JPH0948696A - シリコン薄膜の製造方法及びこの方法を用いた太陽電池の製造方法 - Google Patents
シリコン薄膜の製造方法及びこの方法を用いた太陽電池の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多結晶粒界が存在せず、単結晶シリコン並み
の光吸収特性を有し電気抵抗が低いＳｉ薄膜の製造方法
を提供する。 【解決手段】 蒸着源１２に電子ビーム１４を照射して
基板１０にＳｉ薄膜を蒸着する際に、アシストイオン源
１８から基板１０の面に垂直にアシストイオンを照射す
る。
の光吸収特性を有し電気抵抗が低いＳｉ薄膜の製造方法
を提供する。 【解決手段】 蒸着源１２に電子ビーム１４を照射して
基板１０にＳｉ薄膜を蒸着する際に、アシストイオン源
１８から基板１０の面に垂直にアシストイオンを照射す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光吸収特性の改良
されたＳｉ薄膜の製造方法及びこのＳｉ薄膜を使用した
薄膜型太陽電池の製造方法に関する。
されたＳｉ薄膜の製造方法及びこのＳｉ薄膜を使用した
薄膜型太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、太陽電池等においてシリコン
（Ｓｉ）等の薄膜が電気的機能膜として用いられている
が、このＳｉ薄膜としては、一般にアモルファス（非晶
質）Ｓｉ膜よりも多結晶Ｓｉ膜の方が電気抵抗が低く、
また、光吸収特性がよいすなわち光の吸収端が高波長側
にあるという特性がある。さらに、多結晶Ｓｉ薄膜より
も単結晶Ｓｉ薄膜の方が上述の特性が優れている。アモ
ルファスＳｉ薄膜が高抵抗で光吸収特性が悪いのは、そ
の構造秩序度が小さいことと酸素及び水素の含有量が大
きいことが原因であると考えられている。
（Ｓｉ）等の薄膜が電気的機能膜として用いられている
が、このＳｉ薄膜としては、一般にアモルファス（非晶
質）Ｓｉ膜よりも多結晶Ｓｉ膜の方が電気抵抗が低く、
また、光吸収特性がよいすなわち光の吸収端が高波長側
にあるという特性がある。さらに、多結晶Ｓｉ薄膜より
も単結晶Ｓｉ薄膜の方が上述の特性が優れている。アモ
ルファスＳｉ薄膜が高抵抗で光吸収特性が悪いのは、そ
の構造秩序度が小さいことと酸素及び水素の含有量が大
きいことが原因であると考えられている。
【０００３】従って、太陽電池に使用されるＳｉ薄膜と
しては、多結晶あるいは単結晶のＳｉ薄膜の方がアモル
ファスＳｉ薄膜より優れている。
しては、多結晶あるいは単結晶のＳｉ薄膜の方がアモル
ファスＳｉ薄膜より優れている。
【０００４】上述の多結晶Ｓｉ薄膜は、ＣＶＤや真空蒸
着により絶縁基板や半導体基板上にアモルファスのＳｉ
薄膜を堆積し、これを熱アニールにより再結晶化して製
造されている。
着により絶縁基板や半導体基板上にアモルファスのＳｉ
薄膜を堆積し、これを熱アニールにより再結晶化して製
造されている。
【０００５】また、単結晶Ｓｉ薄膜の製造法は、例え
ば、特開平１−３２０２９１号公報に開示されている。
この従来技術においては、基板上に薄膜を蒸着する際、
同時に基板にアルゴンイオン（Ａｒ+ ）等の不活性ガス
のイオンビームを所定の２方向から照射し、単結晶Ｓｉ
薄膜を形成している。
ば、特開平１−３２０２９１号公報に開示されている。
この従来技術においては、基板上に薄膜を蒸着する際、
同時に基板にアルゴンイオン（Ａｒ+ ）等の不活性ガス
のイオンビームを所定の２方向から照射し、単結晶Ｓｉ
薄膜を形成している。
【０００６】一方、アモルファスＳｉ薄膜は、安価なガ
ラス基板上にも形成可能であり、コスト的には優れてい
るので、太陽電池を複数積層したタンデム構造等により
光吸収特性を補いながらアモルファスＳｉ薄膜を使用し
た太陽電池が研究されている。これは、アモルファスＳ
ｉ薄膜の光の吸収端が低波長側にあるという問題を克服
するために、添加物の添加によりバンドギャップを制御
してバンドギャップの異なるセルを製造し、これを積層
してタンデム構造とし、極力広範囲の波長の光を吸収で
きるようにした太陽電池である。
ラス基板上にも形成可能であり、コスト的には優れてい
るので、太陽電池を複数積層したタンデム構造等により
光吸収特性を補いながらアモルファスＳｉ薄膜を使用し
た太陽電池が研究されている。これは、アモルファスＳ
ｉ薄膜の光の吸収端が低波長側にあるという問題を克服
するために、添加物の添加によりバンドギャップを制御
してバンドギャップの異なるセルを製造し、これを積層
してタンデム構造とし、極力広範囲の波長の光を吸収で
きるようにした太陽電池である。
【０００７】このタンデム型太陽電池の例が図２０に示
される。図２０においては、アモルファスシリコンカー
バイド（ａ−ＳｉＣ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）、アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−ＳｉＧ
ｅ）が積層されている。また図２１には、各アモルファ
ス薄膜のバンドギャップが示される。図２０に示された
タンデム型太陽電池においては、図２１に示されるバン
ドギャップに応じた波長の光が吸収され光電変換される
ことになる。
される。図２０においては、アモルファスシリコンカー
バイド（ａ−ＳｉＣ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）、アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−ＳｉＧ
ｅ）が積層されている。また図２１には、各アモルファ
ス薄膜のバンドギャップが示される。図２０に示された
タンデム型太陽電池においては、図２１に示されるバン
ドギャップに応じた波長の光が吸収され光電変換される
ことになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
して形成した多結晶のＳｉ薄膜は、結晶粒界において発
生するキャリア再結合によりキャリアライフタイムが短
くなり、光電変換効率が低下するという問題があった。
して形成した多結晶のＳｉ薄膜は、結晶粒界において発
生するキャリア再結合によりキャリアライフタイムが短
くなり、光電変換効率が低下するという問題があった。
【０００９】また、上述の従来技術における単結晶のＳ
ｉ薄膜の製造法においては、イオンビームの照射方向等
を精度良く制御しなければならず、製造方法に困難が伴
うという問題があった。さらに、単結晶のＳｉ薄膜をエ
ピタキシャル成長で形成しようとすると、基板にシリコ
ン単結晶ウエハを使用しなければならず、基板が高価で
ありコストが高くなるという問題があった。このコスト
を低下させるためには、ガラス材料等の安価な異種基板
上へ低温単結晶成長（ヘテロエピタキシー）等により単
結晶Ｓｉ薄膜を形成できればよいが、このような技術は
未だ報告されていない。
ｉ薄膜の製造法においては、イオンビームの照射方向等
を精度良く制御しなければならず、製造方法に困難が伴
うという問題があった。さらに、単結晶のＳｉ薄膜をエ
ピタキシャル成長で形成しようとすると、基板にシリコ
ン単結晶ウエハを使用しなければならず、基板が高価で
ありコストが高くなるという問題があった。このコスト
を低下させるためには、ガラス材料等の安価な異種基板
上へ低温単結晶成長（ヘテロエピタキシー）等により単
結晶Ｓｉ薄膜を形成できればよいが、このような技術は
未だ報告されていない。
【００１０】さらに、アモルファスＳｉ薄膜を使用した
太陽電池の場合には、タンデム構造としても、９００ｎ
ｍ以上の長波長側では単結晶Ｓｉ薄膜のような光吸収特
性は期待できない。しかもタンデム構造とすることによ
り、構造が複雑となり製法が難しくコストが高くなると
いう問題もあった。
太陽電池の場合には、タンデム構造としても、９００ｎ
ｍ以上の長波長側では単結晶Ｓｉ薄膜のような光吸収特
性は期待できない。しかもタンデム構造とすることによ
り、構造が複雑となり製法が難しくコストが高くなると
いう問題もあった。
【００１１】さらに従来のアモルファスＳｉ薄膜におい
ては、ガラス等異種基板との密着性が悪く、薄膜形成時
の温度によっては基板から剥離する等の問題もあった。
ては、ガラス等異種基板との密着性が悪く、薄膜形成時
の温度によっては基板から剥離する等の問題もあった。
【００１２】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は多結晶薄膜のような粒界が存在せ
ず、単結晶Ｓｉ薄膜なみの光吸収特性を有するＳｉ薄膜
の製造方法及びこのＳｉ薄膜を使用した太陽電池の製造
方法を提供することにある。
のであり、その目的は多結晶薄膜のような粒界が存在せ
ず、単結晶Ｓｉ薄膜なみの光吸収特性を有するＳｉ薄膜
の製造方法及びこのＳｉ薄膜を使用した太陽電池の製造
方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、電子ビーム蒸着により基板
上にシリコン薄膜を形成する際に、同時にアシストイオ
ンを照射するシリコン薄膜の製造方法であって、前記ア
シストイオンのエネルギが３００ｅＶから１５００ｅＶ
であり、基板に堆積するシリコン原子数に対する照射さ
れるアシストイオンの数の比であるＩ／Ａ比が０．２か
