JPS63209270A - 半導体レ−ザのドル−プ補正装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、画像信号に基づいてアナログ的に強度変調さ
れたレーザビームを感光材料上に走査させて連続調画像
を記録するレーザ記録装置において、半導体レーザのド
ループ特性を補正する装置に関するものである。

（従来の技＃ｉ） 従来より、光ビームを光偏向器により偏向して感光材料
上に走査させ、該感光材料に両件を記録する光走査記録
装置が広く実用に供されている。

このような光走査記録装置において光ビームを発生する
手段の１つとして、半導体レーザが従来から用いられて
いる。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれは小
型、安価で消費電力も少なく、また駆動電流を変えるこ
とによって直接変調が可能である等、数々の長所を有し
ている。

しかしながら、その反面この半導体レーザは、第２図に
示すように駆動電流に対する光出力特性が、ＬＥＤ領域
（自然発光領域）とレーザ発振領域とで極端に変わるの
で、連続調画像の記録には適用困難であるという問題が
有る。すなわち上記の駆動電流対光出力特性が線形であ
るレーザ・発振領域のみを利用して強度変調を行なうと
、光出力のダイナミックレンジがたかだか２桁程度しか
とれない。周知のように、この程度のダイナミックレン
ジでは高品位の連続調画像を得ることは不可能である。

そこで例えば特開昭５６−１１５０７７号、同５６−１
５２３７２号等に示されるように、半導体レーザの光出
力は一定とするとともに、該半導体レーザを連続的に０
Ｎ−ＯＦＦさせて走査ビームをパルス光とし、このパル
スの数あるいは幅を各画素毎に制御して走査光量を変化
させることにより連続調画像を記録する試みもなされて
いる。

ところが上記のようなパルス数変調あるいはパルス幅変
調を行なう場合には、例えば画素クロック周波数がＩＭ
Ｈｚのとき、濃度スケールすなわち走査光量の分解能を
１０ｂｉｔ＜約３桁）確保しようとすると、パルスの周
波数は少なくとも１ＧＨｚと極めて高く設定しなければ
ならない。半導体レーザ自体はこの程度の周波数で０Ｎ
−ＯＦＦすることも可能であるが、パルス数制御あるい
はパルス幅制御のためのパルスカウント回路等はこのよ
うな高周波数に対応して作動し得ず、結局は画素クロッ
ク周波数を上記の値よりも大幅に下げなければならない
。したがって装置の記録速度を大幅に下げざるをえない
。

さらに上記の方法にあっては、各画素の記録期間中に出
力されるパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザ
チップの発熱量が変化し、そのために半導体レーザの駆
動電流対光出力特性が変化し、１パルス当りの露光量が
変動してしまうこともある。こうなると記録画像のＷ３
調にズレが生じ、高品位の連続調画像を得ることは不可
能となる。

一方、例えば特開昭５６−７１３７４号に示されるよう
に、上記パルス数変調あるいはパルス幅変調と、前述し
た光強度変調とを組み合わせて高階調画像を記録する方
法も提案されている。しかしこの場合にも、上記のよう
にパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザチップ
の発熱量が変化し、その結果１パルス当りの露光量が変
動してしまうという問題が同様に生じる。

上記のことを兎みると、例えば濃度スケール１Ｑｂｉｔ
つまり１０２４階調程度の高階調画像を記録するには、
前述の第２図に示したＬＥＤ領域とレーザ発振領域とに
亘って光強度変調を行なって、光出力のダイナミックレ
ンジを３桁程度確保可能とすることが望まれる。しかし
上記２つの領域に回ると、半導体レーザの駆動電流対光
出力特性は当然線形ではなくなるので、高階調画像を容
易かつ精度良く記録できるように画像信号の一定吊変化
に対して等濃度間隔で画像濃度を制御可能とするために
は、上記の特性を何らかの方法で補償して半導体レーザ
の発光レベル指令信号と光出力との関係を線形に変える
必要がある。

