JPH0952389A - 半導体レーザアレイ駆動方法および装置、並びに画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、同一基体中に複数の発光点が配列さ
れてなる半導体レーザアレイを駆動する半導体レーザア
レイ駆動方法、その方法の実施に好適な半導体レーザア
レイ駆動装置、およびその方法が適用された画像形成装
置に関し、駆動方法の工夫により、半導体レーザアレイ
の寿命を向上させる。 【解決手段】連続電流による連続駆動時の発光点の活性
層の上昇温度をΔＴ₀ 、パルス電流によるパルス駆動時
の発光点の活性層の上昇温度をΔＴ₁ としたとき、複数
の発光点、それぞれを、 ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／２ を満足するパルス幅とデューティ比を有する駆動パルス
で駆動する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、同一基体中に複数
の発光点が配列されてなる半導体レーザアレイを駆動す
る半導体レーザアレイ駆動方法、その方法の実施に好適
な半導体レーザアレイ駆動装置、およびその方法が適用
された画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、同一基体中に複数の発光点が
配列されてなる半導体レーザアレイについて種々の提案
がなされている。例えば、特開平１−１５２６８３号公
報、１９８７年秋季第４８回応用物理学会学術講演会予
稿集第６３８頁には、レーザビームの間隔３００μｍ、
ビーム数１０本を順次発光させることにより、ビームを
移動させるレーザビームスキャナが示されている。

【０００３】また、特開平３−２９４８７５号公報に
は、半導体レーザアレイを感光ドラムに近接させて、集
光レンズを用いずに感光ドラムに静電潜像を書き込む電
子写真方式の画像形成装置が提案されている。また、特
開平５−８３５０３号公報には、低ドループ化のための
工夫がなされたカラープリンタが提案されている。

【０００４】さらに、特開平４−２４６８７８号公報に
低ドループ化のために各活性層領域間に深溝を設けたマ
ルチビームレーザが提案されている。さらに、Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ． ５８，３１９（１９９１）
には、レーザ発光点を１００個有するレーザアレイが報
告されている。さらに、特願平７−２８９５６９号に
は、数千個以上の２次元面発光素子アレイを、縦方向と
横方向の電極配線によりマトリクス配線し、高速、低消
費電力の駆動を行なうことのできる構造が開示されてい
る。

【０００５】さらに、特願平８−８８７８号には、２次
元面内に数千個以上の面発光レーザを配列し、これをレ
ンズ系により感光ドラム面に拡大投影して画像を形成す
るレーザプリンタが提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来よ
り、レーザアレイに関する文献が多数公開されている
が、同一基体中に発光点を多数有する半導体レーザアレ
イの場合、その半導体レーザアレイの全ての発光点が全
て所期の寿命を持つ良品である歩留りが極端に低いこと
からコストが極めて高いという問題がある。

【０００７】例えば、１個のレーザの良品率が９９％と
非常に高くとも、１０００個のレーザアレイではその良
品歩留りは、０．００４％と極端に低くなり、レーザア
レイのコストが極めて高くなるという問題がある。レー
ザアレイの発光点数が数千個以上になると、この問題は
さらに深刻になる。半導体レーザないし半導体レーザア
レイの歩留りを低下させている要因として、主に、 （１）化合物半導体レーザ結晶の内部やその表面，端面
に存在する転位などの結晶欠陥 （２）レーザ作製プロセスで発生する欠陥 （３）レーザ発振時の電流密度や光密度が高いことに起
因する特性劣化の進行 の３つが挙げられる。

【０００８】このうち、（３）は、レーザ発振時の電流
と光によるレーザ発光点の温度が上昇し、（１）や
（２）の欠陥と複合的に作用して特性の劣化が急速に進
行するものであり、この特性劣化が半導体レーザの歩留
りや信頼性を劣化させ、コストを上昇させているのであ
る。特に発光点を多数個有する半導体レーザアレイの場
合、多数の発光点のうち１つでも不良の発光点が存在す
ると半導体レーザアレイ全体が不良品となるために、こ
の問題は極めて深刻である。

【０００９】現実には、発光点を数個のみ有する半導体
レーザアレイでさえも、発光点が１個のレーザに較べ歩
留りは低く、半導体レーザアレイを良品と不良品とに選
別するためのスクリーニングや加速寿命試験などを実施
しており、これらの選別に要するコストと時間が製品の
価格をますます上昇させている。多数の発光点を配列す
る別の方法として、数個の発光点を有する半導体レーザ
アレイを多数個配列する方法が考えられる。この方法の
場合、個々の半導体レーザアレイが良品である歩留まり
は高く、その点からはコストを低減することができる
が、多数の発光点を配列するためには、数個の発光点を
有する半導体レーザアレイを高精度に数十個、数百個、
あるいは数千個も、例えば貼り合わせにより配列する工
程が必要であり、この点から、結局はコスト高となって
しまうということになる。このように多数個の発光点の
レーザを貼り合わせる方法では、半導体レーザアレイの
貼り合わせの精度が発光点の配列精度を左右するため、
例えば５μｍ以下の高精度で発光点を配列するのは難し
い。

【００１０】本発明は、上記のような、半導体レーザア
レイの温度上昇や短寿命や低い歩留りや高いコストなど
の問題点を、その駆動方法を工夫することにより解決す
ることを目的とする。また、本発明は、駆動方法の工夫
により高寿命化が図られた半導体レーザアレイを用いた
画像形成装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体レーザアレイ駆動方法は、同一基体中に複数
の発光点が配列されてなる半導体レーザアレイを駆動す
る半導体レーザアレイ駆動方法において、連続電流によ
る連続駆動時の発光点の活性層の上昇温度をΔＴ₀ 、パ
ルス電流によるパルス駆動時の発光点の活性層の上昇温
度をΔＴ₁ としたとき、複数の発光点それぞれを、 ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／２ ……（１） を満足するパルス幅とデューティ比を有する駆動パルス
で駆動することを特徴とする。

【００１２】ここで、複数の発光点それぞれを、デュー
ティ比ｘが０．４以下であって、かつデューティ比ｘと
パルス幅ｙ（μｓ）との間に、ｙ＜３．１ｅｘｐ（−
８．９ｘ）の関係が成立する駆動パルスで駆動すると、
半導体レーザアレイの上昇温度を（１）式を満足する温
度範囲に保つことができる。また、本発明の半導体レー
ザアレイ駆動方法は、同一基体中に複数の発光点が配列
されてなる半導体レーザアレイを駆動する半導体レーザ
アレイ駆動装置において、連続電流による連続駆動時の
発光点の活性層の上昇温度をΔＴ₀ 、パルス電流による
パルス駆動時の発光点の活性層の上昇温度をΔＴ₁ とし
たとき、 ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／４ ……（２） を満足するパルス幅とデューティ比の駆動パルスで駆動
することが好ましく、この場合、レーザの劣化をさらに
抑制することができる。

【００１３】複数の発光点それぞれを、デューティ比ｘ
が０．１以下であって、かつデューティ比ｘとパルス幅
ｙ（μｓ）との間に、ｙ＜０．２２ｅｘｐ（−６．４
ｘ）の関係が成立する駆動パルスで駆動すると半導体レ
ーザアレイの上昇温度を（２）式を満足する温度範囲に
保つことができる。また本発明のレーザアレイ駆動方法
は、複数の発光点それぞれを、ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／２
を満足するパルス幅とデューティ比の駆動パルスで駆動
し、さらにそのデューティ比の逆数で規定される個数の
連続した発光点を１つのグループとしそのグループ内で
は各発光点の発光の時刻が順次にずれた駆動パルスで駆
動するものであってもよい。

【００１４】また本発明の半導体レーザアレイ駆動装置
は、同一基体中に複数の発光点が配列されてなる半導体
レーザアレイを駆動する半導体レーザアレイ駆動装置に
おいて、それら複数の発光点のうちの少なくとも一部の
複数の動作発光点それぞれを発光させるか否かを指示す
る発光指示信号を入力する信号入力部と、上記複数の動
作発光点のうち発光指示信号により発光が指示されてい
る動作発光点それぞれを、連続電流による連続駆動時の
動作発光点の活性層の上昇温度をΔＴ₀ 、パルス電流に
よるパルス駆動時の動作発光点の活性層の上昇温度をΔ
Ｔ ₁ としたとき、 ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／２ を満足するパルス幅とデューティ比を有する駆動パルス
でパルス発光させる発光駆動部とを備えたことを特徴と
する。

【００１５】ここで、上記本発明の半導体レーザアレイ
駆動装置において、上記発光駆動部が、上記複数の動作
発光点それぞれを駆動するドライバと、上記信号入力部
から入力された発光指示信号により複数の動作発光点を
それぞれに発光が指示されているか否かを、各動作発光
点毎に順次に、かつ循環的に、一巡する周期に対するパ
ルス幅の比として規定されるデューティ比ｘと該パルス
幅ｙ（μｓ）との間にｙ＜３．１ｅｘｐ（−８．９ｘ）
の関係を満足するパルス信号の有無により、上記ドライ
バに伝達する発光制御回路とを備えたことを特徴とす
る。

【００１６】ここで、上記「順次」は、時間的な「順
次」をいい、発光点の配列順（空間的な「順次」）であ
る必要はなく、例えば発光点１つおき等であってもよ
い。また、本発明の画像形成装置は、同一基体中に複数
の発光点が配列されてなる半導体レーザアレイを備え、
画像形成のための少なくとも１つのプロセスとしてその
半導体レーザを駆動するプロセスを含む画像形成装置で
あって、上記複数の発光点のうちの少なくとも一部の複
数の動作発光点それぞれを発光させるか否かを指示する
画像信号を入力し、複数の動作発光点それぞれを、各動
作発光点に対応する画像信号が発光を指示していること
を条件として、連続電流による連続駆動時の動作発光点
の活性層の上昇温度をΔＴ₀ 、パルス電流によるパルス
駆動時の動作発光点の活性層の上昇温度をΔＴ₁ とした
とき、 ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／２ を満足するパルス幅とデューティ比を有する駆動パルス
でパルス発光させる発光駆動部とを備えたことを特徴と
する。

【００１７】ここで、上記本発明の画像形成装置は、上
記半導体レーザアレイから発せられた光により画像を表
示する表示画面を有するものであってもよく、あるい
は、上記本発明の画像形成装置は、上記半導体レーザア
レイから発せられた光により潜像が形成される潜像記録
体を、固定的に、もしくは着脱自在に備える潜像記録体
配置部を有するものであってもよい。

【００１８】ここで、上記「潜像記録体配置部」は、い
わゆるゼログラフィプロセスにより静電潜像を記録する
いわゆる感光体ドラム等の潜像記録体が配置されるもの
であってもよく、あるいは、銀塩フィルム等の潜像記録
体が配置されるものであってもよい。また本発明の画像
形成装置において、上記半導体レーザアレイは、その複
数の発光点が少なくとも主走査方向に配列されるように
配設されてなるものであってもよい。

【００１９】レーザ素子の歩留りの低さや特性の劣化は
レーザ素子の内部あるいは端面あるいは電極に存在する
欠陥が、電流や光による熱的影響によって増殖する過程
と密接な関係にある。従って、特性劣化を抑えるには欠
陥の増殖速度を低減させることが重要であり、欠陥の増
殖速度を低減させるにはレーザ素子の熱的影響を抑制す
ることが効果的である。レーザ素子の熱的影響を抑制す
ることによってレーザ特性を安定させ、経時劣化を減少
させ、寿命を延ばし、レーザ素子の歩留りを向上させる
ことができる。すなわち、レーザ素子の温度上昇を抑制
することにより、数百個以上の発光点が配列されたレー
ザ素子アレイを実現することが可能になる。

【００２０】一般に物質の温度上昇は、発熱速度と放熱
速度の差から導かれる蓄熱速度と、発熱・非発熱（放
熱）時間との関係から導出される。発熱時間を短くし放
熱時間を長くとると、当然、デバイスの温度上昇は抑制
される。この逆に発熱時間を長くし、放熱時間を短くす
ると、物質の温度は上昇していく。われわれはこの物理
現象に注目し、半導体レーザにおいて欠陥が増殖しない
温度にレーザ素子を保持しながらレーザを駆動する方法
を研究した。

【００２１】本発明者は駆動パルスを種々に変化させた
実験を行ない、そのデータを綿密に調べた結果、連続電
流による連続駆動時の発光点の活性層の上昇温度をΔＴ
₀ 、パルス電流によるパルス駆動時の発光点の活性層の
上昇温度をΔＴ₁ としたとき、複数の発光点それぞれを ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／２（好ましくはΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜
１／４） を満足するパルス幅とデューティ比を有する駆動パルス
で駆動すること、すなわち具体的には、複数の発光点そ
れぞれを、デューティ比ｘが０．４以下であって、かつ
デューティ比ｘとパルス幅ｙ（μｓ）との間に、ｙ＜
３．１ｅｘｐ（−８．９ｘ）（好ましくはｙ＜０．２２
ｅｘｐ（−６．４ｘ））の関係が成立する駆動パルスで
駆動することによって、レーザの特性劣化を極めて小さ
く抑えることができ、寿命が大幅に向上することを見出
した。

【００２２】パルス電流駆動の場合、連続電流駆動の場
合よりもレーザ素子の寿命が長寿命化することは、従来
より知られている。つまりパルス駆動では連続駆動より
通電時間が短いのでレーザの寿命が延びると認識されて
いた。しかし、本発明者は、パルス駆動のパルス波形を
工夫することによりレーザ素子の温度上昇を抑制し、単
に通電時間が短いことによる長寿命化と比べ、レーザ寿
命をさらに大幅に延ばし経時劣化を低減することができ
ることを見出したのである。

【００２３】従来は、後述する実験のように、通電時間
（デューティ比）が同じであってもパルス幅の差により
活性層の上昇温度が異なり、レーザの劣化速度が異なる
ことを明らかにした例は全くなかった。すなわち、本発
明は、パルス駆動時の活性層の上昇ピーク温度とレーザ
素子の劣化との関係を初めて定量的に表し、レーザの長
寿命化を可能とするパルス駆動方法を見い出したのであ
る。

【００２４】このような、駆動方法を採用することによ
り、特性劣化が大幅に抑制され寿命が大幅に伸びるた
め、半導体レーザアレイを良品、不良品に選別する際
は、初期的に単に発光するか否かの試験のみを行ない、
加速寿命試験等は行なう必要がなく、製品の歩留りが大
幅に向上し、コストの大幅な削減となる。また、本発明
の半導体レーザアレイ駆動装置は、本発明の半導体レー
ザアレイ駆動方法を実現するものであり、発光指示信号
を入力し、入力された発光指示信号により発光が指示さ
れている発光点を、上記（１）もしくは（２）式を満足
させるようにパルス発光させるものであるため、半導体
レーザアレイの特性劣化を押えた駆動が実現する。

【００２５】また、本発明の画像形成装置は、半導体レ
ーザアレイを備え、本発明の半導体レーザアレイ駆動装
置にいう発光指示信号として画像信号を用いて、半導体
レーザアレイの発光／非発光のパターンにより画像形成
を行なうものであり、半導体レーザアレイの歩留りが向
上し、また長寿命化が図られることから、画像形成装置
のコスト低減、信頼性の向上が図られる。

【００２６】ここで、画像形成装置に備えられる半導体
レーザアレイを、その複数の発光点が主走査方向に配列
されるように配置すると、主走査方向には高速な走査が
必要であり、発光の切換えは電気的に高速に行なうこと
ができることから、高速の画像形成が可能である。

【００２７】

【実施の形態】以下、本発明の実施形態について説明す
る。図１は、本発明の実施形態で用いた半導体レーザア
レイの断面構造を示す模式図である。この半導体レーザ
アレイ１０は、１２００の発光点１１を一列に配列した
長さ２５．４ｍｍのものであり、発光点１１のピッチｄ
はｄ＝２１μｍ、配列密度は１２００ｄｐｉ（ｄｏｔ
ｐｅｒ ｉｎｃｈ）である。

【００２８】この半導体レーザアレイは、ｎ型共通電極
１２を挟んで、放熱性を高めるためのヒートシンク２０
上に固定されており、ｎ型共通電極に接するｎ型ＧａＡ
ｓ基板１３の上に、厚さ１．４μｍのｎ型Ａｌ_0.6 Ｇａ
_0.4 Ａｓクラッド層１４と、厚さ２１０ｎｍの活性層１
５と、厚さ１．４μｍのｐ型Ａｌ_0.6 Ｇａ_0.4 Ａｓクラ
ッド層１６と、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７が順次積
層された構造を有している。ここで、活性層１５は、厚
さ１００ｎｍのｎ型Ａｌ_0.3 Ｇａ_0.7 Ａｓコンファイン
メント層と、厚さ１０ｎｍのノンドープＧａＡｓ量子井
戸層と、厚さ１００ｎｍのｐ型Ａｌ_0.3 Ｇａ_0.7 Ａｓコ
ンファインメント層の三層が積層された構造を有してい
る。また、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７の上部には、
各発光点１１に対応して、各ｐ型電極１８が形成されて
いる。

【００２９】図２は、図１に示す半導体レーザアレイ１
０の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
ここでは、図２に示すように、ｎ個の発光点を配列順に
順次、循環的に駆動する。１つの発光点の発光パルス幅
をｔ_W 、一循する周期をｔ_P とすると、各１つのレーザ
素子にとっては、デューティ比はｔ_W ／ｔ_P 、ないし
（ｔ_W ／ｔ_P ）×１００（％）となる。循環的に発光さ
せる発光点（動作発光点）の数ｎを変化させること等に
より、デューティ比ｔ_W ／ｔ_P や、発光パルス幅ｔ_W が
種々に変化する。

【００３０】このような駆動方法により、図１に示す半
導体レーザアレイの光出力の低下を調べた。この寿命試
験において、被試験発光点の個数は各駆動方法に対して
２０個とし、光出力の初期設定値は、１７ｍＷとした。
劣化を促進させるために、レーザの周辺部の温度を６０
℃に保持した。図３は、寿命試験結果の一例を示す図で
ある。

【００３１】ここでは、パルス幅ｔ_W を、ｔ_W ＝２００
ｎｓｅｃに固定し、デューティ比を０．２とした時のレ
ーザ光出力の低下状況と、直流電流により連続駆動（Ｃ
Ｗ駆動）をした場合のレーザ光出力の低下状況とを比較
した。寿命試験時間は２０００時間とした。ＣＷ駆動に
おいては、図３（ｂ）に示すように、初期に光出力が急
速に低下し、その後は徐々に低下していることが分かっ
た。これに対し、短パルス駆動の場合は、図３（ａ）に
示すように、レーザ光出力の低下が抑制されている。

