JPH0948152A - マルチビームレーザ画像記録装置における光量制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザアレイから出射される複数本の
レーザビームを検出する検出手段に、各レーザビームの
光量の検出誤差がある場合でも、複数本のレーザビーム
の光量が所定値と等しくなるように制御可能とする。 【構成】 半導体レーザアレイと一体的に配置され、各
レーザ素子から出射されるレーザビームの光出力を個別
に検出可能な光出力検出手段と、この光出力検出手段が
有する各レーザビームの光出力に対する検出値のバラツ
キを補正する予め求められた補正係数を記憶する記憶手
段と、上記光出力検出手段によって検出された各レーザ
ビームの光出力が基準値と等しくなるように制御する出
力制御手段と、この出力制御手段によって各レーザビー
ムの光出力を制御する際に、光出力検出手段の検出値に
対して上記記憶手段に記憶された補正係数に応じた補正
を施す補正手段とを備えるように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザアレイ
を光源として複数本のレーザビームにより、同時に記録
媒体上に主走査して画像を記録するマルチビームレーザ
画像記録装置に使用され、特に半導体レーザアレイから
出力される複数本のレーザビームの光量を検出して制御
するためのマルチビームレーザ画像記録装置の光量制御
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のレーザ画像記録装置とし
ては、例えば、次に示すようなものがある。このレーザ
画像形成装置では、図１０に示すように、半導体レーザ
光源１００が図示しないレーザドライバーから出力され
る画像信号に応じて変調され、当該半導体レーザ光源１
００からは、レーザビームＬＢが出射される。このレー
ザビームＬＢは、コリメータレンズ１０１、アパーチャ
１０２、シリンドリカルレンズ１０３、及びミラーを介
して回転多面鏡１０４に導かれ、当該回転多面鏡１０４
により主走査方向に沿って一定の走査速度で偏向走査さ
れる。上記回転多面鏡１０４によって偏向走査されるレ
ーザビームＬＢは、ｆ−θレンズ１０５、ミラー１０
６、シリンドリカルミラー１０７、及びウインドウ１０
８を介して、副走査方向に沿って所定の回転速度で回転
している感光体ドラム１０９上にスポット像として結像
され、画像情報に応じた静電潜像が感光体ドラム１０９
上に形成される。そして、この感光体ドラム１０９上に
形成された静電潜像を現像することによって画像の形成
が行われるようになっている。

【０００３】ところで近年、上記レーザ画像記録装置で
は、半導体レーザ光源１００として、複数本のレーザビ
ームＬＢを出射できるように構成したものを用い、同時
に記録媒体上を主走査方向に走査して高速な画像記録を
可能とする技術が種々提案されている。

【０００４】このようなレーザ画像記録装置としては、
複数本のレーザビームを出射できる半導体レーザ光源を
有し、複数本のレーザビームを合成して同一の走査光学
系を用いて同時に複数の走査線を形成するものであり、
効率よく走査するために半導体レーザアレイを用いて飛
び越し走査を行うマルチビームレーザ記録装置が、例え
ば特開平５−５３０６８号公報に開示されている。

【０００５】図１１は複数本のレーザビームＬＢを出射
できる半導体レーザ光源１００の例を示すものである。
この半導体レーザー光源１００は、一つのチップに複数
個の半導体レーザ素子を一体的に形成した半導体レーザ
アレイ１２０を封入したものである。

【０００６】なお、図１０中の回転多面鏡１０４からな
る偏向走査装置としては、図示した回転多面鏡のように
鏡を回転させるタイプの他に、ホログラムデイスクなど
の光学回折格子を回転させるタイプ、非線形光学素子に
電界や音波をかけるタイプなどが多数考案され、実用化
されている。

【０００７】また、図１０中、１１０は、感光体ドラム
１０９に対するスポット像の主走査方向の同期を取るた
めに設置されたＳＯＳ（Ｓtart Ｏf Ｓcan ）センサ１
１０であり、スポット像が主走査されて感光体ドラム１
０９の画像領域に至る以前の前走査の段階で、スポット
像を検出できるようになっている。