上記半導体レーザの発光レベル指令信号と光出力との関
係を線形にする回路として従来より、レーザビームの光
強度を検出し、この検出された光強度に対応する帰還信
号を半導体レーザの発光しベル指令信号にフィードバッ
クさせる光出力安定化回路（以下、ＡＰＣ回路と称する
）が知られている。第３図はこのＡＰＣ回路の一例を示
すものであり、以下、この第３図を参照してＡＰＣ回路
について説明する。半導体レーザ１の発光強度を指令す
る発光レベル指令信号Ｖ　ｒｅｆは、加算点２を通して
電圧−電流変換アンプ３に入力され、該アンプ３はこの
指令信号Ｖ　ｒｅｆに比例した駆ｅ電流を半導体レーザ
１に供給する。半導体レーザ１から前方に出射された光
ビーム４は、図示しない走査光学系を通して感光材料走
査に利用される。

一方半導体レーザ１の後方側に出射された光ビーム５の
強度は、例えば半導体レーザのケース内に設置された光
量モニタ用のＰＩＮフォトダイオード６によって検出さ
れる。こうして検出される光ビーム５の強度は、実際に
画像記録に利用される上記光ビーム４の強度と比例関係
にある。該光ビーム５の強度、すなわち光ビーム４の強
度を示すフォトダイオード６の出力電流は、電流−電圧
変換アンプ７によって帰還信号（電圧信号）Ｖｐｄに変
換され、該帰還信号Ｖｐｄは前述の加算点２に入力され
る。この加算点２からは、上記発光レベル指令信号Ｖ　
ｒｅｆと帰還信号Ｖｐｄとの偏差を示す偏差信号■ｅが
出力され、該偏差信号Ｖｅは前記電圧−電流変換アンプ
３によって電流に変換され、半導体レーザ１を駆動する
。

上記のＡＰＣ回路において、理想的な線形補償がなされ
れば、光ビーム５の強度は発光レベル指令信号Ｖ　ｒａ
ｆに比例する。つまり画像記録に利用される光ビーム４
の強度（半導体レーザ１の光出力）Ｐｆが、発光レベル
指令信号Ｖ　ｒｅｆに比例することになる。しかし上記
のような理想的な線形補償を突環することは非常に困難
であるので、例えば本出願人による特願昭６１−２４８
８７３号に示されるように、半導体レーザの駆動電流対
光出力特性の非線形性を補償するように発光レベル指令
信号を補正する補正テーブルを設けることが考えられる
。

（発明が解決しようとする問題点） 発光レベル指令信号Ｖ　ｒｅｆが直流に近い非常に低周
波の信号である場合には、上記のような補正テーブルに
より、発光レベル指令信号対光ビーム強度の関係を線形
にすることができる。

しかしながら発光レベル指令信号Ｖ　ｒｅｆが高周波信
号である場合には、さらに別の問題が生じる。

以下、この点について説明する。第４図は、第２図に示
した半導体レーザの駆動電流対光出力特性のケース温度
依存性を示している。図示されるように半導体レーザの
光出力は、駆動電流が一定ならばケース温度が高い程低
下する。一般に半導体レーザをレーザ記録装置等に適用
する場合には、そのケース温度を一定に維持するための
制御がなされるが、半導体レーザに駆動電流を印加した
場合に生じるレーザダイオードチップの過渡的温度変化
までも抑制することは到底不可能である。すなわち第５
図の（１）に示すように半導体レーザにステップ状に駆
動電流が印加された際、レーザダイオードチップの温度
は第５図（２）に示すように、上記ケース温度一定化制
御により定常状態になるまで過渡的に変化し、その結果
第４図の特性に従つて半導体レーザの光出力が第５図（
３）に示すように変動する。これは半導体レーザのドル
ープ特性として知られている。

第５図（３）は半導体レーザ個体の特性を示したもので
あり、第３図のＡＰＣ回路によって半導体レーザの光出
力が制御されている場合には勿論その動作が安定化され
るが、それでも第５図（４）に示すように上記ドループ
特性の影響が残る。この第５図（４）に示すように半導
体レーザの光出力が変動すると、例えば同一の画像信号
に対して記録画像濃度が時間経過にともなって変動して
しまう、という不具合が生じる。

