JPS5886721A - アモルフアス半導体膜の形成方法 - Google Patents
アモルフアス半導体膜の形成方法Info
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- JPS5886721A JPS5886721A JP57146608A JP14660882A JPS5886721A JP S5886721 A JPS5886721 A JP S5886721A JP 57146608 A JP57146608 A JP 57146608A JP 14660882 A JP14660882 A JP 14660882A JP S5886721 A JPS5886721 A JP S5886721A
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- tank
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファス半導体膜の形成方法に関するもの
である。
である。
例えば、電子写真の分野においては、近年、アモルファ
スシリコン（以下、１−８ｌと称する。）を感光体とし
て用いることが提案されている。
スシリコン（以下、１−８ｌと称する。）を感光体とし
て用いることが提案されている。
ａ −Ｓｌは、Ｓｉ −８ｉの結合の切れたいわゆるダ
ングリングボンドを有し、この欠陥に起因してエネルギ
ーギャップ内に多くの局在準位を有している。
ングリングボンドを有し、この欠陥に起因してエネルギ
ーギャップ内に多くの局在準位を有している。
このために暗抵抗が小さく、光導電性が悪いとされてい
る。 そこで、上記ダングリングボンドの箇所を水素で
埋めることによって欠陥を減少させること、即ち水素ド
ーピングにょ多形成された５ｔ−Ｈ結合でダングリング
ボンドを埋めた水素含有ａ−８ｉ（以下、ａ−８ｉ：Ｈ
と称する。）を形成することが行なわれる。
る。 そこで、上記ダングリングボンドの箇所を水素で
埋めることによって欠陥を減少させること、即ち水素ド
ーピングにょ多形成された５ｔ−Ｈ結合でダングリング
ボンドを埋めた水素含有ａ−８ｉ（以下、ａ−８ｉ：Ｈ
と称する。）を形成することが行なわれる。
この場合、特性のすぐれ九ａ −Ｓｌ薄膜を得るために
は、ａ−８ｉ中に水素原子を効果的に導入することが重
要である。 即ち、５ａ−Ｓｉ層薄層の半導体特性、例
えば暗抵抗、光応答性、耐熱性等のすぐれたものを得る
ためには、１−ｓｔ層中に適量の水素原子（例えば３．
５〜１ｏ原子Ｓ）を導入する必要があるとか、３価の水
素化シリコン（′−８ｉＨ）をできるだけ多く含むよう
にするとかが要求される。
は、ａ−８ｉ中に水素原子を効果的に導入することが重
要である。 即ち、５ａ−Ｓｉ層薄層の半導体特性、例
えば暗抵抗、光応答性、耐熱性等のすぐれたものを得る
ためには、１−ｓｔ層中に適量の水素原子（例えば３．
５〜１ｏ原子Ｓ）を導入する必要があるとか、３価の水
素化シリコン（′−８ｉＨ）をできるだけ多く含むよう
にするとかが要求される。
ところで、半導体の特性を改良する場合、窒素原子を導
入するのがよいとされている。 即ち、例えば太陽電池
、電子写真感光体等の暗抵抗、光応答性、耐摩耗性、耐
熱性等を改良する上で有効な手段となシうる。 このた
めには、ａ−８ａ層中に水素原子及び窒素原子が効果的
に導入されることが必要である。
入するのがよいとされている。 即ち、例えば太陽電池
、電子写真感光体等の暗抵抗、光応答性、耐摩耗性、耐
熱性等を改良する上で有効な手段となシうる。 このた
めには、ａ−８ａ層中に水素原子及び窒素原子が効果的
に導入されることが必要である。
従来、グロー放電法、スパッタ法等においては、水素ガ
スで希釈した窒素ガス又はアンモニアガスを用いる°こ
とにょシ、窒素が導入され九ａ −Ｓｉ薄膜を形成する
ととが行なわれているが、望ましい特性改良が達成され
ていないのが現状である。
スで希釈した窒素ガス又はアンモニアガスを用いる°こ
とにょシ、窒素が導入され九ａ −Ｓｉ薄膜を形成する
ととが行なわれているが、望ましい特性改良が達成され
ていないのが現状である。
しかも、グロー放電法では、放電分解の不均一性による
堆積膜の膜質不均一性、□製膜速度が遅いこと、使用ガ
スの有毒性が問題であシ、またスパッタ法では、大面積
