JPH0952885A - 光学活性エポキシ化合物の製造方法 - Google Patents
光学活性エポキシ化合物の製造方法Info
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- JPH0952885A JPH0952885A JP7203219A JP20321995A JPH0952885A JP H0952885 A JPH0952885 A JP H0952885A JP 7203219 A JP7203219 A JP 7203219A JP 20321995 A JP20321995 A JP 20321995A JP H0952885 A JPH0952885 A JP H0952885A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Epoxy Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 式（１）
【化１】
［式中、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4は、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基を
意味する。］のプロキラルなオレフィン化合物を、式
（２） 【化２】 〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は、Ｃ1〜
Ｃ4アルキル基、Ｘ-は塩を形成しうる陰イオン対を意味
する。〕の光学活性マンガン錯体触媒を用いて、不斉エ
ポキシ化反応を行ない、式（３） 【化３】 〔式中、＊で示された炭素原子の絶対配位はＲかＳを意
味する。〕の光学活性なエポキシ化合物を製造するに際
して、酸化剤として式（４） 【化４】 〔式中、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4は、水素原子、Ｍは塩を形
成しうる陽イオン対を意味する。〕のヨードソ安息香酸
化合物を使用することを特徴とする製造方法。 【効果】 本発明の方法に従えば、酸化剤としてヨー
ドソ安息香酸化合物を使用することによりプロキラルな
オレフィン化合物から光学活性なエポキシ化合物を製造
することができる。又、使用したヨードソ安息香酸化合
物を容易に回収再生し、再使用することができる。
意味する。］のプロキラルなオレフィン化合物を、式
（２） 【化２】 〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は、Ｃ1〜
Ｃ4アルキル基、Ｘ-は塩を形成しうる陰イオン対を意味
する。〕の光学活性マンガン錯体触媒を用いて、不斉エ
ポキシ化反応を行ない、式（３） 【化３】 〔式中、＊で示された炭素原子の絶対配位はＲかＳを意
味する。〕の光学活性なエポキシ化合物を製造するに際
して、酸化剤として式（４） 【化４】 〔式中、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4は、水素原子、Ｍは塩を形
成しうる陽イオン対を意味する。〕のヨードソ安息香酸
化合物を使用することを特徴とする製造方法。 【効果】 本発明の方法に従えば、酸化剤としてヨー
ドソ安息香酸化合物を使用することによりプロキラルな
オレフィン化合物から光学活性なエポキシ化合物を製造
することができる。又、使用したヨードソ安息香酸化合
物を容易に回収再生し、再使用することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高血圧症、喘息症等
の治療に有効な光学活性ベンゾピラン化合物を初めとし
て、医薬の重要合成中間体である光学活性エポキシ化合
物の製造法に関する。
の治療に有効な光学活性ベンゾピラン化合物を初めとし
て、医薬の重要合成中間体である光学活性エポキシ化合
物の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プロキラルなオレフィン化合物から光学
活性なエポキシ化合物を製造する方法としては、例え
ば、特開平5-507645号公報に記載されているヤコブセン
（Jacobsen）等の方法や、特開平5-301878号公報、欧州
公開特許535377号公報に記載されている香月等の方法が
ある。
活性なエポキシ化合物を製造する方法としては、例え
ば、特開平5-507645号公報に記載されているヤコブセン
（Jacobsen）等の方法や、特開平5-301878号公報、欧州
公開特許535377号公報に記載されている香月等の方法が
ある。
【０００３】これらの特許出願はいずれも錯体触媒とし
て光学活性なサレンマンガン錯体を使用して、オレフィ
ン化合物の触媒的不斉エポキシ化反応を行ない、光学活
性なエポキシ化合物を合成している非常に優れた方法で
ある。
て光学活性なサレンマンガン錯体を使用して、オレフィ
ン化合物の触媒的不斉エポキシ化反応を行ない、光学活
性なエポキシ化合物を合成している非常に優れた方法で
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記特許出願に於い
て、酸化剤として次亜塩素酸ナトリウム、ヨードソベン
ゼン、ヨードソメシチレン等が使用されている。ヨード
ソベンゼンやヨードソメシチレンを酸化剤として使用し
た場合には、これらの化合物が高価であること等の経済
性の面から、又環境等の面から、工業的見地からはこれ
ら酸化剤の回収再使用を考慮しなければならない。
て、酸化剤として次亜塩素酸ナトリウム、ヨードソベン
ゼン、ヨードソメシチレン等が使用されている。ヨード
ソベンゼンやヨードソメシチレンを酸化剤として使用し
た場合には、これらの化合物が高価であること等の経済
性の面から、又環境等の面から、工業的見地からはこれ
ら酸化剤の回収再使用を考慮しなければならない。
【０００５】しかし、ヨードソベンゼン、ヨードソメシ
チレンを酸化剤として使用した場合の回収再使用は全く
検討されていない。更に、これら酸化剤を有機溶媒中で
使用した場合、反応系外からの回収は一般的にかなり困
難な操作を必要とする。又、今までこれらの酸化剤を工
業的見地から回収再使用した報告例は見られない。
チレンを酸化剤として使用した場合の回収再使用は全く
検討されていない。更に、これら酸化剤を有機溶媒中で
使用した場合、反応系外からの回収は一般的にかなり困
難な操作を必要とする。又、今までこれらの酸化剤を工
業的見地から回収再使用した報告例は見られない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、触媒的不
斉エポキシ化に於いて使用される酸化剤の回収再使用を
考慮した上で、上記問題点を解決すべく鋭意努力検討し
た結果、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、
プロキラルなオレフィン化合物を、錯体触媒を用いて触
媒的に不斉エポキシ化反応を行ない、光学活性なエポキ
シ化合物を製造するに際して、酸化剤としてヨードソ安
息香酸化合物を使用することを特徴とする製造方法に関
するものである。
斉エポキシ化に於いて使用される酸化剤の回収再使用を
考慮した上で、上記問題点を解決すべく鋭意努力検討し
た結果、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、
プロキラルなオレフィン化合物を、錯体触媒を用いて触
媒的に不斉エポキシ化反応を行ない、光学活性なエポキ