ＡＰＣ回路のループゲインを非常に高く設定すれば、こ
のドループ特性の影響をほとんど取り除くことも可能で
ある。しかし、前述のように連続調画像を記録するため
に、発光レベル指令信号Ｖｒｅｆを高速でアナログ的に
変化させて半導体レーザを駆動する際には、半導体レー
ザの発光応答性を十分に高めなければならず、そのため
実際上は、ＡＰＣ回路のループゲインは余りに高くは設
定てきない。

本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、ＡＰＣ回路のループゲインが比較的低くても、ドルー
プ特性による半導体レーザの光出力変動を低減できるド
ループ補正装置を提供することを目的とするものである
。

（問題点を解決づるための手段） 本発明の半導体レーザのドループ補正装置は、半導体レ
ーザと、該半導体レーザから射出された光ビームを感光
材料上に走査させるビーム走査系と、画像信号に対応し
た発光レベル指令信号を生成し、該信号に基づいて前記
半導体レーザの駆動電流を制御してレーザビームの光強
度を変調するレーザ動作制御回路と、前述したＡＰＣ回
路とを備えたレーザ記録装置において、 半導体レーザの駆動電流を検出してこの検出電流に対応
した信号を上記発光レベル指令信号にフィードバックさ
せる帰還経路と、 半導体レーザのドループ特性の時定数とほぼ等しい時定
数を有し、上記帰還経路において上記検出電流が入力さ
れるように配されたハイパスフィルタとが設けられてな
るものである。

（作　　用） ハイパスフィルタにステップ状に立ち上がる電圧が入力
されたとき、その出力は第５図（５）に示すように変化
する。したがって、このハイパスフィルタの出力を発光
レベル指令信号にフィードバック（ネガティブ・フィー
ドバック）させれば、このフィードバック信号によって
半導体レーザの駆動電流が第５図（１）の破線りで示す
ように下げられ、結局半導体レーザの光出力は第５図（
４）の破線にで示すように変化する。そこで上記ハイパ
スフィルタの時定数を半導体レーザのドループ特性の時
定数とほぼ同じにしておき、帰還経路のゲインを適当に
決めておＣブば、ドループ特性による半導体レーザの光
出力変動を上記フィードバック信号による光出力変動に
よってほぼ打消すことができる。

（実　施　例） 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。

第１図は本発明の一実施例によるドループ補正装置を備
えたレーザ記録装置を示すものである。

画像信号発生器１０は、連続調画像を担持する画像信号
Ｓ１を発生する。この画像信号Ｓ１は一例として１Ｑｂ
ｉｔの濃度スケールの連続調画像を示すデジタル信号で
ある。画像信号発生器１０は後述するラインクロックＳ
２に基づいて１主走査ライン分の信号を切り換え、また
画素クロックＳ３に基づいて各画素毎の画像信号Ｓ１を
出力する。本例において画素クロック周波数はＩＭＨ２
，換言すれば１画素記録時間は１μｓｅｃ　　（秒）に
設定される。

上述の画像信号Ｓ１はマルチプレクサ１１を通し、ＲＡ
Ｍからなる補正テーブル４０において後述する補正を受
けて、例えば１６ｂｉｔの発光レベル指令信号Ｓ５に変
換される。この発光レベル指令信号Ｓ５はマルチプレク
サ１５を介してＤ／Ａ変換器１６に入力され、ここでア
ナログの電圧信号からなる発光レベル指令信ＲＶ　ｒａ
ｆに変換される。この発光レベル指令信号Ｖ　ｒｅｆは
、ＡＰＣ回路８の加輝点２に入力される。ＡＰＣ回路８
の加篩点２、電圧−電流変換アンプ３、半導体レーザ１
、フォトダイオード６、電流−電圧変換アンプ７は、先
に説明した第３図の回路におけるものと同等のものであ
り、したがって半導体レーザ１からは発光レベル指令信
号Ｖ　ｒｅｆに対応した（つまり画像信号Ｓ１に対応し
た）強度の光ビーム４が発せられる。この光ビーム４は
コリメータレンズ１７に通されて平行ビームとされ、次
に例えばポリゴンミラー等の光偏向器１８に入射してそ
こで反射偏向される。こうして偏向された光ビーム４は
、通常ｆθレンズからなる集束レンズ１９に通されて感
光材料２０上において微小なスポットに集束し、該感光
材料２０上をＸ方向に走査（主走査）する。感光材料２
０は図示しない移送手段により、上記主走査方向Ｘと略
直角なＹ方向に移送され、それによって光ビーム４の副
走査がなされる。こうして感光材料２０は光ビーム４に
よって２次元的に走査され、感光する。前述したように
光ビーム４は画像信号Ｓ１に基づいて強度変調されてい
るので、この感光材料２０上には、画像信号Ｓ１が担持
する連続調画像が写真潜像として記録される。なお上記
のように光ビーム４が感光材料２０上を走査するとき、
主走査の始点を該ビーム４が通過したことが光検出器２
１によって検出され、該光検出器２１が出力する始点検
出信号Ｓ６がクロックジェネレータ３６に入力される。

