基板の平面図，図７はその断面図を示してい
る。ガラス基板２１上には、ＴＦＴ４０のゲート電極２
２が形成される。ゲート電極２２およびガラス基板２１
上にはゲート絶縁膜２３が形成される。ゲート絶縁膜２
３の上にはアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉとい
う）のｉ型半導体層２４が形成され、その上の後述する
ソース領域およびドレイン領域にはａ−Ｓｉのｎ+ 型半
導体層２５が形成される。さらにゲート絶縁膜２３上に
はインジウム・スズ酸化物（以下ＩＴＯという）から成
る画素電極２６が形成される。ａ−Ｓｉのｎ+ 型半導体
層２５上にはＴＦＴのドレイン電極２７およびソース電
極２８が形成される。ソース電極２８は画素電極２６と
接続される。ドレイン電極２７およびソース電極２８の
上および画素電極２６の上には、それぞれパッシベーシ
ョン絶縁膜２９が形成される。パッシベーション絶縁膜
２９の上には、画素電極２６の領域をのぞいてアクリル
系樹脂、光重合開始剤およびカーボン・ブラックから成
る黒色顔料を含むネガ・フォトレジストから成る有機遮
光膜３０が形成される。
【０００５】この公知例では、有機遮光膜が画素電極以
外の領域を覆う格子状パターンに形成されている。この
格子パターンの大きさは、通常のノートパソコン等に用
いられる液晶表示装置でおよそ５０μｍ×２５０μｍで
あり細長い形状をしている。したがって、ネガ・フォト
レジストの現像の際のこの格子パターンのため角の部分
への現像液のしみこみ不足のため、この角の部分にレジ
スト残りがでる。この傾向はネガ・フォトレジストの膜
厚が厚い場合、および格子のサイズが小さい場合に顕著
にみられる。通常、有機遮光膜の膜厚は２μｍ程度でこ
の場合でもレジスト残りは問題となる。このレジスト残
り部分は光が通過しないため表示が黒くなるため開口率
の低下となる。
外の領域を覆う格子状パターンに形成されている。この
格子パターンの大きさは、通常のノートパソコン等に用
いられる液晶表示装置でおよそ５０μｍ×２５０μｍで
あり細長い形状をしている。したがって、ネガ・フォト
レジストの現像の際のこの格子パターンのため角の部分
への現像液のしみこみ不足のため、この角の部分にレジ
スト残りがでる。この傾向はネガ・フォトレジストの膜
厚が厚い場合、および格子のサイズが小さい場合に顕著
にみられる。通常、有機遮光膜の膜厚は２μｍ程度でこ
の場合でもレジスト残りは問題となる。このレジスト残
り部分は光が通過しないため表示が黒くなるため開口率
の低下となる。
【０００６】さらに、通常、ラビングは走査線及び信号
線のいずれの方向に対しても斜め４５°程度の方向に行
われるので、格子状の有機遮光膜の角の部分にラビング
不十分な領域が発生し、液晶の配向制御が困難となる。
従って黒表示をした場合、この配向不良の領域で光漏れ
が起こり表示のコントラストが低下する。また、対向基
板電極側にＴＦＴ基板側の画素電極に対向する領域以外
にクロムのような金属でブラックマトリクスとしての遮
光膜を形成した場合は、この遮光膜の反射率が高くなり
表示画面への外光の映りこみなどによって表示品位を損
ねる。
線のいずれの方向に対しても斜め４５°程度の方向に行
われるので、格子状の有機遮光膜の角の部分にラビング
不十分な領域が発生し、液晶の配向制御が困難となる。
従って黒表示をした場合、この配向不良の領域で光漏れ
が起こり表示のコントラストが低下する。また、対向基
板電極側にＴＦＴ基板側の画素電極に対向する領域以外
にクロムのような金属でブラックマトリクスとしての遮
光膜を形成した場合は、この遮光膜の反射率が高くなり
表示画面への外光の映りこみなどによって表示品位を損
ねる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の特開
平２−１６６４２２号のように、ＴＦＴ基板側に画素電
極の領域以外に格子状の有機遮光膜を形成したさいに発
生する、レジスト残りによる開口率の低下およびラビン
グ不十分による配向不良の両方の問題を解決し、さら
に、対向電極基板側にクロムのような金属の遮光膜を形
成したさいの高い反射率による表示品位の低下の問題を
解決するものである。
平２−１６６４２２号のように、ＴＦＴ基板側に画素電
極の領域以外に格子状の有機遮光膜を形成したさいに発
生する、レジスト残りによる開口率の低下およびラビン
グ不十分による配向不良の両方の問題を解決し、さら