【００３２】図４は、種々のパルス駆動条件と初期３０
時間における光出力の低下速度との関係を、デューティ
比を横軸にとってまとめたグラフである。光出力の低下
速度は全２０発光点の内、劣化速度の早い１０発光点の
平均をとった。通電時間比とレーザの光出力の初期低下
速度は比例関係にはなく、非線形の関係にあることが分
かる。

【００３３】図５は、寿命試験２０００時間後のレーザ
光出力の低下量とデューティ比との関係を示すグラフで
ある。横軸はデューティ比で、これは通電時間比と同じ
である。通電時間比１は２０００時間を意味する。例え
ば、デューティ比０．４のパルス駆動では、２０００時
間の寿命試験での通電時間は２０００×０．４＝８００
時間となる。

【００３４】また、この図５には、ＣＷ駆動時の経時変
化データとパルス駆動時の経時変化データを示した。こ
れらの経時変化データは、累計通電時間（通電パルス
の、通電時のパルス時間幅の累計）に対する光出力低下
量を表わしており、この場合、横軸の‘１’は２０００
時間と読み替えるものとする。この図から、ＣＷ駆動で
の光出力の低下曲線と、パルス駆動での光出力の低下曲
線は同じ軌跡を通らないことが分かる。すなわち、パル
ス電流によるレーザの駆動は、ＣＷ駆動のデューティ比
分だけ通電時間が短くなるだけの駆動方法ではないこと
が、即ち、短パルス駆動は、そのデューティ比分以上に
レーザの劣化速度が抑制され、レーザが長寿命化する駆
動方法であることが判明した。同じ通電時間比（デュー
ティ比）に対する光出力の低下量の比が、パルス駆動に
起因した長寿命化の効果となる。

【００３５】そこで、デューティ比（通電時間比）や光
出力が同じであって、パルス幅だけが異なる駆動を行な
ったときの、レーザに発生する変化要因を調べた。その
結果、レーザ活性層の上昇温度が異なることが分かっ
た。

【００３６】

【表１】

【００３７】表１は、レーザ構造の熱解析シミュレーシ
ョンから導出したレーザ活性層の上昇温度と、パルス駆
動方法との関係を示している。この表からわかるよう
に、デューティ比が同じであってもパルス幅が短くなる
に従って活性層の上昇温度は低下する。また、同じパル
ス幅でデューティ比が小さくなっても活性層の上昇温度
は低下する。

【００３８】次に、活性層の上昇温度と光出力の初期低
下速度（３０時間）との関係を調べたところ、図６に示
すように、ＣＷ駆動時とパルス駆動時の活性層の上昇温
度を、それぞれΔＴ₀ 、ΔＴ₁ としたとき、活性層の温
度上昇比（ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ）の２乗とデューティ比との
積に対し、光出力の初期低下速度（３０時間）はほぼ比
例することが分かった。また図７は、２０００時間後の
光出力の低下量を、活性層の温度上昇比（ΔＴ₁ ／ΔＴ
₀ ）の２乗とデューティ比との積に対してプロットした
図である。このグラフからもレーザの光出力の劣化量が
活性層の温度上昇比（ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ）の２乗とデュー
ティ比との積に対して直線的に増加する傾向にあること
が分かる。即ち、パルス駆動により活性層の温度上昇を
抑え、デューティ比を低くすれば、活性層の上昇温度比
の２乗とデューティ比との積にほぼ比例して長寿命化で
きることが分かった。

【００３９】この関係に基づき、活性層の上昇温度比と
デューティ比から長寿命化の効果を算出した。この結果
を表２に示す。ここで長寿命化係数とは、同じ通電時間
における、ＣＷ駆動時の光出力低下量Ｐ₀ とパルス駆動
時の光出力低下量Ｐ₁ との比Ｐ₀ ／Ｐ₁ である。即ち、
同じ通電時間に対する光出力の低下量の比を長寿命化係
数と称している。パルス駆動においては、通電時間は使
用時間のデューティ比であるので、この長寿命化係数を
デューティ比で割った値が予想寿命となる。この値は括
弧内の数値で表した。

【００４０】

【表２】

【００４１】以上のように、パルス駆動方法と、長寿命
化係数および予想寿命との関係を導き出すことができ
た。そして、長寿命化の効果が顕著であらわれる基準と
して長寿命化係数が４倍と１６倍の場合を取りあげるこ
とにする。長寿命化係数が４倍以上となるのは、ΔＴ₁
／ΔＴ₀ ＜１／２の場合であり、長寿命化係数が１６倍
となるのは、ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／４の場合である。表
２の結果から、これらを満足するパルス幅とデューティ
比との関係をグラフにまとめたのが図８である。ΔＴ₁
／ΔＴ₀ ＜１／２の場合、デユーティｘとパルス幅ｙ
（μｓ）の関係は、ｙ＜３．１ｅｘｐ（−８．９ｘ）を
満足し、ΔＴ₁ ／ΔＴ ₀ ＜１／４の場合、デユーティｘ
とパルス幅ｙ（μｓ）の関係は、ｙ＜０．２２ｅｘｐ
（−６．４ｘ）を満足することがわかった。

【００４２】このようなパルス駆動方法により、寿命の
短いレーザを実際に長寿命化できるかどうかを調べた。
使用したレーザは前記の寿命試験に用いた端面発光型レ
ーザである。その寿命試験の結果を図９に示す。ここで
は、そのレーザ特性が極端に悪く、ＣＷ駆動では非常に
短時間で故障することが予想されたレーザを被試験サン
プルとした。先ず最初に、デューティ比０．００１、パ
ルス幅５０ｎｓのパルス駆動方法により、２０００時間
の寿命試験を実施した。試験条件は光出力３ｍＷ、定電
流駆動、環境温度６０℃とした。このパルス駆動におい
ては、図９に示されているように、２０００時間経過し
ても光出力は全く低下しなかった。この試験を終了した
後、同一サンプルをＣＷ駆動し、光出力の低下を調べ
た。その結果、図に示されているように、光出力は最初
の２時間で１５％、１５時間で５０％、１００時間では
８０％も低下した。このようにＣＷ駆動では全く使用で
きない不良レーザであることが判明した。

【００４３】この実験からは、デューティ比０．００
１、パルス幅５０ｎｓのパルス駆動方法により、レーザ
の寿命を少なくとも２０００倍以上に延ばせることが実
証できた。活性層の温度上昇のシミュレーション結果か
ら予想すると、このパルス駆動方法では、表２に示すよ
うに８８０００倍の長寿命化が期待できる。次にもう１
つの実験結果について説明する。

【００４４】発光点が１２０個配列された端面発光レー
ザアレイを作製し、レーザ特性として、しきい値電流、
２０ｍＷ出力時の駆動電流、スロープ効率（電子／光変
換効率）、および直流抵抗を測定し、ＣＷ駆動による寿
命が１００時間未満と予想される発光点を不良、それ以
上と予想される発光点を良として良否を判別したとこ
ろ、配列された１２０個のうち８個が不良であった。

【００４５】一方、この端面発光レーザアレイをレーザ
プリンタ等に使用することを考えた場合、２４００時間
以上の寿命が存在することが必要である。上記の発光点
が１２０個配列された端面発光レーザアレイをデューテ
ィ比１／１２０で発光させることを考えると、各発光点
は、２４００時間使用される間に２４００÷１２０＝２
０（時間）点灯していることになる。ところでΔＴ₁ ／
ΔＴ₂ ＝１／２の条件では寿命は４倍に延びるため、各
発光点はＣＷ駆動時に５時間の寿命があればよいことに
なる。

【００４６】以上の観点から、上記の端面発光レーザア
レイの不良の８個の発光点をＣＷ駆動で発光させ５時間
後の出力低下を測定したところ、それら８個の発光点の
うち出力低下が最も大きかったものであっても、良品と
して使用することのできる２０％にとどまっていた。こ
のように、ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＝１／２を満足することによ
り、１２０個もの発光点が配列され通常の良否判定では
８個もの発光点が不良であって従来全く使いものになら
ないと考えられていた半導体レーザアレイものであって
も、良品として使用することができる。

【００４７】以上のように、短パルス駆動により半導体
レーザを飛躍的に長寿命化できることが明かになった。
尚、ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＝１／４を満足するとＣＷ駆動時と
較べ一桁以上（１６倍）に寿命が延びるため、従来不良
品と考えられていた。半導体レーザアレイであっても、
極めて信頼性の高い、長寿命の半導体レーザアレイとし
て使用することができる。

【００４８】これらの実験では端面発光レーザを用いた
が、この長寿命化の効果は半導体レーザ一般に適用でき
るものである。例えば、面発光レーザであっても基本的
には端面発光レーザと同様の構成要素を持ち、同様の原
理で動作しているものであり、本発明の駆動方法をその
まま適用することができる。図１０は、面発光レーザア
レイの配列構造を示す模式図である。

【００４９】ここには、発光点が２次元的に１０×１０
に配列されている。発光点の全数は１００個であって、
その配列ピッチは２１μｍ、配列密度は１２００ｄｐｉ
である。これらの発光点は各行毎に１セクションを成し
ており、全体では１０セクションに分かれている。この
ような面発光レーザ構造においても本発明の駆動方法を
そのまま適用することができる。

【００５０】次に、本発明の半導体レーザアレイ駆動装
置の実施形態について説明する。図１１は本発明の半導
体レーザアレイ駆動装置の一実施形態の構成を示した回
路ブロック図、図１２は、そのタイミングチャートであ
る。この半導体レーザアレイ駆動装置２０には、半導体
レーザアレイ１０を構成する各素子（発光点）１１ａ，
１１ｂ，…，１１ｎを発光させるか否かを定めるデータ
が、クロックと同期してシリアルに入力され、シフトレ
ジスタ２１に格納される。

【００５１】シフトレジスタにデータが格納されると、
ラッチ回路２２にラッチ信号が入力され、シフトレジス
タに格納されたデータがラッチ回路２２にパラレルにラ
ッチされる。その後、シフトレジスタ２１には、次のデ
ータの入力が開始される。本実施形態では、シフトレジ
スタおよびラッチ回路２２が、本発明にいう信号入力部
に相当する。

【００５２】ラッチ回路２２にラッチされたデータは、
パラレルに、アンドゲート２３ａ，２３ｂ，…，２３ｎ
それぞれに入力される。また、それらのアンドゲート２
３ａ，２３ｂ，…，２３ｎには、もう１つのシフトレジ
スタ２４のパラレル出力ａ，ｂ，…，ｎも入力される。
本実施形態ではこれらのアンドゲート２３ａ，２３ｂ，
…，２３ｎ、およびシフトレジスタ２４が本発明にいう
発光制御回路を構成している。

【００５３】シフトレジスタ２４に、転送信号として、
‘１，０，０，…，０，０’を入力し、クロックに同期
してその転送信号をシフトすると、図８に示すように、
パラレル出力ａ，ｂ，…，ｎの順に、各アンドゲート２
３ａ，２３ｂ，…，２３ｎに論理‘１’のパルス信号が
入力される。ラッチ回路２２にラッチされている、各素
子１１ａ，１１ｂ，…，１１ｎに関するデータが発光を
指示するデータ（論理‘１’）であった場合、各アンド
ゲート２３ａ，２３ｂ，…，２３ｎに、シフトレジスタ
２４からの論理‘１’のパルス信号が入力されたタイミ
ングで、そのアンドゲート２３ａ，２３ｂ，…，２３ｎ
から論理‘１’のパルス信号が出力され、ドライバ回路
２５に入力される。

【００５４】ドライバ回路２５は、イネーブル信号ＥＮ
が論理‘１’にある間、各アンドゲートに接続された各
入力端子２５ａ，２５ｂ，…，２５ｎのいずれかからパ
ルス信号が入力されると、そのパルス信号が入力された
入力端子に対応する抵抗（抵抗２６ａ，２６ｂ，…，２
６ｎのうちのいずれか）をグラウンドに接続する。そう
すると、電源Ｖ_CCから、対応する素子（素子１１ａ，１
１ｂ，…，１１ｎのうちのいずれか）を経由し、さらに
対応する抵抗（抵抗２６ａ，２６ｂ，…，２６ｎのうち
のいずれか）を経由して電源パルスが流れ、その素子が
発光する。

【００５５】各アンドゲート２３ａ，２３ｂ，…，２３
ｎに、シフトレジスタ２４からの論理‘１’のパルス信
号が入力されても、ラッチ回路２２にラッチされた、そ
のアンドゲートに対応するデータが発光を指示するデー
タではなかった場合（論理‘０’の場合）は、それに対
応する素子は発光しない状態にとどまる。このようにし
て、各素子１１ａ，１１ｂ，…，１１ｎについての発光
／非発光の制御が一巡する間に、シフトレジスタ２１に
は新たなデータが入力され、発光／非発光の制御が一巡
した直後に、そのシフトレジスタ２１に新たに入力され
たデータがラッチ回路２２にラッチされ、次の発光／非
発光の制御サイクルが開始される。

【００５６】ここで、クロックは、その周期Ｔが３μｓ
ｅｃよりも短く設定されており、したがって各素子１１
ａ，１１ｂ，…，１１ｎの１回の発光時間ｔ_W は３μｓ
ｅｃ以下である。また、シフトレジスタ２４に入力する
転送信号のパターンに応じてデューティ比ｔ_W ／ｔ_P が
定まり、ここでは、デューティ比ｔ_W ／ｔ_P ＝１／１０
０（１％）以下となるように、すなわち、１００個以上
の素子の発光制御が循環的に行なわれるように、転送信
号のパターンが定められている。

【００５７】尚、ここでは、半導体レーザアレイ１０を
構成する素子１１ａ，１１ｂ，…，１１ｎ全てについ
て、順次、かつ循環的に発光／非発光の制御が行なわれ
ており、したがって、本実施形態では、半導体レーザア
レイ１０を構成する素子１１ａ，１１ｂ，…，１１ｎの
全てが、本発明にいう動作発光点である。もし、図１１
に示す半導体レーザアレイ駆動装置２０により、半導体
レーザアレイ１０を構成する素子１１ａ，１１ｂ，…，
１１ｎの全てではなく、そのうちの一部の素子のみが駆
動される場合は、その半導体レーザアレイ駆動装置との
関連では、その一部の素子が本発明にいう動作発光点で
あると観念される。

【００５８】図１３は、本発明の半導体レーザアレイ駆
動装置のもう１つの実施形態の構成を示した回路ブロッ
ク図である。この半導体レーザアレイ駆動装置３０で
は、半導体レーザアレイを構成する素子（発光点）１１
ａ，１１ｂ，…，１１ｎが複数（ｋ個）のグループに分
割され、各グループ毎に、図７に示す実施形態における
シフトレジスタ２１、ラッチ回路２２、各アンドゲート
回路２３ａ，２３ｂ，…，２３ｎ、ドライバ回路２５と
それぞれ同じ構成の、各シフトレジスタ２２＿１，２１
＿２，…，２１＿ｋ、各ラッチ回路２２＿１，２２＿
２，…，２２＿ｋ、各アンドゲート回路群２３ａ＿１，
２３ｂ＿１，…，２３ｎ＿１；２３ａ＿２，２３ｂ＿
２，…，２３ｎ＿２；…，２３ａ＿ｋ，２３ｂ＿ｋ，２
３ｎ＿ｋ、各ドライバ２５＿１，２５＿２，…，２５＿
ｋが備えられている。すなわち、この実施形態では、各
素子１１ａ，１１ｂ，…，１１ｎを分類した各グループ
毎に、各半導体レーザアレイ駆動装置２０＿１，２０＿
２，…，２０＿ｋが構成されている。ただし、シフトレ
ジスタ２４は、それらｋ個の半導体レーザアレイ駆動装
置２０＿１，２０＿２，…，２０＿ｋで兼用されてい
る。

【００５９】したがって、ここでは、各半導体レーザア
レイ駆動装置２０＿１，２０＿２，…，２０＿ｋにとっ
ては、対応する各グループを構成する素子が、本発明に
いう動作発光点として観念される。グループ１〜ｋは、
一次元的に配列された素子（発光点）を分割したもので
あってもよく、素子（発光点）が二次元的に配列されて
なる半導体レーザアレイ（図１０参照）の、各ライン、
各セクション毎であってもよい。

【００６０】この図１３に示す半導体レーザアレイ駆動
装置においても、デューティ比が１０％以下、発光パル
ス幅が０．１μｓｅｃ以下となるように、クロックの周
期Ｔや転送信号のパターンが定められている。図１４
は、本発明の画像形成装置の一実施形態であるディスプ
レイ装置を表わす模式的構成図である。

【００６１】半導体レーザアレイ３０は、長さ２５．４
ｍｍ、６００個の発光点を有する個別の半導体レーザア
レイを１２個一直線に接続し、全体として７２００個の
発光点を有する構造のものである。ここで用いた半導体
レーザアレイ３０は、可視領域内の６５０ｎｍの波長の
レーザ光を発光するものである。この半導体レーザアレ
イ３０の発光点を、個別の半導体レーザアレイ毎、即ち
１２のグループに分割し、図１３に示す半導体レーザア
レイ駆動装置により駆動するように構成されている。

【００６２】その半導体レーザアレイ駆動装置には、発
光／非発光制御用のデータとして画像を担持した画像デ
ータが入力され、半導体レーザアレイ１０では、その半
導体レーザアレイ１０を構成する各素子１１ａ，１１
ｂ，…，１１ｎ（図１１参照）が複数のグループに分割
されてなるグループ毎に、矢印Ａ方向に並ぶ順に、画像
データに応じ順次発光／非発光の制御がなされる。

【００６３】半導体レーザアレイ１０から出射されたレ
ーザ光は、フィールドレンズ３１を経由し、球面ミラー
３２で反射され、ポリゴンミラー３３で反射偏向され、
さらにｆθレンズ３４を経由し、さらに平面ミラー３５
で反射されて、表示画面３６上に投影される。半導体レ
ーザアレイ３０の発光点の配列方向は主走査方向に対応
しており、半導体レーザアレイ３０の発光レーザ光が矢
印Ａ方向に走査されると、表示画面３６上では、その投
影像は矢印Ｃ方向に主走査される。表示画面３６へのレ
ーザ光のフォーカシングは、フィールドレンズ３１と球
面ミラー３２により行なわれている。

【００６４】ポリゴンミラー３３は、本実施形態では６
面ミラーであり、矢印Ｂ方向に６００ｒｐｍで回転して
いる。その間、表示画面３６上では、ポリゴンミラー３
３の各面で１回、矢印Ｄ方向に副走査されるため、ここ
では１秒間に６０画面投影される。また、ｆθレンズ３
４は表示画面３６の中央と端での走査速度を同一にする
ために用いられている。平板ミラー３５は、このディス
プレイ装置を薄型にするために用いられている。表示画
面３６は半透明の白色の薄膜で形成されており、裏側に
投影された画像がその表側に鮮明に映し出される。この
画面のサイズは横１２００ｍｍ、縦９０ｍｍである。

