JP2002356733A

JP2002356733A - 配線形成用材料、配線形成用スパッタリングターゲット、配線薄膜及び電子部品

Info

Publication number: JP2002356733A
Application number: JP2001163577A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Kosaka; 泰郎高阪; Takashi Nakamura; 隆中村; Toru Komatsu; 透小松; Koichi Watanabe; 光一渡邊; Yoichiro Yabe; 矢部洋一郎
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Development and Engineering Corp
Priority date: 2001-05-31
Filing date: 2001-05-31
Publication date: 2002-12-13
Anticipated expiration: 2021-05-31
Also published as: JP4905618B2

Abstract

(57)【要約】【課題】低抵抗で、かつドライエッチングにおいても
テーパー加工が良好に施すことが可能となる配線形成用
材料、配線形成用スパッタリングターゲット、配線薄
膜、さらには信頼性の高い電子部品を提供することを目
的とする。【解決手段】本発明の配線形成用材料，スパッタリン
グターゲット及び配線薄膜はクロム，タングステン，コ
バルト，ロジウム，イリジウム，ニッケル，パラジウム
及び白金から選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜
２０重量％含有し、残部モリブデン及び不可避不純物よ
りなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線形成用材料、
配線形成用スパッタリングターゲット，配線薄膜及び電
子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、非晶質シリコン（以下「ａ−Ｓ
ｉ」という）膜を用いて形成された薄膜トランジスタ
（以下「ＴＦＴ」という）をスイッチング素子として構
成されたアクティブマトリックス型液晶表示装置が注目
されている。

【０００３】これは、安価なガラス基板上に低温成膜が
できるａ−Ｓｉ膜を用いてＴＦＴアレイを構成すること
により、大面積，高精細，高画質かつ安価なパネルディ
スプレイ、すなわちフラット型テレビジョンが実現でき
る可能性があるからである。

【０００４】しかし、大面積でかつ高精細のディスプレ
イを構成する場合、必然的にアドレス配線の総延長が飛
躍的に増加するので、アドレス配線の有する抵抗分が増
加して、スイッチ素子に与えられるゲートパルスのアド
レス配線の抵抗分に起因する遅延が顕著になり、液晶の
制御が困難になるという問題点がある。

【０００５】少なくとも、配線幅などのパラメータを維
持したままで、このゲートパルスの遅延を回避するため
の１つの手段としては、より低い抵抗率を有する配線材
料を用いて形成されたアドレス配線を備える液晶表示素
子の開発が考えられる。具体的には、現在このアドレス
配線材料として、例えば国際公開ＷＯ９５／１６７９７
等に記載されているようなタングステンを所定量含有し
たモリブデン合金（Ｍｏ−Ｗ合金）薄膜が使用されてい
る。

【０００６】このような配線材料に要求される特性は低
抵抗率のみではなく、これに加えて、アドレス配線上に
形成する層間絶縁膜のステップカバレッジを良好にして
層間絶縁膜上に形成される配線とこのアドレス配線との
絶縁性を高めることの必要性から、テーパ加工が良好に
施せる性質を有することも要求される。近年の更なる大
型化の要求に伴い、上記低抵抗化さらにはテーパー加工
への要求もさらに厳しくなっている。

【０００７】上記構造及び要求を実現するために、例え
ば配線膜を四フッ化炭素（ＣＦ_４）及び酸素（Ｏ_２）の
混合ガスでのエッチング、すなわちドライエッチングに
よって形成することが検討されており、このドライエッ
チングにおいてもテーパー加工が良好に施せることが可
能であることが要求されている。

