JPH0964573A - シールドカバー - Google Patents

シールドカバー

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Publication number
JPH0964573A
JPH0964573A JP21442195A JP21442195A JPH0964573A JP H0964573 A JPH0964573 A JP H0964573A JP 21442195 A JP21442195 A JP 21442195A JP 21442195 A JP21442195 A JP 21442195A JP H0964573 A JPH0964573 A JP H0964573A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shield cover
shield
cover
embossing
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21442195A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunori Niki
一範 仁木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPH0964573A publication Critical patent/JPH0964573A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 厚さが薄く、かつ機械的強度を強化したシー
ルドカバーを提供することにある。 【解決手段】 高周波回路を内蔵したシールドケースの
シールドカバーの平面部1に、全面にわたって凹凸のエ
ンボス加工2、3、4を施し、このエンボス加工2、
3、4はカバーの外周に沿うように複数条施し、さらに
凹凸加工を組合せることによってシールドカバーの全体
の厚みを極力薄くした高周波機器のシールドカバーを提
供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば高周波機器のシ
ールドケース、特にコードレスホンのRFモジュールの
シールドカバーに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の高周波機器のシールドカバーとし
ては例えば図3に示すような構成のものであった。高周
波回路を内臓したシールドケースの開放面を覆うシール
ドカバーは、平面部11の周辺にシールドケース本体に
係止するバネ性を有するスカート部14を形成し、プリ
ント基板上に配置した電子部品のなかで背の高さが高く
シールドケース内に納まり切れない電子部品例えばセラ
ミックフイルターや水晶発振子等のため、平面部11上
に周辺に沿って凸型のエンボス加工12・13を形成し
ていた。 図4は図3のC−D面での断面図である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】コードレスホンのRF
モジュールは、最近益々小型化が進み大きさのみならず
厚さが薄く、且つ振動に対するシールドカバーのノイズ
発生を極力押さえる必要がある為に、シールドカバーの
機械的強度を向上しなければならない。本発明の目的
は、厚さが薄く、かつ機械的強度を強化したシールドカ
バーを提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】高周波回路を内蔵したシ
ールドケースのシールドカバーの平面部に、全面にわた
って凹凸のエンボス加工を施し、このエンボス加工はカ
バーの外周に沿うように複数条施し、さらに凹凸加工を
組合せることによってシールドカバーの全体の厚みを極
力薄くした高周波機器のシールドカバーを提供する。
【0005】
【作用】シールドカバーの平面部に、全面にわたって凹
凸のエンボス加工をすることにより、該カバーの機械的
強度は強化され、凹凸のエンボス加工を組合せることに
より、シールドカバー全体の厚みが薄くでき、シールド
ケースの厚みを低減できる。
【0006】
【実施例】本発明の実施例について図を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例の斜視図である。高周波回
路を内臓したシールドケースの開放面を覆うシールドカ
バーは、平面部1の周辺にシールドケース本体に係止す
るバネ性を有するスカート部5を形成し、平面部1上に
周辺に沿って凸型のエンボス加工2を形成し、エンボス
加工2の内側に凹型のエンボス加工3を形成し、更にそ
の内側に凸型のエンボス加工4を形成する。図2は図1
のA−B面での断面図である。凹凸のエンボス加工を組
合せることにより、シールドカバー全体の厚みが薄くで
き、シールドケースの厚みを低減できる。シールドケー
スの厚みがそれほど問題ではない場合は図5に示す。凹
型のエンボス加工31を溝状にエンボス加工2の内側の
周辺にそって形成し、その内側に凸型のエンボス加工4
を形成しシールドカバーの機械的強度を増強出来る。
【0007】
【発明の効果】シールドカバーの平面部に、全面にわた
って凹凸のエンボス加工をすることにより、該カバーの
機械的強度は強化され、凹凸のエンボス加工を組合せる
ことにより、シールドカバー全体の厚みが薄くでき、シ
ールドケースの厚みを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の1実施例の斜視図
【図2】 図1のA−B面での断面図
【図3】 従来のシールドカバーの斜視図
【図4】 図3のC−D面での断面図
【図5】 本発明の第2の実施例の断面図
【符号の説明】
1,11 平面部 2,12 第一の凸型エンボス加工 3,31 第二の凹型エンボス加工 4,13 第三の凸型エンボス加工 5,14 シールドケース本体に係止するバネ性を有す
るスカート部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】機器のシールドケースの開放面を覆うシー
    ルドカバーにおいて、凹凸のエンボス加工を施したこと
    を特徴とするシールドカバー。
  2. 【請求項2】前記エンボス加工は凹凸加工を組合せるこ
    とによりシールドカバーの全体の厚さを、薄くした請求
    項1記載のシールドカバー。
JP21442195A 1995-08-23 1995-08-23 シールドカバー Pending JPH0964573A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013102084A (ja) * 2011-11-09 2013-05-23 Panasonic Corp 携帯端末
CN106535606A (zh) * 2016-12-30 2017-03-22 深圳天珑无线科技有限公司 射频屏蔽装置
CN106535606B (zh) * 2016-12-30 2024-05-10 深圳天珑无线科技有限公司 射频屏蔽装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013102084A (ja) * 2011-11-09 2013-05-23 Panasonic Corp 携帯端末
CN106535606A (zh) * 2016-12-30 2017-03-22 深圳天珑无线科技有限公司 射频屏蔽装置
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