シ化合物を製造するに際して、酸化剤としてヨードソ安
息香酸化合物を使用することを特徴とする製造方法に関
するものである。
【０００７】更に、詳しくは、式（１）
【０００８】
【化９】
【０００９】［式中、Ｚ1及びＺ2は、それぞれ独立し
て、水素原子、シアノ基、ニトロ基、アセチル基などの
保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原
子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、ハロ
Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、カルボキシ基、ホルミル基、Ｃ2
〜Ｃ5アルカノイル基、アロイル基、ハロＣ2〜Ｃ5アル
カノイル基、カルバモイル基、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルフ
ィニル基、アリールスルフィニル基、Ｃ1〜Ｃ4アルキル
スルホニル基、アリールスルホニル基、スルホンアミド
基、モノ又はジＣ1〜Ｃ4アルキルスルホンアミド基を意
味する。
て、水素原子、シアノ基、ニトロ基、アセチル基などの
保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原
子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、ハロ
Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、カルボキシ基、ホルミル基、Ｃ2
〜Ｃ5アルカノイル基、アロイル基、ハロＣ2〜Ｃ5アル
カノイル基、カルバモイル基、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルフ
ィニル基、アリールスルフィニル基、Ｃ1〜Ｃ4アルキル
スルホニル基、アリールスルホニル基、スルホンアミド
基、モノ又はジＣ1〜Ｃ4アルキルスルホンアミド基を意
味する。
【００１０】Ｚ3は水素原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基又は
Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基を意味する。Ｚ4はＣ1〜Ｃ4アル
キル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はフェニル基（該フェ
ニル基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜
Ｃ4アルコキシ基で置換されていてもよい。）を意味す
る。又は、Ｚ3とＺ4が一緒になって
Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基を意味する。Ｚ4はＣ1〜Ｃ4アル
キル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はフェニル基（該フェ
ニル基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜
Ｃ4アルコキシ基で置換されていてもよい。）を意味す
る。又は、Ｚ3とＺ4が一緒になって
【００１１】
【化１０】
【００１２】（Ｚ5、Ｚ6、Ｚ7及びＺ8は、それぞれ独立
して、水素原子又はＣ1〜Ｃ4アルキル基を意味する。）
を意味する。］で表わされるプロキラルなオレフィン化
合物を、式（２）
して、水素原子又はＣ1〜Ｃ4アルキル基を意味する。）
を意味する。］で表わされるプロキラルなオレフィン化
合物を、式（２）
【００１３】
【化１１】
【００１４】〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞ
れ独立して水素原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、フェニル基
（該フェニル基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル
基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置
換されていてもよい。）を意味し、また、いずれか２つ
が一緒になってＣ4〜Ｃ8の環を形成してもよい。Ｙ1、
Ｙ2及びＹ3は、それぞれ独立して水素原子、Ｃ1〜Ｃ4ア
ルキル基、フェニル基（該フェニル基は、ハロゲン原
子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、シア
ノ基又はニトロ基で置換されていてもよい。）、ナフチ
ル基（該ナフチル基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキ
ル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で
置換されていてもよい。）、アントラセン基（該アント
ラセン基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1
〜Ｃ4アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換され
ていてもよい。）を意味し、又、いずれか２つが一緒に
なってＣ4〜Ｃ8の環を形成してもよく、ナフチル環等の
縮合環を形成してもよい。
れ独立して水素原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、フェニル基
（該フェニル基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル
基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置
換されていてもよい。）を意味し、また、いずれか２つ
が一緒になってＣ4〜Ｃ8の環を形成してもよい。Ｙ1、
Ｙ2及びＹ3は、それぞれ独立して水素原子、Ｃ1〜Ｃ4ア
ルキル基、フェニル基（該フェニル基は、ハロゲン原
子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、シア
ノ基又はニトロ基で置換されていてもよい。）、ナフチ
ル基（該ナフチル基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキ
ル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で
置換されていてもよい。）、アントラセン基（該アント
ラセン基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1
〜Ｃ4アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換され
ていてもよい。）を意味し、又、いずれか２つが一緒に
なってＣ4〜Ｃ8の環を形成してもよく、ナフチル環等の
縮合環を形成してもよい。
【００１５】Ｘ-は塩を形成しうる陰イオン対を意味す
る。〕で表わされる光学活性マンガン錯体触媒を用いて
触媒的に不斉エポキシ化反応を行ない、式（３）
る。〕で表わされる光学活性マンガン錯体触媒を用いて
触媒的に不斉エポキシ化反応を行ない、式（３）
【００１６】
【化１２】
【００１７】〔式中、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は前記に同
じ。＊で示された炭素原子の絶対配位はＲかＳを意味す