【０００８】これら大面積ディスプレイに限らず、ディ
スプレイの高精細化に伴う配線および配線間隔の狭小
化、あるいは配線幅を細くして開口率を向上するという
要求においても同様の要求がなされている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、例え
ば、アクティブマトリックス型液晶表示装置の表示領域
を大面積化、さらにはディスプレイの高精細化に伴う配
線および配線間隔の狭小化、あるいは配線幅を細くして
開口率を向上するという要求に対応し低抵抗であり、か
つドライエッチングにおいてもテーパー加工が良好に施
せることが可能である配線形成用材料、配線形成用ター
ゲット、配線薄膜、及び電子部品を提供することを目的
とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
について液晶表示装置に適用する場合の配線材料として
種々の金属，合金について系統的に実験，検討を重ねた
結果、本発明のようにモリブデン（Ｍｏ）にクロム（Ｃ
ｒ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），ロジウ
ム（Ｒｈ），イリジウム（Ｉｒ），ニッケル（Ｎｉ），
パラジウム（Ｐｄ）及び白金（Ｐｔ）から選ばれる少な
くとも１種の元素を所定量含有させることにより低抵抗
で、かつドライエッチングにおいてもテーパー加工が良
好に施すことが可能であることを見出し、本発明に至っ
たのである。

【００１１】すなわち、本発明の第１の発明の配線形成
用材料は、Ｃｒ，Ｗ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ及
びＰｔから選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜２
０重量％含有し、残部モリブデン及び不可避不純物より
なることを特徴とする。

【００１２】また、本発明の第２の発明である配線形成
用スパッタリングターゲットは、Ｃｒ，Ｗ，Ｃｏ，Ｒ
ｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ及びＰｔから選ばれる少なくとも
１種の元素を０．１〜２０重量％含有し、残部モリブデ
ン及び不可避不純物よりなることを特徴とする。

【００１３】また、本発明の第３の発明の配線薄膜
は、、Ｃｒ，Ｗ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ及びＰ
ｔから選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜２０重
量％含有し、残部モリブデン及び不可避不純物よりなる
ことを特徴とする。

【００１４】また、本発明の第４の発明の電子部品は、
本発明の第３の発明である配線薄膜を有することを特徴
とする。

【００１５】上記構成により、本発明は低抵抗で、かつ
ドライエッチングにおいてもテーパー加工が良好に施す
ことが可能となる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本各発明を詳細に説明す
る。

【００１７】本各発明において、配線形成用材料，配線
形成用スパッタリングターゲット及び配線薄膜に使用さ
れる、Ｍｏに含有されるＣｒ，Ｗ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，
Ｎｉ，Ｐｄ及びＰｔから選ばれる少なくとも１種の元素
は、低抵抗化及びドライエッチングにおけるテーパー加
工性を良好にするために添加されるものである。これら
の元素は、ドライエッチングで使用されるＣＦ_４のフッ
素（Ｆ）と蒸気圧が比較的高いフッ化物を形成し、その
フッ化物がテーパー加工に対して良好に作用するのであ
る。これらの元素は、あまり少ないとテーパー加工性の
改善に対する効果が小さく、逆にあまり多いと、テーパ
ー角度が大きくなる傾向となり、例えばテーパー部にお
いて配線膜上に形成される絶縁膜との密着性が低下し空
隙を生じる場合があるため、それらの元素の含有量を
０．１〜２０重量％とした。これらの元素の好ましい量
は０．１〜１５重量％であり、さらに好ましくは０．１
〜１０重量％である。

【００１８】本発明における上記各元素の含有量は、誘
導結合プラズマ発光分光装置により測定することが可能
である。

【００１９】さらに、本発明の配線形成用スパッタリン
グターゲットにおいては、上記組成と共に、相対密度９
８％以上であり、かつ酸素含有量が１００ｐｐｍ以下で
あることが好ましい。これは、まず相対密度があまり低
いと、スパッタリング時にパーティクル（ダスト）の発
生が増加、あるいは異常放電の原因となり得るため、上
記値以上が好ましい。この密度のより好ましい範囲は９
９％以上であり、さらに好ましくは９９．５％以上であ
る。

【００２０】また、酸素含有量があまり多いと、配線薄
膜中に取り込まれる酸素量が増加し、膜抵抗が上昇する
ため、上記値以下が好ましい。この酸素含有量のより好
ましい範囲は５０ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは
２０ｐｐｍ以下である。