化が困難である。
堆積膜の膜質不均一性、□製膜速度が遅いこと、使用ガ
スの有毒性が問題であシ、またスパッタ法では、大面積
化が困難である。
本発明の目的は、特にａ −Ｓｉ中のダングリングボン
ドが水素原子及び／又はフッ素原子によ）効果的に封鎖
され九ａ−８ｉ薄膜の形成方法を提供することにある。
ドが水素原子及び／又はフッ素原子によ）効果的に封鎖
され九ａ−８ｉ薄膜の形成方法を提供することにある。
さらに他の目的は、窒素ガス及び／又はアンモニアガ
ス等の窒素含有ガスを用いて効果的に特性改良された薄
膜を均一にして高速で大面積に形成する方法を提供する
ことにある。
ス等の窒素含有ガスを用いて効果的に特性改良された薄
膜を均一にして高速で大面積に形成する方法を提供する
ことにある。
これらの目的は、本発明に従い、蒸発源とこれに対向し
た被蒸着基体とを収容した蒸着槽内で、前記蒸発源の半
導体材料（特にシリコン）を蒸発せしめて前記基体上に
アモルファス半導体を蒸着するに際し、イオン化又は活
性化されたガス状の水素及び／又はフッ素と、窒素含有
ガス（％に窒素ガス及び／又はアンモニアガス）とを前
記蒸着槽内に存在せしめた状態で、前記半導体材料の蒸
着を行なうことを特徴とするアモルファス半導体膜の形
成方法によって達成される。
た被蒸着基体とを収容した蒸着槽内で、前記蒸発源の半
導体材料（特にシリコン）を蒸発せしめて前記基体上に
アモルファス半導体を蒸着するに際し、イオン化又は活
性化されたガス状の水素及び／又はフッ素と、窒素含有
ガス（％に窒素ガス及び／又はアンモニアガス）とを前
記蒸着槽内に存在せしめた状態で、前記半導体材料の蒸
着を行なうことを特徴とするアモルファス半導体膜の形
成方法によって達成される。
本発明の方法によれば、水素及び／又はフッ素がイオン
化又は活性化された状態で存在する中で蒸着が行なわれ
、特に蒸着槽外でイオン化又は活性化する場合には流量
が充分に制御されて槽内に導入されるため、極めて効果
的に水素原子及び／又はフッ素原子を蒸着膜中に導入で
きる。 即ち、檜の内圧力を制御（例えば一定に保持）
するのではなく、供給する活性水素等の導入量を制御す
れば、堆積されるａ −Ｓｉ等の薄膜の特性を左右する
成分量を所要の値に確実に設定できるのである。
化又は活性化された状態で存在する中で蒸着が行なわれ
、特に蒸着槽外でイオン化又は活性化する場合には流量
が充分に制御されて槽内に導入されるため、極めて効果
的に水素原子及び／又はフッ素原子を蒸着膜中に導入で
きる。 即ち、檜の内圧力を制御（例えば一定に保持）
するのではなく、供給する活性水素等の導入量を制御す
れば、堆積されるａ −Ｓｉ等の薄膜の特性を左右する
成分量を所要の値に確実に設定できるのである。
これは、容器内のガス圧が例えば９ ｘ １０ ’ Ｔ
ｏｒｒ以下、特に１×１０−ゝ〜１０’−’ Ｔｏｒｒ
と比較的小さい場合に一著であシ、熱により槽内の付着
物から放出されるガスでガス圧が変動したとしても常に
一定量の活性水素等をドーピングすることができる。
ｏｒｒ以下、特に１×１０−ゝ〜１０’−’ Ｔｏｒｒ
と比較的小さい場合に一著であシ、熱により槽内の付着
物から放出されるガスでガス圧が変動したとしても常に
一定量の活性水素等をドーピングすることができる。
従って、例えばａ−８ｔ：Ｈ膜を作成する場合、ダング
リングボンドを充分かつ再現性良く水素で埋めることが
でき、しかも３価の水素化シリコン（ｆｉｓＬＨ）が高
い濃度で含まれたものとなるため、高品位の膜特性が確
実に得られることになる。
リングボンドを充分かつ再現性良く水素で埋めることが
でき、しかも３価の水素化シリコン（ｆｉｓＬＨ）が高
い濃度で含まれたものとなるため、高品位の膜特性が確
実に得られることになる。
水素原子及び／又はフッ素原子が充分満足しうる条件で
堆積膜中に導入される結果、窒素ガス、アンモニアガス
等の窒素含有ガスを導入したとき、効果的な特性改良（
暗抵抗、耐摩耗性等の向上）が達成される。 ％に槽外
の活性化（放電）装置によシ流量が制御された状態で活
性化又はイオン化された窒素含有ガスが導入された場合
の効果はより顕著なものと表る。
堆積膜中に導入される結果、窒素ガス、アンモニアガス
等の窒素含有ガスを導入したとき、効果的な特性改良（
暗抵抗、耐摩耗性等の向上）が達成される。 ％に槽外
の活性化（放電）装置によシ流量が制御された状態で活
性化又はイオン化された窒素含有ガスが導入された場合
の効果はより顕著なものと表る。
しかも、本発明の方法は蒸着法に基〈ために、堆積膜の
膜質が均一と柔り、高速で大面積に製膜可能である。
膜質が均一と柔り、高速で大面積に製膜可能である。
本発明においては、水素及び／又はフッ素ガスと共に、
蒸着槽外に設けた放電装置によって窒素含有ガスをイオ
ン化又は活性化した後、蒸着槽内に導入するのが望まし
い。 また、ガス状の水素及び／又はフッ素、及び窒素
含有ガスの流量を蒸着槽の内圧に依存することなしに制
御するのが望ましい。
蒸着槽外に設けた放電装置によって窒素含有ガスをイオ
ン化又は活性化した後、蒸着槽内に導入するのが望まし
い。 また、ガス状の水素及び／又はフッ素、及び窒素
含有ガスの流量を蒸着槽の内圧に依存することなしに制
御するのが望ましい。
以下、本発明を実施例について更に詳細に説明する。
第１図は、例えばａ−８ｉ：Ｈ膜を形成する蒸着装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
この装置においては、蒸着槽としてのペルジャー１に対
し排気管２を介して真空ポンプ（図示せず）が接続され
、このポンプによジベルジャー１内が例えば９ ｘ １
０−’ Ｔｏｒｒ以下（特に１×１０１〜５ｘ １０
’ Ｔｏｒｒ ）の圧力に設定される。 ペルジャー１
内には、基板としての金属板３が配され、ヒーター４で
例えば３５０〜４７０°Ｃに加熱されるようになってい
る。 基板３は図示の例では平板状とし、例えば太陽電
池用として用いられるものとしたが、既述した電子写真
用とする場合には回転可能に軸支されたドラム形状とす
ればよい。 この基板３には０〜−１ｏ ＫＶ ％望ま
しくは−２〜−６ＫＶの直流バイアス電圧５、又は０〜
５ＫＶの交流バイアス電圧が印加される。 また、基板
３の下方には、ボート６中にシリコン蒸発源７が配置さ
れている。
し排気管２を介して真空ポンプ（図示せず）が接続され
、このポンプによジベルジャー１内が例えば９ ｘ １
０−’ Ｔｏｒｒ以下（特に１×１０１〜５ｘ １０
’ Ｔｏｒｒ ）の圧力に設定される。 ペルジャー１
内には、基板としての金属板３が配され、ヒーター４で
例えば３５０〜４７０°Ｃに加熱されるようになってい
る。 基板３は図示の例では平板状とし、例えば太陽電
池用として用いられるものとしたが、既述した電子写真
用とする場合には回転可能に軸支されたドラム形状とす
ればよい。 この基板３には０〜−１ｏ ＫＶ ％望ま
しくは−２〜−６ＫＶの直流バイアス電圧５、又は０〜
５ＫＶの交流バイアス電圧が印加される。 また、基板
３の下方には、ボート６中にシリコン蒸発源７が配置さ
れている。
そして、シリコンの蒸発量又は堆積速度の制御のために
、シリコン蒸発源７に対向して膜厚検出装置８が設けら
れている。 この検出装置８自体は公知の構造からなっ
ており、蒸発するシリコンの付着量に応じて振動数が変
化する水晶板９を筒体１０内に設け、その振動数を検知
部１１で検出し、更にとの検出値に基いてシリコンの蒸
発量を制御（例えばヒータ一温度を制御）できるように
したものである。
、シリコン蒸発源７に対向して膜厚検出装置８が設けら
れている。 この検出装置８自体は公知の構造からなっ
ており、蒸発するシリコンの付着量に応じて振動数が変
化する水晶板９を筒体１０内に設け、その振動数を検知
部１１で検出し、更にとの検出値に基いてシリコンの蒸
発量を制御（例えばヒータ一温度を制御）できるように
したものである。
この装置で特徴的なことは、ベルジ４ １に接続されか
つ水素ガスの外に、窒素ガス又はアンモニアガスからな
る修飾ガスを導入するための導入管１２中に、水素又は
修飾ガスを活性化又はイオン化するだめの放電管１３が
設けられる一方、各ガスの供給量をコントロールするだ
めの流量制御装置１４が組込まれていることである。
流量制御装置１４は基本的には、流量弁（図示せず）付
きの流量コントローラー１５とこれを作動させる流量設
定器１６とからなっておシ、水素又は修飾ガス供給量を
常に所要量、例えば水素はＯ〜５０ｏ ｅｏ ／ｍｉｎ
、窒素等は０〜ｔｏｏ （！（！ ／ｍｉｎの範囲に
設定している。 これによって、上述した如く、ペルジ
ャー１内に導入される活性水素又は水素イオン量、イオ
ン化又は活性化された修飾ガス量を常に一定量に保持で
きるから、基板３上に堆積するａ−８ｉ：Ｈ中の水素量
及び窒素量を安定なものとすることができる。
つ水素ガスの外に、窒素ガス又はアンモニアガスからな
る修飾ガスを導入するための導入管１２中に、水素又は
修飾ガスを活性化又はイオン化するだめの放電管１３が
設けられる一方、各ガスの供給量をコントロールするだ
めの流量制御装置１４が組込まれていることである。
流量制御装置１４は基本的には、流量弁（図示せず）付
きの流量コントローラー１５とこれを作動させる流量設
定器１６とからなっておシ、水素又は修飾ガス供給量を
常に所要量、例えば水素はＯ〜５０ｏ ｅｏ ／ｍｉｎ
、窒素等は０〜ｔｏｏ （！（！ ／ｍｉｎの範囲に
設定している。 これによって、上述した如く、ペルジ
ャー１内に導入される活性水素又は水素イオン量、イオ
ン化又は活性化された修飾ガス量を常に一定量に保持で
きるから、基板３上に堆積するａ−８ｉ：Ｈ中の水素量
及び窒素量を安定なものとすることができる。
なお、上記流量弁は、公知の如くソレノイド（図示せず
）で駆動される開閉弁からなっていてよい。
）で駆動される開閉弁からなっていてよい。
また、放電管１３はペルジャー１外に配されているとと
も重要である。 即ち、仮に放電管１３をペルジャー１
の内部に設けた場合、放電管１３自体が蒸発したシリコ
ン等により汚染され易く、また熱に耐える耐熱材料で構
成しなければならない。
も重要である。 即ち、仮に放電管１３をペルジャー１
の内部に設けた場合、放電管１３自体が蒸発したシリコ
ン等により汚染され易く、また熱に耐える耐熱材料で構
成しなければならない。
これに関連して、その構造も特殊なものとなる一方、新
しい放電管と交換する作業も面倒である。
しい放電管と交換する作業も面倒である。
しかもペルジャー内にあることから、放電管にシリコン
蒸気や活性水素及び他の修飾ガスが衝突してこれらの平
均自由行程に乱れが生じ、ａ−８ｔ：Ｈの堆積状態が不
均一となる恐れがある。 しかしながら、図示したよう
に、放電管１３を外部に配せば、上記した汚染の問題や
熱損傷が生じることなく、その構成部の材質及び構造の
選択、配置、交換作業が自由若しくは容易となり、ガス
流を妨げることがなく、均一な堆積膜を形成することが
できる。
蒸気や活性水素及び他の修飾ガスが衝突してこれらの平
均自由行程に乱れが生じ、ａ−８ｔ：Ｈの堆積状態が不
均一となる恐れがある。 しかしながら、図示したよう
に、放電管１３を外部に配せば、上記した汚染の問題や
熱損傷が生じることなく、その構成部の材質及び構造の
選択、配置、交換作業が自由若しくは容易となり、ガス
流を妨げることがなく、均一な堆積膜を形成することが
できる。
第２図は、第１図の装置で作成された素子、例えば太陽
電池の断面を示す。 基板として金属電極３上にａ−８
ｉ：Ｈ膜１７が堆積せしめられ、更にこの上に他方の電
極である透明なＩ Ｔ Ｏ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎｏｘ
ｉｄｅ ）又は５ｎＯｘ膜１８が設けられる０第１図の
装置において、上記の例では水素及び窒素の流量を一定
にしたが、その流量を時間と共に例えば連続的に変化さ
せてもよい。 この場合には例えば第２図においてａ−
８ｔ：Ｈ膜１７中の水素含有量を透明電極１８側から金
属電極３側へ連続的に増加させることができる。 水素
濃度の高くなった金属電極３側ではａ−８ｔ：ＨがＮ型
化しているので、それらの間のオーミックコンタクトが
とり易くなる。
電池の断面を示す。 基板として金属電極３上にａ−８
ｉ：Ｈ膜１７が堆積せしめられ、更にこの上に他方の電
極である透明なＩ Ｔ Ｏ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎｏｘ
ｉｄｅ ）又は５ｎＯｘ膜１８が設けられる０第１図の
装置において、上記の例では水素及び窒素の流量を一定
にしたが、その流量を時間と共に例えば連続的に変化さ
せてもよい。 この場合には例えば第２図においてａ−
８ｔ：Ｈ膜１７中の水素含有量を透明電極１８側から金
属電極３側へ連続的に増加させることができる。 水素
濃度の高くなった金属電極３側ではａ−８ｔ：ＨがＮ型
化しているので、それらの間のオーミックコンタクトが
とり易くなる。
カお、本実施例による方法は、ガス圧のよ）高いく例え
ばｌＯ−’ 〜ｔｏ ” Ｔｏｒｒ ） 条件下でも