る。〕で表わされる光学活性なエポキシ化合物を製造す
るに際して、酸化剤として式（４）
じ。＊で示された炭素原子の絶対配位はＲかＳを意味す
る。〕で表わされる光学活性なエポキシ化合物を製造す
るに際して、酸化剤として式（４）
【００１８】
【化１３】
【００１９】〔式中、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞ
れ独立して水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原
子、Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、カ
ルボキシル基、ホルミル基を意味する。Ｍは水素原子、
又は塩を形成しうる陽イオン対を意味する。〕で表され
るヨードソ安息香酸化合物を使用することを特徴とする
製造方法に関するものである。
れ独立して水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原
子、Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、カ
ルボキシル基、ホルミル基を意味する。Ｍは水素原子、
又は塩を形成しうる陽イオン対を意味する。〕で表され
るヨードソ安息香酸化合物を使用することを特徴とする
製造方法に関するものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】上記式（１）、（２）、（３）及
び（４）においてハロゲン原子としては、フッ素、塩
素、臭素、沃素原子が挙げられる。Ｃ1〜Ｃ4アルキル基
としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基等が挙げられる。
び（４）においてハロゲン原子としては、フッ素、塩
素、臭素、沃素原子が挙げられる。Ｃ1〜Ｃ4アルキル基
としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基等が挙げられる。
【００２１】Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキ
シ基等が挙げられる。ハロＣ1〜Ｃ4アルキル基として
は、フルオロメチル基、フルオロエチル基、フルオロｎ
−プロピル基、フルオロｉ−プロピル基、フルオロｎ−
ブチル基、フルオロｉ−ブチル基、フルオロｓｅｃ−ブ
チル基、クロロメチル基、クロロエチル基、クロロｎ−
プロピル基、クロロｉ−プロピル基、クロロｎ−ブチル
基、クロロｉ−ブチル基、クロロｓｅｃ−ブチル基、ブ
ロモメチル基、ブロモエチル基、ブロモｎ−プロピル
基、ブロモｉ−プロピル基、ブロモｎ−ブチル基、ブロ
モｉ−ブチル基、ブロモｓｅｃ−ブチル基、アイオドメ
チル基、アイオドエチル基、アイオドｎ−プロピル基、
アイオドｉ−プロピル基、アイオドｎ−ブチル基、アイ
オドｉ−ブチル基、アイオドｓｅｃ−ブチル基等が挙げ
られる。
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキ
シ基等が挙げられる。ハロＣ1〜Ｃ4アルキル基として
は、フルオロメチル基、フルオロエチル基、フルオロｎ
−プロピル基、フルオロｉ−プロピル基、フルオロｎ−
ブチル基、フルオロｉ−ブチル基、フルオロｓｅｃ−ブ
チル基、クロロメチル基、クロロエチル基、クロロｎ−
プロピル基、クロロｉ−プロピル基、クロロｎ−ブチル
基、クロロｉ−ブチル基、クロロｓｅｃ−ブチル基、ブ
ロモメチル基、ブロモエチル基、ブロモｎ−プロピル
基、ブロモｉ−プロピル基、ブロモｎ−ブチル基、ブロ
モｉ−ブチル基、ブロモｓｅｃ−ブチル基、アイオドメ
チル基、アイオドエチル基、アイオドｎ−プロピル基、
アイオドｉ−プロピル基、アイオドｎ−ブチル基、アイ
オドｉ−ブチル基、アイオドｓｅｃ−ブチル基等が挙げ
られる。
【００２２】Ｃ2〜Ｃ5アルカノイル基としては、アシル
基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、
ｉ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、
ｉ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基
等が挙げられる。アロイル基としては、ベンゾイル基、
トルオイル基、ナフトイル基、フタロイル基等が挙げら
れる。
基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、
ｉ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、
ｉ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基
等が挙げられる。アロイル基としては、ベンゾイル基、
トルオイル基、ナフトイル基、フタロイル基等が挙げら
れる。
【００２３】ハロＣ2〜Ｃ5アルカノイル基としては、フ
ルオロアシル基、フルオロエチルカルボニル基、フルオ
ロｎ−プロピルカルボニル基、フルオロｉ−プロピルカ
ルボニル基、フルオロｎ−ブチルカルボニル基、フルオ
ロｉ−ブチルカルボニル基、フルオロｓｅｃ−ブチルカ
ルボニル基、クロロアシル基、クロロエチルカルボニル
基、クロロｎ−プロピルカルボニル基、クロロｉ−プロ
ピルカルボニル基、クロロｎ−ブチルカルボニル基、ク
ロロｉ−ブチルカルボニル基、クロロｓｅｃ−ブチルカ
ルボニル基、ブロモアシル基、ブロモエチルカルボニル
基、ブロモｎ−プロピルカルボニル基、ブロモｉ−プロ
ピルカルボニル基、ブロモｎ−ブチルカルボニル基、ブ
ロモｉ−ブチルカルボニル基、ブロモｓｅｃ−ブチルカ
ルボニル基、アイオドアシル基、アイオドエチルカルボ
ニル基、アイオドｎ−プロピルカルボニル基、アイオド
ｉ−プロピルカルボニル基、アイオドｎ−ブチルカルボ
ニル基、アイオドｉ−ブチルカルボニル基、アイオドｓ
ｅｃ−ブチルカルボニル基等が挙げられる。
ルオロアシル基、フルオロエチルカルボニル基、フルオ
ロｎ−プロピルカルボニル基、フルオロｉ−プロピルカ
ルボニル基、フルオロｎ−ブチルカルボニル基、フルオ
ロｉ−ブチルカルボニル基、フルオロｓｅｃ−ブチルカ
ルボニル基、クロロアシル基、クロロエチルカルボニル
基、クロロｎ−プロピルカルボニル基、クロロｉ−プロ
ピルカルボニル基、クロロｎ−ブチルカルボニル基、ク
ロロｉ−ブチルカルボニル基、クロロｓｅｃ−ブチルカ
ルボニル基、ブロモアシル基、ブロモエチルカルボニル
基、ブロモｎ−プロピルカルボニル基、ブロモｉ−プロ
ピルカルボニル基、ブロモｎ−ブチルカルボニル基、ブ
ロモｉ−ブチルカルボニル基、ブロモｓｅｃ−ブチルカ
ルボニル基、アイオドアシル基、アイオドエチルカルボ
ニル基、アイオドｎ−プロピルカルボニル基、アイオド
ｉ−プロピルカルボニル基、アイオドｎ−ブチルカルボ
ニル基、アイオドｉ−ブチルカルボニル基、アイオドｓ
ｅｃ−ブチルカルボニル基等が挙げられる。
【００２４】Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルフィニル基として
は、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ｎ
−プロピルスルフィニル基、ｉ−プロピルスルフィニル
基、ｎ−ブチルスルフィニル基、ｉ−ブチルスルフィニ
ル基、ｓｅｃ−ブチルスルフィニル基等が挙げられる。
アリールスルフィニル基としては、ベンゼンスルフィニ