【００６５】このような装置構成において、画像情報に
対応するパルス電流を半導体レーザアレイ３０に送り、
その半導体レーザアレイ３０からレーザ光を出射させる
ことにより、表示画面３６上に画像が表示される。ここ
では駆動パルス電流のパルス幅を３１ｎｓｅｃ、デュー
ティ比を１／１００とした。この駆動パルス電流を採用
することにより画素数７２００×５４００という超高精
細画面が実現する。１０００×２０００画素が現在の最
高数であることからすると、このディスプレイ装置によ
り、高精細度が大幅に向上する。また、ここでは画面上
で３６階調／２５ｄｐｉを達成することができる。

【００６６】尚、この実施形態では赤色のレーザ光を発
する半導体レーザアレイを使用したが、これに緑色のレ
ーザ光を発する半導体レーザアレイと青色レーザ光を発
する半導体レーザアレイを付加し、画面上に三色を重ね
合わせることによりフルカラーのディスプレイを実現す
ることもできる。この場合は画面上で４６６５６色／２
５ｄｐｉを達成することができる。

【００６７】次に、本発明の画像形成装置の他の実施形
態の説明に移るが、ここではその前に、次の実施形態の
ための予備的な説明として、複写機やレーザプリンタ
等、電子写真プロセスによる画像形成装置の概要につい
て説明する。図１５は、画像形成装置の一例を示す模式
図である。この画像形成装置４０には、その潜像記録体
配置部４１に、表面に静電潜像が形成される感光体ドラ
ム４１Ａが備えられており、この感光体ドラム４１Ａは
図示の矢印Ｅ方向に回転する。

【００６８】この感光体ドラム４１Ａは、一次帯電用コ
ロトロン４２によりその表面が一様に帯電されその帯電
された領域に画像信号で変調されたレーザ光４３が照射
されてそのレーザ光４３が照射された点の電位が変化
し、そこに静電潜像が形成される。この静電潜像は、現
像器４４により現像されてトナーによる現像像４５が形
成される。この現像像４５は、所定の転写位置４６に来
たときに、転写コロトロン４８の作用により、それと同
期するようにその転写位置４６に搬送されてきた用紙４
７の上に転写される。現像像４５が転写された用紙４７
は、さらに搬送されて、定着器４９により例えば熱と圧
力で定着され、用紙４７上に定着された画像が形成され
て、装置から搬出される。

【００６９】一方、感光体ドラム４１Ａは、転写位置４
６を通り過ぎた後、クリーニング器５０により、残存す
るトナーのクリーニングが行なわれ、さらに消去光源５
１からの消去光が照射されることによりその表面の電荷
が初期状態に戻され、再び、次の画像形成のサイクルに
移る。この感光体ドラム４１Ａは、定期的に交換するこ
とができるよう、カートリッジ式に構成されることもあ
る。

【００７０】図１６は、本発明の画像形成装置の実施形
態の主要部を示す模式図である。ここでは、一様に帯電
された感光体ドラム４１Ａにレーザ光を照射して感光体
ドラム４１Ａ上に静電潜像を記録する際に、半導体レー
ザアレイ５０が使用される。この半導体レーザアレイ５
０は、それぞれが１００個のレーザ素子で構成されたセ
クションを１２０有しており、全体の長さは２５４ｍｍ
に形成されている。したがって全素子数は１２０００個
であってそのピッチは約２１μｍである。

【００７１】ここでは、このように構成された半導体レ
ーザアレイ５０を、例えば図１１に示す半導体レーザ駆
動装置で駆動し、半導体レーザアレイ５０から画像情報
を担持したレーザ光を出射させる。この半導体レーザア
レイ５０から出射したレーザ光は、２枚のレンズ５１，
５２を経由して、矢印Ｅ方向に回転する感光体ドラム４
１Ａの表面を照射し、そこに静電潜像を形成する。

【００７２】このように構成することにより、感光体ド
ラム４１Ａの表面を、画像情報を担持したレーザ光で走
査するにあたり、機械的な走査機構を持たない走査系が
実現し、装置の信頼性を向上させることができる。尚、
ここでは、感光体ドラム４１Ａに静電潜像を記録する画
像形成装置について説明したが、本発明にいう画像形成
装置は、例えば写真フイルムに潜像を形成するタイプの
ものであってもよい。

【００７３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザアレイ駆動方法によれば、レーザ素子中の欠陥部分
の発熱が抑制され、レーザ素子の内部あるいは端面ある
いは電極に存在する欠陥の増殖が大幅に抑制され、半導
体レーザアレイの高寿命化が図られる。したがって半導
体レーザアレイを製造した際の検査も緩やかなものでよ
く、歩留りが大幅に向上し、コストが大幅に削減され
る。

【００７４】また、このため、この半導体レーザアレイ
およびその駆動装置を用いた画像形成装置のコストも低
減され、信頼性の高い装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態で用いた半導体レーザアレイ
の断面構造を示す模式図である。

【図２】図１に示す半導体レーザアレイの駆動方法の一
例を示すタイミングチャートである。

【図３】寿命試験結果の一例を示す図である。

【図４】駆動条件と光出力の初期劣化速度との関係を示
す図である。

【図５】駆動条件と２０００時間後の光出力の低下量と
の関係を示すグラフである。

【図６】活性層の上昇ピーク温度比の２乗とデューティ
比との積と、光出力の初期劣化速度との関係を示すグラ
フである。

【図７】活性層の上昇ピーク温度比２乗とデューティ比
との積と、２０００時間後の光出力の低下量との関係を
示すグラフである。

【図８】長寿命化の条件を満足するパルス幅とデューテ
ィ比との関係を示すグラフである。

【図９】短寿命のレーザを短パルス駆動したときの光出
力の変化を示すグラフである。

【図１０】面発光レーザの配列構造を示す模式図であ
る。

【図１１】本発明の半導体レーザアレイ駆動装置の一実
施形態の構成を示した回路ブロック図である。

【図１２】図１１に示す半導体レーザアレイ駆動装置の
タイミングチャートである。

【図１３】本発明の半導体レーザアレイ駆動装置のもう
１つの実施形態の構成を示した回路ブロック図である。

【図１４】本発明の画像形成装置の一実施形態であるデ
ィスプレイ装置を表わす模式的構成図である。

【図１５】画像形成装置の一例を示す模式図である。

【図１６】本発明の画像形成装置の実施形態の主要部を
示す模式図である。

【符号の説明】

１０，３０，５０ 半導体レーザアレイ １１，１１ａ，１１ｂ，…，１１ｎ 素子 ２０，２０＿１，…，２０＿ｋ 駆動装置 ２１，２１＿１，…，２１＿ｋ シフトレジスタ ２２，２２＿１，…，２２＿ｋ ラッチ回路 ２３ａ，２３ｂ，…，２３ｎ；２３ａ＿１，２３ｂ＿
１，…，２３ｎ＿１；…；２３ａ＿ｋ，２３ｂ＿ｋ，
…，２３ｎ＿ｋ アンドゲート ２４ シフトレジスタ ２５，２５＿１，…，２５＿ｋ ドライバ ２６ａ，２６ｂ，…，２６ｎ 抵抗 ３６ 表示画面 ４１ 潜像記録体配置部 ４１Ａ 感光体ドラム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植木 伸明 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 岩佐 泉 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 布施 マリオ 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 福永 秀樹 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 中山 秀生 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 同一基体中に複数の発光点が配列されて
   なる半導体レーザアレイを駆動する半導体レーザアレイ
   駆動方法において、 連続電流による連続駆動時の発光点の活性層の上昇温度
   をΔＴ₀ 、パルス電流によるパルス駆動時の発光点の活
   性層の上昇温度をΔＴ₁ としたとき、複数の発光点それ
   ぞれを、 ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／２ を満足するパルス幅とデューティ比を有する駆動パルス
   で駆動することを特徴とする半導体レーザアレイ駆動方
   法。
2. 【請求項２】 複数の発光点それぞれを、デューティ比
   ｘが０．４以下であって、かつデューティ比ｘとパルス
   幅ｙ（μｓ）との間に、ｙ＜３．１ｅｘｐ（−８．９
   ｘ）の関係が成立する駆動パルスで駆動することを特徴
   とする請求項１記載の半導体レーザアレイ駆動方法。
3. 【請求項３】 同一基体中に複数の発光点が配列されて
   なる半導体レーザアレイを駆動する半導体レーザアレイ
   駆動装置において、連続電流による連続駆動時の発光点
   の活性層の上昇温度をΔＴ₀ 、 パルス電流によるパル
   ス駆動時の発光点の活性層の上昇温度をΔＴ₁ としたと
   き、複数の発光点それぞれを ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／４ を満足するパルス幅とデューティ比の駆動パルスで駆動
   することを特徴とする半導体レーザアレイ駆動方法。
4. 【請求項４】 複数の発光点それぞれを、デューティ比
   ｘが０．１以下であって、かつデューティ比ｘとパルス
   幅ｙとの間に、ｙ＜０．２２ｅｘｐ（−６．４ｘ）の関
   係が成立する駆動パルスで駆動することを特徴とする請
   求項３記載の半導体レーザアレイ駆動方法。
5. 【請求項５】 複数の発光点それぞれを、ΔＴ₁ ／ΔＴ
   ₀ ＜１／２を満足するパルス幅とデューティ比の駆動パ
   ルスで駆動し、さらに該デューティ比の逆数で規定され
   る個数の連続した発光点を１つのグループとし該グルー
   プ内では各発光点の発光の時刻が順次にずれた駆動パル
   スで駆動することを特徴とする請求項１記載の半導体レ
   ーザアレイ駆動方法。
6. 【請求項６】 同一基体中に複数の発光点が配列されて
   なる半導体レーザアレイを駆動する半導体レーザアレイ
   駆動装置において、 前記複数の発光点のうちの少なくとも一部の複数の動作
   発光点それぞれを発光させるか否かを指示する発光指示
   信号を入力する信号入力部と、 前記複数の動作発光点のうち該発光指示信号により発光
   が指示されている動作発光点それぞれを、連続電流によ
   る連続駆動時の動作発光点の活性層の上昇温度をΔＴ
   ₀ 、パルス電流によるパルス駆動時の動作発光点の活性
   層の上昇温度をΔＴ₁ としたとき、 ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／２ を満足するパルス幅とデューティ比を有する駆動パルス
   でパルス発光させる発光駆動部とを備えたことを特徴と
   する半導体レーザアレイ駆動装置。
7. 【請求項７】 発光駆動部が、 前記複数の動作発光点それぞれを駆動するドライバと、 前記信号入力部から入力された前記発光指示信号により
   前記複数の動作発光点それぞれに発光が指示されている
   か否かを、該各動作発光点毎に順次に、かつ循環的に、
   一巡する周期に対するパルス幅の比として規定されるデ
   ューティ比ｘと該パルス幅ｙ（μｓ）との間にｙ＜３．
   １ｅｘｐ（−８．９ｘ）の関係を満足するパルス信号の
   有無により、前記ドライバに伝達する発光制御回路とを
   備えたことを特徴とする請求項６記載の半導体レーザア
   レイ駆動装置。
8. 【請求項８】 同一基体中に複数の発光点が配列されて
   なる半導体レーザアレイを備え、画像形成のための少な
   くとも１つのプロセスとして該半導体レーザを駆動する
   プロセスを含む画像形成装置であって、 前記複数の発光点のうちの少なくとも一部の複数の動作
   発光点それぞれを発光させるか否かを指示する画像信号
   を入力し、前記複数の動作発光点それぞれを、該各動作
   発光点に対応する前記画像信号が発光を指示しているこ
   とを条件として、連続電流による連続駆動時の各動作発
   光点の活性層の上昇温度をΔＴ₀ 、パルス電流によるパ
   ルス駆動時の各動作発光点の活性層の上昇温度をΔＴ₁
   としたとき、 ΔＴ₁ ／ΔＴ₀ ＜１／２ を満足するパルス幅とデューティ比を有するパルス駆動
   でパルス発光させる半導体レーザアレイ駆動部を有する
   ことを特徴とする画像形成装置。
9. 【請求項９】 前記半導体レーザアレイから発せられた
   光により画像を表示する表示画面を有することを特徴と
   する請求項８記載の画像形成装置。
10. 【請求項１０】 前記半導体レーザアレイから発せられ
    た光により潜像が形成される潜像記録体を、固定的に、
    もしくは、着脱自在に備える潜像記録体配置部を有する
    ことを特徴とする請求項８記載の画像形成装置。
11. 【請求項１１】 前記半導体レーザアレイが、前記複数
    の発光点が少なくとも主走査方向に配列されるように配
    設されてなることを特徴とする請求項８記載の画像形成
    装置。