JPS63209270A - 半導体レ−ザのドル−プ補正装置 - Google Patents
半導体レ−ザのドル−プ補正装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、画像信号に基づいてアナログ的に強度変調さ
れたレーザビームを感光材料上に走査させて連続調画像
を記録するレーザ記録装置において、半導体レーザのド
ループ特性を補正する装置に関するものである。
れたレーザビームを感光材料上に走査させて連続調画像
を記録するレーザ記録装置において、半導体レーザのド
ループ特性を補正する装置に関するものである。
(従来の技#i)
従来より、光ビームを光偏向器により偏向して感光材料
上に走査させ、該感光材料に両件を記録する光走査記録
装置が広く実用に供されている。
上に走査させ、該感光材料に両件を記録する光走査記録
装置が広く実用に供されている。
このような光走査記録装置において光ビームを発生する
手段の1つとして、半導体レーザが従来から用いられて
いる。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれは小
型、安価で消費電力も少なく、また駆動電流を変えるこ
とによって直接変調が可能である等、数々の長所を有し
ている。
手段の1つとして、半導体レーザが従来から用いられて
いる。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれは小
型、安価で消費電力も少なく、また駆動電流を変えるこ
とによって直接変調が可能である等、数々の長所を有し
ている。
しかしながら、その反面この半導体レーザは、第2図に
示すように駆動電流に対する光出力特性が、LED領域
(自然発光領域)とレーザ発振領域とで極端に変わるの
で、連続調画像の記録には適用困難であるという問題が
有る。すなわち上記の駆動電流対光出力特性が線形であ
るレーザ・発振領域のみを利用して強度変調を行なうと
、光出力のダイナミックレンジがたかだか2桁程度しか
とれない。周知のように、この程度のダイナミックレン
ジでは高品位の連続調画像を得ることは不可能である。
示すように駆動電流に対する光出力特性が、LED領域
(自然発光領域)とレーザ発振領域とで極端に変わるの
で、連続調画像の記録には適用困難であるという問題が
有る。すなわち上記の駆動電流対光出力特性が線形であ
るレーザ・発振領域のみを利用して強度変調を行なうと
、光出力のダイナミックレンジがたかだか2桁程度しか
とれない。周知のように、この程度のダイナミックレン
ジでは高品位の連続調画像を得ることは不可能である。
そこで例えば特開昭56−115077号、同56−1
52372号等に示されるように、半導体レーザの光出
力は一定とするとともに、該半導体レーザを連続的に0
N−OFFさせて走査ビームをパルス光とし、このパル
スの数あるいは幅を各画素毎に制御して走査光量を変化
させることにより連続調画像を記録する試みもなされて
いる。
52372号等に示されるように、半導体レーザの光出
力は一定とするとともに、該半導体レーザを連続的に0
N−OFFさせて走査ビームをパルス光とし、このパル
スの数あるいは幅を各画素毎に制御して走査光量を変化
させることにより連続調画像を記録する試みもなされて
いる。
ところが上記のようなパルス数変調あるいはパルス幅変
調を行なう場合には、例えば画素クロック周波数がIM
Hzのとき、濃度スケールすなわち走査光量の分解能を
10bit<約3桁)確保しようとすると、パルスの周
波数は少なくとも1GHzと極めて高く設定しなければ
ならない。半導体レーザ自体はこの程度の周波数で0N
−OFFすることも可能であるが、パルス数制御あるい
はパルス幅制御のためのパルスカウント回路等はこのよ
うな高周波数に対応して作動し得ず、結局は画素クロッ
ク周波数を上記の値よりも大幅に下げなければならない
。したがって装置の記録速度を大幅に下げざるをえない
。
調を行なう場合には、例えば画素クロック周波数がIM
Hzのとき、濃度スケールすなわち走査光量の分解能を
10bit<約3桁)確保しようとすると、パルスの周
波数は少なくとも1GHzと極めて高く設定しなければ
ならない。半導体レーザ自体はこの程度の周波数で0N
−OFFすることも可能であるが、パルス数制御あるい
はパルス幅制御のためのパルスカウント回路等はこのよ
うな高周波数に対応して作動し得ず、結局は画素クロッ
ク周波数を上記の値よりも大幅に下げなければならない
。したがって装置の記録速度を大幅に下げざるをえない
。
さらに上記の方法にあっては、各画素の記録期間中に出
力されるパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザ
チップの発熱量が変化し、そのために半導体レーザの駆
動電流対光出力特性が変化し、1パルス当りの露光量が
変動してしまうこともある。こうなると記録画像のW3
調にズレが生じ、高品位の連続調画像を得ることは不可
能となる。
力されるパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザ
チップの発熱量が変化し、そのために半導体レーザの駆
動電流対光出力特性が変化し、1パルス当りの露光量が
変動してしまうこともある。こうなると記録画像のW3
調にズレが生じ、高品位の連続調画像を得ることは不可
能となる。
一方、例えば特開昭56−71374号に示されるよう
に、上記パルス数変調あるいはパルス幅変調と、前述し
た光強度変調とを組み合わせて高階調画像を記録する方
法も提案されている。しかしこの場合にも、上記のよう
にパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザチップ
の発熱量が変化し、その結果1パルス当りの露光量が変
動してしまうという問題が同様に生じる。
に、上記パルス数変調あるいはパルス幅変調と、前述し
た光強度変調とを組み合わせて高階調画像を記録する方
法も提案されている。しかしこの場合にも、上記のよう
にパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザチップ
の発熱量が変化し、その結果1パルス当りの露光量が変
動してしまうという問題が同様に生じる。
上記のことを兎みると、例えば濃度スケール1Qbit
つまり1024階調程度の高階調画像を記録するには、
前述の第2図に示したLED領域とレーザ発振領域とに
亘って光強度変調を行なって、光出力のダイナミックレ
ンジを3桁程度確保可能とすることが望まれる。しかし
上記2つの領域に回ると、半導体レーザの駆動電流対光
出力特性は当然線形ではなくなるので、高階調画像を容
易かつ精度良く記録できるように画像信号の一定吊変化
に対して等濃度間隔で画像濃度を制御可能とするために
は、上記の特性を何らかの方法で補償して半導体レーザ
の発光レベル指令信号と光出力との関係を線形に変える
必要がある。
つまり1024階調程度の高階調画像を記録するには、
前述の第2図に示したLED領域とレーザ発振領域とに
亘って光強度変調を行なって、光出力のダイナミックレ
ンジを3桁程度確保可能とすることが望まれる。しかし
上記2つの領域に回ると、半導体レーザの駆動電流対光
出力特性は当然線形ではなくなるので、高階調画像を容
易かつ精度良く記録できるように画像信号の一定吊変化
に対して等濃度間隔で画像濃度を制御可能とするために
は、上記の特性を何らかの方法で補償して半導体レーザ
の発光レベル指令信号と光出力との関係を線形に変える
必要がある。
上記半導体レーザの発光レベル指令信号と光出力との関
係を線形にする回路として従来より、レーザビームの光
強度を検出し、この検出された光強度に対応する帰還信
号を半導体レーザの発光しベル指令信号にフィードバッ
クさせる光出力安定化回路(以下、APC回路と称する
)が知られている。第3図はこのAPC回路の一例を示
すものであり、以下、この第3図を参照してAPC回路
について説明する。半導体レーザ1の発光強度を指令す
る発光レベル指令信号V refは、加算点2を通して
電圧−電流変換アンプ3に入力され、該アンプ3はこの
指令信号V refに比例した駆e電流を半導体レーザ
1に供給する。半導体レーザ1から前方に出射された光
ビーム4は、図示しない走査光学系を通して感光材料走
査に利用される。
係を線形にする回路として従来より、レーザビームの光
強度を検出し、この検出された光強度に対応する帰還信
号を半導体レーザの発光しベル指令信号にフィードバッ
クさせる光出力安定化回路(以下、APC回路と称する
)が知られている。第3図はこのAPC回路の一例を示
すものであり、以下、この第3図を参照してAPC回路
について説明する。半導体レーザ1の発光強度を指令す
る発光レベル指令信号V refは、加算点2を通して
電圧−電流変換アンプ3に入力され、該アンプ3はこの
指令信号V refに比例した駆e電流を半導体レーザ
1に供給する。半導体レーザ1から前方に出射された光
ビーム4は、図示しない走査光学系を通して感光材料走
査に利用される。
一方半導体レーザ1の後方側に出射された光ビーム5の
強度は、例えば半導体レーザのケース内に設置された光
量モニタ用のPINフォトダイオード6によって検出さ
れる。こうして検出される光ビーム5の強度は、実際に
画像記録に利用される上記光ビーム4の強度と比例関係
にある。該光ビーム5の強度、すなわち光ビーム4の強
度を示すフォトダイオード6の出力電流は、電流−電圧
変換アンプ7によって帰還信号(電圧信号)Vpdに変
換され、該帰還信号Vpdは前述の加算点2に入力され
る。この加算点2からは、上記発光レベル指令信号V
refと帰還信号Vpdとの偏差を示す偏差信号■eが
出力され、該偏差信号Veは前記電圧−電流変換アンプ
3によって電流に変換され、半導体レーザ1を駆動する
。
強度は、例えば半導体レーザのケース内に設置された光
量モニタ用のPINフォトダイオード6によって検出さ
れる。こうして検出される光ビーム5の強度は、実際に
画像記録に利用される上記光ビーム4の強度と比例関係
にある。該光ビーム5の強度、すなわち光ビーム4の強
度を示すフォトダイオード6の出力電流は、電流−電圧
変換アンプ7によって帰還信号(電圧信号)Vpdに変
換され、該帰還信号Vpdは前述の加算点2に入力され
る。この加算点2からは、上記発光レベル指令信号V
refと帰還信号Vpdとの偏差を示す偏差信号■eが
出力され、該偏差信号Veは前記電圧−電流変換アンプ
3によって電流に変換され、半導体レーザ1を駆動する
。
上記のAPC回路において、理想的な線形補償がなされ
れば、光ビーム5の強度は発光レベル指令信号V ra
fに比例する。つまり画像記録に利用される光ビーム4
の強度(半導体レーザ1の光出力)Pfが、発光レベル
指令信号V refに比例することになる。しかし上記
のような理想的な線形補償を突環することは非常に困難
であるので、例えば本出願人による特願昭61−248
873号に示されるように、半導体レーザの駆動電流対
光出力特性の非線形性を補償するように発光レベル指令
信号を補正する補正テーブルを設けることが考えられる
。
れば、光ビーム5の強度は発光レベル指令信号V ra
fに比例する。つまり画像記録に利用される光ビーム4
の強度(半導体レーザ1の光出力)Pfが、発光レベル
指令信号V refに比例することになる。しかし上記
のような理想的な線形補償を突環することは非常に困難
であるので、例えば本出願人による特願昭61−248
873号に示されるように、半導体レーザの駆動電流対
光出力特性の非線形性を補償するように発光レベル指令
信号を補正する補正テーブルを設けることが考えられる
。
(発明が解決しようとする問題点)
発光レベル指令信号V refが直流に近い非常に低周
波の信号である場合には、上記のような補正テーブルに
より、発光レベル指令信号対光ビーム強度の関係を線形
にすることができる。
波の信号である場合には、上記のような補正テーブルに
より、発光レベル指令信号対光ビーム強度の関係を線形
にすることができる。
しかしながら発光レベル指令信号V refが高周波信
号である場合には、さらに別の問題が生じる。
号である場合には、さらに別の問題が生じる。
以下、この点について説明する。第4図は、第2図に示
した半導体レーザの駆動電流対光出力特性のケース温度
依存性を示している。図示されるように半導体レーザの
光出力は、駆動電流が一定ならばケース温度が高い程低
下する。一般に半導体レーザをレーザ記録装置等に適用
する場合には、そのケース温度を一定に維持するための
制御がなされるが、半導体レーザに駆動電流を印加した
場合に生じるレーザダイオードチップの過渡的温度変化
までも抑制することは到底不可能である。すなわち第5
図の(1)に示すように半導体レーザにステップ状に駆
動電流が印加された際、レーザダイオードチップの温度
は第5図(2)に示すように、上記ケース温度一定化制
御により定常状態になるまで過渡的に変化し、その結果
第4図の特性に従つて半導体レーザの光出力が第5図(
3)に示すように変動する。これは半導体レーザのドル
ープ特性として知られている。
した半導体レーザの駆動電流対光出力特性のケース温度
依存性を示している。図示されるように半導体レーザの
光出力は、駆動電流が一定ならばケース温度が高い程低
下する。一般に半導体レーザをレーザ記録装置等に適用
する場合には、そのケース温度を一定に維持するための
制御がなされるが、半導体レーザに駆動電流を印加した
場合に生じるレーザダイオードチップの過渡的温度変化
までも抑制することは到底不可能である。すなわち第5
図の(1)に示すように半導体レーザにステップ状に駆
動電流が印加された際、レーザダイオードチップの温度
は第5図(2)に示すように、上記ケース温度一定化制
御により定常状態になるまで過渡的に変化し、その結果
第4図の特性に従つて半導体レーザの光出力が第5図(
3)に示すように変動する。これは半導体レーザのドル
ープ特性として知られている。
第5図(3)は半導体レーザ個体の特性を示したもので
あり、第3図のAPC回路によって半導体レーザの光出
力が制御されている場合には勿論その動作が安定化され
るが、それでも第5図(4)に示すように上記ドループ
特性の影響が残る。この第5図(4)に示すように半導
体レーザの光出力が変動すると、例えば同一の画像信号
に対して記録画像濃度が時間経過にともなって変動して
しまう、という不具合が生じる。