ル基、ｏ−トルエンスルフィニル基、ｍ−トルエンスル
フィニル基、ｐ−トルエンスルフィニル基等が挙げられ
る。
は、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ｎ
−プロピルスルフィニル基、ｉ−プロピルスルフィニル
基、ｎ−ブチルスルフィニル基、ｉ−ブチルスルフィニ
ル基、ｓｅｃ−ブチルスルフィニル基等が挙げられる。
アリールスルフィニル基としては、ベンゼンスルフィニ
ル基、ｏ−トルエンスルフィニル基、ｍ−トルエンスル
フィニル基、ｐ−トルエンスルフィニル基等が挙げられ
る。
【００２５】モノ又はジＣ1〜Ｃ4アルキルスルホンアミ
ド基としては、メチルスルホンアミド、エチルスルホン
アミド基、ｎ−プロピルスルホンアミド基、ｉ−プロピ
ルスルホンアミド基、ｎ−ブチルスルホンアミド基、ｉ
−ブチルスルホンアミド基、ｓｅｃ−ブチルスルホンア
ミド基、ジメチルスルホンアミド、ジエチルスルホンア
ミド基、ジｎ−プロピルスルホンアミド基、ジｉ−プロ
ピルスルホンアミド基、ジｎ−ブチルスルホンアミド
基、ジｉ−ブチルスルホンアミド基、ジｓｅｃ−ブチル
スルホンアミド基等が挙げられる。
ド基としては、メチルスルホンアミド、エチルスルホン
アミド基、ｎ−プロピルスルホンアミド基、ｉ−プロピ
ルスルホンアミド基、ｎ−ブチルスルホンアミド基、ｉ
−ブチルスルホンアミド基、ｓｅｃ−ブチルスルホンア
ミド基、ジメチルスルホンアミド、ジエチルスルホンア
ミド基、ジｎ−プロピルスルホンアミド基、ジｉ−プロ
ピルスルホンアミド基、ジｎ−ブチルスルホンアミド
基、ジｉ−ブチルスルホンアミド基、ジｓｅｃ−ブチル
スルホンアミド基等が挙げられる。
【００２６】Ｃ1〜Ｃ12アルキル基としては、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基、ドデシル基等が挙げられる。Ｃ1〜Ｃ12アル
キコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プ
ロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキ
ソキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、ノニソキシ
基、デソキシ基、ドデソキシ基等が挙げられる。
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基、ドデシル基等が挙げられる。Ｃ1〜Ｃ12アル
キコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プ
ロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキ
ソキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、ノニソキシ
基、デソキシ基、ドデソキシ基等が挙げられる。
【００２７】Ｘ-としては、OH-、F-、Br-、I-、CH3CO2 -
、PF6 - 、ClO4 - 、BF4 - 、CO3 2- 、SO4 2- 、PO4 3-等が挙げられ
る。Ｍの塩を形成しうる陽イオン対としては、アルカリ
金属、アルカリ土類金属、第１級アミン、第２級アミ
ン、第３級アミン等が挙げられる。アルカリ金属として
は、リチウム、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。
、PF6 - 、ClO4 - 、BF4 - 、CO3 2- 、SO4 2- 、PO4 3-等が挙げられ
る。Ｍの塩を形成しうる陽イオン対としては、アルカリ
金属、アルカリ土類金属、第１級アミン、第２級アミ
ン、第３級アミン等が挙げられる。アルカリ金属として
は、リチウム、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。
【００２８】アルカリ土類金属としては、カルシウム、
バリウム等が挙げられる。第１級アミンとしては、メチ
ルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ベンジ
ルアミン等が挙げられる。第２級アミンとしては、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、ジｎ−プロピルアミン、
ジベンジルアミン等が挙げられる。
バリウム等が挙げられる。第１級アミンとしては、メチ
ルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ベンジ
ルアミン等が挙げられる。第２級アミンとしては、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、ジｎ−プロピルアミン、
ジベンジルアミン等が挙げられる。
【００２９】第３級アミンとしては、トリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、トリｎ−プロピルアミン、トリ
ベンジルアミン等が挙げられる。本発明の式（１）のプ
ロキラルなオレフィン化合物としては、インデン、ジヒ
ドロナフタレン、シス−β−メチルスチレン、ベンゾピ
ラン化合物等が挙げられる。
ン、トリエチルアミン、トリｎ−プロピルアミン、トリ
ベンジルアミン等が挙げられる。本発明の式（１）のプ
ロキラルなオレフィン化合物としては、インデン、ジヒ
ドロナフタレン、シス−β−メチルスチレン、ベンゾピ
ラン化合物等が挙げられる。
【００３０】本発明の式（４）のヨードソ安息香酸化合
物としては、無置換のヨードソ安息香酸類、例えば、２
−ヨードソ安息香酸、３−ヨードソ安息香酸、４−ヨー
ドソ安息香酸、及びそれらの塩、ニトロ置換ヨードソ安
息香酸類、例えば、４−ニトロ−２−ヨードソ安息香
酸、２−ニトロ−５−ヨードソ安息香酸、及びそれらの
塩、アルコキシ置換ヨードソ安息香酸類、例えば、３−
メトキシ−６−ヨードソ安息香酸、３−ｎ−ブトキシ−
６−ヨードソ安息香酸、及びそれらの塩等が挙げられ
る。
物としては、無置換のヨードソ安息香酸類、例えば、２
−ヨードソ安息香酸、３−ヨードソ安息香酸、４−ヨー
ドソ安息香酸、及びそれらの塩、ニトロ置換ヨードソ安
息香酸類、例えば、４−ニトロ−２−ヨードソ安息香
酸、２−ニトロ−５−ヨードソ安息香酸、及びそれらの
塩、アルコキシ置換ヨードソ安息香酸類、例えば、３−
メトキシ−６−ヨードソ安息香酸、３−ｎ−ブトキシ−
６−ヨードソ安息香酸、及びそれらの塩等が挙げられ
る。
【００３１】本発明の、ヨードソ安息香酸化合物、例え
ば、２−ヨードソ安息香酸ナトリウムを触媒的不斉エポ
キシ化の酸化剤として使用する場合、有機溶媒と水の２
層系で反応を行なっていれば、反応終了後に水層を分離
することにより、又、疎水性の有機溶媒のみで反応を行
なっている場合は、反応終了後に水を投入して、水層を
分離することにより、又、親水性の有機溶媒であれば、
反応終了後に疎水性の有機溶媒に置換した後に水を投入
して水層を分離することにより、いずれも、酸化剤とし
て使用した、２−ヨードソ安息香酸ナトリウム及びその
還元体である２−沃化安息香酸ナトリウムを、容易に水
層側に回収することができる。
ば、２−ヨードソ安息香酸ナトリウムを触媒的不斉エポ
キシ化の酸化剤として使用する場合、有機溶媒と水の２
層系で反応を行なっていれば、反応終了後に水層を分離
することにより、又、疎水性の有機溶媒のみで反応を行
なっている場合は、反応終了後に水を投入して、水層を