【０００８】しかしながら、上記の如く構成されるレー
ザ画像記録装置に光源として用いられる半導体レーザ素
子１００は、温度の変動の影響を受け易く、環境温度の
変化がレーザビームの発光量に影響してしまう。このよ
うなレーザ画像記録装置においては、レーザビームの光
量が変動することにより画質が劣化する原因となるた
め、各レーザ毎に光量を制御する技術が、特公昭６３−
４２４３２号公報、特公昭６４−１０１５２号公報等に
既に提案されている。

【０００９】かかる公報に開示された光量制御装置に関
する技術としては、複数本のレーザビームにより同時に
記録媒体上を主走査して画像を形成するレーザ画像記録
装置において、半導体レーザアレイを光源とする場合に
は、図１１に示すように、その発光光量を検出する検出
素子１２１（ＭＰＤ：Ｍonitoring Ｐhoto Ｄiode、以
下「ＭＰＤ素子」と称する）が半導体レーザアレイ１２
０と同一パッケージ内に封入されている。このような光
量制御装置においては、半導体レーザアレイ１２０の各
レーザ素子を単独で発光させた際の光量をＭＰＤ素子１
２１で検出し、その出力が基準値と等しくなるように光
量を制御するように構成されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術の場合には、次のような問題点を有している。す
なわち、上記のように構成される光量制御装置において
は、半導体レーザアレイ１２０と同一パッケージ内に封
入されたＭＰＤ素子１２１を用いて、半導体レーザアレ
イ１２０の各レーザ素子を単独で発光させた際の光量を
検出し、その出力が基準値と等しくなるように光量を制
御するように構成したものであるが、ＭＰＤ素子１２１
は、構造上その大きさが制限されるため、各々のレーザ
ビームが同じ出力で発光しても検出される出力は異なっ
てしまう。さらに説明すると、上記半導体レーザアレイ
１２０は、各レーザ素子から出射されるバックビームＢ
Ｂの広がり角度が各レーザ素子毎に微妙に異なったり、
ＭＰＤ素子自体もその受光領域によって感度のバラツキ
があり、各レーザ素子から出射されるバックビームＢＢ
がＭＰＤ素子１２１から外れる場合があるため、各々の
レーザビームが同じ出力で発光しても、ＭＰＤ素子１２
１によって検出される光量が異なってしまうという問題
点があった。そのために、ＭＰＤ素子１２１の出力と基
準値とが等しくなるように制御を行っても、実際には各
レーザ素子から出射されるレーザビームの光量が異な
り、走査線毎の光量ムラが発生し、画質が劣化するとい
う問題点があった。

【００１１】そこで、この発明は、上記従来技術の問題
点を解決するためになされたもので、その目的とすると
ころは、半導体レーザアレイから出射される複数本のレ
ーザビームを検出する検出手段に、各レーザビームの光
量の検出誤差がある場合でも、半導体レーザアレイから
出射される複数本のレーザビームの光量が所定値と等し
くなるように制御することができ、走査線毎の光量ムラ
が発生し、画質が劣化するのを防止可能な光量制御装置
を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】すなわち、この発明は、
半導体レーザアレイを光源として複数本のレーザビーム
により同時に記録媒体上を主走査して画像を記録するマ
ルチビームレーザ画像記録装置において、上記半導体レ
ーザアレイと一体的に配置され、各レーザ素子から出射
されるレーザビームの光出力を個別に検出可能な光出力
検出手段と、この光出力検出手段が有する各レーザビー
ムの光出力に対する検出値のバラツキを補正する予め求
められた補正係数を記憶する記憶手段と、上記光出力検
出手段によって検出された各レーザビームの光出力が基
準値と等しくなるように制御する出力制御手段と、この
出力制御手段によって各レーザビームの光出力を制御す
る際に、光出力検出手段の検出値に対して上記記憶手段
に記憶された補正係数に応じた補正を施す補正手段とを
備えるように構成されている。