あり、第3図のAPC回路によって半導体レーザの光出
力が制御されている場合には勿論その動作が安定化され
るが、それでも第5図(4)に示すように上記ドループ
特性の影響が残る。この第5図(4)に示すように半導
体レーザの光出力が変動すると、例えば同一の画像信号
に対して記録画像濃度が時間経過にともなって変動して
しまう、という不具合が生じる。
APC回路のループゲインを非常に高く設定すれば、こ
のドループ特性の影響をほとんど取り除くことも可能で
ある。しかし、前述のように連続調画像を記録するため
に、発光レベル指令信号Vrefを高速でアナログ的に
変化させて半導体レーザを駆動する際には、半導体レー
ザの発光応答性を十分に高めなければならず、そのため
実際上は、APC回路のループゲインは余りに高くは設
定てきない。
のドループ特性の影響をほとんど取り除くことも可能で
ある。しかし、前述のように連続調画像を記録するため
に、発光レベル指令信号Vrefを高速でアナログ的に
変化させて半導体レーザを駆動する際には、半導体レー
ザの発光応答性を十分に高めなければならず、そのため
実際上は、APC回路のループゲインは余りに高くは設
定てきない。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、APC回路のループゲインが比較的低くても、ドルー
プ特性による半導体レーザの光出力変動を低減できるド
ループ補正装置を提供することを目的とするものである
。
、APC回路のループゲインが比較的低くても、ドルー
プ特性による半導体レーザの光出力変動を低減できるド
ループ補正装置を提供することを目的とするものである
。
(問題点を解決づるための手段)
本発明の半導体レーザのドループ補正装置は、半導体レ
ーザと、該半導体レーザから射出された光ビームを感光
材料上に走査させるビーム走査系と、画像信号に対応し
た発光レベル指令信号を生成し、該信号に基づいて前記
半導体レーザの駆動電流を制御してレーザビームの光強
度を変調するレーザ動作制御回路と、前述したAPC回
路とを備えたレーザ記録装置において、 半導体レーザの駆動電流を検出してこの検出電流に対応
した信号を上記発光レベル指令信号にフィードバックさ
せる帰還経路と、 半導体レーザのドループ特性の時定数とほぼ等しい時定
数を有し、上記帰還経路において上記検出電流が入力さ
れるように配されたハイパスフィルタとが設けられてな
るものである。
ーザと、該半導体レーザから射出された光ビームを感光
材料上に走査させるビーム走査系と、画像信号に対応し
た発光レベル指令信号を生成し、該信号に基づいて前記
半導体レーザの駆動電流を制御してレーザビームの光強
度を変調するレーザ動作制御回路と、前述したAPC回
路とを備えたレーザ記録装置において、 半導体レーザの駆動電流を検出してこの検出電流に対応
した信号を上記発光レベル指令信号にフィードバックさ
せる帰還経路と、 半導体レーザのドループ特性の時定数とほぼ等しい時定
数を有し、上記帰還経路において上記検出電流が入力さ
れるように配されたハイパスフィルタとが設けられてな
るものである。
(作 用)
ハイパスフィルタにステップ状に立ち上がる電圧が入力
されたとき、その出力は第5図(5)に示すように変化
する。したがって、このハイパスフィルタの出力を発光
レベル指令信号にフィードバック(ネガティブ・フィー
ドバック)させれば、このフィードバック信号によって
半導体レーザの駆動電流が第5図(1)の破線りで示す
ように下げられ、結局半導体レーザの光出力は第5図(
4)の破線にで示すように変化する。そこで上記ハイパ
スフィルタの時定数を半導体レーザのドループ特性の時
定数とほぼ同じにしておき、帰還経路のゲインを適当に
決めておCブば、ドループ特性による半導体レーザの光
出力変動を上記フィードバック信号による光出力変動に
よってほぼ打消すことができる。
されたとき、その出力は第5図(5)に示すように変化
する。したがって、このハイパスフィルタの出力を発光
レベル指令信号にフィードバック(ネガティブ・フィー
ドバック)させれば、このフィードバック信号によって
半導体レーザの駆動電流が第5図(1)の破線りで示す
ように下げられ、結局半導体レーザの光出力は第5図(
4)の破線にで示すように変化する。そこで上記ハイパ
スフィルタの時定数を半導体レーザのドループ特性の時
定数とほぼ同じにしておき、帰還経路のゲインを適当に
決めておCブば、ドループ特性による半導体レーザの光
出力変動を上記フィードバック信号による光出力変動に
よってほぼ打消すことができる。
(実 施 例)
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例によるドループ補正装置を備
えたレーザ記録装置を示すものである。
えたレーザ記録装置を示すものである。
画像信号発生器10は、連続調画像を担持する画像信号
S1を発生する。この画像信号S1は一例として1Qb
itの濃度スケールの連続調画像を示すデジタル信号で
ある。画像信号発生器10は後述するラインクロックS
2に基づいて1主走査ライン分の信号を切り換え、また
画素クロックS3に基づいて各画素毎の画像信号S1を
出力する。本例において画素クロック周波数はIMH2
,換言すれば1画素記録時間は1μsec (秒)に
設定される。
S1を発生する。この画像信号S1は一例として1Qb
itの濃度スケールの連続調画像を示すデジタル信号で
ある。画像信号発生器10は後述するラインクロックS
2に基づいて1主走査ライン分の信号を切り換え、また
画素クロックS3に基づいて各画素毎の画像信号S1を
出力する。本例において画素クロック周波数はIMH2
,換言すれば1画素記録時間は1μsec (秒)に
設定される。
上述の画像信号S1はマルチプレクサ11を通し、RA
Mからなる補正テーブル40において後述する補正を受
けて、例えば16bitの発光レベル指令信号S5に変
換される。この発光レベル指令信号S5はマルチプレク
サ15を介してD/A変換器16に入力され、ここでア
ナログの電圧信号からなる発光レベル指令信RV ra
fに変換される。この発光レベル指令信号V refは
、APC回路8の加輝点2に入力される。APC回路8
の加篩点2、電圧−電流変換アンプ3、半導体レーザ1
、フォトダイオード6、電流−電圧変換アンプ7は、先
に説明した第3図の回路におけるものと同等のものであ
り、したがって半導体レーザ1からは発光レベル指令信
号V refに対応した(つまり画像信号S1に対応し
た)強度の光ビーム4が発せられる。この光ビーム4は
コリメータレンズ17に通されて平行ビームとされ、次
に例えばポリゴンミラー等の光偏向器18に入射してそ
こで反射偏向される。こうして偏向された光ビーム4は
、通常fθレンズからなる集束レンズ19に通されて感
光材料20上において微小なスポットに集束し、該感光
材料20上をX方向に走査(主走査)する。感光材料2
0は図示しない移送手段により、上記主走査方向Xと略
直角なY方向に移送され、それによって光ビーム4の副
走査がなされる。こうして感光材料20は光ビーム4に
よって2次元的に走査され、感光する。前述したように
光ビーム4は画像信号S1に基づいて強度変調されてい
るので、この感光材料20上には、画像信号S1が担持
する連続調画像が写真潜像として記録される。なお上記
のように光ビーム4が感光材料20上を走査するとき、
主走査の始点を該ビーム4が通過したことが光検出器2
1によって検出され、該光検出器21が出力する始点検
出信号S6がクロックジェネレータ36に入力される。
Mからなる補正テーブル40において後述する補正を受
けて、例えば16bitの発光レベル指令信号S5に変
換される。この発光レベル指令信号S5はマルチプレク
サ15を介してD/A変換器16に入力され、ここでア
ナログの電圧信号からなる発光レベル指令信RV ra
fに変換される。この発光レベル指令信号V refは
、APC回路8の加輝点2に入力される。APC回路8
の加篩点2、電圧−電流変換アンプ3、半導体レーザ1
、フォトダイオード6、電流−電圧変換アンプ7は、先
に説明した第3図の回路におけるものと同等のものであ
り、したがって半導体レーザ1からは発光レベル指令信
号V refに対応した(つまり画像信号S1に対応し
た)強度の光ビーム4が発せられる。この光ビーム4は
コリメータレンズ17に通されて平行ビームとされ、次
に例えばポリゴンミラー等の光偏向器18に入射してそ
こで反射偏向される。こうして偏向された光ビーム4は
、通常fθレンズからなる集束レンズ19に通されて感
光材料20上において微小なスポットに集束し、該感光
材料20上をX方向に走査(主走査)する。感光材料2
0は図示しない移送手段により、上記主走査方向Xと略
直角なY方向に移送され、それによって光ビーム4の副
走査がなされる。こうして感光材料20は光ビーム4に
よって2次元的に走査され、感光する。前述したように
光ビーム4は画像信号S1に基づいて強度変調されてい
るので、この感光材料20上には、画像信号S1が担持
する連続調画像が写真潜像として記録される。なお上記
のように光ビーム4が感光材料20上を走査するとき、
主走査の始点を該ビーム4が通過したことが光検出器2
1によって検出され、該光検出器21が出力する始点検
出信号S6がクロックジェネレータ36に入力される。
クロックジェネレータ36はこの始点検出信号S6の入
力タイミングに同期させて、前述のラインクロックS2
および画素クロックSを出力する。
力タイミングに同期させて、前述のラインクロックS2
および画素クロックSを出力する。
次に感光材料20は現像機22に通されて、そこで現像
処理を受ける。それにより感光材料20上には、上記連
続調画像が可視像として記録される。
処理を受ける。それにより感光材料20上には、上記連
続調画像が可視像として記録される。
ここで、前述の補正テーブル40における画像信号$1
の補正について説明する。該補正テーブル40は階調補
正テーブル12、逆log変換テーブル13、および半
導体レーザ1の発光レベル指令信号対光出力特性を線形
に補正する補正テーブル(以下、V−P特性補正テーブ
ルと称する)14からなる。
の補正について説明する。該補正テーブル40は階調補
正テーブル12、逆log変換テーブル13、および半
導体レーザ1の発光レベル指令信号対光出力特性を線形
に補正する補正テーブル(以下、V−P特性補正テーブ
ルと称する)14からなる。
上記階調補正テーブル12は、感光材料20およびその
現像処理系の階調特性を補正する公知のものでおる。こ
の階調補正テーブル12は、補正特性が固定のものが用
いられてもよいが、本実施例においては、感光材料20
の1lIi調特性がロット毎に変化したり、あるいは現
像機22中の現像液特性が経時変化すること等を考慮し
て、実際の階調特性に対応して補正特性を適宜修正可能
に構成されている。
現像処理系の階調特性を補正する公知のものでおる。こ
の階調補正テーブル12は、補正特性が固定のものが用
いられてもよいが、本実施例においては、感光材料20
の1lIi調特性がロット毎に変化したり、あるいは現
像機22中の現像液特性が経時変化すること等を考慮し
て、実際の階調特性に対応して補正特性を適宜修正可能
に構成されている。
すなわちテストパターン発生回路26からは、感光材料
20上における何段階か(例えば16段階)の画像濃度
を担持するテストパターン信号S4が出力され、該信号
S4はマルチプレクサ11に入力される。この際マルチ
プレクサ11は、前述のように画像信号S1を補正テー
ブル40に入力させる画像記録時の状態から切り換えら
れて、上記テストパターン信号S4を補正テーブル40
に入力させる状態とされる。半導体レーザ1はこのテス
トパターン信号S4に基づいて前述のように駆動され、
したがって光ビーム4が強度変調される。それにより感
光材料20上には、段階的に濃度が変化する例えば16
個のステップウェッジ(テストパターン)が写真潜像と
して記録される。この感光材料20は現像機22に送ら
れ、上記ステップウェッジが現像される。現像後この感
光材料20はm度肝23にセットされ、上記ステップウ
ェッジの各々の光学濃度が測定される。こうして測定さ
れた光学濃度は、各ステップウェッジと対応付けて濃度
値入力手段24に入力され、該濃度値入力手段24から
は各ステップウェッジの光学濃度を示す濃度信号S7が
出力される。この濃度信号S7はテーブル作成手段37
に入力され、該テーブル作成手段37はこの濃度信号S
7と前記テストパターン信号S4とに基づいて、所定の
画像信号S1の値によって所定の画像濃度が得られる階
調補正テーブルを作成する。
20上における何段階か(例えば16段階)の画像濃度
を担持するテストパターン信号S4が出力され、該信号
S4はマルチプレクサ11に入力される。この際マルチ
プレクサ11は、前述のように画像信号S1を補正テー
ブル40に入力させる画像記録時の状態から切り換えら
れて、上記テストパターン信号S4を補正テーブル40
に入力させる状態とされる。半導体レーザ1はこのテス
トパターン信号S4に基づいて前述のように駆動され、
したがって光ビーム4が強度変調される。それにより感
光材料20上には、段階的に濃度が変化する例えば16
個のステップウェッジ(テストパターン)が写真潜像と
して記録される。この感光材料20は現像機22に送ら
れ、上記ステップウェッジが現像される。現像後この感
光材料20はm度肝23にセットされ、上記ステップウ
ェッジの各々の光学濃度が測定される。こうして測定さ
れた光学濃度は、各ステップウェッジと対応付けて濃度
値入力手段24に入力され、該濃度値入力手段24から
は各ステップウェッジの光学濃度を示す濃度信号S7が
出力される。この濃度信号S7はテーブル作成手段37
に入力され、該テーブル作成手段37はこの濃度信号S
7と前記テストパターン信号S4とに基づいて、所定の
画像信号S1の値によって所定の画像濃度が得られる階
調補正テーブルを作成する。
この階調補正テーブルは前述のように16段階程度の画
像信号値をそれぞれ所定の画像濃度値に対応させるもの
である。この階調補正テーブルを示すデータS8はデー
タ補間手段38に入力され、ここで補間処理がなされて
、1024段階(−10bit)の画像信号S1に対応
できる階調補正テーブルが得られる。この階調補正テー
ブルを示すデータS9に基づいて、前述の階調補正テー
ブル12が形成される。