分離することにより、又、親水性の有機溶媒であれば、
反応終了後に疎水性の有機溶媒に置換した後に水を投入
して水層を分離することにより、いずれも、酸化剤とし
て使用した、２−ヨードソ安息香酸ナトリウム及びその
還元体である２−沃化安息香酸ナトリウムを、容易に水
層側に回収することができる。
【００３２】又、水層側に回収された２−沃化安息香酸
ナトリウムは、特開平5-163199号公報に記載されている
ような適当な酸化剤で酸化することにより、２−ヨード
ソ安息香酸ナトリウムとして回収して、反応に再使用す
ることができる。これらのヨードソ安息香酸化合物の使
用量は、プロキラルなオレフィン化合物に対して通常１
〜１０当量、好ましくは１〜３当量の範囲である。
ナトリウムは、特開平5-163199号公報に記載されている
ような適当な酸化剤で酸化することにより、２−ヨード
ソ安息香酸ナトリウムとして回収して、反応に再使用す
ることができる。これらのヨードソ安息香酸化合物の使
用量は、プロキラルなオレフィン化合物に対して通常１
〜１０当量、好ましくは１〜３当量の範囲である。
【００３３】式（２）の光学活性マンガン錯体触媒とし
ては、特開平5-507645号公報、特開平5-301878号公報、
及び欧州公開特許535377号公報に記載されているサレン
錯体触媒が挙げられる。例えば、式（８）〜式（１１）
で表されるサレンマンガン錯体触媒が挙げられる。
ては、特開平5-507645号公報、特開平5-301878号公報、
及び欧州公開特許535377号公報に記載されているサレン
錯体触媒が挙げられる。例えば、式（８）〜式（１１）
で表されるサレンマンガン錯体触媒が挙げられる。
【００３４】
【化１４】
【００３５】光学活性マンガン錯体触媒の使用量は、プ
ロキラルなオレフィン化合物に対して、通常０．１モル
％から５モル％の範囲である。反応溶媒としては、水と
の２層系で行なう場合にはジクロロメタン、ジクロロエ
タン、クロロホルム等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、
ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、クロロベン
ゼン、オルトジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭
化水素類、メチル−ｔ−ブチルエーテル等のエーテル
類、酢酸エチル等のエステル類、メチルイソブチルケト
ン等のケトン類が挙げられる。
ロキラルなオレフィン化合物に対して、通常０．１モル
％から５モル％の範囲である。反応溶媒としては、水と
の２層系で行なう場合にはジクロロメタン、ジクロロエ
タン、クロロホルム等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、
ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、クロロベン
ゼン、オルトジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭
化水素類、メチル−ｔ−ブチルエーテル等のエーテル
類、酢酸エチル等のエステル類、メチルイソブチルケト
ン等のケトン類が挙げられる。
【００３６】これらは単独あるいは２種類以上混合して
使用しても構わない。２層系で反応を行わない場合は、
上記溶媒のほかアセトニトリル、アセトン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等が挙げられる。又、反応系に、
ピリジン−Ｎ−オキシド、４−フェニルピリジン−Ｎ−
オキシド、ルチジン−Ｎ−オキシド、ピコリン−Ｎ−オ
キシド又は２−メチルイミダゾール等のマンガン錯体に
配位能力をもつ成分を共存させることもできる。
使用しても構わない。２層系で反応を行わない場合は、
上記溶媒のほかアセトニトリル、アセトン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等が挙げられる。又、反応系に、
ピリジン−Ｎ−オキシド、４−フェニルピリジン−Ｎ−
オキシド、ルチジン−Ｎ−オキシド、ピコリン−Ｎ−オ
キシド又は２−メチルイミダゾール等のマンガン錯体に
配位能力をもつ成分を共存させることもできる。
【００３７】配位能力を持つ成分の使用量については特
に制限がない。反応温度は通常−５０〜５０℃の範囲、
好ましくは−２５〜２５℃の範囲がよい。反応によって
は、反応速度が遅い場合には相間移動触媒等を使用する
ことができる。
に制限がない。反応温度は通常−５０〜５０℃の範囲、
好ましくは−２５〜２５℃の範囲がよい。反応によって
は、反応速度が遅い場合には相間移動触媒等を使用する
ことができる。
【００３８】相間移動触媒としては、テトラメチルアン
モニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムブロマ
イド、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド、テ
トラブチルアンモニウムハイドロジェンサルフェート、
トリオクチルメチルアンモニウムクロライド等が挙げら
れる。その使用量については特に制限がない。
モニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムブロマ
イド、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド、テ
トラブチルアンモニウムハイドロジェンサルフェート、
トリオクチルメチルアンモニウムクロライド等が挙げら
れる。その使用量については特に制限がない。
【００３９】反応終了後は、例えば、溶媒としてジクロ
ロメタン、酸化剤として２−ヨードソ安息香酸ナトリウ
ムを用いた２層系の場合、分液することにより有機層側
に反応生成物や錯体触媒を、水層側に酸化剤を容易に分
離することができる。有機層側からは、例えば溶媒を減
圧濃縮し、蒸留あるいはシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにより分離精製すれば、目的とする光学活性エポ
キシ化合物が得られる。
ロメタン、酸化剤として２−ヨードソ安息香酸ナトリウ
ムを用いた２層系の場合、分液することにより有機層側
に反応生成物や錯体触媒を、水層側に酸化剤を容易に分
離することができる。有機層側からは、例えば溶媒を減
圧濃縮し、蒸留あるいはシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにより分離精製すれば、目的とする光学活性エポ
キシ化合物が得られる。
【００４０】一方、水層側からは、酸化剤として使用し
た２−ヨードソ安息香酸ナトリウムと、その還元体であ
る２−ヨード安息香酸ナトリウムが得られ、必要に応じ
て適当な酸化剤、例えば、特開平5-163199号公報に記載
されている方法（次亜塩素酸ナトリウム、塩素等）で酸
化処理することにより、２−ヨードソ安息香酸ナトリウ
ムが得られる。
た２−ヨードソ安息香酸ナトリウムと、その還元体であ
る２−ヨード安息香酸ナトリウムが得られ、必要に応じ
て適当な酸化剤、例えば、特開平5-163199号公報に記載
されている方法（次亜塩素酸ナトリウム、塩素等）で酸
化処理することにより、２−ヨードソ安息香酸ナトリウ
ムが得られる。
【００４１】この２−ヨードソ安息香酸ナトリウムは、
再び反応に再使用することが出来る。
再び反応に再使用することが出来る。
【００４２】
【実施例】以下、実施例により更に詳しく説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 反応フラスコにインデン０.２５１ｇ（２.１６ミリモ
ル）、塩化メチレン５.０ｇ、テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムブロマイド０.０３７ｇ、サレン−マンガン錯
体触媒１２５７ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室温下攪
拌溶解した。
本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 反応フラスコにインデン０.２５１ｇ（２.１６ミリモ
ル）、塩化メチレン５.０ｇ、テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムブロマイド０.０３７ｇ、サレン−マンガン錯
体触媒１２５７ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室温下攪
拌溶解した。
【００４３】次に、２−ヨードソ安息香酸ナトリウム
０.６１７ｇ（１.０当量）を水７.５ｇに溶解した水溶
液を加えてエポキシ化反応を行なった。室温下、２４時
間反応後、反応液を分液し有機層を液体クロマトグラフ
ィーにより分析すると、インデンの転化率は７７％、イ
ンデンオキシドの不斉収率は９６.２％ｅｅであった。
０.６１７ｇ（１.０当量）を水７.５ｇに溶解した水溶
液を加えてエポキシ化反応を行なった。室温下、２４時
間反応後、反応液を分液し有機層を液体クロマトグラフ
ィーにより分析すると、インデンの転化率は７７％、イ
ンデンオキシドの不斉収率は９６.２％ｅｅであった。
【００４４】
【化１５】
【００４５】実施例２ 反応フラスコにインデン０.２５６ｇ（２.２０ミリモ
ル）、塩化メチレン２.５ｇ、テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムブロマイド０.０３５ｇ、サレン−マンガン錯
体触媒１３５５ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室温下攪
拌溶解した。次に、２−ヨードソ安息香酸ナトリウム
０.６１５ｇ（０.９７当量）を水２.５ｇに溶解した水
溶液を加えてエポキシ化反応を行なった。
ル）、塩化メチレン２.５ｇ、テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムブロマイド０.０３５ｇ、サレン−マンガン錯
体触媒１３５５ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室温下攪
拌溶解した。次に、２−ヨードソ安息香酸ナトリウム
０.６１５ｇ（０.９７当量）を水２.５ｇに溶解した水
溶液を加えてエポキシ化反応を行なった。
【００４６】室温下、２４時間反応後、反応液を分液し
有機層を液体クロマトグラフィーにより分析すると、イ
ンデンの転化率は６９％、インデンオキシドの不斉収率
は９５.３％ｅｅであった。 実施例３ 反応フラスコにインデン０.５０ｇ（４.３ミリモル）、
塩化メチレン１０.０ｇ、テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムブロマイド０.０７ｇ、サレン−マンガン錯体触媒
１３１１０ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室温下攪拌溶
解した。
有機層を液体クロマトグラフィーにより分析すると、イ
ンデンの転化率は６９％、インデンオキシドの不斉収率
は９５.３％ｅｅであった。 実施例３ 反応フラスコにインデン０.５０ｇ（４.３ミリモル）、
塩化メチレン１０.０ｇ、テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムブロマイド０.０７ｇ、サレン−マンガン錯体触媒
１３１１０ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室温下攪拌溶
解した。
【００４７】別フラスコで、水１５.０ｇに炭酸ナトリ
ウム０.９１ｇを溶解し、この溶液に２−ヨードソ安息
香酸１.１３ｇ（１.０当量）を加えて溶解した水溶液
を、上記混合液に加えてエポキシ化反応を行なった。室
温下、２３時間反応後、反応液を分液し有機層を液体ク
ロマトグラフィーにより分析すると、インデンの転化率
は６２％、インデンオキシドの不斉収率は９３.５％ｅ
ｅであった。 実施例４ 反応フラスコにインデン０.５０ｇ（４.３ミリモル）、
塩化メチレン１０.０ｇ、４−フェニルピリジン−Ｎ−
オキシド０.１８ｇ（２５モル％）、テトラ−ｎ−ブチ
ルアンモニウムブロマイド０.０７ｇ、サレン−マンガ
ン錯体触媒１３１１０ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室
温下攪拌溶解した。
ウム０.９１ｇを溶解し、この溶液に２−ヨードソ安息
香酸１.１３ｇ（１.０当量）を加えて溶解した水溶液
を、上記混合液に加えてエポキシ化反応を行なった。室
温下、２３時間反応後、反応液を分液し有機層を液体ク
ロマトグラフィーにより分析すると、インデンの転化率
は６２％、インデンオキシドの不斉収率は９３.５％ｅ
ｅであった。 実施例４ 反応フラスコにインデン０.５０ｇ（４.３ミリモル）、
塩化メチレン１０.０ｇ、４−フェニルピリジン−Ｎ−
オキシド０.１８ｇ（２５モル％）、テトラ−ｎ−ブチ
ルアンモニウムブロマイド０.０７ｇ、サレン−マンガ
ン錯体触媒１３１１０ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室
温下攪拌溶解した。
【００４８】別フラスコで、水１５.０ｇに炭酸ナトリ
ウム０.９１ｇを溶解し、この溶液に２−ヨードソ安息
香酸１.１３ｇ（１.０当量）を加えて溶解した水溶液
を、上記混合液に加えてエポキシ化反応を行なった。室
温下、２７時間反応後、反応液を分液し有機層を液体ク
ロマトグラフィーにより分析すると、インデンの転化率
は４９％、インデンオキシドの不斉収率は８９.８％ｅ
ｅであった。 実施例５ 反応フラスコにインデン０.５８１ｇ（５.０ミリモ
ル）、塩化メチレン１１.３ｇ、４−フェニルピリジン
−Ｎ−オキシド０.２１８ｇ（２５モル％）、テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド０.０８ｇ、サレン
−マンガン錯体触媒１３１３０ｍｇ（２.５モル％）を
入れ、室温下攪拌溶解した。
ウム０.９１ｇを溶解し、この溶液に２−ヨードソ安息
香酸１.１３ｇ（１.０当量）を加えて溶解した水溶液
を、上記混合液に加えてエポキシ化反応を行なった。室
温下、２７時間反応後、反応液を分液し有機層を液体ク
ロマトグラフィーにより分析すると、インデンの転化率
は４９％、インデンオキシドの不斉収率は８９.８％ｅ
ｅであった。 実施例５ 反応フラスコにインデン０.５８１ｇ（５.０ミリモ
ル）、塩化メチレン１１.３ｇ、４−フェニルピリジン
−Ｎ−オキシド０.２１８ｇ（２５モル％）、テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド０.０８ｇ、サレン
−マンガン錯体触媒１３１３０ｍｇ（２.５モル％）を
入れ、室温下攪拌溶解した。
【００４９】別フラスコで、２規定の水酸化ナトリウム
水５.００ｍｌに２−ヨードソ安息香酸２.６４ｇ（２.
