JPH0959768A - スパッタリングターゲット材及びその製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット材及びその製造方法Info
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- JPH0959768A JPH0959768A JP21748595A JP21748595A JPH0959768A JP H0959768 A JPH0959768 A JP H0959768A JP 21748595 A JP21748595 A JP 21748595A JP 21748595 A JP21748595 A JP 21748595A JP H0959768 A JPH0959768 A JP H0959768A
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- molybdenum
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリング時の成膜特性の良いクロム・
モリブデン合金を用いたスパッタリングターゲット材を
提供すること。 【解決手段】 プレス工程でモリブデン中にクロムを１
〜５［ｗｔ％］の範囲で含有させて成るクロム・モリブ
デン粉末を圧力条件１９６〜２９４［ＭＰａ］の範囲で
プレスして得られるクロム・モリブデン圧粉体に対し、
焼結工程で焼結して得たクロム・モリブデン焼結体を加
工率３０〜８０［％］の範囲で圧延又は鍛造して相対密
度が９０〜９８［％］の範囲のクロム・モリブデン合金
を得ている。このクロム・モリブデン合金をスパッタリ
ングターゲット材として使用してスパッタリングを行う
と、その成膜に発生する異物が顕著に低下する。又、成
膜自体の比抵抗も小さくなり、成膜特性が向上する。
モリブデン合金を用いたスパッタリングターゲット材を
提供すること。 【解決手段】 プレス工程でモリブデン中にクロムを１
〜５［ｗｔ％］の範囲で含有させて成るクロム・モリブ
デン粉末を圧力条件１９６〜２９４［ＭＰａ］の範囲で
プレスして得られるクロム・モリブデン圧粉体に対し、
焼結工程で焼結して得たクロム・モリブデン焼結体を加
工率３０〜８０［％］の範囲で圧延又は鍛造して相対密
度が９０〜９８［％］の範囲のクロム・モリブデン合金
を得ている。このクロム・モリブデン合金をスパッタリ
ングターゲット材として使用してスパッタリングを行う
と、その成膜に発生する異物が顕著に低下する。又、成
膜自体の比抵抗も小さくなり、成膜特性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主としてフラット
パネルディスプレイ等に使用されるスパッタリングター
ゲット材及びその製造方法に関する。
パネルディスプレイ等に使用されるスパッタリングター
ゲット材及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶ディスプレイに代表されるフ
ラットパネルディスプレイの生産が急激に拡大してい
る。これに伴って例えばディスプレイに用いられる透明
導電膜や電解トランジスタ（ＦＥＴ）類のゲート，ソー
ス，及びドレインに供する金属配線膜等の需要も急速に
増大しており、その特性上における高速化も要求されて
いる。
ラットパネルディスプレイの生産が急激に拡大してい
る。これに伴って例えばディスプレイに用いられる透明
導電膜や電解トランジスタ（ＦＥＴ）類のゲート，ソー
ス，及びドレインに供する金属配線膜等の需要も急速に
増大しており、その特性上における高速化も要求されて
いる。
【０００３】このようなフラットパネルディスプレイに
使用されるスパッタリングターゲット材としては、イン
ジウム・スズ酸化膜，アルミニウム，クロム，タンタ
ル，タングステン，モリブデン等が挙げられるが、最近
ではクロム・モリブデン合金の使用が検討されている。
使用されるスパッタリングターゲット材としては、イン
ジウム・スズ酸化膜，アルミニウム，クロム，タンタ
ル，タングステン，モリブデン等が挙げられるが、最近
ではクロム・モリブデン合金の使用が検討されている。
【０００４】クロム・モリブデン合金は、スパッタリン
グターゲット材として特性が優れる反面、加工性が悪い
ため、製造に際してはホットプレス，ＨＩＰ（熱間等方
圧静水圧プレス）を行った試料か、或いは静水圧プレス
を行った後に熱処理を行った試料を用いるのが一般的で
ある。因みに、スパッタリングターゲット材としてのク
ロム・モリブデン合金は相対密度が６０〜８０［％］の
範囲となっている。
グターゲット材として特性が優れる反面、加工性が悪い
ため、製造に際してはホットプレス，ＨＩＰ（熱間等方
圧静水圧プレス）を行った試料か、或いは静水圧プレス
を行った後に熱処理を行った試料を用いるのが一般的で
ある。因みに、スパッタリングターゲット材としてのク
ロム・モリブデン合金は相対密度が６０〜８０［％］の
範囲となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したクロム・モリ
ブデン合金の場合、スパッタリングターゲット材に使用
してスパッタリングを行うと、相対密度が６０〜８０
［％］の範囲であるために内部にポアー（点空洞）が点
在し、放電特性に影響を及し、スパッタリングした成膜
に異物（パーティクル）の発生頻度が高く、又ターゲッ
ト電圧も高電圧が必要となり成膜の比抵抗が大きくなっ
てしまう。こうした理由によりフラットパネルディスプ
レイの製品歩留りを悪化させる問題があった。
ブデン合金の場合、スパッタリングターゲット材に使用
してスパッタリングを行うと、相対密度が６０〜８０
［％］の範囲であるために内部にポアー（点空洞）が点
在し、放電特性に影響を及し、スパッタリングした成膜
に異物（パーティクル）の発生頻度が高く、又ターゲッ
ト電圧も高電圧が必要となり成膜の比抵抗が大きくなっ
てしまう。こうした理由によりフラットパネルディスプ
レイの製品歩留りを悪化させる問題があった。
【０００６】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、スパッタリング時
の成膜特性の良いクロム・モリブデン合金を用いたスパ
ッタリングターゲット材及びその製造方法を提供するこ
とにある。
なされたもので、その技術的課題は、スパッタリング時
の成膜特性の良いクロム・モリブデン合金を用いたスパ
ッタリングターゲット材及びその製造方法を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した技術
的課題を達成し得るスパッタリングターゲット材を提供
するもので、本発明によれば、モリブデン中にクロムを
１〜５［ｗｔ％］の範囲で含有すると共に、相対密度が
９０〜９８［％］の範囲にあるクロム・モリブデン合金
を用いて成るスパッタリングターゲット材が得られる。
的課題を達成し得るスパッタリングターゲット材を提供
するもので、本発明によれば、モリブデン中にクロムを
１〜５［ｗｔ％］の範囲で含有すると共に、相対密度が
９０〜９８［％］の範囲にあるクロム・モリブデン合金
を用いて成るスパッタリングターゲット材が得られる。
【０００８】又、本発明によれば、モリブデン中にクロ
ムを１〜５［ｗｔ％］の範囲で含有させて成るクロム・
モリブデン粉末を圧力条件１９６〜２９４［ＭＰａ］の
範囲でプレスしてクロム・モリブデン圧粉体を得るプレ
ス工程と、クロム・モリブデン圧粉体を焼結してクロム
・モリブデン焼結体と成す焼結工程と、クロム・モリブ
デン焼結体を温度条件１４００〜１６００［℃］の加熱
範囲で圧延又は鍛造して相対密度が９０〜９８［％］の
範囲にあるスパッタリングターゲット材としてのクロム
・モリブデン合金を形成する合金形成工程とを含むスパ
ッタリングターゲット材の製造方法が得られる。
ムを１〜５［ｗｔ％］の範囲で含有させて成るクロム・
モリブデン粉末を圧力条件１９６〜２９４［ＭＰａ］の
範囲でプレスしてクロム・モリブデン圧粉体を得るプレ
ス工程と、クロム・モリブデン圧粉体を焼結してクロム
・モリブデン焼結体と成す焼結工程と、クロム・モリブ
デン焼結体を温度条件１４００〜１６００［℃］の加熱
範囲で圧延又は鍛造して相対密度が９０〜９８［％］の
範囲にあるスパッタリングターゲット材としてのクロム
・モリブデン合金を形成する合金形成工程とを含むスパ
ッタリングターゲット材の製造方法が得られる。
【０００９】このスパッタリングターゲット材の製造方
法において、合金形成工程で、圧延又は鍛造の加工率を
３０〜８０［％］の範囲で行うことは好ましい。
法において、合金形成工程で、圧延又は鍛造の加工率を
３０〜８０［％］の範囲で行うことは好ましい。
【００１０】
【作用】クロム・モリブデン合金は、一般的に非常に鍛
造，圧延性が悪くて加工が困難であるが、本発明のよう
にモリブデン中にクロムを１〜５［ｗｔ％］の範囲で含
有するクロム・モリブデン焼結体を加工率３０〜８０
［％］の範囲で圧延又は鍛造すると、相対密度を９０〜
９８［％］の範囲とすることができる。このようなクロ
ム・モリブデン合金をスパッタリングターゲット材に使
用してスパッタリングを行うと、その成膜時に発生する
異物が顕著に低下する。又、成膜自体の比抵抗も小さく
なる。
造，圧延性が悪くて加工が困難であるが、本発明のよう
にモリブデン中にクロムを１〜５［ｗｔ％］の範囲で含
有するクロム・モリブデン焼結体を加工率３０〜８０
［％］の範囲で圧延又は鍛造すると、相対密度を９０〜
９８［％］の範囲とすることができる。このようなクロ
ム・モリブデン合金をスパッタリングターゲット材に使
用してスパッタリングを行うと、その成膜時に発生する
異物が顕著に低下する。又、成膜自体の比抵抗も小さく
なる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げ、本発明のス
パッタリングターゲット材及びその製造方法について、
図面を参照して詳細に説明する。
パッタリングターゲット材及びその製造方法について、
図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】最初に、本発明のスパッタリングターゲッ
ト材の概要について簡単に説明する。このスパッタリン
グターゲット材は、モリブデン中にクロムを１〜５［ｗ
ｔ％］の範囲で含有すると共に、相対密度が９０〜９８
［％］の範囲にあるクロム・モリブデン合金を用いて成
るものである。
ト材の概要について簡単に説明する。このスパッタリン
グターゲット材は、モリブデン中にクロムを１〜５［ｗ
ｔ％］の範囲で含有すると共に、相対密度が９０〜９８
［％］の範囲にあるクロム・モリブデン合金を用いて成
るものである。
【００１３】このクロム・モリブデン合金をスパッタリ
ングターゲット材に使用してスパッタリングを行うと、
その成膜に発生する異物が顕著に低下され、成膜自体の
比抵抗が小さくなる。結果として、こうした成膜特性の
向上によってフラットパネルディスプレイの製品歩留り
が改善される。
ングターゲット材に使用してスパッタリングを行うと、
その成膜に発生する異物が顕著に低下され、成膜自体の
比抵抗が小さくなる。結果として、こうした成膜特性の
向上によってフラットパネルディスプレイの製品歩留り
が改善される。
【００１４】このようなスパッタリングターゲット材を
製造するためには、モリブデン中にクロムを１〜５［ｗ
ｔ％］の範囲で含有させて成るクロム・モリブデン粉末
を圧力条件１９６〜２９４［ＭＰａ］の範囲でプレスし
てクロム・モリブデン圧粉体を得るプレス工程と、クロ
ム・モリブデン圧粉体を焼結してクロム・モリブデン焼
結体と成す焼結工程と、クロム・モリブデン焼結体を温
度条件１４００〜１６００［℃］の加熱範囲で圧延又は
鍛造することにより、相対密度が９０〜９８［％］の範
囲にあるスパッタリングターゲット材としてのクロム・
モリブデン合金を形成する合金形成工程とを施行すれば
良い。但し、合金形成工程では圧延又は鍛造の加工率を
３０〜８０［％］の範囲で行う。
製造するためには、モリブデン中にクロムを１〜５［ｗ
ｔ％］の範囲で含有させて成るクロム・モリブデン粉末
を圧力条件１９６〜２９４［ＭＰａ］の範囲でプレスし
てクロム・モリブデン圧粉体を得るプレス工程と、クロ
ム・モリブデン圧粉体を焼結してクロム・モリブデン焼
結体と成す焼結工程と、クロム・モリブデン焼結体を温
度条件１４００〜１６００［℃］の加熱範囲で圧延又は
鍛造することにより、相対密度が９０〜９８［％］の範
囲にあるスパッタリングターゲット材としてのクロム・
モリブデン合金を形成する合金形成工程とを施行すれば
良い。但し、合金形成工程では圧延又は鍛造の加工率を
３０〜８０［％］の範囲で行う。
【００１５】そこで、以下は幾つかの特性が異なる試料
を合わせたスパッタリングターゲット材の製造方法を具
体的に説明する。
を合わせたスパッタリングターゲット材の製造方法を具
体的に説明する。
【００１６】先ずプレス工程では、クロム粉末及びモリ
ブデン粉末を準備し、モリブデン粉末中に１，３，５，
１０［ｗｔ％］でクロム粉末を入れて混合して得た４種
の混合粉末をそれぞれ９８，１９６，２９４［ＭＰａ］
の３種類の圧力条件下で静水圧プレスを行い、総計１２
種のクロム・モリブデン圧粉体を得た。
ブデン粉末を準備し、モリブデン粉末中に１，３，５，
１０［ｗｔ％］でクロム粉末を入れて混合して得た４種
の混合粉末をそれぞれ９８，１９６，２９４［ＭＰａ］
の３種類の圧力条件下で静水圧プレスを行い、総計１２
種のクロム・モリブデン圧粉体を得た。
【００１７】次に、焼結工程で各クロム・モリブデン圧
粉体を焼結（熱処理）してそれぞれ各クロム・モリブデ
ン焼結体と成した後、合金形成工程の初期的な圧延加工
で各クロム・モリブデン焼結体に対して加熱温度１２０
０℃，１４００℃，１６００℃，１８００℃の４つの温
度条件でそれぞれ圧延加工を行って圧延加工性を調べた
ところ、図１に示すような結果となった。
粉体を焼結（熱処理）してそれぞれ各クロム・モリブデ
ン焼結体と成した後、合金形成工程の初期的な圧延加工
で各クロム・モリブデン焼結体に対して加熱温度１２０
０℃，１４００℃，１６００℃，１８００℃の４つの温
度条件でそれぞれ圧延加工を行って圧延加工性を調べた
ところ、図１に示すような結果となった。
【００１８】図１からは、加熱温度Ｔ（℃）が１２００
℃，１８００℃では静水圧プレスの圧力条件に拘らず亀
裂（クラック）や割れが生じ、静水圧プレスのプレス圧
力Ｐ（ＭＰｃ）が９８ＭＰａであると温度条件に拘らず
何れも亀裂や割れが生じる（比較的大きなものが生じ
る）ことが判る。又、各クロム・モリブデン焼結体に関
して、モリブデン粉末中に１，３，５［ｗｔ％］のクロ
ム粉末を入れて混合したものは加工できるが、１０ｗｔ
％としたものは全て大きな割れが発生して加工できない
ことも判った。
℃，１８００℃では静水圧プレスの圧力条件に拘らず亀
裂（クラック）や割れが生じ、静水圧プレスのプレス圧
力Ｐ（ＭＰｃ）が９８ＭＰａであると温度条件に拘らず
何れも亀裂や割れが生じる（比較的大きなものが生じ
る）ことが判る。又、各クロム・モリブデン焼結体に関
して、モリブデン粉末中に１，３，５［ｗｔ％］のクロ
ム粉末を入れて混合したものは加工できるが、１０ｗｔ
％としたものは全て大きな割れが発生して加工できない
ことも判った。
【００１９】従って、圧延加工までの工程では、少なく
ともモリブデン粉末中に１〜５［ｗｔ％］の範囲でクロ
ム粉末を入れて混合粉末を得ておくこと、静水圧プレス
の圧力条件を１９６〜２９４［ＭＰａ］の範囲とするこ
と、圧延加工の加熱温度条件を１４００〜１６００
［℃］の範囲とすることの諸条件を満たせば加工性が保
証されることが判る。又、上述した圧延加工までの工程
の条件で鍛造加工を行っても、圧延加工と行った場合と
同様な結果が得られた。
ともモリブデン粉末中に１〜５［ｗｔ％］の範囲でクロ
ム粉末を入れて混合粉末を得ておくこと、静水圧プレス
の圧力条件を１９６〜２９４［ＭＰａ］の範囲とするこ
と、圧延加工の加熱温度条件を１４００〜１６００
［℃］の範囲とすることの諸条件を満たせば加工性が保
証されることが判る。又、上述した圧延加工までの工程
の条件で鍛造加工を行っても、圧延加工と行った場合と
同様な結果が得られた。
【００２０】一方、圧延加工において亀裂や割れが発生
しない各クロム・モリブデン焼結体に関する圧延条件と
して異なる圧延率３０，４０，５０，６０，７０，８０
［％］と相対密度［％］との関係を調べたところ、図２
に示すような結果となった。図２からは、亀裂や割れが
発生しない圧延率３０〜８０［％］の範囲における相対
密度は９０〜９８［％］の範囲となることが判る。
しない各クロム・モリブデン焼結体に関する圧延条件と
して異なる圧延率３０，４０，５０，６０，７０，８０
［％］と相対密度［％］との関係を調べたところ、図２
に示すような結果となった。図２からは、亀裂や割れが
発生しない圧延率３０〜８０［％］の範囲における相対
密度は９０〜９８［％］の範囲となることが判る。
【００２１】更に、亀裂や割れが発生しない各クロム・
モリブデン焼結体（圧延率がそれぞれ３０％，５０％，
８０％のもの）に対して合金形成工程の後期的な二次加
工として切削，研磨等により加工率３０〜８０［％］の
範囲で機械加工を施してスパッターターゲット材として
の３種のクロム・モリブデン合金を得た。
モリブデン焼結体（圧延率がそれぞれ３０％，５０％，
８０％のもの）に対して合金形成工程の後期的な二次加
工として切削，研磨等により加工率３０〜８０［％］の
範囲で機械加工を施してスパッターターゲット材として
の３種のクロム・モリブデン合金を得た。
【００２２】そこで、これらの各クロム・モリブデン合
金及びこれらと諸条件が合致する合金形成工程前の各ク
ロム・モリブデン焼結体（圧延，鍛造を施さない従来の
クロム・モリブデン合金に相当するもの）を多数スパッ
タリングターゲット材に使用してスパッタリングを行う
ことでスパッタリング特性を比較して調べたところ、図
３に示すような結果となった。
金及びこれらと諸条件が合致する合金形成工程前の各ク
ロム・モリブデン焼結体（圧延，鍛造を施さない従来の
クロム・モリブデン合金に相当するもの）を多数スパッ
タリングターゲット材に使用してスパッタリングを行う
ことでスパッタリング特性を比較して調べたところ、図
３に示すような結果となった。
【００２３】図３からは、本発明のクロム・モリブデン
合金をスパッタリングターゲット材に使用すれば、従来
の焼結体を用いた場合に比べてその成膜に発生する異物
数ＮP が処理枚数ＮH の増加に拘らず格段に減少してお
り、パーティクルの発生頻度が従来品に比べて低下し
た。
合金をスパッタリングターゲット材に使用すれば、従来
の焼結体を用いた場合に比べてその成膜に発生する異物
数ＮP が処理枚数ＮH の増加に拘らず格段に減少してお
り、パーティクルの発生頻度が従来品に比べて低下し
た。
【００２４】
【発明の効果】以上に述べた通り、本発明によれば、従
来では圧延，鍛造が困難と考えられていたクロム・モリ
ブデン合金をそのモリブデン中のクロムの含有量とその
プレス圧力条件とを選定することで圧延又は鍛造が可能
であって、相対密度がスパッタリングターゲット材とし
て適当なものとして得られるようにしているので、この
クロム・モリブデン合金をスパッタリングターゲット材
として使用してスパッタリングを行うと、その成膜に発
生する異物が顕著に低下する。又、成膜自体の比抵抗も
小さくなり、成膜特性が向上するようになる。この結
果、スパッタリング時の成膜特性が劣化されず、フラッ
トディスプレイの製品歩留りを顕著に向上し得るように
なる。
来では圧延，鍛造が困難と考えられていたクロム・モリ
ブデン合金をそのモリブデン中のクロムの含有量とその
プレス圧力条件とを選定することで圧延又は鍛造が可能
であって、相対密度がスパッタリングターゲット材とし
て適当なものとして得られるようにしているので、この
クロム・モリブデン合金をスパッタリングターゲット材
として使用してスパッタリングを行うと、その成膜に発
生する異物が顕著に低下する。又、成膜自体の比抵抗も
小さくなり、成膜特性が向上するようになる。この結
果、スパッタリング時の成膜特性が劣化されず、フラッ
トディスプレイの製品歩留りを顕著に向上し得るように
なる。
【図１】本発明のスパッタリングターゲット材の製造方
法に含まれる合金形成工程における初期的な圧延加工で
幾つかの特性が異なる試料に関する圧延加工性を調べた
結果を示したものである。
法に含まれる合金形成工程における初期的な圧延加工で
幾つかの特性が異なる試料に関する圧延加工性を調べた
結果を示したものである。
【図２】図１で説明した圧延加工において亀裂や割れが
発生しない各クロム・モリブデン焼結体に関する圧延条
件として異なる圧延率と相対密度との関係を調べた結果
を示したものである。
発生しない各クロム・モリブデン焼結体に関する圧延条
件として異なる圧延率と相対密度との関係を調べた結果
を示したものである。
【図３】図１で説明した合金形成工程の後期的な圧延加
工を経て得られた各クロム・モリブデン合金及びこれら
と諸条件が合致する合金形成工程前の各クロム・モリブ
デン焼結体を多数スパッタリングターゲット材に使用し
て調べたスパッタリング特性の比較結果を示したもので
ある。
工を経て得られた各クロム・モリブデン合金及びこれら
と諸条件が合致する合金形成工程前の各クロム・モリブ
デン焼結体を多数スパッタリングターゲット材に使用し
て調べたスパッタリング特性の比較結果を示したもので
ある。
Claims (3)
- 【請求項１】 モリブデン中にクロムを１〜５［ｗｔ
％］の範囲で含有すると共に、相対密度が９０〜９８
［％］の範囲にあるクロム・モリブデン合金を用いて成
ることを特徴とするスパッタリングターゲット材。 - 【請求項２】 モリブデン中にクロムを１〜５［ｗｔ
％］の範囲で含有させて成るクロム・モリブデン粉末を
圧力条件１９６〜２９４［ＭＰａ］の範囲でプレスして
クロム・モリブデン圧粉体を得るプレス工程と、前記ク
ロム・モリブデン圧粉体を焼結してクロム・モリブデン
焼結体と成す焼結工程と、前記クロム・モリブデン焼結
体を温度条件１４００〜１６００［℃］の加熱範囲で圧
延又は鍛造して相対密度が９０〜９８［％］の範囲にあ
るスパッタリングターゲット材としてのクロム・モリブ
デン合金を形成する合金形成工程とを含むことを特徴と
するスパッタリングターゲット材の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のスパッタリングターゲッ
ト材の製造方法において、前記合金形成工程では、前記
圧延又は鍛造の加工率を３０〜８０［％］の範囲で行う
ことを特徴とするスパッタリングターゲット材の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21748595A JP3863204B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | スパッタリングターゲット材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21748595A JP3863204B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | スパッタリングターゲット材及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0959768A true JPH0959768A (ja) | 1997-03-04 |
| JP3863204B2 JP3863204B2 (ja) | 2006-12-27 |
Family
ID=16704984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21748595A Expired - Lifetime JP3863204B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | スパッタリングターゲット材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3863204B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2003531289A (ja) * | 2000-04-14 | 2003-10-21 | トーソー エスエムディー，インク． | スパッターリング時の粒子状放出物を少なくするためのスパッターターゲットとそれを製造する方法 |
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| US8409498B2 (en) | 2004-03-31 | 2013-04-02 | Hitachi Metals, Ltd. | Method of producing a sputter target material |
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| CN104674170A (zh) * | 2013-11-26 | 2015-06-03 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 镍靶坯及靶材的制造方法 |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP21748595A patent/JP3863204B2/ja not_active Expired - Lifetime
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