クロックジェネレータ３６はこの始点検出信号Ｓ６の入
力タイミングに同期させて、前述のラインクロックＳ２
および画素クロックＳを出力する。

次に感光材料２０は現像機２２に通されて、そこで現像
処理を受ける。それにより感光材料２０上には、上記連
続調画像が可視像として記録される。

ここで、前述の補正テーブル４０における画像信号＄１
の補正について説明する。該補正テーブル４０は階調補
正テーブル１２、逆ｌｏｇ変換テーブル１３、および半
導体レーザ１の発光レベル指令信号対光出力特性を線形
に補正する補正テーブル（以下、Ｖ−Ｐ特性補正テーブ
ルと称する）１４からなる。

上記階調補正テーブル１２は、感光材料２０およびその
現像処理系の階調特性を補正する公知のものでおる。こ
の階調補正テーブル１２は、補正特性が固定のものが用
いられてもよいが、本実施例においては、感光材料２０
の１ｌＩｉ調特性がロット毎に変化したり、あるいは現
像機２２中の現像液特性が経時変化すること等を考慮し
て、実際の階調特性に対応して補正特性を適宜修正可能
に構成されている。

すなわちテストパターン発生回路２６からは、感光材料
２０上における何段階か（例えば１６段階）の画像濃度
を担持するテストパターン信号Ｓ４が出力され、該信号
Ｓ４はマルチプレクサ１１に入力される。この際マルチ
プレクサ１１は、前述のように画像信号Ｓ１を補正テー
ブル４０に入力させる画像記録時の状態から切り換えら
れて、上記テストパターン信号Ｓ４を補正テーブル４０
に入力させる状態とされる。半導体レーザ１はこのテス
トパターン信号Ｓ４に基づいて前述のように駆動され、
したがって光ビーム４が強度変調される。それにより感
光材料２０上には、段階的に濃度が変化する例えば１６
個のステップウェッジ（テストパターン）が写真潜像と
して記録される。この感光材料２０は現像機２２に送ら
れ、上記ステップウェッジが現像される。現像後この感
光材料２０はｍ度肝２３にセットされ、上記ステップウ
ェッジの各々の光学濃度が測定される。こうして測定さ
れた光学濃度は、各ステップウェッジと対応付けて濃度
値入力手段２４に入力され、該濃度値入力手段２４から
は各ステップウェッジの光学濃度を示す濃度信号Ｓ７が
出力される。この濃度信号Ｓ７はテーブル作成手段３７
に入力され、該テーブル作成手段３７はこの濃度信号Ｓ
７と前記テストパターン信号Ｓ４とに基づいて、所定の
画像信号Ｓ１の値によって所定の画像濃度が得られる階
調補正テーブルを作成する。

この階調補正テーブルは前述のように１６段階程度の画
像信号値をそれぞれ所定の画像濃度値に対応させるもの
である。この階調補正テーブルを示すデータＳ８はデー
タ補間手段３８に入力され、ここで補間処理がなされて
、１０２４段階（−１０ｂｉｔ）の画像信号Ｓ１に対応
できる階調補正テーブルが得られる。この階調補正テー
ブルを示すデータＳ９に基づいて、前述の階調補正テー
ブル１２が形成される。

画像信号Ｓ１に基づく画像記録時には、マルチプレクサ
１１を介して階調補正テーブル１２に入力された画像信
号Ｓ１が、この階調補正テーブル１２によって信号８１
’に変換され、次いで逆ｌｏｇ変換テーブル１３により
発光レベル指令信号８１″に変換される。

次に■−Ｐ特性補正テーブル１４について説明する。先
に述べた通り、ＡＰＣ回路８において帰還信号Ｖｐｄを
加篩点２にフィードバックさせても、発光レベル指令信
号と光ビーム４の強度との関係を理想的なもの（第６図
の直線ａが示す関係）とすることは困難である。Ｖ−Ｐ
特性補正テーブル１４は、上記の理想的な関係を得るた
めに設けられている。すなわち、発光レベル指令信号Ｖ
　ｒｅｆと半導体レーザ１の光出力との理想的な関係を
第６図にａで示す直線とし、実際の関係を同じく第６図
にｂで示す曲線とすると、Ｖ−Ｐ特性補正テーブル１４
は、発光レベル指令信号８１″がそのままＤ／Ａ変換さ
れた場合の電圧値がＶｌｎであったと仮定づると、この
電圧値ＶｉｎをＶなる値に変換するように形成されてい
る。つまり発光レベル指令伯母Ｖ　ｒｅｆの値がＶｉｎ
であったとすると、Ｐ′の光強度しか得られないが、上
記の変換がなされていれば、電圧値■ｉｎに対してＰ。

の光強度が得られる。すなわち発光レベル指令信号８１
″に対応する電圧値■１ｎと光出力ｐｆとの関係は、線
形なものとなる。

このようになっていれば、画像信号Ｓ１を所定量変化さ
せることにより、感光材料２０における濃度を等間隔で
制御できる。また第６図の特性曲線すは、前述したよう
に半導体レーザ１をそのＬ　ＥＤ領領域レーザ発振領域
に亘って駆動させた場合のものであり、このようにすれ
ば３桁程度の光出力ダイナミックレンジが確保されるか
ら、前述のように１０２４段階程度の高階調画像を、容
易にかつ高精度で記録できるようになる。

以上述べたように、半導体レーザ１の駆動電流対光出力
特性が非線形であることに起因する発光レベル指令信号
対レーザ光出力特性の非線形性を、■−Ｐ特性補正テー
ブル１４によって線形に補正すれば、ＡＰＣ回路８の加
算点２、電圧−電流変換アンプ３、半導体レーザ１、フ
ォトダイオード６、電流−電圧変換アンプ７から加算点
２に戻る系のループゲインには、上記非線形性を補正す
るのに必要なゲインを含まなくて済むようになる。すな
わちこのループゲインは、半導体レーザ１のケース温度
一定化制御の誤差による半導体レーザ１の駆動電流対光
出力特性からのズレを補正するため、さらにはアンプ等
のドリフトを補正するために必要なだけ確保されていれ
ばよい。具体的には、例えば画素クロック周波数が１Ｍ
Ｈｚで、半導体レーザ１が光出力３ｍＷで作動している
状態において、上記ループゲインは３０ｄＢ程度確保さ
れていれば十分である。この程度のループゲインは、現
在の技術水準で容易に確保可能である。

次に上記Ｖ−Ｐ特性補正テーブル１４の作成について説
明する。第１図の装置には、テーブル作成装置３５が適
宜接続されつるようになっている。このテーブル作成装
置３５は、テスト信号発生回路２７、テーブル作成回路
２８およびメモリ２９からなる。Ｖ−Ｐ特性補正テーブ
ル１４を作成する際には、上記テスト信号発生回路２７
からレベル可変のテジタルテスト信号Ｓ１０が出力され
、マルチプレクサ１５に入力される。この際該マルチプ
レクサ１５は、前述のように発光レベル指令信号Ｓ５を
Ｄ／Ａ変換器１６に送る画像記録時の状態から切り換え
て、テスト信号Ｓ１０をＤ／Ａ変換器１Ｇに送る状態と
される。

またテーブル作成回路２８は、ＡＰＣ回路８の電流−電
圧変換アンプ７が出力づる帰還信号Ｖｐｄが入力される
ように接続される。テスト信号３１０は、段階的にレベ
ルが増大あるいは減小するように出力される。そしてこ
のときテーブル作成回路２８は、内蔵するレベル可変信
号発生器から、まず最低の光出力に対応する基準信号を
発生させ、該基準信号と帰還信号Ｖｌ）ｄとを比較する
。この基準信号は、第６図におりる電圧値■１ｎを有す
るものである。

そしてテーブル作成回路２８は、これら両信号が一致し
たときのテスト信号３１０の値をラッチする。

このラッチされたテスト信号８１０が示す電圧値は、第
６図における電圧値Ｖに相当するものであるから、上記
電圧＠ｙｒｎとＶとの関係が分かる。テーブル作成回路
２８は上記基準信号の値を１０２４通りに変えて、それ
ぞれの場合の電圧値■ｉｎとＶとの関係を求める。それ
により、先に述べたように１０２４段階の電圧値Ｖｉｎ
をＶに変換する補正テーブルが作成される。こうして作
成された補正テーブルはメモリ２９に−たん記憶された
後、Ｖ−Ｐ特性補正テーブル１４として設定される。こ
うしてＶ−Ｐ特性補正テーブル１４を作成した後、テー
ブル作成装置３５はＡＰＣ回路８から切り離される。

なお以上説明したように、すべての画像濃度に対応する
電圧値■ｉｎとＶとの関係を逐−求める他、先に説明し
た階調補正テーブル１２の作成の場合と同様に、電圧値
■ｉｎと■との関係を主要ないくつかの場合のみについ
て求め、そのデータを補間してＶ−Ｐ特性補正テーブル
１４を作成するようにしてもよい。またＶ−Ｐ特性補正
テーブル１４は、半導体レーザのＶ−Ｐ特性から計鋒に
よって作成することも可能である。さらに、階調補正テ
ーブル１２、逆ｌｏｇ変換テーブル１３、および上記Ｖ
−Ｐ特性補正テーブル１４はそれぞれの変換特性をすべ
て含ませて１個の補正テーブルとして形成されてもよい
し、あるいはそれぞれ別個の形に構成されてもよい。

ここで、ＡＰＣ回路８のループゲインを前述のように３
０ｄＢ程度に設定しても、先に述べた通り、半導体レー
ザ１のドループ特性に起因するその光出力変動を完全に
抑えることは困難である。

以下、このような問題の発生を防止する本発明のドルー
プ補正装置について説明する。この補正装置は第１図に
示すように、電流−電圧変換アンプ５０を含み、半導体
レーザ１に印加される駆動電流を検出してその検出電流
に対応した電圧信号Ｖｆを加粋点２にフィードバック（
ネガティブ・フィードバック）さゼる帰還経路５１と、
この帰還経路５１において上記電流−電圧変換アンプ５
０の後段に配されたハイパスフィルタ５２とからなる。

電流−電圧変換アンプ５０の帰還抵抗Ｒ２は可変抵抗と
され、それによりこの電流−電圧変換アンプ５０のゲイ
ンは調節可能となっている。またハイパスフィルタ５２
は第７図に詳しく示すように、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ
１からなるＣＲ回路で構成されている。

上記電流−電圧変換アンプ５０には半導体レーザ１に印
加される電流と同じ値、あるいはそれに比例した電流Ｉ
ｈが入力され、電圧信号に変換される。この電圧信号は
ハイパスフィルタ５２に入力される。先に説明した通り
前記電流１ｈがステップ状に立ち上がる場合、つまり半
導体レーザ１の印加電流がそのように変化する場合、ハ
イパスフィルタ５２の出力電圧Ｖｆは第５図（５）に示
すように応答する。したがってこの電圧信号Ｖｆを北光
レベル指令信号Ｖ　ｒｅｆにフィードバックさせれば、
半導体レーザ１の印加電流が第５図（１）に破＠ｈで示
すように変化する。ここで、ハイパスフィルタ５２の時
定数は半導体レーザ１のドループ特性の時定数と等しく
しておき、また可変抵抗Ｒ２を操作して帰還経路５１の
ループゲインを変えることにより一　　２３　− 帰還信号Ｖｆの値を適切に設定しておけば、上記破線り
で示す印加電流の変化による光出力変動が、ドループ特
性による光出力変動と相殺されるようになる。つまり半
導体レーザ１の光出力は、第５図（４）の破線にで示す
ように変化し、見かけ上は、第５図（１）の実線で示す
ように完全にステップ状に変化する印加電流５を与える
と半導体レーザ光出力が完全にステップ状に応答する形
となる。

なお半導体レーザ１のドループ特性はその光出力レベル
によって異なるので、電流−電圧変換アンプ５０のゲイ
ン調節は、最もドループ特性の影響が出やすい半導体レ
ーザ１のしきい値電流近傍において行なうのが望ましい
。

また電流−電圧変換アンプ５０のゲインを調節可能とし
ておくことは必ずしも必要でなく、半導体レーザ１のド
ループ特性に合わせて上記ゲインを固定しておいても構
わない。

（発明の効果） 以上詳細に説明した通り本発明の半導体レーザのドルー
プ補正装置によれば、半導体レーザが発する光ビームの
強度をアナログ的に変調して連続調画像を記録するレー
ザ記録装置において、半導体レーザのドループ特性によ
る光ビームの過渡的かつ微小な強度変動を防止でき、よ
って階調再現性に優れた精細な連続調画像を記録可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるドループ補正装置を備
えたレーザ記録装置を示す概略図、第２図は半導体レー
ザの駆動電流対光出力特性を示すグラフ、 第３図は半導体レーザ光出力安定化回路の一例を示すブ
ロック図、 第４図は半導体レーザの駆動電流対光出力特性の温度依
存性を示すグラフ、 第５図は半導体レーザのドループ特性を説明するグラフ
、 第６図は第１図のレーザ記録装置におけるＶ−Ｐ特性補
正テーブルの作用を説明するグラフ、第７図は第１図の
ドループ補正装置を詳しく示す回路図である。 １・・・半導体レーザ　　　２・・・加輝点３・・・電
圧−電流変換アンプ ４．５・・・光ビーム　　　６・・・フォトダイオード
７．５０・・・電流−電圧変換アンプ ８・・・ＡＰＣ回路　　　　１０・・・画像信号発生器
１４・・・Ｖ−Ｐ特性補正テーブル １６・・・Ｄ／Ａ変換器　　　１７・・・コリメータレ
ンズ１８・・・光偏向器　　　　　１９・・・集束レン
ズ２０・・・感光材料　　　　　３５・・・テーブル作
成装置４０・・・補正テーブル　　　５１・・・帰還経
路５２・・・ハイパスフィルタ Ｉｈ・・・ハイパスフィルタへの入力電流＄１・・・画
像信号 ８１″・・・補正前の発光レベル指令信号Ｖ　ｒｅｆ・
・・発光レベル指令信号 Ｖｐｄ、Ｖｆ・・・帰還信号　Ｖｅ・・・偏差信号第２
図 第４図 第５図 １傾電うん　（ｍＡ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光ビームを発する半導体レーザと、 前記光ビームを感光材料上に走査させるビーム走査系と
   、 画像信号に対応した発光レベル指令信号を生成し、該信
   号に基づいて前記半導体レーザの駆動電流を制御して前
   記光ビームの強度を変調するレーザ動作制御回路と、 前記光ビームの強度を検出し、この検出された光強度に
   対応する帰還信号を前記発光レベル指令信号にフィード
   バックさせる光出力安定化回路とを有するレーザ記録装
   置において、 前記半導体レーザの駆動電流を検出してこの検出電流に
   対応した信号を前記発光レベル指令信号にフィードバッ
   クさせる帰還経路と、 前記半導体レーザのドループ特性の時定数とほぼ等しい
   時定数を有し、前記帰還経路において前記検出電流が入
   力されるように配されたハイパスフィルタとが設けられ
   てなる半導体レーザのドループ補正装置。
2. （２）前記帰還経路に、該帰還経路によるフィードバッ
   ク量を調節するゲイン調節手段が設けられていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザの
   ドループ補正装置。