ら１．１であることをことを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、電子ビーム蒸着により基板
上にシリコン薄膜を形成する際に、同時にアシストイオ
ンを照射するシリコン薄膜の製造方法であって、前記ア
シストイオンのエネルギが３００ｅＶから１５００ｅＶ
であり、基板に堆積するシリコン原子数に対する照射さ
れるアシストイオンの数の比であるＩ／Ａ比が０．２か
ら１．１であることをことを特徴とする。
【００１４】また、請求項２記載の発明は、シリコン薄
膜を一部に用いた薄膜型太陽電池の製造方法であって、
前記シリコン薄膜は、請求項１記載の製造方法により製
造されたことを特徴とする。
膜を一部に用いた薄膜型太陽電池の製造方法であって、
前記シリコン薄膜は、請求項１記載の製造方法により製
造されたことを特徴とする。
【００１５】また、請求項３記載の発明は、シリコン薄
膜を一部に用いた薄膜型太陽電池の製造方法であって、
前記シリコン薄膜は、請求項１記載の製造方法により製
造されており、前記アシストイオンのエネルギ及びＩ／
Ａ比のうち少なくとも一方を連続的に変化させて連続的
にバンドギャップ制御したことを特徴とする。
膜を一部に用いた薄膜型太陽電池の製造方法であって、
前記シリコン薄膜は、請求項１記載の製造方法により製
造されており、前記アシストイオンのエネルギ及びＩ／
Ａ比のうち少なくとも一方を連続的に変化させて連続的
にバンドギャップ制御したことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。
を図面に基づいて説明する。
【００１７】実施形態１．図１には、本発明に係るＳｉ
薄膜の製造方法を実施するための装置が示される。図１
において、基板１０にＳｉ薄膜を形成するには、蒸着源
１２のＳｉの表面を電子ビーム１４によってたたき、蒸
発したＳｉを基板１０に蒸着させることにより行われ
る。基板１０としては、ガラス、Ｓｉ基板等を使用する
ことができる。また基板１０は、基板ホルダ１６に保持
されており、蒸着される膜の厚さを均一化するために所
定の回転速度で回転されている。
薄膜の製造方法を実施するための装置が示される。図１
において、基板１０にＳｉ薄膜を形成するには、蒸着源
１２のＳｉの表面を電子ビーム１４によってたたき、蒸
発したＳｉを基板１０に蒸着させることにより行われ
る。基板１０としては、ガラス、Ｓｉ基板等を使用する
ことができる。また基板１０は、基板ホルダ１６に保持
されており、蒸着される膜の厚さを均一化するために所
定の回転速度で回転されている。
【００１８】本発明において特徴的な点は、蒸着中に基
板面に垂直な方向からアルゴンイオン（Ａｒ+ ）等のア
シストイオンを基板に照射することである。
板面に垂直な方向からアルゴンイオン（Ａｒ+ ）等のア
シストイオンを基板に照射することである。
【００１９】上述のアシストイオンは、アシストイオン
源１８から基板１０に照射される。また、以上の蒸着作
業は真空チャンバ２０の中で行われ、真空チャンバ２０
は排気バルブ２２を介して真空ポンプ（図示せず）に接
続されており、これにより所定の真空度まで排気され
る。この真空排気系には、粗引き用のロータリーポンプ
として樫山工業製ＫＲＳ−１８００が使用され、また高
真空用のクライオポンプとしてダイキン工業製ＵＶ２０
８ＳＣ１４Ｆが使用されており、最高到達真空度は２×
１０-7トール（Ｔｏｒｒ）となっている。
源１８から基板１０に照射される。また、以上の蒸着作
業は真空チャンバ２０の中で行われ、真空チャンバ２０
は排気バルブ２２を介して真空ポンプ（図示せず）に接
続されており、これにより所定の真空度まで排気され
る。この真空排気系には、粗引き用のロータリーポンプ
として樫山工業製ＫＲＳ−１８００が使用され、また高
真空用のクライオポンプとしてダイキン工業製ＵＶ２０
８ＳＣ１４Ｆが使用されており、最高到達真空度は２×
１０-7トール（Ｔｏｒｒ）となっている。
【００２０】以下実施例１に本発明に係るシリコン薄膜
の製造方法の具体例を示し、実施例２から実施例７に実
施例１で製造したＳｉ薄膜の評価結果を示す。
の製造方法の具体例を示し、実施例２から実施例７に実
施例１で製造したＳｉ薄膜の評価結果を示す。
【００２１】実施例１ 図１に示される装置を使用して、以下に示す条件によっ
てＳｉ薄膜を製造した。
てＳｉ薄膜を製造した。
【００２２】
【表１】 蒸着材料 ：Ｓｉ（高純度化学研究所製、純度
９９．９９９％）、 真空チャンバ内真空度：成膜開始時４．３×１０-7トー
ル、成膜中２．７×１０-5トール（蒸着中に照射される
Ａｒイオンによって成膜中の真空度が低下する）、 電子ビームパワー ：１６８ｍＡ、 蒸着速度 ：０．６オングストローム／Ｓ、 Ａｒガス流量 ：２ｃｃ／分、 加速電圧 ：８００Ｖ、 加速電流 ：２５ｍＡ、 減速電圧 ：８００Ｖ、 減速電流 ：０．７ｍＡ、 アーク電圧 ：８０Ｖ、 アーク電流 ：１．５Ａ、 フィラメント電圧 ：５．４Ｖ フィラメント電流 ：１６０Ａ、 基板電流 ：７．０ｍＡ、 接地電流 ：０．２ｍＡ、 基板角度 ：蒸着源に対して４５゜Ａｒ+ イ
オンに対して垂直、 基板回転数 ：３ｒｐｍ、 基板温度 ：水冷。
９９．９９９％）、 真空チャンバ内真空度：成膜開始時４．３×１０-7トー
ル、成膜中２．７×１０-5トール（蒸着中に照射される
Ａｒイオンによって成膜中の真空度が低下する）、 電子ビームパワー ：１６８ｍＡ、 蒸着速度 ：０．６オングストローム／Ｓ、 Ａｒガス流量 ：２ｃｃ／分、 加速電圧 ：８００Ｖ、 加速電流 ：２５ｍＡ、 減速電圧 ：８００Ｖ、 減速電流 ：０．７ｍＡ、 アーク電圧 ：８０Ｖ、 アーク電流 ：１．５Ａ、 フィラメント電圧 ：５．４Ｖ フィラメント電流 ：１６０Ａ、 基板電流 ：７．０ｍＡ、 接地電流 ：０．２ｍＡ、 基板角度 ：蒸着源に対して４５゜Ａｒ+ イ
オンに対して垂直、 基板回転数 ：３ｒｐｍ、 基板温度 ：水冷。
【００２３】以上の条件により蒸着を行う際に、蒸着中
に基板に堆積するＳｉ原子数に対するアシストイオンと
してのＡｒイオン数の比であるＩ／Ａ比を０．０４７か
ら１．１まで変化させて数種類のＳｉ薄膜を製造しそれ
らの物性を評価した。同様にして、蒸着中にアシストイ
オンとしてのＡｒイオンのエネルギを１００ｅＶから１
５００ｅＶまで変化させ、各種のＳｉ薄膜を製造しそれ
らの物性を評価した。これらの評価結果は実施例２から
実施例７に示される。
に基板に堆積するＳｉ原子数に対するアシストイオンと
してのＡｒイオン数の比であるＩ／Ａ比を０．０４７か
ら１．１まで変化させて数種類のＳｉ薄膜を製造しそれ
らの物性を評価した。同様にして、蒸着中にアシストイ
オンとしてのＡｒイオンのエネルギを１００ｅＶから１
５００ｅＶまで変化させ、各種のＳｉ薄膜を製造しそれ
らの物性を評価した。これらの評価結果は実施例２から
実施例７に示される。
【００２４】実施例２ 実施例１の製造方法において、Ａｒイオンエネルギを８
００ｅＶ一定としてＩ／Ａ比を０．０４７から１．１の
間で変化させて製造した数種類のＳｉ薄膜について抵抗
率を、三菱油化製抵抗率計Ｌｏｒｅｓｔａ ＡＰ ＭＣ
Ｐ−Ｔ４００を用いた４探針法により測定した。この結
果が図２に示される。
００ｅＶ一定としてＩ／Ａ比を０．０４７から１．１の
間で変化させて製造した数種類のＳｉ薄膜について抵抗
率を、三菱油化製抵抗率計Ｌｏｒｅｓｔａ ＡＰ ＭＣ
Ｐ−Ｔ４００を用いた４探針法により測定した。この結
果が図２に示される。
【００２５】図２に示されるように、Ｉ／Ａ比が増加す
ると共にＳｉ薄膜の抵抗率は減少した。一方、Ａｒイオ
ンのアシストなしで製造したＳｉ薄膜についても抵抗率
を測定したが、測定範囲が１×１０-2Ωから１．９９×
１０7 Ωまでの抵抗率計の測定限界を越えていた。
ると共にＳｉ薄膜の抵抗率は減少した。一方、Ａｒイオ
ンのアシストなしで製造したＳｉ薄膜についても抵抗率
を測定したが、測定範囲が１×１０-2Ωから１．９９×
１０7 Ωまでの抵抗率計の測定限界を越えていた。
【００２６】以上より、Ａｒイオンをアシストイオンと
して照射することにより、Ｓｉ薄膜の抵抗率が減少する
ことがわかった。Ｉ／Ａ比としては、図２より、０．２
から１．１の範囲が最適であると考えられる。
して照射することにより、Ｓｉ薄膜の抵抗率が減少する
ことがわかった。Ｉ／Ａ比としては、図２より、０．２
から１．１の範囲が最適であると考えられる。
【００２７】実施例３ 実施例１の製造方法において、Ｉ／Ａ比を０．３１８一
定としてＡｒイオンのエネルギを１００ｅＶから１５０
０ｅＶまで変化させて製造した数種類のＳｉ薄膜につい
て、実施例２と同様に抵抗率を測定した。この結果が図
３に示される。なお、Ｉ／Ａ比は上述のように０．３１
８一定に保たれているが、具体的には基板に蒸着するＳ
ｉ原子数が毎秒３×１０16個であり、照射されるＡｒイ
オン数が毎秒９．５５×１０15個となっている。
定としてＡｒイオンのエネルギを１００ｅＶから１５０
０ｅＶまで変化させて製造した数種類のＳｉ薄膜につい
て、実施例２と同様に抵抗率を測定した。この結果が図
３に示される。なお、Ｉ／Ａ比は上述のように０．３１
８一定に保たれているが、具体的には基板に蒸着するＳ
ｉ原子数が毎秒３×１０16個であり、照射されるＡｒイ
オン数が毎秒９．５５×１０15個となっている。
【００２８】図３に示されるように、抵抗率の測定はＡ
ｒイオンのエネルギが１００ｅＶ毎に行われている。図