、一定若しくは所要量のイオン化又は活性水素又は窒素
を供給する方法として有効である０ 要は、ペルジャー
内の圧力が高いか低いかは主として装置の排気能力の問
題であり、上記方法の実施の上では単に条件的なもので
あって本質的なととではない０また、上記の放電管１３
は、所要量の活性水素及び窒素を供給するという特徴を
充たしている限り、ペルジャー１内に配置してよいこと
は勿論である。
ばｌＯ−’ 〜ｔｏ ” Ｔｏｒｒ ） 条件下でも
、一定若しくは所要量のイオン化又は活性水素又は窒素
を供給する方法として有効である０ 要は、ペルジャー
内の圧力が高いか低いかは主として装置の排気能力の問
題であり、上記方法の実施の上では単に条件的なもので
あって本質的なととではない０また、上記の放電管１３
は、所要量の活性水素及び窒素を供給するという特徴を
充たしている限り、ペルジャー１内に配置してよいこと
は勿論である。
本発明において、アモルファスシリコンのダングリング
ボンドを埋める原子の供給源として上記した水素ガスに
代えて、或いは併用してフッ素を供給してよい。 また
、窒素以外の別の修飾ガスとして、窒素ガスに代えて、
或いは併用してアンモニアガス等を供給してよい。 こ
れらの修飾ガスは上記した水素ガスとは枦能を異にする
が、薄膜中への窒素の含有量が変動すると薄膜の抵抗値
、光応答速度、耐熱性、機械的強度等を所望の値に設定
できない。 従って、水素ガスと同様に、本発明の好ま
しい態様に基き、導入時のガス流量をコントロールする
ことが有効であることが理解されよう。
ボンドを埋める原子の供給源として上記した水素ガスに
代えて、或いは併用してフッ素を供給してよい。 また
、窒素以外の別の修飾ガスとして、窒素ガスに代えて、
或いは併用してアンモニアガス等を供給してよい。 こ
れらの修飾ガスは上記した水素ガスとは枦能を異にする
が、薄膜中への窒素の含有量が変動すると薄膜の抵抗値
、光応答速度、耐熱性、機械的強度等を所望の値に設定
できない。 従って、水素ガスと同様に、本発明の好ま
しい態様に基き、導入時のガス流量をコントロールする
ことが有効であることが理解されよう。
また、本発明による方法において、基板上に堆積される
薄膜は、上記の方法で所要量の水素及び窒素を含有せし
めて特性が改良されたアそルファス金化シリコンからな
っている。
薄膜は、上記の方法で所要量の水素及び窒素を含有せし
めて特性が改良されたアそルファス金化シリコンからな
っている。
図面は本発明による方法を例示するものであって、第１
図は真空蒸着装置の概略断面図、第２図は作成され九ａ
−８ｉ：Ｈ膜を有する素子の断面図である０ なお、図面に用いられている符号において、３・・・・
・・・・−基板 ７・・・・・・・・・・・・シリコン蒸発源８・・・・
・・・・・・−・膜厚検出装置１３、−・・・・・・・
・・放電管 １４・・・・・・・−・・・流量制御装置１５・・・・
・・・・・・−流量コントローラー１６・・・・・−・
・−・・流量設定器１７・・・・・・・・−水素含有ア
モルファスシリコン（ａ−８ｔ：Ｈ）膜 １８・・・・・・・・・・ ＩＴＯ膜 。 である０ 代理人 弁理士 逢 坂 囁 （ｈ発）手続袖正書 昭和５８年２月７１」 特許庁 若杉和夫殿 １ ！１１件の表示 昭＋１１５７１． 特許 １第 １４６６０８１；２
発明の名称 アモルファス半導体膜の形成方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 、−７，’″′″Ｉ・１１ 東京都新宿区西新宿１
丁目２ｄ着地２号ｔｚ” ” ’￥１（Ｒ１１１；）（
１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 住 所 東京都立川市柴崎町３−９−１７鈴木ビル２
階５、 補正命令の１」付
・・６ 袖正により増／ｌ１ｌ−ｊる発明
の数＜１１、明細書落８頁４行目のｌ’ ３５０〜４７
０℃」を「２００〜５５０℃」 と訂正します。 （２）、同第８頁８行目の「すればよい、」を［すれば
よい。 この基板はステンレス、アルミニウム、タンタ
ル、クロム等の金属をはじめ、石英ガラス、ポリエチレ
ンテレフタレート又はポリイミド等の合成樹脂からなっ
ていてよい。」と訂正します。 （３）、同９ｊｆ１行目の「である。」を［である。こ
の場合、蒸発源７の加熱は、抵抗証熱、Ｉ４加熱、電子