に、対向電極基板側にクロムのような金属の遮光膜を形
成したさいの高い反射率による表示品位の低下の問題を
解決するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上に
平行に形成された複数の走査線とこれに直交する複数の
信号線とで区切られた領域に形成された複数のＴＦＴと
画素電極とを有するＴＦＴ基板と、対向電極を有する対
向電極基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向電極基板との
間隙に液晶材料が挟持された液晶表示装置において、有
機遮光膜を走査線あるいは信号線のどちらか一方とＴＦ
Ｔ領域を覆うストライプ状に形成し、この有機遮光膜が
走査線を覆っている場合は前記対向電極基板上に信号線
の一部と対向する領域を覆う遮光膜を形成し、この有機
遮光膜が信号線を覆っている場合は前記対向電極基板上
に走査線の一部と対向する領域を覆う遮光膜を形成する
ものである。
平行に形成された複数の走査線とこれに直交する複数の
信号線とで区切られた領域に形成された複数のＴＦＴと
画素電極とを有するＴＦＴ基板と、対向電極を有する対
向電極基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向電極基板との
間隙に液晶材料が挟持された液晶表示装置において、有
機遮光膜を走査線あるいは信号線のどちらか一方とＴＦ
Ｔ領域を覆うストライプ状に形成し、この有機遮光膜が
走査線を覆っている場合は前記対向電極基板上に信号線
の一部と対向する領域を覆う遮光膜を形成し、この有機
遮光膜が信号線を覆っている場合は前記対向電極基板上
に走査線の一部と対向する領域を覆う遮光膜を形成する
ものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態のＴＦＴ
基板の構造を示す平面図である。また、図２は図１に示
したＴＦＴ基板のＡＡ線断面図である。また図３はこの
実施の形態の対向電極基板の構造を示す平面図である。
まず、透明絶縁基板１上にゲート電極２および走査線１
１が形成される。次にゲート電極２、走査線１１を覆う
ようにゲート絶縁膜３が形成される。次にゲート絶縁膜
３上、かつゲート電極２上にａ−Ｓｉのｉ型半導体層４
が形成され、ａ−Ｓｉのｉ型半導体層４上で後述のドレ
イン電極およびソース電極の領域にはａ−Ｓｉのｎ+ 型
半導体層５が形成される。ａ−Ｓｉのｎ+ 型半導体層５
上にはドレイン電極６およびソース電極７が形成され、
さらに信号線１２が同時にゲート絶縁膜３上に形成され
る。以上の工程によってＴＦＴが形成される。次に画素
電極８が形成され、この画素電極８はソース電極７と接
続される。そして、信号線１２およびＴＦＴの領域を覆
い、画素電極８の信号線１２側の外縁部と重なるように
有機遮光膜１０を形成する。このようにしてＴＦＴ基板
が作られる。さらに、この有機遮光膜１０だけでは走査
線１１と画素電極８との間の光漏れが起こるので、この
間を遮光するように対向電極基板上の走査線１１に対向
する領域に図３に示すような遮光膜１３を形成する。
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態のＴＦＴ
基板の構造を示す平面図である。また、図２は図１に示
したＴＦＴ基板のＡＡ線断面図である。また図３はこの
実施の形態の対向電極基板の構造を示す平面図である。
まず、透明絶縁基板１上にゲート電極２および走査線１
１が形成される。次にゲート電極２、走査線１１を覆う
ようにゲート絶縁膜３が形成される。次にゲート絶縁膜
３上、かつゲート電極２上にａ−Ｓｉのｉ型半導体層４
が形成され、ａ−Ｓｉのｉ型半導体層４上で後述のドレ
イン電極およびソース電極の領域にはａ−Ｓｉのｎ+ 型
半導体層５が形成される。ａ−Ｓｉのｎ+ 型半導体層５
上にはドレイン電極６およびソース電極７が形成され、
さらに信号線１２が同時にゲート絶縁膜３上に形成され
る。以上の工程によってＴＦＴが形成される。次に画素
電極８が形成され、この画素電極８はソース電極７と接
続される。そして、信号線１２およびＴＦＴの領域を覆
い、画素電極８の信号線１２側の外縁部と重なるように
有機遮光膜１０を形成する。このようにしてＴＦＴ基板
が作られる。さらに、この有機遮光膜１０だけでは走査
線１１と画素電極８との間の光漏れが起こるので、この
間を遮光するように対向電極基板上の走査線１１に対向
する領域に図３に示すような遮光膜１３を形成する。
【００１０】以上のＴＦＴ基板の具体的構造はたとえば
以下の方法を用いて形成することができる。ゲート電極
２および走査線１１、並びに、ドレイン電極６、ソース
電極７および信号線１２はクロムのような金属をスパッ
タ等で成膜した後、ポジ・レジストを用いる通常のフォ
トリソグラフィーを行うことによって得られる。画素電
極８はＩＴＯのような透明で導電性を示すものをこれも
同様にスパッタ、フォトリソグラフィーを行うことによ
って得られる。ゲート絶縁膜３、ｉ型半導体層４、ｎ+
型半導体層５はＣＶＤで連続成膜し、フォトリソグラフ
ィーを行うことによって得られる。
以下の方法を用いて形成することができる。ゲート電極
２および走査線１１、並びに、ドレイン電極６、ソース
電極７および信号線１２はクロムのような金属をスパッ
タ等で成膜した後、ポジ・レジストを用いる通常のフォ
トリソグラフィーを行うことによって得られる。画素電
極８はＩＴＯのような透明で導電性を示すものをこれも
同様にスパッタ、フォトリソグラフィーを行うことによ
って得られる。ゲート絶縁膜３、ｉ型半導体層４、ｎ+
型半導体層５はＣＶＤで連続成膜し、フォトリソグラフ
ィーを行うことによって得られる。
【００１１】有機遮光膜１０は、黒色の顔料を含むネガ
・レジストを用いてパターニングするか、あるいはポリ
アニリンや黒色の顔料の溶液を塗布・乾燥後、ポジ・レ
ジストを塗布し、露光・現像した後、ポジ・レジストを
はく離することによって得られる。黒色の顔料には種々
の有機・無機顔料及びカーボンブラックの混合物が用い
られる。この有機遮光膜１０はＴＦＴ領域を覆う部分は
走査線１１と信号線１２の両方のなす角が４５°となる
ような形成にする。また、対向電極基板上の遮光膜１３
はたとえばクロムをスパッタリングで成膜後フォトリソ
グラフィーによってパターニングすることによって得ら
れる。
・レジストを用いてパターニングするか、あるいはポリ
アニリンや黒色の顔料の溶液を塗布・乾燥後、ポジ・レ
ジストを塗布し、露光・現像した後、ポジ・レジストを
はく離することによって得られる。黒色の顔料には種々
の有機・無機顔料及びカーボンブラックの混合物が用い
られる。この有機遮光膜１０はＴＦＴ領域を覆う部分は
走査線１１と信号線１２の両方のなす角が４５°となる
ような形成にする。また、対向電極基板上の遮光膜１３
はたとえばクロムをスパッタリングで成膜後フォトリソ
グラフィーによってパターニングすることによって得ら
れる。
【００１２】この実施の形態によれば、従来の技術で用
いられている格子状の有機遮光膜の場合にみられた格子
パターンの角の部分の現像後のレジスト残りがなくなっ
た。また、図１に示すどの方向にラビングしても格子状
の有機遮光膜でみられた画素電極の角の部分でのラビン
グ不十分な領域がなくなった。さらに、対向電極基板上
の反射率の高いクロムの様な金属から成る遮光膜は、走
査線の一部を覆う領域にしか形成されないので、従来の
対向電極基板上にありＴＦＴ基板上の画素電極に対向す
る領域以外に形成されるブラックマトリクスよりも大幅
に面積が小さくなり反射が低くなった。
いられている格子状の有機遮光膜の場合にみられた格子
パターンの角の部分の現像後のレジスト残りがなくなっ
た。また、図１に示すどの方向にラビングしても格子状
の有機遮光膜でみられた画素電極の角の部分でのラビン
グ不十分な領域がなくなった。さらに、対向電極基板上
の反射率の高いクロムの様な金属から成る遮光膜は、走
査線の一部を覆う領域にしか形成されないので、従来の
対向電極基板上にありＴＦＴ基板上の画素電極に対向す
る領域以外に形成されるブラックマトリクスよりも大幅
に面積が小さくなり反射が低くなった。
【００１３】図４は本発明の第２の実施の形態のＴＦＴ
基板の構造を示す平面図であり、図５はこの実施の形態
の対向電極基板の構造を示す平面図である。走査線１１
およびＴＦＴの領域を覆い、画素電極８の走査線１１側
の外縁部と重ねて、有機遮光膜１０を走査線１１と平行
になるように形成する。この実施の形態の有機遮光膜１
０も、ＴＦＴ領域を覆う部分は走査線１１と信号線１２
の両方となす角が４５°となる形状にする。さらに、対
向電極基板上には図５に示すように、信号線１２と画素
電極８との間および画素電極８の外縁部を覆う遮光膜１
３を形成する。他の構造は第１の実施の形態と同様であ
る。この実施の形態によっても第１の実施の形態と同様
に、レジスト残りやラビング不十分の領域がなくなっ
た。また、対向電極基板上のブラックマトリクスの面積
が小さくなるので反射が低くなった。
基板の構造を示す平面図であり、図５はこの実施の形態
の対向電極基板の構造を示す平面図である。走査線１１
およびＴＦＴの領域を覆い、画素電極８の走査線１１側
の外縁部と重ねて、有機遮光膜１０を走査線１１と平行
になるように形成する。この実施の形態の有機遮光膜１
０も、ＴＦＴ領域を覆う部分は走査線１１と信号線１２
の両方となす角が４５°となる形状にする。さらに、対
向電極基板上には図５に示すように、信号線１２と画素
電極８との間および画素電極８の外縁部を覆う遮光膜１
３を形成する。他の構造は第１の実施の形態と同様であ
る。この実施の形態によっても第１の実施の形態と同様
に、レジスト残りやラビング不十分の領域がなくなっ
た。また、対向電極基板上のブラックマトリクスの面積
が小さくなるので反射が低くなった。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、有機遮光膜がストライ
プ状になっているのでレジスト残りがなくなり表示が暗
くなることがなく、開口率の低下を防ぐことができる。
また、有機遮光膜のＴＦＴ領域を覆う部分のパターンは
ラビング方向と平行になっているので画素電極内にラビ
ング不十分の領域がなくなり、光漏れによるコントラス
トの低下を防ぐことができる。また、対向電極基板上に
形成されるブラックマトリクスの面積が小さいので低反
射となり表示品位の低下を防ぐことができる。
プ状になっているのでレジスト残りがなくなり表示が暗
くなることがなく、開口率の低下を防ぐことができる。
また、有機遮光膜のＴＦＴ領域を覆う部分のパターンは
ラビング方向と平行になっているので画素電極内にラビ
ング不十分の領域がなくなり、光漏れによるコントラス
トの低下を防ぐことができる。また、対向電極基板上に
形成されるブラックマトリクスの面積が小さいので低反
射となり表示品位の低下を防ぐことができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置のＴ
ＦＴ基板の一部を示す平面図である。
ＦＴ基板の一部を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａの線に沿う断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の対
向電極基板の一部を示す平面図である。
向電極基板の一部を示す平面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置のＴ
ＦＴ基板の一部を示す平面図である。
ＦＴ基板の一部を示す平面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の対
向電極基板の一部を示す平面図である。
向電極基板の一部を示す平面図である。
【図６】従来の技術の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一部
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図７】図６のＴＦＴ基板の断面図である。
１ 透明絶縁基板 ２，２２ ゲート電極 ３，２３ ゲート絶縁膜 ４，２４ ａ−Ｓｉのｉ型半導体層 ５，２５ ａ−Ｓｉのｎ+ 型半導体層 ６，２７ ドレイン電極 ７，２８ ソース電極 ８，２６ 画素電極 ９，２９ 絶縁膜 １０，３０ 有機遮光膜 １１，３１ 走査線 １２，３２ 信号線 １３ 遮光膜 ２１ ガラス基板 ４０ ＴＦＴ
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に平行に形成された複数の走
査線とこれに直交する複数の信号線とで区切られた領域
に形成された複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと
略す）と画素電極とを有するＴＦＴ基板と、対向電極を
有する対向電極基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向電極
基板との間隙に液晶材料が挟持された液晶表示装置にお
いて、前記ＴＦＴ基板上に前記複数の走査線と前記複数
のＴＦＴとを覆うストライプ状の有機遮光膜を設け、か
つ前記対向電極基板上の前記複数の信号線と対向する領
域に遮光膜を設けたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 透明基板上に平行に形成された複数の走
査線とこれに直交する複数の信号線とで区切られた領域
に形成された複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと
略す）と画素電極とを有するＴＦＴ基板と、対向電極を
有する対向電極基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向電極
基板との間隙に液晶材料が挟持された液晶表示装置にお
いて、前記ＴＦＴ基板上に前記複数の信号線と前記複数
のＴＦＴとを覆うストライプ状の有機遮光膜を設け、か
つ前記対向電極基板上の前記複数の走査線と対向する領
域に遮光膜を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22230495A JP2762964B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 液晶表示装置 |
| US08/704,125 US5844646A (en) | 1995-08-30 | 1996-08-28 | Thin film liquid crystal display with optical shield having wide portion over transistor with no acute angles |
| KR1019960037034A KR100246829B1 (ko) | 1995-08-30 | 1996-08-30 | 개선된 광차폐막 구조체를 갖는 박막 액정 디스플레이 |
| TW085110586A TW357277B (en) | 1995-08-30 | 1996-08-30 | Thin film liquid crystal display with an improved optical shielding film structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22230495A JP2762964B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0968723A true JPH0968723A (ja) | 1997-03-11 |
| JP2762964B2 JP2762964B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=16780269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22230495A Expired - Lifetime JP2762964B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5844646A (ja) |
| JP (1) | JP2762964B2 (ja) |
| KR (1) | KR100246829B1 (ja) |
| TW (1) | TW357277B (ja) |
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-
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- 1996-08-28 US US08/704,125 patent/US5844646A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-30 TW TW085110586A patent/TW357277B/zh not_active IP Right Cessation
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| TW357277B (en) | 1999-05-01 |
| US5844646A (en) | 1998-12-01 |
| KR100246829B1 (ko) | 2000-03-15 |
| JP2762964B2 (ja) | 1998-06-11 |
| KR970011978A (ko) | 1997-03-29 |
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