３からわかるように、３００ｅＶ以上のエネルギにおい
ては、ほぼすべて１００Ωｃｍ以下の抵抗率となってい
る。Ｓｉ薄膜を太陽電池に使用する場合には、電子伝導
度の観点から電気抵抗は低い方が適しているので、Ａｒ
イオンのエネルギとしては３００ｅＶから１５００ｅＶ
の範囲が好適であると考えられる。
ｒイオンのエネルギが１００ｅＶ毎に行われている。図
３からわかるように、３００ｅＶ以上のエネルギにおい
ては、ほぼすべて１００Ωｃｍ以下の抵抗率となってい
る。Ｓｉ薄膜を太陽電池に使用する場合には、電子伝導
度の観点から電気抵抗は低い方が適しているので、Ａｒ
イオンのエネルギとしては３００ｅＶから１５００ｅＶ
の範囲が好適であると考えられる。
【００２９】実施例４ 実施例１の製造方法において、Ａｒイオンエネルギを８
００ｅＶ一定に保ちながら、Ｉ／Ａ比を変化させた４種
類のＳｉ薄膜を製造し、これらの膜の吸光度を測定し
た。吸光度の測定は日立分光光度計３３０型により実施
した。吸光度の測定結果が図４に示される。
００ｅＶ一定に保ちながら、Ｉ／Ａ比を変化させた４種
類のＳｉ薄膜を製造し、これらの膜の吸光度を測定し
た。吸光度の測定は日立分光光度計３３０型により実施
した。吸光度の測定結果が図４に示される。
【００３０】ただし、本実施例における膜厚は５００ｎ
ｍであり、基板は１０ｃｍ角の石英基板であり、真空度
は１．２×１０-5トールであった。
ｍであり、基板は１０ｃｍ角の石英基板であり、真空度
は１．２×１０-5トールであった。
【００３１】図４において、ａはアシストイオンの照射
をしないで製造したＳｉ薄膜であり、ｂはＩ／Ａ比が
０．０４７であり、ｃはＩ／Ａ比が０．１３４であり、
ｄはＩ／Ａ比が０．４６６であるＳｉ薄膜の測定結果を
示している。図４に示されるように、アシストイオンの
照射のないサンプルａに比較して、アシストイオンの照
射を行ったすなわちＩ／Ａ比が０ではないサンプルｂ、
ｃ、ｄは、吸収端が長波長側へシフトしていることが分
かる。
をしないで製造したＳｉ薄膜であり、ｂはＩ／Ａ比が
０．０４７であり、ｃはＩ／Ａ比が０．１３４であり、
ｄはＩ／Ａ比が０．４６６であるＳｉ薄膜の測定結果を
示している。図４に示されるように、アシストイオンの
照射のないサンプルａに比較して、アシストイオンの照
射を行ったすなわちＩ／Ａ比が０ではないサンプルｂ、
ｃ、ｄは、吸収端が長波長側へシフトしていることが分
かる。
【００３２】Ｓｉの吸収端は、文献によれば、結晶性の
Ｓｉで１１３０ｎｍであり、アモルファスのＳｉで７０
０ｎｍである。従って、アシストイオンの照射をしてい
ないａのサンプルにおいては、アモルファスのＳｉ薄膜
が形成されていると考えられるが、アシストイオンの照
射を行ったＳｉ薄膜では、光吸収特性が結晶性の膜に近
付いていることがわかる。
Ｓｉで１１３０ｎｍであり、アモルファスのＳｉで７０
０ｎｍである。従って、アシストイオンの照射をしてい
ないａのサンプルにおいては、アモルファスのＳｉ薄膜
が形成されていると考えられるが、アシストイオンの照
射を行ったＳｉ薄膜では、光吸収特性が結晶性の膜に近
付いていることがわかる。
【００３３】図４においてはＩ／Ａ比が０．４６６まで
のデータが示されているが、図５には更にＩ／Ａ比を高
くした場合の吸光度の測定結果が示される。ただし、図
５の場合には、一例として波長８００ｎｍにおける結果
を示した。図５からわかるように、Ｉ／Ａ比が０．４６
６の場合に吸光度が最大となり、Ｉ／Ａ比がそれ以上の
値になると吸光度は減少した。
のデータが示されているが、図５には更にＩ／Ａ比を高
くした場合の吸光度の測定結果が示される。ただし、図
５の場合には、一例として波長８００ｎｍにおける結果
を示した。図５からわかるように、Ｉ／Ａ比が０．４６
６の場合に吸光度が最大となり、Ｉ／Ａ比がそれ以上の
値になると吸光度は減少した。
【００３４】以上の結果からも、Ｉ／Ａ比としては、
０．２から１．１の範囲が好適であると考えられる。
０．２から１．１の範囲が好適であると考えられる。
【００３５】実施例５ 実施例１の製造方法において、Ｉ／Ａ比を一定に保ちな
がら、Ａｒイオンのエネルギを変化させて製造したＳｉ
薄膜について吸光度を測定した。ただし、膜厚、使用し
た基板、真空度については実施例４と同様である。
がら、Ａｒイオンのエネルギを変化させて製造したＳｉ
薄膜について吸光度を測定した。ただし、膜厚、使用し
た基板、真空度については実施例４と同様である。
【００３６】採用したＩ／Ａ比は０．３１８であり、吸
光度の測定結果は図６に示される。図６においてｅはア
シストイオンの照射がないサンプルであり、ｆはＡｒイ
オンのエネルギが２００ｅＶであり、ｇはＡｒイオンの
エネルギが３００ｅＶであり、ｈはＡｒイオンのエネル
ギが４００ｅＶであり、ｉはＡｒイオンのエネルギが５
００ｅＶでアシストイオンを照射し製造したサンプルの
測定結果である。
光度の測定結果は図６に示される。図６においてｅはア
シストイオンの照射がないサンプルであり、ｆはＡｒイ
オンのエネルギが２００ｅＶであり、ｇはＡｒイオンの
エネルギが３００ｅＶであり、ｈはＡｒイオンのエネル
ギが４００ｅＶであり、ｉはＡｒイオンのエネルギが５
００ｅＶでアシストイオンを照射し製造したサンプルの
測定結果である。
【００３７】図６に示されるように、アシストイオンの
ないサンプルｅに比べて、アシストイオンを照射したサ
ンプルｆ，ｇ，ｈ，ｉは吸収端が長波長側へシフトして
いる。そして、この傾向はアシストイオンのエネルギが
大きいほど顕著である。
ないサンプルｅに比べて、アシストイオンを照射したサ
ンプルｆ，ｇ，ｈ，ｉは吸収端が長波長側へシフトして
いる。そして、この傾向はアシストイオンのエネルギが
大きいほど顕著である。
【００３８】図７には、波長８００ｎｍの光を使用して
アシストイオンのエネルギをさらに高くして製造したＳ
ｉ薄膜の吸光度の測定結果が示される。図７に示される
ように、アシストイオンのエネルギが大きくなると、吸
光度も大きくなるが、アシストイオンのエネルギが５０
０ｅＶ以上になると吸光度は飽和状態となる。このこと
からも、アシストイオンのエネルギとしては、３００ｅ
Ｖ以上であることが好ましい。そして、実施例３の抵抗
率の測定結果と合わせて考えれば前述のようにアシスト
イオンのエネルギとして３００ｅＶから１５００ｅＶの
範囲が好適であると考えられる。
アシストイオンのエネルギをさらに高くして製造したＳ
ｉ薄膜の吸光度の測定結果が示される。図７に示される
ように、アシストイオンのエネルギが大きくなると、吸
光度も大きくなるが、アシストイオンのエネルギが５０
０ｅＶ以上になると吸光度は飽和状態となる。このこと
からも、アシストイオンのエネルギとしては、３００ｅ
Ｖ以上であることが好ましい。そして、実施例３の抵抗
率の測定結果と合わせて考えれば前述のようにアシスト
イオンのエネルギとして３００ｅＶから１５００ｅＶの
範囲が好適であると考えられる。
【００３９】実施例６ アシストイオンとしてのＡｒイオンの照射を行って製造
した膜と行わないで製造した膜とについてオージェ電子
分光分析を行った。
した膜と行わないで製造した膜とについてオージェ電子
分光分析を行った。
【００４０】アシストイオンの照射を行わない場合の製
造条件は、真空度が５×１０-7トールであり、基板は１
０ｃｍ角石英であって水冷により冷却され蒸着源に対し
て角度０゜に保持された。この基板に蒸着速度を０．６
オングストローム／Ｓとして膜厚５０００オングストロ
ームまで蒸着させた。
造条件は、真空度が５×１０-7トールであり、基板は１
０ｃｍ角石英であって水冷により冷却され蒸着源に対し
て角度０゜に保持された。この基板に蒸着速度を０．６
オングストローム／Ｓとして膜厚５０００オングストロ
ームまで蒸着させた。
【００４１】また、アシストイオンの照射を行った場合
の製造条件は、真空度が１．１×１０-5トールであり、
基板は１０ｃｍ角石英であって水冷により冷却されアシ
ストイオンビームに対して垂直に保持された。この基板
に蒸着速度を０．６オングストローム／Ｓとして膜厚は
５０００オングストロームまで蒸着させた。またアシス
トイオンのエネルギは５００ｅＶであり、Ｉ／Ａ比は
０．３１すなわち基板に蒸着するＳｉ原子数が毎秒３．
２６×１０16個であり、基板に照射されるＡｒイオン数
は毎秒１．０１×１０16個である。
の製造条件は、真空度が１．１×１０-5トールであり、
基板は１０ｃｍ角石英であって水冷により冷却されアシ
ストイオンビームに対して垂直に保持された。この基板
に蒸着速度を０．６オングストローム／Ｓとして膜厚は
５０００オングストロームまで蒸着させた。またアシス
トイオンのエネルギは５００ｅＶであり、Ｉ／Ａ比は
０．３１すなわち基板に蒸着するＳｉ原子数が毎秒３．
２６×１０16個であり、基板に照射されるＡｒイオン数
は毎秒１．０１×１０16個である。
【００４２】以上の製造条件の他は、実施例１の条件と
同様である。
同様である。
【００４３】また、オージェ電子分光分析の分析条件
は、日本電子製ＪＡＭＰ−７８００を使用して、電子エ
ネルギが１０ｋｅＶ、プローブカレントが７．４８×１
０-8Ａ、真空度が２．７４×１０-7Ｐａ、Ａｎａｌｙｚ
ｅｒ ＭｏｄｅがＭ５、ＣＥＭＨＶが２１００Ｖ、Ｓｔ
ｅｐが１ｅＶ、Ｄｗｅｌｌ Ｔｉｍｅが１００ｍｓ、Ｓ
ｗｅｅｐｓが１０、チルト角が７５゜である。
は、日本電子製ＪＡＭＰ−７８００を使用して、電子エ