【００１３】

【作用】この発明に係わる光量制御装置によれば、半導
体レーザアレイを用いる走査光学系においては、半導体
レーザアレイとコリメータレンズを組み合わせた光源ユ
ニットとして、光軸や倍率の調整が実施される。この
際、半導体レーザアレイの各レーザ素子を規定光量とな
るように発光させ、そのときの光出力検出手段の出力を
検出しその値を記録する。以上の値に対して、基準とな
る半導体レーザを定め、光出力検出手段の出力の相対値
を求め補正係数とする。この補正係数は、レーザ画像記
録装置の記憶手段に予め格納される。上記半導体レーザ
アレイの光量制御は、画像領域外において発光させる半
導体レーザ素子を切り替えながら、光出力検出手段によ
って検出された各レーザビームの光出力が基準値と等し
くなるように出力制御手段によって制御する。その際、
上記光出力検出手段の検出値に対して上記記憶手段に記
憶された補正係数に応じた補正を補正手段によって施し
て、補正された光出力検出手段の検出値に基づいて、光
出力検出手段によって検出された各レーザビームの光出
力が基準値と等しくなるように出力制御手段によって制
御される。

【００１４】

【実施例】以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説
明する。

【００１５】図２及び図３はこの発明に係る光量制御装
置を適用したマルチビームレーザ画像記録装置の一実施
例を示すものである。

【００１６】図２及び図３において、１は光源としての
半導体レーザアレイであり、この半導体レーザアレイ１
は、図示しないレーザドライバーにより画像信号に応じ
て変調された複数本のレーザビームＬＢを出射するもの
である。上記半導体レーザアレイ１は、図４に示すよう
に、一つのチップに複数の半導体レーザ素子を一体的に
形成した半導体レーザアレイ素子２０をパッケージ２１
内に封入したものであり、この半導体レーザアレイ素子
２０は、複数本（例えば、２本）のレーザビームＬＢを
ウインドウ２２から前方に出射するとともに、図５に示
すように、各半導体レーザ素子からバックビームＢＢを
後方に出射するようになっている。また、上記半導体レ
ーザアレイ１には、図４に示すように、各半導体レーザ
素子から出射されるバックビームＢＢを検出する光出力
検出手段としての検出素子２３（ＭＰＤ：Ｍonitoring
Ｐhoto Ｄiode、以下「ＭＰＤ素子」と称する）が配設
されている。

【００１７】上記半導体レーザアレイ１から出射される
複数本のレーザビームＬＢは、図２に示すように、コリ
メータレンズ２、アパーチャ３、シリンドリカルレンズ
４、及びミラーＭ１によって回転多面鏡からなる偏向走
査装置５に導かれ、当該偏向走査装置５により主走査方
向に沿って一定の走査速度で偏向走査される。なお、こ
の偏向走査装置５としては、図示した回転多面鏡のよう
に多面鏡を回転させるタイプの他に、ホログラムデイス
クなどの光学回折格子を回転させるタイプ、非線形光学
素子に電界や音波をかけるタイプなどのものを使用して
も勿論よい。上記偏向走査装置５によって偏向走査され
たレーザービームＬＢは、ｆ−θレンズ６、ミラーＭ
２、シリンドリカルミラー７、及びウインドウ８を介し
て、副走査方向に沿って所定の回転速度で回転している
感光体ドラム９上にスポット像として結像され、画像情
報に応じた静電潜像が感光体ドラム９上に形成される。
そして、この感光体ドラム９上に形成された静電潜像を
現像することによって画像の記録が行われるようになっ
ている。

【００１８】また、図２中、１０は、感光体ドラム９上
に走査露光されるスポット像の走査開始タイミングを決
定し、スポット像の主走査方向の同期を取るために設置
されたＳＯＳ（Ｓtart Ｏf Ｓcan ）センサであり、ス
ポット像が主走査されて感光体ドラム９の画像領域に至
る以前の前走査の段階で、ミラー１０ａを介してスポッ
ト像を検出できるようになっている。