銃加熱（４〜６ｋＶ、２００〜３００７１１Ａ）で行な
ってよく、またその蒸発速度はｔ−ｔｏｏＸ／ｓｅｃと
してよ−・・」ヒ前正します。 （４）、同第９頁６行目の「放電管」を「直流又は高周
波放電管（０，５〜１ｋｖ）」と訂正します。 （５）、同第９貞１３行目の「設定している。」を［設
定している。 この場合、水素ガスと修飾ガス゛との混
合比は１０：ｌ〜１：２とし、その混合ガス流蓋は１０
０〜３００７ｍとしてよい。Ｊと訂正し筐す。 （６）、同第１０真下から４行目と３行目との間に下記
の記載を加入します。 記 ［なお、上記の各ガス流量、放電電力、Ｓｔ蒸発速度を
制御すれば、高速で大面積に製膜することができる。」 −以上一
図は真空蒸着装置の概略断面図、第２図は作成され九ａ
−８ｉ：Ｈ膜を有する素子の断面図である０ なお、図面に用いられている符号において、３・・・・
・・・・−基板 ７・・・・・・・・・・・・シリコン蒸発源８・・・・
・・・・・・−・膜厚検出装置１３、−・・・・・・・
・・放電管 １４・・・・・・・−・・・流量制御装置１５・・・・
・・・・・・−流量コントローラー１６・・・・・−・
・−・・流量設定器１７・・・・・・・・−水素含有ア
モルファスシリコン（ａ−８ｔ：Ｈ）膜 １８・・・・・・・・・・ ＩＴＯ膜 。 である０ 代理人 弁理士 逢 坂 囁 （ｈ発）手続袖正書 昭和５８年２月７１」 特許庁 若杉和夫殿 １ ！１１件の表示 昭＋１１５７１． 特許 １第 １４６６０８１；２
発明の名称 アモルファス半導体膜の形成方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 、−７，’″′″Ｉ・１１ 東京都新宿区西新宿１
丁目２ｄ着地２号ｔｚ” ” ’￥１（Ｒ１１１；）（
１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 住 所 東京都立川市柴崎町３−９−１７鈴木ビル２
階５、 補正命令の１」付
・・６ 袖正により増／ｌ１ｌ−ｊる発明
の数＜１１、明細書落８頁４行目のｌ’ ３５０〜４７
０℃」を「２００〜５５０℃」 と訂正します。 （２）、同第８頁８行目の「すればよい、」を［すれば
よい。 この基板はステンレス、アルミニウム、タンタ
ル、クロム等の金属をはじめ、石英ガラス、ポリエチレ
ンテレフタレート又はポリイミド等の合成樹脂からなっ
ていてよい。」と訂正します。 （３）、同９ｊｆ１行目の「である。」を［である。こ
の場合、蒸発源７の加熱は、抵抗証熱、Ｉ４加熱、電子
銃加熱（４〜６ｋＶ、２００〜３００７１１Ａ）で行な
ってよく、またその蒸発速度はｔ−ｔｏｏＸ／ｓｅｃと
してよ−・・」ヒ前正します。 （４）、同第９頁６行目の「放電管」を「直流又は高周
波放電管（０，５〜１ｋｖ）」と訂正します。 （５）、同第９貞１３行目の「設定している。」を［設
定している。 この場合、水素ガスと修飾ガス゛との混
合比は１０：ｌ〜１：２とし、その混合ガス流蓋は１０
０〜３００７ｍとしてよい。Ｊと訂正し筐す。 （６）、同第１０真下から４行目と３行目との間に下記
の記載を加入します。 記 ［なお、上記の各ガス流量、放電電力、Ｓｔ蒸発速度を
制御すれば、高速で大面積に製膜することができる。」 −以上一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ 蒸発源とこれに対向した被蒸着基体とを収容し７ｃ
、’＝ ；有槽内で、前＝ａ蒸発源の半導体材料を蒸
発せ１７めて＋ｊｌ Ａピ塙体上にアモルファス半導体
を蒸着するに際し、イオン化又は活性化されたガス状の
水素及び／又は７ノ素と、窒素貧有ガスとを轄記蒸ｌＪ
槽内に存在せしめた状態で、前記半導体材料の蒸／ばを
行なうことを特徴とするアモルファス半導ｒド１１ｑの
形成方法。 ２、 イオン化又は活性化された窒素含有ガスが蒸Ｍ僧
内に存在せしめられ辱−る、特許請求の範囲の・す１〕
貞（ｌこ５．己、（潴した方法。 ３、蒸着槽外に設けた放電装置によってイオン化又は粘
性化された窒素含有ガスを蒸着槽内に導入する、特許請
求の範囲の第２項に記載１〜だ方法。 ４、蒸着１冒外に設けた放電装置によってイオン化又は
活性化されたガス状の水素及び／又はフッ素を蒸着槽内
に導入する、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれ
か１項に記載した方法。 ５、 ガス状の水素及び／又はフッ素、及び窒素含有ガ
スの流量を蒸着槽の内圧に依存することなしに制御する
、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１項に記
載した方法。 ６、基体に０〜−１０ＫＶのバイアス電圧を印加した状
態で蒸着を行なう、特許請求の範囲の第１項〜第５項の
いずれか１項に記載した方法。 ７、 蒸発源としてシリコンを使用し、アモルファスシ
リコン膜を基体上に堆積させる、特許請求の範囲の第１
項〜第６項のいずれか１項に記載した方法。 ８ 窒素含有ガスとして、窒素ガス及び／又はアンモニ
アガスを特徴する特許請求の範囲の第１項〜第７項のい
ずれか１項に記載した方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57146608A JPS5886721A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | アモルフアス半導体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57146608A JPS5886721A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | アモルフアス半導体膜の形成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18466381A Division JPS5888029A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5886721A true JPS5886721A (ja) | 1983-05-24 |
Family
ID=15411572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57146608A Pending JPS5886721A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | アモルフアス半導体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5886721A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237767A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Tdk Corp | 光電変換素子 |
| JPH0388359U (ja) * | 1989-12-26 | 1991-09-10 | ||
| US5744370A (en) * | 1995-08-01 | 1998-04-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fabricating method of a silicon thin film and method for manufacturing a solar cell using the fabricating method |
-
1982
- 1982-08-24 JP JP57146608A patent/JPS5886721A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237767A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Tdk Corp | 光電変換素子 |
| JPH0388359U (ja) * | 1989-12-26 | 1991-09-10 | ||
| US5744370A (en) * | 1995-08-01 | 1998-04-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fabricating method of a silicon thin film and method for manufacturing a solar cell using the fabricating method |
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