像信号値をそれぞれ所定の画像濃度値に対応させるもの
である。この階調補正テーブルを示すデータS8はデー
タ補間手段38に入力され、ここで補間処理がなされて
、1024段階(−10bit)の画像信号S1に対応
できる階調補正テーブルが得られる。この階調補正テー
ブルを示すデータS9に基づいて、前述の階調補正テー
ブル12が形成される。
画像信号S1に基づく画像記録時には、マルチプレクサ
11を介して階調補正テーブル12に入力された画像信
号S1が、この階調補正テーブル12によって信号81
’に変換され、次いで逆log変換テーブル13により
発光レベル指令信号81″に変換される。
11を介して階調補正テーブル12に入力された画像信
号S1が、この階調補正テーブル12によって信号81
’に変換され、次いで逆log変換テーブル13により
発光レベル指令信号81″に変換される。
次に■−P特性補正テーブル14について説明する。先
に述べた通り、APC回路8において帰還信号Vpdを
加篩点2にフィードバックさせても、発光レベル指令信
号と光ビーム4の強度との関係を理想的なもの(第6図
の直線aが示す関係)とすることは困難である。V−P
特性補正テーブル14は、上記の理想的な関係を得るた
めに設けられている。すなわち、発光レベル指令信号V
refと半導体レーザ1の光出力との理想的な関係を
第6図にaで示す直線とし、実際の関係を同じく第6図
にbで示す曲線とすると、V−P特性補正テーブル14
は、発光レベル指令信号81″がそのままD/A変換さ
れた場合の電圧値がVlnであったと仮定づると、この
電圧値VinをVなる値に変換するように形成されてい
る。つまり発光レベル指令伯母V refの値がVin
であったとすると、P′の光強度しか得られないが、上
記の変換がなされていれば、電圧値■inに対してP。
に述べた通り、APC回路8において帰還信号Vpdを
加篩点2にフィードバックさせても、発光レベル指令信
号と光ビーム4の強度との関係を理想的なもの(第6図
の直線aが示す関係)とすることは困難である。V−P
特性補正テーブル14は、上記の理想的な関係を得るた
めに設けられている。すなわち、発光レベル指令信号V
refと半導体レーザ1の光出力との理想的な関係を
第6図にaで示す直線とし、実際の関係を同じく第6図
にbで示す曲線とすると、V−P特性補正テーブル14
は、発光レベル指令信号81″がそのままD/A変換さ
れた場合の電圧値がVlnであったと仮定づると、この
電圧値VinをVなる値に変換するように形成されてい
る。つまり発光レベル指令伯母V refの値がVin
であったとすると、P′の光強度しか得られないが、上
記の変換がなされていれば、電圧値■inに対してP。
の光強度が得られる。すなわち発光レベル指令信号81
″に対応する電圧値■1nと光出力pfとの関係は、線
形なものとなる。
″に対応する電圧値■1nと光出力pfとの関係は、線
形なものとなる。
このようになっていれば、画像信号S1を所定量変化さ
せることにより、感光材料20における濃度を等間隔で
制御できる。また第6図の特性曲線すは、前述したよう
に半導体レーザ1をそのL ED領領域レーザ発振領域
に亘って駆動させた場合のものであり、このようにすれ
ば3桁程度の光出力ダイナミックレンジが確保されるか
ら、前述のように1024段階程度の高階調画像を、容
易にかつ高精度で記録できるようになる。
せることにより、感光材料20における濃度を等間隔で
制御できる。また第6図の特性曲線すは、前述したよう
に半導体レーザ1をそのL ED領領域レーザ発振領域
に亘って駆動させた場合のものであり、このようにすれ
ば3桁程度の光出力ダイナミックレンジが確保されるか
ら、前述のように1024段階程度の高階調画像を、容
易にかつ高精度で記録できるようになる。
以上述べたように、半導体レーザ1の駆動電流対光出力
特性が非線形であることに起因する発光レベル指令信号
対レーザ光出力特性の非線形性を、■−P特性補正テー
ブル14によって線形に補正すれば、APC回路8の加
算点2、電圧−電流変換アンプ3、半導体レーザ1、フ
ォトダイオード6、電流−電圧変換アンプ7から加算点
2に戻る系のループゲインには、上記非線形性を補正す
るのに必要なゲインを含まなくて済むようになる。すな
わちこのループゲインは、半導体レーザ1のケース温度
一定化制御の誤差による半導体レーザ1の駆動電流対光
出力特性からのズレを補正するため、さらにはアンプ等
のドリフトを補正するために必要なだけ確保されていれ
ばよい。具体的には、例えば画素クロック周波数が1M
Hzで、半導体レーザ1が光出力3mWで作動している
状態において、上記ループゲインは30dB程度確保さ
れていれば十分である。この程度のループゲインは、現
在の技術水準で容易に確保可能である。
特性が非線形であることに起因する発光レベル指令信号
対レーザ光出力特性の非線形性を、■−P特性補正テー
ブル14によって線形に補正すれば、APC回路8の加
算点2、電圧−電流変換アンプ3、半導体レーザ1、フ
ォトダイオード6、電流−電圧変換アンプ7から加算点
2に戻る系のループゲインには、上記非線形性を補正す
るのに必要なゲインを含まなくて済むようになる。すな
わちこのループゲインは、半導体レーザ1のケース温度
一定化制御の誤差による半導体レーザ1の駆動電流対光
出力特性からのズレを補正するため、さらにはアンプ等
のドリフトを補正するために必要なだけ確保されていれ
ばよい。具体的には、例えば画素クロック周波数が1M
Hzで、半導体レーザ1が光出力3mWで作動している
状態において、上記ループゲインは30dB程度確保さ
れていれば十分である。この程度のループゲインは、現
在の技術水準で容易に確保可能である。
次に上記V−P特性補正テーブル14の作成について説
明する。第1図の装置には、テーブル作成装置35が適
宜接続されつるようになっている。このテーブル作成装
置35は、テスト信号発生回路27、テーブル作成回路
28およびメモリ29からなる。V−P特性補正テーブ
ル14を作成する際には、上記テスト信号発生回路27
からレベル可変のテジタルテスト信号S10が出力され
、マルチプレクサ15に入力される。この際該マルチプ
レクサ15は、前述のように発光レベル指令信号S5を
D/A変換器16に送る画像記録時の状態から切り換え
て、テスト信号S10をD/A変換器1Gに送る状態と
される。
明する。第1図の装置には、テーブル作成装置35が適
宜接続されつるようになっている。このテーブル作成装
置35は、テスト信号発生回路27、テーブル作成回路
28およびメモリ29からなる。V−P特性補正テーブ
ル14を作成する際には、上記テスト信号発生回路27
からレベル可変のテジタルテスト信号S10が出力され
、マルチプレクサ15に入力される。この際該マルチプ
レクサ15は、前述のように発光レベル指令信号S5を
D/A変換器16に送る画像記録時の状態から切り換え
て、テスト信号S10をD/A変換器1Gに送る状態と
される。
またテーブル作成回路28は、APC回路8の電流−電
圧変換アンプ7が出力づる帰還信号Vpdが入力される
ように接続される。テスト信号310は、段階的にレベ
ルが増大あるいは減小するように出力される。そしてこ