【００１９】ところで、上記の如く構成されるマルチビ
ームレーザ画像記録装置に適用される光量制御装置の場
合には、半導体レーザアレイと一体的に配置され、各レ
ーザ素子から出射されるレーザビームの光出力を個別に
検出可能な光出力検出手段と、この光出力検出手段が有
する各レーザビームの光出力に対する検出値のバラツキ
を補正する予め求められた補正係数を記憶する記憶手段
と、上記光出力検出手段によって検出された各レーザビ
ームの光出力が基準値と等しくなるように制御する出力
制御手段と、この出力制御手段によって各レーザビーム
の光出力を制御する際に、光出力検出手段の検出値に対
して上記記憶手段に記憶された補正係数に応じた補正を
施す補正手段とを備えるように構成されている。

【００２０】図１はこの発明に係るマルチビームレーザ
画像記録装置における光量制御装置の制御部の一実施例
を示すものである。

【００２１】図１において、１は上記半導体レーザアレ
イを示すものであり、この半導体レーザアレイ１には、
２つの半導体レーザ素子３０ａ、３０ｂと、ＭＰＤ素子
２３とが設けられている。上記半導体レーザアレイ１の
２つの半導体レーザ素子３０ａ、３０ｂは、光量制御回
路３１によって各半導体レーザ素子３０ａ、３０ｂ毎に
設けられた同一構成の駆動回路３２、３２を介して光量
が制御される。上記光量制御回路３１は、中央処理装置
（ＣＰＵ）３３の制御動作に従って半導体レーザ素子３
０ａ、３０ｂの光量制御を行うものである。

【００２２】上記駆動回路３２は、光量制御回路３１か
らｎビットの変調電流設定信号が入力されるＤ／Ａコン
バータ３４と、このＤ／Ａコンバータ３４によってアナ
ログ信号に変換された変調電流設定信号に応じて変調定
電流を出力する変調定電流回路３５と、この変調定電流
回路３５から出力される変調定電流をＯＮ／ＯＦＦスイ
ッチングする変調電流スイッチング回路３６と、この変
調電流スイッチング回路３６によって変調定電流をＯＮ
／ＯＦＦスイッチングするタイミングを決定するビデオ
信号（Ｖideo）及び半導体レーザＯＮ信号（ＬＤＯＮ）
が入力するＡＮＤ回路３７と、光量制御回路３１からｎ
ビットのバイアス電流設定信号が入力されるＤ／Ａコン
バータ３８と、このＤ／Ａコンバータ３８によってアナ
ログ信号に変換されたバイアス電流設定信号に応じてバ
イアス電流を出力するバイアス定電流回路３９とから構
成されている。

【００２３】そして、上記各駆動回路３２、３２の変調
電流スイッチング回路３６からビデオ信号（Ｖideo）に
応じて変調され出力される変調定電流Ｉ_SW によって、
半導体レーザアレイ１の各レーザ素子３０ａ、３０ｂが
駆動され、これらの各レーザ素子３０ａ、３０ｂから
は、ビデオ信号（Ｖideo）に応じて変調されレーザビー
ムＬＢが出力される。また、上記各駆動回路３２、３２
のバイアス定電流回路３９からバイアス電流設定信号に
応じて出力されるバイアス電流Ｉ_b によって、半導体レ
ーザアレイ１の各レーザ素子３０ａ、３０ｂがバイアス
駆動される。

【００２４】上記半導体レーザアレイ１の各レーザ素子
３０ａ、３０ｂから出射されるレーザビームＬＢうち、
後方に出射されるバックビームＢＢは、ＭＰＤ素子２３
によって検出され、このＭＰＤ素子２３からの出力は、
光出力検出回路４０によって光量に応じた電気信号に変
換された後、Ａ／Ｄコンバータ４１を介してｍビットの
デジタル信号として光量制御回路３１に入力される。こ
の光量制御回路３１では、ＭＰＤ素子２３からの光量検
出信号を比較回路４２によって基準信号と比較し、この
比較回路４２から出力される判定信号に基づいて各半導
体レーザ素子３０ａ、３０ｂの光量を制御する。

【００２５】また、この実施例では、レーザ画像記録装
置の組立て時に、半導体レーザアレイからなる光源ユニ
ットのビーム径等を評価するビーム径評価装置を使用す
るようになっている。

【００２６】図６は光源ユニットの調整装置の配置を示
す概略図である。半導体レーザアレイ１及びコリメータ
レンズ２からなる光源ユニット５０より出射されたレー
ザビームＬＢは、再度コリメータレンズ５１によって絞
られてビーム径評価装置５２に結像され、このビーム径
評価装置５２によって複数本のレーザビームＬＢの各ビ
ーム径、ビーム間隔、各ビームの光出力等のパラメータ
を測定するようになっている。

【００２７】以上の構成において、この実施例に係るマ
ルチビームレーザ画像記録装置の光量制御装置では、次
のようにして半導体レーザアレイから出射される各レー
ザビームの光量の検出及び光量の制御を行うようになっ
ている。

【００２８】すなわち、この実施例では、図６に示すよ
うに、マルチビームレーザ画像記録装置の組立て時に、
半導体レーザアレイ１及びコリメータレンズ２からなる
光源ユニット５０より出射されたレーザビームＬＢの各
ビーム径、ビーム間隔、各ビームの光出力等のパラメー
タが、ビーム径評価装置５２によって測定され、所定の
調整操作が行われる。その際、調整操作においては、ビ
ーム径評価装置５２によって観測される各レーザビーム
ＬＢのビーム径と間隔が、規定値に入るようにコリメー
タレンズ２の調整が行われる。その後、上記半導体レー
ザアレイ１の各レーザ素子３０ａ、３０ｂを単独で点灯
させ、ビーム径評価装置５２によって各レーザ素子３０
ａ、３０ｂから個別に出力されるレーザビームＬＢの光
量が測定されると同時に、半導体レーザアレイ１に内蔵
されたＭＰＤ素子２３によって、各レーザ素子３０ａ、
３０ｂから個別に後方に出力されるバックビームＢＢの
光量が測定される。

【００２９】このとき、まず第１のレーザ素子３０ａを
点灯させ、その時のビーム径評価装置５２の観測出力を
Ｐｅ１、ＭＰＤ素子により検出される出力をＰｍ１とす
る。次に、第２のレーザ素子３０ｂを点灯させ、その時
のビーム径評価装置５２の観測出力をＰｅ２、ＭＰＤ素
子２３により検出される出力をＰｍ２とする。

【００３０】上記ＭＰＤ素子２３は、図７に示すよう
に、入射光に対して線形の出力応答を示し、レーザ発光
出力をＰｉ、ＭＰＤ出力をＰｍ、変換効率をηとする
と、Ｐｍ＝η・Ｐｉの関係がある。

【００３１】しかしながら、上記ＭＰＤ素子２３に入射
するレーザ素子３０ａ、３０ｂからのバックビームＢＢ
は、図８に示されるように、各レーザ素子３０ａ、３０
ｂから出射されるバックビームＢＢの広がり角度が各レ
ーザ素子毎に微妙に異なったり、ＭＰＤ素子２３自体も
その受光領域によって感度のバラツキがあり、各レーザ
素子３０ａ、３０ｂから出射されるバックビームＢＢが
ＭＰＤ素子２３から外れる場合等があるため、各々のレ
ーザビームＬＢが同じ出力で発光しても、ＭＰＤ素子２
３により検出される光量がレーザ素子３０ａ、３０ｂに
よって微妙に異なり、ＭＰＤ素子２３の変換効率ηも各
レーザ素子３０ａ、３０ｂによって異なる。ここで第
１、第２のレーザ素子３０ａ、３０ｂに対する変換効率
をη１、η２とし、図９に示すように、レーザ発光出力
Ｐｉをビーム径評価装置によって実際に観測される出力
Ｐｅに置き換えると、 Ｐｍ１＝η１・Ｐｅ１ Ｐｍ２＝η２・Ｐｅ２ となる。そのため、ビーム径評価装置５２によって観測
される各レーザ素子３０ａ、３０ｂの出力Ｐｅ１とＰｅ
２が等しく、第１、第２のレーザ素子３０ａ、３０ｂに
対する変換効率η１とη２が等しい場合には、ＭＰＤの
出力Ｐｍ１とＰｍ２も等しくなるはずである。

【００３２】ところが、上述したように、各レーザ素子
３０ａ、３０ｂから出射されるバックビームＢＢの広が
り角度が各レーザ素子３０ａ、３０ｂ毎に微妙に異なっ
たり、ＭＰＤ素子２３自体もその受光領域によって感度
のバラツキがあったり、各レーザ素子３０ａ、３０ｂか
ら出射されるバックビームＢＢがＭＰＤ素子２３から外
れる場合等があるため、各々のレーザビームＬＢが同じ
出力Ｐｅ１＝Ｐｅ２で発光しても、ＭＰＤ素子２３によ
り検出される光量Ｐｍ１、Ｐｍ２がレーザ素子３０ａ、
３０ｂによって微妙に異なる。

【００３３】そこで、上記ＭＰＤ素子２３の各レーザビ
ームＬＢに対する変換効率η１、η２を補正することに
よって、各々のレーザビームＬＢが同じ出力Ｐｅ１＝Ｐ
ｅ２で発光している場合には、ＭＰＤ素子２３により検
出される光量Ｐｍ１、Ｐｍ２を等しくすることができ
る。

【００３４】いま、第１のレーザ素子３０ａの出力Ｐｅ
１を基準としてその補正係数ｋ１を１とすると、求める
第２のレーザ素子の補正係数ｋ２は、 ｋ２＝η１／η２＝（Ｐｍ１・Ｐｅ２）／（Ｐｅ１・Ｐ
ｍ２） （提案書では、ｋ２＝η２／η１となっておりました
が、内容からしてｋ２＝η１／η２であると思われます
ので、変更致しました。内容を御検討願います。）で求
められる。つまり、ＭＰＤ素子２３により検出される第
２のレーザ素子３０ｂの出力Ｐｍ２に補正係数ｋ２を掛
けることによって、次に示すように、各々のレーザビー
ムＬＢが同じ出力Ｐｅ１＝Ｐｅ２で発光している場合
に、ＭＰＤ素子２３により検出される光量Ｐｍ１、Ｐｍ
２を等しくすることができる。 Ｐｍ１＝η１・Ｐｅ１ Ｐｍ２＝η２・Ｐｅ２・ｋ２ ＝η２・Ｐｅ２・（η１／η２） ＝η１・Ｐｅ２ ここで、Ｐｅ１＝Ｐｅ２であるため、 Ｐｍ２＝η１・Ｐｅ１ ∴Ｐｍ１＝Ｐｍ２

【００３５】なお、半導体レーザアレイが３つ以上のレ
ーザ素子からなる場合についても、同様の測定、計算に
より補正係数を求めることができる。

【００３６】上記の如く半導体レーザアレイ１からなる
光源ユニット５０の調整時に求められた各レーザ素子３
０ａ、３０ｂに対する補正係数（ｋ１（＝１）、ｋ２）
は、図１に示すように、当該光源ユニットを使用したレ
ーザ画像記録装置の記憶手段４３（不揮発性の書換え可
能なメモリ（ＥＥＰＲＯＭ、ＲＡＭ））に、他の設定デ
ータと共に予め書き込まれる。

【００３７】次に、光量制御動作について説明する。上
記半導体レーザアレイ１は、その特性上環境温度が変化
すると出力も変動するために、画像記録時に半導体レー
ザアレイ１の各レーザ素子３０ａ、３０ｂの出力制御を
所定のタイミングで行う必要がある。この半導体レーザ
アレイ１の各レーザ素子３０ａ、３０ｂの出力制御は、
一般的に画像出力命令がでると、画像記録出力前の非画
像記録領域において、図１に示すように、光量制御回路
３１は、点灯させるレーザ素子３０ａ、３０ｂを切り替
えながら、例えばＳＯＳ（Ｓtart Ｏf Ｓcan ）センサ
の信号に同期してＭＰＤ素子２３の出力を光出力検出回
路４０を介して観測し、中央処理装置３３から指示され
る基準値を示す基準信号と比較回路４２によって比較判
定を行ない、その判定信号に基づいてレーザ素子３０
ａ、３０ｂに供給する駆動電流を増減させる。同様の手
順を繰り返し、ＭＰＤ素子２３の出力が基準値と等しく
なると制御を終了する。

【００３８】このとき、各レーザ素子３０ａ、３０ｂの
発光出力の観測には、各レーザ素子３０ａ、３０ｂに共
通したＭＰＤ素子２３が用いられている。しかしなが
ら、各レーザ素子３０ａ、３０ｂのバックビームＢＢ
は、同じ条件でＭＰＤ素子２３に入射しないために、各
レーザ素子３０ａ、３０ｂの発光出力が同じであっても
ＭＰＤ素子２３の出力にはバラツキを生じ、同一の基準
値を示す基準信号に等しくなるように制御を行うと、結
果的に出力がばらついてしまう。

【００３９】そこで、この実施例においては、中央処理
装置３３において、記憶手段４３に格納されている上述
した光源ユニット調整時に求めたＭＰＤ素子２３の出力
補正係数ｋ２を基準値に掛け合わせレーザ素子３０ｂに
応じた新しい基準値に対応した基準信号を設定し、光量
制御回路３１の比較回路４２へ出力する。このように各
レーザ素子３０ａ、３０ｂ毎に基準値を設定すること
で、バラツキのない光量制御を行うことができる。ま
た、補正係数を記憶する領域は、たかだか数バイトもあ
ればよく、コスト増にはつながらず、また、補正係数は
他の設定と同様にレーザ画像記録装置の調整時に不揮発
性のメモリ４３（ＥＥＰＲＯＭ，ＲＡＭ）に書き込めば
よいので、装置毎に記憶手段を交換する手間もかからな
い。

【００４０】

【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
半導体レーザアレイから出射される複数本のレーザビー
ムを検出する検出手段に、各レーザビームの光量の検出
誤差がある場合でも、半導体レーザアレイから出射され
る複数本のレーザビームの光量が所定値と等しくなるよ
うに精度の良い制御を行うことができ、走査線毎の光量
ムラが発生し、画質が劣化するのを防止可能な光量制御
装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１はこの発明に係るマルチビームレーザ画
像記録装置における光量制御装置の制御部一実施例を示
すブロック図である。

【図２】 図２はこの発明に係るマルチビームレーザ画
像記録装置の一実施例を示す構成図である。

【図３】 図３（ａ）（ｂ）はこの発明に係るマルチビ
ームレーザ画像記録装置の走査光学系の一実施例をそれ
ぞれ示す構成図である。

【図４】 図４は半導体レーザアレイを示す断面構成図
である。

【図５】 図５は半導体レーザアレイのレーザ素子を示
す模式図である。

【図６】 図６は光源ユニットの調整装置を示す構成図
である。

【図７】 図７はＭＰＤ素子の出力特性を示すグラフで
ある。

【図８】 図８は半導体レーザアレイのバックビームの
検出状態を示す模式図である。

【図９】 図９は半導体レーザの出力特性を示すグラフ
である。

【図１０】 図１０は従来のマルチビームレーザ画像記
録装置を示す構成図である。

【図１１】 図１１は半導体レーザアレイを示す断面構
成図である。

【符号の説明】

１ 半導体レーザアレイ、２３ ＭＰＤ素子（光出力検
出手段）、３０ａ，３０ｂ レーザ素子、３１ 光量制
御回路、３２ 駆動回路、３３ 中央処理装置、４３
記憶手段。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザアレイを光源として複数本
   のレーザビームにより同時に記録媒体上を主走査して画
   像を記録するマルチビームレーザ画像記録装置におい
   て、上記半導体レーザアレイと一体的に配置され、各レ
   ーザ素子から出射されるレーザビームの光出力を個別に
   検出可能な光出力検出手段と、この光出力検出手段が有
   する各レーザビームの光出力に対する検出値のバラツキ
   を補正する予め求められた補正係数を記憶する記憶手段
   と、上記光出力検出手段によって検出された各レーザビ
   ームの光出力が基準値と等しくなるように制御する出力
   制御手段と、この出力制御手段によって各レーザビーム
   の光出力を制御する際に、光出力検出手段の検出値に対
   して上記記憶手段に記憶された補正係数に応じた補正を
   施す補正手段とを備えたことを特徴とするマルチビーム
   レーザ画像記録装置における光量制御装置。