ネルギが１０ｋｅＶ、プローブカレントが７．４８×１
０-8Ａ、真空度が２．７４×１０-7Ｐａ、Ａｎａｌｙｚ
ｅｒ ＭｏｄｅがＭ５、ＣＥＭＨＶが２１００Ｖ、Ｓｔ
ｅｐが１ｅＶ、Ｄｗｅｌｌ Ｔｉｍｅが１００ｍｓ、Ｓ
ｗｅｅｐｓが１０、チルト角が７５゜である。
【００４４】両サンプルとも分析前に１分間Ａｒイオン
スパッタリングによって表面酸化膜を除去してから分析
を行った。
スパッタリングによって表面酸化膜を除去してから分析
を行った。
【００４５】以上の条件でオージェ電子分光分析を行っ
た結果が図８に示される。図８からわかるように、それ
ぞれの膜に含まれていた酸素（図ではＯで表示）とシリ
コン（図ではＳｉで表示）のピークが観測された。これ
らの様子をわかりやすくするために、酸素のピークの周
辺を拡大したものが図９に、またシリコンのピークの周
辺を拡大したものが図１０にそれぞれ示される。なお、
図８から図１０までにおいて、ｊがアシストイオンを照
射して製造したサンプルを表し、ｋがアシストイオンの
照射をしないで製造したサンプルを表す。
た結果が図８に示される。図８からわかるように、それ
ぞれの膜に含まれていた酸素（図ではＯで表示）とシリ
コン（図ではＳｉで表示）のピークが観測された。これ
らの様子をわかりやすくするために、酸素のピークの周
辺を拡大したものが図９に、またシリコンのピークの周
辺を拡大したものが図１０にそれぞれ示される。なお、
図８から図１０までにおいて、ｊがアシストイオンを照
射して製造したサンプルを表し、ｋがアシストイオンの
照射をしないで製造したサンプルを表す。
【００４６】図９に示されるように、アシストイオンを
照射しないで製造したサンプルｋよりも、アシストイオ
ンの照射を行って製造したサンプルｊの方が、検出され
る酸素の量が少なくなっている。これは、イオン照射に
より雰囲気ガス中の酸素濃度が減ること及び蒸着された
膜中に取り込まれた酸素がアシストイオンの照射によっ
てたたきだされるためであると考えられる。
照射しないで製造したサンプルｋよりも、アシストイオ
ンの照射を行って製造したサンプルｊの方が、検出され
る酸素の量が少なくなっている。これは、イオン照射に
より雰囲気ガス中の酸素濃度が減ること及び蒸着された
膜中に取り込まれた酸素がアシストイオンの照射によっ
てたたきだされるためであると考えられる。
【００４７】また、図１０に示されるように、Ｓｉのピ
ークは、アシストイオンの照射がある場合よりもアシス
トイオンの照射がない場合に３０ｅＶだけ高エネルギ側
にシフトしている。このピークは、一般に、抵抗が高く
なると高エネルギ側にシフトする傾向にある。さらに、
図１０に示される波形は両サンプルにおいて同じ形をし
ているので、膜中に取り込まれた酸素は、シリコン（Ｓ
ｉ）と結合しているのではなく、Ｏ2 の形で膜中に取り
込まれていると考えられる。酸素とシリコンとが化学的
に結合している場合には、両サンプルの波形が異なる形
になる筈だからである。
ークは、アシストイオンの照射がある場合よりもアシス
トイオンの照射がない場合に３０ｅＶだけ高エネルギ側
にシフトしている。このピークは、一般に、抵抗が高く
なると高エネルギ側にシフトする傾向にある。さらに、
図１０に示される波形は両サンプルにおいて同じ形をし
ているので、膜中に取り込まれた酸素は、シリコン（Ｓ
ｉ）と結合しているのではなく、Ｏ2 の形で膜中に取り
込まれていると考えられる。酸素とシリコンとが化学的
に結合している場合には、両サンプルの波形が異なる形
になる筈だからである。
【００４８】以上の結果を実施例２及び実施例３の結果
と比べると、Ｉ／Ａ比及びＡｒイオンのエネルギを大き
くすると、雰囲気ガス中にＡｒが多くなって、相対的に
酸素の濃度が低下するので、Ｓｉ薄膜中へ取り込まれる
酸素量が減り、このためにＳｉ薄膜の抵抗率が低下する
と考えられる。またＡｒイオンのエネルギが大きくなる
と、Ｓｉ薄膜から酸素をたたきだす効果が大きくなり、
これによってもＳｉ薄膜の抵抗率が低下すると考えられ
る。
と比べると、Ｉ／Ａ比及びＡｒイオンのエネルギを大き
くすると、雰囲気ガス中にＡｒが多くなって、相対的に
酸素の濃度が低下するので、Ｓｉ薄膜中へ取り込まれる
酸素量が減り、このためにＳｉ薄膜の抵抗率が低下する
と考えられる。またＡｒイオンのエネルギが大きくなる
と、Ｓｉ薄膜から酸素をたたきだす効果が大きくなり、
これによってもＳｉ薄膜の抵抗率が低下すると考えられ
る。
【００４９】実施例７ アシストイオンの照射を行わないで製造した膜と、実施
例１の製造方法によって製造した膜とのＳＥＭ写真を撮
影し、両方の膜の表面状態を観察した。
例１の製造方法によって製造した膜とのＳＥＭ写真を撮
影し、両方の膜の表面状態を観察した。
【００５０】図１１には、アシストイオンの照射を行わ
ないで製造した膜のＳＥＭ写真が示される。このサンプ
ルの場合には、蒸着したＳｉ薄膜はアモルファスシリコ
ンになっていると考えられる。
ないで製造した膜のＳＥＭ写真が示される。このサンプ
ルの場合には、蒸着したＳｉ薄膜はアモルファスシリコ
ンになっていると考えられる。
【００５１】また、図１２には、Ａｒイオンのエネルギ
が８００ｅＶであり、Ｉ／Ａ比が０．４６６の条件で製
造したＳｉ薄膜のＳＥＭ写真が示される。また、図１３
には、Ａｒイオンのエネルギの４００ｅＶであり、Ｉ／
Ａ比が０．３１８の条件で製造したＳｉ薄膜のＳＥＭ写
真が示される。
が８００ｅＶであり、Ｉ／Ａ比が０．４６６の条件で製
造したＳｉ薄膜のＳＥＭ写真が示される。また、図１３
には、Ａｒイオンのエネルギの４００ｅＶであり、Ｉ／
Ａ比が０．３１８の条件で製造したＳｉ薄膜のＳＥＭ写
真が示される。
【００５２】図１１から図１３に示されるように、いず
れの写真もほぼ同様の表面状態を表している。従って、
本発明に係る製造方法により製造したＳｉ薄膜は、その
結晶状態としてはアモルファスに近いものになっている
と考えられる。
れの写真もほぼ同様の表面状態を表している。従って、
本発明に係る製造方法により製造したＳｉ薄膜は、その
結晶状態としてはアモルファスに近いものになっている
と考えられる。
【００５３】以上実施例２から実施例７の結果を総合し
て考察すると、本発明に係る製造方法により製造したＳ
ｉ薄膜は、物性面すなわち抵抗率及び光吸収特性に関し
ては低い抵抗率でかつ光の吸収端が長波長側にシフト
し、結晶性の膜と同等のものになっており、また、結晶
状態の面では、アモルファスＳｉ薄膜に近いものとなっ
ている。この結果、結晶粒界で発生するキャリア再結合
がなく、低抵抗率で光吸収性に優れており、太陽電池に
使用するのに適したＳｉ薄膜が製造できていることがわ
かる。更に、光の吸収端が長波長側へシフトしているこ
とにより、従来のようにタンデム型の構造としなくて
も、単層のセルで広範囲の波長の光を吸収することがで
きる。
て考察すると、本発明に係る製造方法により製造したＳ
ｉ薄膜は、物性面すなわち抵抗率及び光吸収特性に関し
ては低い抵抗率でかつ光の吸収端が長波長側にシフト
し、結晶性の膜と同等のものになっており、また、結晶
状態の面では、アモルファスＳｉ薄膜に近いものとなっ
ている。この結果、結晶粒界で発生するキャリア再結合
がなく、低抵抗率で光吸収性に優れており、太陽電池に
使用するのに適したＳｉ薄膜が製造できていることがわ
かる。更に、光の吸収端が長波長側へシフトしているこ
とにより、従来のようにタンデム型の構造としなくて
も、単層のセルで広範囲の波長の光を吸収することがで
きる。
【００５４】また、本発明の製造方法により製造したＳ
ｉ薄膜は、基板との密着性も良好であった。この理由
は、酸素等の不純物が少ないこと及びイオン照射による
清浄効果やミキシング効果の結果、更にはＳｉ原子間結
合力の強い緻密な膜が構成されたためと考えられる。更
に、本発明に係るＳｉ薄膜は、アシストイオンのエネル
ギ及びＩ／Ａ比を変化させることにより抵抗率及び光の
吸収端の制御が可能であるので、タンデム構造等各種の
構造に使用することもできる。
ｉ薄膜は、基板との密着性も良好であった。この理由
は、酸素等の不純物が少ないこと及びイオン照射による
清浄効果やミキシング効果の結果、更にはＳｉ原子間結
合力の強い緻密な膜が構成されたためと考えられる。更
に、本発明に係るＳｉ薄膜は、アシストイオンのエネル
ギ及びＩ／Ａ比を変化させることにより抵抗率及び光の
吸収端の制御が可能であるので、タンデム構造等各種の
構造に使用することもできる。
【００５５】実施形態２． 前述したように実施形態１の製造方法によって製造した
Ｓｉ薄膜は、光の吸収端が長波長側にシフトしているの
で、光の吸収特性が良好であり、また抵抗率が低いとい
う結晶質のＳｉ薄膜と同様の特性を有している。さら
に、結晶粒界が存在しないのでキャリア再結合がなく、
長いキャリアライフタイムを保持することができる。
Ｓｉ薄膜は、光の吸収端が長波長側にシフトしているの
で、光の吸収特性が良好であり、また抵抗率が低いとい
う結晶質のＳｉ薄膜と同様の特性を有している。さら
に、結晶粒界が存在しないのでキャリア再結合がなく、
長いキャリアライフタイムを保持することができる。
【００５６】実施形態１の製造方法によって製造された
Ｓｉ薄膜は、以上のような特性を有するので、このＳｉ
薄膜をｐ−ｉ−ｎ型アモルファス太陽電池のｉ層に使用
すると、単層ｐ−ｉ−ｎ構造としても結晶質のＳｉ薄膜
を使用した単層の太陽電池と同様の光吸収特性を実現で
き、光電変換効率の高い太陽電池が実現できる。
Ｓｉ薄膜は、以上のような特性を有するので、このＳｉ
薄膜をｐ−ｉ−ｎ型アモルファス太陽電池のｉ層に使用
すると、単層ｐ−ｉ−ｎ構造としても結晶質のＳｉ薄膜
を使用した単層の太陽電池と同様の光吸収特性を実現で
き、光電変換効率の高い太陽電池が実現できる。
【００５７】また、実施形態１に係るＳｉ薄膜は、アシ
ストイオンのエネルギあるいはＩ／Ａ比のうち少なくと
も一方を連続的に変化させることにより、連続的に光の
吸収端の制御すなわちバンドギャップ制御が可能なの
で、タンデム構造を採用せずに広い波長範囲の光吸収領
域を有する太陽電池を実現することができる。
ストイオンのエネルギあるいはＩ／Ａ比のうち少なくと
も一方を連続的に変化させることにより、連続的に光の
吸収端の制御すなわちバンドギャップ制御が可能なの
で、タンデム構造を採用せずに広い波長範囲の光吸収領
域を有する太陽電池を実現することができる。
【００５８】これにより、積層数の増加による製造プロ
セスの複雑化による製造コストの上昇を抑えることがで
き、またバンドギャップ制御のための添加物の増加によ
る膜質の悪化も防ぐことができる。
セスの複雑化による製造コストの上昇を抑えることがで
き、またバンドギャップ制御のための添加物の増加によ
る膜質の悪化も防ぐことができる。
【００５９】以下、実施例８から実施例１２に本発明に
係るＳｉ薄膜を使用した各種の太陽電池の構成例を示
す。
係るＳｉ薄膜を使用した各種の太陽電池の構成例を示
す。
【００６０】実施例８ 図１４には、本実施例に係る太陽電池の断面図が示され
る。図１４において、ガラス基板１００の上に電極１１
０が形成される。電極１１０としては、ＳｎＯ2 を真空
蒸着あるいはスパッタリング等により３０００オングス
トローム堆積させた。また、この電極１１０としては、
この他にＩＴＯ等の透明電極を用いることもできる。
る。図１４において、ガラス基板１００の上に電極１１
０が形成される。電極１１０としては、ＳｎＯ2 を真空
蒸着あるいはスパッタリング等により３０００オングス
トローム堆積させた。また、この電極１１０としては、
この他にＩＴＯ等の透明電極を用いることもできる。
【００６１】電極１１０の上には、ｐ層１１２が形成さ
れる。ｐ層１１２としては、アモルファスＳｉＣ：Ｈ
を、シランガスにメタンガスを混入したプラズマＣＶＤ
法により１００オングストローム堆積させた。
れる。ｐ層１１２としては、アモルファスＳｉＣ：Ｈ
を、シランガスにメタンガスを混入したプラズマＣＶＤ
法により１００オングストローム堆積させた。
【００６２】ｐ層１１２の上には、実施形態１の製造方
法によって製造されたＳｉ薄膜１１４が形成される。Ｓ
ｉ薄膜１１４の膜厚は５０００オングストロームとし
た。
法によって製造されたＳｉ薄膜１１４が形成される。Ｓ
ｉ薄膜１１４の膜厚は５０００オングストロームとし
た。
【００６３】Ｓｉ薄膜１１４の上には、ｎ層１１６が形
成される。ｎ層１１６としては、μ結晶Ｓｉ：Ｈをシラ
ンガスあるいはＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法によ
り２００オングストローム堆積させた。
成される。ｎ層１１６としては、μ結晶Ｓｉ：Ｈをシラ
ンガスあるいはＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法によ
り２００オングストローム堆積させた。
【００６４】ｎ層１１６の上にはＡｌ電極１１８が形成
される。Ａｌ電極１１８としては、Ａｌを真空蒸着ある
いはスパッタリング等により３０００オングストローム
堆積させた。
される。Ａｌ電極１１８としては、Ａｌを真空蒸着ある
いはスパッタリング等により３０００オングストローム
堆積させた。
【００６５】以上のように、本実施例における太陽電池
においては、従来のｐ−ｉ−ｎ型アモルファスＳｉ太陽
電池におけるｉ層を本発明に係るＳｉ薄膜に置き換えた
物である。図１４に示されるように、本実施例の太陽電
池は単層ｐ−ｉ−ｎ構造であるが、ｉ層に本発明に係る
Ｓｉ薄膜を使用したことにより、単結晶Ｓｉ薄膜を使用
した太陽電池並の光吸収特性を実現できた。また、本実
施例においては、ｉ層を熱アニールによる溶融再結晶化
によって多結晶化する工程がないので、結晶粒界が存在
せず、結晶粒界におけるキャリア再結合がないのでキャ
リアライフタイムを長く保持することができる。
においては、従来のｐ−ｉ−ｎ型アモルファスＳｉ太陽
電池におけるｉ層を本発明に係るＳｉ薄膜に置き換えた
物である。図１４に示されるように、本実施例の太陽電
池は単層ｐ−ｉ−ｎ構造であるが、ｉ層に本発明に係る
Ｓｉ薄膜を使用したことにより、単結晶Ｓｉ薄膜を使用
した太陽電池並の光吸収特性を実現できた。また、本実
施例においては、ｉ層を熱アニールによる溶融再結晶化
によって多結晶化する工程がないので、結晶粒界が存在
せず、結晶粒界におけるキャリア再結合がないのでキャ
リアライフタイムを長く保持することができる。
【００６６】実施例９ 図１５には、本実施例に係る太陽電池の断面図が示され
る。図１５において、ガラス基板１００の上に、バッフ
ァ層１２０が形成されている。バッファ層１２０として
は、Ｓｉ3 Ｎ4 ／ＳｉＯx 等が用いられ、基板からの不
純物混入を防止することを目的としている。また、基板
としては、ガラス基板１００の代わりにアルミナセラミ
ックス基板等を用いることもできる。
る。図１５において、ガラス基板１００の上に、バッフ
ァ層１２０が形成されている。バッファ層１２０として
は、Ｓｉ3 Ｎ4 ／ＳｉＯx 等が用いられ、基板からの不
純物混入を防止することを目的としている。また、基板
としては、ガラス基板１００の代わりにアルミナセラミ
ックス基板等を用いることもできる。
【００６７】バッファ層１２０の上には、実施形態１に
係る製造方法により製造されたＳｉ薄膜１１４が形成さ
れている。膜厚は５μｍとした。
係る製造方法により製造されたＳｉ薄膜１１４が形成さ
れている。膜厚は５μｍとした。
【００６８】Ｓｉ薄膜１１４の上には、ｎ層１１６が形
成されている。ｎ層１１６としては、実施例８と同様
に、μ結晶Ｓｉ：Ｈを、シランガスやＴＥＯＳを用いた
プラズマＣＶＤ法により２０００オングストローム堆積
させた。
成されている。ｎ層１１６としては、実施例８と同様
に、μ結晶Ｓｉ：Ｈを、シランガスやＴＥＯＳを用いた
プラズマＣＶＤ法により２０００オングストローム堆積
させた。
【００６９】また、Ｓｉ薄膜１１４の上には、ｎ層１１
６とは分離された位置にＡｌ電極１１８が形成されてい
る。Ａｌ電極１１８としては、Ａｌを真空蒸着あるいは
スパッタリング等により３０００オングストローム堆積
させた。
６とは分離された位置にＡｌ電極１１８が形成されてい
る。Ａｌ電極１１８としては、Ａｌを真空蒸着あるいは
スパッタリング等により３０００オングストローム堆積
させた。
【００７０】さらに、ｎ層１１６の上には電極１１０が
形成されている。電極１１０としては、実施例８と同様
に、ＳｎＯ2 を真空蒸着あるいはスパッタリング等によ
り３０００オングストローム堆積させた。また、ＳｎＯ
2 の他に、ＩＴＯ等の透明電極を用いることもできる。
形成されている。電極１１０としては、実施例８と同様
に、ＳｎＯ2 を真空蒸着あるいはスパッタリング等によ
り３０００オングストローム堆積させた。また、ＳｎＯ
2 の他に、ＩＴＯ等の透明電極を用いることもできる。
【００７１】本実施例に係る太陽電池においては、２つ
の電極が太陽電池の上部に設置されているので、キャリ
アの移動が基板に平行方向に起こる。従来のＳｉ多結晶
薄膜においては、基板に平行方向には多数の結晶粒界が
存在していたが、本実施例に使用したＳｉ薄膜において
は、溶融再結晶化による粒界が存在しないので、キャリ
アが基板に平行方向に移動しても、キャリア再結合の問
題が起こることがない。従って高い光電変換効率の太陽
電池を実現することができる。
の電極が太陽電池の上部に設置されているので、キャリ
アの移動が基板に平行方向に起こる。従来のＳｉ多結晶
薄膜においては、基板に平行方向には多数の結晶粒界が
存在していたが、本実施例に使用したＳｉ薄膜において
は、溶融再結晶化による粒界が存在しないので、キャリ
アが基板に平行方向に移動しても、キャリア再結合の問
題が起こることがない。従って高い光電変換効率の太陽
電池を実現することができる。
【００７２】実施例１０ 図１６には、本実施例に係る太陽電池の断面図が示され
る。図１６において、ｐ型Ｓｉウエハで形成されたｐ層
１１２の上にｎ++層１２２が形成されている。このｎ++
層１２２は、ｐ型Ｓｉウエハの上に、実施形態１に係る
製造方法により製造したＳｉ薄膜を形成し、このＳｉ薄
膜にＰを拡散することにより高濃度のｎ++層として形成
した。ここでＰの拡散は、従来法すなわちＰＯＣｌ3 蒸
気拡散によって行った。
る。図１６において、ｐ型Ｓｉウエハで形成されたｐ層
１１２の上にｎ++層１２２が形成されている。このｎ++
層１２２は、ｐ型Ｓｉウエハの上に、実施形態１に係る
製造方法により製造したＳｉ薄膜を形成し、このＳｉ薄
膜にＰを拡散することにより高濃度のｎ++層として形成
した。ここでＰの拡散は、従来法すなわちＰＯＣｌ3 蒸
気拡散によって行った。
【００７３】ｎ++層１２２の上には、表面集電電極１２
４が複数個形成されている。表面集電電極１２４は、Ｔ
ｉ／Ｐｄ／Ａｇの微細電極である。
４が複数個形成されている。表面集電電極１２４は、Ｔ
ｉ／Ｐｄ／Ａｇの微細電極である。
【００７４】一方、ｐ層１１２の下にはｐ+ 層１２６が
形成されている。またｐ+ 層１２６の下にはＡｌ／Ａｇ
電極１２８が真空蒸着あるいはスパッタリング等で形成
されている。ｐ+ 層１２６は、Ａｌ／Ａｇ電極１２８の
Ａｌのｐ層１１２への熱拡散処理により形成される。
形成されている。またｐ+ 層１２６の下にはＡｌ／Ａｇ
電極１２８が真空蒸着あるいはスパッタリング等で形成
されている。ｐ+ 層１２６は、Ａｌ／Ａｇ電極１２８の
Ａｌのｐ層１１２への熱拡散処理により形成される。
【００７５】従来からＳｉ層の上に形成された電極の直
下にｎ++層を形成して電極とＳｉ層との界面の電気抵抗
を低くすることが行われており、本実施例のｎ++層１２
２もこの界面抵抗低減用のｎ++層に相当する。本実施例
において、ｎ++層１２２を形成する際には、上述の通り
ＰをＳｉ薄膜に拡散させることによって行うが、このＳ
ｉ薄膜は、実施形態１に係る製造方法により製造されて
おり、もともと不純物を含んでいない膜であるので、不
純物同士の相殺作用が無く、ｎ++層の形成を効率的に行
うことができる。
下にｎ++層を形成して電極とＳｉ層との界面の電気抵抗
を低くすることが行われており、本実施例のｎ++層１２
２もこの界面抵抗低減用のｎ++層に相当する。本実施例
において、ｎ++層１２２を形成する際には、上述の通り
ＰをＳｉ薄膜に拡散させることによって行うが、このＳ
ｉ薄膜は、実施形態１に係る製造方法により製造されて
おり、もともと不純物を含んでいない膜であるので、不
純物同士の相殺作用が無く、ｎ++層の形成を効率的に行
うことができる。
【００７６】また、電極界面の抵抗を低くするために、
電極直下のＳｉ層にＰを高濃度拡散する代わりに、マス
クを使用してアシストイオンの照射・未照射領域を形成
し、電極直下のみアシストイオンを照射してＳｉ薄膜を
形成すれば、その部分の電気抵抗を低くすることができ
る。
電極直下のＳｉ層にＰを高濃度拡散する代わりに、マス
クを使用してアシストイオンの照射・未照射領域を形成
し、電極直下のみアシストイオンを照射してＳｉ薄膜を
形成すれば、その部分の電気抵抗を低くすることができ
る。
【００７７】なお本実施例においてはｐ型Ｓｉウエハを
使用する例を示したが、ｎ型Ｓｉウエハも同様に使用す
ることができる。この場合にはＢの拡散によりｐ層を形
成することになる。
使用する例を示したが、ｎ型Ｓｉウエハも同様に使用す
ることができる。この場合にはＢの拡散によりｐ層を形
成することになる。
【００７８】更に、従来より単結晶Ｓｉ太陽電池では、
ｐｎ接合を、ｐ型Ｓｉ基板にＰを拡散するか、ｎ型Ｓｉ
基板にＢを拡散することにより形成していた。しかし、
この方法では、基板自体に含まれる不純物とドープされ
る不純物との間で相殺作用が働くので、高効率の太陽電
池に要求される浅くて高濃度の拡散を実現することが困
難であった。
ｐｎ接合を、ｐ型Ｓｉ基板にＰを拡散するか、ｎ型Ｓｉ
基板にＢを拡散することにより形成していた。しかし、
この方法では、基板自体に含まれる不純物とドープされ
る不純物との間で相殺作用が働くので、高効率の太陽電
池に要求される浅くて高濃度の拡散を実現することが困
難であった。
【００７９】本実施例の手法をこのｐｎ接合の形成に用
いると、例えば、ｐ型Ｓｉウエハの上に、実施形態１に
係る製造方法により製造した不純物を含んでいないＳｉ
薄膜を形成し、このＳｉ薄膜にＰを拡散するので、上述
の通り不純物同士の相殺作用が無く、浅くて高濃度の拡
散を実現することができる。これにより高い効率の太陽
電池を実現することができる。また、ｐ型Ｓｉウエハの
代わりにｎ型Ｓｉウエハを使用し、Ｂを拡散することに
よっても同様の効果が得られる。
いると、例えば、ｐ型Ｓｉウエハの上に、実施形態１に
係る製造方法により製造した不純物を含んでいないＳｉ
薄膜を形成し、このＳｉ薄膜にＰを拡散するので、上述
の通り不純物同士の相殺作用が無く、浅くて高濃度の拡
散を実現することができる。これにより高い効率の太陽
電池を実現することができる。また、ｐ型Ｓｉウエハの
代わりにｎ型Ｓｉウエハを使用し、Ｂを拡散することに
よっても同様の効果が得られる。
【００８０】実施例１１ 図１７には、本実施例に係る太陽電池の断面図が示され
る。図１７において、ステンレス基板１３０の上にＴｉ
層１３２が形成され、Ｔｉ層１３２の上にＡｇ層１３４
が形成され、更にＡｇ層１３４の上にＺｎＯ層１３６が
形成されている。このＺｎＯ層１３６の上には、ｎ層１
１６が形成され、ｎ層１１６の上に実施形態１の製造方
法によって製造され、連続的にバンドギャップがコント
ロールされたＳｉ薄膜１１４が形成されている。そし
て、Ｓｉ薄膜１１４の上にはバッファ層１２０が形成さ
れ、バッファ層１２０の上にｐ層１１２が形成され、ｐ
層１１２の上に電極１１０が形成されている。電極１１
０は、ＩＴＯを使用した透明電極となっている。
る。図１７において、ステンレス基板１３０の上にＴｉ
層１３２が形成され、Ｔｉ層１３２の上にＡｇ層１３４
が形成され、更にＡｇ層１３４の上にＺｎＯ層１３６が
形成されている。このＺｎＯ層１３６の上には、ｎ層１
１６が形成され、ｎ層１１６の上に実施形態１の製造方
法によって製造され、連続的にバンドギャップがコント
ロールされたＳｉ薄膜１１４が形成されている。そし
て、Ｓｉ薄膜１１４の上にはバッファ層１２０が形成さ
れ、バッファ層１２０の上にｐ層１１２が形成され、ｐ
層１１２の上に電極１１０が形成されている。電極１１
０は、ＩＴＯを使用した透明電極となっている。
【００８１】本実施例において、Ｓｉ薄膜１１４のバン
ドギャップを連続的に制御する方法は以下の２通りがあ
る。
ドギャップを連続的に制御する方法は以下の２通りがあ
る。
【００８２】まず、第１の方法として、アシストイオン
のエネルギを一定に維持し、Ｉ／Ａ比を連続的に変える
方法がある。すなわち、Ｉ／Ａ比の増加に伴い、実施例
４に示されるように、吸収端が長波長側へシフトする
が、これはバンドギャップが小さくなっていることを意
味している。本実施例においては、Ｓｉ薄膜１１４の最
上部をアシストイオンなしで成膜し、徐々にアシストイ
オンのイオン数を増加していき、最下部すなわちｎ層１
１６との界面でＩ／Ａ比が０．５となるように設定して
Ｓｉ薄膜の成膜を行った。これにより上部から下部に向
かってすなわちｐ層１１２の側からｎ層１１６に向かっ
て徐々に連続的にバンドギャップが小さくなる膜が形成
された。このバンドギャップの変化の様子が図１８に示
される。図１８においては、縦軸がバンドギャップであ
り、横軸がＳｉ薄膜１１４の最上部（ｐ層１１２側）か
ら最下部（ｎ層１１６側）への位置の変化を表してい
る。
のエネルギを一定に維持し、Ｉ／Ａ比を連続的に変える
方法がある。すなわち、Ｉ／Ａ比の増加に伴い、実施例
４に示されるように、吸収端が長波長側へシフトする
が、これはバンドギャップが小さくなっていることを意
味している。本実施例においては、Ｓｉ薄膜１１４の最
上部をアシストイオンなしで成膜し、徐々にアシストイ
オンのイオン数を増加していき、最下部すなわちｎ層１
１６との界面でＩ／Ａ比が０．５となるように設定して
Ｓｉ薄膜の成膜を行った。これにより上部から下部に向
かってすなわちｐ層１１２の側からｎ層１１６に向かっ
て徐々に連続的にバンドギャップが小さくなる膜が形成
された。このバンドギャップの変化の様子が図１８に示
される。図１８においては、縦軸がバンドギャップであ
り、横軸がＳｉ薄膜１１４の最上部（ｐ層１１２側）か
ら最下部（ｎ層１１６側）への位置の変化を表してい
る。
【００８３】アシストイオンの数は、Ｓｉ薄膜１１４の
厚さが２μｍでありＳｉ成膜速度が毎分３．６ｎｍの時
に、基板に照射されるイオン数が毎秒５×１０11個増加
する変化速度で連続的に変化させた。
厚さが２μｍでありＳｉ成膜速度が毎分３．６ｎｍの時
に、基板に照射されるイオン数が毎秒５×１０11個増加
する変化速度で連続的に変化させた。
【００８４】第２の方法としては、Ｉ／Ａ比を一定に保
ちアシストイオンのエネルギを連続的に変える方法があ
る。
ちアシストイオンのエネルギを連続的に変える方法があ
る。
【００８５】Ｓｉ薄膜の光学的特性は、アシストイオン
のエネルギの増加に伴って、実施例５に示されるよう
に、吸収端が長波長側へシフトする。従って、Ｓｉ薄膜
１１４の成膜時に、上部から下部に向かってアシストイ
オンのエネルギを増加させながら成膜を行えば第１の方
法と同様に、図１８のバンドギャッププロファイルを有
するＳｉ薄膜が形成できる。
のエネルギの増加に伴って、実施例５に示されるよう
に、吸収端が長波長側へシフトする。従って、Ｓｉ薄膜
１１４の成膜時に、上部から下部に向かってアシストイ
オンのエネルギを増加させながら成膜を行えば第１の方
法と同様に、図１８のバンドギャッププロファイルを有
するＳｉ薄膜が形成できる。
【００８６】すなわち、Ｓｉ薄膜１１４の最上部をアシ
ストイオンの照射なしで成膜し、徐々に照射するアシス
トイオンのエネルギを増加していく。最下部すなわちｎ
層１１６との界面で照射するイオンのエネルギが５００
ｅＶとなるように設定して成膜した。ここで、照射する
アシストイオンのエネルギは、例えば、Ｓｉ薄膜１１４
の厚さが２μｍでありＳｉ成膜速度が毎分３．６ｎｍの
時に、毎秒０．０１５ｅＶだけイオンエネルギが増加す
る変化速度で連続的に変化させた。
ストイオンの照射なしで成膜し、徐々に照射するアシス
トイオンのエネルギを増加していく。最下部すなわちｎ
層１１６との界面で照射するイオンのエネルギが５００
ｅＶとなるように設定して成膜した。ここで、照射する
アシストイオンのエネルギは、例えば、Ｓｉ薄膜１１４
の厚さが２μｍでありＳｉ成膜速度が毎分３．６ｎｍの
時に、毎秒０．０１５ｅＶだけイオンエネルギが増加す
る変化速度で連続的に変化させた。
【００８７】以上のように、バンドギャップを連続的に
制御したＳｉ薄膜を使用することにより、本実施例にお
ける太陽電池は、タンデム構造を取らずに、単層構造で
あっても、広い波長範囲の光を吸収できる。これによ
り、積層数を増やす必要がないので、低コストで高効率
の薄膜型太陽電池が実現できる。
制御したＳｉ薄膜を使用することにより、本実施例にお
ける太陽電池は、タンデム構造を取らずに、単層構造で
あっても、広い波長範囲の光を吸収できる。これによ
り、積層数を増やす必要がないので、低コストで高効率
の薄膜型太陽電池が実現できる。
【００８８】実施例１２ 図１９には、本実施例に係る太陽電池の断面図が示され
る。図１９において、ステンレス基板１３０からＺｎＯ
層１３６までは実施例１１と同様である。これらの構造
の上に、実施例１１に示されたｎ層１１６、Ｓｉ薄膜１
１４、バッファ層１２０、ｐ層１１２の構造が３段積層
されている。そして、最上部にはＩＴＯを使用した透明
電極である電極１１０が形成されている。
る。図１９において、ステンレス基板１３０からＺｎＯ
層１３６までは実施例１１と同様である。これらの構造
の上に、実施例１１に示されたｎ層１１６、Ｓｉ薄膜１
１４、バッファ層１２０、ｐ層１１２の構造が３段積層
されている。そして、最上部にはＩＴＯを使用した透明
電極である電極１１０が形成されている。
【００８９】本実施例において使用されている３つのＳ
ｉ薄膜は、それぞれ異なるバンドギャップを有してい
る。すなわち、最上部のＳｉ薄膜１１４ａは、３つのう
ちで最大のバンドギャップを有しており、中段のＳｉ薄
膜１１４ｂは３つの中で中程度のバンドギャップを有し
ており、最下部のＳｉ薄膜１１４ｃは最も小さいバンド
ギャップを有している。これらのバンドギャップは、実
施形態１に係る製造方法においてアシストイオンのエネ
ルギあるいはＩ／Ａ比を制御することによりそれぞれ実
現することができる。
ｉ薄膜は、それぞれ異なるバンドギャップを有してい
る。すなわち、最上部のＳｉ薄膜１１４ａは、３つのう
ちで最大のバンドギャップを有しており、中段のＳｉ薄
膜１１４ｂは３つの中で中程度のバンドギャップを有し
ており、最下部のＳｉ薄膜１１４ｃは最も小さいバンド
ギャップを有している。これらのバンドギャップは、実
施形態１に係る製造方法においてアシストイオンのエネ
ルギあるいはＩ／Ａ比を制御することによりそれぞれ実
現することができる。
【００９０】以上のように、本発明に係るＳｉ薄膜は、
図１９に示されるようにタンデム構造においても使用す
ることができる。
図１９に示されるようにタンデム構造においても使用す
ることができる。
【００９１】なお、実施例８から実施例１２に示された
太陽電池においては、表面反射防止のためにＳｉＯ2 、
ＴｉＯ2 、ＭｇＯ等の反射防止膜を形成したり、選択的
エッチング処理によるピラミッド型テクスチャを形成す
ることもできる。
太陽電池においては、表面反射防止のためにＳｉＯ2 、
ＴｉＯ2 、ＭｇＯ等の反射防止膜を形成したり、選択的
エッチング処理によるピラミッド型テクスチャを形成す
ることもできる。
【００９２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低抵抗率でかつ光吸収特性がよく、従来のアモルファス
Ｓｉ薄膜に比べ電気的特性及び光学的特性に優れるＳｉ
薄膜を得ることができる。また、本発明に係るＳｉ薄膜
は、常温でガラス基板等の異種材料上に形成することが
でき、かつ密着性に優れている。
低抵抗率でかつ光吸収特性がよく、従来のアモルファス
Ｓｉ薄膜に比べ電気的特性及び光学的特性に優れるＳｉ
薄膜を得ることができる。また、本発明に係るＳｉ薄膜
は、常温でガラス基板等の異種材料上に形成することが
でき、かつ密着性に優れている。
【００９３】また、本発明に係るＳｉ薄膜は、結晶質並
の特性を有しながら結晶粒界が存在しないために、太陽
電池に使用した場合には長いキャリアライフタイムを維
持することができる。
の特性を有しながら結晶粒界が存在しないために、太陽
電池に使用した場合には長いキャリアライフタイムを維
持することができる。
【００９４】更に、本発明によれば、アシストイオンの
エネルギ及びＩ／Ａ比のうち少なくとも１つを連続的に
変化させて連続的にバンドギャップ制御したＳｉ薄膜を
形成することができ、このようなＳｉ薄膜を使用して単
層で広い波長範囲の光を吸収できる太陽電池を実現する
ことができる。
エネルギ及びＩ／Ａ比のうち少なくとも１つを連続的に
変化させて連続的にバンドギャップ制御したＳｉ薄膜を
形成することができ、このようなＳｉ薄膜を使用して単
層で広い波長範囲の光を吸収できる太陽電池を実現する
ことができる。
【図１】 本発明に係るＳｉ薄膜の製造装置を示す図で
ある。
ある。
【図２】 本発明に係るＳｉ薄膜のＩ／Ａ比と抵抗率と
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図３】 本発明に係るＳｉ薄膜のＡｒイオンエネルギ
と抵抗率の関係を示す図である。
と抵抗率の関係を示す図である。
【図４】 本発明に係るＳｉ薄膜の光吸収特性を示す図
である。
である。
【図５】 本発明に係るＳｉ薄膜のＩ／Ａ比と吸光度と
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図６】 本発明に係るＳｉ薄膜の光吸収特性を示す図
である。
である。
【図７】 本発明に係るＳｉ薄膜のＡｒイオンエネルギ
と吸光度との関係を示す図である。
と吸光度との関係を示す図である。
【図８】 本発明に係るＳｉ薄膜のオージェ電子分光分
析の結果を示す図である。
析の結果を示す図である。
【図９】 本発明に係るＳｉ薄膜のオージェ電子分光分
析の結果を示す図である。
析の結果を示す図である。
【図１０】 本発明に係るＳｉ薄膜のオージェ電子分光
分析の結果を示す図である。
分析の結果を示す図である。
【図１１】 アシストイオンを照射しないで形成したＳ
ｉ薄膜の表面の電子顕微鏡写真である。
ｉ薄膜の表面の電子顕微鏡写真である。
【図１２】 本発明に係るＳｉ薄膜の表面の電子顕微鏡
写真である。
写真である。
【図１３】 本発明に係るＳｉ薄膜の表面の電子顕微鏡
写真である。
写真である。
【図１４】 本発明に係るＳｉ薄膜を使用した太陽電池
の断面図である。
の断面図である。
【図１５】 本発明に係るＳｉ薄膜を使用した太陽電池
の断面図である。
の断面図である。
【図１６】 本発明に係るＳｉ薄膜を使用した太陽電池
の断面図である。
の断面図である。
【図１７】 本発明に係るＳｉ薄膜を使用した太陽電池
の断面図である。
の断面図である。
【図１８】 本発明に係るＳｉ薄膜のバンドギャップを
連続的にコントロールした場合のバンドギャッププロフ
ァイルを示す図である。
連続的にコントロールした場合のバンドギャッププロフ
ァイルを示す図である。
【図１９】 本発明に係るＳｉ薄膜を使用した太陽電池
の断面図である。
の断面図である。
【図２０】 従来におけるタンデム型太陽電池の断面図
である。
である。
【図２１】 図２０に示されたタンデム型太陽電池のバ
ンドギャッププロファイルを示す図である。
ンドギャッププロファイルを示す図である。
１０ 基板、１２ 蒸着源、１４ 電子ビーム、１６
基板ホルダ、１８ アシストイオン源、２０ 真空チャ
ンバ、２２ 排気バルブ、１００ ガラス基板、１１０
電極、１１２ ｐ層、１１４ Ｓｉ薄膜、１１４ａ
最大のバンドギャップのＳｉ薄膜、１１４ｂ 中程度の
バンドギャップのＳｉ薄膜、１１４ｃ最も小さいバンド
ギャップのＳｉ薄膜、１１６ ｎ層、１１８ Ａｌ電
極、１２０ バッファ層、１２２ ｎ++層、１２４ 表
面集電電極、１２６ ｐ+ 層、１２８ Ａｌ／Ａｇ電
極、１３０ ステンレス基板、１３２ Ｔｉ層、１３４
Ａｇ層、１３６ ＺｎＯ層。
基板ホルダ、１８ アシストイオン源、２０ 真空チャ
ンバ、２２ 排気バルブ、１００ ガラス基板、１１０
電極、１１２ ｐ層、１１４ Ｓｉ薄膜、１１４ａ
最大のバンドギャップのＳｉ薄膜、１１４ｂ 中程度の
バンドギャップのＳｉ薄膜、１１４ｃ最も小さいバンド
ギャップのＳｉ薄膜、１１６ ｎ層、１１８ Ａｌ電
極、１２０ バッファ層、１２２ ｎ++層、１２４ 表
面集電電極、１２６ ｐ+ 層、１２８ Ａｌ／Ａｇ電
極、１３０ ステンレス基板、１３２ Ｔｉ層、１３４
Ａｇ層、１３６ ＺｎＯ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｘ
Claims (3)
- 【請求項１】 電子ビーム蒸着により基板上にシリコン
薄膜を形成する際に、同時にアシストイオンを照射する
シリコン薄膜の製造方法であって、 前記アシストイオンのエネルギが３００ｅＶから１５０
０ｅＶであり、基板に堆積するシリコン原子数に対する
照射されるアシストイオンの数の比であるＩ／Ａ比が
０．２から１．１であることをことを特徴とするシリコ
ン薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 シリコン薄膜を一部に用いた薄膜型太陽
電池の製造方法であって、前記シリコン薄膜は、請求項
１記載の製造方法により製造されたことを特徴とする薄
膜型太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】 シリコン薄膜を一部に用いた薄膜型太陽
電池の製造方法であって、前記シリコン薄膜は、請求項
１記載の製造方法により製造されており、前記アシスト
イオンのエネルギ及びＩ／Ａ比のうち少なくとも一方を
連続的に変化させて連続的にバンドギャップ制御したこ
とを特徴とする薄膜型太陽電池の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07216778A JP3119131B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | シリコン薄膜の製造方法及びこの方法を用いた太陽電池の製造方法 |
| US08/690,591 US5744370A (en) | 1995-08-01 | 1996-07-31 | Fabricating method of a silicon thin film and method for manufacturing a solar cell using the fabricating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07216778A JP3119131B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | シリコン薄膜の製造方法及びこの方法を用いた太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0948696A true JPH0948696A (ja) | 1997-02-18 |
| JP3119131B2 JP3119131B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=16693750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07216778A Expired - Fee Related JP3119131B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | シリコン薄膜の製造方法及びこの方法を用いた太陽電池の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5744370A (ja) |
| JP (1) | JP3119131B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015125823A1 (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-27 | 国立大学法人九州大学 | 半導体単結晶、及びこれを用いた発電方法 |
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|---|---|---|---|---|
| FR2764309B1 (fr) * | 1997-06-06 | 1999-08-27 | Corning Inc | Procede de creation d'une couche de silicium sur une surface |
| JP3533950B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2004-06-07 | トヨタ自動車株式会社 | 非線形光学シリカ薄膜の製造方法及び非線形光学シリカ素子 |
| CA2281265C (en) * | 1998-09-22 | 2003-12-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a nonlinear optical thin film |
| JP4450126B2 (ja) * | 2000-01-21 | 2010-04-14 | 日新電機株式会社 | シリコン系結晶薄膜の形成方法 |
| US20070119496A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Photovoltaic cell |
| WO2009091773A2 (en) * | 2008-01-14 | 2009-07-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Solar concentrator and devices and methods using them |
| US20100139749A1 (en) * | 2009-01-22 | 2010-06-10 | Covalent Solar, Inc. | Solar concentrators and materials for use therein |
| US20140224434A1 (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-14 | Crestron Electronics, Inc. | Motorized roller shade with photovoltaic shade material |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2906058A1 (de) * | 1979-02-16 | 1980-08-28 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von halbleiterkoerpern fuer solarzellen aus silizium |
| KR890000479B1 (ko) * | 1980-09-09 | 1989-03-18 | 에너지 컨버션 디바이시즈, 인코포레이리드 | 광응답 비정질 합금 제조방법 및 그 합금과 그로부터 만든 디바이스 |
| JPS5766623A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-22 | Canon Inc | Manufacture of amorphous semiconductor |
| JPS5832411A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-25 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアスシリコンの製造方法 |
| JPS5837972A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアスシリコン半導体装置及びその製造方法 |
| JPS58119332A (ja) * | 1981-12-30 | 1983-07-15 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 蒸着方法及びその装置 |
| JPS5886721A (ja) * | 1982-08-24 | 1983-05-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアス半導体膜の形成方法 |
| JPH079886B2 (ja) * | 1986-03-05 | 1995-02-01 | 富士電機株式会社 | 薄膜の製造方法 |
| JP2777599B2 (ja) * | 1988-06-20 | 1998-07-16 | 株式会社ニューラルシステムズ | 単結晶薄膜の製造方法 |
| JPH07105517B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1995-11-13 | 三菱電機株式会社 | アモルファス太陽電池の製造方法 |
| JP2765968B2 (ja) * | 1989-07-27 | 1998-06-18 | 三洋電機株式会社 | 結晶性シリコン膜の製造方法 |
-
1995
- 1995-08-01 JP JP07216778A patent/JP3119131B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-31 US US08/690,591 patent/US5744370A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015125823A1 (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-27 | 国立大学法人九州大学 | 半導体単結晶、及びこれを用いた発電方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3119131B2 (ja) | 2000-12-18 |
| US5744370A (en) | 1998-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |