DE2906058A1 - Verfahren zum herstellen von halbleiterkoerpern fuer solarzellen aus silizium - Google Patents
Verfahren zum herstellen von halbleiterkoerpern fuer solarzellen aus siliziumInfo
- Publication number
- DE2906058A1 DE2906058A1 DE19792906058 DE2906058A DE2906058A1 DE 2906058 A1 DE2906058 A1 DE 2906058A1 DE 19792906058 DE19792906058 DE 19792906058 DE 2906058 A DE2906058 A DE 2906058A DE 2906058 A1 DE2906058 A1 DE 2906058A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon
- amorphous silicon
- atoms
- solar cells
- energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 title 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 8
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 abstract 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- LDVVMCZRFWMZSG-UHFFFAOYSA-N captan Chemical compound C1C=CCC2C(=O)N(SC(Cl)(Cl)Cl)C(=O)C21 LDVVMCZRFWMZSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/208—Particular post-treatment of the devices, e.g. annealing, short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
-
- Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkörpern für
- Solarzellen aus Silizium.
- Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von aus Silizium bestehenden Halbleiterkörpern mit einstellbarer Leitfähigkeit, insbesondere zur Weiterverarbeitung für Solarzellen, bei dem als Ausgangsmaterial amorphe Siliziumschichten mit und ohne Substrate verwendet werden.
- Zur Herstellung von aus Silizium bestehenden elektrischen Bauelementen wie Solarzellen läßt sich ein Siliziummaterial verwenden, an welches in Bezug auf seine Kristallqualität und Reinheit keine so großen Anforderungen gestellt werden müssen, wie bei der Verwendung für integrierte Halbleiterschaltungen. Da die Solarzellen im Vergleich zu den integrierten Halbleiterschaltungen sehr billig sein müssen, um eine breite Anwendung zu finden, muß auch die Herstellung der Siliziumkörper, welche als Ausgangsmaterial verwendet werden, möglichst einfach und billig sein.
- Ein in diesen Hinsicht interessantes und aussichtsreiches Material für Solarzellen stellt amorphes Silizium (sogenanntes a-Si) dar. Solarzellen aus diesem Material sind aus der US-PS 4.064.521 und aus der DT-OS 27 43 141 bekannt.
- Aus der US-PS 4.064.521 ist ein Verfahren zu entnehmen, bei dem eine ca. 1 /um dicke amorphe Siliziumschicht durch Zersetzen von Silan (SiH4) in einer Niederdruck-Plasmaanlage auf einem Stahlblech niedergeschlagen wird. Der Schottky-Kontakt wird durch anschließendes Aufdampfen einer sehr dünnen Platinschicht hergestellt. Wie aus dem Aufsatz von Fritzsche, Tsai und Persans nAmorphous Semiconducting Silicon-Hydrogen Alloys" aus der Zeitschrift Solid State Technology, Januar 1978, Seiten 55 bis 60, zu entnehmen ist, ist eine wichtige Voraussetzung für den Wirkungsgrad dieser Solarzelle (5,5 96 bisher erreicht) der Einbau von atomaren Wasserstoff.
- der die freien Valenzen (sogenannte dangling bonds) im amorphen Silizium absättigt, so daß diese nicht als Rekombinationszentren für die im Licht freigesetzten Ladungsträger wirken können. Der Einbau von Wasserstoff erfolgt bei Verwendung von Silan gleichzeitig mit dem Zersetzungsprozeß im Plasmareaktor.
- Bei dem in der DT-OS 27 43 141 beschriebenen Herstellverfahren wird zur Abscheidung des amorphen Silizium anstelle des teueren Silanwasserstoffes ein chloriertes oder bromiertes Silan verwendet und die Abscheidung so gesteuert, daß die amorphe Siliziumschicht bis zu 7 Atom-% eines Halogens der Chlor, Brom und Jod umfassenden Gruppe, sowie Wasserstoff zur Kompensation der freien Valenzen im amorphen Silizium enthält.- Ein Nachteil dieses Verfahrens kann darin bestehen, daß, wenn der Halogengehalt zu hoch wird, die elektrischen Eigenschaften des amorphen Silizium nachteilig beeinflußt werden und damit der Wirkungsgrad vermindert wird.
- Die Aufgabe, die der Erfindung zugrundeliegt, besteht ebenfalls in der Absättigung bzw. Kompensation der im amorphen Silizium vorhandenen freien Valenzen und zugleich auch in der Herstellung eines Halbleiterkörpers mit einer amorphen Siliziumschicht mit einstellbarer Leitfähigkeita Außerdem soll durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung der Wirkungsgrad einer so hergestellten Solarzelle bei möglichst niedrigen-Herstellkosten optimiert werden.
- Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß zur Absättigung der im amorphen Silizium vorhandenen freien Valenzen eine Ionenimplantation mit Atomen mindestens eines Elementes der ersten und zweiten Periode des Periodensystems der Elemente durchgeführt wird. Dabei liegt es#im Rahmen des Erfindungsgedankens, überwiegend aus Wasserstoff bestehende Atome und zusätzlich ionisierte Dotierstoffatome je nach gewünschter Leitfähigkeit mit zu implantieren.
- Durch die Verwendung dünner, durch Glimmentladung in einer gasförmigen Siliziumhalogenverbindung hergestellter Halbleiterkörper ergibt sich nicht nur eine weitere Kostensenkung im Herstellungsprozeß, sondern auch eine Verbesserung des Wirkungsgrades, da diese dünnen amorphen Siliziumschichten (ca. 1 /um), welche als Grundkarger für die Wirkungsweise einer Solarzelle in Falle von amorphem Silizium bereits ausreichend sind, für die Eindringtiefen der lonenimplantation bei Verwendung von Atomen mit niedrigem Atomgewicht sehr gut bekerrschbar sind und daneben eine reproduzierbare, genau definierte Dotierstoffkonzentration in der Schicht ermöglichen.
- Für die Herstellung des amorphen -Silizinin durch Glimment- ladung können außerdem billige Substratmaterialien wie Edelstahlblech, mit leitenden Schichten versehene Glaskörper oder Polyamidfolien (Kaptanfolien) verwendet werden.
- Nach dem Ionenbeschuß, der in bekannter Weise durchgeführt wird, wird eine Nachdiffusion zur Ausheilung und Stabilisierung der implantierten Ionen im amorphen Siliziumkörper durchgeführt. Dabei dürfte ein Temperaturbereich von 200 bis höchstens 6000 C und eine Zeitdauer von maximal 30 Minuten ausreichend sein.
- Weitere Einzelheiten für die Durchführung der Ionenimplantation nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ergeben sich aus folgenden Angaben: Einstellung der Energie: für Wasserstoff 10 bis 100 keV f Dosis 2 . 1016 bis für Fluor 30 bis 300 keV 5 5.1018/cm2 für Bor 200 keV ß Dosis 1012 bis 1014/cm2 für Phosphor 500 keV ) je nach gewünscht Eindringtiefe 8 Patentansprüche
Claims (8)
- Patentansorüche.Verfahren zum Herstellen von aus Silizium bestehenden Halbleiterkörpern mit einstellbarer Leitfähigkeit, insbesondere zur Weiterverarbeitung für Solarzellen, bei dem als Ausgangsmaterial amorphe Siliziumschichten mit und ohne Substrate verwendet werden, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß zur Absättigung der im amorphen Silizium vorhandenen freien Valenzen eine Ionenimplantation mit Atomen mindestens eines Elementes der ersten und zweiten Periode des Periodensystems der Elemente durchgefühft wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß überwiegend aus Wasserstoff bestellende Atome implantiert werden.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Energie der Wasserstoffionen auf einen Wert im Bereich von 10 bis 100 keV und die Dosis auf 2 . 1016 bis 5 . 1/cm2 eingestellt wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zusätzlich ionisierte Dotierstoffatome Je nach gewünschter Leitfähigkeit implantiert werden.
- 5. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Energie bei der Fluor-Ionenimplantation auf 30 bis 300 keV und die Dosis auf 2 . 1016 bis 5 . 1018/cm2 eingestellt wird.
- 6. Verfahren nach Anspruch 4, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Energie bei Verwendung von Bor auf 200 keV, bei Verwendung von Phosphor auf 500 #eV und die Dosis auf 1012 bis 10 14/cm2 eingestellt wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e -i c h n e t , daß die amorphe Siliziumschicht durch Glimmentladung in einer, eine gasförmige Siliziumhalogenverbindung enthaltenden Atmo sphäre hergestellt wird.