０当量）を加えて溶解した水溶液を、上記混合液に加え
てエポキシ化反応を行なった。室温下、２４時間反応
後、反応液を分液し有機層を液体クロマトグラフィーに
より分析すると、インデンの転化率はほぼ１００％、イ
ンデンオキシドの不斉収率は９７.８％ｅｅであった。 実施例６ 反応フラスコにインデン０.１００ｇ（０.８６１ミリモ
ル）、塩化メチレン２.０ｇ、テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムブロマイド０.０１４ｇ、更にサレン−マンガ
ン錯体触媒１３２３ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室温
下攪拌溶解した。
水５.００ｍｌに２−ヨードソ安息香酸２.６４ｇ（２.
０当量）を加えて溶解した水溶液を、上記混合液に加え
てエポキシ化反応を行なった。室温下、２４時間反応
後、反応液を分液し有機層を液体クロマトグラフィーに
より分析すると、インデンの転化率はほぼ１００％、イ
ンデンオキシドの不斉収率は９７.８％ｅｅであった。 実施例６ 反応フラスコにインデン０.１００ｇ（０.８６１ミリモ
ル）、塩化メチレン２.０ｇ、テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムブロマイド０.０１４ｇ、更にサレン−マンガ
ン錯体触媒１３２３ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室温
下攪拌溶解した。
【００５０】次に、２−ヨードソ安息香酸ナトリウム
０.２４６ｇ（１.０当量）を水３.０ｇに溶解した水溶
液を加えてエポキシ化反応を行なった。室温下、２４時
間反応後、反応液を分液し有機層を液体クロマトグラフ
ィーにより分析すると、インデンの転化率は６８％、イ
ンデンオキシドの不斉収率は９３.０％ｅｅであった。
０.２４６ｇ（１.０当量）を水３.０ｇに溶解した水溶
液を加えてエポキシ化反応を行なった。室温下、２４時
間反応後、反応液を分液し有機層を液体クロマトグラフ
ィーにより分析すると、インデンの転化率は６８％、イ
ンデンオキシドの不斉収率は９３.０％ｅｅであった。
【００５１】
【化１６】
【００５２】実施例７ 反応フラスコにインデン０.２９ｇ（２.５ミリモル）、
塩化メチレン５.８ｇ、４−フェニルピリジン−Ｎ−オ
キシド０.１１ｇ（２５モル％）、テトラ−ｎ−ブチル
アンモニウムブロマイド０.０４ｇ、サレン−マンガン
錯体触媒１４３９.７ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室温
下攪拌溶解した。
塩化メチレン５.８ｇ、４−フェニルピリジン−Ｎ−オ
キシド０.１１ｇ（２５モル％）、テトラ−ｎ−ブチル
アンモニウムブロマイド０.０４ｇ、サレン−マンガン
錯体触媒１４３９.７ｍｇ（２.５モル％）を入れ、室温
下攪拌溶解した。
【００５３】別フラスコで、水８.７ｇに炭酸ナトリウ
ム０.５３ｇを溶解し、この溶液に２−ヨードソ安息香
酸０.７２ｇ（１.０当量）を加えて溶解した水溶液を、
上記混合液に加えてエポキシ化反応を行なった。室温
下、１６時間反応後、反応液を分液し有機層を液体クロ
マトグラフィーにより分析すると、インデンの転化率は
８２％、インデンオキシドの不斉収率は７３.９％ｅｅ
であった。
ム０.５３ｇを溶解し、この溶液に２−ヨードソ安息香
酸０.７２ｇ（１.０当量）を加えて溶解した水溶液を、
上記混合液に加えてエポキシ化反応を行なった。室温
下、１６時間反応後、反応液を分液し有機層を液体クロ
マトグラフィーにより分析すると、インデンの転化率は
８２％、インデンオキシドの不斉収率は７３.９％ｅｅ
であった。
【００５４】
【化１７】
【００５５】実施例８ 実施例１の反応終了後の分液水層をとり、これに次亜塩
素酸ナトリウム（活性塩素含量として５重量％）３.２
ｇを１０〜２０℃で徐々に添加し、１時間撹拌した。次
に、酢酸２ｍｌを添加し固体を析出させた後、８０℃で
１時間、更に３０℃で１時間撹拌した。
素酸ナトリウム（活性塩素含量として５重量％）３.２
ｇを１０〜２０℃で徐々に添加し、１時間撹拌した。次
に、酢酸２ｍｌを添加し固体を析出させた後、８０℃で
１時間、更に３０℃で１時間撹拌した。
【００５６】生成した結晶を濾別した後、３回水洗後、
乾燥し、０.５ｇの２−ヨードソ安息香酸を得た。２−
ヨードソ安息香酸の純度は、ヨードメトリー法により９
８％であった。収率８６％。又、反応フラスコにインデ
ン０.１ｇ（０.８１ミリモル）、塩化メチレン２.０
ｇ、テトラ−ブチルアンモニウムブロマイド０.０１４
ｇ、サレン−マンガン錯体触媒１２２２.０ｍｇ（２.５
モル％）を入れ、室温下攪拌溶解した。
乾燥し、０.５ｇの２−ヨードソ安息香酸を得た。２−
ヨードソ安息香酸の純度は、ヨードメトリー法により９
８％であった。収率８６％。又、反応フラスコにインデ
ン０.１ｇ（０.８１ミリモル）、塩化メチレン２.０
ｇ、テトラ−ブチルアンモニウムブロマイド０.０１４
ｇ、サレン−マンガン錯体触媒１２２２.０ｍｇ（２.５
モル％）を入れ、室温下攪拌溶解した。
【００５７】更に、別フラスコで、２規定の水酸化ナト
リウム１ｍｌに、上記回収２−ヨードソ安息香酸０.４
３ｇ（２.０当量）を加えて溶解した水溶液を、上記混
合液に加えてエポキシ化反応を行なった。室温下、２４
時間反応後、反応液を分液し有機層を液体クロマトグラ
フィーにより分析すると、インデンの転化率は９５％、
インデンオキシドの不斉収率は９５.８％ｅｅであっ
た。
リウム１ｍｌに、上記回収２−ヨードソ安息香酸０.４
３ｇ（２.０当量）を加えて溶解した水溶液を、上記混
合液に加えてエポキシ化反応を行なった。室温下、２４
時間反応後、反応液を分液し有機層を液体クロマトグラ
フィーにより分析すると、インデンの転化率は９５％、
インデンオキシドの不斉収率は９５.８％ｅｅであっ
た。
【００５８】
【発明の効果】本発明の方法に従えば、酸化剤としてヨ
ードソ安息香酸化合物を使用することによりプロキラル
なオレフィン化合物から光学活性なエポキシ化合物を製
造することができる。又、使用したヨードソ安息香酸化
合物を容易に回収、再生し、再使用することができる。
ードソ安息香酸化合物を使用することによりプロキラル
なオレフィン化合物から光学活性なエポキシ化合物を製
造することができる。又、使用したヨードソ安息香酸化
合物を容易に回収、再生し、再使用することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 大国 洋子 千葉県船橋市坪井町722番地１日産化学工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 尾田 隆 千葉県船橋市坪井町722番地１日産化学工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 嶋田 雅夫 千葉県船橋市坪井町722番地１日産化学工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 橋場 功 千葉県船橋市坪井町722番地１日産化学工 業株式会社中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】式（１） 【化１】 ［式中、Ｚ1及びＺ2は、それぞれ独立して、水素原子、
シアノ基、ニトロ基、アセチル基等の保護基で保護され
ていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキ
ル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、ハロＣ1〜Ｃ4アルキル
基、カルボキシ基、ホルミル基、Ｃ2〜Ｃ5アルカノイル
基、アロイル基、ハロＣ2〜Ｃ5アルカノイル基、カルバ
モイル基、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルフィニル基、アリール
スルフィニル基、Ｃ1〜Ｃ4アルキルスルホニル基、アリ
ールスルホニル基、スルホンアミド基、モノ又はジＣ1
〜Ｃ4アルキルスルホンアミド基を意味する。Ｚ3は水素
原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を
意味する。Ｚ4はＣ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコ
キシ基又はフェニル基（該フェニル基は、ハロゲン原
子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基で置換
されていてもよい。）を意味する。又は、Ｚ3とＺ4が一
緒になって 【化２】 （Ｚ5、Ｚ6、Ｚ7及びＺ8は、それぞれ独立して、水素原
子又はＣ1〜Ｃ4アルキル基を意味する。）を意味す
る。］で表わされるプロキラルなオレフィン化合物を、 式（２） 【化３】 〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して水
素原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、フェニル基（該フェニル
基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4ア
ルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていても
よい。）を意味し、 又、いずれか２つが一緒になって
Ｃ4〜Ｃ8の環を形成してもよい。Ｙ1、Ｙ2及びＹ3は、
それぞれ独立して水素原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、フェ
ニル基（該フェニル基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アル
キル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基
で置換されていてもよい。）、ナフチル基（該ナフチル
基は、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4ア
ルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていても
よい。）、アントラセン基（該アントラセン基は、ハロ
ゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ
基、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよい。）
を意味し、又、いずれか２つが一緒になってＣ4〜Ｃ8の
環を形成してもよく、ナフチル環等の縮合環を形成して
もよい。Ｘ-は塩を形成しうる陰イオン対を意味す
る。〕で表わされる光学活性マンガン錯体触媒を用い
て、触媒的に不斉エポキシ化反応を行ない、 式（３） 【化４】 〔式中、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＺ4は前記に同じ。＊で示さ
れた炭素原子の絶対配位はＲかＳを意味する。〕で表わ
される光学活性なエポキシ化合物を製造するに際して、
酸化剤として式（４） 【化５】 〔式中、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞれ独立して水
素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ
12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、カルボキシル
基、ホルミル基を意味する。Ｍは水素原子、又は塩を形
成しうる陽イオン対を意味する。〕で表されるヨードソ
安息香酸化合物を使用することを特徴とする製造方法。 - 【請求項２】式（４）で表されるヨードソ安息香酸化合
物が式（５） 【化６】 〔式中、Ｍは水素原子、又は塩を形成しうる陽イオン対
を意味する。〕で表される２−ヨードソ安息香酸及びそ
の塩である請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】式（１）で表されるプロキラルなオレフィ
ン化合物がインデンである請求項１記載の製造方法。 - 【請求項４】式（２）で表される光学活性マンガン錯体
化合物が、 式（６）及び（６’） 【化７】 で表わされる光学活性サレンマンガン錯体化合物である
請求項１記載の製造方法。 - 【請求項５】式（２）で表される光学活性マンガン錯体
化合物が、 式（７）及び（７’） 【化８】 で表わされる光学活性サレンマンガン錯体化合物である
請求項１記載の製造方法。 - 【請求項６】式（１）で表されるプロキラルなオレフィ
ン化合物を、式（２）で表される光学活性マンガン錯体
触媒の存在下、式（４）で表されるヨードソ安息香酸化
合物を使用して、不斉エポキシ化反応を行なった後、水
層中の沃化安息香酸化合物を酸化しヨードソ安息香酸化
合物として回収再生し、不斉エポキシ化反応に再使用す
ることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7203219A JPH0952885A (ja) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | 光学活性エポキシ化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7203219A JPH0952885A (ja) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | 光学活性エポキシ化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0952885A true JPH0952885A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16470438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7203219A Pending JPH0952885A (ja) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | 光学活性エポキシ化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0952885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003064174A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Nagoya Industrial Science Research Inst | ラクトンの開環重合用触媒、ポリエステルの製造方法、及びブロック共重合体の製造方法。 |
-
1995
- 1995-08-09 JP JP7203219A patent/JPH0952885A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003064174A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Nagoya Industrial Science Research Inst | ラクトンの開環重合用触媒、ポリエステルの製造方法、及びブロック共重合体の製造方法。 |
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