のときテーブル作成回路28は、内蔵するレベル可変信
号発生器から、まず最低の光出力に対応する基準信号を
発生させ、該基準信号と帰還信号Vl)dとを比較する
。この基準信号は、第6図におりる電圧値■1nを有す
るものである。
圧変換アンプ7が出力づる帰還信号Vpdが入力される
ように接続される。テスト信号310は、段階的にレベ
ルが増大あるいは減小するように出力される。そしてこ
のときテーブル作成回路28は、内蔵するレベル可変信
号発生器から、まず最低の光出力に対応する基準信号を
発生させ、該基準信号と帰還信号Vl)dとを比較する
。この基準信号は、第6図におりる電圧値■1nを有す
るものである。
そしてテーブル作成回路28は、これら両信号が一致し
たときのテスト信号310の値をラッチする。
たときのテスト信号310の値をラッチする。
このラッチされたテスト信号810が示す電圧値は、第
6図における電圧値Vに相当するものであるから、上記
電圧@yrnとVとの関係が分かる。テーブル作成回路
28は上記基準信号の値を1024通りに変えて、それ
ぞれの場合の電圧値■inとVとの関係を求める。それ
により、先に述べたように1024段階の電圧値Vin
をVに変換する補正テーブルが作成される。こうして作
成された補正テーブルはメモリ29に−たん記憶された
後、V−P特性補正テーブル14として設定される。こ
うしてV−P特性補正テーブル14を作成した後、テー
ブル作成装置35はAPC回路8から切り離される。
6図における電圧値Vに相当するものであるから、上記
電圧@yrnとVとの関係が分かる。テーブル作成回路
28は上記基準信号の値を1024通りに変えて、それ
ぞれの場合の電圧値■inとVとの関係を求める。それ
により、先に述べたように1024段階の電圧値Vin
をVに変換する補正テーブルが作成される。こうして作
成された補正テーブルはメモリ29に−たん記憶された
後、V−P特性補正テーブル14として設定される。こ
うしてV−P特性補正テーブル14を作成した後、テー
ブル作成装置35はAPC回路8から切り離される。
なお以上説明したように、すべての画像濃度に対応する
電圧値■inとVとの関係を逐−求める他、先に説明し
た階調補正テーブル12の作成の場合と同様に、電圧値
■inと■との関係を主要ないくつかの場合のみについ
て求め、そのデータを補間してV−P特性補正テーブル
14を作成するようにしてもよい。またV−P特性補正
テーブル14は、半導体レーザのV−P特性から計鋒に
よって作成することも可能である。さらに、階調補正テ
ーブル12、逆log変換テーブル13、および上記V
−P特性補正テーブル14はそれぞれの変換特性をすべ
て含ませて1個の補正テーブルとして形成されてもよい
し、あるいはそれぞれ別個の形に構成されてもよい。
電圧値■inとVとの関係を逐−求める他、先に説明し
た階調補正テーブル12の作成の場合と同様に、電圧値
■inと■との関係を主要ないくつかの場合のみについ
て求め、そのデータを補間してV−P特性補正テーブル
14を作成するようにしてもよい。またV−P特性補正
テーブル14は、半導体レーザのV−P特性から計鋒に
よって作成することも可能である。さらに、階調補正テ
ーブル12、逆log変換テーブル13、および上記V
−P特性補正テーブル14はそれぞれの変換特性をすべ
て含ませて1個の補正テーブルとして形成されてもよい
し、あるいはそれぞれ別個の形に構成されてもよい。
ここで、APC回路8のループゲインを前述のように3
0dB程度に設定しても、先に述べた通り、半導体レー
ザ1のドループ特性に起因するその光出力変動を完全に
抑えることは困難である。
0dB程度に設定しても、先に述べた通り、半導体レー
ザ1のドループ特性に起因するその光出力変動を完全に
抑えることは困難である。
以下、このような問題の発生を防止する本発明のドルー
プ補正装置について説明する。この補正装置は第1図に
示すように、電流−電圧変換アンプ50を含み、半導体
レーザ1に印加される駆動電流を検出してその検出電流
に対応した電圧信号Vfを加粋点2にフィードバック(
ネガティブ・フィードバック)さゼる帰還経路51と、
この帰還経路51において上記電流−電圧変換アンプ5
0の後段に配されたハイパスフィルタ52とからなる。
プ補正装置について説明する。この補正装置は第1図に
示すように、電流−電圧変換アンプ50を含み、半導体
レーザ1に印加される駆動電流を検出してその検出電流
に対応した電圧信号Vfを加粋点2にフィードバック(
ネガティブ・フィードバック)さゼる帰還経路51と、
この帰還経路51において上記電流−電圧変換アンプ5
0の後段に配されたハイパスフィルタ52とからなる。
電流−電圧変換アンプ50の帰還抵抗R2は可変抵抗と
され、それによりこの電流−電圧変換アンプ50のゲイ
ンは調節可能となっている。またハイパスフィルタ52
は第7図に詳しく示すように、コンデンサC1と抵抗R
1からなるCR回路で構成されている。
され、それによりこの電流−電圧変換アンプ50のゲイ
ンは調節可能となっている。またハイパスフィルタ52
は第7図に詳しく示すように、コンデンサC1と抵抗R
1からなるCR回路で構成されている。
上記電流−電圧変換アンプ50には半導体レーザ1に印
加される電流と同じ値、あるいはそれに比例した電流I
hが入力され、電圧信号に変換される。この電圧信号は
ハイパスフィルタ52に入力される。先に説明した通り
前記電流1hがステップ状に立ち上がる場合、つまり半
導体レーザ1の印加電流がそのように変化する場合、ハ
イパスフィルタ52の出力電圧Vfは第5図(5)に示
すように応答する。したがってこの電圧信号Vfを北光
レベル指令信号V refにフィードバックさせれば、
半導体レーザ1の印加電流が第5図(1)に破@hで示
すように変化する。ここで、ハイパスフィルタ52の時
定数は半導体レーザ1のドループ特性の時定数と等しく
しておき、また可変抵抗R2を操作して帰還経路51の
ループゲインを変えることにより一 23 − 帰還信号Vfの値を適切に設定しておけば、上記破線り
で示す印加電流の変化による光出力変動が、ドループ特
性による光出力変動と相殺されるようになる。つまり半
導体レーザ1の光出力は、第5図(4)の破線にで示す
ように変化し、見かけ上は、第5図(1)の実線で示す
ように完全にステップ状に変化する印加電流5を与える
と半導体レーザ光出力が完全にステップ状に応答する形
となる。
加される電流と同じ値、あるいはそれに比例した電流I
hが入力され、電圧信号に変換される。この電圧信号は
ハイパスフィルタ52に入力される。先に説明した通り
前記電流1hがステップ状に立ち上がる場合、つまり半
導体レーザ1の印加電流がそのように変化する場合、ハ
イパスフィルタ52の出力電圧Vfは第5図(5)に示
すように応答する。したがってこの電圧信号Vfを北光
レベル指令信号V refにフィードバックさせれば、
半導体レーザ1の印加電流が第5図(1)に破@hで示
すように変化する。ここで、ハイパスフィルタ52の時
定数は半導体レーザ1のドループ特性の時定数と等しく
しておき、また可変抵抗R2を操作して帰還経路51の
ループゲインを変えることにより一 23 − 帰還信号Vfの値を適切に設定しておけば、上記破線り
で示す印加電流の変化による光出力変動が、ドループ特
性による光出力変動と相殺されるようになる。つまり半
導体レーザ1の光出力は、第5図(4)の破線にで示す
ように変化し、見かけ上は、第5図(1)の実線で示す
ように完全にステップ状に変化する印加電流5を与える
と半導体レーザ光出力が完全にステップ状に応答する形
となる。
なお半導体レーザ1のドループ特性はその光出力レベル
によって異なるので、電流−電圧変換アンプ50のゲイ
ン調節は、最もドループ特性の影響が出やすい半導体レ
ーザ1のしきい値電流近傍において行なうのが望ましい
。
によって異なるので、電流−電圧変換アンプ50のゲイ
ン調節は、最もドループ特性の影響が出やすい半導体レ
ーザ1のしきい値電流近傍において行なうのが望ましい
。
また電流−電圧変換アンプ50のゲインを調節可能とし
ておくことは必ずしも必要でなく、半導体レーザ1のド
ループ特性に合わせて上記ゲインを固定しておいても構
わない。
ておくことは必ずしも必要でなく、半導体レーザ1のド
ループ特性に合わせて上記ゲインを固定しておいても構
わない。
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り本発明の半導体レーザのドルー
プ補正装置によれば、半導体レーザが発する光ビームの
強度をアナログ的に変調して連続調画像を記録するレー
ザ記録装置において、半導体レーザのドループ特性によ
る光ビームの過渡的かつ微小な強度変動を防止でき、よ
って階調再現性に優れた精細な連続調画像を記録可能と
なる。
プ補正装置によれば、半導体レーザが発する光ビームの
強度をアナログ的に変調して連続調画像を記録するレー
ザ記録装置において、半導体レーザのドループ特性によ
る光ビームの過渡的かつ微小な強度変動を防止でき、よ
って階調再現性に優れた精細な連続調画像を記録可能と
なる。
第1図は本発明の一実施例によるドループ補正装置を備
えたレーザ記録装置を示す概略図、第2図は半導体レー
ザの駆動電流対光出力特性を示すグラフ、 第3図は半導体レーザ光出力安定化回路の一例を示すブ
ロック図、 第4図は半導体レーザの駆動電流対光出力特性の温度依
存性を示すグラフ、 第5図は半導体レーザのドループ特性を説明するグラフ
、 第6図は第1図のレーザ記録装置におけるV−P特性補
正テーブルの作用を説明するグラフ、第7図は第1図の
ドループ補正装置を詳しく示す回路図である。 1・・・半導体レーザ 2・・・加輝点3・・・電
圧−電流変換アンプ 4.5・・・光ビーム 6・・・フォトダイオード
7.50・・・電流−電圧変換アンプ 8・・・APC回路 10・・・画像信号発生器
14・・・V−P特性補正テーブル 16・・・D/A変換器 17・・・コリメータレ
ンズ18・・・光偏向器 19・・・集束レン
ズ20・・・感光材料 35・・・テーブル作
成装置40・・・補正テーブル 51・・・帰還経
路52・・・ハイパスフィルタ Ih・・・ハイパスフィルタへの入力電流$1・・・画
像信号 81″・・・補正前の発光レベル指令信号V ref・
・・発光レベル指令信号 Vpd、Vf・・・帰還信号 Ve・・・偏差信号第2
図 第4図 第5図 1傾電うん (mA)
えたレーザ記録装置を示す概略図、第2図は半導体レー
ザの駆動電流対光出力特性を示すグラフ、 第3図は半導体レーザ光出力安定化回路の一例を示すブ
ロック図、 第4図は半導体レーザの駆動電流対光出力特性の温度依
存性を示すグラフ、 第5図は半導体レーザのドループ特性を説明するグラフ
、 第6図は第1図のレーザ記録装置におけるV−P特性補
正テーブルの作用を説明するグラフ、第7図は第1図の
ドループ補正装置を詳しく示す回路図である。 1・・・半導体レーザ 2・・・加輝点3・・・電
圧−電流変換アンプ 4.5・・・光ビーム 6・・・フォトダイオード
7.50・・・電流−電圧変換アンプ 8・・・APC回路 10・・・画像信号発生器
14・・・V−P特性補正テーブル 16・・・D/A変換器 17・・・コリメータレ
ンズ18・・・光偏向器 19・・・集束レン
ズ20・・・感光材料 35・・・テーブル作
成装置40・・・補正テーブル 51・・・帰還経
路52・・・ハイパスフィルタ Ih・・・ハイパスフィルタへの入力電流$1・・・画
像信号 81″・・・補正前の発光レベル指令信号V ref・
・・発光レベル指令信号 Vpd、Vf・・・帰還信号 Ve・・・偏差信号第2
図 第4図 第5図 1傾電うん (mA)
Claims (2)
- (1)光ビームを発する半導体レーザと、 前記光ビームを感光材料上に走査させるビーム走査系と
、 画像信号に対応した発光レベル指令信号を生成し、該信
号に基づいて前記半導体レーザの駆動電流を制御して前
記光ビームの強度を変調するレーザ動作制御回路と、 前記光ビームの強度を検出し、この検出された光強度に
対応する帰還信号を前記発光レベル指令信号にフィード
バックさせる光出力安定化回路とを有するレーザ記録装
置において、 前記半導体レーザの駆動電流を検出してこの検出電流に
対応した信号を前記発光レベル指令信号にフィードバッ
クさせる帰還経路と、 前記半導体レーザのドループ特性の時定数とほぼ等しい
時定数を有し、前記帰還経路において前記検出電流が入
力されるように配されたハイパスフィルタとが設けられ
てなる半導体レーザのドループ補正装置。 - (2)前記帰還経路に、該帰還経路によるフィードバッ
ク量を調節するゲイン調節手段が設けられていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザの
ドループ補正装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62042110A JPH0626421B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 半導体レ−ザのドル−プ補正装置 |
US07/160,450 US4835781A (en) | 1987-02-25 | 1988-02-25 | Drooping elimination device for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62042110A JPH0626421B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 半導体レ−ザのドル−プ補正装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63209270A true JPS63209270A (ja) | 1988-08-30 |
JPH0626421B2 JPH0626421B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=12626817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62042110A Expired - Lifetime JPH0626421B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 半導体レ−ザのドル−プ補正装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4835781A (ja) |
JP (1) | JPH0626421B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63213983A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-06 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ出力制御装置 |
JP2011216662A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sony Corp | 補正回路、駆動回路、発光装置、および電流パルス波形の補正方法 |
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US4899344A (en) * | 1987-12-07 | 1990-02-06 | Ricoh Co., Ltd. | Semiconductor laser control apparatus |
JP3045357B2 (ja) * | 1992-07-28 | 2000-05-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 光走査記録装置 |
JPH07131089A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-05-19 | Nikon Corp | レーザパワーモニタ回路 |
DE19607880C2 (de) * | 1996-03-01 | 1998-01-22 | Agfa Gevaert Ag | Verfahren und Schaltung zum Betrieb einer Laserdiode |
US6014161A (en) * | 1997-01-31 | 2000-01-11 | Hewlett-Packard Company | Closed loop compensation for gray scale printing devices |
US6198497B1 (en) | 1998-06-03 | 2001-03-06 | Hewlett-Packard | Adjustment of a laser diode output power compensator |
US20050105571A1 (en) * | 2002-02-25 | 2005-05-19 | Van Der Kall Herman P. | Controlling the temperature of a laser diode in a disc drive |
JP2004034457A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 画像記録装置、管理装置、カラープルーフ作成システム、コンピュータプログラム製品、及び画像記録装置の光量補正方法 |
JP2008076064A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Olympus Corp | 光学式エンコーダの信号処理回路 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5671374A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Video recording method |
JPS56115077A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | Laser recording device |
JPS56152372A (en) * | 1980-04-24 | 1981-11-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Laser recording device |
JPS5784674A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-27 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Recorder |
JPH0738677B2 (ja) * | 1984-05-07 | 1995-04-26 | 株式会社東芝 | 画像形成装置 |
JPS60234857A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-21 | Toshiba Corp | 記録装置 |
JPS60236946A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-25 | Toshiba Corp | 記録装置 |
JP2597969B2 (ja) * | 1984-05-09 | 1997-04-09 | 株式会社東芝 | 画像形成装置 |
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US4698817A (en) * | 1985-02-28 | 1987-10-06 | Northern Telecom Limited | Peak optical power control circuit for laser driver |
JPS61284171A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Canon Inc | レ−ザ−ビ−ムプリンタ |
US4631728A (en) * | 1985-07-22 | 1986-12-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Thermoelectric cooler control circuit |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP62042110A patent/JPH0626421B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-02-25 US US07/160,450 patent/US4835781A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011216662A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sony Corp | 補正回路、駆動回路、発光装置、および電流パルス波形の補正方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0626421B2 (ja) | 1994-04-06 |
US4835781A (en) | 1989-05-30 |
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