【００２１】なお、本発明におけるスパッタリングター
ゲットの相対密度は、常法のアルキメデス法により測定
される。

【００２２】さらに、本発明の配線形成用スパッタリン
グターゲットにおいては、上記酸素含有量のバラツキが
３０％以下であることが好ましい。

【００２３】これは、スパッタリングターゲット表面で
の酸素含有量が表面の部位により異なっていると（バラ
ツキが大きいと）、そのスパッタリングターゲットによ
り得られたす配線薄膜の面内均一性にばらつきを生じる
ためであり、配線薄膜の面内均一性を向上するために
は、バラツキを上記範囲内にすることが好ましい。この
酸素含有量のバラツキのより好ましい範囲は２５％以下
であり、さらに好ましくは２０％以下である。

【００２４】ここで、本発明の酸素含有量のバラツキ
は、以下に示す方法により測定された値を示すものとす
る。すなわち、図１に示す様に、例えば円盤状のターゲ
ットの中心部（位置１）と、中心部を通り円周を均等に
分割した４本の直線状の中心から外周部に向かって９０
％の距離の位置（位置２〜９）及び中心から５０％の距
離の位置（位置１０〜１７）とから、それぞれ長さ１５
ｍｍ、幅１５ｍｍ、の試験片を採取する。これら１７点
の試験片の酸素含有量をそれぞれ不活性ガス融解・赤外
線吸収装置（LECO社製）により測定し、これらの平均値
を本発明の酸素含有量とする。

【００２５】さらに、スパッタリングターゲット表面の
酸素含有量のバラツキは、上記した１７点の試験片から
求めた結晶面の最大値および最小値から、｛（最大値−
最小値）／（最大値＋最小値）｝×１００の式に基づい
て求めた値を示すものとする。

【００２６】なお、本発明において不可避的に含有され
る不純物として鉄（Ｆｅ）２０ｐｐｍ以下，アルミニウ
ム（Ａｌ）１０ｐｐｍ以下，銅（Ｃｕ）２０ｐｐｍ以下
及び炭素（Ｃ）３０ｐｐｍ以下含有することは構わな
い。

【００２７】本発明においては、上記構成とすることに
より、例えば、この材料及びスパッタリングターゲット
を用いて形成した液晶表示装置のアドレス配線はゲート
パルスに対して低い抵抗分として作用する。そのため、
このアドレス配線を伝わるゲートパルスはアドレス配線
の配線抵抗に起因する遅延作用を受けないので、液晶を
駆動するための所定のスイッチング素子には遅延のない
ゲートパルスが得られる。

【００２８】その際、本発明の材料はＣＦ_４及びＯ_２の
混合ガスでのエッチング、すなわちドライエッチングに
よってテーパー加工が良好に施すことが可能であり、良
好な特性を有する配線薄膜が得られる。したがって、表
示領域を大面積化した場合においても、信頼性のある液
晶表示装置等の電子部品を実現することが可能となる。

【００２９】なお、本発明が対象とする電子部品として
は、前記液晶表示装置に限らず、表面弾性波素子（ＳＡ
Ｗ）等、本発明で意図する特性が要求される配線薄膜を
有する各種電子部品に適用することが可能である。

【００３０】以下に、本発明の配線形成用材料、配線形
成用形成用スパッタリングターゲットの製造方法の一例
を説明する。

【００３１】まず、Ｍｏ粉末及び任意の含有元素粉末を
ボールミル中にて混合し、均一な混合粉末を得る。この
際、ボールミルの内壁および／または使用するボールの
材質をＭｏあるいはＷとすることにより、ターゲット中
に混入する不純物の混入を低減することが可能となる。

【００３２】次に、この混合粉末をカーボンモールドに
充填して真空ホットプレスを用いて加熱温度１７００℃
以上，面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ^２（１９．６ＭＰａ）以
上、好ましくは加熱温度１８００℃以上，面圧３００ｋ
ｇｆ／ｃｍ^２以上の条件で焼結させ任意の組成の焼結体
を得る。さらに、得られた焼結体の密度を向上するため
に、得られた焼結体を加熱温度１５００℃以上，圧力１
５００ｋｇｆ／ｃｍ^２（１４７ＭＰａ）以上、好ましく
は加熱温度１８００℃以上，圧力１８００ｋｇｆ／ｃｍ
^２（１７７ＭＰａ）以上の条件で５時間以上のＨＩＰ処
理を行うことが好ましい。

【００３３】この後、得られた焼結体を大型化，緻密化
の目的など必要により鍛造あるいは圧延などの熱間加工
を施し、研削などの機械加工を施して、所定形状のスパ
ッタリングターゲットとする。

【００３４】また、別の製法として、例えば、任意の含
有元素を含有するＭｏ焼結体を粉末冶金法により得た
後、電子線溶解などの溶解法を用いてインゴットを製造
し、その後必要により鍛造あるいは圧延などの熱間加工
を施し、研削などの機械加工を施して、所定形状のスパ
ッタリングターゲットとする。

【００３５】上記第１の方法あるいは第２の方法による
ターゲットは一体で製造することが薄膜形成時のダスト
などのパーティクルの発生を防止する上で好ましいもの
であるが、ターゲットの大型化の目的で複数の同一組成
のターゲットを組み合わせて使用しても良い。この場
合、複数の組み合わされるターゲットはバッキングプレ
ートなどへのろう付けにより固定されるが、ターゲット
同志の接合部、特にエッジ部からのパーティクルの発生
を防止するためにその接合部は拡散接合されることが好
ましい。この拡散接合の方法としては、直接接合する方
法、接合部にＭｏ等を介在させ接合する方法、あるいは
接合部にＭｏ等のメッキ層を介在させ接合する方法な
ど、種々の方法が採用される。

【００３６】（実施例１）平均粒径３μｍのＭｏ粉末
と、平均粒径４０μｍのＩｒ粉末を、重量％で、０，
０．１，１０，１５，２０，３０，５０，７０となるよ
うに配合した後、内壁がＭｏにて被覆されたボールミル
に投入し、Ｍｏ製のボールを用いて５０時間混合し、均
一な混合粉末を得た。得られた混合粉末をカーボンモー
ルドに充填し、真空ホットプレス（ＨＰ）により加熱温
度１２００℃で８時間，面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ^２（１
９．６ＭＰａ）の条件で仮焼結を行い相対密度７０％の
仮焼結体を得た後、さらに水素還元雰囲気中で加熱温度
１８００℃で８時間の条件で本焼結を行い、さらに得ら
れた焼結体をタンタル（Ｔａ）製の金属缶内に配置し、
加熱温度１８００℃，面圧１８００ｋｇｆ／ｃｍ^２（１
７７ＭＰａ）の条件で熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）する
ことにより相対密度９９％の焼結体を得た。この後、得
られた焼結体を切削加工、研削の機械加工を施し、縦１
２７ｍｍ，横６３５ｍｍ，厚さ１０ｍｍの各種組成を有
するスパッタリングターゲットを得た。

【００３７】これらのスパッタリングターゲットを無酸
素銅製バッキングプレートにインジウム（Ｉｎ）系ろう
材によりボンディングし、スパッタリング装置横方向に
２個並置して取り付け、ガラス基板上（縦３００ｍｍ，
横４００ｍｍ）に、ターゲットとガラス基板間距離を７
０ｍｍとし、ガラス基板加熱後、ＤＣ電源にて入力Ｐｏ
ｗｅｒ１ｋＷ、Ａｒ圧力０．５Ｐａの条件でスパッタ
リングを行い厚さ０．１μｍのＭｏ−Ｉｒ合金薄膜を得
た。

【００３８】得られたＭｏ−Ｉｒ合金薄膜のドライエッ
チングに対するテーパー加工性を測定するため、ＣＨ_４
及びＯ_２の混合ガスでテーパー加工を施し、テーパー加
工部のテーパー角度をＦＥ−ＳＥＭ写真から目視により
測定した。得られた結果を表１に示す。

【００３９】

【表１】

【００４０】表１より明らかなように、本発明のスパッ
タリングターゲットにより得られた配線薄膜（本発明の
配線薄膜）は、ドライエッチングによるテーパー加工性
も優れている。

【００４１】（実施例２）実施例１のＩｔ含有量が１０
重量％のスパッタリングターゲットを無酸素銅製バッキ
ングプレートにＩｎ系ろう材によりボンディングし、ス
パッタリング装置に取り付け、ガラス基板上（縦３００
ｍｍ，横４００ｍｍ）に、ターゲットとガラス基板間距
離を７０ｍｍとし、ガラス基板加熱後、ＤＣ電源にて入
力Ｐｏｗｅｒ１ｋＷ、Ａｒ圧力０．５Ｐａの条件でス
パッタリングを行い厚さ０．１μｍのＭｏ−Ｉｒ合金薄
膜を得た。

【００４２】得られたスパッタリングターゲットの酸素
含有量を不活性ガス融解・赤外線吸収装置により測定
し、そのバラツキを求めた。その結果を表２に示す。

【００４３】また、得られたＭｏ−Ｉｒ薄膜中の１μｍ
以上のパーティクル数をパーティクルカウンター装置に
て測定した。測定結果は、１５枚の基板を測定した平均
値とした。その結果を併せて表２に示す。

【００４４】比較例１として、平均粒径３μｍのＭｏ粉
末と、平均粒径４０μｍのＩｒ粉末を、１０重量％とな
るように配合した後、内壁がＭｏにて被覆されたボール
ミルに投入し、Ｍｏ製のボールを用いて５０時間混合
し、均一な混合粉末を得た。得られた混合粉末をカーボ
ンモールドに充填し、真空ホットプレス（ＨＰ）により
加熱温度１２００℃で８時間，面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ
^２（１９．６ＭＰａ）の条件で焼結を行い、相対密度８
５％の焼結体を得た。この後、得られた焼結体を切削加
工、研削の機械加工を施し、縦１２７ｍｍ，横６３５ｍ
ｍ，厚さ１０ｍｍの各種組成を有するスパッタリングタ
ーゲットを得た。

【００４５】比較例２として、平均粒径３μｍのＭｏ粉
末と、平均粒径４０μｍのＩｒ粉末を、１０重量％とな
るように配合した後、内壁がＭｏにて被覆されたボール
ミルに投入し、Ｍｏ製のボールを用いて５０時間混合
し、均一な混合粉末を得た。得られた混合粉末をカーボ
ンモールドに充填し、真空ホットプレス（ＨＰ）により
加熱温度１０５０℃で８時間，面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ
^２（１９．６ＭＰａ）の条件で仮焼結を行い相対密度７
０％の仮焼結体を得た後、さらに水素還元雰囲気中で加
熱温度１８００℃，面圧１８００ｋｇｆ／ｃｍ^２（１７
７ＭＰａ）の条件で本焼結を行い相対密度９０％の焼結
体を得た。この後、得られた焼結体を切削加工、研削の
機械加工を施し、縦１２７ｍｍ，横６３５ｍｍ，厚さ１
０ｍｍの各種組成を有するスパッタリングターゲットを
得た。

【００４６】比較例３として、平均粒径３μｍのＭｏ粉
末と、平均粒径４０μｍのＩｒ粉末を、１０重量％とな
るように配合した後、内壁がＭｏにて被覆されたボール
ミルに投入し、Ｍｏ製のボールを用いて５０時間混合
し、均一な混合粉末を得た。得られた混合粉末をカーボ
ンモールドに充填し、真空ホットプレス（ＨＰ）により
加熱温度１２００℃で８時間，面圧２００ｋｇｆ／ｃｍ
^２（１９．６ＭＰａ）の条件で焼結を行い相対密度８５
％の焼結体を得た後、さらに得られた焼結体をＴａ製の
金属缶内に配置し、加熱温度１８００℃，面圧１８００
ｋｇｆ／ｃｍ^２（１７７ＭＰａ）の条件で熱間静水圧プ
レス（ＨＩＰ）することにより相対密度９８％の焼結体
を得た。この後、得られた焼結体を切削加工、研削の機
械加工を施し、縦１２７ｍｍ，横６３５ｍｍ，厚さ１０
ｍｍの各種組成を有するスパッタリングターゲットを得
た。

【００４７】上記比較例１〜比較例３のスパッタリング
ターゲットについて実施例２と同様に酸素量及びそのば
らつきを測定すると共に、同様の条件でスパッタリング
を行い、得られたＭｏ−Ｉｒ薄膜中の１μｍ以上のパー
ティクル数をパーティクルカウンター装置にて測定し
た。得られた結果を併せて表２に示す。また、実施例１
と同条件でドライエッチングを行いテーパー加工性につ
いても評価し、併せて表２に示す。

【００４８】

【表２】

【００４９】上記表２より明らかなように、本発明で規
定する相対密度、酸素量及びそのバラツキを有するスパ
ッタリングターゲットは、テーパー加工性が良好であ
り、かつパーティクルの発生を低減することができる。

【００５０】上記本発明の実施例は１つの例であり、各
層の厚みや成膜方法は適宜変更して実施することが可能
である。その場合であっても本実施例と同様の効果が得
られる。

【００５１】上記本発明の配線形成用スパッタリングタ
ーゲットを用いて形成された配線薄膜を用いて液晶表示
装置を製造した結果、信頼性の高い液晶表示装置を製造
することができた。

【００５２】本発明は、上記実施例に限らず、配線を形
成するために本発明の材料，スパッタリングターゲット
を使用する、あるいは本発明の配線薄膜を用いているも
のであればすべてに適用される。

【００５３】

【発明の効果】本発明は、低抵抗で、かつドライエッチ
ングにおいてもテーパー加工が良好に施すことが可能と
なる配線形成用材料、配線形成用スパッタリングターゲ
ット、配線薄膜、さらには信頼性の高い電子部品を得る
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明のターゲットの半値幅及びその
バラツキを測定する際の試験片の採取箇所を示す概略図
である。

【符号の説明】

１〜１７・・・試験片採取箇所

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中村隆神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者小松透神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者渡邊光一神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者矢部洋一郎神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地東芝電子エンジニアリング株式会社内Ｆターム(参考） 2H092 GA13 GA17 GA24 GA25 GA34 GA43 JB16 JB21 JB24 JB26 JB27 JB33 JB36 KB01 KB04 MA02 MA05 PA06 4K029 BD00 BD02 DC04 4M104 AA10 BB16 BB39 DD37 DD40 DD65 FF06 FF08 GG09 GG19 HH13 HH16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】クロム，タングステン，コバルト，ロジ
ウム，イリジウム，ニッケル，パラジウム及び白金から
選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜２０重量％含
有し、残部モリブデン及び不可避不純物よりなることを
特徴とする配線形成用材料。
【請求項２】クロム，タングステン，コバルト，ロジ
ウム，イリジウム，ニッケル，パラジウム及び白金から
選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜２０重量％含
有し、残部モリブデン及び不可避不純物よりなることを
特徴とする配線形成用スパッタリングターゲット。
【請求項３】相対密度が９８％以上であり、かつ酸素
含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求
項２記載の配線形成用スパッタリングターゲット。
【請求項４】酸素含有量のバラツキが３０％以内であ
ることを特徴とする請求項３記載の配線形成用スパッタ
リングターゲット。
【請求項５】クロム，タングステン，コバルト，ロジ
ウム，イリジウム，ニッケル，パラジウム及び白金から
選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜２０重量％含
有し、残部モリブデン及び不可避不純物よりなることを
特徴とする配線薄膜。
【請求項６】請求項５記載の配線薄膜を有することを
特徴とする電子部品。
【請求項７】電子部品は液晶表示装置であることを特
徴とする請求項５記載の電子部品。