- 8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß im Anschluß an die Implantation eine Nachdiffusion bei 200 bis maximal 6000C höchstens 30 Minuten lang durchgeführt wird.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792906058 DE2906058A1 (de) | 1979-02-16 | 1979-02-16 | Verfahren zum herstellen von halbleiterkoerpern fuer solarzellen aus silizium |
| JP1772080A JPS55113328A (en) | 1979-02-16 | 1980-02-15 | Method of fabricating silicon semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792906058 DE2906058A1 (de) | 1979-02-16 | 1979-02-16 | Verfahren zum herstellen von halbleiterkoerpern fuer solarzellen aus silizium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2906058A1 true DE2906058A1 (de) | 1980-08-28 |
Family
ID=6063124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19792906058 Withdrawn DE2906058A1 (de) | 1979-02-16 | 1979-02-16 | Verfahren zum herstellen von halbleiterkoerpern fuer solarzellen aus silizium |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55113328A (de) |
| DE (1) | DE2906058A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4402762A (en) * | 1981-06-02 | 1983-09-06 | John Puthenveetil K | Method of making highly stable modified amorphous silicon and germanium films |
| US5744370A (en) * | 1995-08-01 | 1998-04-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fabricating method of a silicon thin film and method for manufacturing a solar cell using the fabricating method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4872773B2 (ja) * | 2007-04-19 | 2012-02-08 | 富士電機リテイルシステムズ株式会社 | 紙葉類繰出し装置およびその制御方法 |
-
1979
- 1979-02-16 DE DE19792906058 patent/DE2906058A1/de not_active Withdrawn
-
1980
- 1980-02-15 JP JP1772080A patent/JPS55113328A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4402762A (en) * | 1981-06-02 | 1983-09-06 | John Puthenveetil K | Method of making highly stable modified amorphous silicon and germanium films |
| US5744370A (en) * | 1995-08-01 | 1998-04-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fabricating method of a silicon thin film and method for manufacturing a solar cell using the fabricating method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55113328A (en) | 1980-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2950846C2 (de) | Verfahren zur Herstellung amorpher Halbleiterschichten | |
| EP0662247B1 (de) | Schnelles verfahren zur erzeugung eines chalkopyrit-halbleiters auf einem substrat | |
| DE3541587C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines dünnen Halbleiterfilms | |
| DE2425382C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Isolierschicht-Feldeffekttransistoren | |
| DE3322680C2 (de) | ||
| DE2743141C2 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Schicht aus amorphem Silizium | |
| DE2013576C3 (de) | Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsäurefilmen auf Halbleiteroberflächen | |
| DE2449688B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone eines Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiterkörper | |
| DE2711365C2 (de) | ||
| DE2904171C2 (de) | ||
| DE3490007T1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen | |
| DE3411702A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines mehrkomponentenduennfilms, insbesondere eines amorphen mehrkomponentensiliciumduennfilms | |
| EP0018520A1 (de) | Verfahren zur vollständigen Ausheilung von Gitterdefekten in durch Ionenimplantation von Phosphor erzeugten N-leitenden Zonen einer Siliciumhalbleitervorrichtung und zugehörige Siliciumhalbleitervorrichtung | |
| EP0224231B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtssolarzelle | |
| DE2756861C2 (de) | Verfahren zum Ändern de Lage des Fermi-Niveaus von amorphem Silicium durch Dotieren mittels Ionenimplantation | |
| DE2519432A1 (de) | Verfahren zur herstellung dotierter vergrabener zonen in einem halbleiterkoerper | |
| DE1154878B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiteranordnungen aus n-leitendem Silizium durch Bestrahlen mit thermischen Neutronen | |
| DE2906058A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterkoerpern fuer solarzellen aus silizium | |
| DE102012104616B4 (de) | Verfahren zum Bilden einer Fensterschicht in einer Dünnschicht-Photovoltaikvorrichtung auf Cadmiumtelluridbasis | |
| DE2628406A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
| DE3732617A1 (de) | Photoelement | |
| DE3540452C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors | |
| DE3542116C2 (de) | ||
| DE3242921A1 (de) | Verfahren zum aufbringen einer schicht eines naszierenden oxids und nach dem verfahren hergestelltes halbleiterelement | |
| DE3441044C2 (de) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAM | Search report available | ||
| OC | Search report available | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |